平板顯示器和平板顯示器的制造方法

專利名稱：平板顯示器和平板顯示器的制造方法
技術領域：
本發明涉及一種顯示裝置和顯示裝置的制造方法。更具體地，本發明涉及一種包括有機薄膜晶體管(O-TFT)的顯示裝置和顯示裝置的制造方法，其中，顯示裝置設置了有機半導體層。
背景技術：
薄膜晶體管(TFT)用作開關元件來控制顯示像素的操作，以及用作驅動元件來驅動顯示像素。TFT用在許多顯示器類型中，例如，液晶顯示器(LCD)、有機發光二極管(OLED)顯示器、無機發光二極管顯示器、平板顯示器、電泳指示顯示器等。TFT包括柵電極、在柵電極上形成的柵極絕緣層、在柵極絕緣層上形成的半導體層、以及越過半導體層彼此分離以限定溝道區的源電極和漏電極。
最近，隨著對柔性顯示裝置的關注，已經研究了使用塑料基板的平板顯示器設計。然而，由于使用硅作為半導體層的平板顯示器在300℃或更高的溫度下制造，所以一般不能使用塑料基板。因此，使用有機半導體材料來代替硅作為半導體層的有機薄膜晶體管(O-TFT)被用來制造柔性顯示裝置。
通常，源電極和漏電極由金屬(例如，金(Au)、鈀(Pd)、鉑(Pt)等)制成。這些材料具有高的功函數，所以電荷流動比較平穩。然而，使用這些金屬的源極和漏極結構難以通過濺射來形成，并且難以在其上蝕刻精密的圖樣。因此，這些材料一般不適合用于O-TFT的源電極和漏電極的制造工藝。
另一方面，導電金屬氧化物(例如，氧化錫銦(ITO)或氧化鋅銦(IZO))具有以下優點它們的功函數很高，使用濺射方法很容易形成ITO和IZO結構，以及很容易在ITO或IZO上容易形成精密的圖樣。因此，諸如IZO和/或ITO的材料一般代替前述的金屬材料用于O-TFT的源電極和漏電極。然而，ITO和IZO在與有機半導體層的接觸界面上產生接觸電阻，從而減小了TFT的漏電流開關比特性。

發明內容
本發明提供一種包括性能提高的TFT的顯示裝置。
本發明的另一方面在于提供一種包括性能提高的TFT的顯示裝置的制造方法。
根據本發明的實施例，顯示裝置包括絕緣基板；由溝道區隔開的源電極和漏電極；在溝道區內以及在漏電極的至少一部分上和源電極的至少一部分上形成的有機半導體層；以及自組裝單層，包括設置在有機半導體層和源電極之間的第一部分和設置在有機半導體層和漏電極之間的第二部分，以減小電極和有機半導體層之間的接觸電阻。
根據本發明的實施例，自組裝單層覆蓋源電極和漏電極。
根據本發明的實施例，源電極和漏電極包括透明導電金屬氧化物。
根據本發明的實施例，源電極和漏電極包括ITO或IZO的其中之一。
根據本發明的實施例，自組裝單層以化學方法與源電極和漏電極結合。
根據本發明的實施例，顯示裝置還包括圍繞有機半導體層并露出溝道區的堤(bank)。
根據本發明的實施例，自組裝單層包括鹵代芳基二鹵磷酸酯、鹵代芳基鹵磷酸酯、鹵代芳基磺酰基鹵化物、鹵代苯甲酰基鹵化物、鹵代芳基鹵化物、鹵代芳基三鹵硅烷、鹵代烷基三鹵硅烷、以及其衍生物中的至少一種。
根據本發明的實施例，自組裝單層包括鹵代萘基二鹵磷酸酯、鹵代萘基鹵磷酸酯、鹵代萘基磺酰基鹵化物、鹵代萘基鹵化物、鹵代萘基三鹵硅烷、以及其衍生物中的至少一種。
根據本發明的實施例，絕緣基板為塑料基板。
根據本發明的實施例，有機半導體層包括并五苯、3，4，9，10-苝四甲酸二酐(PTCDA)、低聚噻吩(oligothiopene)、聚噻吩、以及聚噻吩乙炔(polythienylenevinylene)中的至少一種。
根據本發明的實施例，顯示裝置包括液晶顯示裝置、有機發光二極管裝置、平板顯示裝置、以及電泳指示顯示裝置中的至少一種。
根據本發明的實施例，提供了一種顯示裝置的制造方法，包括設置絕緣基板；在絕緣基板上形成源電極和漏電極，其中，源電極和漏電極被溝道區隔開；在鄰近源電極和漏電極的區域引入自組裝單層材料；形成自組裝單層，自組裝單層具有在源電極的至少一部分上的第一部分和在漏電極的至少一部分上的第二部分；以及形成有機半導體層，其鄰近自組裝單層的至少一部分以及在溝道區內。
根據本發明的實施例，制造方法還包括在形成源電極和漏電極之前，在絕緣基板上形成柵電極，以及在柵電極上形成柵極絕緣層，其中，形成有機半導體層包括在柵極絕緣層上形成有機半導體材料的區域、形成自組裝單層、以及使用光刻法使有機半導體材料的區域圖樣化。
根據本發明的實施例，制造方法還包括在形成源電極和漏電極之后，形成圍繞(encompassing)溝道并至少露出源電極的一部分和漏電極的一部分的堤。
根據本發明的實施例，有機半導體層通過噴墨法在堤內形成。
根據本發明的實施例，提供了一種顯示器，包括基板；在基板上形成的有機薄膜晶體管，有機薄膜晶體管包括源極、漏極、位于源極和漏極之間的溝道區，溝道區包括有機半導體材料；第一自組裝單層，在鄰近溝道區的源極的一部分和有機半導體材料之間；以及第二自組裝單層，在鄰近溝道區的漏極的一部分和有機半導體材料之間。
根據本發明的實施例，源極和漏極中的至少之一包括透明導電氧化物。
根據本發明的實施例，第一自組裝單層包括芳香族化合物。
根據本發明的實施例，基板包括塑料。
本發明的其他特征將在以下的描述中進行闡述，并且部分地從該描述中顯而易見，或者可以通過本發明的實施而被理解。


附圖結合在說明書中并構成說明書的一部分，其有助于進一步理解本發明，這些附圖示出了本發明的實施例，并且與說明書一起通過典型實施例來說明本發明的原理。。
圖1是根據本發明的第一實施例的顯示裝置的截面圖；圖2A是示出根據第一實施例在沒有形成自組裝單層時的有機半導體層的表面的視圖；圖2B是示出根據第一實施例在形成了自組裝單層時的有機半導體層的表面的視圖；圖3是根據本發明的第一實施例的圖表；圖4A到圖4F是示出根據本發明的第一實施例的顯示裝置的制造方法的截面圖；以及圖5是根據本發明的第二實施例的顯示裝置的截面圖。
具體實施例方式
現在將詳細參照本發明的實施例(其實例在附圖中示出)，其中，在文中相同的參考標號表示相同的元件。下面將參照附圖描述應當理解，當提到諸如層、膜、區域、或基板位于另一元件“之上”時，其可直接位于另一元件之上，或者也可以存在中間元件。
圖1是根據本發明的第一實施例的平板顯示器的剖視圖。更具體地說，圖1是設置有TFT“T”的基板的剖視圖。
根據本發明的設置有有機TFT“T”的平板顯示器，包括絕緣基板110；柵電極120，在絕緣基板110上形成；柵極絕緣層130，覆蓋柵電極120；源電極141和漏電極143，在柵極絕緣層130上，用于限定溝道區A。源電極141和漏電極143越過柵電極120彼此隔開。TFT T還包括自組裝單層150，在源電極141和漏電極143上形成，以及有機半導體層160，設置在自組裝單層150上和溝道區A內。
絕緣基板110包括諸如玻璃、石英、陶瓷或塑料的絕緣材料。當TFT T用于柔性平板顯示器時，基板110優選由塑料制成。例如，塑料基板包括，例如，聚對苯二甲酸乙二醇酯(PET)、聚萘二甲酸乙二醇酯(PEN)、聚碳酸酯(PC)、聚酰亞胺(PI)、以及聚降冰片烯(polynorborneen)(PNB)的其中之一。
柵電極120在絕緣基板110上形成。柵電極120是導電金屬層，包括例如金(Au)、鉑(Pt)、鈀(Pd)、鋁(Al)、鉻(Cr)、鋁/銅(Al/Cu)、以及鉬鎢合金(MoW)的至少其中之一。
柵極絕緣層130在柵電極120上形成，柵極絕緣層130包括絕緣材料，如氮化硅(SiNx)或硅氧化物(SiOx)，設置在絕緣基板110的整個表面上同時覆蓋柵電極120。柵極絕緣層130具有在用自組裝單層材料處理時不會發生化學反應的結構，并且優選地在其表面上不包括羥基。
源電極141和漏電極143位于柵極絕緣層130上，并越過柵電極120彼此隔開。溝道區A是在柵電極120上方、源電極141和漏電極143之間的區域。
通常，源電極141和漏電極143由諸如Au、Pd、Pt等金屬形成。這些材料具有高的功函數，所以電荷流動比較平穩。然而，如上所述，這些材料一般不適合用于形成O-TFT的源電極141和漏電極143的工藝。這些金屬層難以通過濺射來形成(它們通常通過蒸發法來形成)，并且難以通過蝕刻在其上形成精密的圖樣。
因此，使用具有高的功函數、通過濺射處理能夠容易形成、并且能夠容易地形成精細圖樣的透明導電金屬氧化物來形成源電極141和漏電極143，。透明導電金屬氧化物可以是ITO或IZO。
有機半導體層160在源電極141和漏電極143上形成。然而，當ITO或IZO接觸(有機半導體)層160的有機半導體材料時，由于ITO或IZO和有機半導體層160之間不同的特性(ITO或IZO的功函數和有機半導體層160的親電性之間的不同)，產生高勢壘。高勢壘阻止電子流動，使得電流流動不是很平穩，從而減小了O-TFT的驅動電流開關比特性。
因此，為了減小勢壘，自組裝單層150在源電極和漏電極141、143及有機半導體層160之間形成。自組裝單層150減小勢壘，減小有機半導體層160與源電極141和漏電極143之間的接觸電阻。
根據實施例，自組裝單層150在源電極141和漏電極143上形成，而不在柵極絕緣層130上形成。也就是說，形成自組裝單層150的表面處理選擇性地僅在源電極141和漏電極143上進行，而不在柵極絕緣層130的溝道區A進行。
因此，源電極141和漏電極143的選擇性的表面處理起因于自組裝單層150的特性。通過與源電極141和漏電極143的分子的化學結合，自組裝單層材料的分子自然地粘附在固體(源電極141和漏電極143)的表面。因此，自組裝單層150是穩定的薄單層，并變得高度規則，與特定分子起反應。結果，在自組裝單層150上形成的有機半導體層160具有校大的粒度和較低的接觸電阻。
如上所述，自組裝單層150形成與源電極141和漏電極143的規則的化學結合。結果，在源電極141和漏電極143與有機半導體層160之間生成空間電荷。空間電荷降低勢壘，并減小源電極141和漏電極143與有機半導體層160之間的接觸電阻。因此，增強了O-TFT的電流比特性。
這里，自組裝單層材料包括以下材料中的至少一個以結構式1表示的鹵代芳基二鹵磷酸酯；以結構式2表示的鹵代芳基鹵磷酸酯；以結構式3表示的鹵代芳基磺酰基鹵化物；以結構式4表示的鹵代苯甲酰基鹵化物；以結構式5表示的鹵代芳基鹵化物；以結構式6表示的鹵代芳基三鹵硅烷或鹵代烷基三鹵硅烷。
這里，X為鹵素，例如，氯(Cl)、溴(Br)、氟(F)、以及碘(I)，其中，位于芳基或烷基中的鹵素可以位于鄰位、間位、和對位中的任何取代位。結構式6中的R為芳基或烷基。
在結構式1到6中的芳基可以是結構式7中的苯基、氯代苯基(chlror phenayl)和氟代苯基、或結構式7中的萘基(naphtyl)。
此外，結構式1到7中的芳香族化合物的衍生物可以用于自組裝單層。
<結構式1><結構式2> <結構式3>
<結構式4><結構式5> <結構式6>
<結構式7>
有機半導體層160在自組裝單層150上形成。為了防止對有機半導體層160的損壞，在形成柵電極120、源電極141、和漏電極143之后，在溝道區A上形成有機半導體層160。使用這樣的制作工藝是因為用于有機半導體層160的有機材料具有低的耐化學性和耐等離子體性。也就是說，如果在形成有機半導體層160之后形成柵電極120、源電極141、和漏電極143，有機半導體層160的有機材料就會被用于形成柵電極120、源電極141、和漏電極143的化學材料、等離子體等侵蝕。所得到的半導體層160不能夠正常起作用。
然而，在與圖4A到4F所示的工藝結構不同、將柵電極120設置在有機半導體層160上的工藝結構(PA)中，自組裝單層150也可置于電極141、143與有機半導體層160之間，以便減小電極141、143與有機半導體層160之間的接觸電阻。
有機半導體層160使用具有5個相連的苯環的并五苯、3，4，9，1O-苝四甲酸二酐(PTCDA)、低聚噻吩、聚噻吩、以及聚噻吩乙炔等。在一些實施例中，可以使用傳統的有機半導體材料。
利用上述原理，可以制造改進的O-TFT并將其結合到平板顯示器中。O-TFT可以用在許多顯示器類型中，例如，LCD、OLED顯示器、無機發光二極管顯示器等。可以根據常規方法制造顯示器。
下面，將參照圖2A到圖3來描述根據本發明實施例的O-TFT的功能和效率。
圖2A是在沒有形成自組裝單層時，使用原子力顯微鏡(AFM)拍攝的有機半導體層的表面的照片，圖2B是在形成了自組裝單層時有機半導體層的表面的照片。
參照圖2A，在沒有形成自組裝單層時，有機半導體層160的粒度很小。相反地，如圖2B所示，在形成了自組裝單層時，有機半導體層160的粒度很大。較大的粒度示出在形成有自組裝單層150的源電極141和漏電極143上的有機半導體材料改進的生長和穩定性。也就是說，有機半導體材料在形成有自組裝單層150的源電極141和漏電極143上生長得很好，所以提高了電荷的傳遞速率。
圖3是示出在形成了自組裝單層150的情況以及沒有形成自組裝單層150的情況下，O-TFT的漏極的電流值與施加在O-TFT的柵極上的電壓值的曲線關系。
參照圖3，‘B’為在形成了自組裝單層150時，電流值與電壓值的曲線關系，以及‘C’為在沒有形成自組裝單層150時，電流值與電壓值的曲線關系。圖3示出了對于施加的電壓的特定值，具有自組裝單層150的電流值大于沒有自組裝單層150的電流值的結果。因此，示出了在形成了自組裝單層150時，減小了接觸電阻，從而增加了電流值。
一般來說，TFT的開關電流比特性可用下面的表達式表示IonIoff=(μσ)(Co2qNAt2)VD2]]>這里，Ion為最大電流值；Ioff為關狀態的漏電流；μ為電荷的傳遞速率；σ為薄膜的傳導率；q為電荷量；NA為電荷密度；t為半導體層的厚度；CO為氧化膜電容；以及VD為漏電壓。該表達式示出電流比Ion/Ioff與電荷傳遞速率μ成比例。
圖3示出了具有自組裝單層150的電流比Ion/Ioff大于沒有自組裝單層150的電流比Ion/Ioff。圖3示出在形成了自組裝單層時，O-TFT的電荷的傳遞速率增加，從而提高了TFT的性能的原理。
接下來，將參照圖4A到4F描述包括O-TFT的平板顯示器的制造方法。
參照圖4A，設置了絕緣基板110。在一些實施例中，基板110包括玻璃、石英、陶瓷、或塑料。當根據本發明實施例的TFT T用于柔性平板顯示器時，其優選地由塑料制成。
參照圖4B，通過首先沉積柵電極材料(例如，包括Au、Pt、Pd、Al、Cr、Al/Cu、以及MoW的至少其中之一，通過濺射或化學氣相淀積(CAD))，然后通過光刻法和蝕刻處理除去不需要的柵電極材料，從而在絕緣基板110上形成柵電極120。。因此，在基板110上形成具有期望圖樣的柵電極120。
參照圖4C，形成柵極絕緣層130。柵極絕緣層130由與選擇的自組裝單層材料基本不反應的材料制成。例如，柵極絕緣材料130可能包括在其表面上不含有羥基的氮化硅(SiNx)或氧化硅(SiOx)，并且具有當附加自組裝單層材料時不發生化學反應的結構。
參照圖4D，通過濺射或蒸發將透明導電金屬氧化物(例如，ITO或IZO)涂覆在柵極絕緣層130上。然后，使用光刻法和蝕刻處理將不需要的材料除去，以形成源電極141和漏電極143。源電極141和漏電極143越過柵電極120彼此隔開。溝道區A被限定在柵電極120之上的源電極141和漏電極143之間的區域。
參照圖4E，將自組裝單層材料涂覆在源電極141和漏電極143上。自組裝單層材料的分子自發地粘附在特定的固體(這里，是源電極和漏電極的材料)上，并且化學地結合來形成自組裝單層150。
也就是說，當處理自組裝單層150時，選擇性地僅在源電極141和漏電極143上進行表面處理，而不在柵極絕緣層130的溝道區A上進行表面處理。在形成了自組裝單層150之后，通過選擇性清潔將殘留在柵極絕緣層130上的自組裝單層材料去除。在源電極141和漏電極143包括透明導電材料(例如，ITO或/或IZO)的實施例中，自組裝單層材料包括芳香族化合物和/或其衍生物。
參照圖4F，通過蒸發在自組裝單層150上形成有機半導體材料，例如，并五苯、3，4，9，10-四甲酸二酐(PTCDA)、低聚噻吩、聚噻吩、以及聚噻吩乙炔(polythienylenevinylene)等。通過光刻工藝形成有機半導體層160，以保留在溝道區A和源電極141和漏電極143的至少一部分，從而完成圖1所示的O-TFT結構。
其后，制造了包括O-TFT的平板顯示器(例如，LCD、OLED、無機發光二極管等)。例如，可以使用常規的或其它方法來制造平板顯示器。
因此，如果由合適的材料(例如，芳香族化合物，如上面所披露的)制造，自組裝單層150與源電極141和漏電極143的材料形成規則的化學結合。從而，自組裝單層150在電極141、143與有機半導體層160之間產生空間電荷，以降低勢壘并減小有機半導體層160與電極141、143之間的接觸電阻。因此，增強了O-TFT的開關電流比特性。
下面，將參照圖5描述根據本發明的第二實施例的包括O-TFT的平板顯示器。在第二實施例中，提到了該平板顯示器不同于第一實施例中的特征的特征。在第二實施例中，通過噴墨法(而不是以上披露的用于第一實施例的蒸發和光刻技術)形成有機半導體層260。
參照圖5，在形成源電極241和漏電極243之后，在包括源電極241和漏電極243的至少一部分的周界的周圍形成堤(bank)270。堤270圍繞溝道區A，并露出其上將要形成自組裝單層的源電極241和漏電極243的至少一部分。堤270被成形并構造為使得有機半導體層260可以通過噴墨法在溝道區A內形成。在堤270上形成接觸孔281，以露出漏電極243。
然后，將前述的自組裝單層材料涂覆到堤270的內部來形成自組裝單層250。由于自組裝單層材料的物理/化學特性，自組裝單層250僅在源電極241和漏電極243上形成。其后，將溶解在溶劑中的有機半導體材料噴射進堤270內。當溶劑揮發時形成有機半導體層260。
通過常規的或其他方法形成有機鈍化層280，并形成接觸孔281。接觸孔281露出漏電極243，然后，在有機鈍化層280上形成像素電極290，其通過接觸孔281電連接到漏電極243。
在第二實施例中，通過比在第一實施例中的方法更簡單的方法形成有機半導體層。此外，減小有機半導體層260與電極241、243之間的接觸電阻，以增強O-TFT的開關電流比特性。
本發明不限于所描述和所示出的實施例，而是在權利要求的范圍內，不同的實施例的細節可以有多種修改和組合。本發明能夠在多種顯示器類型中實現，例如，在有機發光二極管顯示器、平板顯示器、以及電泳指示顯示器的至少其中之一。
本領域的技術人員應該明白，在不背離本發明的精神或范圍的情況下，可以對本發明進行各種修改和改變。因此，本發明試圖涵蓋在權利要求和其等同物的范圍內的本發明的修改和改變。
權利要求
1.一種顯示裝置，包括絕緣基板；源電極，在所述絕緣基板上；漏電極，在所述絕緣基板上，所述漏電極通過溝道區與所述源電極隔開；有機半導體層，在所述溝道區內以及與所述源電極和所述漏電極的至少一部分的相鄰處形成；以及自組裝單層，具有設置在所述有機半導體層與所述源電極的至少一部分之間的第一部分，以及設置在所述有機半導體層與鄰近所述溝道區的所述漏電極的至少一部分之間的第二部分，所述自組裝單層構造用于減小所述源電極和所述有機半導體層之間的接觸電阻，以及還構造用于減小所述漏電極和所述有機半導體層之間的接觸電阻。
2.根據權利要求1所述的顯示裝置，其中，所述自組裝單層覆蓋所述源電極和所述漏電極。
3.根據權利要求1所述的顯示裝置，其中，所述源電極和所述漏電極包括透明導電金屬氧化物。
4.根據權利要求1所述的顯示裝置，其中，所述源電極和所述漏電極包括ITI和IZO中的至少一種。
5.根據權利要求1所述的顯示裝置，其中，所述自組裝單層的分子與所述源電極和所述漏電極的分子化學地結合。
6.根據權利要求1所述的顯示裝置，還包括圍繞所述有機半導體層并露出所述溝道區的堤。
7.根據權利要求1所述的顯示裝置，其中，所述自組裝單層包括鹵代芳基二鹵磷酸酯、鹵代芳基鹵磷酸酯、鹵代芳基磺酰基鹵化物、鹵代苯甲酰基鹵化物、鹵代芳基鹵化物、鹵代芳基三鹵硅烷、鹵代烷基三鹵硅烷、以及它們的衍生物中的至少一種。
8.根據權利要求1所述的顯示裝置，其中，所述自組裝單層包括鹵代萘基二鹵磷酸酯、鹵代萘基鹵磷酸酯、鹵代萘基磺酰基鹵化物、鹵代萘基鹵化物、鹵代萘基三鹵硅烷、以及它們的衍生物中的至少一種。
9.根據權利要求1所述的顯示裝置，其中，所述絕緣基板為塑料基板。
10.根據權利要求1所述的顯示裝置，其中，所述有機半導體層包括并五苯、3，4，9，10-苝四甲酸二酐(PTCDA)、低聚噻吩、聚噻吩、以及聚噻吩乙炔中的至少一種。
11.根據權利要求1所述的顯示裝置，其中，所述顯示裝置包括液晶顯示裝置、有機發光二極管顯示裝置、平板顯示裝置、以及電泳指示顯示裝置中的至少一種。
12.一種顯示裝置的制造方法，包括設置絕緣基板；在所述絕緣基板上形成源電極和漏電極，其中所述源電極和所述漏電極被溝道區隔開；將自組裝單層材料引入鄰近所述源電極和所述漏電極的區域；形成自組裝單層，所述自組裝單層具有在所述源電極的至少一部分上的第一部分和在所述漏電極的至少一部分上的第二部分；以及形成有機半導體層，鄰近所述自組裝單層的至少一部分以及在所述溝道區內。
13.根據權利要求12所述的制造方法，還包括在形成所述源電極和所述漏電極之前，在所述絕緣基板上形成柵電極，以及在所述柵電極上形成柵極絕緣層，其中，所述形成所述有機半導體層包括在所述柵極絕緣層和所述自組裝單層上形成有機半導體材料的區域，并使用光刻法將所述有機半導體材料的區域圖樣化。
14.根據權利要求12所述的制造方法，還包括在形成所述源電極和所述漏電極之后形成堤，其中，所述堤圍繞所述溝道，并至少露出所述源電極的一部分和所述漏電極的一部分。
15.根據權利要求14所述的制造方法，其中，所述有機半導體層通過噴墨法在所述堤中形成。
16.根據權利要求12所述的制造方法，其中，所述顯示裝置包括液晶顯示裝置、有機發光二極管顯示裝置、平板顯示裝置、以及電泳指示顯示裝置中的至少一種。
17.一種顯示器，包括基板；有機薄膜晶體管，在所述基板上形成，所述有機薄膜晶體管包括源極；漏極；溝道區，位于所述源極和所述漏極之間，所述溝道區包括有機半導體材料；第一自組裝單層，在鄰近所述溝道區的所述源極的一部分與所述有機半導體材料之間；以及第二自組裝單層，在鄰近所述溝道區的所述漏極的一部分與所述有機半導體材料之間。
18.根據權利要求17所述的顯示器，其中，所述源極和所述漏極的至少一個包括透明導電氧化物。
19.根據權利要求18所述的顯示器，其中，所述第一自組裝單層包括芳香族化合物。
20.根據權利要求17所述的顯示器，其中，所述基板包括塑料。
全文摘要
本申請涉及一種顯示裝置，包括絕緣基板；源電極和漏電極，在絕緣基板上，并被溝道區隔開；有機半導體層，在溝道區內以及在源電極的至少一部分和漏電極的至少一部分上形成；以及自組裝單層，具有設置在有機半導體層和源電極之間的第一部分和設置在有機半導體層和漏電極之間的第二部分，以減小電極和有機半導體層之間的接觸電阻。因此，本發明的實施例提供了包括性能增強的TFT的顯示裝置。
文檔編號H01L51/40GK1909260SQ20061009932
公開日2007年2月7日 申請日期2006年7月17日 優先權日2005年8月1日
發明者金保成, 吳俊鶴, 李容旭 申請人:三星電子株式會社