專利名稱：浮柵閃存器件的結構的制作方法
技術領域：
本發明涉及一種浮柵閃存器件的結構。
背景技術：
現有的浮柵閃存器件的結構可參見圖1所示，包括源極2和漏極1，在 所述源極2和漏極1之間間隙的上方設置有多晶硅浮柵4和控制柵5，所述 浮柵4與所述源極2和漏極1之間隔有二氧化硅層3，所述浮柵4的上緣為 兩端向上突起的弧形，所述控制柵5包括本體部分51和覆蓋部分52,所述 控制柵5的本體部分51位于所述浮柵的一側，所述控制柵5的覆蓋部分52 的下緣為半弧形,所述控制柵5的覆蓋部分52的將所述浮柵4的一半罩住。 進行"擦"操作時，如圖1中箭頭所示，控制柵5接高電壓，源極2和漏 極1接低電壓，電子從浮柵4左邊的尖端流入控制柵5。這種結構使得擦拭 的效率和耐用度不容易優化提高。
發明內容
本發明所要解決的技術問題是提供一種浮柵閃存器件的結構，能夠達 到擦拭效率更高，耐用度更好的效果。
為解決上述技術問題，本發明浮柵閃存器件的結構的技術方案是，包 括源極和漏極，在所述源極和漏極之間間隙的上方設置有多晶硅浮柵和控 制柵，所述浮柵與所述源極和漏極之間隔有二氧化硅層，所述浮柵的上緣 為兩端向上突起的弧形，所述控制柵包括本體部分和覆蓋部分，所述控制柵的本體部分位于所述浮柵的一側，所述控制柵的覆蓋部分的完全罩住所 述浮柵，所述浮柵與所述控制柵的覆蓋部分之間隔有二氧化硅。
本發明通過采用控制柵完全將浮柵罩住的結構，使得擦拭效率提高了 一倍，耐用度更好。
下面結合附圖和實施例對本發明作進一步詳細的說明
圖1為現有的浮柵閃存器件的結構示意圖2為本發明浮柵閃存器件的結構的示意圖3為本發明浮柵閃存器件的結構的俯視圖4一圖8為制作本發明浮柵閃存器件的結構的示意圖。
圖中附圖標記為，l.漏極；2.源極；3.二氧化硅層；4.浮柵；5.控制柵；51.控制柵本體部分；52.控制柵覆蓋部分；6.硅氧化隔離區；7.多晶 硅；8.二氧化硅層；9.氮化硅層。
具體實施例方式
本發明浮柵閃存器件的結構可參見圖2和圖3所示，包括源極2和漏 極1，在所述源極2和漏極1之間間隙的上方設置有多晶硅浮柵4和控制柵 5，所述浮柵4與所述源極2和漏極1之間隔有二氧化硅層3，所述浮柵4 的上緣為兩端向上突起的弧形，所述控制柵5包括本體部分51和覆蓋部分 52，所述控制柵5的本體部分51位于所述浮柵4的一側，所述控制柵5的 覆蓋部分52的完全罩住所述浮柵4，所述浮柵4與所述控制柵5的覆蓋部 分52之間隔有二氧化硅。所述控制柵5的覆蓋部分52的下緣為中間向上突起的弧形。
本發明通過上述結構，在進行擦拭操作時，控制柵5接高電壓，源極2 和漏極1接低電壓，電子從浮柵4兩端的尖端流入控制柵5。與現有技術相 比，由于電子可以從浮柵4的兩端流入控制柵5，因此使得擦拭的效率被提 高了一倍，并且由于分散了電子的行進路線，使得器件的耐用性更好。
本發明浮柵閃存器件的結構中，制作該浮柵的方法步驟包括
(1) 淀積多晶硅7，在所述多晶硅7上氧化生長二氧化硅8，之后淀 積氮化硅9，如圖4所示；
(2) 光刻氮化硅9，使浮柵位置的氮化硅被刻蝕掉，露出二氧化硅層 8，如圖5所示；
(3) 在被光刻掉氮化硅9的位置通過硅熱氧化生長二氧化硅6，如圖 6所示；
(4) 用化學藥液刻蝕氮化硅層9以及第(1)步中生長的二氧化硅層 8，第(3)步中通過硅熱氧化生長的二氧化硅6就形成硅氧化隔離區6，如 圖7所示；
(5) 去掉沒有被硅氧化隔離區6域覆蓋的多晶硅7部分，最終形成 了上緣為兩端向上突起的弧形的浮柵，如圖8所示。
權利要求
1.一種浮柵閃存器件的結構，包括源極和漏極，在所述源極和漏極之間間隙的上方設置有多晶硅浮柵和控制柵，所述浮柵與所述源極和漏極之間隔有二氧化硅層，所述浮柵的上緣為兩端向上突起的弧形，所述控制柵包括本體部分和覆蓋部分，所述控制柵的本體部分位于所述浮柵的一側，其特征在于，所述控制柵的覆蓋部分的完全罩住所述浮柵，所述浮柵與所述控制柵的覆蓋部分之間隔有二氧化硅。
2. 根據權利要求1所述的浮柵閃存器件的結構，其特征在于，所述控 制柵的覆蓋部分的下緣為中間向上突起的弧形。
全文摘要
本發明公開了一種浮柵閃存器件的結構，包括源極和漏極，在所述源極和漏極之間間隙的上方設置有多晶硅浮柵和控制柵，所述浮柵與所述源極和漏極之間隔有二氧化硅層，所述浮柵的上緣為兩端向上突起的弧形，所述控制柵包括本體部分和覆蓋部分，所述控制柵的本體部分位于所述浮柵的一側，所述控制柵的覆蓋部分的下緣為中間向上突起的弧形，所述控制柵的覆蓋部分的完全罩住所述浮柵，所述浮柵與所述控制柵的覆蓋部分之間隔有二氧化硅。本發明通過采用控制柵完全將浮柵罩住的結構，使得擦拭效率提高了一倍，耐用度更好。
文檔編號H01L29/66GK101202310SQ20061011940
公開日2008年6月18日 申請日期2006年12月11日 優先權日2006年12月11日
發明者居宇涵, 金勤海 申請人:上海華虹Nec電子有限公司