專利名稱：用于半導體裸片的氣腔封裝以及形成氣腔封裝的方法
技術領域：
本發明通常涉及裸片封裝，具體地說，本發明涉及用于半導體 裸片的氣腔封裝。
背景技術：
可將載有集成電路的半導體裸片或芯片封裝在裸片封裝中，隨
后，在諸如印制線路板(PWB)或印制電路板(PCB)之類的基板上進 行表面安裝，從而形成電子組裝。表面安裝器件(SMD)是一種通常 類型的裸片封裝，其包括通過焊料鍵合與印制線路板上的互補接觸焊 盤連接的接觸焊盤。貼片機將裸片封裝放置在印制線路板的特定位置 上，隨后，通過焊料鍵合將其電耦接至印制線路板上。印制線路板不 僅提供了用于安裝和支撐裸片封裝的物理結構，而且提供了從接觸焊 盤延伸出來的導電走線圖案，該圖案用于將裸片封裝內的半導體裸片 與安裝在印制線路板上的其它元件(例如，分立的無源元件或其它半 導體芯片)進行電氣互連。這些附加元件包括用于對裸片封裝內的半 導體裸片中的集成電路進行供電、控制、或與其進行電子相互作用的 電路。
為了形成裸片封裝，半導體裸片被安裝至諸如引線框之類的金 屬載體的前端。在半導體裸片的接觸焊盤或鍵合焊盤和也在載體前端 上的接觸焊盤或鍵合焊盤之間建立導電通道。建立這種導電通道的一 種方法就是引線鍵合工藝，其中，各個引線從芯片鍵合焊盤向外延伸 超過芯片的外周直至載體鍵合焊盤。由細絲限定的引線的另一端被鍵 合至對應的鍵合焊盤。由引線和鍵合悍盤建立的導電通道為電源和信 號分配提供了芯片至載體的互連。耦接的半導體裸片和載體被密封在 模制材料的保護主體中，從而形成了能夠保護半導體裸片和引線的密 封封裝。為了將封裝安裝至印制線路板上，密封封裝將載體接觸焊盤暴露出來。
氣腔封裝被頻繁地用于封裝高頻(例如射頻即RF)半導體芯片。 與在模塑料進行密封不同的是，在密封空氣的包圍中進行高頻半導體 芯片的封裝改進了芯片及其引線的高頻特性。干燥空氣具有顯著低于 模塑料的介電常數，這就改進了高頻半導體芯片的電性能。
首先將由模塑料組成的模制底部和側壁鍵合至金屬載體，以限 定封裝主體，從而形成了傳統的表面安裝氣腔封裝。所采用的側壁是 圍繞在裸片附著焊盤(其上附著半導體裸片)周圍的預先形成的框。 引線穿過側壁或底部，從而建立了與半導體裸片的通信通道。引線具 有延伸至被側壁包圍的空間內的表面或末端，因此，引線可以進入氣 腔內部，進行引線鍵合。模制底部和側壁部分地界定了氣腔，而留下 頂部開口，用于將半導體裸片附著至裸片附著焊盤，隨后將從芯片鍵 合焊盤的引線附著至穿過側壁的引線。完成引線鍵合工藝之后，蓋子 與側壁粘合性地結合在一起，從而閉合氣腔的頂部開口，因此在不接 觸元件的情況下為裸片和引線提供了環境和機械保護。隨后，氣腔封 裝被附著在載體上，并且在模塑料的保護主體中予以密封。
傳統的氣腔封裝工藝存在各種缺點。例如，每種氣腔封裝都是 由分立的蓋子關閉的，在裸片附著和引線鍵合之后，這樣的蓋子必須 被單獨地拾取并放置在適當的位置。傳統的氣腔封裝在尺寸收縮上存 在限制，所以很難制造出小型的氣腔封裝。此外，氣腔封裝是分開地 形成的，并且隨后被安裝在載體上并在模塑料保護主體的內部模制， 這就要求許多工藝步驟來完成。
發明內容
因此，需要一種用于形成能夠克服傳統封裝的缺點的氣腔封裝 的方法。
在本發明的一個實施例中， 一種裸片封裝，其包括半導體裸 片；支撐半導體裸片的載體；以及模塑料的主體，其被布置在所述半 導體裸片附近以至少部分地限制用于所述半導體裸片的氣腔。所述載 體包括多個觸點焊盤，其中每個觸點焊盤均具有電耦接至所述半導體裸片的第一表面和電耦接至所述第一表面的第二表面。所述接觸焊盤 限定了圍繞所述半導體裸片的多個鎖定特征。主體被置于所述載體上 以使每個接觸焊盤的所述第二表面均從所述裸片封裝向外暴露出來。 主體與鎖定特征機械地耦接，從而將所述模塑料固定在所述載體上。 在本發明的另一個方面中，提供了一種利用具有多個器件區域 的載體來封裝多個半導體裸片的方法，其中在可刻蝕基板上承載了所 述多個器件區域。所述方法包括在所述載體上涂敷模塑料的主體從 而限定多個氣腔，其中所述氣腔中的每個氣腔都處于所述器件區域中 的一個對應的器件區域附近；將所述多個半導體裸片中的一個對應的 半導體裸片附著在所述器件區域中的每個器件區域內；并且將所述半 導體裸片的每一個與所述器件區域中的每個器件區域的至少一個接 觸焊盤進行電連接，其中該接觸焊盤在所述氣腔中的一個對應的氣腔 內是暴露的。所述方法還包括對所述可刻蝕基板進行刻蝕，從而為 來自所述可刻蝕基板部分的所述器件區域中的每個器件區域內的至 少一個接觸焊盤限定接觸表面，從而可以從所述主體的外部位置到達 所述接觸表面。
在本發明的另一個方面中，提供了一種利用具有至少一個器件 區域的載體來封裝半導體裸片的方法，其中在可刻蝕基板上承載著所 述器件區域。所述方法包括在所述載體上涂敷模塑料的主體從而限 定處于所述器件區域附近的氣腔；將半導體裸片附著在所述器件區域 內；并且將所述半導體裸片與所述器件區域中的接觸焊盤的第一表面 進行電連接，其中該表面在所述氣腔內至少是部分暴露的。所述方法 還包括對所述可刻蝕基板進行刻蝕，從而為來自所述可刻蝕基板部 分的接觸焊盤限定第二表面，從而可以從所述主體的外部位置到達第 二表面。
在本發明的又另一個方面中，提供了一種利用具有多個器件區 域的載體來封裝多個半導體裸片的方法，其中在可刻蝕基板上承載所 述多個器件區域。所述方法包括將第一半導體裸片附著在第一器件 區域中；將所述第一半導體裸片與所述第一器件區域中的至少一個接 觸焊盤進行電連接；并且在所述載體上涂敷模塑料的主體，所述主體限定了位于第二器件區域附近的氣腔，并且對所述第一器件區域和所 述第一半導體裸片進行密封。所述方法還包括將第二半導體裸片附
著在所述第二器件區域中；將所述第二半導體裸片與所述第二器件區 域的至少一個接觸焊盤進行電連接；并且將所述器件區域從所述載體
分隔開，從而限定多個裸片封裝，其中每個裸片封裝均包括一個對應 的器件區域。
并入本說明書并作為其一部分的附示說明了本發明的實施 例，并且，附圖與本發明的上述總體描述以及下文中實施例的詳細描 述一起對本發明的原理進行說明。
圖1至圖6是根據本發明實施例的在各個工藝階段描繪的具有
多個器件區域的載體的單個器件區域的示意圖。
圖7是描繪了多個器件區域的圖6中的載體的示意截面圖。
圖8是根據本發明的替換實施例的與圖7中的載體類似的載體
的示意截面圖。
具體實施例方式
本發明提供了形成用于半導體裸片的氣腔封裝的方法。現在將 通過參考伴隨該說明書的附圖來對本發明進行更加詳細的描述。
參見圖1，根據本發明的實施例，無引線的載體io包括被橫跨 地布置在可刻蝕基板或支撐物22的大致平坦的表面25上的器件區域 矩陣或陣列，圖中示出了其中的單個器件區域12。多個接觸焊盤14、 16、 18被布置在器件區域12和載體10的其它器件區域12 (圖7) 附近。接觸焊盤14、 16、 18被用于建立與附著在器件區域12上的半 導體芯片或裸片20的連接(圖3和4)。可刻蝕支撐物22包括第一 金屬，可以通過對組成接觸焊盤14、 16、 18的金屬具有選擇性的適 當的濕法或干法刻蝕工藝來刻蝕第一金屬。接觸焊盤14、 16、 18在 可刻蝕支撐物22的平坦表面25上突出。
接觸焊盤14包括由金屬化層限定的第一表面24、與第一表面24相對的同樣由金屬化層限定的第二表面26、以及將第一和第二表 面24、 26耦接起來的側表面28。側表面28包括通常由標號30表示 的鎖定特征，這是在接觸焊盤14的邊緣形成的，并且至少部分地由 在外部直角拐角31處相接的側表面28的平坦面限定。類似地，接觸 焊盤16包括由金屬化層限定的第一表面32、與第一表面32相對的 同樣由金屬化層限定的第二表面34 (圖6)、以及將第一和第二表面 32、 34耦接起來的側表面36。側表面36包括通常由標號38表示的 鎖定特征，這是在接觸焊盤16的邊緣形成的，并且至少部分地由在 外部直角拐角39處相接的側表面36的平坦面限定。第一表面24、 32用于將接觸焊盤14、 16分別與半導體裸片20電耦接。第二表面 26、 34用于將接觸焊盤14、 16分別與諸如印制線路板之類的基板(未 示出)電耦接。細長多邊形形狀的接觸焊盤18包括由金屬化層限定的第一表面 42、與第一表面42相對的同樣由金屬化層限定的第二表面44(圖6)、 以及將第一和第二表面42、 44耦接起來的側表面46。側表面46包 括一對完全相反的鎖定特征(通常由標號48、 50表示)，它們是在 接觸焊盤18的邊緣形成的，并且至少部分地由在外部直角拐角49 處相接的以及在外部直角拐角51處相接的側表面46的平坦面限定。 各個接觸焊盤14、 16、 18的第二表面26、 34、 44由可刻蝕支撐物 22的各個部分組成，這在下文中將進行描述。可以通過傳統的光刻和刻蝕工藝在載體10的表面上分散開的位 置上形成器件區域12的接觸焊盤14、 16、 18。例如，可以通過以下 步驟來形成接觸焊盤14、 16、 18:在可刻蝕基板22上所提供的一個 或多個金屬層上涂敷抗蝕劑(未示出)，將抗蝕劑暴光給輻射圖，對 暴光后的抗蝕劑中的轉移圖形進行顯影，并且利用圖形化抗蝕劑作為 濕法或干法刻蝕工藝的刻蝕掩模將圖形轉移至金屬層，該濕法或干法 刻蝕工藝對組成基板22的金屬予以選擇性地去除。參見圖2，其中相同的標號表示圖1中相同的特征，在隨后的工 藝階段，由一塊模塑料(例如環氧模塑料)組成的主體55被涂敷在 載體10上并被固化。圖形化的模塑料主體由多個氣腔組成，圖2中示出了其中的單個氣腔70和器件區域12，多個氣腔中的每一個均包 圍了載體10上的一個對應的器件區域12。氣腔70對準并圍繞器件 區域12的接觸焊盤14、 16、 18。在分割以限定裸片封裝72之后， 氣腔70由來自主體55的模塑料的底板57和側壁框52包圍，其中側 壁框包括模塑料的側壁54、 56、 58、 60。底板57與可刻蝕基板22 是同延的，并且底板從可刻蝕基板22的平坦表面25沿著垂直方向延 伸至大約等于但略微低于接觸焊盤14、 16、 18的各個表面24、 34、 42的高度。在分開或分割成獨立裸片封裝之前，側壁框52與相鄰器 件區域的側壁框連接，其基本上與側壁框52相同，作為單片的器件 區域12(圖7、 8)，在相鄰器件區域12之間的具有鑲邊模塑料的單 元塊在封裝分割期間被切除。側壁54、 56、 58、 60具有通常為矩形的布置(其內部為直角)， 從而使得側壁框52接觸并嚙合鎖定特征30、 38、 48、 50。鎖定特征 30、 38、 48、 50有助于在側壁框52的固化模制材料和載體10之間 建立堅固附著。在分割以后，堅固附著基本上防止了側壁框52相對 于載體10的垂直和水平移動，其中"垂直"指的是基本上與表面25 垂直，"水平"指的是基本上與表面25平行。于是，被布置在載體 10的器件區域12周圍并被固化之后以及在分割之后，側壁框52保 持原位。通過本領域技術人員可以理解的任何適當的模制技術將模塑料 的圖形化的主體55放置在載體IO上。例如，模塑料主體55可通過 在載體10上轉移或注入制模材料來形成，其特征在限定了氣腔70 的模具型腔內。模塑料主體55內的氣腔70被如此限定在接下來的 工藝階段中引線鍵合仍然可以到達半導體裸片20，并且接觸焊盤14、 16、 18的各個表面24、 32、 42并未被模塑料污染。在轉移制模后， 利用諸如烘爐固化之類的本領域共知的技術來固化并至少部分地硬 化模塑料。參見圖3，其中相同的標號表示圖2中相同的特征，在隨后的工 藝階段，通過例如導電或非導電粘合劑層(未示出)或高溫、導熱焊 料(通常為共晶悍料)，將半導體裸片20附著在中心接觸焊盤18的中心裸片附著焊盤62上。如果適用于這種情況，導電粘合劑層能 提供半導體裸片20的背面與裸片附著焊盤62之間的直接電連接，或 者改進它們之間的熱性能，或者同時實現這兩方面。接觸焊盤14、 16和裸片附著焊盤62附近的中心接觸焊盤18的金屬化部分(未示 出)被用于建立與半導體裸片20的正面19的電信號連接，并且裸片 附著焊盤62被用于建立與半導體裸片20的背面21之間的電接地連 接。半導體裸片20可能是高頻(射頻即RF)半導體芯片，或者可能 包括能夠受益于工作在空氣介質環境中的任何其它類型的集成電路。參見圖4，其中相同的標號表示圖3中相同的特征，在隨后的工 藝階段，半導體裸片20的暴露上表面上的鍵合焊盤64通過引線或者 鍵合線66分別與接觸焊盤14、 16、 18的表面24、 32、 42電耦接， 從而將裸片電路與外部接觸表面26、 34、 44上的金屬化區域耦接起 來(圖6)。鍵合線66可以由從金、銅、鋁，以及這些金屬的合金 中選出來的韌性導線形成。本領域技術人員對于封裝中所使用的引線 鍵合工藝是很熟悉的。參見圖5，其中相同的標號表示圖4中相同的特征，在隨后的工 藝階段，蓋或蓋子68與模塑料主體55鍵合在一起以閉合包含半導體 裸片20的氣腔70的敞開頂部。蓋子68還閉合了放置在模塑料主體 55中的其它氣腔70的敞開頂部，這在圖7中可以很清楚地看出來。 模塑料主體55的頂部表面可與蓋子的下面粘合性地結合。蓋子68 可由在模塑料主體55上包覆成型的固化模塑料片形成，或者可以是 涂敷帶。蓋子68的下側無接觸地垂直地位于半導體裸片20和鍵合線 66的上空。參見圖6，其中相同的標號表示圖5中相同的特征，在隨后的工 藝階段，利用傳統光刻和濕法或干法刻蝕工藝去除可刻蝕基板22的 一部分，在該工藝中，具有圖形刻蝕掩模板的基板22的一部分被保 護下來，并且對組成接觸焊盤14、 16、 18的金屬和側壁框52和底板 57的模塑料選擇性地將未被保護的組成基板22的金屬去除。基板22 的保護部分(刻蝕工藝期間被圖形掩模板掩模)與接觸焊盤14、 16、 18是共延的，并且該保護部分組成了接觸焊盤14的第二表面26、接觸焊盤16的第二表面34、接觸焊盤18的第二表面44。刻蝕是一種 消除工藝，在其過程中，基板22的部分要么在液體化學制品中溶解 (即，濕法刻蝕)，要么轉換成揮發性氣體混合物(即，干法刻蝕)。 在成形以后，第二表面26、 34、 44是暴露的并且可以通過底板57 和模塑料的側壁框52達到。可將金屬化區域涂敷在接觸焊盤14、 16、 18上，其用作與裸片封裝72內的半導體裸片20的線路外部電接觸 (圖7)。這些金屬化區域還可以用作圖形刻蝕掩模，用以限定接觸 焊盤14的第二表面26、接觸焊盤16的第二表面34、和接觸焊盤18 的第二表面44，這些第二表面中的每一個均建立了與導體裸片20的 外部接觸，其中可從模塑料圖形化主體55的外部到達這些外部接觸。基板22的去除可組成在共同轉讓的美國專利10/510,591和 10/510,558中所描述的制造工藝的一部分，在此通過引用將兩個專 利并入本文。然而，本發明并不限于此，本發明的原理適用于諸如方 形扁平無引腳(QFN)封裝之類的其它矩陣封裝設計。參見圖7，其中相同的標號表示圖6中相同的特征，在隨后的工 藝階段，完成的結構包括多個基本上相同的芯片或裸片封裝72，每 個封裝都包括處于對應的氣腔70內部的一個半導體裸片20。執行分 割操作以通常沿著每個線對73分離或分割各個裸片封裝72。可利用 諸如采用了晶圓劃片機的劃片之類的本領域技術人員所共知的技術 來進行分割操作，晶圓劃片機具有切割寬度約等于相鄰的線對73之 間的距離的刀片，線對73代表了僅僅用于在分割之前耦接相鄰裸片 封裝72的模塑料鑲邊。分割之后，裸片封裝72可被安裝至諸如印制 線路板(未示出)之類的基板上。半導體裸片20處于氣腔70內部的空氣介質之中，這改進了類 似高頻(射頻即RF)半導體芯片的某些類型的半導體裸片20的電性 能。蓋子68和主體55的底板57和側壁框52包括界定氣腔70的一 塊模塑料，從而密封裸片封裝72以防止水汽和其它大氣氣體的進入。 與被一塊模塑料包圍或包裹相比，在密封空氣的包圍中進行半導體裸 片20的封裝改進了半導體裸片20及其鍵合線66的高頻特性。干燥 空氣具有比模塑料遠遠更低的介電常數，這提高了高電流密度下的一致性和可靠性。
參見圖8，其中相同的標號表示圖7中相同的特征，在隨后的工
藝階段，完成的結構還可包括多個裸片封裝74，每個封裝均被模塑 料主體78的一部分密封起來，其中這部分可能包括圖形化主體55 的一部分。每個裸片封裝74均包括半導體裸片76，其不具有由于在 —氣腔(類似氣腔70)中操作而獲取的優點。半導體裸片76與模塑料 主體78接觸，所以裸片76被完全包裹或密封在模塑料主體78中， 在半導體裸片76與模塑料之間沒有氣隙或空氣間隔。制造程序可這 樣執行，其中同裸片封裝72—樣，裸片封裝74在同一載體IO上被 形成，其中每個均包括放置在對應的氣腔70中的一個半導體裸片20。 于是，本發明的制造方法可用于在單個載體10上形成氣腔裸片封裝 72以及非氣腔裸片封裝74，它們在成形之后被分割和分離。
在本發明的替換實施例中，每個半導體裸片76均被附著在一個 '對應的器件區域12上，并且均通過引線鍵合與器件區域12中的接觸 -焊盤14、 16、 18電連接。在載體10上涂敷模塑料主體55，從而至 少限定一個布置在另一個器件區域12和接觸焊盤14、 16、 18附近的 氣腔70。主體55進一步包括主體78，其密封了每個半導體裸片76 及其相關器件區域12。多個不同半導體裸片20中的每一個均被附著 在每個氣腔70內部，并且均與接觸焊盤14、 16、 18的表面24、 32、 42 (它們在每個氣腔70內部是暴露的)電耦接。對可刻蝕基板22 進行刻蝕，以分別為來自可刻蝕基板22的接觸焊盤14、 16、 18限定 可從主體55外部到達的接觸表面26、 34、 44。
有利地是，所有裸片封裝制造步驟都可用陣列或矩陣格式執行， 其中多個裸片封裝在兩維矩陣或陣列中被同時處理。具體地說，多個 氣腔被限定在模塑料主體中，該主體被涂敷在引線框架的載體上的多 個器件區域中。涂敷覆蓋物以同時關閉所有氣腔70。與諸如陶瓷之 類的另一種材料或印制線路板相比，將載體分成各組成的裸片封裝的 分割操作可以剪斷或切斷模塑料。本發明的裸片封裝可被制成為比傳 統封裝更小更緊湊。本發明的靈活性在于，不需要氣腔的半導體裸片 可與在氣腔中操作的裸片封裝在同一載體上。雖然采用了各種實施例的描述對本發明進行了說明，并且這些 實施例是以相當詳細的方式進行說明的，但是申請人的目的并不在于 限制或者以任何方式將所附權利要求的范圍限制在該描述范圍內。對 于本領域技術人員而言，其它優點或修改是顯而易見的。因此，更寬 的范圍的本發明并不限于所示和所描述的特定細節、代表性設備和方 法、和示意性示例。于是，可以在不脫離本申請人的總體發明思想的 情況下對這些細節進行更改。
權利要求
1.一種裸片封裝(72)，其包括半導體裸片(20)；支撐所述半導體裸片(20)的載體(10)，所述載體(10)包括多個接觸焊盤(14，16，18)，其中每個接觸焊盤均具有電耦接至所述半導體裸片(20)的第一表面(24，32，42)和電耦接至所述第一表面(24，32，42)的第二表面(26，34，44)，并且所述接觸焊盤(14，16，18)限定了圍繞所述半導體裸片(20)的多個鎖定特征(30，38，48，50)；以及主體(55)，其包括布置在所述半導體裸片(20)附近的模塑料，從而至少部分地界定了用于所述半導體裸片(20)的氣腔(70)，所述主體(55)被置于所述載體(10)上以使所述接觸焊盤(14，16，18)中的每個接觸焊盤的所述第二表面(26，34，44)均從所述裸片封裝(72)向外暴露，并且所述主體(55)與所述鎖定特征(30，38，48，50)機械地耦接，從而將所述模塑料固定在所述載體(10)上。
2. 如權利要求1所述的裸片封裝(72)，其中所述主體(55) 進一步包括側壁框(52)，其包括布置在所述半導體裸片(20)附近的多個側壁(54， 56， 58， 60)。
3. 如權利要求2所述的裸片封裝(72)，其中所述接觸焊盤U4， 16， 18)中的每一個均包括在所述第一表面(24， 32， 42)和所述第 二表面(26， 34， 44)之間延伸的側壁(28, 36， 46)，并且所述鎖 定特征(30， 38， 48, 50)中的每個均進一步包括所述接觸焊盤(14， 16， 18)中的一個對應的接觸焊盤的所述側壁(28， 36， 46)的一部 分，所述側壁部分與所述側壁框(52)的側壁(54， 56， 58， 60)耦 接。
4. 如權利要求2所述的裸片封裝(72)，其進一步包括附著 在所述側壁框(52)上的用于閉合所述氣腔(70)的蓋子(68)。
5. 如權利要求4所述的裸片封裝(72)，其中所述主體(55) 包括在所述側壁(54， 56， 58， 60)之間延伸的底板(57)，所述接 觸焊盤(14， 16， 18)中的每一個的所述第二表面(26， 34， 44)通 過所述底板(57)暴露出來，并且所述半導體裸片(20)位于所述蓋 子(68)和所述底板(57)之間的氣腔(70)內。
6. 如權利要求4所述的裸片封裝(72)，其中所述蓋子(68) 包括所述模塑料。
7. 如權利要求1所述的裸片封裝(72)，其中所述接觸焊盤(14， 16， 18)中的每一個均包括在所述第一表面(24， 32， 42)和所述第 二表面(26， 34， 44)之間延伸的側壁(28， 36， 46),并且所述鎖 定特征(30， 38， 48， 50)中的每個都進一步包括所述側壁(28， 36， 46)的一部分。
8. 如權利要求1所述的裸片封裝(72)，其中所述半導體裸片 (20)進一步包括高頻半導體芯片。
9. 一種利用具有多個器件區域(12)的載體(10)來封裝多個 半導體裸片(20)的方法，其中在可刻蝕基板(22)上承載著所述多 個器件區域(12)，所述方法包括在所述載體(10)上涂敷模塑料 的主體(55)從而限定多個氣腔(70),其中所述氣腔中的每個氣腔 都處于所述器件區域(12)中的一個對應的器件區域附近；將所述多 個半導體裸片(20)中的一個對應的半導體裸片附著在所述器件區域(12)中的每個器件區域內；將所述半導體裸片(20)的每一個與所 述器件區域(12)中的每個器件區域的至少一個接觸焊盤(14， 16， 18)進行電連接，其中所述接觸焊盤在所述氣腔(70)中的一個對應 氣腔內是暴露的；并且對所述可刻蝕基板(22)進行刻蝕，從而為來自所述可刻蝕基板(22)的一部分的所述器件區域(12)中的每個器件區域中的至少一個接觸焊盤(14， 16， 18)限定接觸表面(26， 34， 44)，從而可以從所述主體(55)的外部位置到達所述接觸表面(26， 34， 44)。
10. 如權利要求9所述的方法，其進一步包括對來自所述載 體(10)的所述器件區域(12)進行分隔，從而限定多個裸片封裝(72)， 其中每個裸片封裝均包括一個對應的器件區域(12)。
11. 如權利要求IO所述的方法，其中對所述器件區域(12)進 行分割的操作進一步包括對所述主體(55)進行切割以使所述模塑 料成形從而限定多個側壁框(52)，其中每個側壁框均在所述器件區 域(12)中的一個對應的器件區域附近延伸從而部分地限定一個對應 的氣腔(70)。
12. 如權利要求11所述的方法r進一步包括將蓋子(68)提 供至所述側壁，從而在電連接所述多個半導體裸片(20)之后關閉所 有的氣腔(70)。
13. 如權利要求9所述的方法，其中所述多個半導體裸片(20) 進一步包括多個高頻半導體芯片(20)。
14. 如權利要求9所述的方法，進一步包括將所述主體(55) 的模塑料鎖定至所述載體(10)。
15. 如權利要求14所述的方法，其中所述器件區域(12)中的 至少一個包括布置在所述半導體裸片(20)附近的多個鎖定特征(30， 38， 48， 50)，并且涂敷所述模塑料的主體(55)的操作還包括將 所述主體(55)的模塑料與所述鎖定特征(30， 38， 48， 50)嚙合。
16. 如權利要求15所述的方法，其中所述接觸焊盤(14， 16，18)還包括所述鎖定特征(30， 38， 48， 50)。
17. 如權利要求9所述的方法，其進一步包括將蓋子(68) 提供至所述主體(55)，從而在電連接所述多個半導體裸片(20)之 后關閉所有的氣腔(70)。
18. 如權利要求9所述的方法，其中涂敷所述主體(55)的操 作進一步包括在所述載體(10)的器件區域(12)上使所述模塑料 的單元塊成形；并且使所述模塑料單元塊固化以限定所述主體(55)。
19. 一種利用具有至少一個器件區域(12)的載體(10)來封 裝半導體裸片(20)的方法，在可刻蝕基板(22)上承載著所述器件 區域(12)，所述方法包括在所述載體(10)上涂敷模塑料的主體(55)從而限定氣腔(70)，其中所述氣腔(70)處于所述器件區域 (12)附近；將所述半導體裸片(20)附著在所述器件區域(12)內； 將所述半導體裸片(20)與所述器件區域(12)中的接觸焊盤(14) 的第一表面(24)進行電連接，其中所述表面(24)在所述氣腔(70) 內至少是部分暴露的；并且對所述可刻蝕基板(22)進行刻蝕，從而 限定來自所述可刻蝕基板(22)的一部分的接觸焊盤(14)的第二表 面(26)，從而可以從所述主體(55)的外部位置到達所述第二表面 (26)。
20. 如權利要求19所述的方法，其中所述半導體裸片(20)進 一步包括高頻半導體芯片(20)。
21. 如權利要求19所述的方法，進一步包括利用所述接觸焊 盤(14)的鎖定特征(30)來將所述主體(55)的所述模塑料鎖定至 所述載體(10)。
22. —種利用具有多個器件區域(12)的載體(10)來封裝多個半導體裸片(20)的方法，在可刻蝕基板(22)上承載著所述多個器件區域(12)，所述方法包括在第一器件區域(12)中附著上第一半導體裸片(76);將所述第一半導體裸片(76)與所述第一器件 區域(12)中的至少一個接觸焊盤(14， 16， 18)進行電連接；在所 述載體(10)上涂敷模塑料的主體(55)，所述主體限定了位于第二 器件區域(12)附近的氣腔(70)，并且密封了所述第一器件區域(12) 和所述第一半導體裸片(76);在所述第二器件區域(12)中附著上 第二半導體裸片(20);將所述第二半導體裸片(20)與所述第二器 件區域(12)的至少一個接觸焊盤(14， 16， 18)進行電連接；并且 將所述器件區域(12)從所述載體(10)分隔開，從而限定多個裸片 封裝(72， 74)，其中每個裸片封裝均包括所述器件區域(12)中的 一個對應的器件區域。
23. 如權利要求22所述的方法，'進一步包括將蓋子(68)提 供至所述模塑料的所述主體(55)上，-從而在電連接所述第二器件區 域(12)中的所述第二半導體裸片(20)之后關閉所述氣腔(70)。
24. 如權利要求22所述的方法，其進一步包括對所述可刻蝕 基板(22)進行刻蝕，從而為來自所述可刻蝕基板(22)的一部分的 所述第一和所述第二器件區域(12)的至少一個接觸焊盤(14， 16， 18)限定接觸表面(26， 34， 44)，其中可以從所述模塑料的所述主 體(55)的外部位置到達所述接觸表面(26， 34， 44)。
25. 如權利要求22所述的方法，其進一步包括利用至少一個 鎖定特征(30， 38， 48， 50)來將所述主體(55)的模塑料鎖定至所 述載體(10)，所述鎖定特征包括所述第二器件區域(12)的所述至 少一個接觸焊盤(14， 16， 18)的一部分。
全文摘要
一種用于半導體裸片(20)的裸片封裝(72)。通過在載體(10)上涂敷模塑料的主體(55)，在單個載體(10)上形成多個裸片封裝(72)，其中氣腔(70)被限定在載體(10)上的多個器件區域(12)的每個器件區域附近的模塑料中。在將半導體裸片(20)附著在各個器件區域(12)的氣腔(70)內并且將其與至少一個接觸焊盤(14，16，18)電耦接之后，提供蓋子(68)以閉合所有氣腔(70)。在分割之后，每個半導體裸片(20)位于一個裸片封裝(72)的密封氣腔(70)內。每個裸片封裝(72)的模塑料均可被鎖定特征(30，38，48，50)鎖定以防止其相對于載體(10)的器件區域(12)的移動。鎖定特征(30，38，48，50)可組成接觸焊盤(14，16，18)的一部分，其用于建立從半導體裸片(20)到封裝(72)的外部環境的電通信通道。
文檔編號H01L23/055GK101300674SQ200680040631
公開日2008年11月5日 申請日期2006年10月27日 優先權日2005年11月1日
發明者保羅·戴克斯特拉, 羅爾夫·格羅恩休斯 申請人:Nxp股份有限公司