專利名稱：Flash芯片的清洗制程的制作方法
技術領域：
本發明的Flash芯片制程，具體地說，涉及Flash芯片的清洗制程。
背景技術：
Flash芯片的結構包括金屬層，介電層及儲存器件。介電層用于隔離金屬層 和儲存器件。由于蝕刻的過程中，芯片表面的溝槽的側壁內和底部殘留一些聚 合物，所以蝕刻制程后設有濕式清洗制程以去除殘留的聚合物。在清洗制程中， 首先將多個芯片置于一個承載裝置上，并浸入清洗液清洗。目前常用的清洗液 是堿性清洗液。
在清洗制程中，清洗液通常是在清洗幾批芯片后定期更換。由于一批芯片 清洗后會在清洗液中殘留很多的聚合物與離子，當另外一批芯片清洗的時候會 造成交叉污染，造成離子殘留在芯片表面圖案的溝槽中。在后續制程中，這些 離子會擴散到儲存器件內影響儲存器件的數據保持能力。
發明內容
本發明的目的在于提供一種Flash芯片的清洗制程，其可以有效防止清洗 液中的殘留物污染影響儲存器件操作性能。
為實現上述目的，本發明提供一種Flash芯片的清洗制程，其包括如下步 驟將芯片以單片式清洗機臺清洗，清洗液清洗完一片芯片后就排掉不再重復 使用。
與原有技術相比，本發明的Flash芯片的清洗制程對芯片以單片式清洗機 臺清洗，而且清洗液清洗完一個芯片后就更新，這樣可以有效防止芯片在清洗 過程的交叉污染。此外，采用弱堿清洗液可以更為徹底的清除殘留在芯片表面 凹槽側壁和底部的聚合物與離子，有效防止離子擴散到儲存器件內影響器件操 作性能。
通過以下對本發明一實施例結合其附圖的描述，可以進一步理解其發明的
目的、具體結構特征和優點。其中，附圖為 圖1為本發明Flash芯片的結構示意圖； 圖2為本發明Flash芯片的數據保持能力測試結果示意圖。'
具體實施例方式
請參閱圖l，本發明Flash芯片包括金屬層1，介電層2及儲存器件3。介 電層2用于隔離金屬層1和儲存器件3。
本發明的Flash芯片清洗制程中，將芯片以單片式清洗機臺清洗，清洗液 清洗完一片芯片后就排掉不再重復使用。
本發明制程中的清洗液為水基清洗液。在本發明較佳實施例中采用的清洗 液是弱堿清洗液ST250。
請參閱圖2,該圖表的左側為采用單片式清洗機臺佐以弱堿清洗液ST250清 洗的測試結果，右側是現有技術中采用多片式清洗機臺附加堿性清洗液ACT940 清洗的檢測結果。橫坐標為芯片的個數，縱坐標為數據保持能力失敗率。
清洗后對芯片性能進行檢測，采用單片式清洗機臺佐以弱堿清洗液ST250 清洗后，Flash芯片的數據保持能力失敗率為零。
權利要求
1、一種Flash芯片的清洗制程，其特征在于，將芯片以單片式清洗機臺清洗，清洗液清洗完一片芯片后就排掉不再重復使用。
2、 如權利要求1所述的Flash芯片的清洗制程，其特征在于所述的清洗液為 弱堿清洗液。
全文摘要
本發明提供一種Flash芯片的清洗制程，其包括如下步驟將芯片以單片式清洗機臺佐以弱堿清洗液清洗。與原有技術相比，本發明的Flash芯片的清洗制程對芯片以單片式清洗機臺清洗，而且清洗液清洗完一個芯片后就更新，這樣可以有效防止芯片在清洗過程的交叉污染。此外，采用弱堿清洗液可以更為徹底的清除殘留在芯片表面凹槽側壁和底部的聚合物與離子，有效防止離子擴散到儲存器件內影響器件操作性能。
文檔編號H01L21/00GK101202202SQ200610119539
公開日2008年6月18日 申請日期2006年12月13日 優先權日2006年12月13日
發明者弓 張, 曾坤賜, 杜學東, 陳玉文 申請人:中芯國際集成電路制造(上海)有限公司