專利名稱：復合氧化物膜及其制造方法，復合體及其制造方法、介電材料、壓電材料、電容器和電子設備的制作方法
技術領域：
本發明是關于復合氧化物膜及其制造方法、復合體及其制造方法、介
電材料(電介質材料；dielectric material)、壓電材料、電容器和電子詔: 備的發明。更詳細地講，涉及相對介電常數(relative dielectric constant)
高的復合氧化物膜及其制造方法、包含該復合氧化物膜的復合體及其制造 方法、包含上述復合氧化物膜或復合體的介電材料或壓電材料、包含溫度 依賴性小的復合氧化物膜的電容器以及具備它的電子設備。
背景技術：
以往，作為小型電容器，疊層陶瓷電容器、鉭電解電容器、鋁電解電 容器已實用化。其中，在疊層陶瓷電容器中曾使用了介電常數大的鈦酸鋇、 耐受電壓(withstand voltage)大的鈦酸鍶等復合氧化物作為電介質。
由于靜電電容量與相對介電常數成比例，與電介質層的厚度成反比例， 因此一直探求著較薄地均勻制膜形成具有高的相對介電常數的電介質層的 方案。
作為電介質層的制膜方法，日本特開昭60-116119號>^才艮(專利文獻1) 和曰本特開昭61- 30678號公報(專利文獻2 )曾經公開了通過在含有鋇離 子的強堿性水溶液中對金屬鈦基材進行化學轉換處理來形成鈦酸鋇薄膜的 技術。日本特開平5-124817號公報(專利文獻3;相關申請US5328718 ) 曾經公開了通過醇鹽法在基材上形成鈦酸鋇薄膜的技術。
另外，日本特開2003-206135號公報(專利文獻4;相關申請 EP1445348)曾經公開了下述技術通過將金屬鈦基體在堿金屬的水溶液
中進行處理，在基體表面形成堿金屬的鈦酸鹽之后，在含有鍶、釣等的金 屬離子的水溶液中進行處理，將堿金屬置換成鍶、鉀等金屬，來形成復合
鈦氧化被膜。此外，日本特開平11-172489號公報(專利文獻5)曾經公開 了下述方法通過利用電化學方法在基板上形成鈦氧化物被膜，并將該被 膜在鋇水溶液中進行陽極氧化，來制造鈥酸鋇被膜。
專利文獻1:日本特開昭60-116119號^^才艮
專利文獻2:日本特開昭61- 30678號/>報
專利文獻3:日本特開平5-124817號z〉報
專利文獻4:日本特開2003-206135號公報
專利文獻5:日本特開平11-172489號公報
發明內容
然而，根據本發明者的研討已知，由專利文獻1~5所公開的方法得到 的電介質層，相對介電常數的溫度依賴性大，因此所得到的電容器的靜電 電容量的溫度依賴性大。因此，本發明的課題是不使用復雜而龐大的設備， 提供相對介電常數高、膜厚可任意地控制、溫度依賴性小的復合氧化物膜 及其制造方法、包含該復合氧化物膜的復合體及其制造方法、包含上述復 合氧化物膜或復合體的介電材料或壓電材料、包含溫度依賴性小的復合氧 化物膜的電容器或壓電元件以及具備它的電子設備。
本發明者為了解決上述課題而反復進行了刻苦研究。其結果發現，通 過以下方案可以達到目的。
(1) 一種含有鈦元素和鉤元素的復合氧化物膜的制造方法，包括形 成含有鈦元素的金屬氧化物膜的第 一工序、和使含有鈣離子的溶液與該金 屬氧化物膜進行反應的第二工序。
(2) 如上述(1)所述的復合氧化物膜的制造方法，含有鈣離子的溶 液是pH為11以上的堿性溶液。
(3 )如上述(1)或(2)所述的復合氧化物膜的制造方法，第二工序 中的含有鈣離子的溶液為40。C以上。
(4) 如上述(1) ~ (3)的任一項所述的復合氧化物膜的制造方法， 含有鈣離子的溶液含有在大氣壓下或減壓下通過蒸發、升華和/或熱分解中 的至少一種方法變成為氣體的堿性化合物。
(5) 如上述(4)所述的復合氧化物膜的制造方法，堿性化合物為堿 性有機化合物。
(6) 如上述(5)所述的復合氧化物膜的制造方法，堿性有機化合物 為氫氧化四甲基銨。
(7) —種復合氧化物膜，是采用上述(l) ~ (6)的任一項所述的制 造方法得到的。
(8 )—種在基體表面具有含有鈦元素和鈣元素的復合氧化物層的復合 體的制造方法，包括在基體表面形成含有鈦元素的金屬氧化物層的第一 工序、和使含有鈣離子的溶液與該金屬氧化物層進行反應的第二工序。
(9) 如上述(8)所述的復合體的制造方法，基體是由金屬鈦或含鈥 的合金制成的。
(10) 如上述(8)或(9)所述的復合體的制造方法，第一工序包括 對上述基體表面進行陽極氧化的工序。
(11) 如上述(8) ~ (10)的任一項所述的復合體的制造方法，基體 是厚度為5 ~ 300|iim的箔。
(12) 如上述(8) ~ (11)的任一項所述的復合體的制造方法，基體 是將平均粒徑為0.1 ~ 20|am的粒子進行燒結而成的。
(13) —種復合體，包含由金屬鈦或含鈥的合金形成的層、和在該層 的表面形成的采用上述(1) ~ (6)的任一項所述的制造方法得到的復合 氧化物膜。
(14) 一種復合體，是采用上述(8) ~ (12)的任一項所述的制造方 法得到的。
(15) 如上述(13)或(14)所述的復合體，復合氧化物膜含有鈣鈦 礦型化合物。
(16) —種包含上述(7)所述的復合氧化物膜的介電材料。
(17) —種包含上述(13) ~ (15)的任一項所述的復合體的介電材料。
(18) —種包含上述(16)或(17)所述的介電材料的電容器。
(19) 一種具備上述(18)所述的電容器的電子設備。
(20) —種包含上述(7)所述的復合氧化物膜的壓電材料。
(21) —種包含上述(13) ~ (15)的任一項所述的復合體的壓電材料。
(22) —種包含上述(20)或(21)所述的壓電材料的壓電元件。
(23) —種具備上述(22)所述的壓電元件的電子設備。
發明效果
根據本發明的復合氧化物膜的制造方法，可以釆用極為簡單的方法形 成含有鈦元素和鈣元素的復合氧化物膜。因此，不需要使用復雜而龐大的 設備就能夠以低成本制造復合氧化物膜。
采用本發明的制造方法得到的含有鈦元素和鈣元素的復合氧化物膜的 厚度，與所用的材料和制造條件的相關關系是明了的，因此可以容易地進 行膜厚的控制。
在作為基體使用金屬鈦或含鈦的合金的場合，通過將該基體進行陽極 氧化，可以容易得到膜厚得到控制的鈦氧化物膜，通過使含有鈣離子的溶 液與該鈦氧化物膜進行反應，可以容易地形成膜厚得到控制的、耐受電壓 高的4失電膜。
在此，通過使用pH為11以上堿性溶液作為含有鈣離子的溶液，可以 形成結晶性高的鐵電膜，可以得到高的相對介電常數。當作為該堿性溶液 的堿性成分使用在大氣壓下或減壓下通過蒸發、升華和熱分解中的至少一 種方法變成為氣體的堿性化合物時，可以抑制由于復合氧化物膜中殘存堿 性成分而引起的膜的特性降低，可以得到具有穩定的特性的復合氧化物膜。 另外，通過使溶液溫度為40。C以上，可以使反應更切實地進行。
這樣得到的復合氧化物膜，其靜電電容量的溫度依賴性極小。當作為
基體使用厚度為5~300^im的箔、或平均粒徑為0.1 ~20nm的金屬鈦或含 鈥合金微粒子的燒結體時，可以增加復合氧化物膜相對于基體的比例，很 適合作為電容器等電子部件用途，可使電子部件小型化，進而可使包括這 些電子部件的電子設備小型化、輕量化。
具體實施例方式
以下例舉本發明的實施方式進行詳細說明。
本發明的含有鈦元素和鈣元素的復合氧化物膜的制造方法，是包括形 成含有鈦元素的金屬氧化物膜的第 一工序、和使含有鈣離子的溶液與該金 屬氧化物膜進行反應的第二工序的方法。另外，本發明的在基體表面具有 含有鈦元素和釣元素的復合氧化物層的復合體的制造方法，是包括在基體 表面形成含有鈦元素的金屬氧化物層的第 一工序、和4吏含有鈣離子的溶液 與該金屬氧化物層進行反應的第二工序的方法。
在第一工序中，形成含有鈦元素的金屬氧化物膜。用于形成該金屬氧
化物膜的方法沒有特別限制，但在本發明中優選使用基體，在其表面形 成作為含有鈦元素的金屬氧化物層的金屬氧化物膜的方法。
所述基體，對其材質沒有特別限制，可以相應于用途來使用導電體、 半導體、絕緣體。作為在電容器用途中優選的材質的例子，可列舉出作為 導電體的金屬鈦或含鈥的合金。通過在導電體表面形成作為電介質的復合 氧化物膜而得到的復合體，可以原樣地直接作為電容器的電極使用。
所述基體，對其形狀沒有特別限制，板狀的基體、箔狀的基體、以及 表面不平滑的基體均可使用。在電容器用途中，從小型、輕量化的觀點以 及基體單位質量的表面積越大復合氧化物膜相對于基體的比例就越增大從 而更有利的觀點來看，優選是箔狀的基體，優選是厚度為5~S00pm的箔， 更優選是厚度為5 ~ lOOjim的箔，進一步優選是厚度為5 ~ 30pm的箔。
作為基體使用的箔，優選是進行使用氫氟酸等的化學蝕刻、電解蝕刻 等蝕刻，在表面形成凹凸從而增加了表面積的箔。
為了同樣地增加復合氧化物膜相對于基體的比例，作為基體，優選是
使平均粒徑為0.1 ~20^im的粒子燒結而成的基體，更優選是使平均粒徑為 1 ~ 10pm的粒子燒結而成的基體。
含有鈦元素的金屬氧化物，只要是含有鈦元素的就沒有特別限制，但 優選為鈥氧化物。該鈥氧化物為由通式TiOx 'nH2O(0.5《x《2， 0《n《2) 所表示的化合物。
金屬氧化物層的厚度可以相應于所希望的復合氧化物膜厚度適當進行 調整。優選為1 4000nm的范圍，更優選為5 ~ 2000nm的范圍。
對含有鈦元素的金屬氧化物層的形成方法沒有特別限制。作為基體使 用除了鈦金屬或鈦合金以外的金屬或合金的場合，例如可以使用賊射法和 等離子體蒸鍍法等干式工藝，但從低成本制造的觀點來看，優選采用溶膠
凝膠法、電解鍍覆法等濕式工藝形成。
作為基體使用鈦金屬或鈦合金的場合，可以使用與上述同樣的方法， 但也可以采用基體表面的自然氧化、熱氧化、陽極氧化等方法形成。在本 發明中，從可以利用電壓來容易地控制膜厚的方面來看，優選陽極氧化。
陽極氧化，是將由鈥金屬或鈥合金制成的基體的所設定的區域浸漬在 電解液中，以所設定的電壓電流密度進行處理。此時，為了使電解液的浸 漬液面水平穩定化，優選在基體的所規定的位置涂布掩蔽材料后實施化學 轉換。所述掩蔽材料，對其材料沒有限定。作為掩蔽材料，例如可以使用 一般的耐熱性樹脂，優選對溶劑可溶或可溶脹(膨潤)的耐熱性樹脂或其 前體；包含無機微粉和纖維素系樹脂的組合物(日本特開平11-80596號公 報)；等等。作為用于掩蔽材料的材料的更具體的例子，可以列舉出聚苯 砜(PPS)、聚醚砜(PES)、氰酸酯樹脂、氟樹脂(四氟乙烯、四氟乙 烯-全氟烷基乙烯基醚共聚物)、聚酰亞胺以及它們的衍生物等。這些材料 可以溶解或分散于有機溶劑中，可以容易地調制適合于涂布操作的任意的
固體成分濃度(因而任意的粘度)的溶液或分散液。
作為電解液，可以列舉出酸和/或其鹽的溶液，例如含有磷酸、硫酸、
草酸、硼酸、己二酸以及它們的鹽的至少一種的溶液。電解液中的酸和/
或其鹽的濃度通常為0.1~30質量％,優選為1~20質量％。電解液的溫
度通常為0 90'C，優選為20 80。C。
將基體浸漬于電解液中之后，通常首先進行恒流化學轉換，達到規定 的電壓之后，進行恒壓化學轉換。恒流化學轉換和恒壓化學轉換通常在電 流密度為0.1~1000mA/cm2、電壓為2~400V、時間為1毫秒~400分的 條件下，優選在電流密度為l~400mA/cm2、電壓為5~70V、時間為1秒~ 300分的條件下進行。
在接下來的第二工序中，使含有鈣離子的溶液與通過第一工序形成的 含有鈦元素的金屬氧化物層進行反應。
通過該反應，含有鈦元素的金屬氧化物層變化成為含有鈦元素和鈣元 素的復合氧化物膜。含有鈦元素和鈣元素的復合氧化物膜優選含有鈣鈦礦 型化合物。
含有鈣離子的溶液，只要是含有鈣離子的就沒有特別限制。含有鈣離 子的溶液，除了鈣以外，還可以以比鈣少的濃度[摩爾/升]含有例如鍶、鋇 等堿土類金屬、鉛。
該溶液優選為水溶性的，可以使用氫氧化物、硝酸鹽、乙酸鹽、氯化 物等金屬化合物的水溶液。另外，這些金屬化合物既可以單獨使用一種， 又可以將兩種以上以任意的比率混合來使用。具體地講，可以使用氯化鈣、 硝酸釣、乙酸鉤、氯化鍶、硝酸鍶、氫氧化鋇、氯化鋇、硝酸鋇、乙酸鋇、 硝酸鉛、乙酸鉛等。進而可以添加含有選自Sn、 Zr、 La、 Ce、 Mg、 Bi、 Ni、 Al、 Si、 Zn、 B、 Nb、 W、 Mn、 Fe、 Cu和Dy中的至少一種元素的 化合物以使得反應后的復合氧化物膜中含有小于5摩爾％的這些元素。
本發明所用的含有鈣離子的溶液中的鈣離子量(摩爾)，優選調制為 相對于上述含有鈦元素的金屬氧化物層的物質量(摩爾)為1~1000倍。
該溶液優選為堿性溶液。具體地講，溶液的pH優選為11以上，更優 選為13以上，特別優選為14以上。通過提高pH，可以制造結晶性更高的 復合氧化物膜。結晶性越高，膜的耐受電壓就越高，因此是優選的。
所述溶液，例如優選添加堿性化合物，其中優選堿性有機化合物， 使之成為pH為11以上的堿性。對添加的堿性化合物沒有特別限制，但優
選在后述的干燥時的溫度以下、并且大氣壓下或減壓下通過蒸發、升華 和/或熱分解中的至少一種方法變成為氣體的堿性化合物，例如可列舉出 TMAH (氫氧化四甲基銨)、膽堿等。若添加氫氧化鋰、氫氧化鈉、氫氧 化鉀等堿金屬氫氧化物，就會在得到的復合氧化物膜中殘存堿金屬，根據 用途不同，在形成為制品時存在作為介電材料、壓電材料等功能材料的特 性差的可能性。從反應后的除去容易度、pH調節容易度來看，優選添加氫 氧化四曱基銨等堿性有機化合物。
將這樣調制的溶液一邊攪拌一邊在常壓下通常加熱保持在40。C ~溶 液沸點，優選加熱保持在80。C 溶液沸點，并使其與上述含有鈦元素的金 屬氧化物層接觸、進行反應。反應時間通常為IO分鐘以上，優選為1小時 以上。
反應后，根據需要使用電透析、離子交換、水洗、滲透膜等方法，從 反應部位除去雜質離子。接著進行干燥。干燥通常在室溫 150。C、 1~24 小時的條件下進行。對進行干燥的氣氛沒有特別限定，可以在大氣中或減 壓下進行。
通過以上的方法，可以得到含有鈦元素和鈣元素的復合氧化物膜、或 具有基體和含有鈦元素和鈣元素的復合氧化物膜的復合體。
本發明的復合氧化物膜或復合體可以作為介電材料、壓電材料使用。
本發明的電容器是包含上述介電材料的。具體地講，將本發明的復合 體用于電容器的陽極。為了形成為陽極，通常使復合體表面附著碳膏，將 電阻降低，進而使之附著銀骨，使其與外部引線導通。此時，將氧化錳、 導電性高分子、鎳等金屬用于電容器的陰極。
本發明的壓電元件是包含上述壓電材料的。另外，可以使電子設備中 具有這些電容器以及壓電元件。
本發明的復合體(介電材料)，其作為電介質層的復合氧化物膜的厚 度薄而均勻。而且，該電介質層的相對介電常數高，溫度依賴性小。其結 果，包含本發明的復合體(介電材料)的電容器是小型并具有高的靜電電 容量的同時，電容量的溫度依賴性也小。這樣的小型高電容量的電容器，
可以很適合地作為電子設備類、特別是以便攜式電話機為首的便攜式設備
的部件使用。
實施例
以下通過實施例和比較例來具體地說明本發明，但本發明并不被這些 實施例限定。 (實施例1 )
將厚度20pm的純度99.9%的鈦箔(林式會社廿乂夕乂夕少制)切割 成3.3mm寬而得到的鈦蕩條切取成各13mm的長度，將該箔片的一個短邊 部與金屬制的導向裝置(guide)焊接進行固定。在上述鈥箔的從未固定的 一側的端部起7mm的部位，采用聚酰亞胺樹脂溶液(宇部興產林式會社 制)描繪0.8mm寬的線，在約180'C下使其干燥30分鐘來進行掩蔽。將 鈦箔的從未固定的一側的端部到進行了掩蔽的部分的部分(單面為約 0.22cm2)浸漬在5質量％的磷酸水溶液中，在電流密度30mA/cm2、陽極 氧化電壓15V、溫度40。C下進行120分鐘的陽極氧化處理，接著從磷酸水 溶液拉出，進行水洗、干燥，使鈦箔表面形成了二氧化鈦層。在該陽極氧 化條件下得到的二氧化鈦膜的平均膜厚為0.15pm。所得到的二氧化鈦膜平 均lcn^的二氧化鈦量，由二氧化鈦膜的平均膜厚(0.15nm) 、 二氧化鈦 的密度(約4g/cm3)和二氧化鈦的化學式量(TiO尸約80)求得的結果為 7.5xl0-5摩爾。
在20%的氫氧化四甲基銨水溶液(t,，厶昭和林式會社制)中溶解 二氧化鈦層的物質量(摩爾)的20倍摩爾的氫氧化鈣(林式會社高純度化 學研究所制)，得到了溶液。該溶液的pH為14。將形成了上述二氧化鈦 層的箔在100。C下在該溶液中浸漬4小時，使其反應，形成了復合氧化物 膜。
通過X射線衍射鑒定復合氧化物膜，可知為立方晶的鈣鈥礦結構的鈥 酸釣。
對通過FIB裝置進行了截面加工的試樣進行TEM觀察，可知平均膜 厚為0.15^un。該復合氧化物膜的介電常數的溫度依賴性(125'C的相對介
電常數)/ (25。C的相對介電常數)-1為2000ppm。因此平均1。C的溫度依 賴性為20ppm廠C。 (比較例1)
將厚度20|nm的純度99.9%的鈦箔(林式會社廿乂夕乂夕少制)切割 成3.3mm寬而得到的鈦箔條切取成各13mm的長度，將該箔片的一個短邊 部與金屬制的導向裝置焊接進行固定。在上述鈦箔的從未固定的一側的端 部起7mm的部位，采用聚酰亞胺樹脂溶液(宇部興產林式會社制)描繪 0.8mm寬的線，在約180。C下使其干燥30分鐘來進行掩蔽。將鈦箔的從未 固定的一側的端部到進行了掩蔽的部分的部分浸漬在5質量％的磷酸水溶 液中，在電流密度30mA/cm2、陽極氧化電壓15V、溫度40。C下進行120 分鐘的陽極氧化處理，接著從磷酸水溶液拉出，進行水洗、干燥，使鈦箔 表面形成了二氧化鈦層。
將0.1摩爾的硝酸鋇Ba (N03) 2和1摩爾的氫氧化鉀KOH溶解于 1000ml的水中，得到了溶液。將形成了上述二氧化鈦層的箔在100。C下在 該溶液中浸漬0.5小時，使其反應，形成了復合氧化物膜。通過X射線衍 射鑒定復合氧化物膜，可知為立方晶的鈣鈦礦結構的鈦酸鋇。
對通過FIB裝置進行了截面加工的試樣進行TEM觀察，可知平均膜 厚為0.04jim。該復合氧化物膜的介電常數的溫度依賴性[(125。C的相對介
電常數)/(25。c的相對介電常數)-1為-40%。因此平均rc的溫度依賴性
為0.4%/°C。
在本實施例中說明了使用復合氧化物膜作為電介質層的電容器的一 例，但該復合氧化物膜也可以作為壓電元件的壓電材料使用。 本發明中表示數值范圍的"以上"和"以下，，均包括本數。
權利要求
1.一種含有鈦元素和鈣元素的復合氧化物膜的制造方法，包括形成含有鈦元素的金屬氧化物膜的第一工序、和使含有鈣離子的溶液與該金屬氧化物膜進行反應的第二工序。
2. 如權利要求l所述的復合氧化物膜的制造方法，所述含有鈣離子的 溶液是pH為11以上的堿性溶液。
3. 如權利要求l所述的復合氧化物膜的制造方法，所述第二工序中的 含有鈣離子的溶液為40'C以上。
4. 如權利要求l所述的復合氧化物膜的制造方法，所述含有鈣離子的 溶液含有在大氣壓下或減壓下通過蒸發、升華和/或熱分解中的至少一種方 法變成為氣體的堿性化合物。
5. 如權利要求4所述的復合氧化物膜的制造方法，所述堿性化合物為 堿性有機化合物。
6. 如權利要求5所述的復合氧化物膜的制造方法，所述堿性有機化合 物為氫氧化四甲基銨。
7. —種復合氧化物膜，是釆用權利要求1 6的任一項所述的制造方 法得到的。
8. —種在基體表面具有含有鈦元素和鈣元素的復合氧化物層的復合體 的制造方法，包括在基體表面形成含有鈦元素的金屬氧化物層的第一工序、和 使含有鈣離子的溶液與該金屬氧化物層進行反應的第二工序。
9. 如權利要求8所述的復合體的制造方法，所述基體是由金屬鈦或含 鈦的合金制成的。
10. 如權利要求8所述的復合體的制造方法，所述第一工序包括對所 述基體表面進行陽極氧化的工序。
11. 如權利要求8所述的復合體的制造方法，所述基體是厚度為5~ 300pm的箔。
12. 如權利要求8所述的復合體的制造方法，所述基體是將平均粒徑 為0.1 ~ 20pm的粒子進行燒結而成的。
13. —種復合體，包含由金屬鈦或含鈥的合金形成的層、和在該層的 表面形成的復合氧化物膜，所述復合氧化物膜是采用權利要求1所述的制 造方法得到的。
14. 一種復合體，是采用權利要求8~12的任一項所述的制造方法得 到的。
15. 如權利要求13或14所述的復合體，所述復合氧化物膜含有4丐鈦 礦型化合物。
16. —種介電材料，包含權利要求7所述的復合氧化物膜。
17. —種介電材料，包含權利要求13 15的任一項所述的復合體。
18. —種電容器，包含權利要求16或17所述的介電材料。
19. 一種電子設備，具備權利要求18所述的電容器。
20. —種壓電材料，包含權利要求7所述的復合氧化物膜。
21. —種壓電材料，包含權利要求13~15的任一項所述的復合體。
22. —種壓電元件，包含權利要求20或21所述的壓電材料。
23. —種電子設備，具備權利要求22所述的壓電元件。
全文摘要
本發明的目的是不使用復雜而龐大的設備，提供相對介電常數高、膜厚可任意地控制、電容量的溫度依賴性小的復合氧化物膜及其制造方法、包含該復合氧化物膜的復合體及其制造方法、包含上述復合氧化物膜或復合體的介電材料或壓電材料、包含溫度依賴性小的復合氧化物膜的電容器或壓電元件以及具備它的電子設備。通過采用陽極氧化等方法在基體表面形成含有鈦元素金屬氧化物層，接著使含有鈣離子的溶液與該金屬氧化物層進行反應，可以得到含有鈦元素和鈣元素的復合氧化物膜。進而可以得到包含具有該復合氧化物膜的復合體作為介電材料的電容器、和包含具有該復合氧化物膜的復合體作為壓電材料的壓電元件。
文檔編號H01L41/39GK101351406SQ20068004971
公開日2009年1月21日 申請日期2006年12月27日 優先權日2005年12月28日
發明者白川彰彥 申請人:昭和電工株式會社