熒光體及其制造方法、以及使用該熒光體的發光裝置的制作方法

專利名稱：：熒光體及其制造方法、以及使用該熒光體的發光裝置的制作方法
技術領域：
：本發明涉及在陰極射線管(CRT)、場效應顯示器(FED)、等離子體顯示器(PDP)等顯示器、焚光燈、焚光顯示管等照明裝置或液晶用背照光等發光器具中使用的含氮熒光體及其制造方法、以及以將半導體發光元件(LED)和該熒光體組合的白色LED照明為代表的發光裝置。
背景技術：
：現在，用作照明裝置的放電式熒光燈或白熾燈泡等存在含有水銀等有害物質，壽命短等問題。因此近年來，逐步開發了從近紫外'紫外藍色發光的高亮度LED,進行了很多將從該LED產生的近紫外紫外~藍色的光和在該波長區域具有激發帶的熒光體發出的光混合，形成白色光，是否能將該白色光作為下一代的照明的研究、開發。如果將該白色LED照明實用化，則將電能轉化為光的效率提高，產生的熱少，由LED與熒光體構成，因此具有不會象目前的白熾燈那樣裂開，是長壽命的，且不含有水銀等有害物質，還有能使照明裝置小型化的優點，能獲得理想的照明裝置。作為LED照明的方式，提出了2個，一個是使用高亮度的紅色LED、綠色LED、藍色LED的3原色LED，形成白色的多片型方式，另一個是將在近紫外.紫外藍色發光的高亮度LED和用由該LED發生的近紫外'紫外藍色的光激發的熒光體組合，形成白色的單片型方式。尤其是在單片型方式中，通常是在藍色LED中組合具有石榴石結構的Y3Al5012:Ce黃色熒光體的方式，將該黃色熒光體Y3Al5012:Ce位點用La、Tb、Gd等與Y同樣原子半徑大的稀土類元素取代或添加，將A1位點用B、Ga等與Al同樣原子半徑小的3價元素取代或添力口，從而能保持石榴石結構，獲得從綠色至帶有紅色的黃色的各樣的發光顏色。因此，與從藍色LED發出的光組合，能獲得顏色溫度不同的各種白色光。然而，YAG:Ce熒光體通過取代或添加各種元素，能變化發光波長或發光顏色，但通過元素取代，會導致發光效率的降低或100。C以上的溫度的發光強度極度降低。因此，存在發光元件和熒光體發光顏色的平衡崩解，存在白色光的色調變化這樣的問題。另一方面，是利用紫外或近紫外LED的發光方式，作為熒光體，在使用ZnS:Cu、Al或(Sr、Ca)GaS:Eu等發光特性良好的硫化物類熒光體的情況下，也同樣存在在IO(TC以上的溫度下，發光強度極度降低的問題。為了解決該溫度導致的劣化問題，對從近紫外紫外~藍色范圍的光具有平坦且高效率的激發帶，對周圍溫度的發光特性的穩定性優異的新型熒光體的要求提高，例如，廣泛研究Ca-塞龍(硅鋁氧氮耐熱陶瓷，sialon)類熒光體(在專利文獻1中記載)等氧氮化物熒光體。然而，在Ca-塞龍類熒光體中，與YAG:Ce焚光體相比時，熒光體的發光效率不足，半值寬度狹小，因此僅能在特定的顏色溫度下獲得足夠的亮度和顯色性(演色性)，為了獲得顯色性優異的發光裝置，必須與多種熒光體混合，因此，存在作為發光裝置整體的發光特性降低的問題。此外，提出了作為與專利文獻1記載的熒光體同系統的氮化物熒光體的(Ca,Sr)2Si5Ns:Ce黃綠色熒光體(參見專利文獻6)。該(Ca，Sr)2Si5N8:Ce黃綠色熒光體存在發光特性低，以及因熱而導致穩定性降低的問題，作為該問題的解決方法，在非專利文獻l中示出了在熒光體母體中少量添加Li或Na,從而能改善發光特性。此外，在專利文獻2中，公開了與Ca-塞龍類熒光體不同的Sr-Al-Si-O—N類熒光體，即SrSiAl203N2:Ce、SrSiAl203N2:Eu、Sr2Si4A10N7:Eu。然而，這些熒光體發光效率都較低，此外，是發光波長為450nm500nm的藍色焚光體或630nm640nm的紅色熒光體，無法獲得具有發光波長為500~620nm的綠-橙色的發光顏色，發光效率良好的熒光體。為了解決這些問題，如專利文獻3所述，本發明人在Sr-Al-Si-0-N類中，開發了具有新型結構的熒光體，提出了即使由藍色或近紫外'紫外范圍的激發光，也能發出良好的綠色黃色光的熒光體，此外，根據專利文獻4，提出了通過調整A1的添加量，即使在高溫下，溫度特性或發光效率也良好的Sr-A卜Si-O-N類熒光體。此外，根據專利文獻5，還提出了將上述熒光體、紅色熒光體、藍色熒光體等多種熒光體與由作為激發光的紫外發出藍色光的LED組合，顯色性良好的發光裝置。專利文獻l:特開2002-363554號公報專利文獻2:特開2003—206481號公報專利文獻3:特愿2005-061627號專利文獻4:特愿2005-192691號專利文獻5:特愿2005—075854號專利文獻6:特開2002-322474號公報非專利文獻l:JournalofLuminescence,116(2006)107-116
發明內容發明要解決的課題在專利文獻34中，本發明人提出的含氮熒光體與專利文獻1等中記載的含氮熒光體相比，具有如下優異的特性對熱或水的耐久性優異，在從近紫外.紫外藍色的范圍內具有平坦的激發帶，發光光譜的半值寬度較寬，具有寬的發光光譜等。然而，即使具有該熒光體，在制備將近紫外'紫外LED或藍色LED等組合，從而制備單片型白色LED照明的情況下，在其發光中，也無法達到能滿足作為照明最重要的亮度水平，期望進一步提高發光效率。此外，在以通過將上述發藍色或紫外光的發光元件和對從該發光元件產生的紫外藍色的波長區域，具有激發帶的熒光體組合，從而發出白色光的LED為代表的發光裝置中，為了提高可見光或白色光的發光特性，要求提高發光元件和熒光體的發光效率，同時熒光體的發光顏色(色度、發光波長)也是重要的。此外，認為今后根據LED或光源等的使用用途，對分別適應發光顏色的熒光體的期望提高。其中，本發明人考慮在上述YAG:Ce熒光體的方式中，即使在本發明人提出的Sr-A卜Si-O-N類熒光體(專利文獻3~5)中，可以不與其它熒光體組合，而通過改變組成中所含的元素，就能將由同一組成的熒光體發出的發光顏色進行各種變換，此外，在不會由于溫度導致的降低發光特性的情況下，通過組合由藍色LED或近紫外.紫外LED放出的光，就能容易地獲得顏色溫度不同的各種白色光。本發明的第1目的是考慮上迷課題作出的，提供一種在近紫外'紫外-藍綠色的范圍內具有平坦的激發帶，在能提高亮度的波長500nm~620nm附近具有發光峰，且具有寬發光光譜，符合目的用途，能發出期望的發光顏色的熒光體及其制造方法，以及以使用該焚光體的發光裝置為代表的發光裝置。此外，如上所述，YAG:Ce熒光體可以在該熒光體中，將該熒光體中的Y位點或Al位點取代為其它元素，或向該兩個位點中添加元素，從而改變發光波長或發光顏色。然而，根據本發明人的研究，該YAG:Ce熒光體由于元素的取代、添加，存在發光效率降低的問題或在置于100。C以上的溫度下時的發光強度極度降低的問題。此外，由于這些問題，在使用該熒光體的發光裝置中，發光元件與熒光體的發光顏色的平衡破壞，結果存在白色光的色調改變的問題。此外，根據本發明人的研究，ZnS:Cu、Al或(Sr，Ca)CaS:Eu等硫化物類熒光體也存在該硫化物類熒光體在達到100°C以上的溫度下進行取代時，發光強度極度降低的問題。此外，根據本發明人的研究，Ca-塞龍類熒光體與YAG:Ce相比，熒光體的發光效率不足，且發光的半值寬度狹窄，因此存在如果不是特定的顏色溫度，則無法獲得足夠的亮度或顯色性的問題。為了補充該發光的半值寬度狹窄的熒光體的問題，獲得顯色性優異的發光裝置，要求與多種熒光體混合。如果這樣，則現在由于該混合，產生了作為發光裝置的整體發光特性降低的新問題。(Ca，Sr)2Si5N8:Ce黃綠色焚光體具有由于熱導致的穩定性降低的問題。作為該問題的解決方法，如非專利文獻1所示，記載了在母體中少量添加Li或Na，從而能改善發光特性。然而，根據本發明人的研究，即使向(Ca，Sr)2Si5Ns:Ce黃綠色焚光體中添加Li或Na，發光特性依然不足，對于熱穩定性也無法解決。最后，本發明人提出的，作為Sr-A卜Si-O-N類熒光體的具有新型結構的焚光體發光的半值寬度較寬，對熱的穩定性優異，而且在發光強度和發光亮度方面仍存在改善的余地。本發明是在上述狀況下完成的，其第2課題是提供一種在近紫外'紫外~藍色的范圍內具有激發帶，發光強度和亮度優異，發光的半值寬度較寬，對熱的耐久性優異的焚光體及其制造方法，以及以使用該焚光體的發光裝置為代表的發光裝置。用于解決課題的方法為了解決上述課題，首先，本發明人在將Sr-Al-Si-O-N類焚光體和近紫外'紫外LED或藍色LED等組合的單片型白色LED照明的發光中，對由熒光體發出的發光顏色的變化進行了研究，注意到活化劑元素的濃度和通過其它活化元素的活化改變發光顏色的方面，對于活化劑元素的種類和濃度，也研究了發光光譜或發光效率。此外，對無法達到能滿足以亮度為代表的發光效率的水平的原因進行了研究，注意到伴隨著焚光體結晶性的提高，發光效率提高的方面，對添加物導致的結晶性促進效果和該添加效果獲得的發光光譜或發光效率的提高進行了研究。然后，對增加能維持該熒光體具有的寬的發光半值寬度，或優異的對熱的耐久性，提高滿足由該熒光體放出的發光顏色的發光強度或亮度的水平進行了研究。此外，本發明人對多種含氮熒光體組成進行了研究，結果，認為其結晶結構也許是[SiN4]的四面體結構的Si的一部分被Al取代，N的一部分被O取代，是具有在由該四面體結構組成的網絡中混入Sr而成的結構的熒光體，想到通過在該焚光體中，使生成相的結晶結構最佳化，另外，使Al對Si的取代量、O對N的取代量最佳化，從而能提高發光效率。此外，還想到通過使用作活化劑的Eu和/或Ce的添加量最佳化，，從而無需混合其它組成的熒光體，以單一組成的形式，就能在幅度寬的范圍內改變發光顏色。此外，還考慮到由于熒光體生成中使用的原料熔點較高，難以進行固相反應，因此反應是否會不均勻。因此，本發明人對于促進固相反應的進行，進行均勻反應的方法做了進一步研究，想到通過在該熒光體焙燒時，添加少量的氧化物、氟化物、氯化物、氮化物，能夠促進結晶性。此外，本發明人對作為Sr-Al-Si-O-N類的具有新型結構的熒光體的結晶結構進行了研究，結果認為，其結晶結構是在[SiN4]的四面體結構中，Si的一部分被Al取代，N的一部分被O取代，成為在由該四面體結構組成的網絡中具有混入II價的元素(以下，有時記載為M②。)(按照該模式，是堿土類金屬Sr。)和作為活化劑Z元素而成的結構的熒光體。此外，由該推論，想到在該焚光體中，通過將該M②、Z元素位點的一部分用I價的元素(以下，有時記載為M(1)。)取代，從而能提高該結晶結構內的電.結構穩定性，提高發光效率。另一方面，對該熒光體的生成過程進行了研究，結果想到，在該焚光體的生成中使用的原料熔點較高，即使加熱，也難以進行固相反應，反應不均勻，與此相伴的是生成的焚光體的結晶性沒有^f是高，因此發光效率也可能降低。此外，由該推論，本發明人對平穩進行固相反應的方法進行了研究。進而，在該方法中，還發現在上述該焚光體中，通過將M。、Z元素位點的一部分用M^取代，從而能使固相反應均勻化，提高焚光體的結晶性，從而完成本發明。即，用于解決上述課題的第1個方案為一種熒光體，其是用通式MmAaBbOoNn:Z表示的熒光體(M元素是具有II價的1種以上的元素，A元素是具有III價的1種以上的元素，B元素是具有IV價的1種以上的元素，O是氧，N是氮，Z元素是l種以上的活4匕齊寸。)，其凈爭4正在于，以a=(1+x)xm、b=(4—x)xm、o=xxm、n=(7-x)xm、0^x互l表示，在用波長為300nm-500nm范圍的光激發時，發光光譜中的峰波長在500nm~620nm的范圍。第2方案涉及的是第1方案中所述的熒光體，其特征在于，M元素是選自Mg、Ca、Sr、Ba、Zn中的l種以上的元素，A元素是選自Al、Ga、In、Sc、La、Y中的l種以上的元素，B元素是Si和/或Ge,Z元素是選自Eu、Ce、Pr、Tb、Yb、Mn中的l種以上的元素。第3方案涉及的是第1或第2方案中所述的熒光體，其特征在于，M元素是Sr或Ba、A元素是Al或Ga、B元素是Si、Z元素是Ce和/或Eu。第4方案涉及的是第1~第3方案中任一項所述的熒光體，其特征在于，在通式表示為MmAaBbOoNn:Zz時，M元素與Z元素的摩爾比z/(m+z)的值為0.0001—0.5。第5方案涉及的是第1~第4方案中任一項所述的熒光體，其特征在于，還含有氯或/和氟。第6方案涉及的是第5方案中所述的熒光體，其特征在于,上述氯或/和氟的含量為0.0001重量％~1.0重量％。第7方案涉及的是第1~第6方案中任一項所述的熒光體，其特征在于，在25。C下，波長在300nm-500nm范圍內的規定單色光作為激發光照射時發光光譜中的最大峰的相對強度值為P25，將在100。C下，以上述規定單色光作為激發光照射時的，上述最大峰相對強度值為P咖時，(P25-P100)/P25xl00,。第8方案涉及的是第1~第7方案中任一項所述的熒光體，其特征在于，包含粒徑為50.0|im以下的1次顆粒和該1次顆粒凝集的凝集體，含有該1次顆粒和凝集體的熒光體粉末的平均粒徑(D50)為1.0pm~50.0pm。第9構成是一種熒光體，其是由通式(MW,M②m(2)Zz)AaBbO。Nn表示的熒光體(M"VL素是具有I價的1種以上的元素，]\4(2)元素是具有II價的1種以上的元素，A元素是具有III價的l種以上的元素，B元素是具有IV價的l種以上的元素，O是氧，N是氮，Z元素是選自稀土類元素或過渡金屬元素中的l種以上的元素)，0.5^a^2.0、3.0^b^7.0、m(1)>0、m(2)>0、z>0、4.0^(a+b)^7.0、m(1)+m(2)+z=1、0<o^4.0、n=1/3m(1)+2/3m(2)+z+a+4/3b-2/3o,在用波長為300nm500nm范圍的光激發時，發光光譜中的峰波長在500nm~600nm的范圍。第10方案涉及的是第9方案中所述的熒光體，其特征在于，0<m(1)S0.05第11方案涉及的是第9或第10方案中所述的熒光體，其特征在于，0.0001$z^0.5。第12方案涉及的是第9~第11方案中任一項所述的熒光體，其特征在于，0.8^a^2.0、3.0^b^6.0、0<o^l.0。第13方案涉及的是第9第12方案中任一項所述的熒光體，其特征在于，0<oS1.0、a=l+o、b=4-o、n=7-o。第14方案涉及的是第9第13方案中任一項所述的熒光體，其特征在于，M^元素是選自Li、Na、K、Rb中的1種以上的元素，M^元素是選自Mg、Ca、Sr、Ba、Zn中的1種以上的元素，A元素是選自Al、Ga、In中的l種以上的元素，B元素是Si和/或Ge，Z元素是選自Eu、Ce、Pr、Tb、Yb、Mn中的l種以上的元素。第15方案涉及的是第9~第14方案中任一項所述的熒光體，其特征在于，M("元素是Sr和/或Ba，A元素是A1、B元素是Si、Z元素是Ce。第16方案涉及的是第9第15方案中任一項所述的熒光體，其特征在于，M(')元素是K。第17方案涉及的是第9第16方案中任一項所述的熒光體，其特征在于，作為構成熒光體的元素，包括21.0重量％~27.0重量％的Sr、8.0重量%~14.0重量％的Al、0.5重量％~6.5重量％的O、26.0重量％~32.0重量y。的N、超過O,且是4.0重量％以下的Ce、超過0，且不足1.0重量％的選自Li、Na、K中的l種以上的元素。第18方案涉及的是第9~第17方案中任一項所述的焚光體，其特征在于，含有超過0，且不足2.0重量。/。的Ba。第19方案涉及的是第9第18方案中任一項所述的熒光體，其特征在于，包含粒徑為50.0jim以下的1次顆粒和該1次顆粒凝集的凝集體，含有該1次顆粒和凝集體的熒光體粉末的平均粒徑(D50)為l.Opm~50.0jim。第20方案是制造第1~第8方案中任一項所述熒光體的制造方法，其特征在于，該方法包括稱量該熒光體的原料粉末，混合而獲得混合物的工序、在焙燒爐中焙燒上述混合物，獲得焙燒物的工序、破碎上述焙燒物，獲得焚光體的工序，在焙燒上述混合物，獲得焙燒物的工序中，作為該焙燒時的氛圍氣體，使用氮氣、或稀有氣體(希力'只)、或氨氣、或氨氣與氮氣的混合氣體或氮氣與氫氣的混合氣體的任一種。第21方案涉及的是第20方案所述熒光體的制造方法，其特征在于，作為上述該焙燒爐內的氛圍氣體，使用含有80%以上氮氣的氣體。第22方案涉及的是第20或第21方案所述熒光體的制造方法，其特征在于，在焙燒爐內焙燒上述混合物，獲得焙燒物的工序中，流通0.1ml/min以上上述焙燒爐內的氛圍氣體并進行焙燒。第23方案涉及的是第20~第22方案中任一項所述熒光體的制造方法，其特征在于，在焙燒爐內焙燒上述混合物，獲得焙燒物的工序中，使上述焙燒爐內的氛圍氣體成為0.001MPal.OMPa的加壓狀態。第24方案涉及的是第20~第23方案中任一項所述熒光體的制造方法，其特征在于，向原料粉末的混合物中添加M元素或/和A元素的氯化物或/和氟化物。第25方案涉及一種熒光體的制造方法，其是第24方案所述熒光體的制造方法，其特征在于，上述氯或/和氟化合物是SrF2、BaF2、A1F3、SrCl2、BaCl2、A1C13。第26方案涉及的是第20~第25方案中任一項所述熒光體的制造方法，其特征在于，向原料粉末的混合物中添加M元素或/和A元素的氧化物或/和氮化物。第27方案涉及的是第26方案所述熒光體的制造方法，其特征在于，上述氧化物或/和氮化物是A1203、Ga203、ln203、GaN、Sr3N2、Ba3N2、Ga3N2。第28方案涉及的是第20~第27方案中任一項所述熒光體的制造方法，其特征在于，上述焚光體原料的平均粒徑為0.1pm-10.0|im。第29方案涉及的是第9~第19方案中任一項所述熒光體的制造方法，其特征在于，在將該焚光體的原料放入坩鍋中，在爐內中焙燒時，作為坩鍋，使用BN坩鍋，在爐內流動0.1ml/min以上含有選自氮氣、稀有氣體和氨氣中的l種以上的氣體，且使爐內壓為0.0001MPa1.0MPa，在1400。C~2000°C的溫度下焙燒30分鐘以上。第30方案涉及的是第29方案所述熒光體的制造方法，其特征在于，將包括該焙燒工序和通過焙燒獲得的焙燒物粉碎和混合的工序的一系列的工序重復至少二次以上。第31方案涉及的是第29或第30方案所述熒光體的制造方法，其特征在于，在原料中使用鋇的氯化物、氟化物、氧化物、碳酸鹽中的至少一種以上。第32方案是一種發光裝置，其特征在于，具有第1~第19方案所述的熒光體和發出第1波長的光的發光部，以上述第1波長的光的一部分或全部作為激發光，從上述熒光體發出與上述第l波長不同波長的光。第33方案涉及的是第32方案中所述的發光裝置，其特征在于，所謂的第1波長，是指300nm~500nm的波長。第34方案涉及的是第32或第33方案中所述的發光裝置，其特征在于，該發光裝置發光光譜的平均顯色評價數Ra為60以上。第35方案涉及的是第32~第33任一項方案所述的發光裝置，其特征在于，該發光裝置的發光光譜的平均顯色評價數Ra為80以上。第36方案涉及的是第32~第35中任一項方案所述的發光裝置，其特征在于，該發光裝置的發光光譜的特殊顯色評價數R15為80以上。第37方案涉及的是第32~第36中任一項方案所述的發光裝置，其特征在于，該發光裝置的發光光譜的特殊顯色評價數R9為60以上。第38方案涉及的是第32~第37中任一項方案所述的發光裝置，其特征在于，該發光裝置的發光光譜的相關色溫度在2000K-10000K的范圍。第39方案涉及的是第32~第37中任一項方案所述的發光裝置，其特征在于，該發光裝置的發光光譜的相關色溫度在7000K2500K的范圍。第40方案涉及的是第32~第39中任一項方案所述的發光裝置，其特征在于，發出上述第1波長的發光部是LED。發明效果第1~第8方案中任一項所述的熒光體是在近紫外'紫外-藍綠色的范圍具有平坦的激發帶，在能提高亮度的波長500nm~620nm附近具有發光峰，并包含具有寬發光光譜的優異發光特性，且能符合目的用途，容易地發出期望的發光色的光的熒光體。第9~第19方案中任一項所述的焚光體是在用波長在300500nm范圍的光激發時，能高效率地發光，獲得其發光光譜中的峰波長在500nm~600nm的綠黃色的發光。根據第20~第28方案中所述焚光體的制造方法，無需使用大氣中不穩定的原料，就能以便宜的制造成本制造在近紫外'紫外~藍綠色的范圍具有平坦的激發帶，具有寬的發光光語峰以外，發光特性優異，且耐熱性優異，即使在高溫度環境下，與室溫(25。C)下相比，發光特性基本不劣化的熒光體。根據第29-第31方案中所述焚光體的制造方法，無需使用大氣中不穩定的原料，就能以便宜的制造成本制造在近紫外老外~藍綠色的范圍具有激發帶，具有寬的發光光譜峰以外，發光強度、亮度優異的熒光體。根據第32~第40方案中所述的發光裝置，不僅能獲得高亮度，還具有高顯色性，具有優異特性的光。具體實施方式以下，對本發明的實施方式進行說明，但本發明并不限定于這些。(第1實施方式涉及的熒光體)本實施方式涉及的第1方案的熒光體是具有由通式MmAaBbOoNn:Z表示的母體結構的焚光體。其中，M元素是在上述熒光體中，選自具有II價元素的l種以上的元素。A元素是在上述熒光體中，具有m價的i種以上的元素。B元素是在上述熒光體中，具有IV價的l種以上的元素。O是氧。N是氮。Z元素是在上述熒光體中，起活性劑作用的元素，是選自稀土類元素或過渡金屬元素中的1種以上的元素。此外，在該熒光體中，(a+b)/m為4.0<(a+b)/m<7.0，n>o,a/m為0.5<a/m^2.0,b/m在3.0^b/m^6.0的范圍，o/m在O^o/m^1.5的范圍，氮為n=2/3m+a+4/3b-2/3o。本實施方式涉及的具有上述第1方案的熒光體在近紫外.紫外藍綠色的范圍(波長300nm-500nm)具有平坦的激發帶，具有在能提高亮度的波長500nm~620nm附近具有發光峰，并包含具有寬發光光譜的優異初期發光特性，且耐熱性或耐水性優異，即使在高溫度環境下，與室溫(25。C)下相比，發光特性基本沒有劣化的熒光體。另外，在該熒光體中，如果在a=(1+x)xm、b=(4-x)xm、o=xxm、n=(7—x)xm、0Sx^l的范圍時，則由于發光強度和上述各特性進一步提高，因此是更優選的結構。結果，該熒光體單獨或將該熒光體與適宜的其它顏色熒光體混合而形成熒光體混合物，通過組合該焚光體混合物和近紫外.紫外LED或藍色LED等發光部，從而能提高發光強度和亮度，盡管點燈時間累積，也能獲得發光顏色穩定的高效率發光。此外，通過使本實施方式的熒光體組合物中的x最佳化，此外，改變活化劑的種類和添加量，從而能在保持高的發光效率的狀態改變發光顏色，通過組合該熒光體和藍色LED等發光部，從而能在各種顏色溫度下獲得顯色性優異的發光顏色。其中，對顯色性進行簡單的說明。所謂顯色性，是指來自光源光所照射到的物體的顏色，根據該光源的種類而看上發上生改變。此外，取決于光源的種類，但能顯示出被照的物體的顏色的再現性的顯色性通常可以通過平均顯色評價數(Ra)用數值表示。其中，只要能與用基準光看到的情況完全相同地再現顏色，則為最佳的平均顯色評價數(Ra-100)，再現顏色的不同越大，Ra值越低(Ra〈100)。此外，作為照明用光源，看見的顏色與使用基準光的情況越相同，當然越是優選的。然而，基準光相對于在可見光的整個領域具有均勻光的白色光源，已有的白色LED照明在可見光區域的一些波長下，光強度較高，在一些波長下較低，在光強度上會產生不均勻，因此在光強度不足的波長區域中，顏色再現性惡化，顯色性降低。結果，為了在白色LED照明中獲得顯色性高的發光，要求使用的熒光體發光光譜峰較寬。此外，本實施方式的熒光體中的發光光譜的半值寬度為80nm以上，由于是發光光譜具有寬峰的熒光體，因此在與近紫外'紫外LED或藍色LED等發光部組合制造白色LED照明的情況下，能獲得平均顯色評價數高，顯色性優異的焚光體。此外，本實施方式的熒光體在可見度(亮度)高的波長500nm620nm范圍可使發光光譜的峰位置遷移，因此，無需混合其它熒光體，就能制備目的發光顏色的白色LED照明。尤其是在通過與藍色LED組合的白色LED照明中，通過使用本實施方式的熒光體，在相關色溫度10000K2500K的范圍，能獲得平均顯色評價數Ra為60以上的發光裝置。此外，通過添加CaAlSiN3:Eu等其它紅色焚光體，從而能獲得平均顯色數Ra為80以上的顯色性非常優異的發光裝置。本實施方式涉及的第1焚光體特征是，在波長300nm500nm的范圍，特別是波長400nm480nm的范圍內具有激發帶的峰。本實施方式的熒光體由于在波長300nm~500nm的寬范圍具有激發帶，因此即使采用在YAG:Ce熒光體組成中困難的近紫外.紫外LED的組合，也能制備白色LED照明。此外，本實施方式焚光體具有的激發帶是平坦的，因此如發光效率良好的激發帶狹小的YAG:Ce焚光體一樣也能避免由于發光元件的偏差等使激發光不在最佳的激發帶范圍，藍色與黃色發光強度的平衡被破壞，以及白色光色調變化的問題。此外，通常發光元件光i昝的半值寬度為20nm左右，但在使用波長46011111藍色的發光元件的情況下，發光強度較低，但420nm左右波長的光也放出一部分。該部分短波長的光存在使覆蓋元素的樹脂劣化或對^^體產生影響的可能性。本實施方式的熒光體在比藍色發光元件的發光波長(460nm)短波長側具有激發峰，因此在由藍色元件發出的發光光譜中，對比發光峰短波長側的發光波長能有效地吸收。熒光體只要對比發光峰短波長側的發光波長的光能有效地吸收，該熒光體自身具有紫外線吸收劑的效果，可以防止對人體的影響和樹脂的劣化。優選在發光裝置激發光的發光元件的峰波長40nm短波長側的范圍具有激發峰，且以激發峰為100%，保持80%以上的激發帶，則能吸收有害的紫外線，避免對人體或樹脂的影響。本實施方式涉及的第1焚光體在近紫外，紫外-藍綠色(波長300nm~5OOnm)的寬范圍具有平坦的激發帶，在綠色~橙色的范圍能獲得寬而高效率的發光光譜，因此對熱或水的耐久性優異，尤其是在高溫下的發光特性優異。作為其理由，大概認為如下。首先，認為是由于在本實施方式熒光體的通式MmAaBbOoNn:Z中'M元素是Sr或Ba，A元素是Al或Ga,B元素是Si,Z元素是Ce和/或Eu,通過4吏a、b、o、n的^f直在a=(1+x)xm、b=(4-x)xm、o=xxm、n=(7-x)xm、O^x^l的范圍，從而該焚光體形成與目前的氮化物、氧氮化物熒光體結構不同，對高溫具有耐久性的結晶結構。本實施方式涉及的第1熒光體由上述組成式，表示為SrAl1+xSi4-xOxN7-X:Z(Z是活化劑)。現有相同的氮化物熒光體報導在特開2003-206481號公報(專利文獻2)中示出的SrLuSi4N7:Eu2+、非專利文獻J.SolidStateChem.，177，(2004)，4687—4694中示出的SrYSi4N7:Eu2+、SrYSi4N7:Ce3+、SrYSi4N7:Eu2+和非專利文獻Z.Anorg.Allg.Chem.,623,(1997),212-217中示出SrYbSi4N7、BaYbSi4N7等。在將這些現有的氮化物焚光體表示為MASi4N7的情況下，M元素是Ca、Sr、Ba等堿土類元素，與本實施方式的熒光體相同。然而，對于A位點，現有的氮化物熒光體是Y、La、Yb、Lu、Gd等稀土類元素，相反，本實施方式的熒光體在以比稀土類元素離子半徑小的Al、Ga或In等IIIA族元素為主體的方面是不同的。此外，在發光特性中，本實施方式的熒光體SrAlSi4N7:Ce發出黃綠色的光，相反，在作為上述現有氮化物熒光體的SrYSi4N7中活化了Ce的SrYSi4N7:Ce發出藍色光的方面也是不同的。然而，認為本實施方式的熒光體與上述現有的氮化物熒光體組成不同，但結晶結構具有相近的結構。此外，在制造本實施方式的熒光體時，由于在制造中向結構內少量混入的氧原子在電荷上保持中性，因此結晶結構中的Si的一部分被Al取代，與Al取代量相同量的N被O取代，從而能獲得穩定的結晶結構。認為通過形成該結晶結構，從而各原子能在該結晶結構中規則存在，有效傳導發光中使用的激發能，因此發光效率可能提高。此外，該熒光體在近紫外'紫外藍綠色(波長300nm500nm)這樣可見光區域的寬范圍具有平坦的激發帶，這認為是由于與氧化物熒光體相比，共價鍵性較強所致。本實施方式涉及的第1焚光體是含有少量氧原子的組成，但優選氧原子量較少者。尤其是采用0^x^1.0的范圍，進一步優選0〈xO.5的范圍，從而能形成化學穩定的組成，因此認為發光強度進一步提高。詳細理由不明，但認為是通過減少氧原子，在該熒光體中難以產生不會發光的雜質相，可以抑制發光強度的降低。即，認為是由于在產生較多雜質相的情況下，每單位面積的熒光體量減少，此外，生成的雜質相吸收激發光和由焚光體產生的光，因此熒光體的發光效率降低，無法獲得高的發光強度。該推論認為，在針對焙燒后本實施方式熒光體的X射線衍射測定中，X的值如果在上述的0^x^1.0的范圍內，則無法確認A1N、SbN4等未反應原料的雜質相峰和與起發光作用的相不同的雜質相的峰，此外，即使在確認的情下，如果對于降低很多的衍射強度，x的值為x>1.0,則能確認A1N、Si3N4和與起發光作用的相不同的相的顯著峰。此外，在針對焙燒后的熒光體的X射線衍射圖案中，沒有發現上述雜質相峰的特征認為是表示測定對象的熒光體具有高發光強度。氧的適當范圍本實施方式涉及第1熒光體的氧含量優選為5.0重量％以下。通過使該氧含量最佳化，能獲得不僅可以提高熒光體的初期發光特性(25。C)，而且即使在溫度高的環境下，發光特性與室溫(25。C)相比，基本不會劣化的熒光體。這是由于僅用Al取代Si位點的話，Al比Si的離子半徑大，因此結晶結構是偏離適合發光的結構。此外，Si是IV價的，而A1是III價的，因此存在結晶中價數不穩定的問題。然而，根據取代Si位點的Al量，如果N位點的一部分被O取代，則可以形成最適合發光的結晶結構，此外，母體結晶整體的價數也為穩定的零，因此認為顯示出優異的發光特性。但是，氧的取代量過多，也會導致發光特性劣化，因此焙燒后熒光體的氧含量只要相對于熒光體的總重量，為5.0重量％以下的含量，則可形成發光特性良好，足以實用的熒光體。氯、氟的適當范圍本實施方式涉及的第1熒光體的氯或/和氟的含量優選為0.0001重量%~1.0重量％。通過在制備熒光體時添加原料元素的氟和氯化合物，從而在焙燒時，添加的化合物熔融，混入周圍的原料，進一步促進熒光體的結晶成長反應，從而能獲得發光效率高的熒光體。在熒光體中添加的氯或/和氟恐怕會被氧和氮原子少量取代，殘留在生成后的熒光體中。在氯或/和氟以外，通過同時使用熔點為IOO(TC-2000。C的組成構成元素(原料元素)的氧化物、氮化物，從而促進發揮助熔劑效果的反應。M的適當范圍另一方面，上述M元素必須是Sr，優選為選自Mg、Ca、Ba、Zn、具有II價的原子價的稀土類元素中的1種以上元素，更優選為選自Sr、Ba中的1種以上的元素，最優選單獨為Sr，或作為M元素所含的Sr元素為50at%以上。A的適當范圍上述A元素優選為優選為選自Al、Ga、In、Tl、Y、Sc、La、P、As、Sb、Bi中的l種以上的元素，更優選為選自Al、Ga、In的IIIA族元素中的l種以上的元素，最優選為Al。具體地說，A元素可以單獨為Al,也可以將Al與從Ga、In適當選擇的一種以上的元素并用。Al可以以氮化物形式的A1N用作通常的熱傳導材料或結構材料，獲得容易且廉價，此外環境負荷也小，是優選的。B的適當范圍上述B元素優選為選自Si、Ge、Sn、Ti、Hf、Mo、W、Cr、Pb、Zr中的l種以上的元素，更優選為Si和/或Ge，最優選為Si。具體地說，B元素可以單獨為Si,也可以并用Si和Ge。Si可以以氮化物形式的SisN4用作通常的熱傳導材料或結構材料，獲得容易且廉價，此外環境負荷也小，是優選的。Z的適當范圍上述Z元素是以將熒光體母體結構中M元素一部分取代了的形式配合的，選自稀土類元素或過渡金屬元素中的1種以上的元素。因此，在本實施方式中，表示M元素的摩爾數的m是包括Z元素摩爾數z的數值。在以使用本實施方式涉及第1熒光體的白色LED照明為代表的各種光源中，從發揮出足夠顯色性的觀點來看，該熒光體的發光光譜中峰的半值寬度優選為較寬。此外，,人該觀點出發，Z元素優選為選自Eu、Ce、Pr、Tb、Yb、Mn中的1種以上的元素。其中，作為Z元素，最優選Ce、Eu。具體地說，Z元素可以單獨為Ce、單獨為Eu或并用Ce和Eu這2種元素，從而本實施方式熒光體的發光光譜為綠色橙色，較寬，其發光強度高，因此優選作為以白色LED照明為代表的各種光源的活化劑。此夕卜，Z元素的添加量在本實施方式的熒光體用通式MmAaBbOoNn:Zz(其中，0<m+zSl)表示時，對于M元素和活化劑Z元素的摩爾比z/(m+z)，優選在0.0001-0.50的范圍。M元素和Z元素的摩爾比z/(m+z)只要在該范圍，就可以避免由于活化劑(Z元素)的含量過量導致發生濃度降低(消光)，由此產生的發光效率降低，另一方面，還可以避免由于活化劑(Z元素)的含量過少導致起發光作用的原子不足，由此產生的發光效率降低。此外，該z/(m+z)的值只要在0.001~0.30的范圍內，就是更優選的，在上述范圍內的話，通過控制活化劑(Z元素)的添加量，可以轉移該熒光體的發光峰波長而進行設定，在所得光源中，在顏色溫度、亮度、顯色性調整時是有效的。然而，該z/(m+z)值的范圍的最佳值可以根據活化劑(Z元素)的種類和M元素的種類進行一定改動。在本實施方式涉及的第1熒光體(通式MmAaBbOoNn:Z)中，作為M元素，選擇Sr，作為A元素，選擇A1，作為B元素，選擇Si、作為Z元素，選4奪Ce和/或Eu,m、a、b、o、n的<直在a=(1+x)xm、b=(4-x)xm、o=xxm、n=(7-x)xm、0^x^l的范圍時，可以根據生成后熒光體的組成分析，求出構成該熒光體的元素的重量比，Sr為22.0重量％~28.0重量％,Al為5.0重量％~18.0重量％，0為5.0重量％以下，N為27.0重量％以上，Ce和/或Eu為超過0,且為5.0重量％以下。在上述組成以外，是Si或其它微量添加的元素。在向該焚光體中，照射作為激發光的波長在300nm~500nm范圍的單色光或這些單色光的混合光時，該熒光體發光光譜的峰波長在波長500~620nm的范圍內。此時，該熒光體顯示出足夠的發光強度，顯示出發光光譜的色度(x，y)的色度x在0.38~0.55的范圍，色度y在0,40~0.60的范圍這樣優選的發光特性。以下，對本實施方式涉及的第1熒光體的溫度特性進行說明。該熒光體有時不僅在白色LED照明中使用，還在高溫環境下使用。因此，溫度上升的同時發光強度也降低的物質或由于熱劣化導致發光特性劣化的物質是不優選的。例如，硫化物熒光體發光特性優異，但往往是溫度上升而發光強度降低的物質或由于熱產生組成變化，從而發光特性劣化的物質。相反，本實施方式的熒光體顯示出優異的溫度特性和耐熱性'將照射近紫外.紫外~藍綠色的范圍(波長區域300~S00nm)的單色光或這些單色光的混合光作為激發光時的，25。C下發光光譜中最大峰的相對強度值記為P25,將照射上述激發光的上述熒光體的100。C下的上述最大峰的相對強度值記為Pioo時，(P25-Pu)0)/P25x100^20.0,即使在高溫環境下也顯示出優異的發光特性。本發明人對LED的發熱溫度進行了研究，發現小型的小電流類型芯片為5(TC左右，為了獲得更強的發光，在使用大型的大電流類型的情況下，從S0。C發熱至150。C左右。此外，在作為白色LED照明的情況下，判斷用樹脂密封芯片或由于引線框('J-卜、、;7U-厶)的結構產生的熱積蓄，樹脂或焚光體混合物部分的溫度有時達到100。C左右。即，只要(P2廣P1Q())/P25xl00^20.0，進一步優選(P25-P1Go)/P25x100^10.0，則即伴隨作為發光源的LED等長時間點燈產生的熱積蓄的情況下，可以使由于該發光導致的發光強度的降低收斂到作為白色LED照明等沒有問題的水準上。通過使本實施方式涉及的第1熒光體為粉末狀，故可以容易地適用于以白色LED照明為代表的各種發光裝置中。其中，該焚光體在以粉末形式使用的情況下，包含粒徑為50.0pm以下的1次顆粒和該1次顆粒凝集的凝集體，含有該1次顆粒和凝集體的熒光體粉末的平均粒徑(D50)優選為1.0|iim~50.(Vm。更優選為1.0(im~lO.O[im。這是由于認為只要平均粒徑在50.0(am以下，則之后的粉碎工序容易進行，且在熒光體粉末中，發光主要在顆粒表面進行，因此可以確保粉末每單位重量的表面積，則可以避免亮度的降低。此外，是由于平均粒徑只要在50.0pm以下，則該粉末為糊狀，在發光體元件等中涂布的情況下，也可以提高該粉末的密度，從該觀點出發，也可以避免亮度降低。此外，根據本發明人的研究，詳細理由是不清楚的，但從熒光體粉末發光效率的觀點來看，也判斷平均粒徑優選大于l.(Vm。如上所述，本實施方式熒光體中粉末的平均粒徑優選為1.0(im~50.0^im。其中所述的平均粒徑(D50)是通過貝克曼'考爾塔(《7夕7》:i-/b夕-)社制造的LS230(激光衍射散射法)測定的值。此外，作為比表面積(BET)的值，從上述觀點出發，優選為0.05m2/g~5.00m2/g。此外，從抑制涂布時的涂布不均的觀點出發，優選粒度分布的分布寬度較寬。其中，作為涉及粒度分布的分布寬度的指標，使用變動系數CV。此外，變動系數CV通過下式計算出，在白色LED中使用的熒光體中，該變動系數CV的值優選為100%以下。變動系數CV(%)=標準偏差/算術平均粒徑x100…(式)(第1實施方式涉及的熒光體的制造方法)以下，對本實施方式涉及的第1熒光體的制造方法，以SrAlL25Si3.750。25N6.75:Ce(SrAl1+xSi4—xOxN7—x:Ce表示時x=0,25,Ce/(Sr+Ce)=0.030。)的制造為一個例子進行說明。通常，熒光體往往通過固相反應制造，本實施方式的熒光體也可以通過固相反應制造。然而，制造方法并不限定于其中。M元素、A元素、B元素的各原料可以是氮化物、氧化物、碳酸鹽、氬氧化物、堿式碳酸鹽、草酸鹽等市售的原料，優選純度較高者，因此準備2N以上，優選3N以上的物質。從促進反應的觀點來看，各原料顆粒的粒徑通常優選為微粒，但根據原料的粒徑、形狀，還可以改變所得熒光體的粒徑、形狀。因此，配合最終所得焚光體所要求的粒徑或形狀，準備具有近似粒徑的氮化物等原料即可，可以優選使用50pm以下的粒徑，進一步優選為O.lpm-lO.Ojxm以下粒徑的原料。Z元素的原料也優選是市售的氮化物、氧化物、碳酸鹽、氬氧化物、堿性碳酸鹽、草酸鹽或單質金屬。此外，對于Z元素，也優選純度較高，準備2N以上，優選3N以上的物質。如果制造SrAlwSiwOo.MN&wCe(其中,Ce/(Sr+Ce)=0.030),則例如作為M元素、A元素、B元素的原料，分別準備SrC03(3N)、A1N(3N)、Si3N4(3N)，作為Z元素，準備Ce02(3N)。認為在原料的混合組成與焙燒后的組成之間會產生偏差，進行了很多研究，求出了焙燒后能獲得目標組成的混合組成。為了使焙燒后，獲得各元素的摩爾比為Sr:Al:Si:O:Ce=0.970:1.25:3.75:0.25:0.030的試樣，只在焙燒前的混合階段，按照各原料的混合比為0.970mo1的SrC03、1.25mol的A1N、4.25/3mol的Si3N4、0.030mol的Ce02進行稱量，混合。其中，對于Si3N4，稱量比目的組成多0.50/3mol。這是由于在n00。C以上的焙燒和長時間的焙燒中，Si3N4由于高溫長時間的焙燒會逐漸升華，因此優選比通常摩爾比多地進行混合。然而，由于焙燒時的條件會發生變化，因此必須根據各個焙燒條件進行調整。此外，對于生成后試樣的氧量，在作為M元素(其中為Sr)的原料使用碳酸鹽的情況下，碳酸鹽會由于高溫焙燒而分解'氮化，因此通過調整焙燒條件，以殘留必要量氧的形式制備。但是，還可以不使用碳酸鹽，而組合M元素、A元素、B元素的氮化物與A1203或Si02等氧化物而調整氧量。此外，為了提高本實施方式涉及的第1熒光體的結晶性，如果添加M元素或/和A元素的氯化物或/和氟化物，則能促進反應，焙燒溫度'時間減少，故是優選的。同樣地，即使添加M元素或/和A元素的氧化物或/和氮化物，也能獲得同樣的效果，也是優選的。在使用碳酸鹽等低熔點的原料時，原料自身起到助熔劑的作用，有時也能促進反應，但通過向原料粉末的混合物中添加O.Olwt%~5.0wt%的M元素或/和A元素的化合物，尤其是熔點為IOOO"C-2000。C的M元素或/和A元素的氟化物、氯化物、氧化物、氮化物，從而能進一步發揮助炫效果。尤其是作為氟化物，優選SrF2、BaF2、A1F3,作為氯化物，優選SrCl2、BaCl2、A1C13，作為氧化物，優選八1203、Ga203、ln203、Si02、Ge02,作為氮化物，，CitCa3N2、Sr3N2、Ba3N2、GaN、InN、BN，特別優選SrF2、BaF2、A1203、Ga203。作為助熔劑，還可以添加上述以外的其它物質，-f旦該助熔劑成為雜質，存在使焚光體特性惡化的可能性，因此優選M元素或/和A元素的氯或/和氟化合物、M元素或/和A元素的氧化物或/和氮化物。對于該試樣的稱量.混合，還可以在大氣中進行，但由于各原料的氮化物容易受到水分的影響，因此在充分除去水分的非活性氛圍氣下的手套箱內的操作是方便的。混合方式可以是濕式、千式的任一種，作為濕式混合的溶劑，如果使用純水，則原料會發生分解，因此必須選擇適當的有機溶劑或液體氮。作為裝置，還可以是使用球磨或乳缽等的公知方法。將結束混合的原料;^A蚶鍋中，在焙燒爐內在包含選自氮氣、或稀有氣體、或氨氣、或氨氣與氮氣的混合氣體或氮氣與氫氣的混合氣體中的1種以上氣體的氛圍氣體中，在1400。C以上，更優選在1600。C2000。C下保持:30分鐘以上，進4亍焙燒。其中，焙燒爐內的氛圍氣體優選含有80%以上氮氣的氣體。此外，焙燒溫度如果為140(TC以上，則能良好地進行固相反應，獲得發光特性優異的熒光體。如果在2000。C以下進行焙燒，則能防止過量的焙燒和引起熔化。另外，焙燒溫度越高，固相反應就會越迅速地進行，因此可以縮短保持時間。另一方面，即使在焙燒溫度低的情況下，通過長時間保持該溫度，也能獲得目的發光特性。然而，焙燒時間越長，就會越進行顆粒成長，顆粒形狀越大，因此只要根據目的顆粒尺寸設定焙燒時間即可。該焙燒中的爐內壓力優選為0.001MPa~l.OMPa，更優選超過O.OlMPa,但在0.5MPa以下。(在本實施方式中，所謂的爐內壓力，是指從大氣壓加壓的程度。)這是由于通過在l.OMPa以下的壓力下焙燒，能避免顆粒間的過度燒結，可以使焙燒后的粉碎容易化，此外，通過在0.001MPa以上的壓力下焙燒，在焙燒時，能抑制從大氣中向爐內侵入氧氣。另外，作為坩鍋，只要使用八1203坩鍋、SbN4坩鍋、A1N坩鍋、塞龍坩鍋、C(碳)坩鍋、BN(氮化硼)坩鍋等能在上述氮氣氛圍中使用的物質即可，但是如果使用BN坩鍋，則能避免混入來自坩鍋的雜質，故是優選的。此外，在焙燒中，優選在將上述氣體氛圍，例如以0.1ml/min以上的流量流入的狀態下焙燒。這是由于在焙燒中，發生來自原料的氣體，但是通過流動(flow)包含選自上述的氮氣、或稀有氣體、或氨氣、或氨氣與氮氣的混合氣體或氮氣與氫氣的混合氣體中的l種以上氣體的氛圍氣體，從而可以防止在爐內充滿從原料產生的氣體，影響反應，結果能防止熒光體發光特性的降低。尤其是在原料中使用碳酸鹽、氫氧化物、堿式碳酸鹽、草酸鹽等在高溫下分解的原料時，氣體的產生量較多，因此優逸在焙燒爐內流動氣體，排出產生的氣體。在本實施方式中，優選直接以粉末形式焙燒原料。在通常的固相反應中，考慮到由于原料之間連接點的原子擴散引起的反應的進行，為了對原料全體促進均勻反應，還可以使原料形成粒狀進行焙燒。然而，在該熒光體原料的情況下，直接以粉末形式焙燒，在焙燒后容易分解，1次顆粒的形狀是理想的球狀，因此優選以粉末形式處理原料。此外，在作為原料，使用碳酸鹽、氫氧化物、堿式碳酸鹽、草酸鹽的情況下，由于焙燒時原料的分解會產生C02氣體等，只要原料為粉末，則由于能充分排出，不會對發光特性產生壞的影響，從該觀點出發，原料優選為粉末。在焙焙燒束后，從坩鍋取出焙燒物，使用乳缽、球磨等粉碎裝置進行粉碎，形成規定的平均粒徑，可以制造組成式用SrAl,.25Si3.750o.25N6.75:Ce(其中，Ce/(Sr+Ce^0.030)表示的熒光體。然后，根據需要，將所得熒光體用硫酸-鹽酸.硝酸.氫氟酸或水洗凈、分級、鈍化(燒鈍)，進行在表面附著Si02或導電性物質的表面處理。在作為M元素、A元素、B元素、Z元素，使用其它元素的情況下，以及改變作為活化劑的Z元素的活化量的情況下，通過使各原料混合時的配合量符合規定的組成比，從而可以通過與上述相同的制造方法制造熒光體。(第2實施方式的熒光體)本實施方式涉及的第2熒光體是具有通式(MWmd)M②一)Zz)AaBbO。Nn表示的母體結構的熒光體。其中，M^元素在上述熒光體中，是選自具有I價的元素中的1種以上的元素，M②元素在上述熒光體中，是選自具有II價的元素中的1種以上的元素。A元素在上述熒光體中，是選自具有III價的1種以上的元素。B元素在上述熒光體中，是具有IV價的l種以上的元素。O是氧。N是氮。Z元素在上述熒光體中，是起到活化劑作用的元素，是選自稀土類元素或過渡金屬元素中的l種以上的元素。在該熒光體的結晶結構中，M^元素、M②元素、Z元素配置在同一原子位點。因此，該焚光體的結晶結構，通過其它A元素、B元素、O(氧)元素和N(氮)元素與占據該同一位點的元素的比來規定。其中，在上述組成式中，通過標準化使m(1)+m(2)+z=1,使各自的構成比率與a、b、o、n的值一致進行處理，則可以簡便地表示。因此，在本發明中，可以通過該表示方法表示結晶結構中的元素構成比率。由本發明人對各元素比的研究結果可以得到，在該(M，M(2)、Z)元素、A元素、B元素的構成比(標準化使m(1)+m(2)+z=1時)滿足0.5^a^2.0、3.0^b芻7.0、m(1)>0、m(2)>0、z>0、4.0^(a+b)互7.0的關系時，形成在近紫外-紫外藍綠色的范圍(波長300nm500nm)具有激發帶，在能提高亮度的波長500nm~600nm附近具有發光峰，并包含寬發光光譜的具有優異發光特性的熒光體。這認為是由于通過使各元素的構成比在該范圍內，從而能抑制具有與該熒光體不同的結晶結構的雜質相的產生，維持發光特性。同樣地，在氧元素的比率在0<o^4.0的范圍時，可以獲得具有高發光特性的熒光體，這還由于通過使氧量在該范圍，從而不會引起雜質的產生，維持發光特性。此外，對于氮元素，認為是由于如果考慮各個構成元素的電荷，則在滿足n=1/3m(1)+2/3m(2)+z+a+4/3b-2/3o時,結晶結構內的電荷之和為零，形成最穩定的結晶結構。因此，認為通過使氮量在該范圍，能獲得高的發光特性。在上述組成范圍中(在標準化使01(1)+111(2)+2=1時)，滿足0.8^a^2.0、3.0^b^6.0、(KoS1.0時，可以在更大程度上抑制上述雜質的產生，能基本上以單相的形式獲得該焚光物質。因此，由于能獲得發光強度'亮度優異的熒光體，因此是優選的。在上述組成范圍中，尤其是在(Ko^l.O時，在滿足a-l+o，b=4-o、n=7-o的情況下，能獲得發光特性優異的熒光體。這認為是由于該熒光體的結晶結構是最適合發光的結構。此外，由于能進一步提高發光強度和亮度，因此是最優選的結構。上述現有熒光體的發光機理是M位點被作為活化劑元素的Z元素部分取代，從而顯示出發光特性。其中，Z元素與本來占據M位點的元素在離子半徑或離子的價數不同。因此，在為了獲得發光，將作為母相物質的M位點用Z元素取代的情況下，由于M元素與Z元素的離子半徑不同，會在結晶結構中產生扭曲，或者通過M元素與Z元素離子價數的不同使電荷的平衡破壞，從而變成結晶結構不穩定的物質。如果該結晶結構存在不穩定性，則存在侵入該結晶結構的激發光能量散失而失去，也有無法有效地到達發光中心的狀況。此外，為了獲得更高的發光特性，在增加產生發光的Z元素取代量的情況下，該不穩定性越來越顯著。此外，由于該結晶結構的不穩定性，認為難以制備具有高發光強度.亮度的熒光體。相反，認為本實施方式涉及的熒光體通過將M位點的元素與II價的元素M②和I價的元素M^混合，從而可以緩和伴隨著Z元素取代M位點產生的電荷不均衡或結晶結構的扭曲，提高結晶結構的穩定性。例如，在向II價的M②元素占據的M②位點，導入離子半徑較小的III價的活化劑元素的情況下，結晶晶格局部縮小，且多出活化劑那部分正電荷，因此結晶結構在結構.電上不穩定。通過向其中導致與Z元素原子相同程度的I價M^元素原子，首先能恢復電荷的平衡。此外，M^元素只要比Z元素離子半徑大，則還能緩和結晶結構的扭曲。如上所述，用M^元素原子取代M②元素位點的量優選與Z元素的原子數相同程度。具體地說，m(D的值優選為0<m(D^0.05。其中，m(1^1—m(2)—z,該m^的值表示在由M^元素、M②元素和Z元素構成的位點中，M^元素占據的比例(即M^元素的位點取代率)。通過該MW元素取代M②位點，使熒光體的結晶結構穩定化，從而可以制備發光強度和亮度更高的熒光體。其中，對M^元素做進一步說明。M^元素是具有I價的元素，主要是Li、Na、K、Rb等堿金屬。該M(1)元素以部分取代后述M②元素的形式構成熒光體。M^元素的種類'取代量可以考慮M^元素、活化劑元素Z的離子半徑'電荷的不同進行選擇即可。例如，作為本發明優選實施方式的一個例子，在M②元素選擇Sr、Z元素選擇Ce的情況下，由于S一+位點部分被C取代，因此結晶晶格局部縮小，此外，結晶晶格中的正電荷過量。在該情況下，為了保持電荷的平衡，導入與Z元素相同程度量的M^元素即可，同時，為了緩和結晶晶格的扭曲，優選導入離子半徑比CeS+大的K或Rb。尤其是K容易獲得，從制造成本的方面來看，是優選的。以下，對M②元素做進一步說明。M②元素首先選擇Sr，進而優選為選自Mg、Ca、Ba、Zn、具有II價原子價的稀土類元素中的l種以上的元素。此外，更優選單獨使用Sr，或并用Sr和Ba，最優選并用Sr和Ba，Sr的比例為95at%以上，但不足100at0/0。通過形成該結構，能獲得具有高發光特性的熒光體。以下，對A元素做進一步說明。A元素優選為選自Al、Ga、In、Tl、Y、Sc、La、P、As、Sb、Bi中的l種以上的元素，更優選選自Al、Ga、In的IIIA族元素中的1種以上的元素，最優選為Al。Al以作為氮化物的A1N的形式作為通常的熱傳導材料和結構材料使用，容易獲得且便宜，此外環境負荷也小，是優選的。以下，對B元素做進一步說明。B元素優選為選自Si、Ge、Sn、Ti、Hf、Mo、W、Cr、Pb、Zr中的1種以上的元素，更優選為Si和/或Ge,最優選為Si。Si以作為氮化物的Si3N4的形式作為通常的熱傳導材料和結構材料使用，容易獲得且便宜，此外環境負荷也小，是優選的。以下，對Z元素做進一步說明。Z元素是以將熒光體母體結構中的MW元素或]\4(2)元素的一部分取代的形式混合，選自稀土類元素或過渡金屬元素中的l種以上的元素。從在以使用本實施方式熒光體的白色LED照明為代表的各種光源中發揮出足夠顯色性的觀點出發，優選該熒光體發光光譜中峰的半值寬度較寬的物質。此外，從該觀點出發，Z元素優選為選自Eu、Ce、Pr、Tb、Yb、Mn中的l種以上的元素，其中，最優選Ce。此外，Z元素的添加量在本實施方式的熒光體表示為通式MWm(,)M^m(2)Zz)AaBbO。Nn時，活化劑Z元素取代M(1)、M②元素位點的取代率z(其中，z/(m("+m(2)+z)=z。)的值優選在0.0001~0.50的范圍。只要活化劑Z元素導致的位點取代率z在該范圍，則可以避免活化劑(Z元素)的含量過量引起的濃度消光導致發光效率降低，另一方面，還可以避免活化劑(Z元素)的含量較少，起發光作用的原子不足，由此導致發光效率降低。此外，如果該z值在0.001~0.10的范圍，則是更優選的。其中，該z值的范圍的最佳值根據活化劑(Z元素)的種類和M(1)、M^元素的種類有若干變動。在本實施方式涉及的第2熒光體(通式MW一)MP;2)Zz)AaBbO。Nn)中，在作為M^元素，為K,作為M。元素，為Sr,作為A元素，為Al,作為B元素，為Si，作為Z元素，為Ce時，通過制成后熒光體的組成分析，求出構成該熒光體元素的重量比時，Sr為21.0重量％-27.0重量％,Al為8.0重量％~14.0重量％，O為0.5重量％~6.5重量％，N為26.0重量％~32.0重量％,Ce超過O,且為4.0重量％以下。此外，K的重量比超過O,且不足1.0重量％。除了上述組成以外，是Si或混入原料中的雜質。向該熒光體中照射波長在300nm500nm范圍的單色光或這些單色光的混合光作為激發光時，該熒光體發光光譜的峰波長在500600nm的范圍。此時，該熒光體顯示出足夠的發光強度，顯示出發光光鐠的色度(x，y)的色度x在0.380-0.550的范圍，色度y在0.400~0.600的范圍這樣優選的發光特性。如上所述，在本實施方式中，通過使M②元素為Sr和Ba，Sr的比例為95at。/。以上，但不足100at。/。，能獲得高的發光效率。在該情況下，測定Ba元素相對于熒光體的重量比時，為超過O，但不足2.0重量％。通過使本實施方式涉及的第2熒光體為粉末狀，從而能容易地適用于以白色LED照明為代表的各種發光裝置中。其中，在該熒光體以粉末形式使用的情況下，包含粒徑為50.0pm以下的1次顆粒和該1次顆粒凝集的凝集體，含有該1次顆粒和凝集體的熒光體粉末的平均粒徑(D50)為1.0|im~50.0(im。更優選為1.0(im~20.0|nm。這是由于認為平均粒徑只要在50.0/im以下，此后的粉碎工序就容易進行，且在熒光體粉末中，發光主要在顆粒表面引起，因此能確保粉末每單位重量的表面積，從而能避免亮度降低。此外，是由于平均粒徑只要在50.0pm以下，優選在20.0nm以下，則將該粉末作為糊狀，在發光體元件等上涂布的情況下，也能提高該粉末的密度，從該觀點出發，也能避免亮度的降低。此外，根據本發明人的研究，詳細理由雖然不明，還可判斷從熒光體粉末發光效率的觀點出發，平均粒徑大于l.(Him是優選的。如上所述，本實施方式的熒光體中的粉末的平均粒徑優選為1.0!im50.0pm。另外，其中所述的平均粒徑(D50)是通過貝克曼'考爾塔(《少夕7》rr-乂L夕-)社制造的LS230(激光衍射散射法)測定的值。此外，作為比表面積(BET)的值，從上述觀點出發，優選為0.05m2/g~5.00m2/g。(第2實施方式的熒光體的制造方法)以下，對本實施方式的第2焚光體的制造方法，以(K,Sr。.93Ce。.。3)AlL3Si3.70。.3N6.7的制造(上述組成式中M("元素是K，M②元素是Sr,o=0.30，m(1)=0.04時)為一個例子進行說明。通常，熒光體往往通過固相反應制造，本實施方式的熒光體也可以通過固相反應制造。然而，制造方法并不限定于此。M^元素、M②元素、A元素、B元素的各原料可以是氮化物、氧化物、碳酸鹽、氫氧化物、堿式碳酸鹽、草酸鹽等市售的原料，但優選純度較高，因此準備2N以上，優選3N以上的物質。從促進反應的觀點來看，各原料顆粒的粒徑通常優選為微粒，但根據原料的粒徑、形狀，還可以改變所得熒光體的粒徑、形狀。因此，只要準備符合最終所得熒光體中要求的粒徑或形狀，具有近似的粒徑的氮化物等原料即可，可以優選使用具有50|im以下的粒徑，進一步優選為0.1pm~10.0pm粒徑的原料。Z元素的原料也優選是市售的氮化物、氧化物、碳酸鹽、氫氧化物、堿式碳酸鹽、草酸鹽或單質金屬。此外，對于Z元素，也優選純度較高者，準備2N以上，優選3N以上的物質。如果制造(K。.。4Sr。.93Ce,)AlL3Si3.70o.3N6.7，則例如作為M("元素、M②元素、A元素、B元素的原料，分別準備K2C03(3N)、SrC03(3N)、A1N(3N)、Si3N4(3N)，作為Z元素，準備Ce02(3N)。考慮了在原料的混合組成與焙燒后的組成之間會產生偏差，事先進行了很多研究，求出了焙燒后能獲得目標組成的混合組成。在本實施方式中，例如，為了使焙燒后，獲得各元素的摩爾比為K:Sr:Al:Si:0:Ce=0.04:0.93:1.3:3.7:0.30:0.030的試樣，在焙燒前的混合階段，按照各原料的混合比為0.04/2mol的K2C03、0.92mol的SrC03、1.25mol的A1N、4.5/3mol的Si3N4、0.050molCe02進行稱量,混合。其中，以與最終目標組成式不同的重量比稱量。這是由于在noo。c以上的焙燒和長時間的焙燒中，原料逐漸分解'升華，因此需要考慮該偏差。其中個焙燒條件進行調整。此外，對于生成后試樣的氧量，在作為M^元素(其中為K)、M②元素(其中為Sr)的原料，使用碳酸鹽的情況下，碳酸鹽會由于高溫焙燒而分解'氮化，因此比由混合比計算出的重量比大大降低，調整后述的焙燒條件，以使殘留必要量的氧。其中，還可以不使用碳酸鹽，通過組合M^、M②元素、A元素、B元素的氮化物、與八1203或Si02等氧化物而調整氧量。另外，為了增加還原性，還可以在原料中添加微量的c(碳)粉末。然而，在該情況下，必須注意在焙燒后殘留的碳成分。對于該試樣的稱量'混合，還可以在大氣中進行，由于各原料的氮化物容易受到水分的影響，因此在充分除去水分的非活性氛圍下的手套箱內的操作是方便的。混合方式可以是濕式、干式的任一種，作為濕式混合的溶劑，如果使用純水，則原料會發生分解，因此必須選擇適當的有機溶劑或液體氮。作為裝置，還可以是使用球磨或乳缽等的公知方法。將結束混合的原料放入坩鍋中，在焙燒爐內，在包含選自氮氣、或稀有氣體、或氨氣、或氨氣與氮氣的混合氣體或氮氣與氫氣的混合氣體中的l種以上氣體的氛圍氣體中，在140(TC以上，更優選在1600°C-2000。C下保持30分鐘以上，進行焙燒。其中，焙燒爐內的氛圍氣體優選含有80%以上氮氣的氣體。此外，焙燒溫度如果為140(TC以上，則能良好進行固相反應，獲得發光特性優異的熒光體。如果在2000。C以下進行焙燒，則能防止過量的焙燒和引起熔化。另外，焙燒溫度越高，固相反應就會越迅速地進行，因此可以縮短保持時間。另一方面，即使在焙燒溫度低的情況下，通過長時間保持該溫度，也能獲得目的發光特性。然而，焙燒時間越長，就會進行顆粒成長，顆粒形狀越大，因此只要根據目的顆粒尺寸設定焙燒時間即可。該焙燒爐中的爐內壓力優選為0.0001MPa~l.OMPa，更優選超過O.OlMPa,但在0.5MPa以下。(在本實施方式中，所謂的爐內壓力，是指從大氣壓加壓的程度。)這是由于通過在l.OMPa以下的壓力下焙燒，能避免過度進行顆粒間的焙燒，可以使焙燒后的粉碎容易化，另一方面，通過在O.OOOlMPa以上的壓力下焙燒，在焙燒時，能抑制從大氣中向爐內侵入氧氣。另外，作為坩鍋，只要使用八1203坩鍋、Si3N4蚶鍋、A1N坩鍋、塞龍坩鍋、C(碳)坩鍋、BN(氮化硼)坩鍋等的能在上述氣體氛圍氣中良好使用的物質都可以，尤其是可以使用氮化物構成的坩鍋。其中，如果使用BN坩鍋，則能避免混入來自坩鍋的雜質，是優選的。為了不損害所得熒光體粉末的發光特性，優選將混入來自坩鍋的雜質量抑制為0.1wt。/。以下。尤其是作為雜質的B(硼)和/或C(,友)優選為0.1wt%以下。此外，在焙燒中，優選在使上述氣體氛圍氣以例如0.1ml/min以上的流量流入的狀態下進行焙燒。這是由于在焙燒中，從原料產生氣體，通過流動(flow)包含上述的選自氮氣、或稀有氣體、或氨氣、或氨氣與氮氣的混合氣體或氮氣與氫氣的混合氣體中的l種以上氣體的氛圍氣體，從而可以防止在爐內充滿從原料產生的氣體，影響反應，結果能防止熒光體發光特性的降低。尤其是在原料中使用碳酸鹽、氫氧化物、堿式碳酸鹽、草酸鹽等在高溫下分解的原料時，氣體的產生量較多，因此優選在焙燒爐內流動氣體，排出產生的氣體。在本實施方式中，優選直接以粉末狀態焙燒原料。在通常的固相反應中，考慮到由于原料之間的連接點的原子擴散引起的反應的進行，為了在原料整體中促進均勻反應，還可以使原料形成粒狀進行焙燒。然而，在該熒光體原料的情況下，直接以粉末狀態焙燒，在焙燒后容易破碎，1次顆粒的形狀是理想的球狀，因此優選將原料制成粉末進行處理。此外，作為原料，使用碳酸鹽、氫氧化物、堿式碳酸鹽、草酸鹽的情況下，焙燒時原料的分解會產生C02氣體等，只要原料為粉末，則由于能充分排出這些氣體，不會對發光特性產生壞的影響，從該觀點出發，原料優選為粉末。在本實施方式中，優選至少重復二次在上述示出的條件下的焙燒工序，再在各焙燒工序之間，暫時從焙燒爐中取出試樣，加入粉碎'混合操作。通過重復焙燒，能提高焙燒物的均勻性，提高熒光體的發光效率。在粉碎'混合操作中，可以為乳缽、球磨、珠磨、氣流粉碎機等公知的方法。在焙燒結束后，從坩鍋取出焙燒物，使用乳缽、球磨等粉碎裝置進行粉碎，形成規定的平均粒徑，可以制造組成式(Ko.Q4Sr,Ce,)AlL3Si3.70().3N6.7表示的熒光體。然后，根據需要，將所得熒光體用酸或水洗凈、分級、鈍化，進行表面處理。作為M^元素、M②元素、A元素、B元素、Z元素，使用其它元素的情況下，以及改變作為活化劑的Z元素的活化量的情況下，通過使各原料混合時的混合量符合規定的組成比，從而可以通過與上述相同的制造方法制造熒光體。尤其是在本實施方式中，通過使M②元素為Sr和Ba的混合，從而能制備具有高發光特性的熒光體。在該情況下，分別稱量、混合Sr、Ba的氮化物、氧化物、碳酸鹽、氫氧化物、堿式碳酸鹽、草酸鹽等，使之成為期望的比率即可。另外，對于Ba化合物，如果使用氯化鋇、氟化鋇、氧化鋇、碳酸鋇，則能形成發光效率高的熒光體，因此是優選的，其中，優選氧化鋇。本實施方式涉及的第2熒光體能吸收寬波長范圍的光，產生波長500nm600nm的綠色黃色的發光，因此通過組合產生第一波長的發光部和本實施方式的熒光體，則能產生與上述第一波長不同波長的光，可以制備各種光源。(使用第1實施方式熒光體的發光裝置)對具有本實施方式涉及的第1熒光體和發光第1波長光的發光部，且以上述第1波長光的一部分或全部作為激發光，從上述熒光體發出與上述第1波長不同波長光的發光裝置進行說明。其中，上述第1波長為300nm500nm的波長。作為發出第1波長光的發光部，可以使用例如在近紫外'紫外藍綠色的任一范圍發光的LED發光元件、發出紫外光的放電燈。此外，在將含有本實施方式熒光體的熒光體混合物與該LED發光元件組合的情況下，可以制造各種照明單元、顯示裝置用背照燈等，在將本實施方式的熒光體混合物與該放電燈組合的情況下，也可以制造各種熒光燈、照明單元或顯示裝置用背照燈等。此外，通過將本實施方式的焚光體與產生電子線的裝置組合，也可以制造顯示裝置。尤其是本實施方式的熒光體在溫度特性上是優異的，因此可以制備即使由于長時間的點燈使用，使發光裝置的溫度上升時，也基本不會引起發光特性下降的裝置。此外，該熒光體由于發光光譜在綠色橙色范圍具有峰，峰形狀較寬，因此從顯色性的觀點出發，適合作為白色LED照明用熒光體。此外，該熒光體由于激發帶在近紫外'紫外藍綠色(波長區域300~500nm)的寬范圍具有平坦的激發帶，因此，例如在作為白色LED照明提出的，利用高亮度藍色LED(波長460nm附近)的藍色發光和熒光體的黃色發光的補色關系而獲得白色方式的白色LED照明的情況下，或通過將近紫外'紫外發光(波長380~410nm附近)的LED和通過由該LED產生的近紫外'紫外光激發而發出紅色(R)光的熒光體、發出綠色(G)光的熒光體、發出藍色(B)光的熒光體組合，利用由該R.G.B熒光體獲得光的混色，從而獲得白色方式的白色LED照明的情況下，均能發揮接近最高發光強度狀態并使用。即，通過將發出近紫外.紫外藍綠色光的發光部和本實施方式的熒光體33組合，可以獲得高輸出、顯色性良好的白色光源和白色LED照明以及使用它們的照明單元。在使用以以上說明的發光裝置作為高顯色性照明用光源的情況下，必須具有顯色性優異的發光光譜，因此使用JISZ8726的評價方法，評價組合包含本實施方式熒光體的焚光體混合物的發光裝置的顯色性。在JISZ8726的評價中，只要該光源的平均顯色評價數Ra為60以上，則可以用作通常用照明，此外，只要Ra為80以上，就可以稱為優異的發光裝置。此外，更優選作為表示日本女性膚色成分指標的特殊顯色評價數R15為80以上，此外，只要特殊顯色評價數R9為60以上，就可以稱為非常優異的發光裝置。其中，根據不要求顯色性的用途或不同的目的，也可以不滿足上述指標。本發明人制備了用來自發出波長300nm500nm范圍的任意發光的發光部的光，照射到含有本實施方式的熒光體的熒光體混合物，使該熒光體混合物進行發光的發光裝置。另外，作為發光部，使用能進行波長460nm發光的發光元件。此外，對該發光裝置發光光譜的顯色性進行評價。結果，組合本實施方式的熒光體的發光裝置的顯色性在相關色溫度10000K2500K的范圍，Ra為60以上。此外，組合了在本實施方式的熒光體中加入紅色熒光體的熒光體混合物的發光裝置顯示出R15為80以上，R9為60以上的高顯色性，判斷是高亮度，顯色性非常優異的光源。此外，如上所述，本實施方式的發光裝置中的發光光譜的相關色溫度優選在10000K2500K的范圍，最優選至少在7000K~2500K的范圍。(使用第2實施方式的熒光體的發光裝置)本實施方式的第2熒光體尤其通過波長300nm500nm的激發光高效地發光，因此上述發光部的發光波長優選在該范圍。尤其是本實施方式的第2熒光體在波長500nm~600nm的綠色~黃色波長范圍顯示出非常寬，強度大的發光光譜，因此，通過與例如產生波長460nm的藍色光的光源組合，能制備顯色性高，高亮度的發光裝置。其中，對顯色性進行簡單地說明。所謂顯色性，是指來自光源光所照射的物體的顏色，根據該光源的種類而看上去發生改變。而且，雖然取決于光源的種類，但顯示出被照的物體顏色的再現性的顯色性通常可以通過平均顯色評價數(Ra)用數值表示。其中，只要能與用基準光看到的情況完全相同地再現顏色，則為最佳的平均顯色評價數(Ra-100),再現顏色的不同越大，Ra值越低(Ra〈100)。在JISZ8726的評價中，只要該光源的平均顯色評價數Ra為60以上，則可以用作通常用照明，此外，只要Ra為80以上，就可以稱為優異的發光裝置。此外，更優選作為表示日本女性膚色成分指標的特殊顯色評價數R15為80以上，此外，只要特殊顯色評價數R9為60以上，就可以稱為非常優異的發光裝置。其中，根據不要求顯色性的用途或不同的目的，也可以不滿足上述指標。此外，光源的相關色溫度優選在10000K-2000K的范圍，更優選在7000K-2500K的范圍。本發明人制備了用來自進行波長460nm的發光部的光照射到含有本實施方式的熒光體的熒光體混合物，使該熒光體混合物進行發光的發光裝置。此外，對該發光裝置發光光譜的顯色性進行評價。結果，組合本實施方式熒光體的發光裝置的顯色性在相關色溫度10000K-2500K的范圍，Ra為60以上。此外，組合了在本實施方式焚光體中加入紅色熒光體的熒光體混合物的發光裝置顯示出Ra為80以上，R15為80以上，R9為60以上的高顯色性，判斷是高亮度，顯色性非常優異的光源。(第1和第2實施方式的熒光體與發光部的組合)第1和第2實施方式的熒光體的混合物與發光部組合的方法也可以通過公知的方法進行，發光部使用LED的發光裝置的情況下，可以如下制備發光裝置。以下，參照附圖對在發光部中使用LED的發光裝置進行說明。圖6(A)(C)是炮彈型LED發光裝置的示意截面圖。圖7(A)-(E)是反射型LED發光裝置的示意截面圖。另外，在各附圖中，對相當部分賦予相同的符號，有時省略說明。首先，使用圖6(A)，對在發光部使用LED,并組合上述熒光體混合物的發光裝置的1個例子進行說明。炮彈型LED發光裝置是在引線框3的前端設置的杯狀容器5中，設置LED發光元件2，它們通過透光性的樹脂4成型。在該實施方式中，將上述熒光體混合物或在聚硅氧烷或環氧等具有透光性的樹脂中分散上述熒光體混合物的混合物(以下記為混合物l)全部埋入杯狀的容器5內。其中，在樹脂中，還可以混合Si()2或八1203作為分散材料。以下，使用圖6(B)，對不同發光裝置的一個例子進行說明。在該實施方式中，是在杯狀的容器5上和LED發光元件2上面涂布混合物1的裝置。以下，使用圖6(C)，對不同發光裝置的一個例子進行說明。在該實施方式中，是在LED發光元件2的上部設置熒光體混合物1的裝置。以上，使用圖6(A)~(C)說明的炮彈型LED發光裝置由LED發光元件2發出光的方向是上方向，即使發出光的方向為下方向，也可以通過同樣的方法制備發光裝置。例如，在該LED發光元件2的光發出方向設置反射面、反射板，將從同一發光元件2發出的光在反射面上反射，向外部發光的裝置是反射型LED發光裝置。其中，使用圖7(A)(E),對組合反射型LED發光裝置和本實施方式熒光體混合物的發光裝置的例子進行說明。首先，使用圖7(A)，對在發光部使用反射型LED發光裝置，并組合本實施方式熒光體混合物的發光裝置的一個例子進行說明。在該反射型LED發光裝置中，在一個引線框3的前端設置LED發光元件2，從該LED發光元件2發出的光向下，通過反射面8反射而向上放出。該實施方式是在反射面8上涂布混合物1。另外，在形成反射面8的凹部內，為了保護LED發光元件2，有時還填充透明模制材料9。以下，使用圖7(B)，對不同發光裝置的一個例子進行說明。該實施方式是在LED發光元件2的下部設置混合物1的裝置。以下，使用圖7(C),對不同發光裝置的一個例子進行說明。該實施方式是在形成反射面8的凹部內填充混合物1的裝置。以下，使用圖7(D)，對不同發光裝置的一個例子進行說明。該實施方式是在用于保護LED發光元件2的上述透明模制材料9的上部涂布混合物1的裝置。以下，使用圖7(E),對不同發光裝置的一個例子進行說明。該實施方式是在LED發光元件2的表面涂布混合物1的裝置。炮彈型LED發光裝置與反射型LED發光裝置可以根據用途分別使用，在反射型LED發光裝置中，具有可以較薄的、可以通過反射鏡控制集光用的發光面積的、可^R高光的利用效率等的優點。實施例以下，基于實施例，對本發明進行更具體的說明。另外，實施例1~44和比較例1涉及第1實施方式的熒光體，實施例45~65和比較例2~4涉及第2實施方式的焚光體。(實施例1~5)在實施例1~5中，根據SrAl1+xSi4-xOxN7—x:Ce(其中，Ce/(Sr+Ce)=0.030),將x從0變化至1地制造焚光體。作為制造方法，是稱量各元素的原料，使得在焙燒后，形成各元素的摩爾比為Sr:Al:Si:O:Ce=0.970:1+x:4-x:x:7-x:0.030的試樣。在x=O(實施例l)的情況下，作為原料，如果使用SrC03,則由于原料中所含的氧會產生影響，故全部原料均使用氮化物。作為起始原沖+，稱量0.970/3mol的Sr3N2(2N)、l.OOmol的A1N(3N)、4.0/3mol的Si3N4(3N)、0.030mol的Ce02(3N)。在起始原料全部為氮化物構成的情況下，原料中所含的氧量較少，能抑制Si3N4的升華，因此可以定量稱量Si3N4。此外，對于用作活化劑的Ce02的氧，由于添加量是微量的，因此可以忽略。如果在x=0.25(實施例2)的情況下，則稱量0.970mol的SrC03、1.25mol的A1N、4.25/3mol的SisN4(多稱量0.50/3mol)、0.030mol的Ce02。在實施例3~實施例5、后述實施例6的制造中，除了調整混合比，使各個原料形成規定的x以夕卜，與實施例2同樣制備焚光體試樣。其中，調整的x值為x-0.5(實施例3)、x=0.75(實施例4)、x=l.OO(實施例5)。由于焙燒時間和焙燒溫度導致焙燒后的Si量和氧量有所變化，因此只要使用符合焙燒條件的量作為原料，使得焙燒后的產物符合目標組成即可，在使用氮化物作為M元素原料的情況下，只要組合八1203或Si02等氧化物以調整氧量即可。在BN坩鍋中放入混合的原料，將爐內一度抽吸成真空后，在氮氣氛圍中(流動狀態，4.0L/min),爐內壓力為O.OSMPa,以l5°C/min的升溫速度升溫至1750。C，在1750。C下保持.焙燒6小時，然后，在1小時30分鐘內，從175(TC冷卻至50。C。然后，在大氣中，使用乳缽將焙燒試樣粉碎成適當的粒徑，獲得以組成式SrAl1+xSi4-xOxN7-x:Ce(0〇x^l.O)表示的熒光體。(比較例1)在比較例1中，與實施例1~6相同，根據SrAl卩xSU—xOxN7—x:Ce(其中，Ce/(Sr+Ce)=0.030),以x為1.5制造熒光體。準備SrC03(3N)、A1N(3N)、Si3N4(3N)、A1203(3N)、Ce02(3N),以0.970mol的SrC03、2.50_(2x0.50/3)mol的AIN、3.0/3mol的Si3N4(,混合0.5/3mol)、0.50/3mol的A1203、0.030mol的Ce02稱量各原料，使得焙燒后各元素的摩爾比為Sr:Al:Si:O:Ce=0.970:2.50:2.50:1.50:0.030。與實施例1-5同樣直接將上述混合原料混合，進行焙燒。用波長460nm的單色光激發表1示出對實施例1-5，比較例1和后述的實施例6的萸光體，照射波長460nm的單色光作為激發光時(25。C)的發光強度，色度(x，y)和亮度的測定結果。發光強度和亮度將實施例2中制備的熒光體作為100表示。求出實施例2中所得焚光體的半值寬度，為116.2nm,求出該發光光譜的色度(x,y)時，色度x-0.402,y=0.550。另外，實施例1~5的熒光體的粉末全部顯示出黃色的熒光色，在目視下，也確認為黃綠色的發光色。圖1在縱軸上以熒光體的發光強度作為相對強度，在橫軸上為x的值。此外，在圖2中，表示實施例2、比較例1和后述實施例6的發光光語。圖2的縱軸為相對發光強度，橫軸為發光波長，其中，通過實施例2為實線，實施例6為一點劃線，此外，比較例1為虛線來表示光譜。其中，所謂的發光光譜，是指對熒光體照射某波長的光或能量時，由熒光體放出的光的光譜。對于實施例2的熒光體，如果照射波長460nm的單色光作為激發光，則該熒光體的發光光譜在波長470nm~720nm的寬波長區域中具有寬峰，峰波長為556.6nm。如圖1所示，根據實施例1~5，比較例1的測定結果，如果x的值超過0.5,則引起發光效率的降低，在x的值超過1的x=1.5的比較例1中，僅能獲得發光效率最高的實施例2的50%以下的發光效率。如比較例1的試樣那樣，如果氧濃度過高，則容易產生與目標生成相不同的生成相，雜質相會降低發光效率，因此作為x的值，優選0^x^1。相反，即使對x的值沒有限制，過于接近0,也會引起發光效率降低，因此作為x的值，最優選為0<x<0.5左右(其中，SrmAlaSib00Nn:Ce，a=(1+x)xm,b=(4-x)xm，o=xxm,n=(7-x)xm)。另一方面，認為通過含有少量氧，能體現出促進目標生成相結晶成長的助熔劑效果，因此可以在短時間內生成均勻的組成。其中，即使在x-O的情況下，只要采用延長焙燒時間，通過焙燒氛圍氣的加壓，提高焙燒時氮分壓濃度，在容易促進氮化的氨存在下焙燒等焙燒方法，也能無需增加氧，就提高發光效率。表1X峰波長發光強度色度亮度(歸)(%)Xy(%)實施例10.00562.277.30.4300.53676.3實施例20.25556.6100.00.4020.550100.0實施例30.50558.175.90.4090.54271.6實施例40.75559.665.30.4100.54165.6實施例51.00557.056.80.3970.54356.6比車交例11.50566.244.40.4230.52145.5實施例60.25597.196.40.5260.46373.5用波長405nm的單色光激發此外，對于實施例15，比較例1的熒光體，測定照射波長405nm的單色光作為激發光時(25t:)的發光強度，色度(x，y)和亮度。該測定結果在表2中示出。在實施例2中制成的熒光體的發光強度為IOO的情況下，比較例1中制成的熒光體的發光強度為42.4。此外，求出實施例2中所得熒光體的半值寬度，為112.1nm，求出該發光光i普的色度(x，y),色度x-0.351，色度y-0.535。本實施例1~5的熒光體即使在制造以紫外或近紫外為激發源的發光裝置的情況下，也可以作成效率良好的發光裝置。如上所述，本實施例1~5的焚光體具有高的發光效率和亮度，因此在用于照明等發光裝置中的情況下，可以獲得發光效率和亮度高的發光裝置。此外，本實施例1~5的熒光體在寬波長區域具有半值寬度為80nm以上的非常寬的峰，因此在用作白色LED照明用熒光體的情況下，可以制備與使用具有半值寬度狹窄峰的熒光體的裝置相比，亮度、顯色性優異的白色LED照明。此外，在具有半值寬度狹窄峰的熒光體的情況下，為了提高顯色性，必須混合多種熒光體，但本熒光體具有寬的峰，因此可以減少混合焚光體種類的數量和使用量，能制備便宜的白色LED照明。以下，使用圖3對實施例2熒光體的激發光譜進行說明。圖3是縱軸上為熒光體發光強度，橫軸上為激發光波長的曲線圖。還同樣示出后述實施例6的測定結果，以實施例2為實線，實施例6為一點劃線表示發光光譜。其中，所謂的激發光譜，是指在使用各種波長的單色光作為激發光，激發被測定對象熒光燈時，測定該熒光體發出的一定波長的發光強度，測定該發光強度的激發波長依賴性。在本測定中，用波長為300nm-550nm的單色光照射實施例2的熒光體，測定該熒光體發光的波長556.6nm發光強度的激發波長依賴性。如圖3所示，發現實施例2的焚光體通過波長300nm附近500nm附近寬范圍的激發光，能顯示出高強度的黃綠色發光。該焚光體尤其是通過波長400nm480nm的激發光，能顯示出最高的發光效率，現在，通過組合用作單片型白色LED照明用激發光的發光波長460nm的藍色LED或405nm的近紫外.紫外LED，可以制造亮度高的發光裝置。表2<table>tableseeoriginaldocumentpage40</column></row><table>所得熒光體粉末的組成分析結果、平均粒徑(D50)、比表面積(BET)在表3中示出。另外，Si使用重量法測定，氧、氮使用LECO社制造的氧-氮同時分析裝置(TC-436)測定，其它元素通過ICP測定，平均粒徑(D50)通過激光衍射散射法測定，比表面積通過BET法測定。各元素組成分析的值與目標組成基本一致，存在士2.0wt。/。的分析誤差，無法完全一致。所得熒光體粉末的平均粒徑(D50)為12.2(im~21.2pm,比表面積(BET)為0.19m2/g~0.65m2/g,具有作為熒光體粉末優選的粒徑和比表面積。此外，由組成分析的結果看，實施例1~6與比較例1相比，氧含量較低。因此，為了獲得發光效率良好的熒光體，判斷氧優選為5.0wt。/。以下。此外，發現實施例16熒光體中粒度分布的變動系數為100%以下，是粒度分布非常優異的焚光體。表3<table>tableseeoriginaldocumentpage41</column></row><table>以下，對實施例1~3中獲得的熒光體，測定照射波長460nm單色光作為激發光時，發光強度的溫度特性。該測定結果在表4中示出。將各熒光體升溫至25。C、50°C、100°C、150°C、200°C、250°C、300°C，在達到測定溫度后，為了使各試樣整體的溫度均勾，保持該溫度5分鐘，然后測定發光強度。此外，以在溫度上升前的室溫(25。C)下發光強度的值為100%，測定各測定溫度下的發光強度作為相對強度。另外，在升溫時測定發光強度后，進行冷卻，再在25t:下進行發光強度的測定。由表4的結果，實施例1~3熒光體的發光強度在照射波長460nm的單色光作為激發光時，以測定溫度上升前的室溫(25。C)下的發光強度值為100時，在測定溫度IO(TC下為80以上，在200。C下為70以下。尤其是實施例2、3的發光強度在IO(TC下為卯以上，在200。C下為80以上。因此，本實施例1~3的焚光體在與發光元件組合時，由于周圍溫度引起的降低減少，因此可以獲得顏色偏差較少的發光裝置。此外，判斷實施例1~3的熒光體如果比較其溫度依賴性，則x大者溫度特性良好，通過在組成中少量加入Al或氧，從而溫度特性也得到提高。表4各測定溫度1:的相對發光強度(升溫過程)25。C50°C100°C150°C200'C25(TC300°C實施例1100.094.888.080.673.065.057.4實施例2100.095.991.987.080.974.367.2實施例3100.095.992.787.782.175.267.8(實施例6)在實施例6中，將實施例2組成的活化劑從Ce改為Eu,制造SrAlL25Si3.75O0.25N6.75:Eu^中，Eu/(Sr+Eu)=0.030)。作為原料，與實施例2相同，準備市售的SrC03(3N)、A1N(3N)、Si3N4(3N)、Eu203(3N)，稱量0.970mol的SrC03、1.25mol的AIN、4.25/3mol的Si3N4(多稱量0.50/3mol)、0.030/2mol的Eu203，使得焙燒后試樣的各元素的摩爾比為Sr:Al:Si:0:Eu=0.970:1.25:3.75:0.25:0.030,在大氣中用乳缽混合。混合后的試樣在與實施例2相同的條件下進行焙燒，獲得熒光體。然后，向實施例6的熒光體照射波長460nm的單色光作為激發光，測定此時(25。C)的發光強度、色度(x，y)和亮度。以實施例2中制成的熒光體為100,發光強度和亮度的測定結果在表1中示出。此外，在圖2中以一點劃線示出在照射波長460nm的單色光時，從熒光體發出光的發光光譜。如圖2所示，該熒光體的發光光譜在波長550nm~760nm附近的寬波長區域中具有寬峰，其峰波長為597.1nm。求出該熒光體的半值寬度，為112nm,求出該發光光譜的色度(x,y),色度x-0.526，色度y-0.463、另外，試樣形成橙色的熒光色，在目視下，也確認為橙色的發光色。如上述比較中示出的，在將活化劑由Ce改變為Eu的情況下，發光光譜向長波長側改變，獲得發光效率高的結果，確認沒有活化劑元素的影響，獲得高的發光效率。因此，判斷在將本實施例6的熒光體用于照明等發光裝置中的情況下，也能獲得高效率、高亮度的發光裝置。(實施例7~31)實施例7~31表示在實施例2中制備的SrAlL25Si3.750o.25N6.75:Ce(其中，Ce/(Sr+Ce)-0.030)的熒光體制造時，添加各種化合物作為助熔劑，焙燒而獲得的各熒光體，對這些各熒光體的發光強度進行研究。各熒光體試樣的制備方法是稱量0.970mol的SrC03、1.25mol的A1N、4.25/3mol的Si3N4(-稱量0.50/3mol)、0.030mol的Ce02，使得焙燒后試樣各元素的摩爾比為Sr:Al:Si:O:Ce-0.970:1.25:3.75:0.25:0.030,此外，作為助炫劑，添加相對于上述稱量后的全部重量為0.5wty。的助熔劑并進行混合。在焙燒中也與實施例2同樣，在氮氣中，在175(TC下焙燒6小時，獲得實施例7-31的熒光體。然后，測定實施例7~31熒光體的發光光譜，測定發光強度的相對強度，色度和亮度。所得熒光體粉末的發光特性在表5中示出。發光強度的相對強度是以實施例2焚光體的相對強度為100時的相對強度。對于實施例7~31的熒光體，如果照射波長460nm的單色光作為激發光，則該熒光體的發光光譜與實施例2的熒光體相同，在波長470nm~720nm的寬波長區域中具有寬峰，峰波長在555nm560nm附近。另外，熒光體粉末全部為黃色的熒光色，在目視下，也能確認為黃綠色的發光色。此外，焚光體的比表面積為0.05m2/g~5.Om2/g,平均粒徑(D50)是作為焚光體粉末優選的1.0|im~50.0)im。此外，發現實施例7~31的熒光體中粒度分布的變動系數CV值顯示為100%以下，是粒度分布非常優異的熒光體。然后，用波長為250nm550nm的單色光照射實施例7-31的熒光體，測定該熒光體發光的發光峰波長的發光強度激發依賴性，該熒光體的激發光譜也與實施例2的熒光體相同，通過波長300nm附近-500nm的寬范圍激發光，顯示出高強度的黃綠色的發光。由表5中示出的試驗結果，判斷由于Sr、Ba的氟化物、氯化物、氮化物、Al、Ga、Mn的氧化物、氮化物能提高發光特性，因此是特別優選的。通過添加這些化合物，從而能提高發光特性的理由認為是由于上述添加物的熔點為IOO(TC~2000°C,因此在焙燒時的升溫中，添加物熔融，能提高原料之間的反應性。此外，還認為是由于在構成原料的Sr或Al中，使用由容易取代的Ba、Ga、Mn構成的化合物，從而能抑制由于雜質元素導致的發光元素降低。另一方面，對于氧、氮、氯、氟、認為只要是少量的，則對熒光體的發光特性就沒有影響。作為添加的化合物，如上所述，氮化物也具有效果，在氮化物的情況下，會與空氣中的氧或水分反應，從而形成氧化物，因此在稱量、混合時必須注意，在制造上，優選氧化物、氯化物、氟化物等在大氣中容易處理的物質。然而，對于添加的化合物，如果超過合適的量，則會引起過量焙燒，存在形成作為降^J^光特性的雜質的可能性。因此，尤其如果是含氯或氟的化合物，則通過在生成后的熒光體中，含有0.0001重量％~1.0重量％的范圍內的氯或氟，從而能獲得不會降低發光特性，發光效率良好的熒光體。表5<table>tableseeoriginaldocumentpage44</column></row><table>(實施例32~41)在實施例32-41中,組成式SrAlL25Si3.750o,25N6.75的活化劑中，同時使用Eu和Ce，將Ce和Eu的濃度固定為0.03mol，改變Eu與Ce的比，制造SrAlL25Si3.750。,25N6.75:Ce、Eu表示的熒光體。作為原料，與實施例2相同，準備市售的SrC03(3N)、A1N(3N)、Si3N4(3N)、Ce02(3N)、Eu203(3N)，按照焙燒后試樣各元素的摩爾比為Sr:Al:Si:O:Eu+Ce=0.970:1.25:3.75:0.25:0.030地稱量0.970mol的SrC03、1.25mol的A1N、4.25/3mol的Si3Ht(多稱量0.50/3mol)原料、調整稱量Eu203或Ce02,使得Eu+Ce為0.03mol,在大氣中用乳缽混合。其中，在實施例32-41中，為了更正確地判斷活化劑的效果，可以不添加助熔劑，在與實施例2同樣的條件下焙燒，從而獲得各熒光體。然后，與實施例2同樣測定實施例32-41的發光光譜。在表6中示出測定發光光譜的發光強度、亮度、色度(x,y)的結果。如表6中所示，改變Ce與Eu兩種活化劑的比，確認發光光語的變化，峰波長從550nm變化至600nm,同樣，色度x、y也發生變化。圖4表示在色度圖上繪制各實施例32-41的焚光體中的色度x、色度y數值的圖。在該圖4中，縱軸為色度y、橫軸為速度x。該色度圖上包圍的部分表示根據JISZ9112表示的相關色溫度7100K-2600K范圍的熒光燈光源色的5種色度范圍，白光色部分為D,中白色的部分為N，白色的部分為W，溫白色的部分為WW,電燈泡色的部分為L。在制備組合發出波長430~480nm光的發光元件和本實施例32~41熒光體的發光裝置的情況下，通過改變本實施例32~41熒光體的活化劑Ce與Eu的比率，從發光元件發出的發光色和該熒光體的發光色之間連接的點劃線包圍部分的顏色是作為發光裝置可以顯色的顏色范圍，上述JISZ9112示出的熒光燈光源色的色度范圍的全部顏色范圍均是可以顯色的。因此，通過使用本實施例32-41的焚光體，可以制備各種光源色。(實施例42、43)實施例42，43是分別組合在波長460nm下發光的發光元件(LED)和實施例35、39焚光體而構成的發光裝置。在這些實施例42、43中，在使用在波長460nm下發光的發光元件(LED)，激發實施例35或39的SrAl^sSiusOo^Ns.^Ce,Eu的熒光體的情況下，評價該發光裝置的發光特性、顯色性。尤其是發光元件的發光波長只要在本熒光體效率良好的激發帶域(300nm-500nm)即可，并不限于波長460nm。實施例42是使用實施例35熒光體的相關色溫度5000K的發光裝置，實施例43是使用實施例39的熒光體的相關色溫度2700K的發光裝置。首先，以使用氮化物半導體的藍色光的LED元件(發光波長460nm)作為發光部進行準備。將實施例35、39制備的熒光體與樹脂、分散劑混合，形成混合物。另外，該樹脂優選可見光的透過率、折射率較高者，只要滿足上述條件，則并不限于聚硅氧烷類，還可以是環氧類樹脂。還可以向該分散劑中少量混合Si02、八1203等微粒使用。此外，充分攪拌該混合物，通過公知的方法在該LED元件上涂布，制備白色LED照明(發光裝置)。由于根據上述混合物的熒光體與樹脂比率，涂布厚度，發光顏色和發光效率會發生改變，因此根據目的色溫度調整上述條件即可。將在制備的白色LED照明中通電20mA時的發光光譜在圖5中示出。圖5是縱軸為相對發光強度，橫軸為發光波長(nm)的曲線圖。此外，實施例42中的白色LED照明的發光光譜用實線表示，實施例43中的白色LED照明的發光光譜用虛線表示。400nm~700nm的范圍具有連續寬峰的發光光譜的白色光的白色LED照明。測定該發光裝置的相關色溫度、色度和顯色性，如表7所示，實施例42中的發光裝置的相關色溫度為4962K，色度為色度x-0.3461，色度y-0.3520,平均顯色評價數(Ra)為73。實施例43中的發光裝置的相關色溫度為2774K，色度為色度x-0.4531，色度y-0.4077,平均顯色評價數(Ra)為65。表6<table>tableseeoriginaldocumentpage47</column></row><table>(實施例44)實施例44是向實施例33的熒光體中加入紅色熒光體，制成熒光體混合物，與在波長460nm下發光的發光元件組合，從而制成顯色性提高的發光裝置。使用在波長460nm下發光的發光元件(LED)激發的情況下，制造相關色溫度5000K發光的發光裝置，評價該發光裝置的發光特性、顯色性。另夕卜，在本實施例44中，作為該紅色熒光體，使用CaAlSiN3:Eu。作為紅色熒光體，還可以使用Sr4AlSi02N17:Eu、(Ca,Sr)Si5N8:Eu等具有氮的紅色熒光體，或SrS:Eu、CaS.'Eu等硫化物類紅色熒光體，從溫度特性或穩定性的方面出發，最優選CaAlSiN3:Eu。l)焚光體試樣的準備制造實施例33的熒光體SrAlL25Si3.750(U5N6.75:Ce、Eu。另一方面，通過以下方法制造紅色熒光體CaSiAlN3:Eu。準備市售的Ca3N2(2N)、A1N(3N)、Si3N4(3N)、Eu203(3N)，稱量各原料，使制造后各元素的摩爾比為Ca:Al:Si:Eu-0.970:1.00:1.00:0.030，在氮氣氛圍下，使用乳缽混合。將混合的原料在粉末的狀態下，在氮氣氛圍中，以15。C/min的升溫速度升溫至1500。C，在150(TC下保持、焙燒12小時后，在1小時內從1500。C冷卻至200°C,荻得組成式CaSiAlN3:Eu的焚光體。粉碎所得試樣，分級，準備作為紅色熒光體試樣。2)熒光體混合物的制備對于上述SrAl125Si3.75Oa25N6.75:Ce、Eu和CaSiAlN3:Eu兩種熒光體試樣，分別測定用波長460nm的激發光激發時的發光光譜，由該發光光譜，通過才莫擬求出兩熒光體混合物的相關色溫度為5000K的相對混合比。該模擬的結果為SrAlL25Si3.750o,25N6.75:Ce:CaSiAlN3:Eu-95.0:5.0(重量比)。基于該結果，稱量各熒光體，混合，獲得熒光體混合物。然而，由于發光部的發光波長(熒光體混合物的激發波長)或相對于該激發光的熒光體的發光效率，優選的混合比有時與該模擬結果存在偏差。在該情況下，只要適當調整焚光體的混合比，從而調整實際的發光光譜形狀即可。3)發光元件中的評價與實施例42相同，準備具有氮化物半導體的藍色光的LED(發光波長460nm)作為發光部，在該LED上，設置上述熒光體混合物與樹脂的混合物。該熒光體混合物與樹脂的混合比為了基于上述模擬結果，獲得相當于相關色溫度5000K的晝白色，可以適當調整熒光體的混合比。此外，可以通過公知的方法組成該LED的發光部，制備白色LED照明(發光裝置)。該兩種熒光體混合物可以獲得通過發光部發出的藍色光激發而發光，發出在波長400nm700nm的范圍具有連續寬峰發光光譜的白色光的白色LED照明。其中，在制備的白色LED照明發光元件中通電20mA時的發光光譜同樣在圖5中示出。在該圖5中，以一點劃線表示設定相當于相關色溫度5000K的白色LED照明的晝白色發光光譜。其中，在表7中記載實施例44的白色LED照明的亮度、色度、顯色評價數、相關色溫度等測定數據的一覽表。測定該發光的相關色溫度、色度和顯色性，相關色溫度為4973K。色度x=0.3457，色度y-0.3502,平均顯色評價數(Ra)為88，特殊顯色評價數R9為66,R13為卯，R15為88。此外，在這些白色LED照明中，通過適當改變混合熒光體的混合量和樹脂混合量，從而能獲得不同相干顏色溫度的發光色。表7色度相關色溫度平均顯色評價數特殊顯色評價數XyTcp(K)RaR9R10RllR12R13R14R15實施例420.3460.352496273-23615538759566實施例430.4530.408277465-43513634639655實施例440.3460.35049738866777749909488(實施例45~48)在實施例4548中，制備在組成式(M(,)M②一)Zz)AaBbO。Nn中，M")元素為鉀，M②元素為Sr、A元素為A1，B元素為Si，Z元素為Ce,M^元素的比例mW的值在0<m(1)^0.05的范圍內改變，以組成式(Kmo)Sro.97—m^CeooOAluSiwOfuN^表示的熒光體。熒光體的制備方法按照原料的混合比為K2C03為m(D/2mo1,SrC03為(0.970—m(")mol，A1N為1.25mol,Si3N4為4.5/3mol,Ce02為0.030mol地進行稱量。另外，考慮焙燒時原料的分解等引起的變化，決定各原料的mol比，使焙燒后的試樣為目標組成。在大氣中，使用乳缽充分混合稱量的原料。在BN坩鍋中放入混合的原料，將爐內抽吸成真空后，在氮氣氛圍中(流動狀態，4.0L/min),爐內壓為0.05MPa,以15°C/min的升溫速度升溫至1600°C,在1600。C下保持焙燒3小時后，從1600。C冷卻至5(TC。然后，在大氣中石皮碎焙燒后的試樣之后，再在氮氣氛圍中，在1750。C下保持焙燒9小時。焙燒試樣冷卻后，再在大氣中，使用乳缽破碎成適當的粒徑，制備相當于m(D-0.013(實施例45),m(D-0.025(實施例46)，m(1)=0.038(實施例47)，m(1)=0.050(實施例48)的焚光體。(比較例2)下面，列舉不含有本發明特征的M^表示的元素的、(M(2)m(2)Zz)AaBbO。Nn作為比較例。其中，如下制備組成式(Sr0.97Ce。.。3)Al.3Si3.70。.3N6.7表示的焚光體。作為起始原料，稱量0.970mol的SrC03(3N)，1.25mol的A1N(3N)，4.5/3mol的Si3N4(3N),0.030mol的Ce02(3N)。在大氣中，使用乳缽充分混合稱量的原料。混合后的工序與實施例45~48同樣進行，獲得比較例2的熒光體。因此，該比較例2相當于上述實施例中，m(1)=0。(比較例3)在比較例3中，從實施例45~48依次增加M^元素的比率m(1),制備0.05<mW的熒光體。進行稱量，使得原料混合比為(0.10/2)mo1的K2C03、0.870mol的SrC03、1.25mol的A1N、4.5/3mol的Si3N4、0.030mol的Ce02，其后的工序與實施例45-48同樣地實施，獲得比較例3的焚光體。因此，該比較例3相當于上述實施例中，m(1)=0.10。實施例4548和比較例2、3焚光體的組成分析結果、平均粒徑、比表面積在表8中示出。還示出由該組成分析結果計算出的熒光體組成式。另外，在該組成分析中，Si使用重量法測定，K使用原子吸光法測定，氧、氮使用LECO社制造的氧_氮同時分析裝置(TC-436)測定，其它元素通過ICP測定。平均粒徑(D50)通過激光衍射散射法測定，比表面積通過BET法測定。各測定結果存在士5%左右的分析誤差，但所有的試樣均確認各元素的構成比基本為(Kn^)Sro.97id)Ceo.o3)AluSi3.70。.3N6.7，生成目標組成。此外，K元素比率的m(D值為m("^0.00(比較例2)，m(1)=O.Ol(實施例45)，m(1)=0.02(實施例46)，md^0.04(實施例47)，m(1)=0.05(實施例48),m(1)=0.09(比較例3)，確認mW的值也與目標組成比一致。所得熒光體粉末的平均粒徑(D50)為23.9pm~36.3jLim，比表面積(BET)為0.19m2/g~0.28m2/g,確認具有作為熒光體粉末優選的l.Ojam-50.0[im的粒徑和0.05m2/g~5.00m2/g的比表面積。此外，發現實施例45-48熒光體中粒度分布的變動系數CV的值為100%以下，是粒度分布非常優異的熒光體。由表8確認，通過提高K元素比率的m^，能增加熒光體的粒徑D50,確認可以促進焙燒中的顆粒成長。其原因不明確，但認為是否是通過元素取代，使結晶結構更穩定，形成容易結晶成長的狀態。認為通過平穩進行結晶成長，能提高所得顆粒的結晶性，但會影響下述示出的發光特性。表8<table>tableseeoriginaldocumentpage51</column></row><table>表9表示在對比較例2、實施例45~48和比較例3的焚光體照射波長460nm的單色光作為激發光時(25。C)，測定發光強度、色度(x，y)和亮度的結果。另外，在發光光譜、亮度、色度的測定中，使用日本分光(抹)社制造的分光熒光光度FP-6500測定。發光強度和亮度以比較例2為100時的相對值表示。在(Km(1)^0.05中，發光強度和亮度超過100，m(1)=0,即，確認與沒有添加鉀元素的比較例2的熒光體相比，發光效率提高。該發光強度-亮度的提高認為是由于通過將Sr位點的一部分取代為K，如上所述能提高熒光體結晶結構的穩定性，提高發光效率。此外，通過改變取代率111(1)的值，在比較例2、實施例45~48、比較例3的熒光體中發光峰的波長和色度沒有發現很大變化。由此，還確認通過將構成熒光體的部分鍶用鉀取代，從而發光色不會改變，可以僅提高發光強度-亮度。顯示出最高發光強度的實施例47的發光強度為107、亮度為106、發光光語的色度(x，y)是x-0.422，y=0.545。表9<table>tableseeoriginaldocumentpage52</column></row><table>圖8是縱軸為焚光體的發光強度，橫軸為m"的值的曲線圖。在111(1)小的區域中，01(1)增加且發光強度提高，在m(1)=0.038中，發光強度最大。如果111(1)的值超過0.038,則發光效率降低，在mW的值增加至0.10的比較例3中，其發光強度是發光強度最高的實施例47的發光強度的80%以下。這認為是由于如果鉀的取代量過量，則熒光體的結晶結構改變，且結晶內的電荷平衡被破壞，導致發光特性降低，如果取代率mW為0<m(1)^0.05，則能抑制發光特性降低。此外，對比較例2、實施例4548、比較例3的焚光體，照射波長楊nm的單色光作為激發光時(25。C)，測定發光強度、色度(x，y)和亮度。該測定結果在表10中示出。在比較例2制備的熒光體的發光強度為100的情況下，實施例46制成的熒光體的發光強度為104,亮度為104。求出實施例46中所得熒光體發光光譜的色度(x，y)，色度x-0.386,色度y-0.545。由該結果判斷，實施例45~48的熒光體在制造不僅以藍色光、而且以紫外或近紫外光作為激發源的發光源的發光裝置的情況下，可以獲得效率良好的發光裝置。表10<table>tableseeoriginaldocumentpage53</column></row><table>(實施例49~52)以下，對在組成式(M(D—)M(2)m②Zz)AaBbO。Nn中，混合Sr和Ba作為M(2)時的實施例進行說明。對在初始原料中添加Ba化合物的實施例49~52進行說明。實施例49~52的熒光體各自除了在實施例45~48中，向初始原料中加入相當于0.2wt%的BaO，混合以外同樣進行制備，制備由(Km(1)Sr0.96—n^Bao.oo5Ceo.o3)AlL3Si3.70(uN6.7表示的熒光體。其中，由于加入的Ba元素的比率很少，因此添加BaO基本不會使各元素的組成比發生改變。另外，取代率m(D分別為m(1)=0.013(實施例49)、m(1)=0.025(實施例50)、md"0.038(實施例51)、m("-0.050(實施例52)。對制備后的試樣通過X射線分析，評價生成相，未確認到殘留BaO和雜質相的產生。(比較例4)作為比較例4，對在實施例49~52中不添加K元素的情況進行說明。在上述實施例49~52中，除了mW-O，不在原料中加入K2C03以外，與實施例49~52同樣進行，獲得(Sro.96Bao扁Ceo.o3)AlL3Si3.70o.3N6.7的比較例4的熒光體。組成分析結果在表ll中示出實施例4952和比較例4的組成分析結果、平均粒徑、比表面積。此外，還示出由分析結果計算出的熒光體的組成式。由組成分析結果，還能確認所有的熒光體均為(1^(1&().96-mwBaQ.oosCeo.QOAluSiuOojN^的組成式。此外，與實施例4548相同，在實施例49-52中，均存在伴隨著取代率mW的上升，焚光體粒徑增加的傾向，在用Ba略微取代Sr的情況下，也確認通過添加K，焚光體的結晶性得到提高。表11<table>tableseeoriginaldocumentpage55</column></row><table>在表12中示出對實施例49~53的焚光體照射波長460nm的單色光作為激發光時(25。C)的發光強度、色度(x,y)和亮度的測定結果。發光強度和亮度以比較例4為100時的相對值表示。由表12的結果，與實施例45~48同樣，確認實施例49~52的熒光體(Kmo)Sr,-mwBao.oosCeo^AluSiuOtuN^與不含K的比較例4相比，也同樣顯示出高的發光特性。此外，這些焚光體通過波長405nm的紫外光激發，也顯示出高的發光特性-亮度。顯示出最高發光特性的實施例51中用波長460nm激發的發光強度為110,亮度為106，發光光譜的色度(x，y)為x-0.423，y=0.545。實施例51的熒光體與在構成元素中不含Ba的實施例48相比，顯示出更高的發光強度.亮度。由此，確認以組成式(Kmd)Sro.96—md)Bao扁Ceo.o3)AlL3Si3.70。.3N6.7表示的熒光體顯示出高的發光特性。表12<table>tableseeoriginaldocumentpage56</column></row><table>在圖9中，以實線表示對實施例51的熒光體照射波長460nm的單色光時的發光光譜，在圖10中以實線表示激發光譜。另一方面，為了比較'在圖9中以虛線示出對比較例4的熒光體照射波長460nm的單色光時的發光波長，在圖10中以虛線表示激發光譜。由圖9確認，實施例51與比較例4相比，具有高的發光強度。發光光譜在550nm的黃色波長區域具有峰，此外，光譜的形狀是寬的，因此，適合制造具有高亮度'光顯色性的發光裝置。此外，由圖10確認，實施例51具有與比較例4基本相同的激發光譜，但在全部激發波長的波長范圍，具有比比較例4優異的激發特性。(實施例53-60)以下，對本發明中M^元素為Li、Na情況下的實施例進行說明。在實施例5356中，N^)元素為Li,在實施例5760中，M(')元素為Na。試樣的制備方法除了在實施例53~56中，用1^2(303代替原料K2C03，在實施例5760中，用Na2C03代替以外，與實施例50~54同樣制備。其中，取代率m("分別為m("-0.013(實施例53、57)、m(1)=0.025(實施例54、58)、m(1)=0.038(實施例55、59)、m(1)=0.050(實施例56、60)。分別在表13、表14中示出對實施例53-56、57~60的熒光體照射波長460nm的單色光作為激發光時(25。C)的發光強度、色度(x,y)和亮度的測定結果。在所有的實施例中，與不含MW元素的比較例4相比，獲得更高的發光強度和亮度。由此，確認作為M^元素，不僅可以使用K、也可使用Li、Na中的任一種，均可以制備發光特性高的熒光體。此外，這些熒光體與實施例45-48相同，不僅可以用波長460nm的藍色光，也可用波長405nm的紫外光激發，都顯示出優異的發光特性。表13;敫發波長460nm取代率m(1)M("峰波長相對發色度點相對(混合時)元素(nm)光強度Xy亮度實施例530.012Li559.71010.4210,546101實施例540.025Li559.61050.4210.546105實施例550駕U559.61060.4220.546106實施例560.050U559,61040.4230.544101比專交例40細一559.61000.4220.545100表14<table>tableseeoriginaldocumentpage58</column></row><table>由實施例45~60的結果，示出在組成式(Md)md)Sro.97—mwCeo.o3)AlL3Si3.70o.3N6.7和(M("md)Bao扁Sro.9"(DCe。.o3)AlL3Si3.70o.3N6.7中，作為M^元素，通過使用Li、Na、K,可以制造發光強度.亮度優異的熒光體。此外，本發明涉及的熒光體通過改變Al、Si、Ce元素的比率，發光波長會發生改變，因此通過改變這些元素的組成比，從而可以制備具有各種發光色，亮度優異的焚光體。以下，在實施例6165中，對使用上述焚光體的發光裝置進行說明。(實施例61)在實施例61中，評價使用在波長460nm下發光的發光元件(LED),激發本發明實施例51的熒光體試樣(Ko.o4Sro.92Ba譜5Ceo.o3)AlL3Si3.70(uN6.7的情況下，該發光裝置的發光特性、顯色性。尤其是發光元件的發光波長只要為本熒光體效率良好的激發帶域(300nm~500nm)即可，并不限于波長460nm。首先，準備使用氮化物半導體的藍色光的LED元件(發光波長460nm)作為發光部。此外，將實施例51制備的熒光體、聚硅氧烷樹脂、作為分散劑的少量Si02混合，形成混合物。另外，該樹脂優選可見光的透過率、折射率較高者，只要滿足上述條件，也不限于聚硅氧烷類，還可以是環氧類的樹脂。除了Si02以外，還可以向該分散劑中少量混合八1203的微粒等而使用。此外，充分攪拌該混合物，與使用圖6、7,在使用第1實施方式的熒光體的發光裝置中說明的方法相同，制備白色LED照明(發光裝置)。由于根據上述混合物的熒光體與樹脂比率，涂布厚度，發光色和發光效率發生改變，因此只要符合目的色溫度調整上述條件即可。在圖11中示出在制備的發光裝置中通電20mA時的發光光譜。圖ll是在縱軸中為相對發光強度，在橫軸中為發光波長(nm)的曲線圖。此外，以實線表示實施例61發光裝置的發光光譜。該熒光體可以獲得通過發光部發出的藍色光激發.發光，在波長400nm~750nm的范圍連續地具有寬峰的發光光譜的發白色光的發光裝置。測定該發光的色溫度、色度和顯色性，色溫度為6561K,色度(x,y)為x=0.311，y=0.337。此外，該發光裝置的平均顯色評價數(Ra)為74。此外，通過適當改變熒光體與樹脂的混合量，還能獲得不同色溫度的發光色。其中，在表15中記載實施例61的發光裝置的色度、顯色評價數、色溫度等測定數據的一覽表。(實施例62、63)在實施例62、63中，在對實施例51的熒光體中再加入紅色熒光體，制造如下熒光體混合物，其通過在波長460nm下發光的發光元件(LED)使之激發時，發光的相關色溫度為5200K(實施例62)或3000K(實施例63),評價該熒光體混合物的發光特性、顯色性。另外，在本實施例中，作為該紅色熒光體，使用CaAlSiN3:Eu，還可以使用S^AlSiuC^NwEu,(Ca，Sr)Si5N8:Eu等具有氮的紅色熒光體或SrS:Eu、CaS:Eu等硫化物類紅色熒光體。1)焚光體試樣的準備作為綠色熒光體，準備實施例7的熒光體。另一方面，通過以下方法制造紅色熒光體CaAlSiN3:Eu。準備市售的Ca3N2(2N)、A1N(3N)、Si3N4(3N)、Eu203(3N),稱量各原料，使各元素的摩爾比為Ca:Al:Si:Eu=0.970:1.00:1.00:0.030,在氮氣氛圍中，使用乳缽混合。將混合的原料在粉末的狀態下，在氮氣氛圍中，以15°C/min的升溫速度升溫至1500°C，在1500。C下保持、焙燒12小時后，經l小時從150(TC冷卻至20(TC，獲得組成式CaAlSiN3:Eu的熒光體。將所得試樣粉碎、分級，從而以紅色熒光體試樣的形式準備。2)熒光體混合物的制備對于上述(K,Sro.92Bao扁Ce。.o3)AlL3Si3.70(uN6.7和CaAlSiN3:Eu兩種熒光體試樣，分別測定用波長460nm的激發光激發時的發光光譜，由該發光光譜，通過模擬求出兩熒光體混合物的相關色溫度為5200K(實施例62)或3000K(實施例63)的相對混合比。該模擬的結果為在相關色溫度為5200K的情況下(實施例62)，為(Ko.o4Sr。.92Ba。扁Ce,)AlL3Si370。.3N6.7:CaAlSiN3:Eu=98.0:2.0(重量比)。在相關色溫度為3000K的情況下(實施例63)，為(K0.。4Sro.92Ba,5Ce,)Al13Si3.7Oo.3N6.7:CaAlSiN3:Eu=91.0:9.0(重量比)。基于該結果，稱量各焚光體，混合，獲得焚光體混合物。然而，根據發光部的發光波長(焚光體混合物的激發波長)或焚光體相對于該激發光的發光效率，優選的混合比有時與該模擬結果存在偏差。在該情況下，只要適當調整熒光體的混合比，從而調整實際的發光光譜形狀即可。3)發光元件中的評價與實施例61相同，準備具有氮化物半導體的藍色光LED(發光波長460nm)作為發光部，在該LED上，設置上述焚光體混合物與樹脂的混合物。該熒光體混合物與樹脂的混合比而言，可以基于上述模擬結果，為荻得相當于相關色溫度5200K的晝白色或相當于3000K的電燈泡色，適當調整熒光體的混合比。此外，可以通過公知的方法與該LED的發光部組合，制備發光裝置。該兩種熒光體混合物可以獲得通過發光部發出的藍色光激發'發光，發出在波長420nm~750nm的范圍具有寬峰的發光光譜的白色光的發光裝置。其中，將在制備的發光裝置的發光元件中通電20mA時的發光光譜在圖11中示出。在圖ll中，以一點劃線表示設定相當于相關色溫度5200K的發光裝置(實施例62)的日光色(晝白色)的發光光譜，以二點劃線表示設定相當于相關色溫度3000K的發光裝置(實施例63)的燈泡色發光光譜。其中，在表15中記載實施例62或實施例63發光裝置的色度、顯色評價數、色溫度等測定數據的一覽表。測定該發光的色溫度、色度和顯色性，對于實施例的設定相當于色溫度5200K的發光裝置，色溫度為5175K、色度(x，y)為x-0.340,y=0.345，平均顯色評價數(Ra)為86,特殊顯色評價數R9為61，R15為88。對于實施例63的設定相當于色溫度3000K的發光裝置，色溫度為3007K、色度(x，y)為x=0.436,y=0.403,平均顯色評價數(Ra)為88，特殊顯色評價數R9為70，R15為88。此外，在這些發光裝置中，通過適當改變混合熒光體的混合量和樹脂混合量，還能獲得不同色溫度的發光色。表15<table>tableseeoriginaldocumentpage61</column></row><table>(實施例64、65)在實施例64或實施例65中，向實施例51的熒光體中再加入藍色熒光體和紅色熒光體，制造熒光體混合物，該混合物在用波長405nm的光的發光元件(LED)激發時，發出相關色溫度5200K(實施例64)或3000K(實施例65)的光，評價該熒光體混合物的發光特性、顯色性。其中，作為藍色熒光體，并不限于使用Sr5(P04)3Cl:Eu,還可以組合BAM:Eu(BaMgAl!。On:Eu)和(Sr，Ca,Ba，Mg)10(PO4)6Cl2:Eu、SrAlxSi6—》！+XN8—x:Eu(0^x^2)、(Ba，Sr，Ca，Mg)2Si04:Eu、(Ba，Sr,Ca)Si202N2:Eu表示的熒光體。1)熒光體的準備按照實施例51的方法制造，準備綠色熒光體。通過實施例62、63中說明的方法制造紅色熒光體CaAlSiN3:Eu。藍色熒光體Sr5(P04)3Cl:Eu準備市售品。2)熒光體混合物的制備在用波長405^的激發光激發上述(K,Sro.92Bao.oo5Ce。.03)Ah.3Si3.70。.3N6.7、CaAlSiN3:Eu和Sr5(P04)3Cl:Eu三種熒光體的情況下，測定發光光譜，由該發光光譜，通過模擬求出熒光體混合物的相關色溫度為5200K(實施例64)或3000K(實施例65)的相對混合比。該模擬的結果為在相關色溫度為5200K的情況下(實施例64)，Sr5(P04)3Cl:Eu:(K,Sr淺Ba謹5Ceo.03)Al13Si370。.3N6.7:CaAlSiN3:Eu=36:60:4,在相關色溫度為3000K的情況下(實施例65),Sr5(P04)3Cl:Eu:(K瞎Sro.92Bao扁Ceo.。3)Al,.3Si3.70o.3N6.7:CaAlSiN3:Eu-20:68:12,因此基于該結果，稱量各熒光體，混合，獲得焚光體混合物。然而，由于發光部的發光波長(熒光體混合物的激發波長)，由該發光波長產生的熒光體的發光效率，優選的混合比有時與該模擬結果存在偏差。在該情況下，只要適當調整熒光體的混合比，從而調整實際的發光光譜形狀即可。在波長420nm~750nm的范圍具有寬峰的發光光譜的白色光的發光裝置。其中，將在制備的發光裝置的發光元件中通電20mA時的發光光語在圖12中示出。在圖12中，以實線表示設定相當于色溫度5200K的發光裝置(實施例64)的晝白色發光光譜，以一點劃線表示設定相當于相關色溫度3000K的發光裝置(實施例65)的電燈泡色發光光語。其中，在表15中記載實施例64或實施例65的發光裝置的色度、顯色評價數、色溫度等測定數據的一覽表。測定該發光的色溫度、色度和顯色性，對于實施例64的設定相當于色溫度5200K的發光裝置，色溫度為5197K、色度(x,y)為x=0.339,y=0.327，平均顯色評價數(Ra)為94，特殊顯色評價數R9為96，R15為97。對于實施例65的設定相當于色溫度3000K的發光裝置，色溫度為3010K、色度(x,y)為x=0.436，y=0.403,平均顯色評價數(Ra)為93，特殊顯色評價數R9為81，R15為93。此外，在這些發光裝置照明中，通過適當改變混合熒光體的混合量和樹脂混合量，還能獲得不同色溫度的發光色。圖1是表示實施例1~5、比較例1中熒光體的發光強度和與x的關系的圖表。圖2是表示實施例2、6、比較例1中熒光體發光光譜的曲線圖。圖3是表示實施例2、6中熒光體激發光譜的曲線圖。圖4是表示實施例32-41中熒光體色度座標的曲線圖。圖5是表示實施例42~44中白色LEd照明(發光裝置)發光光譜的曲線圖。圖6是炮彈型LED發光裝置的示意截面圖。圖7是反射型LED發光裝置的示意截面圖。圖8是表示在本第2實施方式的熒光體中，M^元素與M②元素的取代率和與相對發光強度關系的曲線圖。圖9是實施例51和比較例4熒光體的發光光譜。圖IO是實施例51和比較例4熒光體的激發光譜。圖11是第2實施方式發光裝置的發光光i普例。圖12是第2實施方式發光裝置的發光光譜例。符號說明1混合物2發光元件3引線框架4樹脂5谷為8反射面9透明模制材料權利要求1.一種熒光體，該熒光體用通式MmAaBbOoNn:Z表示，式中M元素是具有II價的1種以上的元素，A元素是具有III價的1種以上的元素，B元素是具有IV價的1種以上的元素，O是氧，N是氮，Z元素是1種以上的活化劑，其中，a＝(1+x)×m、b＝(4-x)×m、o＝x×m、n＝(7-x)×m、0≤x≤1，在用波長為300nm～500nm范圍的光激發時，發光光譜中的峰波長在500nm～620nm的范圍。2.權利要求1所述的熒光體，其中，M元素是選自Mg、Ca、Sr、Ba、Zn中的l種以上的元素，A元素是選自A1、Ga、In、Sc、La、Y中的l種以上的元素，JB^J^i^/A^X^^j41)Eu、Ce、Pr、Tb、Yb、Mn中的l種以上的元素。3.權利要求1或2中所述的焚光體，其中，M元素是Sr或Ba，A元素是A1或Ga,B元素是Si，Z元素是Ce和/或Eu。4.權利要求1~3中任一項所述的焚光體,其中，通a示為MmAaBbOoNn:Zz時，M元素與Z元素的摩爾比z/(m+z)的值為0.0001~0.5。5.權利要求14中任一項所述的焚光體，其中，還含有氯或/和氟。6.權利要求5所述的熒光體，其中，上述氯或/和氟的含量為0.0001重量％~1.0重量％。7.權利要求1~6中任一項所述的熒光體，其中，在25'C下，以波"^300nm-500nm范圍的規定的單色光作為^blitii行照射時，發光光譜中的最大^目對強度值為P25，在10(TC下，上述^L定單色光作為邀發光照射時，上述最大^目對強度值為P咖時，(P25—P100)/P25xlOOS20。8.權利要求1~7中^—項所述的熒光體，其中，包^^立徑為50.0)jm以下的1次顆粒和該1次顆粒凝集而成的凝集體，含有該1次顆粒和凝集體的熒光體粉末的平均粒徑(D50)為1.0fjm-50.0(jm。9.一種熒光體，該熒光體由通式(M^^)M^(2)^)A3bOoNn表示，式中，Nf)元素是具有I價的1種以上的元素，M^元素是具有n價的1種以上的元素，A元素是具有m價的1種以上的元素，B元素是具有IV價的1種以上的元素，O是氧，N是氮，Z元素是選自稀土類元素或ii^度金屬元素中的1種以上的元素，0.5S2.0、3.0^b^7.0、m(1)>0、m(2)>0、z^0、4.0^(a+b)^7.0、m(1)+m(2)+z=1、0<o^4.0、n=1/3m(1)+2/3m(2)+z+a+4/3b-2/3o，在用波長300nm~500nm范圍的光激發時，發光光譜中的峰波錄500nrn~600nrn的范圍。10.權利要求9所述的熒光體，其中，(Xm("S0.0511.權利要求9或10中所述的熒光體，其中，0.0001芻zS0.5。12.權利要求9U中任一項所述的萸光體，其中，0.8^a^2.0、3.0^b〇6.0、0<o^l.0。13.權利要求9-12中^-"項所述的熒光體，其中，(Xo巨l.O、a=l+o、b=4一o、n-7—0。14.權利要求9-13中任一項所述的熒光體，其中，1Vf)元素是選自Li、Na、K、Rb中的1種以上的元素，M^元素是選自Mg、Ca、Sr、Ba、Zn中的1種以上的元素，A元素是選自Al、Ga、In中的l種以上的元素，B元素是Si和/或Ge,Z元素是選自Eu、Ce、Pr、Tb、Yb、Mn中的1種以上的元素。15.權利要求9~14中任一項所述的焚光體，其中，Nf)元素是Sr和/或Ba，A元素是A1，B元素是Si，Z元素是Ce。16.權利要求9~15中任一項所述的焚光體，其中，M^)元素是K。17.權利要求9~16中任一項所述的熒光體，其中，作為構成熒光體的元素，包括21.0重量。/。27.0重量y。的Sr、8.0重量％~14.0重量％的Al、0.5重量％~6.5重量％的0、26.0重量％32.0重量。/。的N、超過O且為4.0重量％以下的Ce、超過0且不足1.0重量％的選自Li、Na、K中的1種以上的元素。18.權利要求9~17中任一項所述的熒光體，其中，含有超過0且不足2.0重量。/。的Ba。19.權利要求9~18中任一項所述的熒光體，其中，包^*1徑為50.0[im以下的1次顆粒和該1次顆粒凝集而成的凝集體，含有該1次顆粒和凝集體的熒光體粉末的平均粒徑(D50)為1.0,~50.0|jm。20.—種制造權利要求1~8中任一項所述熒光體的焚光體的制造方法，該方法包括稱量該熒光體的原料粉末，混合而獲得^曰t^物的工序、在焙燒爐中焙^Ji述f洽物，獲得焙燒物的工序、石皮石年上ii^咅燒物，獲得熒光體的工序，在焙燒上述〉To^物而獲得焙燒物的工序中，作為該焙燒時的氛圍氣體，使用氮氣、稀有氣體、氨氣、氨氣與氮氣的;給氣體或氮氣與氫氣的';給氣體中的^-~種。21.權利要求20所述熒光體的制造方法，其中，作為上述該焙燒爐內的氛圍氣體，使用含有80%以上氮氣的氣體。22.權利要求20或21所述熒光體的制it^法，其中，在焙燒爐內焙;^Ji述混^N"勿，獲得焙燒物的工序中，^it0.1ml/min以上的上述焙燒爐內的氛圍氣體同時進行焙燒。23.權利要求20-22中任一項所述熒光體的制造方法，其中，在焙燒爐內焙燒上述〉'^^勿而獲得焙燒物的工序中，^Ji述焙燒爐內的氛圍氣體成為O.OOlMPa-l.OMPa的加壓狀態。24.權利要求20-23中任一項所述熒光體的制造方法，其中，向原料4分末的混合物中添加M元素或/和A元素的氯化物或/和氟化物。25.權利要求24所述焚光體的制造方法，其中，上述IUl/和氟化物是SrF2、BaF2、A1F3、SrCl2、BaCl2、A1C13。26.權利要求20-25中任一項所述熒光體的制造方法，其中，向原沖抖分末的混合物中添加M元素或/和A元素的氧化物或/和氮化物。27.權利要求26所述熒光體的制造方法，其中，上述氧化物或/和氮化物是A1203、Ga203':ln203、GaN、Sr3N2、Ba3N2、Ca3N2。28.權利要求20-27中任一項所述熒光體的制造方法，其中，上述熒光體原料的平均粒徑為0.1,~lO.O(jm。29.權利要求9-19中任一項所述焚光體的制造方法，其中，在將該熒光體的原料》1^坩鍋中，在爐內焙燒時，作為坩鍋，^J]BN坩鍋，在爐內流動0.1ml/min以上的含有選自氮氣、稀有氣體和氨氣中的1種以上的氣體，且使爐內壓為O.OOOlMPa~1.OMPa，在1400°C~2000°C的溫度下焙燒30^4中以上。30.權利要求29所述焚光體的制造方法，其中，將包^i亥焙燒工序和將通itt咅燒獲得的焙燒物粉碎和〉'^^的工序的一系列的工序至少重復二次以上。31.權利要求29或30所述熒光體的制造方法，其中，原^H賴鋇的氯化物、氟化物、氧化物、碳酉tt中的至少一種以上。32.—種發光裝置，該裝置包括權利要求1~19中任一項所述的熒光體和發出第1波長的光的發光部，其中，用上述第1波長的光的-"^分或4^作為J狄光，,AJi述熒光體發出與上述第1波長不同波長的光。33.權利要求32所述的發M置，其中，所述的第l波長，是300nm-500nm的波長。34.權利要求32或33所述的;^裝置，其中，該發MJj^光光譜的平均顯色評價數Ra為60以上。35.權利要求32或33所述的j^^置，其中，該發it^E^光語的平均顯色^H介數Ra為80以上。36.權利要求32-35中任一項所述的發棘置，其中，該發錄置發光光譜的特殊顯色^H介數R15為80以上。37.權利要求3236中任一項所述的發錄置，其中，該;li^^^光譜的特殊顯色^H介數R9為60以上。38.權利要求3237中任一項所述的發i^置，其中，該發MM光光譜的相關色溫;l在2000K~10000K的范圍。39.權利要求32-37中任一項所述的發錄置，其中，該發媒置發光光譜的相關色溫度在7000K-2500K的范圍。40.權利要求32~39中任一項所述的發M置，其中，發出上述第1波長的發光部是LED。全文摘要本發明提供了一種以亮度為代表的發光效率優異的熒光體，其是用于組合近紫外·紫外LED和藍色LED等而制造單片型白色LED等的熒光體。其特征在于，其是用通式MmAaBbOoNn:Z表示的熒光體(M元素是具有II價的1種以上的元素，A元素是具有III價的1種以上的元素，B元素是具有IV價的1種以上的元素，O是氧，N是氮，Z元素是1種以上的活化劑。)，以a＝(1+x)×m、b＝(4-x)×m、o＝x×m、n＝(7-x)×m、0≤x≤1表示，在用波長為300nm～500nm范圍的光激發時，發光光譜中的峰波長在500nm～600nm范圍。文檔編號H01L33/50GK101273109SQ20068003571公開日2008年9月24日申請日期2006年7月14日優先權日2005年9月27日發明者坂根堅之,山田智也,永富晶申請人:同和電子科技有限公司