專利名稱：具有相對(duì)于鰭以一角度延伸的控制柵極的非易失存儲(chǔ)器的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種非易失存儲(chǔ)器，更特別地，本發(fā)明涉及具有鰭形溝道區(qū)域的非易失存儲(chǔ)器及其制備方法。
背景技術(shù)：
理想地，半導(dǎo)體產(chǎn)品具有小的體積并且可以處理大量的數(shù)據(jù)。因此，已經(jīng)開發(fā)了增加在這樣的半導(dǎo)體產(chǎn)品中使用的非易失存儲(chǔ)器的操作速度和集成度的方法。例如，鰭場效應(yīng)晶體管(fin-FET)可以用于增加它們的操作速度，而且它們的鰭的寬度可以減小以進(jìn)一步增加集成度。而且，希望使用絕緣體上硅(SOI)襯底的fin-FET進(jìn)一步改善短溝道效應(yīng)。
例如，David M.Fried等人的美國專利No.6,664,582公開了一種fin-FET和鰭存儲(chǔ)單元。又例如，Bin Yu等人的美國專利No.6,876,042公開了一種使用SOI襯底的fin-FET。
但是，SOI襯底非常昂貴。因此，已經(jīng)嘗試使用體半導(dǎo)體襯底形成具有類似于SOI襯底的特性的fin-FET或鰭存儲(chǔ)器單元。即使在這種情形，進(jìn)一步增加了半導(dǎo)體器件的集成度。因此，鰭之間的距離變得比以前更小。因此，在相鄰鰭之間可能出現(xiàn)操作干擾。
圖1是圖示了通常的非易失存儲(chǔ)器在編程和擦除操作之間于成對(duì)的相鄰位線之間的干擾的圖。位線的擦除狀態(tài)表示為“0”，位線的編程狀態(tài)表示為“ 1”，擦除操作的圖線表示為“E”，編程操作的圖線表示為“P”。
參考圖1，位線的狀態(tài)可以影響另一位線的擦除操作的圖E00和E10。換言之，如果位線在擦除狀態(tài)E10而不是在擦除狀態(tài)E00，那么對(duì)于另一位線的擦除操作的閾值電壓增加了大約0.55V。但是，位線的擦除狀態(tài)和編程狀態(tài)不會(huì)強(qiáng)烈地影響編程操作中的另一位線的編程操作的圖P01和P11在這樣的擦除操作中出現(xiàn)干擾是因?yàn)橄噜彺鎯?chǔ)節(jié)點(diǎn)層的電荷由于相鄰位線鄰近而影響了溝道區(qū)域的電勢(shì)。因此，由于位線之間的絕緣層的介電常數(shù)高，因此這樣的干擾可能進(jìn)一步增加。因此，位線之間的擦除操作的干擾限制了位線之間的距離的減小，因此限制了非易失存儲(chǔ)器的集成度的增加。
發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明提供了一種非易失存儲(chǔ)器，其可以高度集成并減小了擦除操作的干擾。
根據(jù)本發(fā)明的一個(gè)方面，提供了一種非易失存儲(chǔ)器，其包括半導(dǎo)體襯底，包括體和從體向上突出并彼此分開的成對(duì)的鰭；控制柵極，覆蓋成對(duì)的鰭的至少部分外側(cè)表面并相對(duì)于成對(duì)的鰭以一角度延伸跨過鰭的頂部；成對(duì)的柵極絕緣層，夾置在控制柵極和成對(duì)的鰭之間；成對(duì)的存儲(chǔ)節(jié)點(diǎn)層，夾置在成對(duì)的柵極絕緣層和至少部分控制柵極之間。
該非易失存儲(chǔ)器還包括埋入絕緣層，填充成對(duì)的鰭之間的空間，其中控制柵極延伸跨過埋入絕緣層。
該非易失存儲(chǔ)器還包括器件隔離層，夾置在控制柵極和體之間，以覆蓋成對(duì)的鰭的部分外側(cè)表面，除被控制柵極覆蓋的部分該外側(cè)表面之外，該外側(cè)表面是成對(duì)的鰭沒有面對(duì)埋入絕緣層的表面。。
根據(jù)本發(fā)明的另一個(gè)方面，提供了一種非易失存儲(chǔ)器，其包括半導(dǎo)體襯底，包括體和從體向上突出并彼此分開的多個(gè)成對(duì)的鰭；多個(gè)控制柵極，覆蓋多個(gè)成對(duì)的鰭的至少部分外側(cè)表面并以“之”字方式延伸跨過多個(gè)成對(duì)的鰭的頂部；多個(gè)成對(duì)的柵極絕緣層，夾置在多個(gè)控制柵極和多個(gè)成對(duì)的鰭之間；多個(gè)成對(duì)的存儲(chǔ)節(jié)點(diǎn)層，夾置在多個(gè)成對(duì)的柵極絕緣層和多個(gè)控制柵極之間。
多個(gè)控制柵極包括相對(duì)于多個(gè)成對(duì)的鰭成一角度延伸的第一部分和垂直于多個(gè)成對(duì)的鰭的第二部分，其中第一部分和第二部分交替布置。
通過參考附圖詳細(xì)地描述本發(fā)明的示范性實(shí)施例，本發(fā)明的上述和其它特征和優(yōu)點(diǎn)將變得更加清楚，在附圖中圖1是圖示了通常的非易失存儲(chǔ)器在編程和擦除操作之間于成對(duì)的相鄰位線之間的干擾的圖。
圖2是根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例的非易失存儲(chǔ)器的立體圖。
圖3是沿圖2的線III-III’截取的橫截面圖。
圖4是沿圖2的IV-IV’截取的橫截面圖。
圖5是根據(jù)本發(fā)明另一個(gè)實(shí)施例的非易失存儲(chǔ)器的平面圖。
具體實(shí)施例方式
下面將參考附圖對(duì)本發(fā)明詳細(xì)地說明，在附圖中示出了本發(fā)明的示范性實(shí)施例。但是，本發(fā)明可以以多種形式實(shí)現(xiàn)而不應(yīng)該解釋為這里所闡述的實(shí)施例；而且這些實(shí)施例被提供來使得本說明書全面而完整，并對(duì)本發(fā)明的普通技術(shù)人員完全地傳達(dá)本發(fā)明的構(gòu)思。在附圖中，為了清楚起見，夸大了層和區(qū)域的厚度。
圖2是根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例的非易失存儲(chǔ)器100的立體圖。圖3是沿圖2的線III-III’截取的橫截面圖，圖4是沿圖2的IV-IV’截取的橫截面圖。例如，根據(jù)本實(shí)施例的非易失存儲(chǔ)器100可以是閃存或半導(dǎo)體-氧化物-氮化物-氧化物-半導(dǎo)體(SONOS)存儲(chǔ)器。
參考圖2到圖4，非易失存儲(chǔ)器100包括半導(dǎo)體襯底110，成對(duì)的柵絕緣層125a和125b、成對(duì)的存儲(chǔ)節(jié)點(diǎn)層130a和130b、控制電極140?；蛘?，非易失存儲(chǔ)器100還可以包括埋入絕緣層115和器件隔離層120?，F(xiàn)在將更加詳細(xì)地說明非易失存儲(chǔ)器100的結(jié)構(gòu)。
非易失存儲(chǔ)器100包括體102和成對(duì)的鰭105a和105b。鰭105a和105b從體102向上突出并彼此面對(duì)地彼此分開。例如，例如硅晶片、鍺晶片或鍺-硅晶片的半導(dǎo)體晶片可以蝕刻來形成半導(dǎo)體襯底110。換言之，鰭105a和105b可以用和形成體102的材料相同的材料形成。但是，根據(jù)本發(fā)明的另一個(gè)實(shí)施例，鰭105a和105b可以形成為體102上的外延層。
埋入絕緣層115填充鰭105a和105b之間的空間。例如，埋入絕緣層115可以填充鰭105a和105b的內(nèi)表面和體102之間的空間。例如，絕緣層可以填在該空間中，然后被平面化以形成埋入絕緣層115，從而填充鰭105a和105b之間的空間。埋入絕緣層115可以包括氧化層或氮化層。
根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例，埋入絕緣層115可以物理上僅連接鰭105a和105b的內(nèi)表面的上側(cè)部分。在這種情形，在埋入絕緣層115和體102之間可以確定空穴，即空的空間(未示出)。
控制柵極140可以覆蓋鰭105a和105b的外表面的至少部分，并且以一角度延伸跨過鰭105a和105b的頂部。鰭105a和105b的外表面指的是與形成部分的埋入絕緣層115的鰭105a和105b的內(nèi)表面相對(duì)的表面。換言之，設(shè)置在鰭105a和105b上的部分控制柵極140與鰭105a和105b成一角度，即不與鰭105a和105b相垂直?？刂茤艠O140和鰭105a和105b之間的角度可以大于0度且小于90度，優(yōu)選地為了對(duì)稱為45度。
在埋入絕緣層115上的部分控制柵極140可以延伸跨過埋入絕緣層115的上表面。設(shè)置在鰭105a和105b的外表面上的部分控制柵極140可以覆蓋鰭105a和105b的外表面的上部。設(shè)置在鰭105a和105b的外表面之外的部分控制柵極140可以垂直于鰭105a和105b。但是，根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例，設(shè)置在鰭105a和105b的外表面之外的部分控制柵極140也可以與鰭105a和105b成一角度，即不垂直于鰭105a和105b。
例如，可以形成導(dǎo)電層并將其相對(duì)于鰭105a和105b以一角度構(gòu)圖來形成控制柵極140。控制柵極140可以包括多晶硅層、金屬層和金屬硅化物層中至少之一。
器件隔離層120覆蓋鰭105a和105b的外表面的下部分。器件隔離層120可以將體102從控制柵極140隔開。例如，可以在體102上形成并回蝕刻絕緣層來形成器件隔離層120，從而覆蓋鰭105a和105b的外表面的下部分。器件隔離層120可以包括氧化物層或氮化物層。
柵絕緣層125a和125b可以夾置在控制柵極140和鰭105a和105b之間。例如，柵絕緣層125a和125b可以覆蓋未被器件隔離層120覆蓋的鰭105a和105b的外表面。而且，鰭105a和105b的外表面還可以形成在鰭105a和105b的頂部分。
柵絕緣層125a和125b可以是電荷的隧穿路徑，因此可以被稱為隧穿絕緣層。例如，柵絕緣層125a和125b可以包括氧化物層、氮化物層和高介電層中至少之一。柵絕緣層125a和125b可以使用熱氧化法或化學(xué)氣相沉積(CVD)方法來形成。
存儲(chǔ)節(jié)點(diǎn)層130a和130b可以夾置在柵絕緣層125a和125b和控制柵極140之間。例如，存儲(chǔ)節(jié)點(diǎn)層130a和130b可以通過覆蓋在鰭105a和105b的外表面上的部分柵絕緣層125a和125b形成。存儲(chǔ)節(jié)點(diǎn)層130a和130b可以用作存儲(chǔ)電荷的存儲(chǔ)層。例如，使用材料層沉積和各向異性蝕刻，存儲(chǔ)節(jié)點(diǎn)層130a和130b可以形成為鰭105a和105b的側(cè)壁間隔物。
例如，存儲(chǔ)節(jié)點(diǎn)層130a和130b可以包括多晶硅、硅鍺、硅點(diǎn)、金屬點(diǎn)、硅納米晶體、金屬納米晶體和氮化硅中至少之一。如果存儲(chǔ)節(jié)點(diǎn)層130a和130b包括多晶硅或硅鍺，則存儲(chǔ)節(jié)點(diǎn)層130a和130b可以用作閃存器件的浮置層。如果存儲(chǔ)節(jié)點(diǎn)層130a和130b包括硅點(diǎn)、金屬點(diǎn)、硅納米晶體、金屬納米晶體或氮化硅，則存儲(chǔ)節(jié)點(diǎn)層130a和130b可以用作SONOS存儲(chǔ)器的陷入層。
在控制柵極140的兩側(cè)上的部分鰭105a和105b中可以形成雜質(zhì)區(qū)域150。雜質(zhì)區(qū)域150可以包括源極區(qū)域和漏極區(qū)域。雜質(zhì)區(qū)域150具有與體102或鰭105a和105b的二極管結(jié)。例如，如果雜質(zhì)區(qū)域150摻雜有n型雜質(zhì)，則鰭105a和105b或體102可以摻雜有p型雜質(zhì)。如果雜質(zhì)區(qū)域150摻雜有p型雜質(zhì)，則鰭105a和105b或體102可以摻雜有n型雜質(zhì)。
非易失存儲(chǔ)器100還可以包括形成在控制柵極140和存儲(chǔ)節(jié)點(diǎn)層130a和1 30b之間的阻擋絕緣層(未示出)。具體而言，如果存儲(chǔ)節(jié)點(diǎn)層130a和130b由比如多晶硅或硅鍺的導(dǎo)電材料形成，則可需要阻擋絕緣層。例如，阻擋絕緣層可以包括氧化物層、氮化物層或高介電層。
現(xiàn)在將說明根據(jù)本發(fā)明的非易失存儲(chǔ)器100的操作。
在非易失存儲(chǔ)器100中，鰭105a和105b可以用作位線，控制柵極140可以用作字線。在控制柵極140下的鰭105a和105b的表面附近形成了溝道區(qū)域(未示出)。因此，例如編程電壓或擦除電壓的操作電壓可以施加到控制柵極140以將電荷注入到存儲(chǔ)節(jié)點(diǎn)層130a和130b或去除注入的電荷。
如果在鰭105a和105b的寬度方向察看非易失存儲(chǔ)器100，則該非易失存儲(chǔ)器100具有其中設(shè)置了埋入絕緣層115、鰭105a和105b之一和控制柵極140的結(jié)構(gòu)。換言之，如果在鰭105a和105b的寬度方向察看非易失存儲(chǔ)器100，則該非易失存儲(chǔ)器100具有與SOI類似的結(jié)構(gòu)。
因此，在雜質(zhì)區(qū)域150附近的部分鰭105a和105b形成的耗盡區(qū)可以被高度限制。具體地，隨著鰭105a和105b變薄，耗盡區(qū)可以被進(jìn)一步限制。更具體而言，耗盡區(qū)可以更好地在寬度方向被限制到鰭105a和105b的外部范圍，但是可以僅沿著鰭105a和105b的高度方向形成。但是，如果鰭105a和105b薄，則沿著鰭105a和105b的高度方向形成的耗盡區(qū)可以被顯著地減小。
因此，該非易失存儲(chǔ)器100可以抑制短溝道效應(yīng)，并且顯著地減小通常的SOI結(jié)構(gòu)中的漏電流。另外，非易失存儲(chǔ)器100可以將偏壓施加到體102以調(diào)節(jié)不同于通常的SOI結(jié)構(gòu)的閾值電壓。
而且，相對(duì)于鰭105a和105b以一角度設(shè)置的控制柵極140允許相鄰位線之間的距離(即，形成在鰭105a和105b中的溝道區(qū)域(未示出))比傳統(tǒng)的正交結(jié)構(gòu)中的要大。因此，相鄰控制柵極140形成的存儲(chǔ)節(jié)點(diǎn)層130a和130b之間的距離變大。換言之，從第一存儲(chǔ)節(jié)點(diǎn)層130a到第二鰭105b的溝道區(qū)域的距離，或者第二存儲(chǔ)節(jié)點(diǎn)層130b到第一鰭105a的溝道區(qū)域的距離變大。換言之，在相鄰溝道區(qū)域中的存儲(chǔ)節(jié)點(diǎn)層130a和130b中存儲(chǔ)的電荷的勢(shì)能的影響可以被減小。
因此，由于減小了相鄰位線之間的電勢(shì)的影響，在相鄰位線的操作期間可以減小干擾。具體而言，在參考圖1所示的擦除操作期間出現(xiàn)的干擾可以被顯著減小。因此，如果位線即鰭105a和105b彼此相鄰，則可以顯著地提高非易失存儲(chǔ)器100的操作的可靠性。因此，鰭105a和105b可以彼此相鄰設(shè)置并保持高的操作可靠性，從而顯著地提高非易失存儲(chǔ)器100的集成度。
圖5是根據(jù)本發(fā)明另一個(gè)實(shí)施例的非易失存儲(chǔ)器200的平面圖。例如，如圖4所示的非易失存儲(chǔ)器彼此連接為NAND型以構(gòu)成非易失存儲(chǔ)器200。在圖5中，非易失存儲(chǔ)器200的重復(fù)單元結(jié)構(gòu)C用虛線標(biāo)注。用虛線標(biāo)注的重復(fù)單元結(jié)構(gòu)C可以對(duì)應(yīng)于非易失存儲(chǔ)器100。因此，非易失存儲(chǔ)器200可以被認(rèn)為是非易失存儲(chǔ)器100的重復(fù)結(jié)構(gòu)。在兩個(gè)實(shí)施例中，將省略重復(fù)部分的說明，類似的參考標(biāo)號(hào)表示相同的元件。
參考圖5，半導(dǎo)體襯底包括多對(duì)鰭105a和105b。成對(duì)的鰭105a和105b的結(jié)構(gòu)可以為如圖2到圖4所示的。換言之，多對(duì)鰭105a和105b從半導(dǎo)體襯底110的體102突出，并且彼此相對(duì)地彼此分開，如圖2到圖4所示。
多個(gè)控制柵極140以“之”字方式延伸跨過多對(duì)鰭105a和105b的頂部，并且覆蓋多對(duì)鰭105a和105b中每個(gè)的至少部分外表面。如圖2到圖4所示，部分控制柵極140可以覆蓋多對(duì)鰭105a和105b的外表面的上部。多個(gè)控制柵極140以“之”字方式延伸意味著該多個(gè)控制柵極140在多個(gè)方向上延伸而不會(huì)彼此相交，每個(gè)控制柵極140包括左傾斜部分和右傾斜部分。但是，每個(gè)控制柵極140還包括設(shè)置在連續(xù)的左傾斜部分和右傾斜部分之間的直線部分。換言之，多個(gè)控制柵極140具有這樣的結(jié)構(gòu)，其中重復(fù)左傾斜部分、直線部分、右傾斜部分和直線部分。但是，在多個(gè)控制柵極140的結(jié)構(gòu)中，左傾斜部分和右傾斜部分與鰭105a和105b相交叉，并且重復(fù)左傾斜部分、直線部分、右傾斜部分和直線部分。
更具體而言，控制柵極140可以包括這樣的結(jié)構(gòu)，其中交替布置相對(duì)于鰭105a和105b以一角度延伸的第一部分140a和垂直于鰭105a和105b延伸的第二部分140b。第一部分140a可以延伸跨過鰭105a和105b。換言之，第一部分140a可以以一角度延伸跨過鰭105a和105b和埋入絕緣層115。
例如，第一部分140a和鰭105a和105b之間的銳角θ可以大于0度并小于90度，優(yōu)選地為了對(duì)稱為45度。但是，第一部分140a不需要為如圖5所示為直的。第二部分140b可以是設(shè)置在器件隔離層120(如圖2所示)上的部分以覆蓋鰭105a和105b的外表面和/或與鰭105a和105b垂直。
但是，在本發(fā)明中，“之”字方向不限于如圖5所示的例子。換言之，左傾斜部分和右傾斜部分可以交替布置而無需直線部分。例如，第一部分140a可以向第二部分140b的中心傾斜。又例如，第二部分140b和第一部分140a可以在不同于所示出的點(diǎn)處彼此交叉。
多對(duì)柵極絕緣層(未示出)可以夾置在多個(gè)控制柵極140和多對(duì)鰭105a和105b之間。多對(duì)存儲(chǔ)節(jié)點(diǎn)層可以夾置在多對(duì)柵極絕緣層和多個(gè)控制柵極140的至少部分之間。在單位單元C中的柵極絕緣層和存儲(chǔ)節(jié)點(diǎn)層的結(jié)構(gòu)和位置可以參考圖2到圖4所示。
圖5所示的鰭105a和105b和控制柵極140的數(shù)量是示范性的。本發(fā)明不限于該數(shù)量。而且，非易失存儲(chǔ)器200還可以包括選擇柵極(未示出)，在用作位線的鰭105a和105b的邊緣附近形成選擇晶體管結(jié)構(gòu)。選擇柵極可以與控制柵極相似具有“之”字結(jié)構(gòu)，但是還可以具有線性結(jié)構(gòu)，而不限于該結(jié)構(gòu)。
在非易失存儲(chǔ)器200中，位線即鰭105a和105b的長度比傳統(tǒng)存儲(chǔ)器的位線要長一個(gè)控制柵極140的寬度，即大約1F。因此，控制柵極140的面積的增加以及位線長度的增加可以遠(yuǎn)小于控制柵極140的面積的減小和位線間距的減小。因此，非易失存儲(chǔ)器200可以具有高的集成度。
雖然已經(jīng)參考本發(fā)明的示范性實(shí)施例附圖具體地示出和說明了本發(fā)明，但是本領(lǐng)域的普通技術(shù)人員應(yīng)該理解可以進(jìn)行各種形式和細(xì)節(jié)的變化而不脫離權(quán)利要求所確定的本發(fā)明的精神和范圍。
權(quán)利要求
1.一種非易失存儲(chǔ)器，包括半導(dǎo)體襯底，包括體和從所述體向上突出并彼此分開的成對(duì)的鰭；控制柵極，覆蓋所述成對(duì)的鰭的至少部分外側(cè)表面并相對(duì)于所述成對(duì)的鰭以一角度延伸跨過所述鰭的頂部；成對(duì)的柵極絕緣層，夾置在所述控制柵極和所述成對(duì)的鰭之間；以及成對(duì)的存儲(chǔ)節(jié)點(diǎn)層，夾置在所述成對(duì)的柵極絕緣層和至少部分所述控制柵極之間。
2.根據(jù)權(quán)利要求1的非易失存儲(chǔ)器，還包括埋入絕緣層，填充所述成對(duì)的鰭之間的空間，其中所述控制柵極延伸跨過所述埋入絕緣層。
3.根據(jù)權(quán)利要求2的非易失存儲(chǔ)器，還包括器件隔離層，夾置在所述控制柵極和所述體之間，以覆蓋所述成對(duì)的鰭的部分外側(cè)表面，除被所述控制柵極覆蓋的部分所述外側(cè)表面之外，所述外側(cè)表面是所述成對(duì)的鰭沒有面對(duì)所述埋入絕緣層的表面。
4.根據(jù)權(quán)利要求2的非易失存儲(chǔ)器，其中所述成對(duì)的柵極絕緣層覆蓋所述成對(duì)的鰭的部分外側(cè)表面，所述外側(cè)表面是所述成對(duì)的鰭沒有面對(duì)所述埋入絕緣層的表面。
5.根據(jù)權(quán)利要求4的非易失存儲(chǔ)器，其中所述成對(duì)的柵極絕緣層形成來覆蓋所述成對(duì)的鰭的頂部。
6.根據(jù)權(quán)利要求2的非易失存儲(chǔ)器，其中所述成對(duì)的存儲(chǔ)節(jié)點(diǎn)層覆蓋了覆蓋所述成對(duì)的鰭的部分外側(cè)表面的所述成對(duì)的柵極絕緣層的部分。
7.根據(jù)權(quán)利要求1的非易失存儲(chǔ)器，還包括雜質(zhì)區(qū)域，形成在所述控制柵極兩側(cè)上的所述成對(duì)的鰭中。
8.根據(jù)權(quán)利要求1的非易失存儲(chǔ)器，其中延伸跨過所述成對(duì)的鰭的部分所述柵極控制電極相對(duì)于所述成對(duì)的鰭成45度角延伸。
9.根據(jù)權(quán)利要求1的非易失存儲(chǔ)器，其中體半導(dǎo)體晶片被蝕刻來形成所述半導(dǎo)體襯底。
10.一種非易失存儲(chǔ)器，包括半導(dǎo)體襯底，包括體和從所述體向上突出并彼此分開的多個(gè)成對(duì)的鰭；多個(gè)控制柵極，覆蓋所述多個(gè)成對(duì)的鰭的至少部分外側(cè)表面并以“之”字方式延伸跨過所述多個(gè)成對(duì)的鰭的頂部；多個(gè)成對(duì)的柵極絕緣層，夾置在所述多個(gè)控制柵極和所述多個(gè)成對(duì)的鰭之間；以及多個(gè)成對(duì)的存儲(chǔ)節(jié)點(diǎn)層，夾置在所述多個(gè)成對(duì)的柵極絕緣層和所述多個(gè)控制柵極之間。
11.根據(jù)權(quán)利要求10的非易失存儲(chǔ)器，還包括多個(gè)埋入絕緣層，填充所述多個(gè)成對(duì)的鰭之間的空間，其中所述多個(gè)控制柵極延伸跨過所述埋入絕緣層。
12.根據(jù)權(quán)利要求11的非易失存儲(chǔ)器，還包括器件隔離層，夾置在所述多個(gè)控制柵極和所述體之間，以覆蓋所述多個(gè)成對(duì)的鰭的部分外側(cè)表面，除被所述多個(gè)控制柵極覆蓋的部分所述外側(cè)表面之外，所述外側(cè)表面是所述成對(duì)的鰭沒有面對(duì)填充在其中的所述埋入絕緣層的表面。
13.根據(jù)權(quán)利要求11的非易失存儲(chǔ)器，其中所述多個(gè)成對(duì)的柵極絕緣層覆蓋所述多個(gè)成對(duì)的鰭的部分外側(cè)表面，所述外側(cè)表面是所述成對(duì)的鰭沒有面對(duì)填充在其中的所述埋入絕緣層的表面。
14.根據(jù)權(quán)利要求13的非易失存儲(chǔ)器，其中所述多個(gè)成對(duì)的柵極絕緣層形成來覆蓋所述多個(gè)成對(duì)的鰭的頂部。
15.根據(jù)權(quán)利要求11的非易失存儲(chǔ)器，其中所述多個(gè)成對(duì)的存儲(chǔ)節(jié)點(diǎn)層覆蓋了覆蓋所述多個(gè)成對(duì)的鰭的部分外側(cè)表面的所述多個(gè)成對(duì)的柵極絕緣層的部分。
16.根據(jù)權(quán)利要求10的非易失存儲(chǔ)器，還包括雜質(zhì)區(qū)域，形成在所述多個(gè)控制柵極兩側(cè)上的所述多個(gè)成對(duì)的鰭中。
17.根據(jù)權(quán)利要求10的非易失存儲(chǔ)器，其中體半導(dǎo)體晶片被蝕刻來形成所述半導(dǎo)體襯底。
18.根據(jù)權(quán)利要求10的非易失存儲(chǔ)器，其中所述多個(gè)控制柵極包括相對(duì)于所述多個(gè)成對(duì)的鰭成以一角度延伸的第一部分和垂直于所述多個(gè)成對(duì)的鰭的第二部分，其中所述第一部分和第二部分交替布置。
19.根據(jù)權(quán)利要求18的非易失存儲(chǔ)器，其中所述多個(gè)控制柵極的第一部分延伸跨過所述多個(gè)成對(duì)的鰭。
20.根據(jù)權(quán)利要求19的非易失存儲(chǔ)器，其中所述多個(gè)控制柵極的第一部分相對(duì)于所述多個(gè)成對(duì)的鰭成45度角延伸。
全文摘要
根據(jù)本發(fā)明的一個(gè)方面，提供了一種非易失存儲(chǔ)器，其包括半導(dǎo)體襯底，包括體和從體向上突出并彼此分開的成對(duì)的鰭；控制柵極，覆蓋成對(duì)的鰭的至少部分外側(cè)表面并相對(duì)于成對(duì)的鰭以一角度延伸跨過鰭的頂部；成對(duì)的柵極絕緣層，夾置在控制柵極和成對(duì)的鰭之間；成對(duì)的存儲(chǔ)節(jié)點(diǎn)層，夾置在成對(duì)的柵極絕緣層和至少部分控制柵極之間。
文檔編號(hào)H01L27/115GK101086994SQ200610165948
公開日2007年12月12日 申請(qǐng)日期2006年12月11日 優(yōu)先權(quán)日2006年6月9日
發(fā)明者金元柱, 樸允童, 李政勛 申請(qǐng)人:三星電子株式會(huì)社