光刻設備和器件制造方法

專利名稱：光刻設備和器件制造方法
技術領域：
本發明涉及光刻設備和制造器件的方法。
背景技術：
光刻設備是將所希望的圖形應用到襯底上的機器，通常應用到襯底的目標部分上。光刻設備可以用在例如集成電路(IC)的制造中。在那種情況下，可使用可選地稱為掩模或標線的構圖裝置來產生將要形成在IC的單獨層上的電路圖形。可以將該圖形轉印到襯底(例如，硅晶片)上的目標部分(例如，包括部分、一個或若干管芯)上。轉印圖形一般是通過在提供于襯底上的一層輻射敏感材料(抗蝕劑)上成像。通常，單一襯底將包含被連續圖形化的相鄰目標部分的網絡。已知的光刻設備包括所謂的步進機和所謂的掃描儀，在步進機中每個目標部分都通過將整個圖形一次曝光到目標部分上來照射，在掃描儀中每個目標部分都通過在給定方向(“掃描”-方向)上通過輻射束掃描該圖形來照射，同時平行或反平行于該方向同步地掃描襯底。還能夠通過將圖形壓印到襯底上來將圖形從構圖裝置轉印到襯底。
在傳統的光刻設備中，通過夾緊力(clamping force)在制品(article)支架上夾住制品，例如襯底或標線。該制品支架可包括多個支撐突起(protrusion)，其限定了制品的支撐區。支撐區典型地為平面，例如，X-Y平面。這種支撐突起在本技術領域可稱作“節瘤(burl)”。設計傳統的支撐突起以使在支撐平面中，它們減輕或防止制品的變形。傳統地，通過使支撐突起盡可能的硬來實現防止在突起的頂部的支撐區的平面中的(XY)移動。進一步設計傳統的支撐突起以使減輕或防止在(XY)支撐平面之外，也就是在Z方向上的制品的變形。傳統地，這是通過使支撐突起盡可能的硬來實現防止沿Z軸下降的力來實現的。為了將制品夾在制品支架上，可應用真空來將制品保持固定在支撐突起的頂部。在熱負荷情況下，支撐突起的硬度，特別是在限定支撐區平面的(XY)方向上的硬度不可以不夠。結果，可能在支撐區的平面中引起顯著的(XY)變形。在制品是襯底的情況下，其可能導致套刻精度(overlay)的問題，并且作為副作用，可能引起(XY)支撐平面之外的變形，其在襯底的情況下可導致聚焦問題。特別地，在制品是襯底的情況下，照射引起的襯底發熱可導致一個或多個上面略述的問題。特別地，在大劑量光刻設備中，襯底可吸收大量能量，作為曝光處理的結果。不幸的是，支撐突起的耐熱度典型地是如此大以致通過襯底吸收的熱不能足夠快地流到下面的襯底臺(制品支架)。結果，襯底可能仍然局部地加熱，并且因此相當于襯底臺膨脹。襯底臺的傳統的支撐突起努力減輕或防止在(XY)支撐平面中的襯底的變形，但因為支撐突起(和襯底臺本身)僅有有限的硬度，襯底仍會明顯彎曲。例如，可能出現大約150納米的套刻精度影響。襯底臺試圖，但并沒成功減輕或防止在(XY)支撐平面中的變形的副作用是襯底也可能在(XY)支撐平面之外即Z方向上的變形，以使也導致聚焦問題。在浸沒(immersion)光刻中也可能出現的相同問題，導致由冷卻而致襯底收縮。
例如，提供這樣一種制品支架是有益的，其允許補償由制品支架支撐的制品在光刻處理期間特別是當制品經受熱負荷的光刻處理的那些部分期間遭受的任何變形。

發明內容
依據本發明的一方面，提供的光刻設備，包括被構造成支撐第一制品或第二制品的制品支架，所述第一制品能在輻射束的束路徑中在輻射束的截面中賦予輻射束圖形以形成構圖的輻射束，所述第二制品將被放置在構圖的輻射束的束路徑中，該制品支架包括多個支撐突起，在使用中在其上布置第一或第二制品，其中構造多個支撐突起以限定支撐區以提供用于第一制品或第二制品的支撐平面，以使當第一或第二制品遭受熱負荷時支撐區允許第一制品或第二制品的至少一部分膨脹或收縮以分別減輕在第一制品或第二制品中的機械應力的增加，同時維持第一制品或第二制品基本上固定到制品支架上，和配置以在一段時間期間上確定第一制品或第二制品在位于支撐區的平面的方向上的位置偏移的位置傳感器；和配置以將構圖的輻射束投射到第二制品的目標部分的投影系統。
依據本發明的一方面，提供一種光刻投影設備，安排用于將圖形從構圖裝置轉印到襯底上，該光刻投射設備包括被構造以支撐襯底的制品支架，該制品支架包括多個支撐突起，在使用中在其上布置襯底，構造多個支撐突起以限定支撐區以提供用于襯底的支撐平面，以使當襯底遭受熱負荷時支撐區允許襯底的至少一部分膨脹或收縮以減輕機械應力的增加，同時維持襯底基本上固定到制品支架上，該制品支架進一步包括位置傳感器，所述位置傳感器被配置成在一段時間期間上確定襯底在位于支撐區的方向上的位置偏移。
依據本發明的一方面，提供一種設備，該設備包括構造以支撐制品的制品支架，該制品支架包括多個支撐突起，在使用中在其上布置制品，其中構造多個支撐突起以限定支撐區以提供用于制品的支撐平面，以使當襯底遭受熱負荷時支撐區允許制品的至少一部分膨脹或收縮以減輕機械應力的增加，同時維持制品基本上固定到制品支架上，該制品支架進一步包括位置傳感器，其被配置成在一段時間期間上確定制品的位置偏移。
依據本發明的一方面，提供一種器件制造方法，包括將構圖的輻射束投射到襯底上，柔性地在制品支架上支撐襯底，該支架被構造用于支撐將被放置在構圖的輻射束的束路徑中的襯底，該制品支架包括多個柔性的支撐突起，在使用中在其上布置襯底，以使當襯底遭受熱負荷時多個柔性的支撐突起允許襯底的至少一部分膨脹或收縮以減輕襯底中的機械應力的增加；并且使用位置傳感器在一段時間期間上確定襯底的由膨脹、收縮、漂移或任何它們的組合所導致的襯底的位置偏移。
依據本發明的一方面，提供一種方法，包括柔性地在制品支架上支撐制品，該制品支架包括多個支撐突起，在使用中在其上布置襯底，其中構造多個支撐突起以限定支撐區以提供用于制品的支撐平面，以使當襯底遭受熱負荷時，支撐區允許制品的至少一部分膨脹或收縮以減輕制品中的機械應力的增加，并且進一步包括在一段時間期間上確定制品的由膨脹、收縮、漂移或任何它們的組合所導致的制品上的點的位置偏移。


現在參照所附的示意圖僅通過舉例來描述本發明的實施例，其中相應的附圖標記指示相應的部分，并其中；圖1描繪了了根據本發明的實施例的光刻設備；
圖2描繪了根據本發明的實施例的支撐突起；圖3描繪了根據本發明的又一實施例的支撐突起；圖4描繪了根據本發明的實施例的包括多個支撐突起的制品支架；圖5描繪了圖4中所示的通過線X-X的截面；圖6描繪了根據本發明的又一實施例的包括多個支撐突起的制品支架；圖7描繪了依據本發明的再一實施例的包括多個支撐突起的制品支架；圖8描繪了根據本發明的實施例的支撐突起；圖9描繪了根據本發明的實施例的配置以精確確定應變(strain)的電路；圖10描繪了根據本發明的又一實施例的支撐突起；圖11描繪了根據本發明的又一實施例的支撐突起；和圖12描繪了根據本發明的再一實施例的支撐突起。
具體實施例方式
圖1示意地描繪了依據本發明的實施例的光刻設備。該設備包括配置以調節輻射束B(例如UV輻射或DUV輻射)的照明系統(照明器)IL；構建以支撐構圖裝置(例如掩模)MA并連接到配置以根據特定參數精確定位構圖裝置的第一定位器PM的支撐結構(例如掩模臺)MT；構建以保持襯底(例如涂敷抗蝕劑的晶片)W并連接到配置以根據特定參數精確定位襯底的第二定位器PW的襯底臺(例如晶片臺)WT；和配置以將由構圖裝置MA賦予輻射束B的圖形投射到襯底W的目標部分C(例如包括一個或多個管芯)的投影系統(例如折射投影透鏡系統)PS。
照明系統可包括各種類型的光學部件，例如折射的、反射的、磁的、電磁的、靜電的或其它類型的光學部件，或者其任意組合，用于引導、成形或控制輻射。
該支撐結構它以這樣一種方式保持構圖裝置，該方式取決于構圖裝置的方向、光刻設備的設計和其它狀況，例如構圖裝置是否保持在真空環境。該支撐結構可使用機械、真空、靜電或其它夾緊技術以保持構圖裝置。例如，該支撐結構可以是框架或臺，可以根據要求而固定或可移動。該支撐結構可以確保構圖裝置處于所需的位置，例如相對于投影系統。在此任何術語“標線”或“掩模”的使用可視為與更通用的術語“構圖裝置”同義。
在此使用的術語“構圖裝置”應該廣泛地解釋為指可用于在輻射束的截面上賦予圖形以在襯底的目標部分產生圖形的任何裝置。應該注意的是，賦予輻射束的圖形可以不是完全對應于襯底目標部分的期望圖形，例如，如果圖形包括相移特征或所謂的輔助特征。通常，賦予輻射束的圖形對應于目標部分中制造的器件的特定功能層，例如集成電路。
該構圖裝置可以透射的或反射的。構圖裝置的實例包括掩模、可編程反射鏡陣列和可編程LCD面板。在光刻中，掩模是眾所周知的，并包括例如二進制、交替相移和衰減相移以及各種混合掩模類型的掩模類型。一個可編程反射鏡陣列的實例使用小反射鏡的矩陣布置，其中每個可以單獨傾斜以反射不同方向入射的輻射束。這些傾斜的反射鏡將通過反射鏡矩陣反射的輻射束賦予圖形。
在此使用的術語“投影系統”應該廣泛解釋為包括任何類型的投影系統，包括折射的、反射的、反折射的、磁的、電磁的和靜電光學系統，或其任何組合，只要其適于使用的曝光輻射，或者適于其它因素例如使用浸沒液體或使用真空。在此術語“投影透鏡”的使用可視為與更通用的術語“投影系統”同義。
支架結構和襯底臺在后面也可指制品的支架。制品包括但不限于構圖裝置，例如標線和襯底，例如晶片。
正如在此所述的，該設備是透射型的(例如使用透射掩模)。可選擇地，該設備可以是反射型的(例如使用如上所指的可編程反射鏡陣列，或使用反射掩模)。
該光刻設備可以是具有兩個(雙級)或更多襯底臺(和/或兩個或更多支撐結構)的類型。在這種“多級”機器中可以并行使用附加的臺，或在一個或多個其它臺被用于曝光的同時在一個或多個臺上執行預備步驟。
光刻設備還可以是其中至少襯底的一部分可以被具有相對高折射率的“浸沒液體”例如水覆蓋的類型，以填充投影系統和襯底之間的空間。浸沒液體還可以被應用到光刻設備中的其它空間，例如在掩模和投影系統之間。浸沒技術在用于增加投影系統的數值孔徑的技術中是公知的。在此所使用的術語“浸沒”并不意味著結構例如襯底必須浸入液體中，而是僅意味著在曝光期間液體位于投影系統和襯底之間。
參考圖1，照明器IL從輻射源SO接收輻射束。該輻射源和光刻設備可以是分離的實體，例如當輻射源是準分子激光器時。在這種情況下，輻射源不視為形成光刻設備的部分，且輻射束借助于束傳遞系統BD從輻射源SO傳到照明器IL，該束傳遞系統BD例如包括合適的引導反射鏡和/或束擴展器。在其它情況下，輻射源可以是光刻設備的集成部分，例如當輻射源是汞燈時。輻射源SO和照明器IL，如果需要的話與束傳遞系統BD一起，可以稱為輻射系統。
照明器IL可以包括用于調節輻射束的角強度分布的調節器AD。通常，可以調節照明器光瞳面內強度分布的至少外和/或內徑向范圍(共同分別稱為σ-外和σ-內)。另外，照明器IL可以包括各種其它部件，例如積分器IN和聚光器CO。照明器可以用于調節輻射束，以在其截面具有所希望的均勻性和強度分布。
輻射束B入射在保持于支撐結構(例如，掩模臺)MT上的構圖裝置(例如，掩模)MA上，并由構圖裝置圖形化。橫穿(traversed)掩模MA之后，輻射束B通過投影系統PS，其使輻射束聚焦到襯底W的目標部分C上。借助第二定位器PW和位置傳感器IF(例如，干涉測量裝置、線性編碼器或電容傳感器等)，可以精確地移動襯底臺WT，例如以便在輻射束B的路徑上定位不同的目標部分C。同樣，例如在從掩模庫機械檢索之后或在掃描期間，可以使用第一定位器PM和另一位置傳感器(其未明確地描繪于圖1中)來相對于輻射束B的路徑精確地定位構圖裝置MA。通常，支撐結構MT的移動可借助長沖程模塊(粗定位)和短沖程模塊(精細定位)來實現，其形成部分第一定位器PM。同樣，襯底臺WT的移動可利用長沖程模塊和短沖程模塊來實現，其形成部分第二定位器PW。在步進機(如與掃描儀相對的)的情況下，支撐結構MT可僅連接至短沖程驅動器，或固定。構圖裝置MA和襯底W可利用構圖裝置對準標記M1、M2和襯底對準標記P1、P2來對準。盡管所示例的襯底對準標記占用了專用的目標部分，但它們可位于目標部分(這些公知為劃片線對準標記)之間的空間中。同樣，在構圖裝置MA上提供一個以上管芯的情形中，構圖裝置對準標記可位于管芯之間。
所描繪的設備可以用在以下模式的至少之一中1.在步進模式，支撐結構MT和襯底臺WT保持基本靜止，而賦予輻射束的整個圖形一次投射到目標部分C上(即，單靜態曝光)。然后在X和/或Y方向上移位襯底臺WT以便可以曝光不同的目標部分C。在步進模式，曝光場的最大尺寸限制了以單靜態曝光成像的目標部分C的尺寸。
2.在掃描模式，支撐結構MT和襯底臺WT被同步掃描，而賦予輻射束的圖形投射到目標部分C上(即，單動態曝光)。襯底臺WT相對于支撐結構MT的速度和方向可以由投影系統PS的(縮小)放大率((de-)magnification)和圖像反轉特性確定。在掃描模式，以單動態曝光，曝光場的最大尺寸限制了目標部分的寬度(在非掃描方向上)，而掃描運動的長度決定了目標部分的高度(在掃描方向上)。
3.在另一種模式，支撐結構MT被保持基本上靜止地保持可編程構圖裝置，并且移動或掃描襯底臺WT，同時將賦予輻射束的圖形投射到目標部分C上。在這種模式下，通常采用脈沖輻射源，并且如果需要在襯底臺WT的每次移動之后或者在掃描期間的連續輻射脈沖之間更新可編程構圖裝置。這種模式的操作可以很容易地應用到利用可編程構圖裝置、例如如涉及以上類型的可編程反射鏡陣列的無掩模光刻上。
還可以采用使用的上述模式或使用的整個不同模式的組合和/或變形。
依據本發明的實施例，提供了光刻設備，其包括配置以調節輻射束的照明系統IL；分別地被構造以支撐第一制品MA和第二制品的制品支架MT、WT，所述第一制品能在輻射束的束路徑中在輻射束的截面中賦予輻射束圖形以形成構圖的輻射束B，所述第二制品位于構圖的輻射束的束路徑中；和配置以將構圖的輻射束投射到第二制品W的目標部分上的投影系統PS。
在實施例中，制品支架MT、WT包括多個支撐突起，其被構造以限定支撐區SZ以提供用于第一或第二制品MA、W的支撐平面，以使當第一或第二制品MA、WA遭受熱負荷時，支撐區SZ允許第一或第二制品MA、W的至少一部分分別地膨脹或收縮以減小或防止在第一或第二制品MA、W中的機械應力的增加。表示的熱負荷包括加熱或冷卻中至少之一的影響。制品支架WT、MT進一步包括一個或多個配置以在一段時間期間上分別確定分別由第一或第二制品的膨脹或收縮導致的第一或第二制品MA、W的一個或多個位置偏移的位置傳感器PS。在本發明的一實施例中，所述一個或多個位置傳感器PS被配置為通過確定一個或多個支撐突起的位移來確定位置偏移，更多的細節在后面詳細描述。在實施例中，所述一個或多個位置傳感器POS被配置為通過確定第一或第二制品MA、W上的各個點的位移來確定位置偏移。在一實施例中，其中第二制品是襯底W，一個或多個位置傳感器POS包括光學傳感器，其被導向襯底W的背側以直接確定襯底的位置。進一步，襯底可以提供有一個或多個參考標記，該參考標記的位置偏移由光學傳感器確定。圖1進一步描述了反饋電路FC，配置以提供信號給照明系統IL、投影系統PS、制品支架MT、WT或它們的任意組合，其中信號使得照明系統IL、投影系統PS、或兩者考慮位置偏移分別配置輻射束和/或構圖的輻射束和/或使得制品支架校正該位置偏移。
圖2描繪了根據本發明的實施例的支撐突起2。制品支架MT、WT包括多個支撐突起2，其尺寸被設計為柔性的并且給制品提供支撐區SZ。依據實施例，用具有至少一度自由度的支撐突起2替代至少一些在制品支架MT、WT上的傳統的硬支撐突起。具有至少一度自由度的該支撐突起2形成支撐區，如圖4、6和7所示。特別地，支撐區SZ包括一個或多個支撐突起2，其被構造來在平面XY中(參見，例如圖5)具有第一自由度4，在使用中在所述平面XY內布置第一或第二制品。特別地，定向一個或更多多的支撐突起2以使第一自由度在相應于第一方向的方向4上延伸，其中位置偏移在第一方向上延伸以允許第一或第二制品在第一方向上膨脹或收縮。這樣，當制品MA、W遭受熱負荷時，例如，當襯底加熱和冷卻出現時，襯底的任何整體膨脹再也不受襯底臺上的支撐突起的限制。特別地，抑制了在支撐區SZ之外的方向上制品的偏離，同時維持制品固定于制品支架。即，這樣，允許襯底整體地膨脹和收縮。因為隨后的整體膨脹/收縮是襯底冷去/加熱的主要后果，所以相對于傳統的襯底和襯底臺，減少了在襯底和襯底臺之間增加的應力的量。這樣，減少或防止了由于這類應力的增加而致的聚焦誤差。注意由于襯底的硬度連同支撐突起2在不是它們自由度方向的方向上保持的特定量的硬度，襯底W保持固定在XY平面的襯底臺上。在襯底的測量和曝光期間需特定的硬度。
由于作為加熱和/或冷卻的結果，允許襯底膨脹和/或收縮，位置偏移比在傳統的情形下所經歷的要大。為了補償位置偏移，將一個或多個位置傳感器PS并入一個或多個支撐突起2。這樣，可測量引發的位置偏移。第一步包括在測量襯底的過程期間讀取一個或多個位置傳感器。下一步包括在構圖的輻射束被投射到襯底上之前讀取一個或多個位置傳感器。在襯底被測量的過程期間和剛好在構圖的輻射束被投射到襯底上之前獲得的讀數之間的差被確定并且使用該差來計算最優內場參數(intrafield parameter)偏移。在將構圖的輻射束投射到襯底上期間可使用最優內場參數偏移。剛好在曝光之前讀取一個或多個位置傳感器的步驟可以為每個管芯重復。每次曝光都可進行讀步驟。并且，其可以在曝光之前整體上一次完成。這樣，整體膨脹/收縮不會破壞套刻精度。如參照圖8-10所述，可使用一個或多個應變儀和一個或多個電容傳感器來測量支撐突起的位置偏移。
在圖2所示的實施例中，將支撐突起2構造成片簧。這樣，提供了在第一方向4的自由度，同時在其它方向上提供了足夠的硬度。支撐突起2的尺寸在Z方向6上可以是100微米級并且在Y方向8上是50微米級。支撐突起2可由包括但不限于微晶玻璃(Zerodur)、堇青石(Corderite)和反應燒結碳化硅(SiSiC)的材料構成。
在實施例中，當在曝光過程期間使用大輻射劑量時，襯底可能不能足夠快地消散過多的熱量，因此襯底會趨向膨脹。依據實施例，允許膨脹，即多個支撐突起2在XY平面不再設法防止變形。并且，在徑向方向上即從襯底邊緣向外延伸的方向上顯著地出現膨脹。因此，在實施例中，定向多個各支撐突起以使第一自由度和膨脹/收縮的主方向例如徑向對準，。這樣，多個支撐突起在XY平面上不設法防止徑向變形。因為這，減小了XY平面外的偏離，即通過襯底加熱/冷卻來減少聚焦誤差，并以同樣的理由，減少了滑動(slip)的可能性。注意使用傳統的硬的支撐突起2，當發生滑動時，它可能導致較大的套刻精度誤差，因為襯底相對于襯底級不被保持在相同的位置。與之相比，依據實施例，支撐區允許制品的膨脹或收縮，如果發生滑動，可能出現套刻精度誤差，因為一個或多個位置傳感器可能再也不能檢測到制品的點的實際位置。然而，有利地，在本發明的一個或多個實施例中大大地減少滑動發生的可能性。這是因為突起已經被在明確的方向上給予一自由度并且在制品和突起之間的摩擦力幾乎不能被克服以便顯著地減小滑動的可能性。在襯底被測量的過程期間得到的多個支撐突起2相對于其位置的徑向(X，Y)位置偏移被確定，并且根據相鄰支撐突起的徑向(X，Y)位置偏移為特定管芯計算最優參數偏移并且使用它們來獲得最優的套刻精度。在實施例中，通過在制品是標線的情況下提供反饋給照明系統，和在制品是襯底情況下提供反饋給投影系統，來使用這些最優的參數偏移。在又一實施例中，通過提供反饋給制品支架，來額外地或替代地使用這些最優參數偏移。這樣，測量了襯底加熱引起的照明的徑向XY影響并且進行補償而例如沒有使用預置(send ahead)襯底或必須依賴前饋模型。
圖3描繪了根據本發明的又一實施例的支撐突起。圖3描述了具有第二自由度10的支撐突起20。這樣，襯底在XY平面，即，由多個支撐突起2支撐的平面中的任意方向上不保持固定。相反，構造支撐突起以使它們不限制支撐突起20的頂部20的徑向XY移動。支撐突起20僅在向下(Z)方向提供硬度并且在X和Y方向都是自由的，如分別指向方向4、10的箭頭所示，其中方向4對應于繞Y軸的自由旋轉和方向10對應于繞X軸的自由旋轉。特別地，第二自由度10在基本上和方向4正交的方向上延伸，其中在方向4上第一自由度在平面(XY)中延伸，在該平面中在使用中在多個支撐突起2、20上布置第一或第二制品MA、W。特別地，第二自由度在第二方向10上延伸，在所述第二方向上的位置偏移延伸以允許第一或第二制品MA、W在第二方向膨脹或收縮。支撐突起20包括第一支點(fulcrum)16以允許支撐突起20在第一方向4上樞軸旋轉和第二支點16以允許支撐突起20在第二方向10上樞軸旋轉。為了分別提供第一和第二自由度4、10，通過布置在第一和第二方向上的支撐突起的相對側上的凹進處(recess)可形成第一和第二支點14、16。
圖4描繪了根據本發明的實施例的包括多個支撐突起的制品支架。所提到的制品支架包括多個尺寸被設計成提供支撐區SZ的支撐突起。在圖4中，由于清晰的原因，僅相對少的支撐突起示作黑點。每個支撐突起的自由度由延伸通過黑點的箭頭表示。在實施例中，支撐突起的分布密度典型地為大約150,000突起/m2的數量級，例如，在直徑為300mm的晶片的下面有12000個突起，即覆蓋pi*r2＝pi*(0.3/2)2＝0.07065m2的面積，密度＝12000/0.07065[m2]～150,000m-2。應理解支撐突起的分布和密度依賴于包括需支撐的制品和支撐突起的結構和材料的因素。在圖4中顯示的支撐區SZ由多個具有一個自由度的支撐突起2構成。在所示實施例中，支撐突起2具有關于圖2、圖8、圖10或圖11中的一個或更多所示和所述的構造。如上所述，遭受熱負荷的制品主要在相當于制品原點的徑向方向上膨脹/收縮。因此，為了允許膨脹/收縮主要發生從制品的原點向外延伸的徑向方向上，定向支撐突起2以使一個自由度4徑向對準以便當制品被布置在支撐區SZ上時具有基本上和支撐區SZ的原點22對準的它的原點。換句話說，當將第一或第二制品布置在支撐區SZ上時，支撐突起2的自由度的方向4相對于在分別對應于第一或第二制品MA、W的中心的支撐區SZ上的位置22是徑向的。
特別地，徑向方向從位置22在平面(XY)的向外方向上延伸，其中在使用中將第一或第二制品布置在支撐區上。例如，通過在徑向方向上以它們的單個自由度連同襯底W的硬度定向柔性的支撐突起2，在測量和曝光過程期間保持襯底W固定在襯底臺WT上。如上述，因為支撐突起2的移動不受限，所以徑向偏移可比傳統的設備的大。為了補償徑向偏移，將一個或多個位置傳感器集成到至少一些支撐突起2中，如參照圖8-10的更詳細的描述。在實施例中，不是將一個或多個位置傳感器集成到支撐突起中，而是例如通過使用檢測制品特別是襯底的背側的傳感器來確定一個或多個位置偏移。
圖5描繪了通過圖4中所示的線X-X的截面。特別地，圖5顯示了包括多個支撐突起2的支撐區SZ。支撐區SZ位于XY平面中。在實施例中，支撐區SZ基本上是平的。通過多個支撐突起2在支撐區SZ上支撐襯底W。支撐突起2具有徑向對準的其自由度4并且在Y方向當延伸。每個支撐突起2的頂部24是圓形的，具有球體或類似球體的形狀。這樣，制品在支撐突起2的頂部24的頂部表面25上是自由移動的。
圖6描繪了根據本發明的另一實施例的包括多個支撐突起的制品支架。不必給所有支撐突起提供一個自由度。依賴于應用，因而可選具有零、一個或二個自由度的支撐突起的分布。在圖6所示的實施例中，制品支架包括在使用中支撐襯底W的支撐區SZ，其中支撐區SZ包含包括一個或多個具有第一自由度的支撐突起2的第一區域26，其中第一區域26支撐具有比平均期望偏移更大的偏移的襯底的區域。例如襯底的外部邊緣可經歷比平均膨脹/收縮的更大的膨脹/收縮。因此，在實施例中，第一區域26支撐襯底的外部邊緣。這樣，制品支架適合允許在襯底的最需要的區域膨脹。在圖6所示的實施例中，支撐區SZ包含包括多個分別具有零自由度的支撐突起30的第二區域28。特別地，第二區域28支撐具有比平均期望偏移更小的偏移的襯底區域。這樣，在預期更小膨脹/收縮的區域中，提供了具有硬度的傳統突起。例如，襯底的中心區域可經歷更少量的膨脹/收縮。因此，在實施例中，第二區域28支撐第一或第二制品的中心區域。可相鄰第一區域26提供第二區域28。
圖7描繪了依據本發明的再一實施例的包括多個支撐突起的制品支架。圖7顯示了另一種布置，其中支撐區SZ包括多個具有一個自由度的支撐突起2、多個具有兩個自由度的支撐突起20和多個具有零自由度的支撐突起30。支撐區SZ包含多個包括多個具有第一自由度的支撐突起2的第一區域26、包括多個具有零自由度的支撐突起30的第二區域28和包括多個具有第二自由度的支撐突起20的第三區域32。這樣，根據需要來平衡在提供柔度以允許制品膨脹和收縮之間的平衡以提供具有一定硬度的支撐來保持制品耦合到下面的襯底臺。
圖8描繪了根據本發明的實施例的支撐突起。因為由于柔性的支撐突起2、20位置偏移(例如徑向偏移)一般地比在傳統裝置中的大，依據本發明的實施例，測量位置偏移以便它們可在例如曝光處理期間被校正。為實現此目的，將一個或多個傳感器40、42集成到一些支撐突起中，典型地集成到一部分支撐突起中，來測量從襯底W的測量過程開始的支撐突起已經經歷的在XY平面中的位置偏移，以使在管芯的曝光期間，可以補償在該管芯周圍的所有支撐突起的位置偏移。特別地，一個或多個位置傳感器通過確定一個或多個支撐突起的位移來確定制品上的特定點的位置偏移。可使用為所有支撐突起測量的位置偏移來確定用于下一管芯的最優內場參數偏移，其將在襯底測量過程期間被應用到測量的襯底格柵的頂部。這些參數可包括平移、旋轉、放大、非對稱旋轉和/或非對稱放大。注意可校正后兩個參數用于掃描系統。可接著在涉及的管芯的實際曝光期間校正這些參數以使該管芯的套刻精度不包含襯底在該特定管芯周圍具有的位置偏移。為實現此目的，傳感器可以被提供用來測量每個支撐突起的位置偏移。不必測量所有的支撐突起。然而，如果有例如12000個支撐突起，可提供傳感器用于這些支撐突起中的200個。對于具有300毫米直徑的制品(例如襯底)，可提供接近4000到30000個支撐突起。提供有位置傳感器的突起的比例可從1/20到1/100。因此該比例相對較小。傳感器確定正好在曝光發生之前的支撐突起的位置相對于在襯底測量過程期間的測量位置的差，因此，傳感器僅需在襯底的測量/曝光期間保持穩定。在圖8、10、11和12中示出的實施例中，傳感器與支撐突起2集成在一起。傳感器的精確度在低于納米(sub-nanometer)的范圍內，因為光刻設備的套刻精度直接依賴于傳感器的精確度。注意在襯底測量期間，測量一個或多個位置傳感器(即“歸零”)，以使它們的基準是在制品測量期間的狀態。在圖8中，支撐突起2被提供有一個或多個應變儀以確定位移。可使用MEMS技術來制造應變儀。對于其它類型的位置傳感器，和對于制造所需自由度的支撐突起，也可使用MEMS-技術。可將抗蝕層噴到例如硅上。在實施例中，支撐突起包括第一和第二面(facet)41，43，其在正交第一方向4的平面中延伸，在該平面上分別布置第一和第二應變儀40、42，以便通過第一和/或第二應變儀40、42的壓縮和/或膨脹來確定支撐突起2的位移。當在其自由方向上移動支撐突起時，接著可壓縮一個應變儀并且延伸另一個，因此阻抗的改變將是大約相同的，但具有不同的符號。
圖9描述了根據本發明的實施例的確定應變的電路。由于阻抗變化將是大約相同，但具有不同符號，可在惠斯通電橋結構45中將支撐突起的兩個應變儀放在一起，如圖9所示。這樣，可增加精確度，例如，“共模抑制”則可能，即，可抵消在兩個傳感器上的共模效應，例如外圍溫度升高。惠斯通電橋45具有傳統的結構，其包括在惠斯通電橋一側的第一應變儀40和第二應變儀42以及在惠斯通電橋的相對側上的兩個參考電阻46、47、電壓輸入端48和電壓輸出端49。
圖10描繪了根據本發明的另一實施例的支撐突起。在該實施例中，給支撐突起2提供一個或多個電容板50、52以確定突起2的位移。支撐突起2包括在和第一方向4正交的平面中延伸的第一和第二面41、43，在第一方向上分別布置第一和第二電容板50、52，以便通過在第一和第二電容板50、52兩端測得的電容確定支撐突起的位移。在該實施例中，電容板起電容傳感器的作用來確定支撐突起的位置偏移。在實施例中，電容傳感器50、52具有低于納米的分辨率。在實施例中，將第一和第二電容板50、52被布置在惠斯通電橋結構中。
對于用在浸沒設備中的支撐突起的配置，在實際中可精確測量由支撐突起的頂部的1納米的位置變化導致的電容板50、52的電荷變化。確定支撐突起的位置偏移的第一和第二電容板50、52的電信號也可被組合在惠斯通電橋中，類似于圖9中對于應變儀40、42所示的，除了對于用于第一和第二電容板的惠斯通電橋，在AC模式中可激發該橋。注意該襯底起寄生電容的作用。然而，由于僅需確定在相對于襯底測量期間的曝光期間的位置中的差，應該消除寄生電容的影響。
圖11描繪了依據本發明的另一實施例的支撐突起。一個或多個實施例可在浸沒光刻中具有應用。以浸沒光刻為例，一旦襯底在曝光后經過浸沒液體密封結構，則可能發生保持有液體(例如水)薄膜。該液體可接著迅速蒸發并且因此，襯底可迅速失去熱量。在這種條件下，由來自襯底臺WT的熱量不能足夠快地彌補這些熱量損失，因為須考慮支撐突起的阻熱性。結果，襯底則局部冷卻下來，并且因此設法收縮那里。因為傳統支撐突起和襯底臺本身的有限硬度，襯底可在XY平面內變形。由于上面給出的相同理由，XY平面外的變形也可能出現，可能導致聚焦錯誤。圖11描繪了在第一方向4中具有第一自由度的適用于浸沒光刻的支撐突起2。該支撐突起2包括主體60和襯底布置于其上的頂部62。主體60被提供有第一和第二槽64、66，該槽將它的在方向4中的自由度給予該支撐突起2。在頂部62的相對側上提供槽64、66。包括槽的表面區域的該主體60被提供有導電涂層67。在實施例中，主體是柱狀形式。從中心部分63分離的該主體的外部部分61形成電容板61，63，其可按參照圖10所述的來在惠斯通電橋結構中連接以確定在方向4上的支撐突起2的位置偏移。
這種支撐突起2的典型尺寸包括主體的直徑68大約為2毫米，主體的高69大約為0.4毫米，槽64、66的寬典型地為大約15微米，并且在槽64、66之間的距離75時大約150微米。應理解這些尺寸依賴于應用而變化。在支撐突起之間的間距(pitch)在1-5毫米的數量級。
圖12描繪了依據本發明的再一實施例的支撐突起。特別地，圖12描述了用于浸沒光刻中的支撐突起20，其在第一和第二方向具有兩個自由度。將導電涂層67提供給柔性的支撐突起。進一步提供兩個位置傳感器以確定支撐突起20的位置偏移。每個位置傳感器包括一組導電板72、74。這些導電板是相對的。第一組導電板72和第二組導電板74起兩個電容的作用，如參照圖10所述。進而，可在惠斯通電橋結構中提供電容72、74，即提供兩個惠斯通電橋，一個惠斯通電橋用于每個方向，以獲得精確的柔性支撐突起20的第一和第二方向位置偏移。特別地，第一組導電板72可檢測在X方向上的位置偏移并且第二組導電板74可檢測在Y方向上的位置偏移。導電板72、74是固定的。進而，它們可以被提供有導電涂層67。這樣，將帶電容板來確定位置偏移的支撐突起20集成到用于浸沒光刻的支撐突起中。可通過在支撐突起和導電涂層67中的適合的槽64、66、67來實現該結構。
對于圖11和12所示的實施例，15微米的槽寬能足夠大以獲得在實際中可測的電容變化。
例如，取圖11中所示的實施例，電容板可以是2毫米寬和0.4毫米高。在中心部分63和外部部分61之間的距離75可為15微米。當支撐突起2的頂部在其自由方向上移動一定距離同時支撐突起的“腳”保持固定時，假設得到的電容變化等于如果電容板作為整體移向支撐突起那么多距離而引起的電容變化的0.3倍。因此考慮電容板的可撓性(flexing)，假設0.3的因子。
可計算在圖11中的電容或在圖12中的兩個電容中的一個的電容如下C=ϵ0ϵrAd]]>為了確定導致支撐突起的頂部的1納米的位置變化的電容變化(或每次施加電壓時電荷量ΔQ的變化) 其中k是因子0.3。
因此， 1電子具有1.6e-19庫侖的電荷，因此對于支撐突起的頂部的1納米的偏差，得到下面的 這大于被認為是對在實際中每個施加的電壓的最小可察覺電荷的粗略估計的每個施加的電壓7個電子。
該設計的另一優點是其魯棒性(robustness)。進而，可通過周圍的導電板72、74來保護支撐突起20的柔性部分。例如，支撐突起的柔性部分不會偏差很多以使其損壞。特別地當清洗襯底臺WT時這是有優勢的。
可進一步將阻尼器(damper)(未在圖中顯示)提供給如上述圖所示的突起，該阻尼器確保支撐突起在例如諸如襯底臺的制品支架的掃描移動期間的高頻是硬的，而對于例如諸如襯底的制品膨脹期間的低頻是不硬的，即具有一定柔韌度。這種阻尼器可基于流體例如空氣或液體。替代地，這種阻尼器可包括供有開口的柔性(flexible)壁。例如可在流體填充的盆內提供這種柔性壁，以便在支撐突起上提供增強的阻尼效應。用這種阻尼的支撐突起，特別是具有兩度自由度的支撐突起，不必提供額外的支撐突起來在制品支架上保持制品，因為摩擦力將制品固定在制品支架上，假設在一個方向上的掃描移動數將抵消在相反方向上的掃描移動數，其一般是這種情況。在支撐突起具有兩度自由度的情形下，除制品膨脹或收縮之外，位置偏移也可包括制品的漂移或平移漂移。
為了確保襯底W粘住襯底臺WT，可增加真空夾力。進而，這可通過平滑支撐突起的頂部來實現。
已經參照基本上是圓形的并且被構造來支撐基本上是圓形的制品并且用于支撐由投射輻射束曝光的襯底的制品支架說明了本發明的一個或多個實施例。然而，對于本領域技術人員應清楚本發明也可或替代地應用于任何其他制品，特別地，應用于掩膜(標線)形式的制品，或具有其它形狀例如正方形的制品支架和制品或制品的一部分。
盡管在本文中對IC制造中的光刻設備進行了具體參考，但應當理解，在此描述的光刻設備可具有其它應用，例如集成光學系統、用于磁疇存儲器的制導和檢測圖形、平板顯示器、液晶顯示器(LCD)、薄膜磁頭等的制造。熟悉技藝者將意識到，在這種可選應用的上下文中，在此任一使用的術語“晶片”或“管芯”可認為是分別與更通用的術語“襯底”或“目標部分”同義。可在曝光之前或之后，以例如軌道(一般將一層抗蝕劑涂覆到襯底上并顯影該暴露的抗蝕劑的工具)、計量工具和/或檢驗工具，處理在此涉及的襯底。如果可應用，可將在此的公開應用到這種和其它襯底處理工具。而且，例如為了建立多層IC，襯底可被處理一次以上，因此在此所使用的術語襯底還涉及已經包含多個處理層的襯底。
雖然已經在上面具體參考了本文中本發明光刻的應用實施例，但意識到本發明可以用于其他應用，例如壓印光刻，且在本文允許的情況下不限于光刻。在壓印光刻中構圖裝置中的幾何圖形限定了在襯底上產生的圖形。構圖裝置的幾何圖形可以壓印到提供在襯底上的抗蝕劑層中，在襯底上通過施加電磁輻射、熱、壓力或其組合來硬化抗蝕劑。在抗蝕劑硬化之后，構圖裝置被移出抗蝕劑留下圖形在抗蝕劑中。
在此使用的術語“輻射”和“束”包含所有類型的電磁輻射，包括紫外(UV)輻射(例如，具有約365、248、193、157或126nm的波長)和遠紫外線(EUU)輻射(例如，具有在5-20nm范圍內的波長)，和粒子束，諸如離子束和電子束。
術語“透鏡”在本文允許的情況下可以指各種光學部件的任何一種或組合，包括折射，反射，磁的，電磁的光學部件。
雖然已經在上面描述了本發明的具體實施例，但將意識到除上述外可以實現本發明。例如，在應用中，本發明可以采取包含描述上述方法的一個或多個連續機器可讀指令的計算機程序的形式，或者采取具有存儲其中的這種計算機程序的數據存儲介質(例如，半導體存儲器、磁盤或光盤)的形式。
以上描述意在說明，而非限制性的。因此，本領域技術人員將明白，在不脫離以下權利要求所述的范圍的情況下可以對所述本發明進行修改。
權利要求
1.一種光刻設備，包括被構造成支撐第一制品或第二制品的制品支架，所述第一制品能在輻射束的束路徑中在輻射束的截面中賦予輻射束圖形以形成構圖的輻射束，所述第二制品將被放置在構圖的輻射束的束路徑中，該制品支架包括多個支撐突起，在使用中在其上布置第一或第二制品，其中構造多個支撐突起以限定支撐區以提供用于第一制品或第二制品的支撐平面，以使當第一或第二制品遭受熱負荷時支撐區允許第一制品或第二制品的至少一部分膨脹或收縮以分別減輕在第一制品或第二制品中的機械應力的增加，同時維持第一制品或第二制品基本上固定到制品支架上，和配置以在一段時間期間上確定第一制品或第二制品在位于支撐區的平面的方向上的位置偏移的位置傳感器；和配置以將構圖的輻射束投射到第二制品的目標部分的投影系統。
2.根據權利要求1的設備，進一步包括配置以提供信號給照明系統、投影系統、制品支架或它們的任意組合的反饋電路，所述照明系統被配置來調節輻射束，其中所述信號使得照明系統、投影系統、或兩者分別考慮位置偏移分別產生輻射束和/或構圖的輻射束和/或使得制品支架校正該位置偏移。
3.根據權利要求1的設備，其中支撐區包括一個或多個被構造成柔性的在平面內具有第一自由度的支撐突起，其中在使用中在所述平面內布置第一或第二制品，其中定向一個或多個支撐突起以使第一自由度在對應于第一方向的方向上延伸，其中位置偏移在第一方向上延伸以允許第一制品或第二制品在第一方向上膨脹或收縮。
4.根據權利要求3的設備，其中當第一或第二制品被布置在支撐區上時，所述方向是相對于分別對應于第一制品或第二制品的中心的柔性支撐上的位置為徑向的。
5.根據權利要求4的設備，其中所述徑向方向在所述平面上從所述位置以向外的方向延伸，在所述平面內在使用中將第一制品或第二制品布置在支撐區上。
6.根據權利要求1的設備，其中將一個或多個支撐突起構造成片簧。
7.根據權利要求3的設備，其中一個或多個支撐突起具有第二自由度。
8.根據權利要求7的設備，其中第二自由度在和第一自由度在所述平面上延伸的方向正交的方向上延伸，在所述平面內在使用中將第一制品或第二制品布置在支撐區上。
9.根據權利要求7的設備，其中第二自由度在第二方向上延伸，在第二方向上的位置偏移延伸以允許第一制品或第二制品在第二方向上膨脹或收縮。
10.根據如權利要求9的設備，包括位置傳感器，配置以確定在第二方向上的位置偏移。
11.根據權利要求7的設備，其中一個或多個支撐突起包括第一支點以允許支撐突起在第一方向上樞軸旋轉，和第二支點以允許支撐突起在第二方向上樞軸旋轉。
12.根據權利要求11的設備，其中第一和第二支點中的每個都包括形成在第一和第二方向上的支撐突起的相對側上的凹進處，以分別提供第一和第二自由度。
13.根據權利要求1的設備，其中配置位置傳感器以通過確定一個或多個支撐突起的位移來確定內場參數偏移。
14.根據權利要求13的設備，其中一個或多個支撐突起被提供有配置以確定所述位移的應變儀。
15.根據權利要求13的設備，其中一個或多個支撐突起中的每個都包括在與第一方向正交的平面上延伸的第一和第二相對面，在其上分別布置第一應變儀和第二應變儀，以便通過分別布置有第一應變儀和第二應變儀的第一和第二相對的面的壓縮和/或膨脹來確定支撐突起的位移。
16.根據權利要求15的設備，其中第一和第二應變儀被設置在惠斯通電橋結構中。
17.根據權利要求13的設備，其中一個或多個支撐突起被提供有配置以確定所述位移的電容板。
18.根據權利要求17的設備，其中一個或多個支撐突起包括在與第一方向正交的平面上延伸的第一和第二相對的面，在其上分別布置第一電容板和第二電容板，以便分別通過在第一和第二電容板兩端測得的電容來確定一個或多個支撐突起的位移。
19.根據權利要求18的設備，其中第一和第二電容板被設置在惠斯通電橋結構中。
20.根據權利要求1的設備，其中配置位置傳感器以通過確定第一或第二制品的位移來確定在第一或第二制品上的各個點的位置偏移。
21.根據權利要求20的設備，其中第二制品是襯底并且所述位置傳感器被導向襯底W的背側以直接確定襯底的位置。
22.根據權利要求21的設備，其中位置傳感器包括光學傳感器。
23.根據權利要求22的設備，其中襯底被提供有參考標記，所述參考標記的位置偏移通過光學傳感器確定。
24.根據權利要求7的設備，其中支撐區包含包括一個或多個具有第一自由度的支撐突起的第一區域，所述第一區域被配置為支撐預期大于平均位置偏移的第一制品或第二制品的區域。
25.根據權利要求24的設備，其中配置第一區域以支撐第一制品或第二制品的外部邊緣。
26.根據權利要求24的設備，其中支撐區包含包括多個分別具有零自由度的支撐突起的第二區域。
27.根據權利要求26的設備，其中第二區域被配置為支撐預期小于平均位置偏移的第一制品或第二制品的區域。
28.根據權利要求26的設備，其中配置第二區域以支撐第一制品或第二制品的中心區域。
29.根據如權利要求26的設備，其中第二區域與第一區域相鄰。
30.根據權利要求24的設備，其中支撐區包含包括多個具有第二自由度的支撐突起的第三區域。
31.根據權利要求1的設備，其中一個或多個支撐突起包括配置以阻擋一個或多個支撐突起受制品支架的高頻移動的影響而在低頻是有彈性的阻尼器。
32.根據權利要求31的設備，其中由于在第一制品或第二制品和制品支撐之間的摩擦力，第一制品或第二制品維持固定到制品支架上。
33.根據權利要求1的設備，其中支撐區提供基本上平的支撐平面用于第一或第二制品。
34.根據權利要求1的設備，其中配置位置傳感器以確定在第一制品或第二制品上的特定點的位置偏移。
35.根據權利要求1的設備，其中第一制品或第二制品的位置偏移分別由第一制品或第二制品的膨脹或收縮產生。
36.根據權利要求1的設備，其中涉及的膨脹或收縮是第一制品或第二制品的局部膨脹或收縮。
37.一種光刻投射設備，安排用于將圖形從構圖裝置轉印到襯底上，該光刻投射設備包括被構造以支撐襯底的制品支架，該制品支架包括多個支撐突起，在使用中在其上布置襯底，構造多個支撐突起以限定支撐區以提供用于襯底的支撐平面，以使當襯底遭受熱負荷時支撐區允許襯底的至少一部分膨脹或收縮以減輕機械應力的增加，同時維持襯底基本上固定到制品支架上，該制品支架進一步包括位置傳感器，所述位置傳感器被配置成在一段時間期間上確定襯底在位于支撐區的方向上的位置偏移。
38.一種設備，該設備包括構造以支撐制品的制品支架，該制品支架包括多個支撐突起，在使用中在其上布置制品，其中構造多個支撐突起以限定支撐區以提供用于制品的支撐平面，以使當襯底遭受熱負荷時支撐區允許制品的至少一部分膨脹或收縮以減輕機械應力的增加，同時維持制品基本上固定到制品支架上，該制品支架進一步包括位置傳感器，其被配置成在一段時間期間上確定制品的位置偏移。
39.一種器件制造方法，包括將構圖的輻射束投射到襯底上；柔性地在制品支架上支撐襯底，該支架被構造用于支撐將被放置在構圖的輻射束的束路徑中的襯底，該制品支架包括多個柔性的支撐突起，在使用中在其上布置襯底，以使當襯底遭受熱負荷時多個柔性的支撐突起允許襯底的至少一部分膨脹或收縮以減輕襯底中的機械應力的增加；并且使用位置傳感器在一段時間期間上確定襯底的由膨脹、收縮、漂移或任何它們的組合所導致的襯底的位置偏移。
40.根據權利要求39的方法，包括將位置傳感器集成到一個或多個柔性的支撐突起以測量位置偏移。
41.根據權利要求40的方法，包括在將構圖的輻射束投射到襯底上之前，讀取將被曝光的區域附近的位置傳感器。
42.根據權利要求41的方法，包括確定在測量襯底的過程期間和剛好在將構圖的輻射束投射到襯底上之前獲得的讀數之間的差。
43.根據權利要求42的方法，包括為將被曝光的每個管芯確定所述差。
44.根據權利要求42的方法，包括對作為整體的曝光過程確定所述差。
45.根據權利要求42的方法，包括使用所述差來計算最優內場參數偏移。
46.根據權利要求45的方法，包括在將構圖的輻射束投射到襯底期間應用所述最優內場參數偏移。
47.一種方法，包括柔性地在制品支架上支撐制品，該制品支架包括多個支撐突起，在使用中在其上布置襯底，其中構造多個支撐突起以限定支撐區以提供用于制品的支撐平面，以使當襯底遭受熱負荷時，支撐區允許制品的至少一部分膨脹或收縮以減輕制品中的機械應力的增加，并且進一步包括在一段時間期間上確定制品的由膨脹、收縮、漂移或任何它們的組合所導致的制品上的點的位置偏移。
全文摘要
公開了一種光刻設備，包括構造以支撐第一制品或第二制品的制品支架，所述第一制品能在輻射束的束路徑中在輻射束的截面中賦予輻射束圖形以形成構圖的輻射束，所述第二制品將被放置在構圖的輻射束的束路徑中，該制品支架具有多個支撐突起，在使用中在所述支撐凸起上布置了第一或第二制品，其中構造多個支撐突起以確定支撐區以為第一制品或第二制品提供支撐平面，以使當第一或第二制品遭受熱負荷時支撐區允許第一制品或第二制品的至少一部分膨脹或收縮以分別減輕在第一制品或第二制品中的機械應力的增加，同時維持第一制品或第二制品基本上固定到制品支架上，和配置以在一段時間期間上確定第一制品或第二制品在位于支撐區的平面的方向上的位置偏移的位置傳感器，和配置以將構圖的輻射束投射到第二制品的目標部分的投影系統。
文檔編號H01L21/027GK1971430SQ200610172380
公開日2007年5月30日 申請日期2006年11月7日 優先權日2005年11月8日
發明者J·J·奧坦斯, M·E·J·伯恩曼, T·J·M·卡斯坦米勒, A·B·祖尼克 申請人:Asml荷蘭有限公司