雙面板型有機電致發光顯示器件及其制造方法

專利名稱：雙面板型有機電致發光顯示器件及其制造方法
技術領域：
本發明涉及有機電致發光器件(OELD)，更具體地涉及一種具有高 亮度的頂部發射型OELD。
背景技術：
通常來講，OELD是通過將來自陰極的電子和來自陽極的空穴注入 發射層中，使電子與空穴組合，產生激子，并使激子從激發態躍遷到基 態而發光的。與液晶顯示(LCD)器件相比，OELD發光不需要附加的 光源，因為激子在兩個狀態之間的躍遷可以使得發光。因此，OELD的 尺寸和重量小于LCD器件。
OELD還具有其他出色的性能，例如功耗低、亮度高以及響應時間 短。因此，OELD被看作是用于諸如蜂窩式電話、汽車導航系統(CNS)、 個人數字助理(PDA)、攝錄機、掌上型計算機等下一代消費者電子應用 的顯示器。此外，因為有機ELD是通過較少的工藝步驟制成的，所以 OELD的生產比LCD器件更廉價。
另外，OELD的兩種類型是無源矩陣OELD和有源矩陣OELD。雖 然無源矩陣OELD和有源矩陣OELD兩者都具有簡單的結構并且是通過 簡單的制造工藝形成的，但是無源矩陣OELD需要相對較大量的功率來 工作。另外，無源矩陣OELD的顯示尺寸受到結構中使用的導線的寬度 和厚度的限制。另外，隨著導線的數量增加，無源矩陣OELD的孔徑比 減小。相比之下，有源矩陣OELD效率高并且能夠以相對較低的功率在 大顯示器上產生高質量的圖像。
現在轉到圖1，圖1是根據現有技術的OELD 1的示意性剖視圖。如 圖所示，OELD 1包括彼此面對并間隔開的第一基板12和第二基板28。 OELD 1還包括形成在第一基板12上的陣列元件層14。如圖所示，陣列
元件層14包括薄膜晶體管"T"。雖然未示出，但是陣列元件層14還包 括選通線、與選通線交叉以限定像素區"P"的數據線，以及與選通線和
數據線之一交叉的電力線。另外，OELD 1還包括位于陣列元件層14上 的第一電極16、位于第一電極16上的有機電致發光(EL)層18，以及 位于有機EL層18上的第二電極20。另外，第一電極16與薄膜晶體管 "T"相連。這里，有機EL層18包括像素區"P"中的紅色(R)、綠色 (G)和藍色(B)子有機EL層。
另外，第二基板28起到了具有凹進部分21的封裝面板的作用。凹 進部分21中裝有干燥劑以防止OELD l受潮。另外，第一基板12和第 二基板28之間在它們的外周形成有密封圖案26從而將第一基板12與第 二基板28彼此接合起來。
接下來，圖2是圖1所示的現有技術ELD的等效電路圖。如圖2所 示，由形成在基板32上的選通線42和與選通線42交叉的數據線44限 定出像素區"P"。還包括與選通線42平行間隔開并與數據線44交叉的 電力線55。
另外，開關元件"Ts"在與選通線42和數據線44的交叉臨近的部 分與選通線42和數據線44相連，并且驅動元件"TD"與開關元件"Ts" 相連。例如，圖2中的驅動元件"TD"是正型薄膜晶體管。另外，在幵 關元件"Ts"與驅動元件"TD"之間形成有存儲電容器"Cst"。而且， 驅動元件"TD"的漏極63與有機EL二極管"E"的第一電極(未示出) 相連。另外，驅動元件"TD"的源極66與電力線55相連，柵極68與電 容器CsT和開關元件Ts相連。
下面將詳細描述OELD的操作。當向開關元件"Ts"的柵極46施加 選通信號時，施加到數據線44上的電流信號通過開關元件"Ts"變為電 壓信號并施加到驅動元件"TD"的柵極68上。
因此，驅動元件"TD"被驅動并且確定了施加到有機EL 二極管"E" 上的電流電平，從而有機EL二極管"E"可以表現出灰度級。另外，因 為存儲電容器"CST"中的信號起到了保持驅動元件"TD"的柵極68的 信號的作用，所以即使開關元件"Ts"處于OFF狀態，也能保持施加到
EL二極管上的電流，直到施加了下一信號為止。
接下來，圖3是現有技術OELD對于一個像素的示意性平面圖。如 圖所示，開關元件"Ts"、與開關元件"Ts"相連的驅動元件"TD"以及 存儲電容器"CST"形成在基板32上的像素區"P"中。作為另選方案， 開關元件"Ts"和驅動元件"TD"可根據其操作特性在像素區"P"中形 成多個。
另外，基板32包括諸如玻璃或塑料基板的透明絕緣基板。基板32 上形成有選通線42并且數據線44與選通線42交叉以限定像素區"P"。 另外，在本示例中，電力線55與數據線44平行。
此外，開關元件"Ts"包括與第一選通線42相連的柵極46、第一柵 極46上方的第一半導體層50、與數據線44相連的第--源極56以及與第 一源極56隔開的第一漏極60。驅動元件"TD"包括與漏極60相連的第 二柵極68、第二柵極68上方的第二半導體層62、與電力線55相連的第 二源極66以及第二漏極63。特別的是，第一漏極60和柵極68通過絕緣 材料層(未示出)的接觸孔64彼此連接。
另夕卜，在像素區"P"中第一電極36與第一漏極63相連。雖然未示 出，但存儲電容器"CST"包括摻硅的第一存儲電極、占據電力線55的 一部分的第二存儲電極，以及第一存儲電極和第二存儲電極之間的絕緣 材料層(未示出)。
現在轉向圖4，圖4是沿圖3中的"IV-IV"線截取的現有技術OELD 的示意性剖視圖。圖4中，第二半導體層62形成在基板32上，柵絕緣 層"GI"形成在第二半導體層62上，柵極68形成在第二半導體層62上 方的柵絕緣層"GI"上，夾層絕緣層"IL"形成在柵極68上并包括露出 第二半導體層62的兩個端部的第一接觸孔"C1"和第二接觸孔"C2"。 源極66和漏極63形成在夾層絕緣層"IL"上并通過第一接觸孔"C1" 和第二接觸孔"C2"與第二半導體層62相連。
第二源極66和第二漏極63上還形成有鈍化層68，鈍化層68包括 露出漏極63的一部分的漏極接觸孔"C3"。第一電極36通過漏極接觸孔 "C3"與漏極63相連，有機EL層38形成在第一電極36上，第二電極
80形成在有機EL層38上。第一電極36、有機EL層38和第二電極80 構成了有機EL 二極管"E"。另外，驅動元件"TD"是負型TFT，并且 第一電極36和第二電極80分別是陰極和陽極。作為另選方案，驅動元 件"TD"是正型TFT，并且第一電極36和第二電極80分別是陽極和陰 極。
另夕卜，存儲電容器"Cst"和驅動元件"TD"設置成一排。這里，源 極66與第二存儲電極相連，第一存儲電極35設置在第二存儲電極34下 方。
圖5是現有技術的發射區的示意性剖視圖。在圖5中，OELD 1的發 射區包括基板32上的陽極36、陽極36上的空穴注入層38a、空穴注入 層38a上的空穴傳輸層38b、空穴傳輸層38b上的發射層38c、發射層38c 上的電子傳輸層38d、電子傳輸層38d上的電子注入層38e以及電子注入 層38e上的陰極80。這些層順序層疊在陽極36上。
另外，空穴傳輸層38b和電子傳輸層38d用于將空穴和電子傳輸至 發射層38c以提高發射效率。另外，陽極36與空穴傳輸層38b之間的空 穴注入層38a用于降低空穴注入能，并且陰極80與電子傳輸層38d之間 的電子注入層38e用于降低電子注入能，從而提高了發射效率并降低了 OELD的驅動電壓。
另外，陰極80由包括鈣(Ca)、鋁(Al)、鎂(Mg)、銀(Ag)和鋰 (Li)的材料形成。另外，陽極36由諸如銦錫氧化物(ITO)的透明導 電材料制成。這樣，因為由諸如ITO的透明導電材料形成的陽極36是通 過濺射而淀積的，所以陽極36下方的層可能受損。因此，為了防止發射 層38受損，陽極36不形成在發射層38上。
因此，當來自發射層38的光朝向形成在發射層38下方的陽極36發 射時，實質孔徑區由于陽極36下方的陣列元件(未示出)而受限。結果， 因為現有技術的OELD是底部發射型OELD，所以亮度由于該陣列元件 而降低。另外，為了使孔徑區最小化，該陣列元件的設計受到限制。而 且，驅動元件是結合有機EL二極管的結構從正型和多晶硅型中選出的， 所以陣列處理變得復雜并且產品產量降低。

發明內容
因此，本發明的一個目的是解決上述和其他問題。
本發明的另一 目的是提供一種OELD及其制造方法，該OELD能夠 被驅動為亮度提高的頂部發射型OELD。
本發明的又一 目的是提供一種OELD及其制造方法，該OELD包括 通過使生產成本降低的簡單處理而形成的陣列元件。
本發明的再一 目的是提供一種OELD及其制造方法，該OELD可以 防止陰極的氧化從而避免該OELD的驅動缺陷。
為了實現這些和其他優點，并且根據本發明的目的，如此處實施和 廣義描述的，本發明一方面提供了一種有機電致發光器件，該器件包括 位于包括像素區的基板上的開關元件以及與該開關元件相連的驅動元
件；與所述驅動元件相連的陰極，其中該陰極包括鉬(Mo);位于所述 陰極上的發射層；以及位于所述發射層上的陽極。
另一方面，本發明提供了一種制造有機電致發光器件的方法，該方 法包括以下步驟在包括像素區的基板上形成開關元件以及與該開關元 件相連的驅動元件；形成陰極并使其與所述驅動元件相連，其中該陰極 包括鉬(Mo);在所述陰極上形成發射層；以及在所述發射層上形成陽 極。本發明還提供了一種制造OELD器件的方法。'
通過以下給出的詳細說明將更加容易地了解本申請的這些和其他目 的。然而，應該理解，雖然這些詳細說明和具體示例表明了本發明的優 選實施例，但是它們只是通過例示的方式給出的，因為對于本領域技術 人員來講，通過該詳細說明在本發明的精神和范圍內進行各種修改和變 化是顯而易見的。


所包括的用于提供對本發明的進一步理解并結合而構成本申請的一 部分的附圖示出了本發明的實施例，并與說明書一起用于解釋本發明的 原理。附圖中
圖1是現有技術OELD的示意性剖視圖2是現有技術OELD的等效電路圖3是現有技術OELD對于一個像素區的示意性平面圖4是沿圖3中的"IV-IV"線截取的現有技術OELD的示意性剖視
圖5是現有技術OELD的發射區的示意性剖視圖； 圖6是根據本發明實施例的OELD的示意性剖視圖； 圖7是根據本發明實施例的OELD的陣列基板的示意性平面圖； 圖8A、8B、8C和8D是根據本發明實施例的沿圖7中的"Villa-Villa "、 "VIIIb-VIIIb"、 "VIIIc-VIIIc"禾卩"VIIId-VIIId"線截取的OELD的示意 性剖視圖9A至9G是根據本發明實施例的沿圖7中的"Villa-Villa"線截 取的根據OELD的制造工藝的示意性剖視圖IOA至IOG是根據本發明實施例的沿圖7中的"Vnib-VIIIb"線 截取的根據OELD的制造工藝的示意性剖視圖11A至11G是根據本發明實施例的沿圖7中的"VIIIc-VIIIc"線 截取的根據OELD的制造工藝的示意性剖視圖；以及
圖12A至12G是根據本發明實施例的沿圖7中的"VIIId-VIIId"線 截取的根據OELD的制造工藝的示意性剖視圖。
具體實施例方式
下面將詳細參照優選實施例，優選實施例的示例在附圖中示出。 首先轉到圖6,圖6是根據本發明實施例的OELD的示意性剖視圖。 如圖6所示，該OELD "EL"包括基板100上的陣列元件(未示出)、陣 列元件上的陰極200、陰極200上的電子注入層202、電子注入層202上 的電子傳輸層204、電子傳輸層204上的發射層206、發射層206上的空 穴傳輸層208、空穴傳輸層208上的空穴注入層210以及空穴注入層210 上方的陽極214。
另外，可以在空穴注入層210與陽極214之間設置緩沖層212，以
防止在通過濺射ITO或IZO的陽極214的淀積工藝期間對空穴注入層210 造成損壞。例如，緩沖層212可以包括用于空穴注入層的有機分子材料。 具體地說，緩沖層212可以選擇具有結晶性的有機單分子材料和包括五 氧化二釩(v2o5)的氧化物中的一種。而且，有機單分子材料包括銅酞 菁(CuPc)。具體地說，CuPc可形成為較薄的厚度，并具有低閾值電壓 和高淌度(mobility )。
另外，陽極214包括諸如ITO或IZO的透明導電材料，陰極200包 括鉬(Mo)。通常來講，雖然陰極200是從諸如鈣(Ca)、鋁(Al)、鎂 (Mg)、銀(Ag)或鋰(Li)的低功函金屬材料中選擇的，但低功函金 屬材料容易因為在掩模工藝期間暴露于濕氣和空氣而被氧化。因此，陰 極200包括具有非氧化特性的Mo，或者還可以包括陰極200與電子注入 層202之間的緩沖層。具體地說，當在緩沖層上對鈍化層(未示出)進 行構圖時可以對緩沖層進行蝕刻從而使陰極200與驅動元件"TD"的漏 極相連。
如上所述，因為陽極214形成在OELD頂部上，所以該OELD是頂 部發射型，從而提高了孔徑比。而且，雖然未示出，但是陰極200與本 身是負型TFT的驅動元件的漏極相連，由此減小了制造處理步驟的數量， 從而降低了生產成本。另外，因為防止了陰極200的氧化，所以避免了 工藝缺陷。
接下來，圖7是根據本發明實施例的OELD "EL"的陣列基板的示 意性平面圖。在圖7中，開關元件"Ts"和與開關元件"Ts"相連的驅 動元件"TD"形成在基板100上的像素區"P"中。
開關元件"Ts"可以是包括第一柵極102、第一半導體層118、第一 源極122a和第一漏極122b的負型薄膜晶體管。另外，驅動元件"To" 是包括第二柵極104、第二半導體層120、第二源極124a和第二漏極124b 的負型薄膜晶體管。具體地說，通過將第二柵極104連接至第一漏極122b， 而使驅動元件"TD"連接至開關元件"Ts"。
這里，第一半導體層118和第二半導體層120包括非晶硅，開關元 件"Ts"和驅動元件"TD"被形成為用于改進OELD的操作特性的結構。
例如，第一源極122a為"U"形，第一漏極122b為延伸到第一源極122a 內并與第一源極122a間隔開的條形。而且，第二源極124a為環形，第 二漏極124b為包含在第二源極124a內并與其間隔開的圓形。
通過開關元件"Ts"和驅動元件"TD"的溝道結構，減小了溝道長 度(未示出)并增大了溝道寬度(未示出)，從而使溝道寬度最大化并使 OELD的熱化最小化。
另外，在基板100上沿第一方向形成有選通線106，選通線106與 第一柵極102相連以向第一柵極102施加掃描信號。數據線126與選通 線106交叉以限定像素區"P"，并與第一源極122a相連以向第一源極122a 施加數據信號。另外，電力線110與選通線106平行并間隔開。
此外，在選通線106、數據線126和電力線110的端部分別形成有選 通焊盤108、數據焊盤128和電力焊盤114。此外，選通焊盤108、數據 焊盤128和電力焊盤114分別連接有選通焊盤端子138、數據焊盤端子 142和電力焊盤端子140。例如，選通焊盤端子138、數據焊盤端子142 和電力焊盤端子140包括諸如銦錫氧化物(ITO)或銦鋅氧化物(IZO)
的透明導電材料。
同時，雖然未示出，但是存儲電容器"CST"包括從第一漏極122b 延伸的第一存儲電極、從電力線110延伸的第二存儲電極，以及第一存 儲電極和第二存儲電極之間的絕緣層。即，第一存儲電極、絕緣層和第 二存儲電極順序地層疊。
另外，作為第一電極的陰極132與第二漏極124b相連。雖然未示出， 但是陰極138上形成有發射層(未示出)并且該發射層上形成有作為第 二電極的陽極(未示出)。
接下來，圖8A、 8B、 8C和8D是根據本發明實施例的沿圖7中的
"vnia-vnia"、 "vnib國vmb"、 "vnic-vnic"和"vnid-vnid"線截取的
有機ELD的示意性剖視圖。更詳細地說，圖8A示出了基板100上所限 定的開關區"S"、驅動區"D"和存儲區"C"。圖8B、 8C和8D分別示 出了選通區"GA"、與選通區"GA"平行的電力區"VA"，以及與選通 區"GA"和電力區"VA"垂直的數據區"DA"。
如圖8A所示，開關元件"Ts"和與開關元件"Ts"相連的驅動元件 "TD"分別形成在開關區"S"和驅動區"D"中。另外，如以上針對圖 7的討論并如圖8A所示，開關元件"Ts"包括第一柵極102、第一半導 體層11S、第一源極122a和第一漏極122b。另外，驅動元件"TD"包括 第二柵極104、第二半導體層120、第二源極124a和第二漏極124b。如 圖7所示，選通線106沿第一方向形成在基板100上，電力線110與選 通線106平行并間隔開，數據線126與選通線106交叉以限定像素區"P"。
如圖8A中未具體示出地，在存儲區"C"中，第一存儲電極從第一 漏極122b延伸，第二存儲電極從電力線110延伸。另外，第一存儲電極 上設置有柵絕緣層116。另外，如圖8A所示，陰極132與第二漏極124b 相連，陰極132上形成有發射層146，并且發射層146上形成有陽極150。 另外，陰極132包括不透明金屬材料，而陽極150包括透明導電材料。 即，該OELD "EL"被驅動為頂部發射型，使得來自發射層146的光朝 向陽極150傳播。
而且，第二柵極104通過柵絕緣層116的接觸孔與第一漏極122b相 連，第二源極124a與電力線110 (圖7中所示)相連。另外，在陰極128 上像素區"P"之間的邊界處形成有鈍化層144,從而防止了各個像素區 "P"中的發射層彼此接觸。
另外，如圖7所示，選通焊盤108、數據焊盤128和電力焊盤114 分別形成在選通線106、數據線126和電力線110的端部。另外，選通焊 盤端子138、數據焊盤端子142和電力焊盤端子140分別與選通焊盤108、 數據焊盤128和電力焊盤114相連。圖8B、 8C和8D以剖視圖分別示出 了選通焊盤108、電力焊盤114和數據焊盤128。
另外，陰極132包括鉬(Mo)。作為另選方案，可以在低功函金屬 材料的陰極132與發射層146之間形成緩沖層(未示出)，其中該緩沖層 包括鉬(Mo)。在后一種情況下，在對鈍化層144進行構圖時對緩沖層 進行蝕刻以露出陰極132。
下面轉到圖9A至9G、 IOA至IOG、 11A至11G和12A至12G，它
們是根據本發明實施例的沿圖7中的"vnia-vnia"、 "vnib-vnib"、
"VIIIc-Vnic"、 "VIIId-VIIId"線截取的OELD的制造過程的示意性剖視 圖。該說明中也會參照圖7。
如圖7和9A所示，在基板100上形成像素區"P"、開關區"S"、 驅動區"D"和存儲區"C"。圖IOA、 IIA和12A分別示出了選通區"GA"、 電力區"VA"和數據區"DA"。數據區"DA"和選通區"GA"限定了 像素區"P"，電力區"VA"設置在與選通區"GA"平行的區域。另外， 如圖9A所示，通過分別在開關區"S"和驅動區"D"中淀積包括鋁(A1)、 諸如鋁釹合金(AlNd)的鋁合金、鉻(Cr)、 Mo、銅(Cu)和鈦(TO 在內的材料并進行構圖而形成第一柵極102和第二柵極104。如圖7所示， 在選通區"GA"中，選通線106與第一柵極102相連并形成在基板100 上，選通焊盤108形成在選通線106的端部。另外，電力線110形成在 電力區"VA"中，電力焊盤114形成在電力線110的端部。從電力線110 延伸的第一存儲電極112形成在存儲區"C"中。
接下來，如圖9A、 IOA、 11A和12A所示，通過在第一柵極102、 第二柵極104和第二存儲電極112上淀積諸如氮化硅(SiNx)或氧化硅
(SiOx)的無機絕緣材料而形成柵絕緣層116。也參見圖10B、11B和12B。 接下來，通過分別在開關區"S"和驅動區"D"中的柵絕緣層116 上淀積本征非晶硅而形成第一有源層118a和第二有源層120a。然后，通 過分別在第一有源層118a和第二有源層120a上淀積摻雜非晶硅而形成第 一歐姆接觸層118b和第二歐姆接觸層120b。這里，第一有源層118a和 第一歐姆接觸層118b構成了第一半導體層118，第二有源層120a和第二 歐姆接觸層120b構成了第二半導體層120。
接下來，如圖9A所示，通過對柵絕緣層116蝕刻而形成第一接觸孔
"CH1"和第二接觸孔"CH2",從而露出第二柵極104的一部分和第一 存儲電極112的一部分。如圖9B所示，通過分別在開關區"S"、驅動區
"D"和存儲區"C"中淀積諸如與選通線106相同材料的導電金屬材料 而形成第一源極122a和第一漏極122b、第二源極124a和第二漏極124b
以及(圖7的)數據線126。另外，第二存儲電極122c從第一漏極122b 延伸，第二柵極104通過第一接觸孔"CH1"與第一漏極122b相連，第
二漏極124b通過第二接觸孔"CH2"與第二存儲電極122c相連。
接下來，移除第一源極122a與第一漏極122b之間的第一歐姆接觸 層118b的一部分，以露出第一有源層118a的與第一歐姆接觸層118b的 該部分相對應的一部分。另外，移除第二源極124a與第二漏極124b之 間的第二歐姆接觸層120b的一部分，以露出第二有源層120a的與第二 歐姆接觸層120b的該部分相對應的一部分。這里，露出的第一有源層118a 和第二有源層120a起到了有源溝道(未示出)的作用。另外，如圖7所 示，為了減小溝道長度并增大溝道寬度，第一源極122a可以為"U"形， 第一漏極122b可以為條形。作為另選方案，第二源極124a可以為環形， 第二漏極124b可以為圓形。
另外，第一柵極102、第一半導體層118、第一源極122a以及第一 漏極122b構成了開關元件"Ts"。而且，第二柵極104、第二半導體層 120、第二源極124a以及第二漏極124b構成了驅動元件"TD"。
接下來，在圖9C中，通過在開關元件"Ts"和驅動元件"TD"上淀 積無機絕緣材料而形成第一鈍化層130。在該步驟中，通過對第一鈍化層 130進行蝕刻來形成第三接觸孔"CH3"，從而露出第二漏極124b的一部 分。同時，通過對第一鈍化層130進行蝕刻來形成第四接觸孔"CH4"、 第五接觸孔"CH5"和第六接觸孔"CH6"，從而分別露出選通焊盤108 的一部分、電力焊盤114的一部分和數據焊盤128的一部分(也參見圖 IOC、 IIC禾B 12C)。
在圖9D中，通過在驅動元件"TD"上淀積鈣(Ca)、鋁(Al)、鎂 (Mg)、銀(Ag)和鋰(Li)的一種而形成陰極132。具體地說，陰極 132通過第三接觸孔"CH3"與第二漏極124b相連。在該步驟中，使用 與陰極132相同的材料形成選通焊盤端子138、電力焊盤端子140和數據 焊盤端子142。也參見圖IIC。
接下來，在圖9D、 IOD、 11D和12D中，通過分別在陰極132、選 通焊盤端子138、電力焊盤端子140和數據焊盤端子142上淀積鉬(Mo) 而形成第一緩沖層134、第二緩沖層139、第三緩沖層141和第四緩沖層 143。
因為通過第四接觸孔"CH4"、第五接觸孔"CH5"和第六接觸孔"CH6" 對第二緩沖層139、第三緩沖層141和第四緩沖層143進行了蝕刻，所以 選通焊盤端子138、電力焊盤端子140和數據焊盤端子142分別通過第四 接觸孔"CH4"、第五接觸孔"CH5"和第六接觸孔"CH6"與選通焊盤 108、電力焊盤114和數據焊盤128相連。在圖9E、 IOE、 11E和12E中， 通過在選通焊盤端子138、電力焊盤端子140和數據焊盤端子142上淀積 無機絕緣材料而形成第二鈍化層144。
接下來，在圖9F、 IOF、 IIF禾口 12F中，對第二鈍化層144進行蝕刻 以露出選通焊盤端子138、電力焊盤端子140和數據焊盤端子142。通過 該步驟，第二鈍化層144保留在像素區"P"之間的邊界處。這樣，因為 第一緩沖層134覆蓋了陰極132，所以在對第二鈍化層144進行構圖之前 在陰極132的表面上沒有發生氧化反應。同樣，第二緩沖層139、第三緩 沖層141和第四緩沖層143分別覆蓋了選通焊盤端子138、電力焊盤端子 140和數據焊盤端子142。因此，防止了氧化反應。
在圖9G、 IOG、 11G和12G中，在陰極132上方形成發射層146。 另外，如圖9G所示，該OELD包括陰極132上的電子注入層"EIL"、 電子注入層"EIL"上的電子傳輸層"ETL"、發射層146上的空穴傳輸 層"HTL"、空穴傳輸層"HTL"上的空穴注入層"HIL"，以及空穴注入 層"HIL"上的第二緩沖層148。另外，發射層146包括紅色(R)、綠色 (G)和藍色(B)子發射層。在各個示例中，發射層146都設置在各個 像素區"P"中。
接下來，如圖9G所示，通過在第二緩沖層148上淀積諸如銦錫氧化 物(ITO)或銦鋅氧化物(IZO)的透明導電材料并進行構圖而形成陽極 150。這樣，通過上述工藝制成了頂部發射型有機ELD。
另外，根據本發明的OELD是一種將不透明材料的陰極設置為下電 極而將透明導電材料的陽極設置為上電極以形成頂部發射型OELD的顛 倒結構，從而獲得了提高的孔徑比而不影響陣列元件的設計。另外，開 關元件和驅動元件是負型的，從而減少了工藝數量、生產成本并增加了 電路穩定性。更具體地說，因為防止了陰極的氧化反應，所以也避免了
驅動缺陷。
因為本發明可以在不脫離其精神或實質特征的情況下以多種形式來 實施，所以應該理解，上述實施例并不受前述說明的任何細節的限制， 除非另外指定，而是應該在所附權利要求所限定的發明精神和范圍內廣 義地理解，因此落入權利要求的邊界和范圍，或者該邊界和范圍的等效 形式內的全部修改和變化都應該包含于所附權利要求內。
本申請要求2006年6月30日在韓國提交的韓國專利申請 No.10-2006-0060861的優先權，此處通過引用并入其全部內容。
權利要求
1、一種有機電致發光器件，該器件包括位于包括像素區的基板上的開關元件以及與所述開關元件相連的驅動元件；與所述驅動元件相連的陰極，該陰極包括鉬(Mo)；位于所述陰極上的發射層；以及位于所述發射層上的陽極。
2、 根據權利要求1所述的器件，其中所述陽極包括銦錫氧化物(ITO) 和銦鋅氧化物(IZO)之一。
3、 根據權利要求1所述的器件，該器件還包括 位于所述陰極上的電子注入層；位于所述電子注入層上的電子傳輸層； 位于所述發射層上的空穴傳輸層； 位于所述空穴傳輸層上的空穴注入層；以及 位于所述空穴注入層上的緩沖層。
4、 根據權利要求3所述的器件，其中所述緩沖層包括從有機單分子 材料和氧化物中選擇的一種材料，并且其中所述有機單分子材料具有結晶性并且所述氧化物包括五氧化二 釩(V205)。
5、 根據權利要求4所述的器件，其中所述有機單分子材料包括銅酞 菁(CuPc)。
6、 根據權利要求1所述的器件，其中所述驅動元件是包括第一柵極、 與所述第一柵極相對應的第一半導體層、第一源極和與所述第一源極間 隔開的第一漏極的負型薄膜晶體管，并且其中所述第一源極和第一漏極與所述第一半導體層的端部相連。
7、 根據權利要求6所述的器件，其中所述第一漏極與所述陰極相連。
8、 根據權利要求6所述的器件，其中所述第一源極為"U"形而所 述第一漏極為條形，并且其中所述第一漏極設置在所述第一源極中并與之間隔開。
9、 根據權利要求6所述的器件，其中所述第一源極為環形而所述第 一漏極為圓形，并且其中所述第一漏極設置在所述第一源極中并與之間隔開。
10、 根據權利要求6所述的器件，該器件還包括與所述開關元件相連并且彼此交叉以限定所述像素區的選通線和數據線；以及與所述選通線和數據線之一交叉的電力線。
11、 根據權利要求10所述的器件，其中所述選通線、所述數據線和 所述電力線分別在它們的端部處包括選通焊盤、數據焊盤和電力焊盤。
12、 根據權利要求10所述的器件，其中所述開關元件是薄膜晶體管， 該薄膜晶體管包括與所述選通線相連的第二柵極、與所述第二柵極相對 應的第二半導體層、與所述數據線相連的第二源極，以及與所述第二源 極彼此間隔開的第二漏極，并且其中所述第二源極和所述第二漏極與所述第二半導體層的端部相連。
13、 根據權利要求12所述的器件，該器件還包括存儲電容器，其包括與所述電力線相連的第一存儲電極、與所述第 二漏極相連的第二存儲電極，以及所述第一存儲電極和所述第二存儲電 極之間的絕緣層。
14、 一種制造有機電致發光器件的方法，該方法包括以下步驟 在包括像素區的基板上形成開關元件以及與所述開關元件相連的驅動元件；形成陰極并使其與所述驅動元件相連，所述陰極包括鉬(MO);在所述陰極上形成發射層；以及 在所述發射層上形成陽極。
15、 根據權利要求14所述的方法，其中所述陽極包括銦錫氧化物 (ITO)和銦鋅氧化物(IZO)之一。
16、 根據權利要求14所述的方法，該方法還包括以下步驟 在所述陰極上形成電子注入層； 在所述電子注入層上形成電子傳輸層；在所述發射層上形成空穴傳輸層； 在所述空穴傳輸層上形成空穴注入層；以及 在所述空穴注入層上形成緩沖層。
17、 根據權利要求16所述的方法，其中所述緩沖層包括從有機單分 子材料和氧化物中選擇的一種材料，并且其中所述有機單分子材料具有結晶性并且所述氧化物包括五氧化二 釩(V205)。
18、 根據權利要求17所述的方法，其中所述有機單分子材料包括銅 酞菁(CuPc)。
19、 根據權利要求14所述的方法，其中所述驅動元件是包括第一柵 極、與所述第一柵極相對應的第一半導體層、第一源極以及與所述第一 源極間隔開的第一漏極的負型薄膜晶體管，并且其中所述第一源極和所述第一漏極與所述第一半導體層的端部相連。
20、 根據權利要求19所述的方法，該方法還包括以下步驟 使所述第 --漏極與所述陰極相連。
21、 根據權利要求19所述的方法，其中所述第一源極為"U"形而 所述第一漏極為條形，并且其中所述第一漏極設置在所述第一源極中并與之間隔開。
22、 根據權利要求19所述的方法，其中所述第一源極為環形而所述 第一漏極為圓形，并且其中所述第一漏極設置在所述第一源極中并與之間隔開。
23、 根據權利要求19所述的方法，該方法還包括以下步驟形成與所述開關元件相連并且彼此交叉以限定所述像素區的選通線 和數據線；以及形成與所述選通線和所述數據線之一交叉的電力線。
24、 根據權利要求23所述的方法，該方法還包括以下步驟 分別在所述選通線、所述數據線和所述電力線的端部處形成選通焊 盤、數據焊盤和電力焊盤。
25、 根據權利要求23所述的方法，其中所述開關元件包括與所述選 通線相連的第二柵極、與所述第二柵極相對應的第二半導體層、與所述 數據線相連的第二源極，以及與所述第二源極彼此間隔開的第二漏極， 并且其中所述第二源極和所述第二漏極與所述第二半導體層的端部相連。
26、 根據權利要求25所述的方法，該方法還包括以下步驟 形成存儲電容器，包括形成與所述電力線相連的第一存儲電極； 形成與所述第二漏極相連的第二存儲電極；以及 在所述第一存儲電極和第二存儲電極之間形成絕緣層。
27、 一種有機電致發光器件，該器件包括位于包括像素區的基板上的開關元件以及與所述開關元件相連的驅 動元件；與所述驅動元件相連的陰極；位于所述陰極上的緩沖層，所述緩沖層包括鉬(Mo);位于所述緩沖層上的第一鈍化層，所述第一鈍化層和所述緩沖層具 有露出所述陰極的一部分的接觸孔位于所述第一鈍化層上的發射層，所述發射層通過所述接觸孔與所 述陰極接觸；以及位于所述發射層上的陽極。
28、 根據權利要求27所述的器件，其中所述陰極包括從鈣(Ca)、 鋁(Al)、鎂(Mg)、銀(Ag)和鋰(Li)中選擇的一種材料。
29、 一種制造有機電致發光器件的方法，該方法包括以下步驟 在包括像素區的基板上形成開關元件以及與所述開關元件相連的驅動元件；形成與所述驅動元件相連的陰極； 在所述陰極上形成緩沖層，所述緩沖層包括鉬(MO); 在所述緩沖層上形成第一鈍化層；在所述緩沖層和所述第一鈍化層中形成接觸孔，所述接觸孔露出所 述陰極的一部分；在所述第一鈍化層上形成發射層，所述發射層通過所述接觸孔與所 述陰極接觸；以及在所述發射層上形成陽極。
30、根據權利要求29所述的方法，其中所述陰極包括從鈣(Ca)、 鋁(Al)、鎂(Mg)、銀(Ag)和鋰(Li)中選擇的一種材料。
全文摘要
本發明提供了一種雙面板型有機電致發光顯示器件及其制造方法。該有機電致發光器件包括位于包括像素區的基板上的開關元件以及與該開關元件相連的驅動元件；與所述驅動元件相連的陰極，其中該陰極包括鉬(Mo)；位于所述陰極上的發射層；以及位于所述發射層上的陽極。
文檔編號H01L51/50GK101097939SQ20061016567
公開日2008年1月2日 申請日期2006年12月11日 優先權日2006年6月30日
發明者崔盛勛, 樸冏敏, 樸宰希, 李錫宗, 柳相鎬, 許廷守 申請人:Lg.菲利浦Lcd株式會社