專利名稱:多層配線基板及其制造方法
技術領域:
本發明涉及一種多層配線基板及其制造方法,更具體涉及一種設有用以防止翹曲的加強裝置的多層配線基板及其制造方法。
背景技術:
現在,正在進行使用例如半導體芯片等半導體器件的電子器件的性能和尺寸方面的改進。因此,增加了半導體器件的集成密度,并且存在增加多管腳的數量和尺寸縮小化的趨勢。提供使用增層法的多層配線基板,作為其上安裝半導體器件的基板,該半導體器件的管腳數目增加,而其尺寸減小。
這種多層配線基板這樣構成,即例如玻璃纖維織物包銅層壓板等加強部件用作芯層,然后分別在該芯層的兩個表面上分別交替形成絕緣層和配線層。由于可以在具有此構造的多層配線基板上形成精細配線層,所以可以在該多層配線基板上安裝高度集成的半導體器件。
然而,由于此多層配線基板在其內部具有芯層,所以存在這樣的問題,即難以使在該芯層中形成的通孔小型化,并且無法實現整個多層配線基板的更高密度。此外,存在這樣的問題,即由于設有芯層,所以多層配線基板不可避免地變厚,這樣阻礙了電子器件的尺寸減小。為此,在利用增層法的多層配線基板中,近來不具有芯層的多層配線基板的開發取得進展(見專利文獻1國際公開WO2003/039219和專利文獻2日本專利未經審查公開No.Hei.10-125818)。
圖14示出了現有技術中的實例,不具有芯層的多層配線基板10用作半導體封裝。在圖14所示的實例中,半導體元件13安裝在多層配線基板10的上部,并且焊球14設置在基板10的下部。此外,絕緣層15的厚度t1全部設為相等,同樣配線層16的厚度t2在各層中也全部設為相等。如圖14所示,由于未形成芯層,所以可以減小多層配線基板10的厚度。
然而,當僅僅去除作為加強部件的芯層時,存在這樣的問題即,由于由樹脂制成的絕緣層和由金屬等制成的配線層之間熱膨脹的差異,而產生多層配線基板的翹曲。如果產生這種翹曲,則在安裝步驟中,半導體元件等無法正確安裝在多層配線基板上,并且難以將半導體封裝封裝在封裝基板中。因此,降低了封裝可靠性。此外,無法在多層配線基板中可靠地建立配線層的層間連接,并且人們擔心多層配線基板的可靠性也會降低。
因此,如圖14所示,已經提出這樣的結構,即加強板11設置在多層配線基板10上,在加強板11中,在半導體安裝區域中形成開口部12,由此加強板11加強多層配線基板10。然而,在具有此構造的多層配線基板10中,部件數目增加,并且多層配線基板10因加強板11的厚度而變厚。
發明內容
本發明的實施例提供一種多層配線基板及其制造方法,該多層配線基板能夠在減小厚度的同時,抑制翹曲的產生。
根據本發明一個或多個實施例的第一方面,提供一種多層配線基板,該多層配線基板包括配線層和絕緣層,所述配線層和絕緣層以預定數目層疊,其中,至少一個所述配線層形成為加強配線層,所述加強配線層的厚度為35至150μm。
根據本發明的第一方面,其厚度設為35至150μm的加強配線層可以執行兩種功能即作為配線層的功能和抑制翹曲產生的功能。因此,可以在不使用其它加強部件等的情況下,抑制翹曲的產生,并且可以在減小多層配線基板的厚度的同時,抑制翹曲的產生。
此外,在本發明的第一方面中,所述加強配線層的厚度T1與所述絕緣層的厚度T2之比(T1/T2)設為1≤(T1/T2)≤5。
根據本發明,可以有效防止多層配線基板中產生的翹曲。
此外,在本發明的第一方面中,所述絕緣層可由樹脂形成。
此外,在本發明的第一方面中,所述加強配線層可由銅形成。
此外,根據本發明一個或多個實施例的第二方面,提供一種制造多層配線基板的方法,該方法包括以下步驟在支撐基板上以預定次數分別進行使用樹脂形成絕緣層的步驟和形成配線層的步驟;以及去除所述支撐基板的步驟,其中,在形成所述配線層的步驟中,將至少一個所述配線層形成為加強配線層,所述加強配線層的厚度為35至150μm。
根據本發明的第二方面,由于將加強配線層的厚度設為35至150μm,即厚于正常厚度,所以在總是應用于在制造多層配線基板的步驟形成配線的步驟中,可以抑制多層配線基板的翹曲。因此,由于沒有必要改變制造步驟和制造設備,這樣可以以較低成本制造不產生翹曲的多層配線基板。
各種實施方式可以包括下列一個或多個優點。例如,可以在減小多層配線基板的厚度的同時,抑制該基板的翹曲的產生。
通過下列詳細說明書、附圖和權利要求書,其它特征和優點會更加明顯。
圖1為示出作為本發明實施例的多層配線基板的剖視圖。
圖2為示出圖6所示的多層配線基板的翹曲量和加強配線層的厚度之間的關系的視圖。
圖3為示出圖7所示的多層配線基板的翹曲量和加強配線層的厚度之間的關系的視圖。
圖4為示出圖8所示的多層配線基板的翹曲量和加強配線層的厚度之間的關系的視圖。
圖5為示出未設有加強配線層的多層配線基板的構造示意圖。
圖6為示出其中最下配線層用作加強配線層的多層配線基板的構造示意圖。
圖7為示出其中次最下配線層用作加強配線層的多層配線基板的構造示意圖。
圖8為示出其中最下和次最下配線層用作加強配線層的多層配線基板的構造示意圖。
圖9為示出其中最下和最上配線層用作加強配線層的多層配線基板的構造示意圖。
圖10A至10D為按照制造過程說明制造作為本發明實施例的多層配線基板的方法的視圖(#1)。
圖11A至11D為按照制造過程說明制造作為本發明實施例的多層配線基板的方法的視圖(#2)。
圖12A至12C為按照制造過程說明制造作為本發明實施例的多層配線基板的方法的視圖(#3)。
圖13為按照制造過程說明制造作為本發明實施例的多層配線基板的方法的視圖(#4)。
圖14為示出作為現有技術中的實例的多層配線基板的剖視圖。
具體實施例方式
接下來,在下文中根據
本發明的最佳實施方式。
圖1示出了作為本發明實施例的多層配線基板100。如圖1所示,在本實施例中,以下以具有五層結構的多層配線基板100作為實例進行說明。然而,本申請發明的應用并不局限于五層結構,而是本發明可以廣泛應用于具有各種層數的多層配線基板100。
通過按順序從底層到頂層層疊粗略分類的加強配線層103、第一絕緣層104、配線105、第二絕緣層106、配線108、第三絕緣層107、配線110、第四絕緣層109和配線112,以構成多層配線基板100。此外,在第一絕緣層104的下表面上形成阻焊層102,并且在第四絕緣層109的上表面上形成阻焊層120。
各個絕緣層104、106、107、109由例如具有熱固性能的基于環氧樹脂的增層樹脂制成。絕緣層104、106、107、109的厚度T2設為在所有層中相等,并可以設在30至40μm的范圍內。在本實施例中,作為實例,厚度T2設為30μm。這里,絕緣層的厚度T2指的是在下面放置的配線層和在上面放置的配線層之間存在的樹脂(絕緣層)的厚度。
增層樹脂并不局限于熱固性增層樹脂,也可以采用感光增層樹脂和其它絕緣樹脂。
同時,各個配線103、105、108、110、112由例如銅(Cu)形成。如后面所述,加強配線層103的厚度設為厚于其它配線105、108、110、112的厚度。在本實施例中,將厚度較大的配線層設在最下層,作為加強配線層103。但是厚度較大的加強配線層的設置位置并不局限于最下層。如參照圖7至圖9所說明的,加強配線層可以設在其它層。
配線105由導通塞部(via plug portion)105a和圖案配線部105b構成。在圖1中,在第一絕緣層104中形成的開口部104A(見圖10D)中形成導通塞部105a,并且在第一絕緣層104的上表面上形成圖案配線部105b。
在圖1中,導通塞部105a的上端連接到圖案配線部105b,并且導通塞部105a的下端連接到加強配線層103。加強配線層103形成為部分與在第一絕緣層104的下表面上形成的阻焊層102的開口部102A相對。如后面所述,此加強配線層103作為加強部件,以防止多層配線基板100的翹曲,也作為外部連接端子。此外,根據實際情況,設置焊球等(未在本實施例中設置)。
配線108由導通塞部108a和圖案配線部108b構成。在圖1中,在第二絕緣層106中形成的開口部106A(見圖11B)中形成導通塞部108a,并且在第二絕緣層106的上表面上形成圖案配線部108b。在圖1中,導通塞部108a的上端連接到圖案配線部108b,并且導通塞部108a的下端部連接到配線105的圖案配線部105b。
配線110由導通塞部110a和圖案配線部110b構成。在圖1中,在第三絕緣層107中形成的開口部107A(見圖11D)中形成導通塞部110a,并且在第三絕緣層107的上表面上形成圖案配線部110b。在圖1中,導通塞部110a的上端連接到圖案配線部110b,并且導通塞部110a的下端部連接到配線108的圖案配線部108b。
配線112由導通塞部112a和圖案配線部112b構成。在圖1中,在第四絕緣層109中形成的開口部109A(見圖12B)中形成導通塞部112a,并且在第四絕緣層109的上表面上形成圖案配線部112b。
形成圖案配線部112b的一部分的位置設為與在第四絕緣層109的上表面上形成的阻焊層120中的開口部120A相對。因此,圖案配線部112b這樣構成,即圖案配線部112b的一部分通過開口部120A從阻焊層120露出。圖案配線部112b從開口部120A露出的一部分作為外部連接端子。舉例來說,半導體元件等連接到圖案配線部112b上(在本實施例中未設置半導體元件)。
然后,在下文中詳細說明加強配線層103。與其他配線105、108、110、112一樣,加強配線層103由銅形成。通常,在多層配線基板100中用作層間配線的圖案配線部105b、108b、110b、112b的厚度T3約為10至20μm。在本實施例中,作為實例將厚度T3設為約12μm。主要根據電學性質來設定此厚度。
與之對比,加強配線層103的厚度設為約35至150μm。在本實施例中,示出了這樣的構造,即只設置一層加強配線層103。然而,如后面所述,加強配線層103的數目并不局限于一層,也可以設置為多層。
如上所述,加強配線層103由金屬銅(Cu)形成。加強配線層103的剛度大于構成各個絕緣層104、106、107、109的增層樹脂。如果將此加強配線層103的厚度設為大于普通圖案配線部105b、108b、110b、112b的厚度(約12μm),則這種加強配線層103可以用作抑制多層配線基板100產生翹曲的加強部件。
換言之,根據本實施例的多層配線基板100這樣構成,即加強配線層103具有兩種功能,即作為配線層的功能(電學功能)和抑制翹曲產生的功能(機械功能)。因此,在根據本實施例的多層配線基板100中,可以在不使用其它加強部件等的情況下,抑制翹曲的產生,因此可以在減小厚度的同時,抑制翹曲的產生。
由于可以增強加強效果,所以優選的是將加強配線層103的面積(當加強配線層由導通塞部和圖案配線部構成時為圖案配線部的面積)設為較大。因此,加強配線層最好由接地層、電源層等實心(solid)配線圖案部形成。
此外,作為加強配線層,框狀圖案配線部可以設在與多層配線基板的周圍部分對應的區域。此外,除了導通電信號的圖案配線部以外,用以增加加強配線層的面積的偽圖案配線部(未電連接到其它圖案配線部)可以設在加強配線層中。另外,此框狀圖案配線部和此偽圖案配線部可以連接到電源線或接地線。
這里,在下文中將參照圖2至圖9說明當加強配線層的厚度變化時以及當該加強配線層的設置位置和設置數目變化時產生的多層配線基板的翹曲。
在圖2至圖4中,縱坐標示出了在多層配線基板中產生的翹曲量,橫坐標示出了加強配線層的厚度。圖2至4示出了在各具有40mm×40mm尺寸的試件中產生的翹曲量的測量結果。圖2示出了圖6中所示的多層配線基板的特性。具體來說,圖2示出了其中厚于配線116的加強配線層117設在最下層的多層配線基板的特性。
此外,圖3示出了圖7中所示的多層配線基板的特性。具體來說,圖3示出了其中厚于配線116的加強配線層117設在次最下層的多層配線基板的特性。此外,圖4示出了圖8中所示的多層配線基板的特性。具體來說,圖4示出了其中厚于配線116的加強配線層117設在最下層和次最下層的多層配線基板的特性。
如圖6至圖8所示,所有多層配線基板都由四層多層配線基板形成,并由四個絕緣層115和四個配線層116、117構成。此外,絕緣層115的厚度T2均全部相等,并分別設為30μm,并且普通配線層116的厚度設為12μm。
此外,在圖2至圖4中用箭頭A表示的特性與如圖5所示、將所有配線層116的厚度設為相等(設為正常厚度12μm)時獲得的特性對應。此多層配線基板具有與現有技術中的多層配線基板等效的構造。此外,在圖2至圖4中,用箭頭B表示的特性與將加強配線層117的厚度設為18μm時獲得的特性對應,用箭頭C表示的特性與將加強配線層117的厚度設為35μm時獲得的特性對應,并且用箭頭D表示的特性與將加強配線層117的厚度設為150μm時獲得的特性對應。
當研究圖2至圖4所示的特性時,在所有圖中,與現有技術等效的多層配線基板的特性(用箭頭A表示的特性)均較差。在多層配線基板中產生超過600μm的較大翹曲。此外,在用箭頭B表示、并在將加強配線層117的厚度設為18μm時獲得的特性中,在圖3和圖4中所示的多層配線基板中稍微表現出特性的改進,但是尚未令人滿意地抑制翹曲的產生。
與之對比,在用箭頭C表示、并在將加強配線層117的厚度設為35μm時獲得的特性中,可以看出,在圖2至圖4的所有圖中翹曲量明顯顯著減少。此外,即使當將加強配線層117的厚度設為150μm時,用箭頭D表示的翹曲產生也不會比用箭頭C表示的在厚度為35μm時翹曲產生受到更大程度的抑制。
如上所述,減少翹曲的效果隨著加強配線層117的厚度的增加而增加。然而,當考慮實際的翹曲減少效果和多層配線基板的生產率(形成更厚的配線層要消耗多得多的時間和成本),并且考慮圖2至圖4所示的特性時,需要將為抑制多層配線基板產生翹曲而設置的加強配線層117的厚度T1設為35至150μm。另外,當考慮這樣的情況時,即當加強配線層117的厚度超過35μm時,翹曲特性保持在幾乎相同的水平線上,這樣,優選的是將加強配線層117的厚度T1設為35至70μm。
此外,與圖2所示的特性相比較,圖3所示的特性示出表現出較好的特性。這是由于,在與圖3中的特性對應的圖7所示的多層配線基板中,加強配線層117設置在次最下層,這樣加強配線層117定位為更接近于多層配線基板的中心位置。這樣,由于作為加強部件的加強配線層117位于多層配線基板的中心位置處或位于接近于該中心的位置處,所以改進了以加強配線層117為中心的上下平衡(豎直平衡),因此可以抑制翹曲的產生。
此外,與圖2所示的特性相比較,圖4所示的特性表現出較好的特性。這是由于,在與圖4中的特性對應的圖8所示的多層配線基板中,設置了多個加強配線層117。這樣,由于增加了作為加強部件的加強配線層117的設置數目,所以增加了例如剛度等機械強度,因此可以抑制翹曲的產生。
因此,如圖9所示,由于加強配線層117設置在最上配線層和最下配線層中,所以設置了多個加強配線層117并且改進了上下平衡,從而可以有效減少翹曲的產生。
如上所述,最好將為抑制多層配線基板產生翹曲而設置的加強配線層117的厚度T1設為35至150μm。然而,盡管僅提供具有此厚度的加強配線層117,但是在絕緣層115的厚度T2厚于加強配線層117的厚度T1的情況下,也會降低翹曲減小效果。
因此,為了有效抑制在多層配線基板中產生的翹曲,需要將加強配線層117的厚度T1與絕緣層115的厚度T2之比(T1/T2)設為1≤(T1/T2)≤5,并且將加強配線層117設為厚于絕緣層115。因此,可以有效防止多層配線基板中產生的翹曲。
通過以形成為四層結構的多層配線基板作為實例,說明了以上特性。但是,對于具有其它層數的多層配線基板,以上說明同樣適用。
接下來,在下文中將說明制造根據本發明的多層配線基板的方法。在下面說明中,以制造圖1所示的多層配線基板100的方法作為實例。
圖10A至圖13根據制造過程示出了制造多層配線基板100的方法。在圖10A至圖13中,在與圖1所示構造對應的構造上附加相同的附圖標記。
在制造多層配線基板100的過程中,首先制備圖10A所示的支撐基板101。此支撐基板101由例如銅等導電材料形成。在支撐基板101的上表面(其上形成有多層配線基板100的表面)上預先形成例如鎳膜等阻擋膜(未示出)。
由感光樹脂材料制成的膜狀抗蝕薄膜(抗蝕劑)113設在支撐基板101上。選擇厚于加強配線層103的厚度(至少為35至150μm)的厚度,作為抗蝕薄膜113的厚度。
然后,通過經由掩模圖案(未示出)向抗蝕薄膜113照射光而使其曝光,從而使抗蝕薄膜113形成圖案。這樣,在形成加強配線層103的位置形成開口部。從而使得支撐基板101從開口部露出。
然后,通過在使用支撐基板101作為導電路徑的同時,實施電鍍,以在抗蝕薄膜113中形成的開口部上沉積銅(Cu)。這樣,形成加強配線層103。圖10B示出了形成加強配線層103的狀態。
此時,通過執行管理電鍍時間等,將加強配線層103的厚度控制在35至150μm的范圍內。在電鍍法中,通常控制電鍍金屬的厚度。因此,在電鍍過程中,可以容易地實現將加強配線層103的厚度設為35至150μm,即厚于普通配線層的厚度(12μm)。然后,在形成加強配線層103之后,去除抗蝕薄膜113。
然后,形成第一絕緣層104和配線105。首先,如圖10C所示,通過涂覆例如熱固性環氧樹脂等樹脂或層壓樹脂薄膜,在支撐基板101和加強配線層103上形成第一絕緣層104(增層)。然后,如圖10D所示,通過使用例如激光,在第一絕緣層104中形成開口部104A(導通孔)。
然后,通過使用電鍍法在第一絕緣層104上形成配線105。換言之,在第一絕緣層104中的開口部104A中形成導通塞部105a,并且在第一絕緣層104上形成連接到導通塞部105a的圖案配線部105b。圖11A示出了形成配線105的狀態。此時,將圖案配線部105b的厚度設為12μm,即普通配線層的厚度。
具體來說,通過無電解鍍銅,在第一絕緣層104上形成種晶層(seed layer),然后,通過光刻法在第一絕緣層104上形成抗蝕圖案(未示出)。然后,在使用該抗蝕圖案作為掩模的同時,通過電鍍沉積銅,然后去除該抗蝕圖案和不必要的種晶層。因此,形成分別由導通塞部105a和圖案配線部105b構成的配線105。
然后,執行在第一絕緣層104上形成第二絕緣層106和配線108的過程。通過使用與形成第一絕緣層104和配線105相同的方法,執行第二絕緣層106和配線108的形成。換言之,通過涂覆例如熱固性環氧樹脂等樹脂或層壓樹脂薄膜,在第一絕緣層104和圖案配線部105b上形成第二絕緣層106(增層)。然后,如圖11B所示,通過使用例如激光,在第二絕緣層106中形成開口部106A(導通孔)。
然后,通過使用電鍍法,在第二絕緣層106上形成配線108。換言之,通過無電解鍍銅,在第二絕緣層106上形成種晶層,然后,通過光刻法,在第二絕緣層106上形成抗蝕圖案(未示出)。
然后,在使用抗蝕圖案作為掩模的同時,通過電鍍沉積銅,然后,去除該抗蝕圖案和不必要的種晶層。因此,在第二絕緣層106上形成分別由導通塞部108a和圖案配線部108b(厚度為約12μm)構成的配線108。圖11C示出了形成配線108的狀態。
然后,執行形成第三絕緣層107和配線110的過程。通過使用與形成第一絕緣層104和配線105相同的方法,執行第三絕緣層107和配線110的形成。換言之,通過涂覆例如熱固性環氧樹脂等樹脂或層壓樹脂薄膜,在第二絕緣層106和圖案配線部108b上形成第三絕緣層107(增層)。然后,如圖11D所示,通過使用例如激光,在第三絕緣層107中形成開口部107A(導通孔)。
然后,通過使用電鍍法,在第三絕緣層107上形成配線110。換言之,通過無電解鍍銅,在第三絕緣層107上形成種晶層,然后,通過光刻法,在第三絕緣層107上形成抗蝕圖案(未示出)。
然后,在使用抗蝕圖案作為掩模的同時,通過電鍍沉積銅,然后,去除該抗蝕圖案和不必要的種晶層。因此,在第三絕緣層107上形成分別由導通塞部110a和圖案配線部110b(厚度為約12μm)構成的配線110。圖12A示出了形成配線110的狀態。
然后,執行形成第四絕緣層109和配線112的過程。通過使用與形成第一絕緣層104和配線105相同的方法,執行第四絕緣層109和配線112的形成。換言之,通過涂覆例如熱固性環氧樹脂等樹脂或層壓樹脂薄膜,在第三絕緣層107和圖案配線部110b上形成第四絕緣層109(增層)。然后,如圖12B所示,通過使用例如激光,在第四絕緣層109中形成開口部109A(導通孔)。
然后,通過使用電鍍法,在第四絕緣層109上形成配線112。換言之,通過無電解鍍銅,在第四絕緣層109上形成種晶層,然后,通過光刻法,在第四絕緣層109上形成抗蝕圖案(未示出)。
然后,在使用抗蝕圖案作為掩模的同時,通過電鍍沉積銅,然后,去除該抗蝕圖案和不必要的種晶層。因此,在第四絕緣層109上形成分別由導通塞部112a和圖案配線部112b(厚度為約12μm)構成的配線112。圖12C示出了形成配線112的狀態。
然后,通過蝕刻(例如濕法蝕刻),從圖12C所示的狀態去除支撐基板101。通過使用只溶解支撐基板101而不能溶解其上的阻擋膜(鎳膜)的蝕刻溶液,執行此蝕刻過程。
此時,由于在用抗蝕劑等覆蓋第四絕緣層109的整個上表面的同時進行蝕刻,所以,圖案配線部112b不會因蝕刻而受到損傷。在露出阻擋膜的條件下,完成支撐基板101的蝕刻,然后,執行蝕刻過程,以便只去除該阻擋膜。圖13示出了去除支撐基板101和阻擋膜的狀態。
如果在多層配線基板上安裝半導體元件,則半導體元件和電子部件可以在去除支撐基板101之前安裝在圖案配線部120b上,然后,可以去除支撐基板101。
然后,通過絲網印刷法等,在第一絕緣層104的下表面和第四絕緣層109的上表面上形成阻焊層102、120。然后,通過經由掩模圖案(未示出)向阻焊層102、120照射光而使它們曝光,從而使阻焊層102、120形成圖案。這樣,形成開口部102A、120A。
形成開口部102A的位置選為與加強配線層103相對,并且形成開口部120A的位置選為與圖案配線部112b的位置對應。
通過執行以上一系列步驟,從而制造出圖1所示的多層配線基板100。根據本實施例的制造方法,由于將加強配線層103的厚度設為35至150μm,即厚于正常厚度,所以在總是應用于在制造多層配線基板100的步驟形成配線的步驟中,可以抑制多層配線基板100的翹曲。因此,由于沒有必要改變制造步驟和制造設備,所以可以以較低成本制造不產生翹曲的多層配線基板100。另外,通過根據本實施例的多層配線基板100的制造方法,可以實現從其去除支撐基板101的所謂的無芯結構。因此,可以實現多層配線基板100的厚度減小。
在以上實施例中,說明了以下情況即,多層配線基板100在第四絕緣層109側的表面用作在其上安裝半導體元件的表面,并且多層配線基板100在第一絕緣層104側的表面用作在其上設置外部連接端子的表面。但是,在第一絕緣層104側的表面可以用作在其上安裝半導體元件的表面,并且在第四絕緣層109側的表面用作在其上設置外部連接端子的表面。
此外,本實施例的多層配線基板100并不局限于作為在其上安裝半導體元件的基板的應用,而是可以廣泛應用于在其上安裝各種電子元件和各種電子部件的基板。
此外,在制造多層配線基板100的方法中,為便于說明,示出并說明了從一個支撐基板101制造一個多層配線基板100的過程。實際上應用了所謂的多聯印刷(gang printing)。也就是說,通過在一個支撐基板101上印刷大量的多層配線基板100,然后,將基板101切割成單獨的片,形成大量的多層配線基板100。因此,可以實現制造效率的提高。
此外,在本實施例中,示出了通過使用一塊支撐基板101制造多層配線基板100的方法。然而,如在專利文獻1中所披露的,舉例來說,可以使用兩塊支撐基板,然后,可以在通過層疊兩塊支撐基板而獲得的復合基板上形成多層配線基板。在這種構造的情況下,支撐體側作為在其上安裝半導體元件的表面。此外,作為專利文獻2中所披露的多層配線基板,支撐體側作為在其上設置外部連接端子的表面。
另外,隨著配線層的厚度變得更薄,可以實現配線層(配線圖案)的更高密度和更精細圖案,因此,如果圖6和圖8所示以上實施例中的多層配線基板的構造應用于專利文獻1、2中所披露的制造方法,則優選的是在形成外部連接端子的一側形成加強配線層117。
換言之,在半導體元件安裝表面和外部連接端子表面中,在其上安裝半導體元件的表面必須小型化,所述半導體元件與焊球等相對比是小型化的。以上構造可以應對這種小型化。具體來說,當圖6所示的多層配線基板的構造應用于專利文獻1時,優選的是將配線層和絕緣層層疊在支撐體上,然后應將最后形成的配線層用作加強配線層。此外,當圖6所示的多層配線基板的構造應用于專利文獻2時,優選的是應將最先在支撐體上形成的配線層用作加強配線層。
權利要求
1.一種多層配線基板,包括配線層和絕緣層,所述配線層和絕緣層以預定數目層疊,其中,至少一個所述配線層形成為加強配線層,所述加強配線層的厚度為35至150μm。
2.根據權利要求1所述的多層配線基板,其中,所述加強配線層的厚度T1與所述絕緣層的厚度T2之比(T1/T2)設為1≤(T1/T2)≤5。
3.根據權利要求1或2所述的多層配線基板,其中,所述絕緣層由樹脂形成。
4.根據權利要求1或2所述的多層配線基板,其中,所述加強配線層由銅形成。
5.根據權利要求1所述的多層配線基板,其中,所述加強配線層的厚度為35至70μm。
6.根據權利要求1所述的多層配線基板,其中,所述加強配線層位于所述多層配線基板的中心位置處或位于接近于所述中心的位置處。
7.根據權利要求1所述的多層配線基板,其中,最上配線層和最下配線層形成為所述加強配線層。
8.一種制造多層配線基板的方法,包括以下步驟在支撐基板上以預定次數分別進行使用樹脂形成絕緣層和形成配線層;以及去除所述支撐基板,其中,在形成所述配線層的步驟中,將至少一個所述配線層形成為加強配線層,所述加強配線層的厚度為35至150μm。
全文摘要
本發明公開了一種多層配線基板,通過以預定數目層疊配線層105、108、110、112和絕緣層104、106、107、109構成該多層配線基板,并且該多層配線基板包括設置為一層或多層的加強配線層103,該加強配線層的厚度為35至150μm。
文檔編號H01L23/12GK1929123SQ20061012768
公開日2007年3月14日 申請日期2006年9月7日 優先權日2005年9月7日
發明者中村順一, 永田欣司 申請人:新光電氣工業株式會社