專利名稱：激光器波長的穩定的制作方法
激光器波長的穩定
交叉參考相關申請圖9以方框圖的形式，畫出按照本發明一個實施例的激 光器裝置;第二結110置于襯底102內相對第一結104分開的大致 平的平面中。第二結110置于襯底102的第二區108和第三區112之 間。與第一結104類似，第二結IIO定義不同原子摻雜特性的區之間 的界面，本領域一般熟練人員應當了解，第一和第二結例如可以借助 熱擴散和/或離子注入形成。此外，可以按照特定應用的要求，選擇每 一結的摻雜曲線，并按照本領域熟練人員的常規知識實施。
0051如在出示的實施例所示，襯底102的再一個界面114定 義波紋彎曲界面，緊靠并一般平行于第二結110。按照一個實施例， 該再一個波紋彎曲界面114與襯底102的上表面對應。與波紋彎曲界 面114相鄰，設置再一個區116,按照本發明的一個實施例，該波紋 彎曲界面114包括基本上周期性的區，以定義波紋的周期(或波長) 132的長度。
0052按照各個實施例，該區116包括襯底102的再一部分。 在一個實施例中，該區116包括緊鄰界面114設置的外延層。按照一 個實施例，區116包括上表面118。還有，在一個實施例中，上表面 118包括相對于表面103基本上平行分開設置的基本上平面形的區。
0053在一個實施例中，襯底材料102包括第一端面120和第 二端面122。第一端面120基本上相對第二端面122平行地分開設置， 而第一和第二端面120、 122兩者基本上垂直于結104和110設置。 按照本發明一個實施例，材料的對應層124、 126緊鄰表面120、 122 設置。再參考圖4，人們可以看到，借助適當選擇裝置的特性， 本領域熟練人員能夠制備激光器裝置，該激光器裝置適合在溫度例如 約0。C和約85°C之間的激光閾值328以上產生光。這是借助維持增 益曲線305和反射率曲線306適當的重疊而獲得的，該適當的重疊可 以在指定的溫度范圍內產生激光結果350。已經認識到參數的適當選 擇可以產生該結果，本發明人進一步發現，利用溫度控制裝置增寬激 光器裝置的操作范圍，能夠獲得改進的激光。
圖14以方框圖的形式，按照本發明一個實施例，畫出示 例性的電信系統980的一部分。電信系統980包括多個有相應多個光 輸出984的發射器裝置982。多個光輸出984的每一個，用信令方法 耦合到光復用器986相應的輸入。光復用器986的一個輸出，耦合到
通信介質，例如光纖988的一個輸入。光纖988的一個輸出，耦合到 光分用器990的一個輸入。光分用器9卯的多個輸出，耦合到相應多 個接收器裝置992的相應輸入。多個接收器裝置992中至少一個，適 合在第一操作溫度范圍的溫度控制下操作，并適合在第二操作溫度范 圍上，不進行溫度控制而操作。在一個示例性實施例中，多個接收器 裝置992中至少一個，包括本申請圖1-13之一或更多中出示的接收器 裝置。
00831雖然已經結合示例性實施例詳細說明本發明，但是應當 指出，本發明不受上面公開的實施例的限制。相反，能夠修改本發明， 采納任何數量的迄今沒有提及，但與本發明的精神和范圍等同的變 化、替代、置換、或等價的配置。因此，本發明不受前面的說明或圖 的限制，而只受下面所附權利要求書范圍的限制。
權利要求
1.一種操作半導體激光器裝置的方法，包括在第一操作溫度范圍上的溫度控制下，操作所述半導體激光器裝置；和在第二操作溫度范圍上的不進行溫度控制下，操作所述半導體激光器裝置。
2. —種操作半導體激光器裝置的方法，包括在第一操作溫度范圍上的溫度控制下，操作所述半導體激光器裝 置；和在第二操作溫度范圍上的不進行溫度控制下，操作所述半導體激 光器裝置，其中，所述第二操作溫度范圍，包括比所述第一操作溫度范圍更寬的溫度范圍。
3. 按照權利要求2的操作半導體激光器裝置的方法，其中所述 第二操作溫度范圍的最低溫度，超過所述第一操作溫度范圍的最高溫 度。
4. 按照權利要求2的操作半導體激光器裝置的方法，其中當所 述半導體激光器裝置的溫度在所述第二操作溫度范圍中時，所述半導 體激光器裝置被點亮，又當所述半導體激光器裝置的溫度在所述第一 操作溫度范圍中時，所述半導體激光器裝置被熄滅。
5. 按照權利要求2的操作半導體激光器裝置的方法，其中所述 第一操作溫度范圍，包括從約-40。C到約0。C的范圍。
6. 按照權利要求2的操作半導體激光器裝置的方法，其中所述 第一操作溫度范圍，包括從約0。C到約85。C的范圍。
7. —種增寬半導體激光器裝置有效操作溫度范圍的方法，包括 讀取所述半導體激光器裝置被感測的溫度；和當所述被感測溫度小于某一閾值溫度時，預熱所述半導體光源， 以便協調所述半導體激光器裝置的光柵峰值與所述半導體激光器裝 置的增益范圍。
8. 按照權利要求7的增寬半導體激光器裝置有效操作溫度范圍 的方法，其中所述閾值溫度包括約0°C的溫度。
9. 按照權利要求7的增寬半導體激光器裝置有效操縱溫度范圍 的方法，其中所述有效操作溫度范圍，包括從約-40。C到約85。C的 范圍。
10. 按照權利要求7的增寬半導體激光器裝置有效操縱溫度范圍 的方法，其中所述讀取被感測的溫度，包括從熱敏電阻接收信號，所 述熱敏電阻與所述半導體激光器裝置熱耦合。
11. 按照權利要求7的增寬半導體激光器裝置有效操縱溫度范圍 的方法，其中所述感測被感測的溫度，包括從熱電偶接收信號，所述 熱電偶與所述半導體激光器裝置熱耦合。
12. 按照權利要求7的增寬半導體激光器裝置有效操縱溫度范圍 的方法，其中所述半導體激光器裝置，包括分布反饋模式的激光器裝
13. —種半導體激光器系統，包括半導體激光器裝置，所述半導體激光器裝置有第一光柵特性和第 二材料增益特性；加熱器，所述加熱器與所述半導體激光器裝置熱耦合； 溫度傳感器，所述溫度傳感器用信令方法與所述加熱器耦合，所 述溫度傳感器適合響應所述半導體激光器裝置的溫度，控制所述加熱 器的啟動，以便在某一閾值溫度上實現所述光柵特性與所述材料增益 特性的最小協銅，在該閾值溫度上，所述半導體激光器裝置適合在某 一溫度范圍上操作，所迷溫度范圍位于所述閾值溫度之上。
14. 按照權利要求13的半導體激光器系統，其中所迷溫度傳感 器包括熱敏電阻。
15. 按照權利要求13的半導體激光器系統，其中所述溫度傳感 器包括熱電偶。
16. 按照權利要求13的半導體激光器系統，其中所述溫度傳感 器包括光學溫度傳感器。
17. 按照權利要求13的半導體激光器系統，其中所述閾值溫度 包括約0。C的溫度。
18. 按照權利要求13的半導體激光器系統，其中所述閾值溫度 包括從約-5°C到約5°C范圍內的溫度。
19. 按照權利要求13的半導體激光器系統，其中所述溫度范圍， 包括約0。C和約85。C之間的溫度范圍。
20. —種激光器系統，包括 激光器裝置；當所述激光器裝置的溫度在所述閾值溫度之下的第一溫度范圍 內時，用于把所述激光器裝置溫度提高到閾值溫度的裝置，所述第一 溫度范圍在所述激光器裝置的第二操作溫度范圍以下，所述裝置的所 述第二操作溫度范圍，比所述第一溫度范圍跨越更大的溫度范圍。
21. —種激光器系統，包括 有失諧光柵特性的激光器裝置；和加熱器，所述加熱器適合再調諧所述光柵特性，以便在所述激光 器裝置的某一操作溫度范圍上，協調所述光柵特性與所述激光器裝置 的增益特性。
22. —種光傳輸系統，包括有光柵峰值的分布反饋激光器，該光柵峰值被選擇出現在-40。C的增益范圍的長波長端；與分布反饋激光器耦合的溫度傳感器；與分布反饋激光器耦合的加熱單元；和與溫度傳感器及加熱單元耦合的控制器，當溫度傳感器感測到 0。C以下的溫度時，該控制器適合啟動加熱單元，又當溫度傳感器感 測到0。C以上的溫度時，該控制器適合停止加熱單元。
全文摘要
在粗波分復用(CWDM)的光傳輸系統中，調諧分布反饋(DFB)激光器，使光柵的峰值反射與DFB激光器的增益范圍重疊。調諧衍射光柵，使峰值位于選擇溫度的增益光譜的長波長一端上。該光傳輸系統操作在有寬溫度范圍(即，約-40℃到約85℃)的環境中。加熱激光器，并隨著激光器溫度的增加，增益范圍趕上光柵的峰值。當增益范圍和光柵峰值在增加的激光器溫度上重疊時，激光器的輸出得到改進。
文檔編號H01S5/00GK101351935SQ200680026401
公開日2009年1月21日 申請日期2006年7月18日 優先權日2005年7月18日
發明者尼爾·馬佳利特, 盛·Z·張, 默哈默德·阿扎德 申請人:Mrv通信公司