具有在退火的高-k柵介電層上形成的金屬柵電極的半導體器件的制作方法

專利名稱：具有在退火的高-k柵介電層上形成的金屬柵電極的半導體器件的制作方法
具有在退火的高-^柵介電層上形成的 金屬柵電極的半導體器件背景技術由二氧化硅制成的具有非常薄的柵電介質的金屬氧化物半導體(M0S)場效應晶體管可能會經受不能接受的柵漏電流。由某些高-A介 電材料，而不是二氧化硅來形成所述柵電介質，可以降低柵漏。但是， 當最初形成高-i(r介電薄膜時，其可能具有稍微有缺陷的分子結構。為了 修復這樣的薄膜，可能需要將其在相對高的溫度下退火。此外，退火所 述高-A介電薄膜改進了晶體管的可靠性。因為常規的高-A介電層可以不必與多晶硅相容，因此可以期望在那 些包括高-A柵電介質的裝置中使用金屬柵電極。金屬柵電極相對于多晶 硅提供了高的性能。令人遺憾地，用于金屬柵電極的所述金屬或者合金 并不能耐受為退火所述高-A介電薄膜所必需的高溫。結果，因為對于高 性能來合乎需要的所述金屬或者合金不能承受對于可靠性來說所必需 的高溫，常規高-A電介質金屬柵晶體管不能同時提供高性能和高可靠 性。因而，需要一種制造半導體裝置的方法，所述半導體裝置包括與退 火的高-l介電層耦合的金屬柵電極。需要將高溫退火應用于所述高-1 介電層，而不損傷任何可被用來制造柵電極的金屬。


圖1顯示了一種根據本發明的一個實施方式的晶體管柵堆疊。圖2是形成根據本發明 一個實施方式的晶體管柵堆疊的 一種方法。圖3A -3G圖示了可以在實施圖2中所描迷方法的同時而形成的結構。詳細"i兌明在此處描述的是用于在退火的高-A介電層頂上形成金屬柵電極的 系統和方法。在下文中的描述中，將使用本領域技術人員所通常使用以 向本領域其它人員表達工作內容的術語來描述說明性實施方式的各個 方面。但是，對本領域技術人員將顯而易見的是本發明可以僅僅以所描述方面的一些來被實施。用于說明目的，列出了具體的數字、材料和結 構以提供對所述說明性實施方案的詳盡理解。但是，對本領域技術人員 顯而易見的是，本發明可以不以所述的具體細節而實施。在其它情況中， 為了不使所述說明性的實施方案變得模糊，忽略或者簡化了眾所周知的 特征。反過來，各種不同的操作將以最為有助于理解本發明的方式#_描述 為多個離散的操作，但是，描述的順序將不會被解釋為這些操作必須依 賴于順序。特別地，這些操作不必按介紹的次序被進行。本發明的實施方案包括形成半導體裝置例如MOS晶體管的方法，其 中通過在退火的高-vN冊介電層上形成金屬柵電極來提供晶體管柵堆 疊。在一些實施方案中，所述方法包括在襯底上形成高-ir柵介電層并 且在所述高-A柵介電層頂上形成蓋層。所述襯底可以包括一個或多個 間隔物。所述蓋層可以包括例如多晶硅的材料。然后所述高-vN冊介電 層可以在高溫下被退火以增加其可靠性。在所迷退火過程之后，所述蓋 層可以被除去以暴露所述退火的高-1柵介電層。然后可以在所述暴露 的高-iN冊介電層頂上形成金屬層。可以繼之以化學機械拋光(CMP)工 藝來完成所述MOS晶體管柵堆疊。當用于MOS晶體管時，本發明所述的 柵堆疊相對于常規M0S晶體管來說提供了高可靠性和高性能。圖1顯示了一種根據本發明的一個實施方式形成體管柵堆疊100。 所述晶體管柵堆疊IOO在村底(如硅襯底)102上形成。所述晶體管柵 堆疊100包括金屬柵電極104,其形成在退火的高-A柵介電層106上。 如上所述，本發明所述的晶體管柵堆疊100不同于常規的柵堆疊，這是 由于常規的柵堆疊不能與具有退火的高-iH冊介電層的金屬柵電極耦 合。如下所述的方法容許這些元件結合成一個結構。在本發明的一些實 施方案中，所述晶體管柵堆疊IOO可以被間隔物108所圍繞。此外，可 以在所述間隔物108之外形成層間電介質(ILDs)，以從相鄰裝置隔離 該晶體管。圖2是一種用于形成根據本發明一個實施方式的晶體管柵堆疊的方 法200。首先，提供襯底，在其之上可以形成(202 )本發明所述的晶體 管柵堆疊。所述襯底可以使用塊體硅或者在絕緣體之上的硅(SOI)亞 結構。在其它實施方案中，所述襯底可以使用替代材料形成，其可以或 者可以不必與硅結合，包括但不局限于鍺、銻化銦、碲化鉛、砷化銦，7磷化銦、砷化鎵或者銻化鎵。雖然這里描述了可以形成襯底的材料的一 些例子，任何可以作為半導體裝置在其上構造的基底的材料都落在本發 明的范圍和精神之內。由于所述襯底被用來形成MOS晶體管，如在本領域中眾所周知的， 襯底也可包括間隔物和隔離結構。所述間隔物可以通過溝槽區域分離， 并且所述晶體管柵堆疊將在這些溝槽區域之內形成。可以使用常規材 料，包括但不局限于氮化硅來形成所述間隔物。所述隔離結構包括但不 局限于，ILDs例如碳摻雜的氧化物(CD0)或者二氧化硅(Si02 )、淺 溝槽隔離結構(STI)、或者可以分離相鄰晶體管的所述活性中心的其 它材料。用于形成所述間隔物和隔離結構的方法在本領域中是眾所周知 的。接下來，可以在所述襯底(204 )頂上沉積高-vH冊介電層。所述高 -A柵介電層可以共形地覆蓋全部襯底，包括在所述襯底上包括的任何 間隔物和隔離結構。因為是共形的沉積，在所述間隔物剩余之間存在溝 槽，盡管該溝槽現在包括共形的高-A柵介電層。可以使用包括但不局 限于氧化鉿、氧化硅鉿、氧化鑭、氧化鋯、氧化硅鋯、氧化鉭、氧化鈦、 氧化鈦鍶鋇、氧化鈦鋇、氧化鈦鍶、氧化釔、氧化鋁、氧化鉭鈧鉛或者 鈮酸鋅鉛的材料形成高-vN冊介電層。雖然這里描述了可被用來形成高 - A柵介電層的材料的例子，該層可以使用其它能夠降低柵漏的材料形 成。在一些實施方案中，所述可以使用常規沉積方法在所述襯底上形成 高-iN冊介電層，所述方法包括但不局限于化學氣相沉積(CVD)、低壓 CVD、等離子強化化學氣相沉積(PECVD)、物理氣相沉積(PVD)、原 子的層沉積(ALD)、旋涂電介質工藝(S0D)或者外延生長。在本發明 的一個實施方案中，可以使用ALD工藝，其中金屬氧化物前體(例如金 屬氯化物)和蒸汽可以以選擇的流速進入CVD反應器內，其可以在選擇 的溫度與壓力下運行以在所述襯底和高_ f柵介電層之間產生在原子水 平上平滑的界面。所述CVD反應器可以運行足夠久以形成具有期望厚度 的層。在一些實施方案中，所得高-A柵介電層的厚度可以為3埃-60 埃，并且更優選地為大約5埃-40埃。在所述高-A柵介電層形成在所述襯底頂上之后，可以在所述(206 ) 上沉積蓋層。所述蓋層可以覆蓋其所沉積的全部表面。所述蓋層的沉積可以或者可以不必是共形的，因此所述蓋層可以填充存在于所述間隔物 之間襯底上的溝槽。在本發明的實施方案中，所述蓋層可以包括多晶硅 并且可以使用常規沉積工藝被沉積在高J柵介電層上。可以用于蓋層的沉積工藝包括但不局限于CVD、 PECVD、 PVD和ALD。在本發明的一些實 施方案中，所述蓋層的厚度通常可以為約lOO埃-約2000埃，并且常 常可以為大約500埃-大約1，600埃。然后可以在結構(208 )上進行退火工藝。在一些實施方案中，所 述退火工藝可以是快速熱退火，其發生在大約60(TC或以上的溫度下。 這樣的退火可以改變所述高-iH冊介電層的分子結構以產生退火的柵介 電層，其會表現出改善的工藝控制和可靠性，產生提高的裝置性能。在所述退火過程中，所述蓋層用來抑制氧化物在所述高-l介電層 上的生長。所述蓋層還降低或抑制了氧化層在所述襯底和高-l介電層 之間的過渡界面上的生長。在常規方法中，退火所述高-A介電層常常導 致在該界面上氧化層的生長，這些不需要的氧化層的厚度為2埃-4埃。 使用所述蓋層可將該不需要的氧化層的厚度保持在1埃以下。在退火過程之后，所述蓋層被除去以再次暴露所述退火的高-〖柵 介電層，以及位于間隔物(210)之間的所述溝槽。在本發明的實施方 案中，應用針對用于所述蓋層的材料(例如多晶硅)的濕式蝕刻工藝或 干式蝕刻工藝來除去所述蓋層。在所述刻蝕過程中，所述退火的高-A 柵介電層可以作為蝕刻停止層，而不會損害可靠性和性能。因此所述刻 蝕過程除去了所述蓋層同時留下完好的所述退火的高-vH冊介電層。如果使用濕式蝕刻工藝，所述濕式蝕刻工藝可以將所述蓋層暴露于 包括氫氧化物源的水溶液，以足夠的時間和在足夠的溫度下，來基本上 除去全部蓋層。例如，所述氫氧化物的源可以在去離子水中按體積含有 約1 -約40%氬氧化銨、氬氧化四烷基銨，例如氬氧化四甲基銨(TMAH)。 所迷溶液的溫度可以4支維持在約15°C -約9(TC的溫度下(例如，40°C ), 并且曝露時間可以為0-60分鐘(例如，l分鐘)。在一些實施方案中， 在暴露于所述氫氧化物溶液期間，可以以約10 KHz -約2, 000 KHz的頻 率施加聲能，同時以約1 -約10瓦/ci^分散。如將能夠被本領域技術人 員所辨識的，所述蝕刻溶液的精確組分將依賴于用于所述蓋層的材料和 所述蓋層的厚度。在本發明的替代實施方案中，干式蝕刻工藝可被用來選擇性地除去所述蓋層。所述干式蝕刻工藝可以包括所述蓋層暴露于等離子體，所述等離子體源于包括但不局限于六氟化硫(SF6)、溴化氫(HBr)、碘化氫 (HI)、氯、氬和/或氦的材料。這樣的選擇性干式蝕刻工藝可以在平 行板反應器或在電子回旋共振蝕刻器中進行。在本發明的實施方案中，所述濕式或干式蝕刻工藝可被繼之以任選 的凈化工藝。例如，可以向所述退火的高-vH冊介電層應用濕式化學處 理以清潔該層。所述濕式化學處理可以包括將所述高-A柵介電層暴露對于;述退火的高-A柵介電i來說所期望的:能,久° 、在所述凈化工藝的一些實施方案中，過氧化氫凈化溶液可以按體積 含有約1 約40%的過氧化氳。在所述凈化工藝中，所述溶液的溫度 可以被維持在約5。C和約5(TC之間，并且所述曝露時間為0-60分鐘。 在一個實施方案中，所述退火的高-l柵介電層可以在約25。C溫度下暴 露于6.7%過氧化氬溶液約IO分鐘。在所述凈化工藝中，可期望向所述 水溶液以約10 KHz -約2, 000 KHz的頻率施加聲能，同時以約1 -約10 瓦/cn]2分散。然后進行金屬化工藝以在所述退火的高-A柵介電層(212)上沉積 金屬層。所述金屬沉積覆蓋了所述退火的高-A柵介電層并且以金屬填 充所述溝槽。所述金屬層通常具有100埃到2000埃的厚度。眾所周知 的金屬沉積方法，例如CVD、 PVD、 ALD、濺射、電鍍或化學鍍，可被用 來沉積所述金屬層。所沉積的金屬將形成金屬柵電極，因此，可以用于 所述金屬化工藝的金屬包括通常用作金屬柵電極的金屬或金屬合金。例 如，可以使用以下金屬中的一種或組合銅、釕、鈀、鈾、鈷、鎳、氧 化釕、鵠、鋁、鈦、鉭、氮化鈦、氮化鉭、鉿、鋯、金屬碳化物或者導 電金屬氧化物。在其它實施方案中，可以使用這里未列的金屬。在本發 明的一些實施方案中，所使用的金屬可以是功能性(workfimction)金 屬與溝槽填充金屬的結合。最后，使用化學機械拋光(CMP)工藝(214)完成所述晶體管柵堆 疊的形成。CMP工藝用來通過除去部分金屬和退火的高-A柵介電層來 形成晶體管柵堆疊。CMP在本領域中眾所周知，并且通常涉及旋轉拋光 墊和研磨腐蝕劑漿液在半導體晶片上的使用。所述拋光墊和漿液在物理 上磨平了微小的形貌特征直到所述金屬層被平面化。根據本發明的實施方案，繼續所述CMP工藝以除去所述金屬層和高-A介電層的不必要部 分，留下完成的晶體管柵堆疊。可以鄰近于所述間隔物形成源和漏區并 且其可以和所述晶體管柵堆疊一起使用以構造晶體管。圖3A -3G圖示了可以在實施圖2中所描述方法的同時而形成的結 構。圖3A說明了所提供的襯底300,在其之上可以形成本發明所述的晶 體管柵堆疊。如上所述，通常使用塊體硅或者在絕緣體之上的硅(SOI) 亞結構，連同其它材料來形成所述襯底300。所述襯底300還包括在本 領域中眾所周知的間隔物302和隔離結構304。此外，可以使用氮化硅 形成所述間隔物302并且所述隔離結構304可以是ILDs、 二氧化硅層或 淺溝槽隔離結構。在所述間隔物之間是溝槽區域306,其中本發明所述 的晶體管柵堆疊將被形成。圖3B說明了高-l柵介電層308在所述襯底300頂上的沉積。如圖 所示，所述高-iH冊介電層308共形地覆蓋全部襯底300,包括間隔物 302和隔離結構304。由于所述沉積是高度共形的，保留了所述溝槽區 域306。圖3C說明了多晶硅蓋層310在所述高-A柵介電層308頂上的沉積。 如圖所示，所述蓋層310覆蓋了高-A柵介電層308的全部表面。在圖 3C中，所述蓋層31G的沉積不是共形的，因此溝槽區域306充滿了多晶 硅。圖3D說明了向所述高-vN冊介電層308應用退火過程。向包括襯底 300、間隔物302、隔離結構304、高-A柵介電層308和蓋層310的全 部結構施用加熱。以后用于形成金屬柵電極的溫度不耐受金屬在所述退 火過程中并不存在。如上所述，所述退火過程改變了高-i:介電材料的 分子結構，產生了退火的高-A柵介電層312，其表現出改善的工藝控 制和可靠性，引起了改進的裝置性能。此外，在所述退火過程中，蓋層310用來抑制氧化層314在襯底300 和退火的高-vH冊介電層312之間的過渡界面上的生長。蓋層310將氧 化層314的生長限制到通常小于1埃的厚度。這比常規退火過程中形成 的2埃-4埃的厚度要小得多。圖3E說明了去除蓋層310以暴露退火的高-i(r柵介電層312，以及 位于間隔物302之間的溝槽區域306。如上所述，蝕刻和凈化工藝可被 用來除去所述蓋層310。圖3F說明了在退火的高-iH冊介電層312頂上沉積金屬層316填充 溝槽區域306。所沉積的金屬將形成金屬柵電極，因此，可以用于所述 金屬化工藝的金屬包括通常被用于金屬柵電極的金屬或金屬合金。最后，圖3G說明了在CMP工藝進行之后的金屬層316和退火的高-iH冊介電層312。 CMP工藝平面化了所述金屬層316并且除去金屬和高-A介電材料的多余部分。所得到的是完成的晶體管柵堆疊318，根據本 發明的實施方案，其與具有高溫退火高-A柵介電層的熱敏金屬柵電極 相耦合。因此，本發明如上所述的方法允許生產包括已經經受高溫退火的高 -i柵介電層的MOS晶體管。本發明的方法允許這樣的退火被應用于介 電層，而沒有損傷任何不耐受的高溫金屬，所述金屬可以用于MOS晶體 管的金屬柵電極。以上所展示的對本發明實施方案的描述，包括在摘要中所描述的， 并不意圖將本發明進行徹底規劃或者限制到所公開的確切的形式。在此 處描述的本發明的具體實施方案和例子只是用于說明性的目的，本領域 技術人員所能夠辨識的是，在本發明范圍內的各種等同變體也是可能 的。這些變體可以基于本發明以上的詳細說明而做出。以下權利要求中 所使用的術語將不會被解釋為將本發明限制到說明書和權利要求所公 開的具體實施方案。相反地，本發明的范圍將完全地由以下權利要求所 決定，其將依照解釋權利要求的原則來進行構建。
權利要求
1.一種方法包含提供襯底；在所述襯底上形成高-k柵介電層；在所述高-k柵介電層上形成蓋層；退火所述高-k柵介電層以形成退火的高-k柵介電層；除去所述蓋層以暴露所述高-k柵介電層；和在所述退火的高-k柵介電層上形成金屬層。
2. 權利要求l所述的方法，其中所述襯底包含硅、在絕緣體上的 硅、鍺、銻化銦、碲化鉛、砷化銦、磷化銦、砷化鎵或者銻化鎵中的至 少 一個。
3. 權利要求2所述的方法，其中所述襯底包括在第一間隔物和第 二間隔物之間形成的溝槽，并且其中所述高-l柵介電層和所述金屬層至 少在所述溝槽之內形成。
4. 權利要求l所述的方法，其中所述高-l柵介電層包含氧化鉿、 氧化硅鉿、氧化鑭、氧化鋯、氧化硅鋯、氧化鉭、氧化鈦、氧化鈦鍶鋇、 氧化鈦鋇、氧化鈦鍶、氧化釔、氧化鋁、氧化鉭鈧鉛或者鈮酸鋅鉛中的 至少一個。
5. 權利要求4所述的方法，其中所述高-l柵介電層的厚度大于或 等于3埃并且小于或等于60埃。
6. 權利要求l所述的方法，其中所述蓋層包含多晶硅。
7. 權利要求6所述的方法，其中所述高-iN冊介電層的厚度大于或 等于100埃并且小于或等于2000埃。
8. 權利要求l所述的方法，其中所述高-^柵介電層的退火在大于 或等于600。C的溫度下進行。
9. 權利要求l所述的方法，其中所述金屬層包含銅、釕、把、鉬、 鈷、鎳、氧化釕、鴒、鋁、鈦、鉭、氮化鈦、氮化鉭、鉿、鋯、金屬碳 化物或者導電金屬氧化物中的至少 一個。
10. 權利要求3所述方法，還包括使用CMP工藝拋光所述襯底以在 所述溝槽之內形成晶體管柵堆疊。
11. 一種方法包含提供襯底；在所述襯底上形成第一和第二間隔物，其中所述第一和第二間隔物 通過溝槽而^皮分離；在所述襯底上沉積共形的高-A柵介電層，其中所述高-i:柵介電層還 被沉積在所述溝槽之內并且其中所述高-vH冊介電層的厚度大于或等于3 埃并且小于或等于60埃；在所述高-l柵介電層上沉積蓋層，其中所述蓋層基本上填充所述溝 槽并且基本上覆蓋所述高-A柵介電層，并且其中所述蓋層的厚度大于或 等于100埃并且小于或等于2000埃；在大于或等于600。C的溫度下退火所述高-A柵介電層以形成退火的 高-l柵介電層；蝕刻所述蓋層以暴露所述高-A柵介電層；在所述退火的高-i柵介電層上沉積金屬層，其中所述金屬層基本上 》真充所述溝才曹；使用CMP工藝除去所述金屬層的至少一部分以及所述退火的高-ir柵 介電層的至少一部分；靠近所述第一間隔物形成源區；以及 靠近所述第二間隔物形成漏區。
12. 權利要求ll所述的方法，其中所迷襯底包含硅、在絕緣體上 的硅、鍺、銻化銦、碲化鉛、砷化銦、磷化銦、砷化鎵或者銻化鎵中的 至少一個。
13. 權利要求ll所述的方法，其中所述笫一間隔物和所述第二間 隔物包括氮化硅。
14. 權利要求ll所述的方法，其中所述高-A柵介電層包含氧化鉿、 氧化硅鉿、氧化鑭、氧化鋯、氧化硅鋯、氧化鉭、氧化鈦、氧化鈦鍶鋇、 氧化鈦鋇、氧化鈦鍶、氧化釔、氧化鋁、氧化鉭鈧鉛或者鈮酸鋅鉛中的 至少一個。
15. 權利要求ll所述的方法，其中所述蓋層包含多晶硅。
16. 權利要求ll所述的方法，其中使用濕式蝕刻工藝進行所述蓋 層的蝕刻。
17. 權利要求16所述的方法，其中所述濕式的蝕刻工藝包含將所 述蓋層暴露于水溶液以足夠基本上除去全部所述蓋層的時間，其中所述水溶液包括氫氧化物的源并且所述水溶液被維持在約15。C-約9(TC的溫 度下。
18. 權利要求17所述的方法，其中所述氫氧化物的源包含在去離 子水中含有約1 -約40體積％氫氧化銨、氫氧化四烷基銨、或者氫氧化 四曱基銨的溶液。
19. 權利要求17所述的方法，還包括向所述水溶液以約10 KHz-約2， 000 KHz的頻率施加聲能，同時以約1 -約10瓦/厘米分散。
20. 權利要求ll所述的方法，其中使用干式蝕刻工藝進行所述蓋 層的蝕刻。
21. 權利要求20所述的方法，其中所述干式蝕刻工藝包含將所述 蓋層暴露于包含六氟化硫、溴化氫、碘化氫、氯、氬或者氦的等離子體。
22. 權利要求ll所述的方法，其中所述金屬層包含銅、釕、把、 柏、鈷、鎳、氧化釕、鴒、鋁、鈦、鉭、氮化鈦、氮化鉭、鉿、鋯、金 屬碳化物或者導電金屬氧化物中的至少一個。
23. 權利要求11所述的方法，其中使用CMP工藝去除所述金屬層的 至少一部分以及所述退火的高-iH冊介電層的至少一部分導致了晶體管 柵堆疊的形成。
24. —個晶體管柵堆疊，包含在第 一 間隔物和第二間隔物之間的溝槽內形成的退火的高-iH冊介 電層，其中所述退火的高-l柵介電層在所述溝槽的側壁和底部上形成； 和在退火的高-iN冊介電層上的金屬層。
25. 權利要求24所述的晶體管柵堆疊，其中所述退火的高-l柵介 電層包含氧化鉿、氧化硅鉿、氧化鑭、氧化鋯、氧化硅鋯、氧化鉭、氧 化鈦、氧化鈦鍶鋇、氧化鈦鋇、氧化鈦鍶、氧化釔、氧化鋁、氧化鉭鈧 鉛或者鈮酸鋅鉛中的至少一個。
26. 權利要求24所述的晶體管柵堆疊，其中所述金屬層包含銅、 釕、把、柏、鈷、鎳、氧化4了、鵠、鋁、鈦、鉭、氮化鈦、氮化鉭、鉿、 鋯、金屬碳化物或者導電金屬氧化物中的至少一個。
27. 權利要求24所述的晶體管柵堆疊，其中通過在所述金屬層被 沉積前在大于或等于600。C的溫度下退火高-iH冊介電層來形成所述退火 的高-l柵介電層。
28. 權利要求27所述的晶體管柵堆疊，其中在所述退火過程中使 用多晶硅蓋層來保護所述高-iH冊介電層。
29. 權利要求24所述的晶體管柵堆疊，其中所述退火的高-l柵介 電層的厚度大于或等于3埃并且小于或等于60埃。
30. 權利要求24所述的晶體管柵堆疊，其中所述金屬層的厚度大 于或等于100埃并且小于或等于2000埃。
全文摘要
一種形成具有退火的柵介電層的晶體管柵堆疊的方法，其通過提供包括由溝槽而被分離的第一和第二間隔物的襯底而開始。在所述襯底上以及所述溝槽之內沉積共形的高-k柵介電層，并且其中所述高-k柵介電層的厚度大于或等于3埃并且小于或等于60埃。接著，在所述高-k柵介電層上沉積蓋層，其中所述蓋層基本上填充所述溝槽并且基本上覆蓋所述高-k柵介電層。然后在大于或等于600℃的溫度下退火所述高-k柵介電層。除去所述蓋層以暴露所述退火的高-k柵介電層。然后在所述退火的高-k柵介電層上沉積金屬層。可以使用CMP工藝除去多余的材料并完成所述晶體管柵堆疊的形成。
文檔編號H01L29/49GK101253602SQ200680031961
公開日2008年8月27日 申請日期2006年8月3日 優先權日2005年8月30日
發明者G·德維, J·卡瓦利羅斯, J·布拉斯克, J·麥斯, R·仇, S·裴, S·達塔 申請人:英特爾公司