氮化鎵基發光二極管及其制造方法

專利名稱：氮化鎵基發光二極管及其制造方法
技術領域：
本發明涉及一種制造氮化鎵基發光二極管(下文稱為GaN基LED)的方法，該方法可以簡化具有透明電極和保護膜的GaN基LED的總體制造工藝。
背景技術：
通常，氮化物半導體是具有相對較高能帶隙的材料(在GaN半導體情況下，大約3.4eV)，并且廣泛用在產生綠色或藍色短波長光的光學元件中。作為這樣的氮化物半導體，廣泛采用具有以下復合物分子式的材料AlxInyGa(1-x-y)N(其中，0≤x≤1，0≤y≤1，且0≤x+y≤1)。
由于GaN基半導體晶體可以在諸如藍寶石基板的絕緣基板上生長，所以電極可以不形成在基板的后表面上(如在GaAs基LED中一樣)。因此，兩個電極都應該形成在晶體生長型半導體層的側面中。
為此，需要形成臺式結構的過程。在臺式結構中，上鍍層和活性層的一些區域被去除，從而露出下鍍層的上表面的一部分。
由于上鍍層所形成的p型GaN層具有相對較高的電阻，因此需要附加層，在該附加層中，通過使用常用的電極可以形成歐姆接觸。因此，在現有技術中，在p型GaN層上形成電極之前，形成Ni/Au透明電極，以便于形成歐姆接觸，從而減小了正向電壓Vf。對于透明電極，可以使用ITO(氧化銦鈦)膜。
同樣地，為了制造根據現有技術的GaN基LED，需要臺式結構形成過程、透明電極形成過程、以及結合電極(bonding electrode)形成過程。另外，在制造GaN基LED時單獨伴隨有保護膜形成過程。因此，整個制造工藝變得復雜。這種復雜性可以在圖1A至圖1G的過程實例中看到。
圖1A至圖1G是依次示出了用于解釋制造根據現有技術的GaN基LED方法的過程的截面視圖。
如圖1A所示，該過程首先是基本生長過程，在該過程中，n型GaN層111、活性層113、以及p型GaN層115依次形成在由藍寶石形成的透明絕緣基板100上。此時，n型GaN層111、活性層113、以及p型GaN層115可以通過眾所周知的氮化物生長過程(如MOCVD)形成。
其次，如圖1B所示，為了在n型GaN層111的上表面上形成n電極(未示出)，執行形成臺式結構的過程。更具體地，臺式結構形成過程包括在p型GaN層115的待蝕刻區域以外的上表面上形成第一光刻膠PR1；以及通過使用第一光刻膠PR1作為蝕刻掩模，蝕刻并去除p型GaN層115和活性層113的預定區域，從而露出n型GaN層111的上表面的一部分。
接著，如圖1C所示，在去除用于形成臺式結構的第一光刻膠PR1之后，在通過去除第一光刻膠PR1而露出的p型GaN層115的預定區域上形成透明電極120。
之后，如圖1D所示，通過典型的電極形成過程，分別在透明電極120和露出的n型GaN層111上形成p電極140和n電極130。
然后，如圖1E所示，在所得到的結構(其中形成有p電極140和n電極130)的整個頂表面上形成由諸如SiO2或SiN的材料形成的保護膜150。
接著，如圖1F所示，在頂表面150上形成第二光刻膠PR2，從而露出保護膜150的對應于p電極140和n電極130的部分。
然后，如圖1G所示，用作為蝕刻掩模的第二光刻膠PR2選擇性地蝕刻并去除保護膜150。因此，露出了p電極140和n電極130。
如上所述，在制造根據現有技術的GaN基LED的方法中，整個制造工藝較復雜。此外，由于用作保護膜的SiO2或SiN膜與電極(即，透明電極120、p電極140、以及n電極130)的粘附性能較差，會發生不良粘附(例如，膜會脫落)，從而降低了二極管的特性和可靠性。

發明內容
本發明的優點在于提供了一種GaN基LED，其中，通過使用由氧化銦構成的透明層，而不用單獨的蝕刻過程就能同時形成透明電極和保護膜。因此，簡化了整個制造工藝，同時，增強了保護膜與電極之間的粘附性能，從而防止了不良粘附。
本發明的另一優點在于提供了一種制造上述GaN基LED的方法。
本發明的總發明構思的其它方面和優點將部分地在隨后的描述中闡述，并且將部分地通過描述而變得顯而易見，或者可通過對總發明構思的實踐而獲得。
根據本發明的一方面，GaN基LED包括基板；形成在基板上的n型GaN層；形成在n型GaN層的預定區域上的活性層；形成在活性層上的p型GaN層；形成在p型GaN層上的透明電極；形成在透明電極上的p電極；形成在其上未形成有活性層的n型GaN層上的n型電極；以及形成在透明電極與n型電極之間所得到的結構上的保護膜，該保護膜由等離子體氧化的透明層構成。
根據本發明的另一方面，保護膜形成在透明電極與n型電極之間所得到的結構上，并且可以由經過灰化過程的透明層構成。
根據本發明的又一方面，透明層由通過向氧化銦內添加一種或多種元素(選自由錫、鋅、鎂、銅、銀、和鋁組成的組)而形成的化合物構成。添加的元素占全部化合物的1-30wt％。
根據本發明的再一方面，GaN基LED還包括形成在保護膜與位于透明電極和n電極之間所得到的結構之間的粘附層。
根據本發明的再一方面，粘附層由通過向氧化銦內添加一種或多種元素(選自由錫、鋅、鎂、銅、銀、和鋁組成的組)而形成的化合物構成，該粘附層通過添加與添加到透明層內的元素不同的元素而形成。
根據本發明的再一方面，粘附層由通過向氧化銦內添加一種或多種元素(選自由錫、鋅、鎂、銅、銀、和鋁組成的組)而形成的化合物構成，該粘附層通過添加的元素量與添加到透明層內的元素量不同而形成。
根據本發明的再一方面，GaN基LED還包括形成在基板與n型GaN層之間的緩沖層。
根據本發明的再一方面，制造GaN基LED的方法包括在基板上依次形成n型GaN層、活性層、以及p型GaN層；對p型GaN層、活性層和n型GaN層的部分進行臺面蝕刻，以便露出n型GaN層頂表面的一部分；在所得到結構的露出n型GaN層一部分的整個表面上形成透明層；在透明層的頂表面上形成掩模，該掩模打開透明層的除透明電極形成區域之外的區域；以及在通過掩模而露出的透明層上執行等離子體氧化過程，從而形成保護膜。
根據本發明的再一方面，保護膜可以通過在通過掩模而露出的透明層上執行灰化過程而形成。
根據本發明的再一方面，透明層可以由通過向氧化銦內添加一種或多種元素(選自由錫、鋅、鎂、銅、銀、和鋁組成的組)而形成的化合物構成。添加的元素占全部化合物的1-30wt％。
根據本發明的再一方面，該方法還包括在形成透明層之前，在所得到結構的露出n型GaN層一部分的整個表面上形成粘附層。
根據本發明的再一方面，粘附層由通過向氧化銦內添加一種或多種元素(選自由錫、鋅、鎂、銅、銀、和鋁組成的組)而形成的化合物構成，該粘附層通過添加與添加到透明層內的元素不同的元素而形成。
根據本發明的再一方面，粘附層由通過向氧化銦內添加一種或多種元素(選自由錫、鋅、鎂、銅、銀、和鋁組成的組)而形成的化合物構成，該粘附層通過添加的元素量與添加到透明層內的元素量不同而形成。
根據本發明的再一方面，該方法還包括在執行等離子氧化過程之后去除掩模；選擇性地刻蝕保護膜的形成于n型GaN層上的部分，以便露出n型GaN層的一部分；在露出的n型GaN層上形成n電極；以及在透明層的透明電極形成區域上形成p電極。
根據本發明的再一方面，該方法還包括在形成n型GaN層之前，在基板上形成緩沖層。


通過以下結合附圖本對實施例的描述，本發明的總發明構思的這些和/或其它方面和優點將變得顯而易見，并更容易理解，附圖中圖1A至圖1G是依次示出了用于解釋制造根據現有技術GaN基LED的方法的工藝的截面視圖；圖2是示出了根據本發明實施例的GaN基LED的結構的截面視圖；以及圖3A至圖3H是依次示出了用于解釋制造根據本發明實施例GaN基LED的方法的工藝的截面視圖。
具體實施例方式
現在將詳細描述本發明的總發明構思的實施例，其實例在附圖中示出，在附圖中，相同的參考標號表示相同的元件。為了解釋本發明的總發明構思，以下參照附圖來描述實施例。
下面，將參照附圖詳細描述根據本發明實施例的GaN基LED及其制造方法。
GaN基LED的結構參照圖2，將詳細描述根據本發明實施例的GaN基LED的結構。
如圖2所示，GaN基LED包括緩沖層(未示出)、n型GaN層111、活性層113、以及p型GaN層115，這些層依次層壓在透光基板100上，從而形成發光結構。
優選低，基板100由包括藍寶石的透明材料形成，該基板適于氮化物半導體單晶的生長。另外，除了藍寶石以外，基板100可以由氧化鋅(ZnO)、氮化鎵(GaN)、碳化硅(SiC)或氮化鋁(AlN)形成。
在基板100上形成n型GaN層111之前，形成緩沖層(未示出)。由AlN/GaN形成的緩沖層增強了與由透明材料(包括藍寶石)形成的基板100的點陣匹配。
n型氮化物半導體層111、活性層113、以及p型氮化物半導體層115可以由具有復合物分子式AlXInYGa1-X-YN(0≤X≤1，0≤Y≤1，0≤X+Y≤1)的半導體材料構成。具體地說，n型氮化物半導體層111可以由摻雜有n型導電雜質的GaN或GaN/AlGaN層構成。對于n型導電雜質，可以使用Si、Ge、Sn等。優選地，主要使用Si。另外，p型氮化物半導體層115可以由摻雜有p型導電雜質的GaN或GaN/AlGaN層構成。對于p型導電雜質，可以使用Mg、Zn、Be等。優選地，主要使用Mg。另外，活性層113可以由具有多量子阱結構的lnGaN/GaN構成。
活性層113可以形成為具有一個量子阱結構或雙異質結構。
在p型GaN層150上，依次形成有透明電極120和p電極140，p電極同時用作反射層和電極。用于加強電流傳播效果的透明電極120由導電的金屬氧化物構成，如ITO(氧化銦錫)。
具體地說，透明電極120由通過向氧化銦內添加一種或多種元素所形成的化合物構成，該元素選自由錫、鋅、鎂、銅、銀、和鋁組成的組。本例中，添加的元素占全部化合物的1-30wt％。
活性層113和p型氮化物半導體層115的部分通過臺面蝕刻而被去除，從而露出n型氮化物半導體層111頂表面的一部分。
在露出的n型氮化物半導體層111上，形成有n電極焊盤130。
在透明電極120與n電極130之間得到的結構上形成有保護膜150，以便防止p電極140和n電極130發生電連接，p電極140和n電極130形成在透明電極120上。
保護膜150由經過等離子體氧化的透明層或經過灰化過程的透明層構成。換而言之，保護膜150通過對透明層進行等離子體氧化或灰化而形成，該透明層由與形成透明電極120的材料相同的材料構成。保護膜150由與透明電極120相同的層形成。
具體地說，由等離子體氧化的透明層構成的保護膜150具有大于1kΩ的電阻，因為膜內的氧含量高于p型GaN層上115上的透明電極120的氧含量。由經過灰化過程的透明層構成的保護摸150包含比透明電極120更多量的氧，這意味著保護膜150含有足夠的氧，使得金屬與氧原子之間的化合可以以化學計量比表示。
因此，形成保護膜150的透明層優選地由通過向氧化銦內添加一種或多種元素所形成的化合物構成，該元素選自由錫、鋅、鎂、銅、銀、和鋁組成的組，這類似于透明電極120。本例中，添加的元素占全部化合物的1-30wt％。
盡管沒有示出，但是根據本發明的GaN基LED進一步包括在保護膜150與位于透明電極120和n電極130之間所得到的結構的表面之間所形成的粘附層。該粘附層用于防止保護膜150從透明電極120與n電極130之間所得到的結構的表面上脫落。
粘附層由通過向氧化銦內添加一種或多種元素而形成，該元素選自由錫、鋅、鎂、銅、銀、和鋁組成的組。在本例中，可以添加與添加到透明層內的元素不同的元素。可替換地，可以添加與添加到透明層內的元素量不同的元素量。
制造GaN基LED的方法下面，參照圖2和圖3A至圖3G，將詳細描述制造根據本發明實施例的GaN基LED的方法。
圖3A至圖3G是依次示出了用于解釋制造根據本發明實施例GaN基LED的方法的工藝的截面視圖。
如圖3A所示，在基板100上依次形成n型GaN層111、活性層113、以及p型GaN層115。n型氮化物半導體層111、活性層113、以及p型氮化物半導體層115可由具有復合物分子式AlXInYGa1-X-YN(0≤X≤1，0≤Y≤1，0≤X+Y≤1)的半導體材料構成，也可通過眾所周知的氮化物生長工藝(例如MOCVD或MBE)形成。基板100可以是異質基板(如藍寶石基板和碳化硅(SiC)基板)或均質基板(如氮化物基板)，其適于氮化物半導體單晶的生長。
盡管沒有示出，在基板100上形成n型GaN層111之前，可以在基板100上形成緩沖層。由GaN層形成的緩沖層增強晶體生長。
如圖3B所示，為了在n型GaN層111的頂表面上形成n電極(未示出)，執行形成臺式結構的過程。更具體地，臺式結構形成過程包括在p型GaN層115頂表面的待蝕刻區域以外的預定區域上形成第一光刻膠PR1；以及通過使用第一光刻膠作為蝕刻掩模，蝕刻并去除p型GaN層115和活性層113的預定區域，從而露出n型GaN層111頂表面的一部分。
接著，去除第一光刻膠PR1，然后在所得到結構的整個表面(其中，露出n型GaN層111頂表面的一部分)上形成透明層200，如圖3C所示。優選地，透明層200由通過向氧化銦內添加一種或多種元素所構成的化合物形成，該元素選自由錫、鋅、鎂、銅、銀、和鋁組成的組。本例中，添加的元素占全部化合物的1-30wt％。
此外，為了增強透明層200與所得到結構(其中，露出n型GaN層111頂表面的一部分)之間的粘附力，在透明層200形成之前，可以在露出n型GaN層111頂表面的一部分的所得到結構的整個表面上形成粘附層(未示出)。優選地，粘附層由通過向氧化銦內添加一種或多種元素而形成的化合物構成，該元素選自由錫、鋅、鎂、銅、銀、和鋁組成的組。本例中，可以添加與添加到透明層內的元素不同的元素。可替換地，可以添加與添加到透明層內的元素量不同的元素量。
如圖3D所示，在透明電極形成區域上，即，在透明層200的對應于p型GaN層115的預定區域上，形成第二光刻膠PR2。
接著，在透明層200上執行等離子體氧化過程，其中透明電極形成區域被第二光刻膠PR2覆蓋。然后，如圖3E所示，對通過第二光刻膠PR2曝光的透明層200進行氧化，以便轉化成非導電薄膜。因此，同時形成透明電極120和保護層150。
對于形成保護膜150的方法，可以執行灰化過程，取代等離子體氧化過程。在灰化過程中，透明層也轉化成非導電薄膜，其可作為與通過等離子體氧化過程形成的保護膜具有同樣性能的保護膜。
如上所述，用于形成透明電極的透明層選擇性地轉化成非導電薄膜，從而同時形成了透明電極120和保護膜150。因此，與其中形成透明電極、沉積單獨的SiO2膜、并對SiO2膜進行蝕刻以便形成保護膜的現有技術相比，可以簡化制造保護膜的制造過程。
此外，當形成保護膜150時，執行等離子體氧化過程或灰化過程，取代蝕刻過程。因此，不必擔心蝕刻過程中可能發生的不良蝕刻，這使得能夠穩定二極管的特性和可靠性。
此外，通過將透明層轉化成非導電薄膜而形成保護膜150，透明層由通過向氧化銦內添加一種或多種元素所形成的化合物構成，該元素選自由錫、鋅、鎂、銅、銀、和鋁組成的組。因此，可以防止現有技術中由SiO2構成的保護膜出現的問題，即不良粘附問題(例如，保護膜可能脫落)。
之后，在透明電極120和n型GaN層111上分別形成p電極140和n電極130。p電極140和n電極130可以通過使用已知的電極形成技術來形成。
現在，參照圖3F和圖3H，將描述形成p電極和n電極的方法。
如圖3F所示，在形成有透明電極120和保護膜150的所得到結構上形成用于露出n型GaN層111一部分的第三光刻膠PR3。
接著，通過使用第三光刻膠PR3作為蝕刻掩模，選擇性地蝕刻保護膜150，從而露出n型GaN層111頂表面的一部分。
如圖3G所示，通過使用第三光刻膠PR3，在露出的n型GaN層111上形成n電極130，并去除第三光刻膠PR3。
之后，在形成有n電極130的所得結構上形成限定了p電極形成區域的第四光刻膠PR4。
然后，如圖2所示，通過利用第四光刻膠PR4，在p電極形成區域上，即在透明電極120上形成p電極，140。最后，去除第四光刻膠PR4。
如上所述，通過使用由氧化銦構成的透明層，可以同時形成透明電極和保護膜，而不需要單獨的蝕刻過程。所以，能夠簡化整個制造過程，從而提高產品產量。
另外，可以省去用于形成保護膜的蝕刻過程。所以，不必擔心蝕刻過程中可能出現的不良蝕刻，這使得可以穩定二極管的特性和可靠性。
另外，通過將透明層轉化成非導電薄膜而形成保護膜。增強了保護膜與電極之間的粘附性能，從而防止了不良粘附。
盡管已經示出和描述了本發明的總發明構思的幾個實施例，但本領域的技術人員可以認識到，在不背離總發明構思的原則和精神的前提下，可以對這些實施例進行改變，本發明的范圍由所附權利要求及其等同物所限定。
權利要求
1.一種GaN基LED，包括基板；n型GaN層，形成在所述基板上；活性層，形成在所述n型GaN層的預定區域上；p型GaN層，形成在所述活性層上；透明電極，形成在所述p型GaN層上；p電極，形成在所述透明電極上；n型電極，形成在其上未形成有所述活性層的所述n型GaN層上；以及保護膜，形成在所述透明電極與所述n型電極之間得到的結構上，所述保護膜由等離子體氧化的透明層構成。
2.根據權利要求1所述的GaN基LED，其中，所述保護膜由與所述透明電極相同的層形成。
3.根據權利要求1所述的GaN基LED，其中，所述透明層是通過向氧化銦內添加一種或多種元素所形成的化合物，所述元素選自由錫、鋅、鎂、銅、銀、和鋁組成的組。
4.根據權利要求3所述的GaN基LED，其中，添加的所述元素占全部化合物的1-30wt％。
5.根據權利要求1所述的GaN基LED，進一步包括粘附層，形成在所述保護膜與在所述透明電極和所述n電極之間所得到的結構的表面之間。
6.根據權利要求5所述的GaN基LED，其中，所述粘附層由通過向氧化銦內添加一種或多種元素所形成的化合物構成，所述元素選自由錫、鋅、鎂、銅、銀、和鋁組成的組，所述粘附層通過添加與添加到所述透明層內的元素不同的元素而形成。
7.根據權利要求5所述的GaN基LED，其中，所述粘附層由通過向氧化銦內添加一種或多種元素所形成的化合物構成，所述元素選自由錫、鋅、鎂、銅、銀、和鋁組成的組，所述粘附層通過添加與添加到所述透明層內的元素量不同的元素量而形成。
8.根據權利要求1所述的GaN基LED，進一步包括緩沖層，形成在所述基板與所述n型GaN層之間。
9.一種GaN基LED，包括基板；n型GaN層，形成在所述基板上；活性層，形成在所述n型GaN層的預定區域上；p型GaN層，形成在所述活性層上；透明電極，形成在所述p型GaN層上；p電極，形成在所述透明電極上；n電極，形成在其上未形成有所述活性層的所述n型GaN層上；以及保護膜，形成在所述透明電極與所述n電極之間所得到的結構上，所述保護膜由經過灰化過程的透明層構成。
10.根據權利要求9所述的GaN基LED，其中，所述保護膜由與所述透明電極相同的層形成。
11.根據權利要求9所述的GaN基LED，其中，所述透明層是通過向氧化銦內添加一種或多種元素所形成的化合物，所述元素選自由錫、鋅、鎂、銅、銀、和鋁組成的組。
12.根據權利要求11所述的GaN基LED，其中，添加的所述元素占全部化合物的1-30wt％。
13.根據權利要求9所述的GaN基LED，進一步包括粘附層，形成在所述保護膜與在所述透明電極和所述n電極之間的所得到的結構的表面之間。
14.根據權利要求13所述的GaN基LED，其中，所述粘附層由通過向氧化銦內添加一種或多種元素所形成的化合物構成，所述元素選自由錫、鋅、鎂、銅、銀、和鋁組成的組，所述粘附層通過添加與添加到所述透明層內的元素不同的元素而形成。
15.根據權利要求13所述的GaN基LED，其中，所述粘附層由通過向氧化銦內添加一種或多種元素所形成的化合物構成，所述元素選自由錫、鋅、鎂、銅、銀、和鋁組成的組，所述粘附層通過添加與添加到所述透明層內的元素量不同的元素量而形成。
16.根據權利要求9所述的GaN基LED，進一步包括緩沖層，形成在所述基板與所述n型GaN層之間。
17.一種制造GaN基LED的方法，包括在基板上依次形成n型GaN層、活性層、以及p型GaN層；對所述p型GaN層、所述活性層、和所述n型GaN層的部分進行臺面蝕刻，以便露出所述n型GaN層頂表面的一部分；在露出所述n型GaN層一部分的所得結構的整個表面上形成透明層；在所述透明層的頂表面上形成掩模，所述掩模打開所述透明層的除透明電極形成區域之外的區域；以及在通過所述掩模而露出的所述透明層上執行等離子體氧化過程，從而形成保護膜。
18.根據權利要求17所述的方法，其中，所述透明層是通過向氧化銦內添加一種或多種元素所形成的化合物，所述元素選自由錫、鋅、鎂、銅、銀、和鋁組成的組。
19.根據權利要求18所述的方法，其中，添加的所述元素占全部化合物的1-30wt％。
20.根據權利要求17所述的方法，進一步包括在形成所述透明層之前，在露出所述n型GaN層一部分的所得結構的整個表面上形成粘附層。
21.根據權利要求20所述的方法，其中，所述粘附層由通過向氧化銦內添加一種或多種元素所形成的化合物構成，所述元素選自由錫、鋅、鎂、銅、銀、和鋁組成的組，所述粘附層通過添加與添加到所述透明層內的元素不同的元素而形成。
22.根據權利要求20所述的方法，其中，所述粘附層由通過向氧化銦內添加一種或多種元素所形成的化合物構成，所述元素選自由錫、鋅、鎂、銅、銀、和鋁組成的組，所述粘附層通過添加與添加到所述透明層內的元素量不同的元素量而形成。
23.根據權利要求17所述的方法，進一步包括在執行所述等離子體氧化過程之后，去除所述掩模；選擇性地蝕刻所述保護膜的形成在所述n型GaN層上的部分，以便露出所述n型GaN層的一部分；在所露出的n型GaN層上形成n電極；以及在所述透明層的所述透明電極形成區域上形成p電極。
24.根據權利要求17所述的方法，進一步包括在形成所述n型GaN層之前，在所述基板上形成緩沖層。
25.一種制造GaN基LED的方法，包括在基板上依次形成n型GaN層、活性層、以及p型GaN層；對所述p型GaN層、所述活性層、和所述n型GaN層的部分進行臺面蝕刻，以便露出所述n型GaN層頂表面的一部分；在露出所述n型GaN層一部分的所得結構的整個表面上形成透明層；在所述透明層的頂表面上形成掩模，所述掩模打開所述透明層的除透明電極形成區域之外的區域；以及在通過所述掩模而露出的所述透明層上執行灰化過程，從而形成保護膜。
26.根據權利要求25所述的方法，其中，所述透明層是通過向氧化銦內添加一種或多種元素所形成的化合物，所述元素選自由錫、鋅、鎂、銅、銀、和鋁組成的組。
27.根據權利要求26所述的方法，其中，添加的所述元素占全部化合物的1-30wt％。
28.根據權利要求25所述的方法，進一步包括在形成所述透明層之前，在露出所述n型GaN層一部分的所得結構的整個表面上形成粘附層。
29.根據權利要求28所述的方法，其中，所述粘附層由通過向氧化銦內添加一種或多種元素所形成的化合物構成，所述元素選自由錫、鋅、鎂、銅、銀、和鋁組成的組，所述粘附層通過添加與添加到所述透明層內的元素不同的元素而形成。
30.根據權利要求28所述的方法，其中，所述粘附層由通過向氧化銦內添加一種或多種元素所形成的化合物構成，所述元素選自由錫、鋅、鎂、銅、銀、和鋁組成的組，所述粘附層通過添加與添加到所述透明層內的元素量不同的元素量而形成。
31.根據權利要求25所述的方法，進一步包括在執行所述等離子體氧化過程之后，去除所述掩模；選擇性地蝕刻所述保護膜的形成在所述n型GaN層上的部分，以便露出所述n型GaN層的一部分；在所露出的n型GaN層上形成n電極；以及在所述透明層的所述透明電極形成區域上形成p電極。
32.根據權利要求25所述的方法，進一步包括在形成所述n型GaN層之前，在所述基板上形成緩沖層。
全文摘要
一種GaN基LED，包括基板；形成在基板上的n型GaN層；形成在n型GaN層的預定區域上的活性層；形成在活性層上的p型GaN層；形成在p型GaN層上的透明電極；形成在透明電極上的p電極；形成在其上未形成有活性層的n型GaN層上的n型電極；以及形成在透明電極與n型電極之間得到的結構上的保護膜，該保護膜由等離子體氧化的透明層構成。
文檔編號H01L33/12GK1996627SQ20061016719
公開日2007年7月11日 申請日期2006年12月28日 優先權日2006年1月2日
發明者全東珉, 韓在鎬, 姜弼根 申請人:三星電機株式會社