專利名稱：輻射系統和光刻設備的制作方法
技術領域：
本發明涉及輻射系統和包括輻射系統的光刻設備。具體地，本發明涉及用于產生輻射束的輻射系統，其包括產生EUV輻射的脈沖EUV源。
背景技術：
光刻設備是將所需圖形施加到襯底上，通常為襯底的目標部分上的機器。例如，光刻設備可以用于集成電路(IC)的制造中。在這種情況下，可稱為掩模、標線(reticle)等的構圖裝置可以用于產生將形成在IC單層上的電路圖形。該圖形可以轉移到襯底(例如，硅晶片)上的目標部分(例如，包括一個或幾個管芯的部分)上。通常通過在提供于襯底上的輻射敏感材料(抗蝕劑)層上成像來轉移圖形。通常，單個襯底包括依次構圖的相鄰目標部分的網絡。已知的光刻設備包括通過將整個圖形一次曝光在目標部分上來輻射每個目標部分的所謂的步進機和通過在給定方向(“掃描”方向)上通過輻射束掃描圖形來輻射每個目標部分同時同步地平行或反平行于該方向掃描襯底的所謂的掃描器。還可以通過將圖形刻印在襯底上把圖形從構圖裝置轉移到襯底。
除EUV輻射外，用于EUV光刻的輻射源產生對光學器件和在其中實現光刻處理的工作環境有害的污染物質。這種問題對于通過激光引起的等離子體操作的EUV源尤為顯著。因此，在EUV光刻中，存在著限制用于調節來自EUV源輻射束的光學系統的污染物的需求。此外，由于可能產生更適宜在輻射源光路下游之外的其他輻射，所以可能要求提供來自EUV源的輻射束的光譜過濾。其中的輻射源尤其指分別用于調節EUV輻射束和將所述束投影到襯底上的照明系統和投影系統。對光譜過濾EUV輻射束，已知多種物質可以提供此種過濾功能。然而，由于從EUV源傳播的碎屑(debris)，這種物質在光路中的定位是難以解決的。
發明內容
希望提供用于所產生的EUV束的光譜過濾器同時保持過濾器避開(clear from)碎屑。更進一步，希望提供用于光譜過濾脈沖EUV源的輻射束的方法。
根據本發明的一個方面，提供產生輻射束的輻射系統。該輻射系統包括產生EUV輻射的脈沖EUV源，和安裝在EUV源前面用于選擇性通過來自EUV源的EUV輻射束的光譜范圍的光譜過濾器。該光譜過濾器被安裝在被配置成可與脈沖EUV源同步移動的可移動支架(mount)上。
根據本發明的另一方面，提供一種光譜過濾輻射束的方法。該方法包括用脈沖EUV源產生EUV輻射，通過安裝在EUV源前面的光譜過濾器選擇性通過來自所述EUV源的EUV輻射束的光譜范圍，和與脈沖EUV源同步移動光譜過濾器以阻止從EUV源傳播的碎屑沖擊(impact)光譜過濾器。
根據本發明的另一方面，提供一種光刻設備。該設備包括用于產生輻射束的輻射系統。該輻射系統包括用于產生EUV輻射的脈沖EUV源，和被安裝在EUV源前面用于選擇性通過來自EUV源的EUV輻射束的光譜范圍的光譜過濾器。該設備還包括對輻射束構圖的構圖裝置，和將構圖輻射束投射到襯底上的投影系統。光譜過濾器被安裝在被配置成可與脈沖EUV源同步移動的可移動支架上。
現在將參考附圖，僅以示例方式描述本發明的實施例，其中相應參考符號表示相應部分，且其中圖1示出根據本發明實施例的光刻設備。
圖2示出本發明的第一實施例。
圖3示出本發明的第二實施例。
圖4示出從一側看去的本發明第二實施例。
圖5示出第二實施例的具體操作方法；并且圖6示出實現圖5所示的具體操作方法的可選實施例。
具體實施例方式
圖1示意性地示出根據本發明的一個實施例的光刻設備。該設備包括調節輻射束B(例如，UV輻射或EUV輻射)的照明系統(照明器)IL；支撐構圖裝置(例如，掩模)MA并連接到根據特定參數精確定位構圖裝置的第一定位器PM的支撐結構(例如，掩模臺)MT；保持襯底(例如，涂有抗蝕劑的晶片)W并連接到根據特定參數精確定位襯底的第二定位器PW的襯底臺(例如，晶片臺)WT；和將通過構圖裝置MA賦予輻射束B的圖形投射到襯底W的目標部分C(例如，包括一個或多個管芯)上的投影系統(例如，折射投影透鏡系統)PS。
照明系統可以包括各種類型的光學部件，如折射的，反射的，磁的，電磁的，靜電的或其他類型的光學部件，或它們的任意組合，用于引導、成形或控制輻射。
支撐結構支撐，即承受構圖裝置的重量。支撐結構以取決于構圖裝置的定向、光刻設備的設計和諸如構圖裝置是否保持于真空環境中的其他條件的方式保持構圖裝置。支撐結構可以利用機械、真空、靜電或其他夾緊技術來保持構圖裝置。支撐結構可以是框架或平臺，例如，如果需要其可以是固定的或可動的。支撐結構確保構圖裝置處于期望位置上，例如，相對于投影系統。在此任意使用的術語“標線”或“掩模”可以認為與更普通的術語“構圖裝置”同義。
在此使用的術語“構圖裝置”應當廣泛地解釋為表示可以用來在輻射束的橫截面中賦予其圖形以便在襯底的目標部分中產生圖形的任何裝置。應當注意到賦予到輻射束的圖形可以不完全與襯底的目標部分中期望的圖形相應，例如如果該圖形包括相移部件或所謂的輔助部件。通常，賦予到輻射束的圖形將與目標部分中制造的諸如集成電路的器件中的特定功能層相對應。
構圖裝置可以是透射性或反射性的。構圖裝置的例子包括掩模、可編程鏡面陣列和可編程LCD面板。掩模是光刻中眾所周知的，且包括諸如二元的、交替相移的和衰減相移的掩模類型以及各種混合掩模類型。可編程鏡面陣列的例子采用小鏡面的矩陣布置，每個小鏡面可以單獨傾斜以便在不同方向上反射入射的輻射束。傾斜鏡面在由鏡面陣列反射的輻射束中賦予圖形。
在此使用的術語“投影系統”應當廣泛地解釋為包括任何類型的投影系統，包括折射的、反射的、反折射的、磁的、電磁的和靜電光學系統，或者它們的任意組合，只要其適于所用的曝光輻射或用于諸如使用浸沒液體或使用真空的其他因素。在此任意使用的術語“投影透鏡”可以認為與更普通的術語“投影系統”同義。
如在此所述的，設備是反射型的(例如，采用反射掩模)。可選地，設備可以是透射型的(例如，采用透射掩模)。
光刻設備可以是具有兩個(雙級)或更多襯底臺(和/或兩個或更多掩膜臺)的類型。在這種“多級”機器中其他平臺可以并行使用，或者在一個或多個平臺上進行預備步驟，同時一個或多個其他平臺用于曝光。
光刻設備也可以是其中襯底的至少一部分浸沒在具有相對高折射率的液體例如水中以便填充投影系統與襯底之間空間的類型。浸沒液體也可以用于光刻設備的其他空間，如掩膜和投影系統之間。浸沒技術在增加投影系統的數值孔徑在技術中眾所周知。在此使用的術語“浸沒”不是指一種結構，如襯底，必須浸沒在液體中，而是僅指在曝光期間液體位于投影系統和襯底之間。
參考圖1，照明器IL接收來自輻射源SO的輻射束。例如當源為受激準分子激光器時，源和光刻設備可以是獨立實體。在這種情況下，認為源不形成光刻設備的一部分，且輻射束借助束傳送系統從源SO傳遞到照明器IL，該束傳送系統例如包括合適的引導鏡面和/或束擴展器。在其他情況下，例如當源為汞燈時，源可以是光刻設備的整體部分。如果需要，可以將源SO和照明器IL連同束傳送系統BD一起稱為輻射系統。
照明器IL可以包括用于調節輻射束角強度分布的調節器。通常，至少可以調節照明器光瞳平面中強度分布的外部和/或內部徑向范圍(通常分別稱作σ-外和σ-內)。此外，照明器IL可以包括各種其他部件，例如積分器和聚光器。照明器可以用于調節輻射束，使其在其截面中具有期望的均勻性和強度分布。
輻射束B入射到保持在支撐結構(例如，掩模臺MT)上的構圖裝置(例如，掩膜MA)上，并由構圖裝置構圖。橫穿(traversed)掩膜MA，輻射束B穿過投影系統PS，該投影系統PS將束聚焦到襯底W的目標部分C上。借助于第二定位器PW和位置傳感器IF2(例如，干涉測量裝置、線性編碼器或電容傳感器)，襯底臺WT可以精確地移動，例如，以便在輻射束B的路徑中定位不同的目標部分C。類似地，第一定位器PM和另一位置傳感器IF1可以用于相對于輻射束B的路徑來精確定位掩膜MA，例如在從掩模庫中機械檢索之后，或在掃描期間。通常，掩膜臺MT的移動可以借助于構成第一定位器PM一部分的長沖程模塊(粗定位)和短沖程模塊(細定位)來實現。類似地，襯底臺WT的移動可以使用構成第二定位器PW一部分的長沖程模塊和短沖程模塊來實現。在步進機(與掃描器相對)情況下，掩膜臺MT可以只連接到短沖程調節器或者是固定的。掩膜MA和襯底W可以利用掩膜對準標記M1，M2和襯底對準標記P1、P2來對準。雖然所示的襯底對準標記占據專用目標部分，但它們可以位于目標部分之間的空間中(這就是已知的劃片線(scribe-lane)對準標記)。類似地，在多于一個的管芯提供在掩膜MA上的情況下，掩模對準標記可以位于管芯之間。
所述設備可以用于以下模式的至少一種中1.在步進模式中，掩模臺MT和襯底臺WT基本保持固定，同時將賦予輻射束的整個圖形一次投射到目標部分C上(，即，單靜態曝光)。然后襯底臺WT在X和/或Y方向上移動以便可以曝光不同的目標部分C。在步進模式中，曝光場的最大尺寸限制了單靜態曝光中成像的目標部分C的尺寸。
2.在掃描模式中，掩模臺MT和襯底臺WT被同步掃描，同時將賦予輻射束的圖形投射到目標部分C上(即，單動態曝光)。襯底臺WT相對于掩模臺MT的速度和方向可以由投影系統PL的放大(縮小)和圖像翻轉特性來確定。在掃描模式中，曝光場的最大尺寸限制了單動態曝光中目標部分的寬度(在非掃描方向上)，而掃描運動的長度確定了目標部分的高度(在掃描方向上)。
3.在其他模式中，掩模臺MT基本保持固定地保持可編程構圖裝置，且襯底臺WT被移動或掃描，同時將賦予輻射束的圖形投射到目標部分C上。在該模式中，通常采用脈沖輻射源，在襯底臺WT每次移動之后或在掃描期間的連續輻射脈沖之間需要更新可編程構圖裝置。這種模式的操作容易應用于利用可編程構圖裝置的無掩模光刻，例如上述所稱類型的可編程鏡面陣列。
還可以采用上述模式的組合和/或變形或者完全不同的模式。
圖2示出了根據本發明的輻射系統1的第一實施例。通常，輻射系統1包括如錫或者Xe源的激光誘發的等離子體源2，然而，其他源也可能。圖2示出的源2通常以脈沖方式操作以至于與從源2傳播的碎屑4一起產生周期性EUV輻射3。通常操作頻率在幾(數十)kHz的范圍。為了過濾源2，例如，用于選擇性通過10-20nm波長范圍內的EUV輻射3，光譜過濾器5被安裝在EUV源2的前面。
用于提供這種光譜過濾器的常用材料可以包括Zr/Si多層過濾器或Zr/Nb多層過濾器。
光譜過濾器5安裝在與源2相隔一段距離的旋轉盤6上。該盤借助適當的驅動裝置，特別地，電動機8，繞軸7旋轉。
通過基于碎屑的平均速度和光速選擇合適的距離，可以從產生自源2的EUV輻射3中分離出從源2傳播的碎屑4。旋轉盤6與脈沖EUV源2同步移動以阻止傳播的碎屑4沖擊光譜過濾器5上。在這里，術語“同步”表示該盤具有與脈沖EUV源2相同的操作頻率，或者，可選地，該盤具有與脈沖激光源頻率相匹配的作為更高次頻率的操作頻率。這樣，光譜純度過濾器5就能一直避開碎屑4。在圖2的實施例中盤6具有敞形結構(open structure)。
作為選擇，在圖3的實施例中，圖示的旋轉盤9是固體以提供對輻射系統1的隔板(closure)。這在圖4中更詳細的示出，其中很清楚看出輻射系統被盤9分隔以提供介于緩沖氣壓源10和EUV輻射源2之間的壓力壁壘。因此，等離子體源2可以獨立于由盤9分離的部分14內的壓力體系(pressure regime)在真空壓力部分11中操作。這樣，源2可以在真空壓力下操作。在源和旋轉盤9之間可以存在碎屑緩和(mitigation)裝置，特別地，箔片俘獲器(foil trap)12。這是利用很多緊密堆積的箔片的裝置，其中箔片調準到與EUV源產生的光的方向大體平行。
污染性碎屑4，如微粒，毫微粒和離子可以被俘獲在箔板(未示出)提供的壁上。因此，箔片俘獲器12作為俘獲來自源的污染物的污染壁壘。相對于作為壓力壁壘的盤9，在與真空壓力部分11中的箔片俘獲器12和源2相對的部分14中，緩沖壓力源10可以阻擋未被箔片俘獲器12和旋轉盤9布置阻擋的殘余污染物。
通常，這可以是在低壓中利用緩沖氣體流13俘獲的離子類污染物。在鄰近由該緩沖氣體操作的碎屑緩和部分14的部分中存在用于收集來自所述EUV源的EUV輻射并將EUV輻射聚集成束的收集器15，該束下游由照明器和/或投影光學器件進一步調節。這樣，收集器將來自所述EUV源2的所述EUV輻射會聚到進一步的EUV光學器件。這種收集器元件15可以沿著中心軸方向對稱的圓柱并可以包括由同心彎曲殼(shell)形成的反射面，該反射面以基本上在1到7cm之間的范圍的距離堆疊(stacked)。此外它可以是多層垂直入射類型。
在操作上，根據本發明的光譜過濾輻射束3的方法包括提供連同從源2傳播的碎屑4一起產生EUV輻射的脈沖EUV源2；在EUV源前面安裝光譜過濾器5以選擇性通過來自所述EUV源2的EUV輻射束3的光譜范圍；和與脈沖EUV源2同步移動所述光譜過濾器5以阻止傳播的碎屑4沖擊光譜過濾器5。
圖5示出圖3所示的第二實施例的具體操作方法。事實上，可供選擇地，或另外地，旋轉盤9可以在圖4的16示出的部分中操作。通常，在部分16中，EUV輻射經過如圖6所示的中間焦點。因此，旋轉盤9可以作為選擇性遮擋EUV光的遮光器(shutter)。在該實施例中收集器15置于遮光器9和EUV源2之間。在中間焦點位置，有利地是，旋轉盤9直徑可以很小，而且相應地可以制作的比在其他部分旋轉快些。
因此，遮光器9可以用于選擇性透射光到如圖1示出的EUV光刻設備的下游光學部件(未示出)。這樣，在處理步驟之間，即在光刻設備沒有主動傳送圖像到襯底，而是，例如處于操縱襯底或者改變標線的中間階段的時間間隔中，EUV源2可保持以脈沖方式運行，從而保證收集器15的溫度穩定。因此，可以避免收集器15的溫度波動，提高EUV輻射系統1的效率。同時，源的壽命增長并且其他下游光學部件上的負荷降低。
因此，圖5的實施例在操作中用于通過EUV源保持收集器15被加熱的同時切斷EUV輻射束。具體地，圖5A示出旋轉光譜過濾器的通過模式。在該模式中，光譜過濾器與脈沖激光源2的工作期間(on-periods)同步移動，以使光譜過濾器5“看到”來自脈沖源2的輻射。在圖5B中，EUV輻射束3被固體盤7形成的遮光器遮擋。這可以通過使旋轉光譜過濾器5和脈沖源2不同步，例如通過在脈沖源2的脈沖中引入短的延時來提供。在該模式中，光譜過濾器與脈沖激光源2的關斷期間(off-periods)同步移動，以使光譜過濾器5不能“看到”來自來自脈沖源2的輻射并且盤7相應地遮擋EUV輻射。
通過根據本發明的布置，可以在只有當EUV輻射通過而不存在碎屑時選擇性使用光譜過濾器。因此，光譜過濾器在本身比EUV輻射慢的污染性碎屑顆粒的沖擊時間移開。注意，US4408338公開了基于碎屑和所產生的電磁性輻射的速度差選擇性俘獲碎屑的旋轉盤布置。然而，該公布未提及放置EUV過濾器和保護該過濾器免于碎屑沖擊的需要。
圖6示出實施光譜操作方法的替代實施例。該實施例的各方面特征化如下-用于產生輻射束的輻射系統，包括連同從源傳播的碎屑一同產生EUV輻射的該脈沖EUV源；用于收集來自所述EUV源的EUV輻射的收集器；和選擇性遮擋EUV束的遮光器；所述收集器位于遮光器和EUV源之間。
-用于產生輻射束的輻射系統，包括連同從源傳播的碎屑一同產生EUV輻射的該脈沖EUV源；用于收集來自所述EUV源的EUV輻射的收集器；用于將EUV輻射耦合到收集器外和/或將來自可選光源的輻射耦合到收集器內的可傾斜鏡面；并且所述收集器位于可傾斜鏡面和EUV源之間。
-穩定收集來自EUV源的EUV輻射的收集器溫度的方法，該方法包括提供產生EUV輻射的EUV源；提供用于收集來自所述EUV源的EUV輻射的收集器；提供選擇性遮擋由所述EUV源產生的EUV束的遮光器；將所述收集器放置在遮光器和EUV源之間；并且在保持收集器被EUV源加熱的同時選擇性遮擋所述EUV輻射。
-穩定收集來自EUV源的EUV輻射的收集器溫度的方法，該方法包括提供產生EUV輻射的EUV源；提供用于收集來自所述EUV源的EUV輻射的收集器；提供可傾斜鏡面；將所述收集器放置在鏡面和EUV源之間；并且傾斜所述鏡面以在保持收集器被加熱的同時選擇性外耦合(outcoupling)來自收集器的EUV輻射和/或將來自可選光源的輻射內耦合(incoupling)到收集器中。
特別地，圖6A示出標準操作模式，其中可傾斜鏡面17，特別地，具有高切線入射反射性(grazing incidence reflectivity)的鏡面，置于中間焦點。因為鏡面處于中間焦點，所以鏡面可以小一些。
圖6B中示出可選操作，這里可傾斜鏡面17相對于標準操作模式被傾斜。在這一位置，可在收集器被加熱的同時將來自可選光源18的輻射耦合到收集器15內。
在實施例中，鏡面17可由圖5示出的旋轉遮光器布置9提供。這可以結合可選地使EUV源2或可選光源18與旋轉遮光器布置同步來完成。
在未示出的另一實施例中，可選擇地，可將來自收集器15的EUV輻射耦合到外面以保持收集器15被加熱和EUV源2運行。
雖然在本文中具體參考了IC制造中光刻設備的使用，但應當理解在此描述的光刻設備可以具有其他應用，例如，集成光學系統、用于磁疇存儲器的引導和探測圖形、平板顯示器、液晶顯示器(LCD)、薄膜磁頭等的制造。本領域技術人員將意識到，在這些可選應用的范圍中，在此任意使用的術語“晶片”或“管芯”可以認為分別與更普通的術語“襯底”或“目標部分”同義。在這里襯底指在曝光之前或之后，可以在例如軌道(track)(通常將抗蝕劑層涂覆到襯底并顯影已曝光抗蝕劑的工具)、度量工具和/或檢驗工具中被處理。在應用中，這里的描述可以應用于這些和其他襯底處理工具。此外，襯底可以被處理一次以上，例如為了制造多層IC，因此在此使用的術語襯底還可以指已經包括多個已處理層的襯底。
雖然已經在上面具體參考了本發明在光刻中的應用，將意識到本發明可以用于其他應用，例如壓印，在允許的情況下，不限于光刻。在壓印中，構圖裝置中的幾何形狀限定了襯底上制造的圖形。構圖裝置的幾何形狀可以定義在稱底上產生的圖形。構圖裝置的幾何形狀可以被壓制在提供到襯底的抗蝕劑層中，由此在襯底上通過施加電磁輻射、熱、壓力或它們的組合使抗蝕劑硬化。在抗蝕劑硬化后將構圖裝置移到留有圖形的抗蝕劑之外。
在此使用的術語“輻射”和“束”包括所有類型的電磁輻射，包括紫外線(UV)輻射(例如，具有約365、355，248、193、157或126nm的波長)和遠紫外線輻射(例如具有在5-20nm范圍的波長)，還有粒子束，比如離子束或電子束。
術語“透鏡”在本文允許的情況下可以指各種光學部件的任何一種或組合，包括折射的、反射的、磁的、電磁的和靜電光學部件。
雖然已經在上面描述了本發明的具體實施例，但將意識到除上述外可以實現本發明。例如，在應用中，本發明可以采取包含描述上述方法的一個或多個連續機器可讀指令的計算機程序的形式，或者采取具有存儲在其中的這種計算機程序的數據存儲介質(例如，半導體存儲器、磁盤或光盤)的形式。
上述描述意在說明，而非限制性的。很明顯，在不脫離以下所述權利要求范圍的情況下，本領域技術人員可以對本發明進行改變。
權利要求
1.一種用于產生輻射束的輻射系統，包括用于產生EUV輻射的脈沖EUV源；和安裝在EUV源前面用于選擇性通過來自所述EUV源的EUV輻射束的光譜范圍的光譜過濾器；所述光譜過濾器被安裝在被配置成與脈沖EUV源同步移動的可移動支架上。
2.根據權利要求1的輻射系統，其中所述光譜過濾器被安裝在距源一定距離的可旋轉盤上以便提供產生自源的EUV輻射和從源傳播的碎屑的時間上的分離，以阻止碎屑沖擊光譜過濾器。
3.根據權利要求2的輻射系統，其中所述可旋轉盤是固體以提供對所述輻射系統的隔板。
4.根據權利要求3的輻射系統，進一步包括用于在所述系統中產生用于俘獲碎屑的壓力的緩沖氣體壓力源；并且其中所述可旋轉盤被設置用于提供壓力壁壘。
5.根據權利要求4的輻射系統，其中所述壓力壁壘提供位于緩沖氣體壓力源和EUV輻射源之間的壁壘。
6.根據權利要求1的輻射系統，其中所述光譜過濾器選擇性通過具有在約10-20nm范圍內的波長的輻射。
7.根據權利要求1的輻射系統，其中所述光譜過濾器包括Zr/Si多層過濾器或Zr/Nb多層過濾器。
8.根據權利要求1的輻射系統，其中可動支架被旋轉以使光譜過濾器與脈沖EUV束的工作周期同步。
9.根據權利要求1的輻射系統，進一步包括用于控制脈沖EUV源的脈沖的定時的處理電路，以使光譜過濾器或遮光器與脈沖EUV束的工作周期同步。
10.根據權利要求9的輻射系統，其中所述輻射系統進一步包括用于收集來自所述EUV源的EUV輻射的收集器，所述收集器被放置在遮光器和EUV源之間。
11.根據權利要求10的輻射系統，其中所述遮光器被放置在收集器的中間焦點處。
12.根據權利要求10的輻射系統，其中所述收集器為圓柱并包括以基本上在2到7cm之間的范圍的距離堆疊的同心彎曲反射面。
13.根據權利要求1的輻射系統，其中所述EUV源為激光誘發的等離子體源或放電產生的等離子體源。
14.根據權利要求1的輻射系統，其中所述等離子體源包括錫或Xe。
15.光譜過濾輻射束的方法包括用脈沖EUV源產生EUV輻射；通過安裝在EUV源前面的光譜過濾器選擇性通過來自所述EUV源的EUV輻射束的光譜范圍；和與脈沖EUV源同步地移動所述光譜過濾器以阻止從所述EUV源傳播的碎屑沖擊光譜過濾器。
16.根據權利要求15的方法，進一步包括提供可旋轉盤；在所述可旋轉盤上安裝所述光譜過濾器和遮光器以選擇性遮擋所述EUV束或通過所述EUV源的選定光譜范圍；提供用于收集來自所述EUV源的EUV輻射的收集器，所述收集器被放置在遮光器和EUV源之間；和在保持收集器被EUV源加熱的同時遮擋所述EUV輻射束。
17.根據權利要求16的方法，其中通過使旋轉光譜過濾器與脈沖激光源不同步來切斷所述EUV輻射束。
18.一種光刻設備，包括用于產生輻射束的輻射系統，所述輻射系統包括用于產生EUV輻射的脈沖EUV源，和安裝在EUV源前面用于選擇性通過來自所述EUV源的EUV輻射束的光譜范圍的光譜過濾器；用于對輻射束構圖的構圖裝置；和用于將構圖的輻射束投射到襯底上的投影系統；所述光譜過濾器被安裝在被配置成與脈沖EUV源同步移動的可移動支架上。
19.根據權利要求18的光刻設備，其中所述光譜過濾器被安裝在距源一定距離的可旋轉盤上以便提供產生自源的EUV輻射和從源傳播的碎屑的時間上的分離，以阻止碎屑沖擊光譜過濾器。
20.根據權利要求19的光刻設備，其中所述可旋轉盤是固體以提供對所述輻射系統的隔板。
全文摘要
公開了一種用于產生輻射束的輻射系統。該輻射系統包括用于產生EUV輻射的脈沖EUV輻射源，和安裝在EUV源前面用于選擇性通過來自所述EUV源的EUV輻射束的光譜范圍的光譜過濾器。該光譜過濾器被安裝在與脈沖EUV源同步移動的可移動支架上，以阻止從EUV源傳播的碎屑沖擊光譜過濾器。因此，光譜過濾器被保持基本上免于碎屑造成的污染。
文檔編號H01L21/027GK1975581SQ20061016306
公開日2007年6月6日 申請日期2006年12月1日 優先權日2005年12月2日
發明者M·M·J·W·范赫彭, D·J·W·克倫德, J·H·J·莫爾斯 申請人:Asml荷蘭有限公司