專利名稱：制造電子元件的方法
技術領域：
本發明涉及一種在基底表面上制造電子元件的方法，其中從與基底表 面垂直的角度來看，該電子元件具有至少兩個電功能層，該至少兩個電功能層被設置為一個在另一個之上并且使它們至少在表面區域F中重疊，其 中使用連續工藝在基底上直接或間接構建該至少兩個電功能層，并且其中 基底相對于構建單元移動。
背景技術：
從WO 2004/047144A2中，可以獲知一個這樣的方法。描述了一種有 機電子元件，例如有機場效應晶體管(OFET)、具有例如這些的元件的 電路以及制造方法。使用低成本印刷工藝形成該電子元件。DE 101 26 859 Al描述了 一種制造導電結構的方法、以該方式制造的 有源元件，例如有機場效應晶體管(OFET )或有機發光二極管(OLED )， 以及具有例如這些的元件的電路。導電結構例如互連和電極是利用所有已 知的印刷工藝在薄的柔性塑膠膜上通過印刷技術，具體地說，例如適合的 凹版(intaglio)、凸版(relif)、平版印刷、絲網印刷或移印(tampo printing) 制成的。用于制造電子元件的連續工藝的使用允許以低成本、高工藝速率大量 生產。為了獲得盡可能均勻的電學值以及電子元件的功能性，必須接連地 在工藝中根據預定版圖以適當的位置、方向和排列， 一個在另一個之上地 形成單獨的電功能層，由這些單獨的電功能層構建電子元件。在連續工藝 中為基底和/或構建單元選擇的速度越高，越有可能出現相對于已經設置在 基底上的另外的電功能層在電功能層的理想位置的區域中的差異。電功能層的直接形成和同時構建優選通過印刷工藝執行。然而，可選 地，電功能層還可以在其形成之后僅僅通過激光或刻蝕技術構建。在這兩 種情況下，由于工藝，部分電功能層區域沒有形成在由版圖預定的理想位置。發明內容現在，本發明的目的是提供一種制造電子元件的方法，即使在高工藝 速率下，其也產生具有所需電特性值的功能電子元件。關于在基底表面上制造電子元件的方法，其中從與基底表面垂直的角 度看，電子元件具有至少兩個電功能層，該兩個電功能層設置為一個在另一個之上，并且使它們至少在表面區域F中重疊，其中使用連續工藝直接 或間接構建在基底上的至少兩個電功能層，并且其中基底相對于構建單元 移動，實現該目的，在于a) 構建至少兩個電功能層的第一電功能層，以便第一電功能層的 平行于基底表面且在基底相對于構建單元的相對移動方向上 的第一長度尺寸()比表面區域F的在相對移動方向上且平 行于基底表面的長度尺寸(LF)長出至少5]am，優選長出大于 lmm,和/或在于b) 構建至少兩個電功能層的第一電功能層，以便第一電功能層的 平行于基底表面且垂直于基底的相對移動方向上的第一寬度 尺寸(B,)相對于構建單元比表面區域F的垂直于相對移動方 向且平行于基底表面的寬度尺寸(BF)寬出至少5pm，優選寬 出大于lmm。在這種情況下，需要與電功能層形成電接觸的任何電線路或互連都被 視為是不伴隨各功能層的。如果基底相對于構建單元移動，那么這意味著基底本身和/或構建單元 可移動。在這種情況下，在該工藝期間僅僅基底移動而構建單元保持靜止， 或者在這種情況下構建單元移動而基底保持靜止，否則基底和構建單元都是可動的。由于與另一電功能層的理想定位的任何較小差異不會影響電子元件的 功能性和電特性值，根據本發明的方法使得可以以非常小的努力對另 一 電 功能層定位，意圖使該另一電功能層在以這樣的方式設計的第一電功能層 形成之后形成，并且相對于該第一電功能層對準。因而，根據相對于表面區域F的第一電功能層的理想定位的位置，^吏用才艮據本發明的方法形成的能層的相對于另一電功能層的定位中與版圖的差異。這允許進一步增加工 藝速率并且降低有缺陷電子元件的出現幾率。在這種情況下，特別優選第一電功能層的在相對移動方向上的第一長 度尺寸比表面區域F的在相對移動方向上的長度尺寸長50至500pm。該 設計代表了用于電功能層的方法所需的附加間距與得到不工作或僅僅有限 程度地工作的元件的幾率之間的折中。已經證明了，為了將要相對于表面區域F定位第一電功能層，從與基 底表面垂直的角度看，在版圖中使第一電功能層的第一面心(area centroid)與表面區域F的面心一個位于另一個之上。結果，在根據版圖 的情況a)中，在相對移動方向上在前面和后面，第一電功能層^面區 域F伸出，因此，可根據版圖在相對移動方向上具有與其理想位置的負和 正差異地定位另一電功能層的面心。在情況b)中，4艮據版圖，在垂直于 相對移動方向，第一電功能層從從表面區域F的兩邊伸出，因此，可根據 版圖，在垂直于相對移動方向，具有與其理想位置的負和正橫向差異地定 位另一電功能層的面心。如果僅僅發生情況a )，那么還可以取代該情況而結合情況a )和情況 b)，以便這樣構建至少兩個電功能層的第二電功能層，以使第二電功能層 的平行于基底表面且垂直于相對移動方向的第二寬度尺寸比表面區域F的 垂直于相對移動方向且平行于基底表面的寬度尺寸寬出至少5|nm，優選寬 出大于lmm。這同樣確保了，當第一和第二電功能層接連形成時，從垂直 于相對移動方向的角度看，可以很大程度地容許基底的在基底平面上的不同定位。在該情況下，已經證明了，為了在版圖中將要相對于表面區域F定位 第二電功能層，從垂直于基底表面的角度看，第二電功能層的第二面心與 表面區域F的面心一個位于另一個之上。結果，在相對移動方向上，在版 圖中第二電功能層M面區域F的兩邊伸出，因此，在相對移動方向上， 可以容許印刷期間發生第二電功能層的與根據版圖的理想定位的任何橫向 差異。已經證明了，印刷工藝例如凹版、凸版、平版印刷、絲網印刷或移印 工藝可用作連續工藝。在該情況下，應該將表達"絲網印刷，，理解為同樣 涵蓋模板印刷。可以以高工藝速率執行例如這些的印刷方法。在該情況下，可通過印 刷且在該階段以所需形式直接在基底上形成電功能層。同樣已經證明了，激光構建方法或光刻構建方法可用作連續工藝，通 常在該情況下使用表達"光刻構建方法"表示所有使用掩膜或掩蔽層的刻 蝕方法。例如這些的方法允許電功能層間接形成并且對形成在基底上的電功能 層塑形，例如通過氣相淀積或濺射。在該情況下，通過激光適當地移除例 如氣相淀積的電功能層。在相對于已經在基底上形成的電功能層定位激光 期間，通常發生與理想位置的較小差異，因此這導致了形成的電功能層與 版圖之間的差異。如果在電功能層的整個區域上施加光致抗蝕劑，其通過掩膜暴露，并 且移除光致抗蝕劑的未被固化的區域，執行刻蝕工藝，然后移除該光致抗 蝕劑，那么，掩膜定位與其理想位置的較小差異同樣導致了形成的電功能 層與版圖之間的差異。此外，實際上，電功能層可以印刷在例如具有抗刻蝕掩膜層的期望區 域，而通過刻蝕移除電功能層的那些未印刷的區域。然后，溶解抗刻蝕掩 膜層并且暴露電功能層的那些以期望形狀構建并且保留在下面的區域。與 當直接印刷電功能層的情形一樣，在掩膜層的印刷期間同樣發生與理想位置的差異。這些直接從掩膜層轉印到以這樣方式構建的電功能層。此外，已經證明了，噴墨構建工藝可用作連續工藝，其中高工藝速率 是可能的。在該情況下，通過噴墨印刷且在該階段以期望形狀直接在基底 上形成電功能層。然而，為了以該方式構建先前形成的電功能層，噴墨工 藝還可以施加掩膜層。在連續工藝期間，優選將基底相對于構建單元的相對速率選擇為在0.5 至200m/min的范圍內，更優選在10至100m/min的范圍內。這允許以《氐 制造成本大量制造電子元件。在該情況下，特別優選柔性基底，特別是具有多于一層的延長塑皿 用作基底。例如，由聚酯、聚乙烯、聚對苯二甲酸乙二酯或聚酰亞胺構成 的塑膠膜是適于該目的的。已經證明了 ，基底的厚度可選擇為6pm至200jam的范圍內，優選在 12pm至50pm的范圍內。當在連續工藝期間執行從巻到巻(roll to roll)的傳送時，柔性基底的 情況是特別有利的。在該情況下，將未涂覆的柔性基底纏繞到一個巻上， 基底從巻上拖出并且經過加工機器，在該加工期間其被構建，并且最后纏 繞到另一巻上，作為涂覆的基底。這允許處理長基底帶，在該情況下，僅 僅在新基底巻的開始處需要執行一次相對于加工^L器的定位工藝。已經證明了，至少兩個電功能層均形成為厚度在lnm至100pm的范 圍內，優選在10nm至300nm的范圍內的層。從穿過基底的橫截面看，在電子元件中，將至少兩個電功能層直接i殳 置為相互鄰接。因此至少兩個電功能層^L此形成直接接觸。可選地，從穿過基底的橫截面看，至少一個第三電功能層可至少設置 在電子元件中的至少兩個電功能層之間的表面區域F中。因此，至少兩個 電功能層彼此不形成直接接觸。在該情況下，已經證明了，從垂直于基底表面的角度看，至少一個第 三電功能層從表面區域F的所有邊伸出，其中至少一個第三電功能層的平 行于基底表面且在相對移動方向上的第三長度尺寸比表面區域F的在相對移動方向上且平行于基底表面的長度尺寸長出至少5^un，優選長出大于 lmm，以及其中第三電功能層的平行于基底表面且垂直于相對移動方向的 第三寬度尺寸比表面區域F的垂直于相對移動方向且平行于基底表面的寬 度尺寸寬出至少5pm，優選寬出大于lmm。優選第一電功能層為一個或多個，特別是有機的電極的形式。在該情況下，所有類型的有機、金屬有機和無計塑膠可看作導電"有機" 材料。因此，旨在不在教條意義上將其限制為有機材料如包含碳的材料， 并且，實際上，其同樣旨在涵蓋例如硅氧烷的使用。此外，該表達決不旨 在限制分子量，特別對于聚合物和/或低聚物材料，并且同樣在所有情況下 可以使用"小分子"。已經證明了，特別是聚苯胺或聚吡咯作為導電有機材料。然而，對于第一電功能層來說，氣相淀積或濺射的金屬層同樣適合作 為電極層，其例如由金、銀、銅、鋁、鉑、鈦等中的至少一種構成。然后， 優選通過激光或刻蝕構建這些金屬層。如果第二電功能層與第一電功能層形成直接接觸，那么已經證明了第 二電功能層可為電的特別是有機的絕緣層或半導體層特別是有機半導體層 的形式。尤其是，已經證明了聚乙烯苯酚作為有機絕緣材料。例如，聚瘞 吩適合用作有機半導體材料。如果第一和第二電功能層設置為彼此間有距離，那么已經證明了第二 電功能層可以為一個或多個特別是有機的電極的形式。在該情況下，上面 已經提及的用于第一電功能層的電極形式的材料同樣可用作導電材料。優選將場效應晶體管、電容器、二極管或具有至少一個過孔的元件形 成為電子元件，其中該元件是特別在每種情況下具有至少一個有機電功能 層。表達"過孔"表示開口，其通常垂直于基底平面，在功能層疊層中， 通過過孔，在相互不形成直接接觸的電功能層之間形成電連接。例如通過 刻蝕工藝和使用構建層來形成過孔的工藝也可產生上述類型的偏移，在該 情況下，過孔位置與根據版圖的理想位置間的差異可通過根據本發明的方 法補償。
圖la至3b旨在通過實例解釋本發明。在這些圖中圖la示出了涂覆基底的平面視圖；圖lb示出了穿過圖la所示涂覆基底的A-A，截面；圖2a示出了另一涂覆基底的平面視圖；圖2b示出了穿過圖2a所示涂覆基底的B-B，截面；圖3a示出了又一涂覆基底的平面視圖；以及圖3b示出了穿過圖3a所示涂覆基底的C-C，截面。
具體實施方式
圖la示出了由PET膜構成的基底1的平面視圖，其中為了在基底1 的表面上制造電子元件，在該例子中是二極管，用三個電功能層2、 3、 4 印刷基底l。從垂直于基底1的表面的角度看，電功能層2、 3、 4被設置 為一個在另一個之上，并且至少在表面區域F中重疊。該例子中的電功能 層2形成第一電功能層，其中第一電功能層的在印刷工藝期間形成的平行 于基底1的表面且在基底1的相對移動方向上(由圖la中左邊箭頭示出) 的第一長度尺寸L,比表面區域F的在印刷方向上且平行于基底1表面的長 度尺寸LF長出約25]iim。第一電功能層由導電材料構成，在該例子中是銅， 作為電極。電功能層3形成第二電功能層，其通過由聚-3-烷基瘞吩構成的 第三電功能層4與第一電功能層分開。第二電功能層由銀形成。這樣形成 第二電功能層，以便第二電功能層的平行于基底1表面且垂直于相對移動 方向的第二寬度尺寸B2比表面區域F的垂直于相對移動方向且平行于基底 1表面的寬度尺寸BF寬出約5(Uim。未圖示出為了與第一和第二電功能層 形成電接觸而當然需要的導電供應線或互連。圖la示出了根據用于電子元件的印刷版圖的理想位置，其中第一電功 能層相對于表面區域F定位，以便從垂直于基底l的角度看，第一電功能 層的第一面心和表面區域F的面心Sp—個位于另一個之上，以及第二電功能層相對于表面區域F定位，以便從垂直于基底l的角度看，第二電功能 層的第二面心和表面區域F的面心SF同樣是一個位于另 一個之上。然而， 實際上，這不是由于在構建工藝期間發生的差異的情況。根據版圖，相對于圖示的理想情況，圖la中示出的層結構容許在相對 移動方向上的任何差異或偏移，例如第一功能層的該差異或偏移，和/或第 二功能層的在垂直于相對移動方向的任何差異或偏移。圖lb示出了穿過圖la所示的印刷基底的A-A，截面，其中可看到基底 l和在上印刷的電功能層2、 3、 4。在該例子中，電功能層2形成第一電功 能層，電功能層3形成第二電功能層，以及電功能層4形成第三電功能層。圖2a示出了由PET膜構成的另一印刷基底1的平面^L圖，其中為了 在基底1的表面上制造電子元件，在該例子中是電容器，用三個電功能層 2，、 3，、 4，印刷基底1。從垂直于基底l的表面的角度看，電功能層2，、 3，、 4'被設置為一個在另一個之上，并且至少在表面區域F中重疊。該例子中 的電功能層2，形成第一電功能層，其中第一電功能層的在基底l的印刷期 間平行于基底1的表面且在基底1的相對移動方向上形成(由圖2a中左邊 箭頭示出)的第一長度尺寸Li比表面區域F的在相對運動方向上且平行于 基底1表面的長度尺寸LF長出約lmm。第一電功能層由導電材料構成， 在該例子中是銅，作為電極。電功能層3，形成另一電功能層，其通過由電 絕緣聚合物構成的第三電功能層4，與第一電功能層分開。另一電功能層為 4艮電極的形式。這樣形成第一電功能層，以便第一電功能層的平行于基底1表面且垂 直于相對移動方向的第一寬度尺寸I^比表面區域F的垂直于印刷方向且平 行于基底1表面的寬度尺寸Bp寬出約60(Him。未圖示出為了與第一和另 一電功能層形成電接觸而當然需要的導電供應線或互連。圖2a示出了用于電子元件的印刷版圖的理想位置，其中第一電功能層 相對于表面區域F定位，以便從垂直于基底l的角度看，第一電功能層的 第一面心和表面區域F的面心Sp是一個位于另一個之上，并且第三以及另 一電功能層相對于表面區域F定位，以便從垂直于基底l的角度看，它們各自的面心和表面區域的面心SF同樣是一個位于另一個之上。然而，實際 上，這不是由于在構建工藝期間發生的差異的情況。根據印刷版圖，相對于圖示的理想情況，圖2a中示出的層結構容許在相對移動方向上的任何差 異或偏移，例如第一功能層的該差異或偏移，和/或在垂直于相對移動方向 的第 一功能層的任何差異或偏移。圖2b示出了穿過圖2a所示的印刷基底1的B-B，截面，其中可看到基 底1和在其上印刷的電功能層2，、 3，、 4，。在該例子中，電功能層2，形成 第一電功能層，電功能層3，形成另一電功能層，以及電功能層4，形成第三 電功能層。圖3a示出了由PET膜構成的又一印刷基底1的平面視圖，其被印刷 為具有兩個電功能層2、 3作為電子元件制造的初始階段，在該例子中通過 基底1表面上的有機場效應晶體管(OFET)作為實例。從垂直于基底1 的表面的角度看，電功能層2、 3被設置為一個在另一個之上，并且至少在 表面區域F (以井l體印刷的線為界)中重疊。該例子中的電功能層2形成 第一電功能層，其中第一電功能層的在基底1的印刷期間所形成的平行于 基底1的表面且在基底1的相對移動方向上(由圖3a中左邊箭頭示出)的 第一長度尺寸L！比表面區域F的在相對移動方向上且平行于基底1表面的 長度尺寸LF長出約lmm。第一電功能層由半導體材料構成，在該例子中 是聚烷基瘞吩。電功能層3形成另一電功能層。該另一電功能層由銀形成 且配置為兩個梳狀結構的形式，這旨在形成OFET的源和漏電極。由于該 例子中的電功能層3具有不規則形狀，這樣限定本例子中的表面區域F， 以4更電功能層3的最大外部尺寸(在相對移動方向以及在與其垂直方向) 預先確定表面區域F的范圍，即使在以此方式限定的表面區域F內的任何 點處兩個電功能層之間都沒有重疊。由于在用第一功能層印刷梳狀結構期 間的目的是完全覆蓋梳狀結構，在該例子中，對表面區域F的該限定是有 利的。這樣形成第一電功能層，以便第一電功能層的平行于基底1表面且垂 直于相對移動方向的第一寬度尺寸B！比表面區域F的垂直于相對移動方向且平行于基底1表面的寬度尺寸BF寬出約lmm。未圖示出為了與第一和 另一電功能層形成電接觸而可能需要的導電供應線或互連。圖3a示出了根據用于電子元件的印刷版圖的理想位置，其中第一電功 能層相對于表面區域F定位，以便從垂直于基底l的角度看，第一電功能 層的第一面心和表面區域F的面心SF是一個位于另 一個之上，以及另 一電 功能層相對于表面區域F被定位，以便從垂直于基底l的角度看，其面心 和表面區域F的面心SF同樣是一個位于另一個之上。然而，實際上，這不 是由于在印刷工藝期間發生差異的情況。根據印刷版圖，相對于圖示的理 想情況，圖3a中示出的層結構容許在相對移動方向上第一功能層的任何這 樣的差異或偏移和/或在垂直于相對移動方向上第一功能層的任何差異或 偏移。圖3b示出了穿過圖3a所示的印刷基底的C-C，截面，其中可看到，基 底1和在其上印刷的電功能層2、 3。在該例子中，電功能層2形成第一電 功能層，以及電功能層3形成另一電功能層。應注意，圖示la至3b僅僅通過實例解釋了本發明的基本構思，并且 對于本領域技術人員而言，根據全部上下文存在許多其它選擇，以連續的 工藝在工藝中脫離本發明的主題而允許根據本發明的方法同樣也用于形成 其它電子元件的電功能層。
權利要求
1.一種在基底(1)的表面上制造電子元件的方法，其中以與所述基底(1)的表面垂直的角度看，所述電子元件具有至少兩個電功能層(2、2’、3、3’、4、4’)，所述至少兩個電功能層被設置為一個在另一個之上，以便它們至少在表面區域F中重疊，其中使用連續工藝直接或間接在所述基底(1)上構建所述至少兩個電功能層(2、2’、3、3’、4、4’)，并且其中所述基底(1)相對于構建單元移動，其特征在于，a)構建所述至少兩個電功能層(2、2’、3、3’、4、4’)的第一電功能層，以便所述第一電功能層的平行于所述基底(1)表面且在所述基底(1)相對于所述構建單元相對移動方向上的第一長度尺寸(L1)比所述表面區域F的在相對移動方向上且平行于所述基底(1)表面的長度尺寸(LF)長出至少5μm，優選長出大于1mm，和/或在于b)構建所述至少兩個電功能層(2、2’、3、3’、4、4’)的第一電功能層，以便所述第一電功能層的平行于所述基底(1)表面且垂直于所述基底(1)的相對移動方向的第一寬度尺寸(B1)相對于所述構建單元比表面區域F的垂直于相對移動方向且平行于所述基底(1)表面的寬度尺寸(BF)寬出至少5μm，優選寬出大于1mm。
2. 根據權利要求l的方法，其特征在于，所述第一電功能層的在所述 相對移動方向上的所述第一長度尺寸(Lj比所"面區域F的在所勤目 對移動方向上的長度尺寸(LF)長50至500nm。
3. 根據權利要求1或2中任何一項的方法，其特征在于，所述第一電 功能層在版圖中相對于所述表面區域F被定位，以便從與所述基底(1) 垂直的角度看，所述第一電功能層的第一面心與所述表面區域F的面心(SF)是一個位于另一個之上。
4. 根據權利要求1至3中任何一項的方法，其特征在于，對于情況a )， 這樣構建所述至少兩個電功能層(2、 2，、 3、 3，、 4、 4，)的第二電功能層， 以便所述第二電功能層的平行于所述基底(1)表面且垂直于所述相對移動方向的第二寬度尺寸(B2)比所ii^面區域F的垂直于所勤目對移動方向 且平行于所述基底(1)表面的寬JLA寸(BF)寬出至少5jtm,優選寬出 大于lmm。
5. 根據權利要求4的方法，其特征在于，所述第二電功能層在版圖中 相對于所^面區域F定位，以便從垂直于所述基底(1)的角度看，所 述第二電功能層的第二面心與所^面區域F的面心(SF)是一個位于另 一個之上。
6. 根據權利要求1至5中任何一項的方法，其特征在于，印刷工藝用 作所述連續工藝，例如凹版、凸版、平版印刷、絲網印刷或移印工藝、激 光構建方法、光刻構建方法或噴墨構建方法。
7. 根據權利要求1至6中任何一項的方法，其特征在于，在所述連續 工藝期間，將所述基底(1 )相對于所述構建單元的相對速率選擇為在0.5 至200m/min的范圍內，優選在10至100m/min的范圍內。
8. 根據權利要求1至7中任何一項的方法，其特征在于，將柔性基底， 特別是具有多于一層的拉長塑膠膜用作所述基底(1)。
9. 根據權利要求8的方法，其特征在于，所述基底(1)的厚度選擇 為在6pm至200pm的范圍內，優選在12|nm至50jim范圍內。
10. 根據權利要求8或9的方法，其特征在于，在所述連續工藝期間 巻到巻地傳送所述柔性基底。
11. 根據權利要求1至10中任何一項的方法，其特征在于，所述至少 兩個電功能層(2、 2，、 3、 3，、 4、 4，)均形成為具有厚度在lnm至100nm 的范圍，優選在10nm至300nm的范圍內的層。
12. 根據權利要求1至11中任何一項的方法，其特征在于，從穿過所 述基底(1)的截面中看，在所述電子元件中直接相互鄰接地設置所述至少 兩個電功能層(2、 2，、 3、 3，、 4、 4，)。
13. 根據權利要求l至ll中任何一項的方法，其特征在于，從穿過所 述基底(l)的截面中看，至少在所述電子元件中的在所述至少兩個電功能 層(2、 2，、 3、 3，、 4、 4，)之間在所M面區域F中設置至少一個第三電功能層。
14. 根據權利要求13的方法，其特征在于，從垂直于所述基底(l) 表面的角度看，所述至少一個第三電功能層從所M面區域F的所有邊伸 出，其中所述至少一個第三電功能層的平行于所述基底(1)表面且在相對 移動方向上的第三長度尺寸比所W面區域F的在所^目對移動方向上且 平行于所述基底(1)表面的長度尺寸(LF)長出至少5pm，優選長出大 于lmm,以及其中所述第三電功能層的平行于所述基底(1)表面且垂直 于所述相對移動方向的第三寬度尺寸比所述表面區域F的垂直于所勤目對 移動方向且平行于所述基底(1)表面的寬度尺寸(BF)寬出至少5jwn， 優選寬出大于lmm。
15. 根據權利要求1至14中任何一項的方法，其特征在于，所述第一 電功能層為 一個或多個特別是有機的電極的形式。
16. 根據權利要求12和15的方法，其特征在于，所述第二電功能層 為電的特別是有機的、絕緣層或半導體層特別是有機半導體層的形式。
17. 根據權利要求13和15的方法，其特征在于，所述第二電功能層 為一個或多個特別是有機的電極的形式。
18. 根據權利要求1至17中任何一項的方法，其特征在于，將場效應 晶體管、電容器、二極管或包含至少一個過孔的元件形成為所述電子元件， 特別地在每種情況下具有至少 一個有機電功能層。
全文摘要
本發明涉及一種在基底表面上制造電子元件的方法，所述電子元件包括，垂直于基底表面的至少兩個電功能層，該兩個電功能層是以一個位于另一個之上并且至少在表面區域F中重疊的方式設置。在連續工藝期間，該至少兩個電功能層直接或間接在基底上構建。以這樣的方式構建至少兩個電功能層的第一電功能層，以便第一電功能層的平行于基底表面且在基底相對位移方向上的第一長度/寬度尺寸比表面區域F的在相對位移方向上且平行于該基底表面的長度/寬度尺寸長出/寬出5μm，優選長出/寬出1mm。
文檔編號H01L51/05GK101233626SQ200680027945
公開日2008年7月30日 申請日期2006年7月27日 優先權日2005年7月29日
發明者A·烏爾曼, A·克諾布洛赫, M·韋爾克, W·菲克斯 申請人:波利Ic有限及兩合公司