專利名稱：切削裝置和加工方法
技術領域：
本發明涉及用于對半導體晶片等被加工物進行切削的切削裝置和加工方法。
背景技術：
例如，在半導體晶片制造工序中，在大致為圓板形狀的半導體晶片的表面上，在由形成為格子狀的所謂劃片線的預定分割線劃分的多個區域形成IC、LSI等電路，通過沿預定分割線來分割形成有該電路的各區域，來制造單個半導體芯片。對半導體晶片進行分割的分割裝置，一般采用作為劃片裝置的切削裝置。該切削裝置包括吸盤(チヤツクテ一ブル)臺，用于保持被加工物；對位機構，用于檢測被該吸盤臺保持的被加工物的應切削區域；以及切削機構，用于切削由吸盤臺保持并對準位置的被加工物。
然而，上述切削裝置存在的問題是，由于在實施了對被吸盤臺保持的被加工物的應切削區域進行檢測的對位作業之后，進行切削作業，所以在對位作業結束前切削機構處于停止狀態，因此作業效率低。
為了解決這樣的問題，提出了以下切削裝置，該切削裝置具備2個吸盤臺，在對被一個吸盤臺保持的被加工物實施切削作業期間，對被另一個吸盤臺保持的被加工物進行對位作業，能夠使切削機構不停止而高效率地進行切削(例如，參見專利文獻1)。
(日本)特開2003-163178號公報。
在上述切削裝置上設有對已切削的被加工物進行清洗、干燥的清洗干燥機構，對切削后的被加工物進行清洗、干燥。然而，被加工物的清洗和干燥需要相當長的時間，如果清洗和干燥所需的時間比切削時間長，則需要使切削機構停止，在生產效率方面有需要改善的余地。
發明內容
本發明是針對上述事實而提出的方案。其主要技術課題是提供能夠使切削機構不停止而高效進行切削的切削裝置和加工方法。
為了解決上述主要技術問題，根據本發明，切削裝置具有第1吸盤臺和第2吸盤臺，互相鄰接設置，分別保持被加工物；第1切削進給機構和第2切削進給機構，在切削進給方向上分別對該第1吸盤臺和第2吸盤臺進行切削進給；對位機構，檢測該第1吸盤臺和第2吸盤臺上所保持的被加工物的應加工區域；以及切削機構，對該第1吸盤臺和第2吸盤臺上所保持的被加工物實施切削加工，其特征在于，具有清洗機構，對該第1吸盤臺和該第2吸盤臺上所保持的被加工物進行清洗；以及干燥機構，對利用該清洗機構清洗后的被加工物進行干燥。
上述切削機構具有第1切削機構和第2切削機構。
并且，根據本發明，則提供這樣一種加工方法，該加工方法使用的切削裝置具有第1吸盤臺和第2吸盤臺，互相鄰接設置，分別保持被加工物；第1切削進給機構和第2切削進給機構，在切削進給方向上分別對該第1吸盤臺和第2吸盤臺進行切削進給；對位機構，檢測該第1吸盤臺和第2吸盤臺上所保持的被加工物的應加工區域；以及切削機構，對該第1吸盤臺和第2吸盤臺上所保持的被加工物實施切削加工；清洗機構，對該第1吸盤臺和該第2吸盤臺上所保持的被加工物進行清洗；以及干燥機構，對利用該清洗機構清洗后的被加工物進行干燥；該加工方法包括第1對位工序，在該第1吸盤臺上保持被加工物，利用該對位機構檢測該第1吸盤臺上所保持的被加工物的應切削區域；第2對位工序，在該第2吸盤臺上保持被加工物，利用該對位機構檢測該第2吸盤臺上所保持的被加工物的應切削區域；第1切削工序，利用該切削機構切削該第1對位工序已結束的、該第1吸盤臺上所保持的被加工物；第2切削工序，在該第1切削工序結束后，利用該切削機構切削該第2對位工序已結束的、該第2吸盤臺上所保持的被加工物；第1清洗工序，在實施該第2切削工序期間，對該第1切削工序已結束的被加工物，在將其保持在該第1吸盤臺上的狀態下，利用該清洗機構進行清洗；第1干燥工序，從該第1吸盤臺中搬出該第1清洗工序已結束的被加工物，將其傳送到該干燥機構，利用該干燥機構來對被加工物進行干燥；在進行該第1干燥工序時，在該第1吸盤臺上保持下一個被加工物，之后依次進行該第1對位工序、該第1切削工序、該第1清洗工序、第1干燥工序，第2清洗工序，對該第2切削工序已結束的被加工物，在將其保持于該第2吸盤臺上的狀態下，利用該清洗機構進行清洗；第2干燥工序，從該第2吸盤臺中搬出該第2清洗工序已結束的被加工物，將其傳送到該干燥機構，利用該干燥機構來對被加工物進行干燥；在實施該第2干燥工序時，由該第2吸盤臺來保持下一個被加工物，之后依次實施該第2對位工序、該第2切削工序、該第2清洗工序、第2干燥工序。
發明效果本發明的切削裝置，因為具有清洗機構，用來清洗由第1吸盤臺和第2吸盤臺保持的被加工物，所以能夠把清洗工序分散為對由第1吸盤臺保持的、切削后的被加工物進行清洗的第1清洗工序；以及對由第2吸盤臺進行保持的切削后的被加工物進行清洗的第2清洗工序。所以，能夠縮短第1清洗工序或第2清洗工序和干燥工序所需的時間，使其短于用一臺清洗干燥機構實施的清洗工序和干燥工序所需的時間。因此，能夠在實施切削工序期間實施清洗和干燥工序。所以，能夠使第1切削機構和第2切削機構不停止而高效地進行切削，提高生產率。
圖1是將按本發明構成的切削裝置的一部分斷開來顯示的立體圖。
圖2是圖1所示的切削裝置的主要部分立體圖。
圖3是表示圖1所示的切削裝置的第1切削機構和第2切削機構的立體圖。
圖4是圖2中的A-A剖面圖。
圖5是表示圖1所示的切削裝置上配備的第1切削機構的切削刀片和第2刀機構的切削刀片的切削位置的說明圖。
圖6是表示圖1所示的切削裝置上配備的清洗機構的另一實施方式的立體圖。
圖7是采用圖6所示的清洗機構的清洗工序的說明圖。
具體實施例方式
以下參照附圖，詳細說明按照本發明構成的切削裝置和加工方法的最佳實施方式。
圖1是將按本發明構成的切削裝置的一部分斷開來顯示的立體圖。
圖1所示的切削裝置具有大致直方體狀的裝置外殼2。在該裝置外殼2上設置了吸盤臺機構3，使吸盤臺機構3保持半導體晶片等被加工物并在箭頭符號X所示的切削進給方向上移動。參照圖2，說明該吸盤臺機構3。
圖示的實施方式的吸盤臺機構3具有設在上述外殼2內的、在基座20的上面互相鄰接地設置的第1導軌31a和第2導軌31b。該第1導軌31a和第2導軌31b分別由一對軌道部件311、311構成，沿圖中箭頭X所示的切削進給方向設置成互相平行。在該第1導軌31a和第2導軌31b上，將第1支持基座32a和第2支持基座32b分別設置成可沿第1導軌31a和第2導軌31b移動。也就是說，在第1支持基座32a和第2支持基座32b上分別設置了被導向溝槽321、321，使該被導向溝槽321、321嵌合到構成第1導軌31a和第2導軌31b的一對軌道部件311、311上，由此使第1支持基座32a和第2支持基座32b能夠沿著第1導軌31a和第2導軌31b移動。
在第1支持基座32a和第2支持基座32b上分別設置了第1圓筒部件33a和第2圓筒部件33b；在該第1圓筒部件33a和第2圓筒部件33b的上端，將第1吸盤臺34a和第2吸盤臺34b分別設置成可旋轉。該第1吸盤臺34a和第2吸盤臺34b由如多孔性陶瓷那樣的適當的多孔性材料構成，連接在未圖示的吸附機構上。所以，利用未圖示的吸附機構，將第1吸盤臺34a和第2吸盤臺34b有選擇地連通到吸附源上，從而對放置面341、341上所放置的被加工物進行吸附保持。并且，分別利用第1圓筒部件33a和第2圓筒部件33b內所設置的脈沖馬達(未圖示)，來使第1吸盤臺34a和第2吸盤臺34b進行適當的旋轉。而且，在第1圓筒部件33a和第2圓筒部件33b的上端部，具有分別插入第1吸盤臺34a和第2吸盤臺34b的孔；設置了第1罩子部件35a和第2罩子部件35b，用來分別遮蓋上述第1支持基座32a和第2支持基座32b。在該第1罩子部件35a和第2罩子部件35b的上面設置了第1刀片檢測機構36a和第2刀片檢測機構36b，用于分別檢測下述的切削刀片的位置。
圖示的實施方式中的吸盤臺機構3具有第1切削進給機構37a和第2切削進給機構37b，用于使第1吸盤臺34a和第2吸盤臺34b分別沿著第1導軌31a和第2導軌31b在圖2中箭頭X所示的切削進給方向上移動。第1切削進給機構37a和第2切削進給機構37b具有陽螺桿371，在分別構成第1導軌31a和第2導軌31b的一對軌道部件311、311之間平行地設置；軸承372，用于保持陽螺桿371的一個端部并使其能夠旋轉；以及脈沖馬達373，連結在陽螺桿371的另一端上，對該陽螺桿371進行正轉或反轉驅動。這樣構成的第1切削進給機構37a和第2切削進給機構37b分別使陽螺桿371與形成在上述第1支持基座32a和第2支持基座32b上的陰螺紋322螺合。所以，第1切削進給機構37a和第2切削進給機構37b，分別對脈沖馬達373進行驅動，以對陽螺桿371進行正轉或反轉驅動，由此能夠使上述第1支持基座32a和第2支持基座32b上設置的第1吸盤臺34a和第2吸盤臺34b分別沿著第1導軌31a和第2導軌31b，在圖2中的箭頭X所示的切削進給方向上移動。
以下參照圖2，繼續說明。圖示的實施方式中的切削裝置具有橫跨上述第1導軌31a和第2導軌31b而設置的門型支持構架4。該門型支持構架4具有第1柱部41，設在第1導軌31a的側方；第2柱部42，設在第2導軌31b的側方；支持部43，將第1柱部41和第2柱部42的上端進行連結，沿著與箭頭X所示的切削進給方向相垂直的、箭頭Y所示的分度進給方向設置。在中央部設置了開口44，以便上述第1吸盤臺34a和第2吸盤臺34b移動。第1柱部41和第2柱部42的上端部分別形成較大的寬度，在該上端部分別設置了開口411和421，以便下述切削機構的主軸單元移動。在上述支持部43的一個面上沿著箭頭Y所示的分度進給方向設置了一對導軌431、431；在另一個面上如圖4所示，沿著與紙面相垂直的方向(圖1中箭頭Y所示的分度進給方向)設置了一對導軌432、432。
圖示的實施方式中的切削裝置具有第1對位機構5a和第2對位機構5b，該第1對位機構5a和第2對位機構5b設置成可沿著上述門型支持構架4的支持部43上所設置的一對導軌431、431移動。第1對位機構5a和第2對位機構5b分別具有移動塊51；用于使該移動塊51沿著一對導軌431、431移動的移動機構52、52；以及安裝在移動塊51上的攝像機構53、53。在移動塊51、51上設置了分別與上述一對導軌431、431相嵌合的被導向溝槽511、511。通過使該被導向溝槽511、511與一對導軌431、431相嵌合，可使移動塊51、51沿著一對導軌431、431移動。
移動機構52、52分別具有陽螺桿521，在一對導軌431、431之間平行地設置；軸承522，用于保持陽螺桿521的一個端部并使其能夠旋轉；以及脈沖馬達523，連結在陽螺桿521的另一端上，用于對該陽螺桿521進行正轉或反轉驅動。這樣構成的移動機構52、52，分別使陽螺桿521與在上述移動塊51、51上所形成的陰螺紋512螺合。所以，移動機構52、52分別對脈沖馬達523進行驅動，對陽螺桿521進行正反或反向驅動，由此能夠使移動塊51、51沿著一對導軌431、431，在圖2中箭頭Y所示的分度進給方向上移動。
分別安裝在上述移動塊51、51上的攝像機構53、53分別具有攝像器件(CCD)，把拍攝的圖像信號發送給未圖示的控制機構。
在構成上述門型的支持構架4的支持部43的另一個面(設置了上述第1對位機構5a和第2對位機構5b的面、和相反側的面)上，設置了第1切削機構6a和第2切削機構6b。以下參照圖3和圖4，詳細說明第1切削機構6a和第2切削機構6b。第1切削機構6a和第2切削機構6b分別具有分度移動基坐61、切入移動基座62和主軸單元63。分度移動基座61，在一個面上，設置了與上述支持部43的另一個面上所設置的一對導軌432、432相嵌合的被導向溝槽611、611，通過使該被導向溝槽611、611與一對導軌432、432相嵌合，即可使分度移動基座61能夠沿一對導軌432、432移動。并且，在分度移動基座61的另一個面上，如圖4所示，沿著箭頭Z所示的切入進給方向(與第1吸盤臺34a和第2吸盤臺34b的放置面341相垂直的方向)，設置了一對導軌612、612(在圖4中僅表示一個導軌)。而且，在分度移動基座61、61的一個面上，設置了下述能夠插入分度進給機構的陽螺桿的退刀槽613、613，并在上下方向上設置臺階。
上述切入移動基座62具有在上下方向上延伸的被支持部621、以及從該被支持部621的下端起拐直角而水平延伸的安裝部622。如圖4所示，在被支持部621上的安裝部622側面上，設置了被導向溝槽623、623(在圖4中僅表示出一個被導向溝槽)，用于與設在上述分度移動基座61的另一面上的一對導軌612、612相嵌合；通過使該被導向溝槽623、623與一對導軌612、612相嵌合，能夠使切入移動基座62沿著一對導軌612、612在箭頭Z所示的切入進給方向上移動。由此，安裝在上述分度移動基座61上的切入移動基座62，如圖2所示，安裝部622從安裝有門型支持構架4的上述分度移動基座61的另一面側通過開口44，向安裝有上述第1對位機構5a和第2對位機構5b的一面側突出設置。
上述主軸單元63分別安裝在形成第1切削機構6a和第2切削機構6b的切入移動基座62的安裝部622的下面。該主軸單元63分別如圖3所示，具有主軸外殼631；被該主軸外殼631可旋轉地保持的旋轉主軸632；安裝在該旋轉主軸632的一端上的切削刀片633；供給切削水的切削水供給管634；以及對旋轉主軸632進行旋轉驅動的未圖示的伺服馬達。旋轉主軸632的軸線方向沿著箭頭Y所示的分度進給方向設置。由此，形成切入移動基座62的安裝部622上所安裝的主軸單元63，如圖2所示，設置成接近上述第1對位機構5a和第2對位機構5b。并且，第1切削機構6a的切削刀片633和第2切削機構6b的切削刀片633設置成互相對置。
圖示的實施方式中的第1切削機構6a和第2切削機構6b，如圖3所示具有分度進給機構64、64，該分度進給機構64、64用于使上述分度移動基座61、61沿著一對導軌432、432在箭頭Y所示的分度進給方向上移動。分度進給機構64、64分別具有平行地設在一對導軌432、432之間的陽螺桿641；將陽螺桿641的一個端部可旋轉地支持的軸承642；以及脈沖馬達643，與陽螺桿641的另一端連結，并將該陽螺桿641進行正轉或反轉驅動。而且，陽螺桿641、641設置在與上述分度移動基座61、61上所設置的退刀槽613、613分別對應的高度位置上。這樣構成的分度進給機構64、64分別使陽螺桿641、641與形成在上述分度移動基座61、61上的陰螺紋614、614螺合。所以，分度進給機構64、64分別對脈沖馬達643、643進行驅動，以對陽螺桿641、641進行正向或反向驅動，由此，能夠使分度移動基座61、61沿著一對導軌432、432，在圖2中箭頭Y所示的分度進給方向上移動。在該分度移動基座61、61移動時，陽螺桿641、641插通分度移動基座61、61上所設置的退刀槽613、613，從而允許分度移動基座61、61移動。
并且，如圖3和圖4所示，圖示的實施方式中的第1切削機構6a和第2切削機構6b具有切入進給機構65、65，該切入進給機構65、65用于使上述切入移動基座62、62沿著一對導軌612、612在箭頭Z所示的切入進給方向上移動。切入進給機構65、65分別具有與一對導軌612、612平行地設置的陽螺桿651；將陽螺桿651的一個端部可旋轉地支持的軸承652；以及脈沖馬達653，連結在陽螺桿651的另一端上，對該陽螺桿651進行正向或反向驅動。這樣構成的切入進給機構65、65，分別使陽螺桿651與形成在上述切入移動基座62的被支持部621上的陰螺紋622a螺合。所以，切入進給機構65、65分別對脈沖馬達653進行驅動，以對陽螺桿651進行正向或反向驅動，由此能夠使切入移動基座62沿著一對導軌622、622在圖2中箭頭Z所示的切入進給方向上移動。
返回到圖2繼續說明。圖示的實施方式中的切削裝置具有第1清洗機構7a和第2清洗機構7b，該第1清洗機構7a和第2清洗機構7b用于清洗分別被保持在第1吸盤臺34a和第2吸盤臺34b上的被加工物。第1清洗機構7a具有清洗水供給機構71a，設在門型支持構架4的第1柱部41上；以及噴射咀72a，連接在該清洗水供給機構71a上。噴咀72a具有多個噴射孔，由管材形成，在與切削進給方向X相垂直的方向上延伸，設在第1吸盤臺34a的移動路線上。第2清洗機構7b具有清洗水供給機構71b，設在門型支持構架4的第2柱部42上；以及噴射咀72b，連接在該清洗水供給機構71b上。噴咀72b也和噴咀72a同樣具有多個噴射孔，由管材形成，在與切削進給方向X相垂直的方向上延伸，設在第2吸盤臺34b的移動路線上。
并且，圖示的實施方式中的切削裝置具有干燥機構8，用于干燥由上述第1清洗機構7a和第2清洗機構7b進行清洗后的被加工物。該干燥機構8由旋轉甩干機構構成，設在第1吸盤臺34a和第2吸盤臺34b的圖2所示的被加工物裝卸位置的分度進給方向Y的延長線上。干燥機構8具有旋轉臺機構81；包圍該旋轉臺機構81而設置的清洗水接收機構82。旋轉臺機構81具有旋轉臺811；對旋轉臺811進行旋轉驅動的電動機812；以及支持該電動機812并使其能夠在上下方向上移動的支持機構813。旋轉臺711具有由多孔性材料形成的吸附盤811a，該吸附盤811a與未圖示的吸附機構相連通。所以，旋轉臺811在把被加工物即晶片放置到吸附盤811a上并利用未圖示的吸附機構來產生負壓力，由此來把被加工物保持在吸附盤811上。而且，在旋轉臺811上設置用于固定下述的環狀框架的夾持器814。電動機812在其驅動軸812a的上端連結上述旋轉臺811。上述支持機構813具有多個(在圖示的實施方式中為3個)支持腳813a；以及多個(在圖4的實施方式中為了3)氣缸813b，分別連結該支持腳813a，安裝在電動機812上。這樣構成的支持機構813，通過氣缸813b的動作，使電動機812和旋轉臺811在作為圖2所示的上方位置即被加工物搬入/搬出位置和作為從圖2所示的位置起規定量下方的下方位置即作業位置進行定位。
圖示的干燥機構8具有空氣供給機構83，該空氣供給機構83用于向保持在上述旋轉臺811上的清洗后的被加工物噴射空氣。空氣供給機構83具有空氣噴咀831，用于向保持在旋轉臺811上的被加工物噴射空氣；以及未圖示的電動機，能夠正轉和反轉，使該空氣噴咀831搖動，該空氣噴咀831連接在未圖示的空氣供給源上。
返回到圖1，繼續說明。在上述裝置外殼2上，設置了片盒機構9，用于存放半導體晶片等被加工物；被加工物搬出/搬入機構11，用于把該片盒機構9內存放的被加工物傳送到暫放區10，并將切削作業結束后的被加工物搬入到片盒機構9內；以及被加工物傳送機構12，用于在暫放區10和上述第1吸盤臺34a、以及第2吸盤臺34b和干燥機構8之間傳送被加工物。片盒機構9將片盒91放置于未圖示的升降機構的片盒臺上。在片盒91內存放半導體晶片W，該半導體晶片粘貼在安裝于環狀框架13上的保護帶14的表面上。并且，在裝置外殼2上設置操作盤15。而且，在圖示的實施方式中的切削裝置中，使上述第1對位機構5a和第2對位機構5b位于前面而形成操作員的操作位置，操作盤15設在面對操作員的位置上。
圖示的實施方式中的切削裝置如上構成，以下參照圖1和圖2，說明對作為被加工物的半導體晶片進行切削的加工方法。
首先，使片盒機構9的未圖示的升降機構動作，把片盒91定位于適當的高度上。把片盒91定位在適當高度之后，使被加工物搬出/搬入機構11進行動作，把片盒91內存放的半導體晶片W搬出到暫放區10。搬出到暫放區10的半導體晶片W在此進行中心位置對準。在暫放區10進行了中心位置對準的半導體晶片W通過被加工物傳送機構12被傳送到第1吸盤臺34a上。這時第1吸盤臺34a被定位到圖2所示的被加工物裝卸位置。放在第1吸盤臺34a上的半導體晶片W通過未圖示的吸附機構的動作，被吸附保持在第1吸盤臺34a上(第1被加工物保持工序)。
如上所述，對半導體晶片W進行吸附保持的第1吸盤臺34a通過第1切削進給機構37a的動作，能夠在第1對位機構5a下方即的對位區移動。然后，使第1對位機構5a的移動機構52動作，把第1對位機構5a的攝像機構53定位在第1吸盤臺34a的正上方。如果把攝像機構53定位在第1吸盤臺34a的正上方，則可利用攝像機構53來對保持在第1吸盤臺34a上的半導體晶片W的表面進行攝像，檢測出在半導體晶片W的表面上形成的切削區即劃片線(預定切斷線)。然后，使第1切削機構6a的分度進給機構64和第2切削機構6b的分度進給機構64動作，實施對位，使各個切削刀片633和由上述攝像機構53檢測出的劃片線對準位置(第1對位工序)。
在對保持在第1吸盤臺34a上的半導體晶片W實施第1對位工序期間，使被加工物搬出/搬入機構11動作，把存放在片盒91內的半導體晶片W搬出到暫放區10。搬出到暫放區10的半導體晶片W在此進行中心位置對準。在暫放區8進行了中心位置對準的半導體晶片W，通過被加工物傳送機構12而被傳送到在被加工物裝卸位置上定位的第2吸盤臺34b上。放置在第2吸盤臺34b上的半導體晶片W通過使未圖示的吸附機構動作，被吸附到第2吸盤臺34b上(第2被加工物保持工序)。
如果把半導體晶片W吸附保持在第2吸盤臺34b上，則第2吸盤臺34b通過第2切削進給機構37b的動作，在第2對位機構5b的下方即對位區移動。然后實施第2對位工序，即利用第2對位機構5b來檢測被保持在第2吸盤臺34b上的半導體晶片W的應切削區。而且，第2對位工序的實施方法與上述第1對位工序相同。
另一方面，如果上述第1對位工序結束，則把第1吸盤臺34a移動到切削區，使第1切削機構6a的分度進給機構64動作，如圖5所示，對第1切削機構6a的切削刀片633進行定位，使其位置對應于第1吸盤臺34a上保持的半導體晶片W上所形成的中央的劃片線，再使切入進給機構65動作，使切削刀片633下降，定位在規定的切入進給位置上。并且，使第2切削機構6b的分度進給機構64動作，對第2切削機構6b的切削刀片633進行定位，使其位置對應于第1吸盤臺34a上保持的半導體晶片W上所形成的最端頭的劃片線，再使切入進給機構65動作，使切削刀片633下降，定位在規定的切入進給位置上。然后，在使第1切削機構6a的切削刀片633和第2切削機構6b的切削刀片633旋轉的同時使第1切削進給機構37a動作，使第1吸盤臺34a在圖5中箭頭X1所示的切削進給方向上移動，由此，保持在第1吸盤臺34a上的半導體晶片W受到高速旋轉的第1切削機構6a的切削刀片633和第2切削機構6b的切削刀片633的作用，沿著上述規定的劃片線進行切削(第1切削工序)。在該第1切削工序中，從切削水供給管634、634向切削部供給切削水。
如上所述，如果沿著規定的劃片線來對保持在第1吸盤臺34a上的半導體晶片W進行切削，則使第1切削機構6a的分度進給機構64和第2切削機構6b的分度進給機構64動作，使第1切削機構6a和第2切削機構6b按照劃片線的間隔量在圖5中箭頭Y1所示的分度進給方向上移動(分度進給工序)，實施上述第1切削工序。如上，通過反復進行分度進給工序和第1切削工序，即可沿著在規定方向上形成的全部劃片線對半導體晶片W進行切削。如果沿著在規定方向上形成的全部劃片線對半導體晶片W進行切削，則使保持半導體晶片W的第1吸盤臺34a旋轉90度。并且，通過對保持在第1吸盤臺34a上的半導體晶片W反復實施上述分度進給工序和第1切削工序，即可沿著形成格子狀的全部劃片線對半導體晶片W進行切削，將其分割成單個芯片。而且，即使半導體晶片W被分割成單個芯片，也不會使芯片分散零亂，而是仍保持其晶片形態，這是因為半導體晶片被粘貼在環狀框架13上所安裝的保護帶14上。
如果上述第1切削工序結束，則將對實施了上述第2對位工序的半導體晶片W進行保持的第2吸盤臺34b向切削區移動。之后，進行了上述第1切削工序之后，利用第1切削機構6a和第2切削機構6b，和上述第1切削工序同樣，對被保持在第2吸盤臺34b上的半導體晶片W實施第2切削工序。
在實施上述第2切削工序期間，對結束了第1切削工序的半導體晶片W進行保持的第1吸盤臺34a從加工區朝向被加工物裝卸位置移動。這時，使第1清洗機構7a進行動作，從噴咀72a中噴射清洗水。其結果，從噴咀72a對實施了第1切削工序的半導體晶片W噴射清洗水，所以，附著在半導體晶片W上的切屑被清洗除掉。
如果已進行了第1清洗工序，則使被加工物傳送機構12動作，把保持在第1吸盤臺34a上的已清洗完的半導體晶片W傳送到干燥機構8的旋轉臺811上。通過使未圖示的吸附機構動作，來把半導體晶片W吸附保持在旋轉臺811上。這時，旋轉臺811被定位在圖2所示的被加工物搬入/搬出位置。然后，使旋轉臺811定位在下方位置即作業位置上，使電動機812動作，以使旋轉臺811例如以3000rpm的旋轉速度進行旋轉。這時，使空氣供給機構83動作，從空氣噴咀831噴出空氣，并使空氣噴咀831在半導體晶片W上搖動。其結果，附著在半導體晶片W上的清洗水被除去(第1干燥工序)。這樣，被加工物傳送機構12將實施了第1干燥工序的半導體晶片W將其從干燥機構搬出，傳送到下一工序。
而且，如果將實施了上述第1清洗工序的第1吸盤臺34a上的半導體晶片W傳送到干燥機構8，則實施在第1吸盤臺34a上保持下一個半導體晶片W的上述第1被加工物保持工序。之后，依次實施上述第1對位工序、第1切削工序、第1清洗工序和第1干燥工序。
另一方面，對實施了上述第2切削工序的半導體晶片W進行保持的第2吸盤臺34b，在對保持在第1吸盤臺34a上的下一個半導體晶片W實施第1切削工序期間，從加工區向被加工物裝卸位置移動。這時，使第2清洗機構7b動作，從噴咀72b噴射清洗水。其結果，從噴咀72b向實施了第2切削工序的半導體晶片W噴射清洗水，所以附著在半導體晶片W上的切削屑被清洗除去(第2清洗工序)。
如果實施了第2清洗工序，則使被加工物傳送機構12動作，將保持在第2吸盤臺34b上的已清洗的半導體晶片W傳送到干燥機構8的旋轉臺811上。并且，和上述第1干燥工序同樣，實施第2干燥工序。這樣，由被加工物傳送機構12將實施了第2干燥工序的半導體晶片W從干燥機構搬出，傳送到下一工序。
而且，如果實施了上述第2清洗工序的第2吸盤臺34b上的半導體晶片W被傳送到干燥機構8，則實施上述第2被加工物保持工序，把下一個半導體晶片W保持到第2吸盤臺34b上。之后，依次實施上述第2對位工序、第2切削工序、第2清洗工序和第2干燥工序。
如上所述，圖示的實施方式中的切削裝置具有第1清洗機構7a和第2清洗機構7b，用于清洗保持在第1吸盤臺34a和第2吸盤臺34b上的被加工物，所以，可將清洗工序分散到第1清洗工序和第2清洗工序。因此，第1清洗工序或第2清洗工序及干燥工序所需的時間能夠縮短，使其短于用一臺清洗、干燥機構來實施的清洗工序和干燥工序所需的時間。因此，如圖示實施方式那樣，對于2臺切削機構，即使在高效率地實施切削工序的情況下，也能夠在實施切削工序期間，實施清洗和干燥工序。所以能夠使第1切削機構6a和第2切削機構6b不停止而高效率地進行切削，能夠提高生產率。
以下參照圖6和圖7，說明清洗機構的其他實施方式。
圖6和圖7所示的清洗機構70具有矩形清洗箱701。該清洗箱701具有上壁701a和兩側壁701b、701c以及兩端壁701d、701e，下方敞開。在構成該清洗箱701的一個端壁701e上設有清洗水供給孔701f。在該清洗水供給孔701f上，連接構成未圖示的清洗水供給機構的清洗水供給管702。而且，將清洗箱701的長度設定為大致上與第1吸盤臺34a和第2吸盤臺34b的直徑相對應。也就是說，使其長度超過第1吸盤臺34a和第2吸盤臺34b上所保持的半導體晶片W。在這樣構成的清洗箱701的上壁701a的背面上，設有超聲波發生機構703。
為了利用如上構成的清洗機構70來清洗保持在第1吸盤臺34a(第2吸盤臺34b)上的已切削的半導體晶片W，如圖6和圖7所示，利用未圖示的移動機構來把清洗箱701移動到在被加工物裝卸位置上定位的第1吸盤臺34a(第2吸盤臺34b)的直徑位置的上側。之后，清洗箱701的另一端定位在與第1吸盤臺34a(第2吸盤臺34b)上所保持的半導體晶片W的表面有2～3mm左右的微小間隙的位置。然后，從清洗水供給管702向清洗箱701內供給清洗水，并使第1吸盤臺34a(第2吸盤臺34b)在箭頭所示的方向上旋轉。這時，使超聲波發生機構703動作，向清洗箱701的清洗水施加超聲波振動。其結果，保持在第1吸盤臺34a(第2吸盤臺34b)上的已切削的半導體晶片W，利用施加了超聲波振動的清洗水來進行清洗。而且，也可以通過在圖1和圖2中箭頭X所示的方向上移動第1吸盤臺34a(第2吸盤臺34b)，來清洗半導體晶片W的整面。
以上根據圖示的實施方式來說明了本發明，但本發明并不僅限于實施方式，而是在本發明的精神的范圍內可以進行各種變形。例如在圖示的實施方式中表示具有2臺切削機構(第1切削機構6a和第2切削機構6b)的例子。但是，也可以用一臺切削機構來切削保持在第1吸盤臺34a上的被加工物和保持在第2吸盤臺34b上的被加工物。并且，在圖示的實施方式中，表示具有2個對位機構(第1對位機構5a和第2對位機構5b)的例子。但是，也可以用一個對位機構來檢測保持在第1吸盤臺34a上的被加工物和保持在第2吸盤臺34b上的被加工物的應切削區。再者，在圖示的實施方式中，表示具有2個清洗機構(第1清洗機構7a和第2清洗機構7b)的例子。但是也可以利用一個清洗機構來清洗保持在第1吸盤臺34a上的已切削的被加工物和保持在第2吸盤臺34b上的已切削的被加工物。
權利要求
1.一種切削裝置，具有第1吸盤臺和第2吸盤臺，互相鄰接設置，分別保持被加工物；第1切削進給機構和第2切削進給機構，在切削進給方向上分別對該第1吸盤臺和第2吸盤臺進行切削進給；對位機構，檢測該第1吸盤臺和第2吸盤臺上所保持的被加工物的應加工區域；以及切削機構，對該第1吸盤臺和第2吸盤臺上所保持的被加工物實施切削加工，其特征在于，具有清洗機構，對該第1吸盤臺和該第2吸盤臺上所保持的被加工物進行清洗；以及干燥機構，對利用該清洗機構清洗后的被加工物進行干燥。
2.如權利要求1所述的切削裝置，其特征在于，上述切削機構具有第1切削機構和第2切削機構。
3.一種加工方法，該加工方法使用的切削裝置具有第1吸盤臺和第2吸盤臺，互相鄰接設置，分別保持被加工物；第1切削進給機構和第2切削進給機構，在切削進給方向上分別對該第1吸盤臺和第2吸盤臺進行切削進給；對位機構，檢測該第1吸盤臺和第2吸盤臺上所保持的被加工物的應加工區域；以及切削機構，對該第1吸盤臺和第2吸盤臺上所保持的被加工物實施切削加工；清洗機構，對該第1吸盤臺和該第2吸盤臺上所保持的被加工物進行清洗；以及干燥機構，對利用該清洗機構清洗后的被加工物進行干燥；該加工方法包括第1對位工序，在該第1吸盤臺上保持被加工物，利用該對位機構檢測該第1吸盤臺上所保持的被加工物的應切削區域；第2對位工序，在該第2吸盤臺上保持被加工物，利用該對位機構檢測該第2吸盤臺上所保持的被加工物的應切削區域；第1切削工序，利用該切削機構切削該第1對位工序已結束的、該第1吸盤臺上所保持的被加工物；第2切削工序，在該第1切削工序結束后，利用該切削機構切削該第2對位工序已結束的、該第2吸盤臺上所保持的被加工物；第1清洗工序，在實施該第2切削工序期間，對該第1切削工序已結束的被加工物，在將其保持在該第1吸盤臺上的狀態下，利用該清洗機構進行清洗；第1干燥工序，從該第1吸盤臺中搬出該第1清洗工序已結束的被加工物，將其傳送到該干燥機構，利用該干燥機構來對被加工物進行干燥；在進行該第1干燥工序時，在該第1吸盤臺上保持下一個被加工物，之后依次進行該第1對位工序、該第1切削工序、該第1清洗工序、第1干燥工序，第2清洗工序，對該第2切削工序已結束的被加工物，在將其保持于該第2吸盤臺上的狀態下，利用該清洗機構進行清洗；第2干燥工序，從該第2吸盤臺中搬出該第2清洗工序已結束的被加工物，將其傳送到該干燥機構，利用該干燥機構來對被加工物進行干燥；在實施該第2干燥工序時，由該第2吸盤臺來保持下一個被加工物，之后依次實施該第2對位工序、該第2切削工序、該第2清洗工序、第2干燥工序。
全文摘要
本發明提供能夠使切削機構不停止而高效地進行切削的切削裝置和加工方法。該切削裝置具有第1吸盤臺和第2吸盤臺，互相鄰接設置，分別保持被加工物；第1切削進給機構和第2切削進給機構，在切削進給方向上分別對該第1吸盤臺和第2吸盤臺進行切削進給；對位機構，檢測該第1吸盤臺和第2吸盤臺上所保持的被加工物的應加工區域；以及切削機構，對該第1吸盤臺和第2吸盤臺上所保持的被加工物實施切削加工；清洗機構，對該第1吸盤臺和該第2吸盤臺上所保持的被加工物進行清洗；以及干燥機構，對利用該清洗機構清洗后的被加工物進行干燥。
文檔編號H01L21/304GK1931551SQ200610151509
公開日2007年3月21日 申請日期2006年9月12日 優先權日2005年9月12日
發明者關家一馬 申請人:株式會社迪斯科