晶體管及其制造方法、以及具有該晶體管的半導體裝置的制作方法

專利名稱：：晶體管及其制造方法、以及具有該晶體管的半導體裝置的制作方法
技術領域：
：本發明涉及晶體管及其制造方法、具有該晶體管的半導體裝置。技術背景作為晶體管，已知有雙極晶體管、場效晶體管、靜電感應型晶體管等各種晶體管。作為這些晶體管中一種的場效晶體管一般在連接有源極或漏極的包含半導體材料的層(活性層)上具有介由絕緣層設有柵極的結構。在這種場效晶體管中，在活性層中使用有機半導體化合物的有機晶體管具有質量輕、可撓性的優點，期待在各種電子設備中的應用。該有機晶體管的活性層大多如下形成在設于基板上的絕緣層上蒸鍍有機半導體化合物或者旋涂、液滴流延或印刷含有有機半導體化合物的溶液而形成(非專利文獻1)。已知，在這種有機晶體管中，通過賦予活性層規定取向性，載流一定方向丄排列，'載流子的遷移變^有利。作為這種可以賦予活性層取向性的有機晶體管的制造方法，公開了包括以下工序的方法在基板和活性層之間設置摩擦膜的取向膜的工序(非專利文獻2、3)、摩擦活性層的工序(非專利文獻4)、形成含有摩擦轉印膜的活性層的工序(專利文獻l)等。已知，通過這些制造方法獲得的有機晶體管與具有未取向活性層的有機晶體管相比，具有優異的載流子遷移率。非專利文獻l:《有機晶體管的工作性提高技術》、技術信息協會、2003年非專利文獻2:H.Sirringhaus等，Appl.Phys.Lett.,Vol77，No.3，p.406-408,2002非專利文獻3:M.L.Swiggers等，Appl.Phys.Lett,Vol79,No.9,p.1300-1302,2001非專利文獻4:H.Heil等，Appl.Phys.Lett.,Vol93,No.3，p,1636-1641,2003專利文獻1:日本特開2004-356422號公報
發明內容但是，以通過形成具有取向性的活性層來提高載流子遷移率為目的的上述以往有機晶體管的制造方法，用于賦予活性層取向性的工序均很復雜，因此有機晶體管的制造與未使活性層取向的情況相比，有顯著變得困難的傾向。因此，本發明鑒于上述事實而完成，其目的在于提供能夠通過簡單的方法形成具有取向的活性層、得到具有優異載流子遷移率的晶體管的晶體管制造方法。另外，其目的在于提供具備具有取向的活性層、具有高載流子遷移率的有機晶體管。為了達成上述目的，本發明的晶體管的制造方法為具有包含半導體膜的活性層的晶體管的制造方法，所述半導體膜含有有機半導體化合物，其特征在于，該方法包括拉伸半導體膜的工序、和在進行加熱和/或加壓的同時將半導體膜粘貼在形成活性層的面上獲得活性層的工序。在上述拉伸半導體膜的工序中，通過拉伸構成半導體膜的有機半導體化合物排列在拉伸方向上，由此可以賦予半導體膜規定的取向性。這樣，在本發明中，僅通過拉伸半導體膜即可獲得取向的活性層，與以往的方法相比，可以容易地形成具有取向的活性層。另外，在上述本發明的制造方法中，在進行加熱和/或加壓的同時將半導體膜粘貼在形成活性層的面上。因此，活性層密合于與其相鄰的層上，可以良好地發揮載流子遷移率等特性。予以說明，上述本發明的制造方法中，也可以先進行拉伸半導體膜的工序，粘貼該拉伸的半導體膜，也可以先粘貼未拉伸的半導體膜后對該半導體膜進行拉伸。在上述以往技術的制造方法中，均是在形成活性層時，或在形成活性層后賦予取向的，如前在拉伸后粘貼半導體膜時，可以對應成為活性層的半導體膜預先賦予適當的取向，有易于形成具有所需取向性的活性層的傾向。本發明的晶體管的制造方法為具有包含半導體膜的活性層的晶體管的制造方法，所述半導體膜含有有機半導體化合物，其特征也可以在于，該方法包括使半導體膜取向的工序、和在進行加熱和/或加壓的同時將半導體膜粘貼在形成活性層的面上，形成活性層的工序。這6樣，本發明中，通過在進行加熱和/或加壓的同時粘貼半導體膜，可以良好地形成通過不必局限于拉伸的各種方法而取向的活性層。本發明的晶體管的制造方法為具有包含半導體膜的活性層的晶體管的制造方法，所述半導體膜含有有機半導體化合物，其特征也可以在于，該方法包括將半導體膜拉伸使其取向的工序、和在進行加熱和/或加壓的同時將半導體膜粘貼在形成活性層的面上形成活性層的工序。這樣，通過利用拉伸使半導體膜取向，可以特別容易地形成通過取向可以發揮高載流子遷移率的活性層。上述本發明的晶體管的制造方法中，優選在與形成活性層的面之間存在施工液而將半導體膜粘貼在該面上。這樣，由于半導體膜和上述面的接觸面被施工液濡濕，因此例如即便在半導體膜有翹曲等時，也可以進行良好的粘貼。另外，由于如此使用施工液粘貼變得容易，因此可以在更溫和的條件下進行粘貼時的加熱或加壓。因而，可以確實地防止由于過度加熱或加壓所引起的晶體管變形或不良等可能性。而且，通過使用施工液，活性層與形成其的面的密合性提高。作為這種施工液，優選與形成活性層的面的接觸角為120度以下。更具體地說，本發明的晶體管的制造方法優選適用于具有以下構成的晶體管的制造。即，本發明的晶體管的制造方法為具有源極和漏極、成為它們之間的電流通路且包含含有有機半導體化合物的半導體膜的活性層、控制通過電流通路的電流的柵極、以及配置于活性層和柵極之間的絕緣層的晶體管的制造方法，該方法優選包括將半導體膜拉伸的工序、和在進行加熱和/或加壓的同時將半導體膜與絕緣層粘貼獲得活性層的工序。本發明的晶體管的制造方法為具有源極和漏極、成為它們之間的過電流通路的電流的柵極、以及配置于活性層和柵極之間的絕緣層的晶體管的制造方法，其特征也可以在于，該方法包括使半導體膜取向的工序、和在進行加熱和/或加壓的同時將半導體膜與絕緣層粘貼獲得活性層的工序。本發明的晶體管的制造方法為具有源極和漏極、成為它們之間的電流通路且包含含有有機半導體化合物的半導體膜的活性層、控制通過電流通路的電流的柵極、以及配置于活性層和柵極之間的絕緣層的晶體管的制造方法，其特征也可以在于，該方法包括將半導體膜拉伸使其取向的工序、和在進行加熱和/或加壓的同時將半導體膜與絕緣層粘貼獲得活性層的工序。即便是這些晶體管的制造方法，通過拉伸半導體膜等也可以容易地形成取向的活性層，另外，通過在粘貼時進行加熱和/或加壓，可以良好地在絕緣層上形成活性層。由此，可以獲得具有高載流子遷移率的晶體管。上述晶體管的制造方法中，優選在與絕緣層之間存在施工液而將半導體膜與該絕緣層粘貼。這樣，由于可以良好地進行半導體膜和絕緣層的粘貼，因此可以使加熱或加壓的條件變得溫和，可以進一步降低晶體管的變形或不良等的發生。通過本發明制造方法制造的上述構成的晶體管優選在源極和/或漏進二步具有這種其它的活';層，可以降低含有有才l半導體化合物作為載流子輸送層發揮功能的活性層與源極和漏極之間的接觸電阻，從而能更加提高載流子遷移率。本發明還提供通過上述本發明的晶體管的制造方法可以良好地獲得的晶體管。即，本發明的晶體管的特征在于，具有包含半導體膜的活性層，所述半導體膜含有有機半導體化合物，該活性層含有拉伸的半導體膜，且在進行加熱和/或加壓的同時將半導體膜粘貼在形成活性層的面上而形成。該晶體管的活性層由于含有拉伸的半導體膜，因此成為具有規定取向的狀態。另外，活性層是在進行加熱或加壓的同時將半導體膜粘貼在形成活性層的面上而形成，因此該活性層相對于上述面的密合性良好。因而，具有這種活性層的上述本發明的晶體管的載流子遷移率高、層間密合性高、可以發揮優異的晶體管特性。本發明的晶體管具有包含半導體膜的活性層，所述半導體膜含有有機半導體化合物，該活性層可以含有取向的半導體膜，且在進行加熱和/或加壓的同時將半導體膜粘貼在形成活性層的面上而形成。另外，具有包含半導體膜的活性層，所述半導體膜含有有機半導體化合物，活性層可以含有通過拉伸而取向的半導體膜，且在進行加熱和/或加壓的同時將半導體膜粘貼在形成活性層的面上而形成。這些晶體管良好地形成有具有取向、且相對于相鄰面的密合性優異的活性層，因此載流子遷移率高、層間密合性高、可以發揮優異的晶體管特性。另外，這些晶體管與上述同樣，優選通過介由施工液的粘貼形成活性層。作為上述本發明的晶體管，例如特別優選具有下述構成。即，具有源極和漏極、成為它們之間的電流通路且包含含有有機半導體化合物的半導體膜的活性層、控制通過電流通路的電流的柵極、以及配置于活性層和柵極之間的絕緣層，活性層優選含有拉伸的半導體膜，且在進行加熱和/或加壓的同時將半導體膜與絕緣層粘貼而形成。另外，可以具有源極和漏極、成為它們之間的電流通路且包含含有有機半導體化合物的半導體膜的活性層、控制通過電流通路的電流的柵極、以及配置于活性層和4冊極之間的絕緣層，活性層含有取向的半導體膜，且在進行加熱和/或加壓的同時將半導體膜與絕緣層粘貼而形成。另外，還可以具有源極和漏極、成為它們之間的電流通路且包含含有有機半導體化合物的半導體膜的活性層、控制通過電流通路的電流的柵極、以及配置于活性層和柵極之間的絕緣層，活性層含有通過拉伸而取向的半導體膜，且在進行加熱和/或加壓的同時將半導體膜與絕緣層粘貼而形成。這些晶體管與上述本發明晶體管同樣，均含有具有取向、且相對于相鄰面的密合性優異的活性層，因此載流子遷移率高、層間密合性高、可以發揮優異的晶體管特性。另外，這些晶體管也優選通過使用施工液的粘貼形成活性層。而且，更優選在源極和/或漏極與活性層之間具有含有與有機半導體化合物不同的化合物的層。本發明提供具有上述本發明晶體管的半導體裝置。這種半導體裝置利用上述本發明晶體管所產生的優異晶體管特性，可以表現良好的特性。本發明可以提供即便通過簡單方法即可形成具有取向的活性層，獲得具有優異載流子遷移率的晶體管的晶體管制造方法，以及可以提供具備具有取向的活性層、具有高載流子遷移率的有機晶體管。圖1為第1實施方式的晶體管的模式截面圖。圖2為第2實施方式的晶體管的模式截面圖。圖3為第3實施方式的晶體管的模式截面圖。圖4為第4實施方式的晶體管的模式截面圖。圖5為第5實施方式的晶體管的模式截面圖。圖6為第6實施方式的晶體管的模式截面圖。圖7為表示第1實施方式的晶體管的制造方法的工序圖。圖8為表示第2實施方式的晶體管的制造方法的工序圖。圖9為表示第3實施方式的晶體管的制造方法的工序圖。圖10為表示第4實施方式的晶體管的制造方法的工序圖。圖11為表示第5實施方式的晶體管的制造方法的工序圖。圖12為表示第5實施方式的晶體管的制造方法的工序圖。圖13為表示第6實施方式的晶體管的制造方法的工序圖。圖14為表示第6實施方式的晶體管的制造方法的工序圖。圖15為表示實施例1-3的晶體管制造工序的圖。圖16為表示比較例2-5的晶體管的部分制造工序的圖。圖17為表示實施例4所得晶體管的模式截面圖。圖18為表示實施例6的晶體管的部分制造工序的的圖。符號說明9...施工液、IO...基板、12...柵極、14...絕緣層、16...源極、18...漏極、20,24...活性層、22，26...半導體膜、30,32，34,64...元件基板、36,38...第1元件基板、40...施工液、50...積層體、52...支撐薄膜、60，62…第2元件基板、100,105,110，115,120,125，200,210,300...晶體管、201...n-型硅基板、203...絕緣層、204a...源極、204b...漏極、205...積層體、206,216...元件基板、207...支撐薄膜、208...聚(3-己基噻吩)膜、215...拉伸積層體、217...拉伸后的支撐薄膜、218...拉伸后的聚(3-己基噻吩)膜、220...拉伸后的活性層、228...未拉伸的活性層、500...4-(三氟曱基)苯硫酚的層。具體實施例方式以下一邊參照附圖一邊說明本發明的優選實施方式。予以說明，在中相同要素帶有相同符號，省略重復的說明。另外，為了易于理解附圖而夸張描述了一部分，尺寸比例并非與說明的一致。以下，說明晶體管及其制造方法的優選實施方式，但本發明為使電流擴增或開關工作的半導體元件，只要是具備含有有機半導體化合物的活性層的晶體管則無特別限定，均可適用。而且，晶體管具有至少具備活性層和與該活性層相鄰的其它層的構成，活性層形成于上述其它層中形成該活性層的面上。作為這種晶體管，可以舉出雙極晶體管、靜電感應型晶體管、場效晶體管等。在以下說明中，特別說明具備源極和漏極、成為這些電極間電流通路含有有機半導體化合物的活性層、控制通過電流通路的電流的柵極、以及根據需要配置在活性層與柵極之間的絕緣層的晶體管及其制造方法。作為具有這種構成的晶體管，例如為場效晶體管時，可以舉出平面型、倒交錯(逆只夕方')型、交錯(只夕方')型等各種結構。首先，參照圖1~圖6說明第1~第6實施方式的晶體管構成。圖1為第1實施方式的晶體管的模式截面圖。圖1所示晶體管100具備基板10、形成在基板10上的柵極12、以覆蓋柵極12的方式形成于基板10上的絕緣層14、形成于絕緣層14上的源極16和漏極18、以覆蓋源極16和漏極18的方式形成于絕緣層14上的活性層20。圖2為第2實施方式的晶體管的模式截面圖。圖2所示晶體管105具備柵極12、形成在柵極12上的絕緣層14、形成在絕緣層14上的源極16和漏極18、以覆蓋源極16和漏極18的方式形成于絕緣層14上的活性層20。予以說明，該晶體管105的柵極12兼具上述第1實施方式的晶體管100的基板10的功能。圖3為第3實施方式的晶體管的模式截面圖。圖3所示晶體管110具備柵極12、形成在柵極12兩面上的絕緣層14、形成在絕緣層14一側上的源一及16和漏4及18、以覆蓋源一及16和漏纟及18的方式形成于絕緣層14上的活性層20、形成于活性層20上的支撐薄膜52。該晶體管110的柵極12兼具上述第1實施方式的晶體管100的基板10的功能。圖4為第4實施方式的晶體管的模式截面圖。圖4所示晶體管115具備柵極12、形成在柵極12上的絕緣層14、形成在絕緣層14上的活性層20、形成于活性層20上的源極16和漏極18。圖5為第5實施方式的晶體管的模式截面圖。該晶體管120為靜電感應型有機薄膜晶體管。圖5所示晶體管120具備基板10、形成在基板10上的源極16、形成在源極16上的活性層20、多個(此處為4個)形成于活性層20上的柵極12、以覆蓋這些柵極12的方式形成于活性層20上的活性層24、形成于該活性層24上的漏極18。在該晶體管120中，2個活性層20和24可以為由相同材料構成的層，也可以為由不同材料構成的層。圖6為第6實施方式的晶體管的模式截面圖。該晶體管125具備基板10、形成于基板10上的源極16和漏極18、以覆蓋這些源極16和漏極18的方式形成于基板10上的活性層20、形成于活性層20上的絕緣層14、形成于絕緣層14上的柵極12。在上述第1~第4以及第6實施方式的晶體管中，活性層20均為含有有機半導體化合物的層，成為源極16和漏極18之間的電流通路(通道)。另外，柵極12通過施加電壓控制通過活性層20的電流通路(通道)的電流。另外，在第5實施方式的晶體管中，活性層20和24含有有機半導體化合物，成為源極16和漏極18之間的電流通路。柵極12與上述同樣，控制通過電流通i^各的電流。以下在說明晶體管更詳細構成的同時說明上述各實施方式的晶體管的制造方法。(第1實施方式的晶體管的制造方法)首先，說明笫1實施方式的晶體管的制造方法。圖7為表示第1實施方式的晶體管的制造方法的工序圖。該制造方法中，首先準備具備基板IO、形成于基板10上的柵極12、以覆蓋柵極12的方式形成于基板10上的絕緣層14、形成于絕緣層14上的源極16和漏極18的元件基板30(圖7(a))。另外，與其不同，準備應該成為含有有機半導體化合物的活性層20的半導體膜22(圖7(b))。基板IO使用不會妨礙作為場效晶體管的特性的基板，可以舉出硅基板、玻璃基板、塑料基板、不銹鋼箔基板。絕緣層14含有電絕緣性高的材料，例如可以使用氧化硅、氮化硅、氧化鋁、氧化鉭、絕緣性聚合物等。這里，絕緣性聚合物可以舉出聚酰亞胺、聚(乙烯基苯酚)、聚酯、曱基丙烯酸樹脂、聚碳酸酯、聚苯乙烯、聚對二曱苯(川ijk^)等。絕緣層14的表面可以通過各種方法進行物理.化學修飾。物理修飾的方法例如可以舉出利用臭氧UV、02等離子體的處理。另夕卜，化學修飾的方法例如可以舉出利用硅烷偶聯劑等的表面處理劑的處理。表面處理劑可以舉出烷基氯硅烷類、烷基烷氧基硅烷類、氟化烷基氯硅烷類、氟化烷基烷氧基硅烷類、六甲基二硅氨烷等甲硅烷基胺化合物等。該表面處理例如可以通過使絕緣層14與上述表面處理劑的溶液或氣體接觸，使表面處理劑吸附于絕緣層14的表面來進行。表面處理前還可以用臭氧UV、02等離子體對進行絕緣層14的表面處理的面進行處理。在基板10上形成絕緣層14的方法例如可以舉出等離子體CVD法、熱蒸鍍法、熱氧化法、陽極氧化法、旋涂法、流延法、微凹印輥法、凹印輥法、才奉涂法、輥涂法、繞線棒涂覆法、浸涂法、噴涂法、絲網印刷法、橡膠版印刷法、膠版印刷法、噴墨印刷法等方法。柵極12、源極16和漏極18由導電性材料構成。導電性材料可以例舉出鋁、金、柏、銀、銅、鉻、鎳、鈦等金屬，ITO等導電性氧化物，聚(3,4-亞乙基二氧p塞吩)與聚苯乙烯磺酸的混合高分子等導電性高分子。另外，還可以是金屬微粒子、炭黑、石墨微粉分散在粘合劑中得到的導電性材料。具有上述構成的元件基板30可以通過公知的晶體管的制造方法制造，例如可以應用美國專利6107117號說明書所記載的方法。另一方面，應成為活性層20的半導體膜22可以僅由有機半導體化合物構成，還可以含有有機半導體化合物以外的添加成分。有才幾半導體化合物可以舉出低分子有機半導體化合物、高分子有機半導體化合物。添加成分可以舉出摻雜劑、調整活性層20內的載流子的調整材料、用于提高半導體膜機械特性的高分子材料等。予以說明，半導體膜22還可以含有多種有機半導體化合物或多種添加成分。有機半導體化合物從獲得良好成膜性的觀點出發，與低分子有機半導體化合物相比，更優選高分子有機半導體化合物。低分子有機半導體化合物、高分子有機半導體化合物例如分別可以舉出下述例示的化合物。予以說明，本發明的晶體管的活性層20所含的有機半導體化合物不必局限于下述例子。作為低分子有才幾半導體化合物例如可以舉出蒽、并四苯、并五苯(《^夕七:x)、苯并并五苯(0:/、:x夕七》)、二苯并并五苯(-《》乂'、《》夕七；/)、四苯并并五苯(亍卜，《:x乂、、《》夕七:x)、萘并并五苯(大7卜《>夕七》)、并六苯(、《廿七>)、并七苯(、7。夕七:x)、并九苯(大乂7七》)等多并苯化合物；菲、茜、7A(才^、芘、二苯并[c々A:]芘、二苯并茈、暈苯、苯并暈苯(《》乂i口才x)、二苯并暈苯(-、《》乂:3口矛>)、六苯并暈苯(、《廿:/>:/:1口豐7)、苯并二暈苯(o乂^、；7口矛>0、乙烯基暈苯等暈苯化合物；茈、特麗綸(亍ijl^"、二菲(^、n卩i^乂)、夕才f卩k》等茈化合物；卜卩大7浐》、庚芬(、:/夕7工^)、卵苯、玉紅省、紫蒽酮、異紫蒽酮、蒽、循環蒽、匕'只7*^r>、七、滅k》、、:/夕七、只i^》、皮蒽(匕。，y只"》)、匕'才，y^7、4乂匕'才，》亍^、聯苯、苯并[9,io]菲、三聯苯、四聯苯、廿一n匕'7工二^、少夕1^>、酞菁、卟啉、富勒烯("7，一I^少)(C60、C70)、四硫富瓦烯化合物、醌化合物、四氰基醌二甲烷化合物、聚噻吩的寡聚物、聚吡咯的寡聚物、聚亞苯基的寡聚物、聚苯乙炔(水'J:7工-k乂匕'-k>)的寡聚物、聚噻吩乙炔(求卩f工-k>匕'-k>)的寡聚物、噻吩與亞苯基的共聚物寡聚物、噻吩與芴的共聚物寡聚物的物質例如可以舉出并四苯的苯環加成衍生物的紅熒烯等。另外，還可以舉出擴張富勒烯類的共軛系得到的碳納米管等。另外，高分子有機半導體化合物可以舉出聚噻吩、聚亞苯基、聚苯胺、聚苯乙炔、聚噻吩乙炔、聚乙炔、聚二乙炔、聚三苯基胺、三苯基胺與亞苯基亞乙烯基(7工-^7匕、、-k^)的共聚物、噻吩與亞苯基的共聚物、噻吩與芴的共聚物等。或者還可以使用這些高分子有機半導體化合物的衍生物。這樣的物質例如可以舉出聚噻吩的烷基取代物的聚(3-己基噻吩)等。物。<formula>formulaseeoriginaldocumentpage15</formula>上述式(la)~(li)中，R1、R2、R3、R4、R5、R6、R7、R8和W各自獨立表示烷基、烷氧基、烷硫基、芳基、芳氧基、芳硫基、芳基烷基、芳基烷氧基、芳基烷硫基、芳基烯基、芳基炔基、氨基、取代氨基、曱硅烷基、取代甲硅烷基、曱硅烷基氧基、取代甲硅烷基氧基、l價的雜環基、卣原子或氰基。n為l以上的整數。作為有機半導體化合物以外的添加成分的摻雜劑可以舉出受體性摻雜劑和供體性摻雜劑。首先，受體性的摻雜劑可以舉出碘、溴、氯、氯化碘、渙化碘等卣素；硫酸、硫酸酐、二氧化硫、硫酸鹽等氧化硫化合物；硝酸、二氧化氮、硝酸鹽等氧化氮化合物；高氯酸鹽、次氯酸等卣化化合物；四氟硼酸、四氟硼酸鹽、磷酸、磷酸鹽、三氟醋酸等酸或其鹽；四氰基醌二甲烷、四氯四氰基醌二曱烷、四氟四氰基醌二曱烷、四氰基乙烯、二氯氰基乙烯、二氯二氰基醌、四氯醌、二氧化碳、氧等。另外，供體性的摻雜劑可以舉出四碌u富瓦烯(》)、四曱基四硫富瓦烯、四顧硫富瓦烯；二苯基苯二胺、四苯基苯二胺、四苯基聯苯二胺(f卜，77;、乂^7工-^)、聚乙烯基口卡唑等胺化合物；堿金屬、堿土類金屬、稀土類金屬或這些金屬與有機化合物的絡合物等。另外，作為調整活性層20內的載流子的調整材料，可以舉出具有導電性的材料，例如鋁、鐵、銅、鎳、鋅、銀、柏、金等過渡金屬或它們的微粒子。作為用于提高半導體膜22的機械特性的高分子材料，可以舉出聚碳酸酯、聚丙烯酸酯、聚丙烯酸曱酯、聚曱基丙烯酸曱酯、聚苯乙烯、聚氯乙烯、聚硅氧烷等。這種半導體膜22的制造中例如首先將有機半導體化合物或有機半導體化合物和其以外的添加成分溶解、分散于有機溶劑中制成溶液。接著，將該溶液例如涂覆在聚四氟乙烯樹脂板上后，使有機溶劑揮發。由此，獲得半導體膜22。予以說明，使用該半導體膜22時，優選從聚四氟乙烯樹脂板上剝離半導體膜22。作為用于制造半導體膜22的溶液所用的有機溶劑，可以舉出氯仿、二氯曱烷、二氯乙烷、三氯苯等氯系溶劑；四氬呋喃等醚系溶劑；甲苯、二曱苯、三曱苯、四氬化萘、萘烷、正丁基苯等芳香烴系溶劑；苯甲醚等具有烷氧基的芳香族系溶劑等。作為溶液的涂覆方法，可以舉出旋涂法、流延法、微凹印輥法、凹印輥法、棒涂法、輥涂法、繞線棒涂覆法、浸涂法、噴涂法、絲網印刷法、橡膠版印刷法、膠版印刷法、噴墨印刷法等。在第1實施方式的晶體管的制造方法中，在形成上述構成的半導體膜22后將所得半導體膜22拉伸。作為半導體膜22的拉伸方法可以舉出單軸拉伸、雙軸拉伸、液中膨潤拉伸、利用軋輥的拉伸等的方法。單軸拉伸為將制成四邊形的半導體膜22的1對對邊分別用夾具夾住，向相反方向拉伸的方法。此時，可以在室溫下拉伸，也可以在適當加熱的同時拉伸。另外，拉伸還可以在氮氣等特定氣體氛圍下進行。雙軸拉伸為將制成四邊形的半導體膜22的2對對邊分別用夾具夾住，同時或者依次向2個對邊方向拉伸薄膜的方法。此時，可以在室溫下拉伸，也可以在適當加熱的同時拉伸。另外，拉伸還可以在氮氣等特定氣體氛圍下進行。而且，液中膨潤拉伸是指在半導體膜22不溶解但膨潤的適當溶液中浸漬半導體膜22,在其中通過單軸拉伸或雙軸拉伸對薄膜進行拉伸的方法。此時，拉伸可以在室溫下進行，也可以在適當加熱的同時進行。通過上述拉伸，構成半導體膜22的有機半導體化合物在拉伸方向上定向并排列在一定方向上。即，通過上述拉伸，半導體膜22在拉伸方向上取向。含有如此取向的半導體膜22的活性層20的載流子遷移率高。因此，具有由拉伸的半導體膜22形成的活性層22的晶體管100(后述晶體管105、110、115、120、125也同樣)具有載流子遷移率方面優異的晶體管特性。本實施方式中，獲得如此拉伸后的半導體膜22后，實施在進行加熱和/或加壓的同時將該拉伸后的半導體膜22與元件基板30的絕緣層14粘貼的粘貼工序(圖7(c))。該絕緣層14的粘貼有半導體膜22的面相當于形成活性層20的面。該粘貼的具體方法并無特別限定，例如首先將半導體膜22放置在形成有源極16和漏極18的絕緣層14上。接著，對放置在絕緣層14上的半導體膜22進行加熱和/或加壓，密合于絕緣層14上。在粘貼工序中，可以^又進行加熱和加壓中的4壬一者，還可以進刊_兩者。在進行兩者時可以同時進行加熱和加壓，還可以先進行任一者后再進行另一者。在粘貼工序中，為了進一步提高密合性，還可以在減壓下進行粘貼。另外，在大氣下進行加熱等時，由于有機半導體化合物的種類不同，有時發生氧化等不期望特性變化的情況。因此，粘貼工序除了根據需要在減壓下進行之外，還可以在氮氣氛、遮光下等光、水分、氧等被控制的環境下進行。但是，當加熱或加壓在過剩的條件下進行時，半導體膜22的特性(例如取向性)等發生變化，有可能難以獲得具有所需特性的活性層20。因此，優選在適當條件下進行加熱或加壓。優選的加熱條件可以舉出室溫以上，在半導體膜22或與其粘貼的絕緣層14或元件基板30等不發生變形程度的溫度條件。例如半導體膜22含有高分子有機半導體化合物時，優選其液晶相或各向同性相轉變溫度以下的溫度。另一方面，當半導體膜22含有低分子有機化合物時，優選其熔點以下的溫度。予以說明，即便超過這些溫度，只要是不發生上述問題程度的短時間加熱也可實施。另外，加壓在半導體膜22和絕緣層14的積層方向上進行，例如還可以從半導體膜22的上方施加荷重，還可以使用軋輥對整個半導體膜22和元件基板30進行加壓。加壓時的壓力優選為不發生半導體膜22、構成元件基板30的絕緣層14、基板10、源極16或漏極18的變形或不良的程度。另外，在粘貼工序中，可以在半導體膜22和絕緣層14之間存在施工液。作為施工液，使用具有可以潤濕絕緣層14和活性層22兩者的性質的液狀物質(液體)。由此，可以良好地濡濕半導體膜22和絕緣層14,可以進一步提高兩者的密合性。作為這種施工液，優選與絕緣層14的形成活性層20的面的接觸角為120度以下、更優選為90度以下、進一步優選為60度以下。這里，"接觸角"是指在空氣中在絕緣層14上形成施工液的液滴時，由這三相接觸點向施工液所引切線與絕緣層14表面所成的角中，包含施工液的角度。優選的施工液優選根據絕緣層14的種類(與絕緣層14的接觸角)適當選擇。例如，當絕緣層14的表面為氧化硅(Si02等)時、由烷基三氯硅烷(十八烷基三氯硅烷等)所修飾的氧化硅時、氮化硅時、有機系絕緣膜時等，作為施工液優選曱醇、乙醇、異丙醇等碳數1~8的醇系溶劑，丙酮等酮系溶劑，二乙基醚等醚系溶劑，氯仿等鹵系溶劑(更優選混合有醇等)，甲苯等芳香烴系溶劑(更優選混合有醇等)，己烷、庚烷、辛烷等脂肪烴系溶劑，水(更優選含有表面活性劑)，乙腈等腈系溶劑；乙酸乙酯等酯系溶劑，氨水等含有胺系化合物的溶劑等。施工液還可以含有用于調節相對于絕緣層14的濡濕性的表面活性劑等添加物、可以調節由活性層20所致的晶體管特性的摻雜劑、用于調節活性層20中的載流子濃度的材料等。予以說明，作為施工液示例的上述溶劑可以單獨使用，還可以混合使用2種以上或更多。作為在半導體膜22和絕緣層14之間存在施工液而將它們粘貼的方法，例如可以舉出在半導體膜22和絕緣層14中的一個表面上涂覆施工液后，將另一面積層在該施工液上的方法。另外，除此以外的方法還可以舉出將半導體膜22和絕緣層14之間保持一定間隔(縫隙)，在該間隔中注入施工液的方法等。這些方法中，當施工液如上所述與絕緣層14的接觸角為120度以下時，可以高效地濡濕絕緣層14的表面，可以更加良好地進行粘貼。予以說明，在介由施工液的粘貼時，整個半導體膜22不會溶出到施工液中。這是由于，當整個半導體膜22溶出時，難以形成均勻的活性層20。為了避免半導體膜22的溶出，施工液優選使用具有與半導體膜22的溶解度參數(SP值)不同的溶解度參數的施工液。予以說明，在粘貼時，只要半導體膜22未全部溶解即可，即便是一部分溶解也沒有問題。而且，通過上述方法實施粘貼工序后，在使用施工液時，實施除去該施工液中不需要的揮發成份的除去工序。由此，半導體膜22和絕緣層14密合，獲得第1實施方式的晶體管100(圖7(d))。予以說明，在該除去工序中，施工液可以全部除去，還可以殘留一部分。例如只要良好地確保了絕緣層14和活性層20的粘接性，則可以將施工液全部除去。晶體管100的活性層20的厚度優選為10nm以上、更優選為40nm以上、進一步優選為200nm以上。活性層20的厚度為10nm以上時，可以獲得充分良好的晶體管特性，通過制成更厚的活性層20,可以易于獲得遷移率更高的晶體管。另外，通過增厚活性層20的厚度，有難以發生制造時所受物理損傷等導致的不良的傾向。為了獲得所需厚度的活性層20,優選在半導體膜22的階段中適當調整厚度。予以說明，活性層的優選厚度在下述第2和第3實施方式的晶體管中也是同樣的。在以上的第1實施方式的晶體管的制造方法中，半導體膜22的拉伸后將其與絕緣層14粘貼，本發明的晶體管的制造方法不必局限于此，可以將半導體膜22與絕緣層14粘貼后，進行該半導體膜22的拉伸。此時，例如通過在將半導體膜22與絕緣層14粘貼后，將粘貼有半導體膜22的整個積層基板30拉伸，可以進行粘貼后的半導體膜22的拉伸。另外，可以進行粘貼前的拉伸與粘貼后的拉伸兩者。這里，本發明中，優選將半導體膜22拉伸后將其與絕緣層14粘貼。此時，通過預先拉伸半導體膜22，可以適度地調整半導體膜22的取向性。另外，本發明中，在粘貼工序中進行加熱和/或加壓后，即使拉伸的操作產生阻礙半導體膜22相對于絕緣層14等的密合性的要因(半導體膜22的變形等)，也可以將半導體膜22良好地粘貼于絕緣層14。予以說明，如上所述，為了達成優異的載流子遷移率，優選通過半導體膜22的拉伸在該膜中產生取向，但并非必須產生取向。通過拉伸，半導體膜22成為優選的形狀等，但即使由于取向以外的要因，也有晶體管的載流子遷移率提高的情況。(第2實施方式的晶體管的制造方法)接著，說明笫2實施方式的晶體管的優選制造方法。圖8為表示第2實施方式的晶體管的制造方法的工序圖。該制造方法中，首先準備具備柵極12、形成于柵極12上的絕緣層14、形成于絕緣層14上的源極16和漏極18的元件基板32(圖8(a))。這里，柵極12兼具作為基板的功能。這種柵極12例如優選高濃度摻雜硅或鋁等金屬基板。絕緣層14、源極和漏極16、18可以與上述第1實施方式同樣地形成。在制造元件基板32的同時，準備應成為含有有機半導體化合物的活性層20的半導體膜22(圖8(b))。之后，與笫1實施方式同樣地拉伸半導體膜22。進行在加熱和/或加壓的同時粘貼半導體膜22和元件基板32的絕緣層14的粘貼工序(圖8(c))。該粘貼工序中使用施工液時，進一步根據需要進行除去施工液中不需要的揮發成分的除去工序。由此，獲得第2實施方式的晶體管105(圖8(d))。在該第2實施方式中，半導體22的拉伸可以不在與絕緣層14的粘貼前進行，而在粘貼后進行。此時，將未拉伸的半導體膜22與絕緣層14粘貼后，將粘貼有半導體膜22的整個元件基板32在規定方向上拉伸。(第3實施方式的晶體管的制造方法)接著，說明第3實施方式的晶體管的優選制造方法。圖9為表示第3實施方式的晶體管的制造方法的工序圖。該制造方法中，作為用于形成活性層的材料，使用粘貼有半導體膜22和支撐薄膜52的積層體。即，本實施方式中，首先準備具備柵極12、形成于柵極12兩面上的絕緣層14、形成于一個絕緣層14上的源極16和漏極18的元件基板34(圖9(a))。這里，與其不同，取代第1實施方式的半導體膜22，準備積層體50(在支撐薄膜52上積層有半導體膜22)(圖9(b))。予以說明，元件基板34的絕緣層14、源極16和漏極18可以與上述第1實施方式同樣地形成。積層體50的支撐薄膜52可以含有無機材料、有機材料的任一種。例如聚硅氧烷、氟系樹脂、聚乙烯、聚丙烯、甲基戊烯樹脂、聚碳酸酯、聚酰亞胺、聚酰胺、氯化乙烯、偏氯乙烯、丙烯酸樹脂、曱基丙烯酸樹脂、聚苯乙烯、尼龍、聚酯、聚乙烯醇等。這里，例如在與絕緣層14粘貼前使半導體膜22取向時，可以考慮單獨使半導體膜22取向的方法、在形成積層體50后取向的方法。后者的情況下，作為支撐薄膜52優選可以對應于規定的取向操作。這種支撐薄膜52例如優選聚乙烯、聚丙烯、甲基戊烯樹脂、聚碳酸酯、聚酰亞胺、聚酰胺、氯化乙烯、偏氯乙烯、曱基丙烯酸樹脂、尼龍、聚酯、聚乙烯醇等。支撐薄膜52還可以具備具有促進剝離積層于支撐薄膜52的半導體膜22的功能的層。例如，作為這種層可以舉出具有將光轉變為熱的功能的層、通過熱而膨脹的層等。這些層可以通過熱促進支撐薄膜52與半導體膜22的剝離。因此，當支撐薄膜52具有這些層時，在粘貼積層體50和絕緣層14的粘貼工序后，通過進行光照射或加熱，可以將支撐薄膜52容易地從活性層20上剝離。而且，當支撐薄膜52具有上述具有將光變換為熱的功能的層或通過熱而膨脹的層時，有活性層20的圖案形成變得容易的情況。即，例如將積層體50粘貼在絕緣層14后，介由支撐薄膜52向半導體膜22的規定部分照射光，利用凝斗進行加熱。這樣，半導體膜的光照射部分或加熱部分被轉印至絕緣層14上，而其他部分易于隨著支撐薄膜52剝離。結果，半導體膜22的僅上述規定部分殘留于絕緣層14上，由此形成圖案形成后的活性層20。積層體50例如可以如下形成將支撐薄膜52與預先形成的半導體膜22粘貼、向支撐薄膜52直接賦予有機半導體化合物、向支撐薄膜52直接涂覆有機半導體化合物的溶液，從而形成。向支撐薄膜52直接賦予有機半導體化合物例如為固體有機半導體化合物時，可以通過向支撐薄膜52上蒸鍍有機半導體化合物、噴涂熔融物、賦予升華等而進行。另外，向支撐薄膜52上直接涂覆有機半導體化合物溶液例如可以通過旋涂法、流延法、微凹印輥法、凹印輥法、纟奉涂法、輥涂法、繞線棒涂覆法、浸涂法、噴涂法、絲網印刷法、橡膠版印刷法、膠版印刷法、噴墨印刷法等。在使半導體膜22在粘貼于絕緣層14之前進行取向時，可以以積層體50的狀態進行。取向例如與上述第1實施方式相同，可以通過單軸拉伸、雙軸拉伸、液中膨潤拉伸等進行。此時，隨著半導體膜22，支撐薄膜52也被拉伸。另外，構成半導體膜22的有機半導體化合物具有液晶性時，除了拉伸，還可以通過作為液晶取向方法已知的其它方法進行半導體膜22的取向。作為這種方法例如可以舉出《液晶的基礎與應用》(松本正一、角田市良共著、工業調查會1991年)第5章、《強導電性液晶的結構與物性》(福田敦夫、竹添秀男共著、3口大社、1990年)第7章、《液晶》第3巻第1號(1999年)3-16頁等所記載的方法等。這些取向方法在上述第1和第2實施方式中、后述的第4~第6實施方式中也可以取代拉伸進行。作為這種取向方法，例如摩擦法、光取向法、剪切法(剪切應力施加法)或提拉涂覆法是簡單且有效的方法，特別易于利用。摩擦法為用布等輕輕摩擦支撐薄膜52的方法。擦拭支撐薄膜52的布可以舉出紗布、聚酯、棉花、尼龍、人造絲等布。摩擦使用的布可以對應取向的膜適當地選擇。此時，當在支撐薄膜52上另外形成取向膜時，取向性能變得更高。作為該取向膜可以舉出聚酰亞胺、聚酰胺、聚乙烯醇、聚酯、尼龍等，還可以使用市售的液晶用取向膜。取向膜可以通過旋涂法或橡膠版印刷法等形成。另外，光取向法是指在支撐薄膜52上形成取向膜，通過偏光UV光照射或者斜入射照射UV光，使其帶有取向功能的方法。作為取向膜可以舉出聚酰亞胺、聚酰胺、聚肉桂酸乙烯基酯等，還可以使用市售的液晶用取向膜。通過這種摩擦法或光取向法，可以使積層于實施了上述處理的支撐薄膜52上的有機半導體化合物(半導體膜22)取向。該取向在支撐薄膜52上產生，以使有機半導體化合物達到液晶相或各向同性相的溫M52上，也可以使形成于支撐薄膜52上的^:導體J22取:。'"而且，在支撐薄膜52上涂覆有機半導體化合物時，通過將有機半導體化合物至置于支撐薄膜52上，設定為其Tg以上或顯示液晶相或各向同性相的溫度，利用桿等在一個方向上進行涂覆，可以產生取向。用旋涂法i:膠版印刷等將其涂覆。予以說明，即便是該有機半導體化合物沒有液晶性時，只要可以蒸鍍，則通過將有機半導體化合物外延性地蒸鍍在實施過取向處理的支撐薄膜52上，可以獲得含有取向的有機半導體化合物的層(半導體膜22)。這里所謂的剪切法是指在置于支撐薄膜52上的有機半導體化合物上放置其它基板，在有機半導體化合物成為液晶相或各向同性相的溫度下將上方的基板向一個方向錯開的方法。此時，使用具有通過上述摩擦法或光取向法實施過所述取向處理的支撐層的薄膜作為支撐薄膜52時，可以獲得取向度更高的半導體膜22。上方的基板可以舉出玻璃、高分子薄膜等，還可以是金屬制的桿等。而且，提拉涂覆法是指將支撐薄膜52浸漬在有機半導體化合物的溶液中并進行提拉，從而在支撐薄膜52上形成取向的有機半導體化合物的層(半導體膜22)的方法。有機半導體化合物的溶液中所用有機溶劑、支撐薄膜52的提拉速度等條件并無特別限定，優選根據所需有機半導體化合物的取向度適當地選擇、調整。以上說明了數個半導體膜22的取向方法，在第1~第6實施方式任一個中從簡單性和有用性的觀點出發，取向優選通過拉伸進行。接著，在準備元件基板34和積層體50后，實施在進行加熱和/或加壓的同時將積層體50和元件基板34的絕緣層14粘貼的粘貼工序(圖9(c))。該加熱或加壓的條件可以與第1實施方式同樣。另外，粘貼工序除了上述加熱和/或加壓，為了進一步提高密合性、進一步促進除去施工液，可以在減壓條件下進行。在第3實施方式的晶體管的制造方法中，例如在粘貼工序中使用施工液時，可以根據需要實施除去該施工液中的不需要的揮發成份的除去工序。由此，可以獲得支撐薄膜52積層于活性層20上的狀態的第3實施方式的晶體管110(圖9(d))。予以說明，該晶體管110完成后，支撐薄膜52可以除去，只要實用上沒有問題則可以直接積層。積層支撐薄膜52時，作為該支撐薄膜52優選兼具從使活性層20特性降低的要因(物理損傷、大氣等所導致的氣體影響、帶電等)方面進行保護的功能。予以說明，使半導體膜22取向的工序和粘貼工序可以如上所述先實施任一個，特別是通過拉伸以外的方法使半導體膜22取向時，優選先使半導體膜22取向后，使用該取向的半導體膜22實施粘貼工序。這樣，有更易獲得具有所需取向的活性層20的傾向。(第4實施方式的晶體管的制造方法)接著，說明第4實施方式的晶體管的制造方法。圖10為表示第4實施方式的晶體管的制造方法的工序圖。該制造方法中，首先準備具備柵極12、形成于其上的絕緣層14的第1元件基板36(圖10(a))。該柵極12兼具作為基板的功能。柵極12和絕緣層14的構成和制造方法可以與第2實施方式等同樣地進行。另外，在制造第1元件基板36的同時，準備應成為含有有機半導體化合物的活性層20的半導體膜22(圖10(b))。接著，適當地進行該半導體膜22的拉伸或其它用于賦予取向性的處理。然后，進行在加熱和/或加壓的同時將半導體膜22與第1元件基板36的絕緣層14粘貼的粘貼工序(圖10(c))。這樣，形成在元件基板36上形成活性層20的第2元件基板60(圖10(d))。在該粘貼工序中，還可以使用第3實施方式的積層體50取代半導體膜22。此時，在粘貼后除去積層體50的支撐薄膜52后進行后述的操作。然后，在該笫2元件基板60的活性層20上與第1實施方式等同樣地形成源極16和漏極18,由此獲得第4實施方式的晶體管115(圖10(e))。在該第4實施方式的晶體管制造中，半導體膜22的拉伸或其它取向操作可以在半導體膜22的粘貼前進行，還可以在粘貼后進行。(第5實施方式的晶體管的制造方法)接著，說明第5實施方式的晶體管的優選制造方法。圖11和圖12為表示第5實施方式的晶體管的制造方法的工序圖。該制造方法中，首先準備具備基板10和形成于其上的源極16的第1元件基板38(圖11(a))。與此不同，準備應成為含有有機半導體化合物的活性層20的半導體膜22(圖11(b)),對該半導體膜22進行拉伸或其它取向操作。然后，進行在加熱和/或加壓的同時將該半導體膜22與第l基板元件38的源極16粘貼的第1粘貼工序(圖11(c))。該第1粘貼工序可以與第1實施方式等同樣地實施。使半導體膜22密合于第l元件基板38，由該半導體膜22形成活性層20(圖11(d))。之后，在形成于第1元件基板38上的活性層20上形成多個(此處為4個)柵極12,由此獲得笫2元件基板62(圖11(e))。該柵極12也可以使用與第1實施方式等同樣的^f冊極。接著，在制造第2元件基板62(圖12(e))的同時，另外準備應成為含有有機半導體化合物的活性層24的半導體膜26(圖12(f))。對于該半導體膜26，適當地進行拉伸或其它取向操作。作為構成該半導體膜26的有機半導體化合物可以使用與活性層20相同的化合物，還可以使用不同的化合物。然后，進行在加熱和/或加壓的同時將該半導體膜26與第2基板元件62的活性層20粘貼的第2粘貼工序(圖12(g))。由此，半導體膜26以覆蓋柵極12的方式粘貼在活性層20上。該第2粘貼工序也可以與第1實施方式等同樣地進行。予以說明，在第1和第2粘貼工序中，可以與上述實施方式同樣地^吏用施工液，這些工序的施工液可以相同，可以不同。通過上述第2粘貼工序，使半導體膜26以挾持柵極12的方式密合于活性層20,形成活性層24(圖12(h))。然后，在如此形成的活25性層24上與第1實施方式等同樣地形成漏極18，由此獲得第5實施方式的晶體管120(圖12(i))。予以i兌明，在該第5實施方式的晶體管的制造工序中，活性層20和24中的任一者例如可以通過日本特開2004-006476號公報所記載的方法形成。另外，在第l、第2粘貼工序中，可以使用第3實施方式的積層體50代替半導體膜22。此時，在粘貼后除去積層體50的支撐體薄膜52后進行之后的操作。上述第5實施方式的晶體管的制造方法中，對用于形成活性層20和24的半導體膜22和26兩者進行拉伸等取向操作，但不必局限于此，對至少一者半導體膜進行拉伸等處理時，可以謀求提高載流子遷移率。另外，本實施方式中，在各粘貼工序中，可以在將未拉伸的半導體膜22、26分別粘貼后，對粘貼它們后的基板(例如第1元件基板38、第2元件基板62)進行拉伸等取向操作。還可以在拉伸前粘貼一個半導體膜，在拉伸后粘貼另一個半導體膜。(第6實施方式的晶體管的制造方法)接著，說明第6實施方式的晶體管的優選制造方法。圖13和圖14為表示第6實施方式的晶體管的制造方法的工序圖。該制造方法中，首先準備具備基板10和形成于其上的源極16和漏極18的元件基板64(圖13(a))。該源極16和漏極18可以通過與第1實施方式等同樣的方法形成。另外，在制造元件基板64的同時，準備應成為含有有機半導體化合物的活性層20的半導體膜22(圖13(b))。接著，對該半導體膜22進行適當的如上所述的拉伸或其它用于賦予取向性的操作。然后，進行在加熱和/或加壓的同時將拉伸或取向后的半導體膜22與元件基板64的基板10粘貼的粘貼工序(圖13(c))。由此在基板10上以覆蓋源極16和漏極18的方式形成活性層20(圖13(d))。接著，在該活性層20上與第1實施方式等同樣形成絕緣層14(圖14(e))。然后在如此形成的絕緣層14上與第1實施方式同樣形成柵極12,由此獲得第6實施方式的晶體管125(圖14(f))。予以說明，在該笫6實施方式的晶體管的制造中，在粘貼工序中可以使用第3實施方式的積層體50代替半導體膜22。此時，粘貼后接著進行除去積層體50的支撐薄膜52的操作。另外，支撐薄膜52兼具作為絕緣層14的功能時，可以不除去支撐體52直接作為絕緣層14。以上，以優選的有機半導體元件及其制造方法為例，說明第1~第6實施方式的晶體管及其制造方法，但本發明的晶體管或其制造方法不必局限于上述實施方式，可以進行適當變更。例如，首先各實施方式的晶體管的活性層20(在第5實施方式中為活性層20和24)并非必需分別為單一層，還可以含有多層。活性層20、24為多層時，這些多層可以分別由相同材料構成，也可以由不同材料構成。這種含有多層的活性層20、24可以如下形成在用于形成活性層20、24的半導體膜22、26上根據需要除去殘留于其上的支撐薄膜等后，進一步積層相同或不同種類的半導體膜而形成。另外，在上述實施方式中，均為源極16、漏極18與活性層20或24直接相連的結構，但不必局限于此，還可以在源極16和/或漏極18和活性層20、24之間存在含有與有機半導體化合物不同的化合物的層。由此，可以降低源極16和漏極18與活性層20、24之間的接觸電阻，可以更加提高晶體管的載流子遷移率。與有機半導體化合物不同的化合物可以舉出供體性化合物、受體性化合物、具有巰基的化合物等。這里，供體性的化合物可以舉出四硫富瓦烯、四甲基四硫富瓦烯、四硒硫富瓦烯；二苯基苯二胺、四苯基苯二胺、四苯基聯苯二胺、聚乙烯基。卡唑等胺化合物；堿金屬、堿土類金屬、稀土類金屬或這些金屬與有機化合物的絡合物等。受體性的化合物可以舉出碘、溴、氯、氯化械、溴化捵等卣素；硫酸、硫酸酐、二氧化硫、硫酸鹽等氧化;危化合物；硝酸、二氧化氮、硝酸鹽等氧化氮無水物；高氯酸鹽、次氯酸等卣化化合物；四氟硼酸、四氟硼酸鹽、磷酸、磷酸鹽、三氟醋酸等酸或其鹽；四氰基醌二曱烷、四氯四氰基醌二曱烷、四氟四氰基醌二曱烷、四氰基乙烯、二氯氰基乙烯、二氯二氰基醌、四氯醌等。具有巰基的化合物可以舉出烷基硫醇類、氟化烷基硫醇類等烷基硫醇化合物，芳香族硫醇類、氟化烷基芳香族疏醇類、氟化芳香族硫醇類、硝基芳香族硫醇類、氨基芳香族硫醇類等芳香族硫醇化合物等。含有這些化合物的層例如可以如下形成使上述化合物的溶液或氣體接觸于源極16、漏極18的表面，使上述化合物吸附于該接觸表面而形成。另外，在上述各實施方式的晶體管中，源極16、漏極18的厚度并無特別限定。如第1~第3和第5實施方式，當在源極16、漏極18上形成活性層20或24等時，為了進一步提高與活性層20、24的密合性，優選源極16、漏極18在不損害作為這些電極的功能的范圍內盡量地薄。第1~第6實施方式的晶體管中，可以在完成上述元件結構后進行密封，制成密封晶體管。由此，除了將晶體管隔離大氣之外，還可以從物理損傷等方面進行保護，可以抑制晶體管的特性降低。作為密封的方法可以舉出利用絕緣性聚合物、UV固化樹脂、熱固化樹脂或無機的氧化硅膜或氮化硅膜等覆蓋元件結構的方法，利用UV固化樹脂或熱固化樹脂等將玻璃板、薄膜粘貼于元件結構的方法等。為了有效地與大氣隔離，優選在制作晶體管后，不要暴露于大氣中(例如保管在干燥的氮氛圍、真空中)來進行密封之前的工序。上述晶體管優選應用于半導體裝置。半導體裝置可以舉出無線標簽、顯示器、大面積傳感器(大面七>廿)等。半導體裝置中，例如晶體管可以通過單獨或與其它晶體管的多個組合而構成理論電路。具體地說，優選作為半導體裝置的顯示器像素的開關用晶體管、信號驅動器電路元件、存儲電路元件、信號處理電路元件等。作為顯示器可以寬范圍地應用電子紙、液晶或有機LED等。實施例以下根據實施例和比較例更加具體地說明本發明。本發明不必局限于以下實施例。<有機半導體化合物>聚(3-己基p塞吩)和聚(3-辛基噻吩)使用購自7V^卜'9f社的產品。另外，這些聚(3-己基噻吩)和聚(3-辛基噻吩)使用區域規則性(k、-才k《工，一)的。[晶體管的制造及其評價]如下所示，分別根據圖15或圖16所示工序制作實施例1~3和比較例1~5的晶體管，評價由此獲得的各晶體管的特性。[實施例1](晶體管的制造)(1)元件基板的制作首先，如圖15(a)所示，對成為兼具基板的柵極的高濃度摻雜的n-型硅基板201的表面進行熱氧化，從而形成200nm含有硅氧化膜的絕緣層203，使用其作為支撐基板。接著，如圖15(b)所示，通過真空蒸鍍法在該基板201的絕緣層203的一個表面上蒸鍍金，以使厚度為65nm,形成具有引出線和墊的源極204a和漏極204b。此時的電極通道寬度為500pm、通道長為20pm。接著，參照文獻(S.R.Wasserman,等，Langmuir，Vol.5,p1074,1989)所記載的方法，將絕緣層203的表面浸漬于十八烷基三氯硅烷的辛烷溶液(6mmol/L)進行修飾，由此形成元件基板206。(2)拉伸積層體的制作另一方面，與元件基板206不同，準備活性層形成用的積層體。即，首先在大氣下制備聚(3-己基噻吩)的氯仿溶液(2.0wt%)。接著，如圖15(c)所示，在氮氣氛的手套箱(夕、'口一:/求少夕只)內利用旋涂法(1000rpm)將聚(3-己基噻吩)的氯仿溶液涂覆在作為支撐薄膜207的聚乙烯薄膜上。由此，形成在聚乙烯的支撐薄膜207上積層有聚(3-己基噻吩)薄膜208的積層體205。接著，在氮氣氛、100。C下將該積層體205單軸拉伸2.5倍。由此，獲得含有拉伸后支撐薄膜217和拉伸后的聚(3-己基噻吩)膜218的拉伸積層體215(圖15(d))。這里，如下所示確認拉伸積層體215的聚(3-己基噻吩)膜218的取向狀態。即，首先切取拉伸積層體215的一部分，將其壓接在利用加熱板加熱至6(TC的載玻片上使得與其聚(3-己基噻吩)膜218相接觸。隨后，利用鑷子僅剝離支撐薄膜217,從而將聚(3-己基噻吩)膜218轉印至載玻片上。通過偏光顯微鏡觀察該轉印的聚(3-己基噻吩)膜218。結果，聚(3-己基噻吩)膜218在上述積層體205的拉伸方向上取向。(3)晶體管的制作接著，如圖15(e)所示，在形成有源極204a和漏極204b的絕緣層203上用鑷子放置拉伸積層體215，以使該聚(3-己基噻吩)膜218與形成有源極204a和漏極204b的絕緣層203相對。然后利用《》37卜>(旭化成)由上對拉伸積層體215的表面進行非常輕柔的摩擦。此時，拉伸積層體215的拉伸方向與連接源極向平行。之后，4吏用力。熱板在氮氣氛、8(TC下對載有4立伸積層體215的元件基板206加熱40分鐘。如此，獲得實施例1的晶體管200(圖15(f))。(I-V特性的測定)對于所得晶體管，以硅基板201作為柵極，在氮氣氛下施加+50~-40V柵電壓VG、-40V源極-漏極間電壓Vsd,測定晶體管特性。結果，由I-V特性獲得的遷移率為1.7xl(r2cm2/Vs。[實施例2](晶體管的制造)在(3)的晶體管制作中，除了在將拉伸積層體215放置在元件基板206后，對其施加荷重0.47kg/cm2,同時用加熱板在氮氣氛、80。C下加熱40分鐘、進而9(TC下加熱45分鐘之外，與實施例1同樣地獲得實施例2的晶體管200。(I-V特性的測定)對于所得晶體管，以硅基板201作為柵極，在氮氣氛下施加+50~-40V柵電壓Vcj、-40V源極-漏極間電壓VSD,測定晶體管特性。結果，由I-V特性獲得的遷移率為2.8xl(T2cm2/Vs。[實施例3](晶體管的制造)在(3)的晶體管制作中，除了在將拉伸積層體215放置在元件基板206后，僅對其實施氮氣氛下施加30分鐘2.7kg/cm2荷重的操作之外，與實施例1同樣地獲得實施例3的晶體管200。(I-V特性的測定)對于所得晶體管，以硅基板201作為柵極，在氮氣氛下施加+50~-40V柵電壓VG、-40￥源極-漏極間電壓VSD,測定晶體管特性。結果，由I-V特性獲得的遷移率為8.1xl。-3cm2/Vs。[比較例1](晶體管的制造)在(3)的晶體管制作中，除了未加熱載有拉伸積層體215的元件基板206之外，與實施例1同樣地獲得比較例1的晶體管200。(I-V特性的測定)對于所得晶體管，以硅基板201作為柵極，在氮氣氛下施加+50~-40V柵電壓VG、-40￥源極-漏極間電壓Vsd,測定晶體管特性。結果，由I-V特性獲得的遷移率為2.0xl(T3cm2/Vs。[比較例2](晶體管的制造)(1)元件基板的制作首先，按照圖15(a)和圖15(b)所示的制造工序，與實施例1同樣地形成元件基板206。(2)積層體的制作另一方面，與元件基板206不同，如圖15(c)所示準備活性層形成用的積層體。即，首先在大氣下制備聚(3-己基噻吩)的氯仿溶液(2.0wt%)。接著，在氮氣氛的手套箱內利用旋涂法(1000rpm)將聚(3-己基噻吩)的氯仿溶液涂覆在作為支撐薄膜207的聚乙烯薄膜上。由此，形成在聚乙烯的支撐薄膜207上積層有聚(3-己基噻吩)薄膜208的積層體205。在比較例2中不進行該積層體205的拉伸，直接剪切為適當大小，用于晶體管的制作。(3)晶體管的制作接著，如圖16(a)所示，在形成有源極204a和漏極204b的絕緣層203上用鑷子放置積層體205,以使該聚(3-己基噻吩)膜208與形成有源極204a和漏極204b的絕緣層203相對。然后利用《7-7卜7(旭化成)由上對積層體205的表面進行非常輕柔的摩擦。之后，使用加熱板在氮氣氛、8(TC下對載有積層體205的元件基板206加熱40分鐘。如此，獲得具備含有聚(3-己基噻吩)的未拉伸活性層228的比較例2的晶體管210(圖16(b))。(I-V特性的測定)對于所得晶體管，以硅基板201作為柵極，在氮氣氛下施加+50~-40￥柵電壓￥(3、-40￥源極-漏極間電壓VSD,測定晶體管特性。結果，由I-V特性獲得的遷移率為l.lxl(T2cm2/Vs。[比較例3](晶體管的制造)在(3)的晶體管制作中，除了在將積層體205放置在元件基板206上后(圖16(a))，對其施加0.47kg/cm2荷重的同時使用加熱板在氮氣氛80。C下加熱40分鐘、進而90。C下加熱45分鐘之外，與比4交例2同樣地獲得具有含有聚(3-己基噻吩)的未拉伸活性層228的比較例3的晶體管210。(I-V特性的測定)對于所得晶體管，以硅基板201作為柵極，在氮氣氛下施加+40~-40V柵電壓V(j、-40￥源極-漏極間電壓Vsd，測定晶體管特性。結果，由I-V特性獲得的遷移率為2.0xl(T2cm2/Vs。[比較例4](晶體管的制造)在(3)的晶體管制作中，除了在將積層體205放置在元件基板206上后(圖16(a)),僅對其實施施加30分鐘2.7kg/cn^荷重的操作之夕卜，與比較例2同樣地獲得具有含有聚(3-己基噻吩)的未拉伸活性層228的比較例4的晶體管210(圖16(b))。(I-V特性的測定)對于所得晶體管，以硅基板201作為柵極，在氮氣氛下施加+50~-40V柵電壓VG、-40￥源極-漏極間電壓Vsd,測定晶體管特性。結果，由I-V特性獲得的遷移率為7.6xl(r3cm2/Vs。[比較例5](晶體管的制造)在(3)的晶體管制作中，除了在將積層體205放置在元件基板206上后(圖16(a)),不進行該加熱之外，與比較例1同樣地獲得比較例5的晶體管210。(I-V特性的測定)對于所得晶體管，以硅基板201作為柵極，在氮氣氛下施加+50~-40￥柵電壓￥(>、-40￥源極-漏極間電壓Vsd,測定晶體管特性。結果，由I-V特性獲得的遷移率為5.7xl(T3cm2/Vs。[實施例4](晶體管的制造)除了使用在元件基板206的源極204a和漏極204b上進一步形成有4_(三氟甲基)苯硫酚層500的元件基板216(參照圖18)作為元件基板之外，與實施例1同樣地制造晶體管。如圖17所示，獲得在源極204a和漏極204b與活性層220之間具有4-(三氟甲基)苯硫盼層500的晶體管300。4-(三氟曱基)苯石危酚層500如下形成在形成元件基板206后，將其浸漬在4-(三氟曱基)苯硫酚的乙醇溶液(lmmol/L)0.5小時，從而形成。(I-V特性的測定)對于所得晶體管，以硅基板201作為柵極，在氮氣氛下施加+40~-40￥柵電壓￥0、-40丫源極-漏極間電壓VSD,測定晶體管特性。結果，由I-V特性獲得的遷移率為4.1xl(T2cm2/Vs。[比較例6](晶體管的制造)在(3)的晶體管制作中，除了使用與比較例2同樣的未拉伸積層體205代替拉伸積層體215之外，與實施例4同樣地獲得晶體管。由此，獲得除了分別具有未拉伸活性層228和未拉伸支撐薄膜207代替活性層220和拉伸后支撐薄膜217之外具有與實施例4的晶體管300同樣構成的比較例6的晶體管。(I-V特性的測定)對于所得晶體管，以硅基板201作為柵極，在氮氣氛下施加+40~-40￥柵電壓￥(1、-40￥源極-漏極間電壓Vsd,測定晶體管特性。結果，由I-V特性獲得的遷移率為2.7xl(T2cm2/Vs。[實施例5](晶體管的制造)(1)元件基板的制作首先，與實施例1同樣制作元件基板206后，在其源極204a和漏極204b上與實施例4同樣地形成4-(三氟曱基)苯硫酚層500,獲得元件基板216(圖18)。(2)拉伸積層體的制作與實施例1同樣地獲得拉伸積層體215。(3)晶體管的制作接著，如圖18所示，在元件基板216的絕緣層203上利用滴液吸移管放置甲醇的液滴作為施工液9，介由該施工液9用4聶子放置拉伸積層體215,以使該聚(3-己基蓬吩)膜218與形成有源極204a和漏極204b的絕緣層203相對。此時，拉伸積層體215的拉伸方向與連接源極204a和漏極204b的方向平行。然后靜置直至干燥除去作為施工液9的曱醇。由此，拉伸積層體215以覆蓋源極204a和漏極204b的方式自然地密合在絕緣層203上。接著，與實施例4同樣地進行80'C下40分鐘的加熱處理。獲得具有與實施例4的晶體管300相同構成的實施例5的晶體管。(I-V特性的測定)對于所得晶體管，以硅基板201作為柵極，在氮氣氛下施加+40~-40￥柵電壓￥0、-40V源極-漏極間電壓Vsd，測定晶體管特性。結果，由I-V特性獲得的遷移率為1.2xl(rW/Vs。[比較例7](晶體管的制造)在(3)的晶體管制作中，除了使用與比較例2同樣的未拉伸積層體205代替拉伸積層體215之外，與實施例5同樣地獲得晶體管。由此，獲得通過介由施工液9的粘貼而形成有未拉伸活性層228的具有與比較例6相同構成的比較例7的晶體管。(I-V特性的測定)對于所得晶體管，以硅基板201作為柵極，在氮氣氛下施加+40~-40￥柵電壓￥0、-40￥源極-漏極間電壓VSD,測定晶體管特性。結果，由I-V特性獲得的遷移率為8.8xl(T2cm2/Vs。實施例1~5和比較例1~7制作的晶體管的特性綜合示于表1和表2。表1均表示進行了應形成活性層的半導體膜拉伸而獲得的實施例1~5和比較例1的晶體管的特性，表2表示未進行半導體膜拉伸的比較例2~7的晶體管的特性。各表中，遷移率提高率的值均為以形成活性層時未進行加熱和加壓時所得晶體管遷移率為100%而求得的值，表示通過加熱和/或加壓，遷移率提高的比例。<table>tableseeoriginaldocumentpage35</column></row><table>表2<table>tableseeoriginaldocumentpage35</column></row><table>由表1和表2可知，進行了利用形成活性層的半導體膜的拉伸的取向的實施例1~5的晶體管在形成活性層時進行加熱和/或加壓，而導致遷移率的提高顯著，結果具有優異的晶體管特性。另外，例如，如實施例1和比4交例2、實施例2和比4交例3、實施例3和比較例4所示，當使活性層的形成條件相同時，進行了拉伸的各實施例的晶體管相比較于未進行拉伸的比較例，遷移率高，可以發揮優異的晶體管特性。而且，由比較例1和比較例5的比較可知，僅拉伸時，并不會發生組合進行加熱和加壓時的遷移率提高。另外，通過如實施例4所示在源極和漏極與活性層之間設置4-(三氟曱基)苯硫盼層、如實施例5所示進行使用了施工液的粘貼，會發生進一步的遷移率提高。而且，由比較例6、7的比較可知，在具有拉伸的活性層時，與未拉伸的情況相比，上述效果變得顯著優異。[實施例6~11](晶體管的制造)在(2)的拉伸積層體的制作中，除了使用聚(3-辛基噻吩)代替聚(3-己基p塞吩)且將積層體205單軸拉伸3.5倍且使加熱時間為1小時之外，與實施例1同樣地制造實施例6~11的晶體管。實施例6~11中，通過改變積層體5形成所用聚(3-辛基噻吩)的氯仿溶液濃度，形成具有各種膜厚的聚(3-己基噻吩)膜208,由此獲得具有膜厚分別不同的活性層220的各種晶體管。(I-V特性的測定)對于所得晶體管，以硅基板201作為柵極，在氮氣氛下施加+40~-40￥柵電壓￥(3、-40V源極-漏極間電壓VSD,測定晶體管特性，有所得I-V特性計算遷移率。將所得結果與各實施例的晶體管的活性層220的膜厚一并示于表3中。表3<table>tableseeoriginaldocumentpage37</column></row><table>由表3可知，活性層的膜厚越厚，則可以獲得越高的遷移率。由上可知，通過賦予半導體膜取向性、且在加熱和/加壓的同時將半導體膜和相鄰層粘貼，可以獲得載流子遷移率高、具有優異的晶體管特性的晶體管。權利要求1.晶體管的制造方法，其為具有包含半導體膜的活性層的晶體管的制造方法，所述半導體膜含有有機半導體化合物，該方法包括將所述半導體膜拉伸的工序、和在進行加熱和/或加壓的同時將所述半導體膜粘貼在形成所述活性層的面上獲得所述活性層的工序。2.晶體管的制造方法，其為具有包含半導體膜的活性層的晶體管的制造方法，所述半導體膜含有有機半導體化合物，該方法包括使所述半導體膜取向的工序、和在進行加熱和/或加壓的同時將所述半導體膜粘貼在形成所述活性層的面上獲得所述活性層的工序。3.晶體管的制造方法，其為具有包含半導體膜的活性層的晶體管的制造方法，所述半導體膜含有有機半導體化合物，該方法包括將所述半導體膜拉伸而取向的工序、和在進行加熱和/或加壓的同時將所述半導體膜粘貼在形成所述活性層的面上獲得所述活性層的工序。4.權利要求13任一項所述的晶體管的制造方法，其中，在與所述面之間存在施工液而將所述半導體膜與所述面粘貼。5.晶體管的制造方法，其為具有源極和漏極、成為它們之間的電流通路且包含含有有機半導體化合物的半導體膜的活性層、控制通過所述電流通路的電流的柵極、以及配置在所述活性層和所述柵極之間的絕緣層的晶體管的制造方法，該方法包括將所述半導體膜拉伸的工序、和在進行加熱和/或加壓的同時將所述半導體膜與所述絕緣層粘貼獲得所述活性層的工序。6.晶體管的制造方法，其為具有源極和漏極、成為它們之間的電流通路且包含含有有機半導體化合物的半導體膜的活性層、控制通過所述電流通路的電流的柵極、以及配置在所述活性層和所述柵極之間的絕緣層的晶體管的制造方法，該方法包括使所述半導體膜取向的工序、和在進行加熱和/或加壓的同時將所述半導體膜與所述絕緣層粘貼獲得所述活性層的工序。7.晶體管的制造方法，其為具有源極和漏極、成為它們之間的電流通路且包含含有有機半導體化合物的半導體膜的活性層、控制通過所述電流通路的電流的柵極、以及配置在所述活性層和所述柵極之間的絕緣層的晶體管的制造方法，該方法包括使所述半導體膜拉伸而取向的工序、和在進行加熱和/或加壓的同時將所述半導體膜與所述絕緣層粘貼獲得所述活性層的工序。8.權利要求5~7任一項所述的晶體管的制造方法，其中，在與所述絕緣層之間存在施工液而將所述半導體膜與該絕緣層粘貼。9.權利要求5~8任一項所述的晶體管的制造方法，其中，所述晶體管在所述源極和/或所述漏極與所述活性層之間具有含有與所述有機半導體化合物不同化合物的層。10.晶體管，其為具有包含半導體膜的活性層的晶體管，所述半導體膜含有有機半導體化合物，所述活性層含有拉伸的所述半導體膜，且在進行加熱和/或加壓的同時將所述半導體膜粘貼在形成所述活性層的面上而形成。11.晶體管，其為具有包含半導體膜的活性層的晶體管，所述半導體膜含有有機半導體化合物，所述活性層含有取向的所述半導體膜，且在進行加熱和/或加壓的同時將所述半導體膜粘貼在形成所述活性層的面上而形成。12.晶體管，其為具有包含半導體膜的活性層的晶體管，所述半導體膜含有有機半導體化合物，所述活性層含有取向拉伸的所述半導體膜，且在進行加熱和/或加壓的同時將所述半導體膜粘貼在形成所述活性層的面上而形成。13.權利要求10~12任一項所述的晶體管，其中所述活性層如下形成在與所述面之間存在施工液的狀態下將所述半導體膜粘貼在該面上而形成。14.晶體管，其具有源極和漏極、成為它們之間的電流通路且包含含有有機半導體化合物的半導體膜的活性層、控制通過所述電流通路的電流的柵極、以及配置在所述活性層和所述柵極之間的絕緣層，所述活性層含有拉伸的所述半導體膜，且在進行加熱和/或加壓的同時將所述半導體膜與所述絕緣層粘貼而形成。15.晶體管，其具有源極和漏極、成為它們之間的電流通路且包含含有有機半導體化合物的半導體膜的活性層、控制通過所述電流通路的電流的柵極、以及配置在所述活性層和所述柵極之間的絕緣層，所述活性層含有取向的所述半導體膜，且在進行加熱和/或加壓的同時將所述半導體膜與所述絕緣層粘貼而形成。16.晶體管，其具有源極和漏極、成為它們之間的電流通路且包含含有有機半導體化合物的半導體膜的活性層、控制通過所述電流通路的電流的柵極、以及配置在所述活性層和所述柵極之間的絕緣層，所述活性層含有通過拉伸而取向的所述半導體膜，且在進行加熱和/或加壓的同時將所述半導體膜與所述絕緣層粘貼而形成。17.權利要求14~16任一項所述的晶體管，其中所述活性層如下形成在與所述絕緣層之間存在施工液的狀態下將所述半導體膜與該絕緣層粘貼而形成。18.權利要求14-17任一項所述的晶體管，其中在所述源極和/或合物的層。19.半導體裝置，其具有權利要求10~18任一項所述的晶體管全文摘要本發明的目的在于提供通過簡單的方法即可形成具有取向的活性層，可以獲得具有優異載流子遷移率的晶體管的晶體管制造方法。本發明的晶體管的制造方法為具有包含半導體膜的活性層的晶體管的制造方法，所述半導體膜含有有機半導體化合物，該方法包括將半導體膜拉伸的工序、在進行加熱和/或加壓的同時將半導體膜粘貼在形成活性層的面上獲得活性層的工序。文檔編號H01L29/786GK101253609SQ200680031829公開日2008年8月27日申請日期2006年8月30日優先權日2005年8月31日發明者山手信一申請人:住友化學株式會社