半導體器件及其制造方法

專利名稱：半導體器件及其制造方法
技術領域：
本發明涉及一種具有由薄膜晶體管(后面稱為TFT)組成的電路的半導體器件以及制造該器件的方法。例如，本發明涉及以液晶顯示板為特征的電光器件以及將這種電光器件安裝在其中作為一部分的電子設備。
背景技術：
需要注意的是，在這里貫穿本說明書中采用的半導體器件表示的是其功能是利用了半導體特性的一般器件。電光器件、半導體電路和電子設備都是半導體器件。
近年來，利用形成在帶絕緣表面的襯底上的半導體薄膜(厚度大約在幾個到幾百納米)制作薄膜晶體管(TFT)的技術已經成為熱門。薄膜晶體管廣泛地應用于如IC的電子器件或電光器件上，特別地，作為液晶顯示器的開關元件的TFT正在迅猛地發展。
為了在液晶顯示器中獲得高質量的圖象，一種有源矩陣型液晶顯示器正引起更多注意，這種液晶顯示器利用作為開關元件的TFT連接到布置成矩陣的相應象素電極上。
在與TFT連接的每個象素電極中，需要保持圖象信號的電勢，直到下一個寫入時刻，從而在有源矩陣型液晶顯示器中進行高質量的顯示。一般地，在每個象素電極中提供存儲電容器(Cs)來保持圖象信號的電勢。
對于上述存儲電容器(Cs)的結構和形成方法已經提出了各種建議。然而，從制造方法的可靠性和簡單化的觀點來看，在用于制作象素的絕緣膜中，最好是利用具有高質量的TFT柵絕緣膜作為存儲電容器(Cs)的電介質。如圖18所示，在傳統上，通過利用掃描線提供成為上電極的電容器引線，然后通過采用上電極(電容器引線)、介電層(柵絕緣膜)及下電極(半導體膜)形成存儲電容器(Cs)。
另外，從顯示性能的觀點來看，需要為象素提高較大電容，同時使孔徑率更高。如果每個象素具有較高的孔徑率，就可提高背光照明的有效利用率。因此，用于獲得預定顯示亮度的背光照明度可受到限制，這樣可獲得節能和小型化的顯示器。而且由于每個象素具有較大的存儲電容器，于是提高了保持顯示數據的每個象素的特性，進而提高了顯示質量。另外，在顯示器的點順序驅動中，在每個信號線的驅動器電路一側需要信號存儲電容器(取樣保持電容器)。然而，在每個象素中提供了較大存儲電容器后，由取樣保持電容器占據的表面面積變得更小，這樣就使顯示器更小。
隨著每個顯示象素間距的更加微觀化，伴隨著液晶顯示器更小型化和高清晰度(增加象素數量)，上述需要就成為要解決的問題。
還有另外的問題是，在上面提到的傳統的象素結構中，很難使高孔徑率和大存儲電容相互匹配。
圖18中示出了根據表1的設計規則而具有19.2μm象素尺寸的傳統象素結構的實例。
表1

傳統象素結構的特點是，在兩條引線(掃描線和電容器引線)連續形成中，該兩條相應的引線彼此平行布置。在圖18中，標號10表示半導體膜，11表示掃描線，12表示信號線，13表示電極以及14表示電容器引線。注意圖18為象素的簡化俯視圖，因此在該圖中沒有示出連接到電極13的象素電極和通往電極13的接觸孔。
于是，在用上電極(電容器引線)、介電層(柵絕緣膜)和下電極(半導體膜)制作存儲電容器時，所有用于制作象素的必要電路元件(象素TFT、存儲電容器、接觸孔等)成為與柵絕緣膜相關的元件。因此，構成電路元件的這些元件在每個象素內基本上以平面布置。
于是至關重要的是，有效地設計構建象素電路必要的電路元件以在調整好的象素尺寸內獲得每個象素的高孔徑率和大存儲電容器。換句話說，根據所有電路元件與柵絕緣膜連接的情況，可以說需要指出的是有必要提高柵絕緣膜的利用效率。
這樣，根據上述觀點，在圖19中示出了圖18中象素電路結構實例的有效平面設計。在圖19中，標號21表示單個象素區，22表示象素開口區，23表示存儲電容器區，24表示A區以及25表示TFT和接觸區的一部分。
至于在圖19中示出的為216.7μm2(孔徑率為58.8％)的象素開口區22的區域，是由64.2μm2的存儲電容器區23、42.2μm2的TFT和接觸區的一部分及34.1μm2的A區24組成。
A區24是掃描線和電容器引線的隔離區，該區是來自用于相互連接作為TFT柵電極的區域的引線部分，掃描線和電容器引線彼此平行布置。A區的柵絕緣膜沒有發揮本來的作用，而成為降低布線效率的因素。
上述結構中還存在的問題是對電容器引線電阻的要求很嚴格。
在通常的液晶顯示器的驅動中，在掃描線方向可連續(在點順序驅動情況下)或同時(在線順序驅動下)把圖象信號的電勢寫入到連接到掃描線的象素組。
如上所述，在象素結構中電容器引線和掃描線相互平行布置的情況下，連接到相應掃描線的象素組與共用電容器引線連接。這樣，用于對應于象素寫入電流的一組象素的相對電流可連續或同時流入到共用電容器引線中。為了避免由電容器引線的電勢變化引起的顯示質量降低，需要盡量降低電容器引線電阻。
然而，為降低電容器引線電阻而增加引線寬度意味著存儲電容器的表面積擴大，同時象素的孔徑率降低。

發明內容
本發明針對上述問題，提出了設計方面的技術方案，于是本發明的目的是通過在保證充足存儲電容器(Cs)的同時獲得較高孔徑率，同時通過以適時方式分散電容器引線的負載(象素寫入電流)以有效地減少負載，從而提供一種液晶顯示器件。
在本說明書中公開的發明結構是一種半導體器件，特征是包括在絕緣表面上的第一引線；在所述第一引線上的第一絕緣膜；在所述第一絕緣膜上的半導體膜；在所述半導體膜上的第二絕緣膜；在所述第二絕緣膜上與所述第一引線連接的第二引線和柵電極；在所述第二引線和所述柵電極上的第三絕緣膜；及在所述第三絕緣膜上與所述半導體膜連接的第三引線。
在上述結構中，半導體器件的特征在于半導體膜和第二引線通過第二絕緣膜交迭在一起。
另外，在上述相應結構中，半導體器件的特征在于在第二引線通過第二絕緣膜與半導體膜交迭的區域，以第二絕緣膜作為電介質形成存儲電容器。
另外，在上述相應結構中，半導體器件的特征在于一種導電類型的雜質元素摻雜到第二引線通過第二絕緣膜交迭的半導體膜的區域。
另外，在上述相應結構中，半導體器件的特征在于還包括與半導體膜連接的電極和與在第三絕緣膜上的電極連接的象素。
另外，在上述相應結構中，半導體器件的特征在于第一引線與第二引線在相互垂直的方向上布置。
另外，在上述相應結構中，半導體器件的特征在于第一引線在與第三引線垂直的方向上布置。
另外，在上述相應結構中，半導體器件的特征在于柵電極形成在與第一引線不同的層上。
另外，在上述相應結構中，半導體器件的特征在于柵電極通過圖案制作成為島形。
另外，在上述相應結構中，半導體器件的特征在于第一引線為掃描線。
另外，在上述相應結構中，半導體器件的特征在于第二引線為電容器引線。
另外，在上述相應結構中，半導體器件的特征在于第三引線為信號線。
另外，在上述相應結構中，半導體器件的特征在于第二絕緣膜為柵絕緣膜。
另外，在上述相應結構中，半導體器件的特征在于柵電極由具有從下面元素組中選擇作為其主要成分的元素的膜或這些元素結合的疊加膜組成，所述元素組包括多晶Si、W、WSix、Al、Ta、Cr或Mo，這些元素中被摻雜可呈現某種導電性的雜質元素。
另外，另一個發明的結構為一種半導體器件，其特征在于包括一組以預定間隔相互平行布置并與信號線驅動器電路連接的信號線；一組以預定間隔相互平行布置并與掃描線驅動器電路連接的掃描線；平行于信號線的電容器引線。
另外，在上述相應結構中，半導體器件的特征在于掃描線和信號線垂直。
另外，在上述相應結構中，半導體器件的特征在于還包括具有柵電極和象素電極的薄膜晶體管，柵電極與掃描線連接，掃描線與信號線垂直，象素電極連接于薄膜晶體管。
另外，在上述相應結構中，半導體器件的特征在于柵電極形成在與掃描線不同的層上。
另外，在上述相應結構中，半導體器件的特征在于柵電極通過制作圖案制成島形。
另外，為獲得上述結構，本發明的一個方面是一種制造半導體器件的方法，其特征在于包括第一步驟，在具有絕緣表面的襯底上形成第一引線；第二步驟，在第一引線上形成第一絕緣膜；第三步驟，在第一引線上形成半導體膜；第四步驟，在半導體膜上形成第二絕緣膜；第五步驟，通過選擇性地刻蝕第一絕緣膜和第二絕緣膜形成通往第一引線的第一接觸孔；第六步驟，在第二絕緣膜上形成柵電極，所述柵電極覆蓋半導體膜的一部分并經過第一接觸孔和第一引線連接；第七步驟，在柵電極上形成第三絕緣膜；第八步驟，通過選擇性地刻蝕第二絕緣膜和第三絕緣膜形成通往半導體膜的第二接觸孔；及第九步驟，在第三絕緣膜上形成第三引線，所述第三引線經過第二接觸孔與半導體膜連接。
另外，在上述相應結構中，所述制造方法的特征在于在第二絕緣膜上形成第二引線，以與形成柵電極相同的步驟覆蓋半導體膜的一部分。
另外，在上述相應結構中，所述制造方法的特征在于還包括在半導體膜上形成第二絕緣膜的步驟之后，使覆蓋第二引線的第二絕緣膜部分變薄的步驟。
另外，在上述相應結構中，所述制造方法的特征在于第二絕緣膜為柵絕緣膜，第一引線為掃描線，第二引線為電容器引線以及第三引線為信號線。


在附圖中圖1為象素的俯視圖；圖2為TFT襯底的電路結構框圖；圖3A和3B為TFT襯底的剖面圖；圖4為示出了有源矩陣型液晶顯示器剖面結構的示意圖；圖5為AM-LCD的外觀圖；圖6A到6F為電子設備的實例圖；圖7A到7D為電子設備的實例圖；圖8A到8C(1)和圖8C(2)分別為示出了制造象素部分的過程的剖面圖和俯視圖；圖9A到9C(1)和圖9C(2)分別為示出了制造象素部分的過程的剖面圖和俯視圖；圖10A到10C(1)和圖10C(2)分別為示出了制造象素部分的過程的剖面圖和俯視圖；圖11A和圖11B(1)和圖11B(2)分別為示出了制造象素部分的過程的剖面圖和俯視圖；
圖12A和圖12B分別為示出了制造象素部分的過程的剖面圖和俯視圖；圖13為描述TFT特性的圖表；圖14為象素的俯視圖；圖15A和15B為象素結構的剖面圖；圖16為象素結構的剖面圖；圖17A和17B為象素的俯視圖；圖18為常規象素的俯視圖；及圖19為常規象素開口區域的俯視圖。
具體實施例方式
下面描述本發明的最佳實施例。
本發明的特征在于掃描線形成在與柵電極不同的層面上，從而增加了孔徑比，同時增加了存儲電容。圖1中示出了本發明的象素結構的實例。
在圖1中，由制作圖案形成島形的柵電極106經過形成在絕緣膜上的接觸孔100c連接到掃描線102上。同時，半導體膜104經過接觸孔100a與信號線109連接。另外，半導體膜104也經過接觸孔100b與電極110連接。和信號線109或電極110連接的半導體區域被稱為源區或漏區。另外，溝道形成區形成在源區和漏區之間，以及柵電極106經過柵絕緣膜存在于溝道形成區上。請注意，為簡明起見，在圖中沒有示出源區、漏區和溝道形成區。
根據本發明，在如圖1所示的柵電極106下層形成掃描線102的情況中，掃描線102布置在半導體薄膜104的下層上，這樣可起到光屏蔽薄膜的作用。另外，隨著作為半導體薄膜的下電極、作為電介質覆蓋半導體膜的絕緣膜和作為電容器引線107的上電極形成，形成了存儲電容器。需要注意的是，存儲電容器可通過使覆蓋半導體膜的絕緣膜部分變薄而使電容值增大。
另外，根據本發明的一個方面，每個象素的TFT可以是雙柵結構，其中柵電極穿過絕緣膜布置在溝道形成區的上部和下部；通過恰當地設定第一絕緣膜的薄膜厚度，可限制由掃描線和另一引線形成的存儲電容器，同時提高TFT的特性。
本發明不同于現有技術(電容器引線和掃描線平行布置)，其特征在于電容器引線和信號線平行。因此，即使在相應驅動方法下連續寫入的圖象信號到達每個掃描線的象素上，由于每個象素連接由各自獨立電容器組成的存儲電容器，于是避免了相鄰象素的寫入電流引起電容器引線的電勢的變化，因此可獲得高質量顯示圖象。
傳統上取樣保持電容器設置在每個信號線中，以避免信號線電勢(寫電勢)在寫入到每條掃描線的過程中減小。在本發明中，電容器引線平行并覆蓋信號線。這樣，由于信號線的寄生電容增加，提高了信號線電勢的保持特性，于是就不必在外圍電路部分中提供取樣保持電容器。與現有技術相比，外圍電路更簡單了。
另外，由于如上所述的相同原因，減少了對電容器引線電阻性能的要求，同時在設計電容器引線的布置、尺寸和薄膜厚度中有更大的自由度。而且，因為擴大了電容器引線材料的選擇范圍，所以減輕了設計和制造的復雜程度，于是可獲得較高的生產率。
根據由上述方面組成的本發明，現在對下面示出的實施例進行詳細描述。
下面以投射器型液晶顯示器的點順序驅動作為例子來描述本發明的實施例。
利用TFT作為開關元件的有源矩陣型液晶顯示器是這樣構成的，它包括帶有布置成矩陣的象素電極的襯底(TFT襯底)和帶有相對電極的相對襯底，該相對襯底借助于液晶層面對TFT襯底布置。在兩個襯底之間通過襯墊等控制成預定的間隔，在顯示區的外圍采用密封材料，以封閉液晶層。
圖4為本實施例的液晶顯示器剖面結構示意圖。在圖4中，標號101表示襯底(TFT襯底)，102表示掃描線，103表示第一絕緣膜，104表示半導體膜，105表示柵絕緣膜(第二絕緣膜)，106表示柵電極，107表示電容器引線，108表示第三絕緣膜以及109和111表示信號線或從信號線分出的電極。標號110表示通過接觸孔(圖中未示出)與半導體膜相連的電極，接觸孔形成在第三絕緣膜上。另外，柵電極110是把TFT連接到象素電極上的電極。
注意在本說明書中，術語“電極”有“引線”一部分的意思，是指引線和其它引線電連接之處，或者是指引線和半導體層接觸之處。這樣，為了解釋方便，術語“引線”和“電極”區別使用。然而，術語“電極”始終包含有“引線”的意思。
注意標號101到110表示的部分在本說明書中確定為TFT。另外，標號109和110可以是從引線分出的電極或者就是引線。
另外，標號112表示覆蓋在TFT上的第四絕緣膜，113表示防止TFT被光退化的光屏蔽層，114表示第五絕緣膜，115表示經過接觸孔100d和電極110連接的象素電極，以及116表示使液晶層117定向的校準膜。
再來參見圖4，在相對襯底120上設置有相對電極119和校準膜118，除此之外，需要時也可設置光屏蔽膜和顏色過濾層。
如圖2所示，襯底(TFT襯底)101包括象素部分201、掃描線驅動器電路202和形成在其外圍的信號線驅動器電路203。
掃描線驅動器電路202主要包括順序傳遞掃描信號的移位寄存器。信號線驅動器電路203主要包括取樣保持電路，該電路用于并且在根據移位寄存器的輸出對輸入的移位寄存器和圖象信號進行采樣后保持圖象信號驅動信號線。
在象素部分201中，一組掃描線(柵引線)207和掃描線驅動器電路202連接，彼此以預定間隔平行布置，一組信號線208和帶輸入圖象信號端子205的信號線驅動器電路203連接，彼此以預定間隔平行布置。掃描線207和信號線208垂直。在每個交叉點布置TFT(在圖中未示出)，同時，象素電極(在圖中未示出)布置在由掃描線和信號線劃分出的各自區域內。這樣，每個象素電極根據該結構布置成矩陣。另外，連接到GND(地)或固定電勢206的一組電容器引線209和信號線208平行。標號204表示設在相對襯底上的驅動器電路。需要注意的是，為簡單起見，在圖2中只示出了幾根信號線、掃描線和電容器引線。
下面參照圖1、3A和3B描述制造圖4中示出的半導體器件的簡化過程。
首先，除了玻璃襯底作為襯底101外，還可采用石英襯底和塑料襯底。在使用玻璃襯底的情況下，預先在比玻璃變形點低約10到20度的溫度下進行熱處理。而且，基膜形成在其上將形成TFT的襯底101表面上，以避免襯底101上的雜質污染。基膜由例如二氧化硅膜、氮化硅膜或氮氧化硅膜的絕緣膜制成。
接下來在襯底上形成導電膜，然后制成圖案以形成掃描線102。如多晶-Si、WSix(X＝2.0到2.8)、Al、Ta、W和Cr等摻有可呈現一定導電性的雜質的導電材料及其疊加結構可用于掃描線102。在該實施例中，以一定間隔布置的掃描線102由WSix膜(膜厚100nm)和多晶硅膜(膜厚50nm)組成的疊加結構形成，WSix膜和多晶硅膜是具有高效光阻斷特性的導電材料。
接著形成第一絕緣膜103，該膜覆蓋在掃描線102上，其厚度大約為500nm。含有硅的絕緣膜可通過如等離子體CVD(化學汽相沉積)或濺射的公知方法形成，該膜可用作第一絕緣膜103。另外，第一絕緣膜103可由有機絕緣材料、氧化硅膜、氮氧化硅膜或氮化硅膜的薄膜制成，或者由這些薄膜結合的疊加膜制成。
接下來通過如等離子體CVD(化學汽相沉積)或濺射的公知方法形成厚度在25和80nm(最好在30和60nm)之間的半導體膜，然后構圖成需要的形狀。在該實施例中，通過等離子體化學汽相沉積形成厚度大約50nm的非晶硅。通過公知的結晶化方法，進行結晶化過程把非晶硅膜形成晶體硅(多晶硅)膜。然后在晶體硅膜上形成圖案，把該膜制成島形。雖然本實施例采用晶體硅膜(多晶硅)，但不特別限制，只要是半導體膜就行。
注意通過本說明書，術語“半導體膜”是指單晶半導體膜、晶體半導體膜(如多晶硅)、非晶半導體膜(如α-Si)或者微晶半導體膜。另外，如硅鍺膜的組合半導體膜也包括在“半導體膜”中。
通過如等離子體CVD或濺射方法形成的含硅絕緣膜，或者由已經被熱氧化的半導體膜形成的氧化膜用于制作第二絕緣膜(柵絕緣膜)105，第二絕緣膜105可以是由一組層片的疊加結構，例如需要時由兩層或三層層片組成。
為了構造用作圖象信號寫入開關的TFT，利用相應島形的半導體膜，采用公知技術有選擇地摻雜雜質元素(如磷或硼)，該雜質元素可把p-型或n-型導電性引入到島形半導體膜中，這樣形成了低電阻源區和漏區，進而形成低電阻區。該低電阻區和漏區相似，均摻雜有雜質元素(一般地為磷或硼)，作為已經制成低電阻的半導體膜一部分。注意選擇性地摻雜雜質元素工藝的順序不是特別地限制。例如，雜質元素可在第一絕緣膜和柵電極形成之前摻雜，或者在柵電極形成之后摻雜。另外，LDD區和補償區可根據電路結構形成。需要注意的是，為簡明起見，在圖中沒有示出相應的區域。
這樣，在半導體膜104的源區和漏區之間形成溝道形成區。
接下來在第一絕緣膜103和第二絕緣膜105上進行選擇性刻蝕，這樣就可形成如圖3B所示通往掃描線102的第一接觸孔100c。
接著在第二絕緣膜105上形成導電膜。然后制作圖案形成柵電極106和電容器引線107。柵電極106和電容器引線107以大約300nm厚度的導電材料形成，導電材料例如為多晶-Si、WSix(X＝2.0到2.8)、Al、Ta、W、Cr和Mo以及其疊加結構，該材料已經摻雜有呈現一定導電性的雜質元素的導電材料。另外，單層可用于形成柵電極106和電容器引線107，但是在需要時也可形成由例如兩層或三層的一組層片組成的疊加結構。在這種情況下，形成島形的每個柵電極通過第一接觸孔100c與掃描線102進行電連接，該接觸孔100c和第一絕緣膜103和第二絕緣膜105一起形成。
島形的柵電極106經過第二絕緣膜105布置在每個象素的溝道形成區上。另外，電容器引線107經過第二絕緣膜105布置在低電阻區。注意存儲電容器可通過增加一個工藝而變大，在該工藝中，把電容器引線107與第二絕緣膜105重疊區域的膜部分地變薄。電容器引線107在信號線方向上連續布置到每個象素上，并在顯示區外圍與地或者與固定電位進行電連接。
接著形成覆蓋柵電極106和電容器107的第三絕緣膜108。通過如等離子體CVD或濺射方法形成的含硅絕緣膜可用于第三絕緣膜108。另外，第三絕緣膜108可由氧化硅膜、氮氧化硅膜或氮化硅膜制成，或者由這些薄膜結合的疊加膜制成。
接著在第二絕緣膜105和第三絕緣膜108上進行選擇性刻蝕，從而分別形成在圖3A和圖3B中示出的第二接觸孔100a和100b，以通往半導體膜(源區或漏區)。
接下來在第三絕緣膜108上形成以Al、W、Ti和TiN作為主要成分的膜或這些元素疊加結構的導電膜(膜厚度500μm)。然后制作引線圖案，這樣形成信號線109和111以及連接象素電極的島狀電極110，象素電極在之后形成。信號線109和111經過接觸半導體膜的第二接觸孔110a和100b，或與源區連接，或與漏區連接。同樣，島狀電極110經過通往半導體膜的第二接觸孔110a，或與源區連接，或與漏區連接。而且，信號線109和111與電容器引線107平行布置。
島狀電極110布置成和信號線109分開。然而，信號線109和島狀電極110均不與源區連在一起。同樣，信號線109和島狀電極110與漏區也不連在一起。
該階段的象素的俯視圖對應于圖1，其中沿圖中1A-A線和B-B線剖開的剖面結構的示意圖分別對應于圖3A和圖3B。
接下來形成覆蓋信號線109和島狀電極110的第四絕緣膜112。第四絕緣膜112可由有機絕緣材料膜、氧化硅膜、氮氧化硅膜或氮化硅膜制成，或者由這些薄膜結合的疊加膜制成。
接著，在第四絕緣膜112上形成具有高效屏蔽光特性的膜，該膜由如Ti、Al、W、Cr或黑色樹脂的材料制成，然后把該膜制作成需要的圖案，這樣可形成光屏蔽膜113。光屏蔽膜113布置成網孔狀，于是除了象素的開口部分外的其它區域可把光屏蔽掉。
在實施例1中，雖然光屏蔽膜113是電浮置的，但是如果選擇低電阻膜作為光屏蔽膜，那么就可能在顯示區外圍把光屏蔽膜控制在可選擇的電勢。
接著在光屏蔽膜113上形成第五絕緣膜114。用有機絕緣材料制成的膜很合適形成第五絕緣膜114。通過利用有機絕緣材料形成第五絕緣膜114，表面可足夠平整。另外，由于有機樹脂材料一般介電常數較低，于是可減少寄生電容。然而，因為有機樹脂材料是吸收劑，所以不適合作保護膜。這樣，第五絕緣膜114可以是氧化硅膜、氮氧化硅膜或氮化硅膜結合的疊加結構。
接下來，在第四絕緣膜112和第五絕緣膜114上進行有選擇地刻蝕，這樣形成第三接觸孔100d通往島狀電極。為方便起見，第三接觸孔100d由圖4中的虛線示出。
接著形成如ITO膜的透明導電膜，然后制作圖案以形成象素電極115。象素電極115經過第三接觸孔100d與島狀電極110連接。每個相應的象素電極單獨布置，于是可覆蓋每個象素電極的開口部分。
用于對液晶層117進行導向的校準膜116形成在制作好的TFT襯底上。然后TFT襯底和相對襯底120通過公知的單元結構技術結合在一起。然后，液晶材料注入到兩個襯底之間并封閉在其中。這樣就完成了液晶盒，其中液晶層容納在兩個襯底之間。
通過進行上述制作步驟，進而布置引線和半導體膜等，根據表2的設計規范，可獲得表面積為236.9μm2象素開口區(孔徑比64.3％)和表面積為62.8μm2存儲電容區。
表2

在實施例1中，在重建的象素區中，需要預備連接柵電極106和掃描線102的接觸孔100c的區域。而且，在實施例1中，上部光屏蔽膜僅僅屏蔽島狀Si膜的溝道形成區外圍部分的光。因此，需要提供帶上部光屏蔽膜的結構。
根據上述結構，因為掃描線102對溝道形成區及其外圍部分起到下部光屏蔽膜的作用，所以從液晶層117射來的光在TFT的下部交界面被反射，接著射在溝道形成區及其外圍部分上。因此，避免了來自TFT的光泄漏的發生，可獲得更好的顯示效果。
在實施例2中，參照圖5的透視圖來描述實施例1所示的有源矩陣型液晶顯示裝置的結構。需要注意的是，對應于實施例1的部分用相同的標號表示。
在圖5中，矩陣襯底包括象素部分、掃描線驅動器電路802、信號線驅動器電路803和其它形成在襯底101上的信號處理電路。在象素部分設有象素TFT800和存儲電容器200，在其外圍區設置的驅動器電路根據CMOS電路來構造。
另外，電容器引線107與信號線109的方向平行設置，作為存儲電容器200的上電極。電容器引線107同時也接地或與固定電勢端連接。
分別來自掃描線驅動器電路802和信號線驅動器電路803的掃描線102和信號線109延伸到象素部分，并與象素TFT800連接。而且，FPC(柔性印制電路)804連接到外部輸入端子805，利用該端子輸入如圖象信號的信號。FPC804牢固地固定有加強樹脂。接著連接引線806和807連接到相應的驅動器電路。在相對襯底808上設置有光屏蔽膜和透明電極，在圖中并未示出。
通過實施本發明形成的象素矩陣電路可用于各種電光器件(有源矩陣型液晶顯示器件，有源矩陣EL顯示器和有源矩陣EC顯示器)中。也就是說，本發明可應用在帶有作為顯示部分的電光器件的所有電子設備中。
下面列出這些電子設備攝象機、數字照相機、投影儀(背投型或前投型)、頭戴顯示器(護目鏡型顯示器)、汽車導航系統、個人計算機、便攜式信息終端(如可移動計算機、蜂窩電話和電子筆記本)等。在圖6A到6F和圖7A到7D中示出了上述中的一些例子。
圖6A示出了個人計算機，該計算機由主機2001、圖象輸入部分2002、顯示部分2003和鍵盤2004組成。本發明可用于顯示部分2003。
圖6B示出了攝象機，該攝象機由主機2101、顯示部分2102、聲頻輸入部分2103、操作開關2104、電池2105和圖象接收部分2106組成。本發明可用在顯示部分2102中。
圖6C示出了可移動計算機，該計算機由主機2201、照相機部分2202、圖象接收部分2203、操作開關2204和顯示部分2205組成。本發明可用在顯示部分2205中。
圖6D示出了護目型顯示器，該護目型顯示器由主體2301、顯示部分2302和鏡腿部2303組成。本發明可用在顯示部分2302中。
圖6E示出了使用其中存儲有程序的記錄媒介的游戲機(后面稱為記錄媒介)，該游戲機由主機2401、顯示部分2402、揚聲器部分2403、記錄媒介2404和操作開關2405。DVD(數字化頻光盤)、壓縮光盤(CD)等可作為記錄媒介使操作者欣賞到音樂和電影，并可進行圖象游戲或上網。本發明可用在顯示部分2402中。
圖6F示出了數字照相機，該照相機由主體2501、顯示部分2502、目鏡部分2503、操作開關2504和圖象接收部分(圖中未示出)組成。本發明可用于顯示部分2502。
圖7A示出了前投型投影儀，該投影儀由投影單元2601、屏幕2602等組成。本發明可用于作為投影單元2601一部分的液晶顯示器2808。
圖7B示出了背投型投影儀，該投影儀由主體2701、投影單元2702、鏡子2703、屏幕2704等組成。本發明可用于作為投影單元2702一部分的液晶顯示器2808。
圖7C中示出了在圖7A和圖7B分別示出的投影單元2601和2702結構的實例。兩個投影單元2601和2702均由光源光學系統2801、鏡子2802和2804到2806、二向色鏡2803、棱鏡2807、液晶顯示器2808、相差板2809和投影光學系統2810組成。投影光學系統2810由包括投射鏡在內的光學系統組成。在實施例3中示出了三個板的系統，但并不特別地限定。例如，也可采用單板的光學系統。另外，操作者可在圖7C中箭頭示出的光學路徑上適當地設置如光學透鏡、偏振膜、調整相差的膜和IR膜等光學系統。
另外，圖7D示出了圖7C的光源光學系統2801結構的實例。在該實施例中，光源光學系統2801由反射器2811、光源2812、透鏡組2813和2814、偏振變換元件2815和聚光鏡2816組成。注意圖7D中示出的光源光學系統是一個實例，并不限于示出的結構。例如，操作者可適當地設定如光透鏡、偏振膜、調整相差的膜和IR膜。
綜上所述，本發明的應用范圍非常寬，可用于所有領域的電子設備中。而且本實施例的電子設備可利用實施例1和2任何結合的組合物來實現。

實施例1中描述了單柵TFT的實例，而在實施例4中將描述雙柵TFT的實例。雖然如此，但它們的結構基本上相同。
首先，絕緣膜形成在具有絕緣表面的襯底401上，然后制作引線圖案，于是形成掃描線402(見圖8A)。掃描線402還起到光屏蔽膜的作用，以保護有源層不受光照射，該有源層將在后面形成。石英襯底作為襯底401，多晶硅膜(具有50nm的膜厚度)和鎢硅(W-Si)膜(具有100nm的厚度)的疊加結構用于掃描線402。另外，多晶硅膜使襯底免受鎢硅膜的污染。
接下來使覆蓋掃描線402的絕緣膜403a和403b形成在100和1000nm(一般在300和500nm之間)之間的厚度(參見圖8b)。在這里，通過采用CVD方法形成的100nm厚的氧化硅和采用LPCVD方法形成的280nm厚的氧化硅膜疊加在一起。
接著形成厚度為10到100nm的非晶半導體膜。在這里通過采用LPCVD方法形成69nm厚的非晶硅膜。接下來，采用在公開號為8-78329的日本專利申請(特開平8-78293)中公開的結晶技術，作為使非晶半導體膜結晶化的結晶技術，進行非晶半導體膜的結晶化。在上述出版物中公開的技術是其中促進結晶化的金屬元素有選擇地摻雜到非晶硅膜中，然后進行熱處理。通過進行熱處理，形成了其結構從摻雜區開始的晶體硅。在這里采用鎳作為促使結晶化的金屬元素。用于結晶化的熱處理(600℃，12小時)在釋放氫的熱處理(450℃，1小時)之后進行。接著Ni從作為TFT的有源層區域中獲得。作為TFT的有源層區域覆蓋有掩膜(氧化硅膜)，然后磷(P)摻雜到部分晶體硅中。接下來在600℃的氮氣下進行12小時的熱處理。
在去掉掩膜后，制作布線圖案，以去除晶體硅膜的不需要部分，這樣形成了半導體層404(參見圖8C(1))。注意在圖8C(2)中示出了在形成半導體層404后的象素的俯視圖。沿圖8C(2)中的虛線A-A’剖開的剖面圖對應于圖8C(1)。
接下來形成掩膜405，然后磷摻雜到半導體層的一部分406(作為存儲電容器的區域)，以形成存儲電容器(參見圖9A)。
接著去掉掩膜405，在形成覆蓋半導體層的絕緣膜后，形成掩膜407。然后去除在區域406上作為存儲電容器的絕緣膜(參見圖9B)。
之后去掉掩膜407，進行熱氧化以形成絕緣膜408a(柵絕緣膜)。經過熱氧化后，柵絕緣膜的最后膜厚度變成80nm。注意絕緣膜408b比作為存儲電容器區域上的其它區域要稍薄(參見圖9C(1))。圖9C(2)中示出了該階段的象素的俯視圖。在圖9(2)中，沿虛線B-B’剖開的剖面圖對應于圖9C(1)。另外，在圖9C(1)和(2)中虛線內示出的區域是薄絕緣膜408b形成的區域。
溝道摻雜過程可在整個表面上或可選擇地進行。該過程可把呈現P-型或N-型導電性的雜質元素以低含量摻雜到將成為TFT的溝道形成區中。溝道摻雜過程是用于控制TFT閾值電壓的過程。注意乙硼烷(B2H6)沒有進行質量分離，但是硼通過等離子體受激離子摻雜方法摻雜。當然，也可采用離子注入技術進行質量分離。
接著，在絕緣膜408a和絕緣膜403a與403b上形成掩膜409，以形成通往掃描線402的接觸孔(參見圖10A)。然后在接觸孔形成后去掉掩膜。
接下來形成導電膜，然后制作布線圖案，以形成柵電極410和電容器引線411(參見圖10B)。在這里采用摻雜有磷的硅膜(具有150nm的膜厚度)和鎢硅膜(具有150nm的膜厚度)的疊加結構，需要注意的是，帶有作為電介質的絕緣膜408b的存儲電容器包括電容器引線411和半導體層部分406。
然后，較低含量的磷利用柵電極410和電容器引線411作掩膜以自對準的方式進行摻雜(參見圖10C(1))。在圖10C(2)中示出了該階段象素的俯視圖。在圖10C(2)中，沿虛線C-C’剖開的剖面圖對應于圖10C(1)。對低含量摻雜的該區域的磷含量進行調整，可使含量變成1×1016到5×1018原子/cm3，一般為3×1017到3×1018原子/cm3。
接下來形成掩膜412，以較高含量摻雜磷，這樣就形成了將成為源區或漏區的較高含量雜質區4B(參見圖11A)。該較高含量雜質的磷含量可進行調整，變成1×1020到1×1021個原子/cm3(一般為2×1020到5×1020個原子/cm3)。與柵電極410交迭的半導體層404的區域變成溝道形成區414，由掩膜412覆蓋的半導體層404的區域變成作為LDD區的較低含量雜質區415。在摻雜雜質元素后去掉掩膜412。
在圖中沒有示出的是，形成在相同襯底作為象素的驅動器電路中利用了P-型溝道TFT，為了形成該P-型溝道TFT，將成為N-型溝道TFT的區域覆蓋有掩膜，然后摻雜有硼，以形成源區或漏區。
在去掉掩膜412后，鈍化膜416接著形成，以覆蓋柵電極410和電容器引線411。在這里鈍化膜采用厚度為70nm的氧化硅膜。接著進行熱處理以激活雜質元素，該雜質元素以相應的含量摻雜到半導體層中可呈現P-型導電性或N-型導電性。熱處理在850℃進行30分鐘。
接下來形成由有機樹脂材料制成的夾層絕緣膜417。在這里采用厚度為400nm的丙烯酸樹脂膜。然后在形成通往半導體層的接觸孔后，形成電極418和電源引線419。在實施例4中，電極418和電源引線419用于三層結構的疊加膜，該疊加膜由依次通過濺射形成的100nm的Ti膜、300nm含Ti的Al膜和150nm的Ti膜(圖11B(1))。在圖11B(2)中，沿虛線D-D’剖開的剖面圖對應于圖11B(1)。
然后進行氫化過程，形成由丙烯酸制成的夾層絕緣膜420(圖12A)。具有高效光屏蔽特性的100nm的導電膜形成在夾層絕緣膜420上，于是形成光屏蔽層421。之后，形成夾層絕緣膜422，然后形成通往柵電極418的接觸孔。形成100nm的透明導電膜(在這里為氧化錫銦(ITO)膜)，并對其進行構圖，以形成象素電極423和424。在圖12B中，沿虛線E-E’剖開的剖面圖對應于圖12A。
因此，在象素區，顯示區的表面區域(象素尺寸為26μm×26μm)(孔徑率為76.5％)可得到保護，同時由N-型TFT形成的象素TFT可形成，并且可獲得足夠的存儲電容值(51.5fF)。
注意實施例4是一個實例，因此，不言而喻，本發明不限于該實施例的過程。例如，從下面一組元素中選擇的元素可制造膜。該元素包括鉭(Ta)、鈦(Ti)、鉬(Mo)、鎢(W)、鉻(Cr)和硅(Si)，或者從這些元素組合的合金膜(一般為Mo-W合金及Mo-Ti合金)中選擇作為相應的導電膜。另外，氧化硅膜、氮化硅膜、氮氧化硅膜以及有機樹脂材料(如聚酰亞胺、丙烯、聚酰胺、聚酰亞胺酰胺和BCB(苯并環丁烯))制成的膜可作為相應的絕緣膜。
于是獲得的TFT特性表現出滿意值。在圖13中示出了TFT的特性(V-I特性)。特別地是，由于本發明是雙柵結構，S-值呈現出105.8(mV/dec)的滿意值。另外，通過制造本發明的結構，在V-I特性圖象中，表示起始點處的電壓值的閾值(Vth)當Vd＝0.1V時為0.964V，當Vd＝5V時為0.886V。這樣，存在了特別小的的差值0.06。可以說差值越小，就越抑制了短溝效應。而且，遷移率(μFF)呈現出220(cm2/Vs)的滿意值. 實施例5的特征在于掃描線502a形成在與柵電極不同的層上，另外，電容器電極502b形成在和掃描線相同的層上，以增加孔徑率以及擴大存儲電容器。本發明的象素結構的實例在圖14和圖15A和圖15B中示出。
注意在圖14中沿虛線A-A’和B-B’剖開的剖面結構圖分別和圖15A和15B對應。
在圖14中，制成島形的柵電極506經過形成在絕緣膜上的接觸孔500c與掃描線502a連接。另外，半導體膜504經過接觸孔500b連接到電極510上。連接到信號線509或連接到電極510上半導體膜的區域稱為源區或漏區。另外，在源區和漏區之間形成溝道形成區，同時柵電極506經過柵絕緣膜存在于溝道形成區上。注意為簡明起見，在圖中沒有示出源區和漏區以及溝道形成區。
在實施例5中，如圖14所示，當在柵電極506的下層形成掃描線502a時，掃描線502a將形成在半導體膜504的下層，于是就起到光屏蔽膜的作用。另外，存儲電容器與作為半導體膜的下電極、覆蓋半導體膜作為電介質的絕緣膜和作為電容器引線507的上電極一起形成。需要注意的是存儲電容可通過使覆蓋半導體膜的絕緣膜部分變薄而增大。
再有，如圖15A和15B所示，實施例5的存儲電容器還可與連接到電容器引線507的電容器電極502b、作為電介質的絕緣膜503一起形成。因此，存儲電容可有效地得到保證，并可提高利用該象素結構的液晶顯示裝置的對比度。需要注意，標號501表示襯底，502表示柵絕緣膜(第二絕緣膜)，508表示第三絕緣膜及511表示信號線。
根據實施例5的結構，每個象素的TFT可以是雙柵結構，其中柵電極經過絕緣膜布置在溝道形成區的上部和下部，當適當調整第一絕緣膜的厚度以改進TFT的特性時，可抑制由掃描線形成的寄生電容。
實施例5中描述的象素結構的制造方法基本上與實施例1或4中的相同，因此在這里對其描述省略。
需要注意的是，實施例5可與實施例1到4中描述結構的任何一個進行隨意組合。
實施例6公開了在減小象素尺寸的情況下提高孔徑率并增大存儲電容器。特別地，本發明的特征在于存儲電容器由光屏蔽膜和象素電極形成。
圖16為示出了本實施例的液晶顯示裝置的剖面圖。標號601表示襯底(TFT襯底)，602表示掃描線，603表示第一絕緣膜，604表示半導體膜，605表示柵絕緣膜(第二絕緣膜)，606b表示柵電極，606c表示柵引線，606a表示電容器引線，607表示第三絕緣膜，608表示經過形成在第三絕緣膜上的接觸孔與象素電極612連接的電極。
標號609表示覆蓋TFT的第四絕緣膜，610表示避免TFT由于光照造成的失真的光屏蔽膜，611表示第五絕緣膜，612表示經過接觸孔與電極608連接的象素電極，以及613表示對液晶層614進行導向的校準膜。
在圖16中，相對電極616和校準膜615布置在相對襯底617上。光屏蔽膜或顏色過濾層也可設置在相對襯底617上。
如圖16所示，本實施例的存儲電容器由第一存儲電容器和第二存儲電容器構成，第一存儲電容器由電容器引線606a、半導體膜604和作為電介質的絕緣膜605組成；第二存儲電容器由光屏蔽膜610、象素電極612和作為電介質的絕緣膜611組成。需要注意的是絕緣膜611可以是有機樹脂膜或者是如氮氧化硅和氧化硅等的無機絕緣膜。絕緣膜的厚度可由操作者適當地確定。
例如，既使象素尺寸設定為14μm×14μm，通過構建圖17B示出的象素電極也可保證存儲電容值(大約100fF)和48.8％的孔徑率。
圖17A為形成電極608的步驟的俯視圖，圖17B為形成光屏蔽膜610和象素電極612的步驟的俯視圖。與圖16對應的部分用相同標號。
圖需要注意的是，實施例6可與實施例1到5中描述結構的任何一種隨意地組合。
根據本發明，在掃描線和掃描線/電容器引線隔離區內傳統上作為引線區的區域(與圖19中A區對應的區域)可用作為存儲電容器。另外，通過構建與相應掃描線連接的象素組而使其各自連接到獨立的電容器引線上，可連續地對每個象素進行信號寫入，既使在進行上述信號寫入時，每個象素也不會受到相鄰象素寫入電流的影響。另外，相應電容器引線的電負載以適時的方式被分散，于是減少了有效負載。這樣，電容器引線電阻的需要就減少了。因此，根據采用本發明的液晶顯示裝置，可獲得這樣的液晶顯示元件，該元件具有較高孔徑率、其中帶有保持充足顯示信號電勢的存儲電容器的相應象素。所以在得到小型化及節電裝置同時，可獲得滿意的圖象顯示。
權利要求
1.一種包括一個像素部分的顯示器件，所述像素部分包括在一個襯底上形成的一條掃描線；形成在所述掃描線上的一層半導體膜，其中所述半導體膜包括一個源區，一個漏區，一個溝道形成區，和作為存儲電容器的一個較低電極的區域；形成在所述溝道形成區上的一個柵極電極；形成在所述較低電極之上的所述存儲電容器的一個較高電極；以及形成在所述柵極電極和所述較高電極上的一條信號線，其中所述較低電極具有與所述信號線平行并覆蓋所述信號線的第一部分，并具有與所述掃描線平行并覆蓋所述掃描線的第二部分，以及其中所述較高電極具有與所述信號線平行并覆蓋所述信號線的第三部分，并具有與所述掃描線平行并覆蓋所述掃描線的第四部分。
2.一種包括一個像素部分的顯示器件，所述像素部分包括在一個襯底上形成的一條掃描線；形成在所述掃描線上的一層半導體膜，其中所述半導體膜包括一個源區，一個漏區，一個溝道形成區，和作為存儲電容器的一個較低電極的區域，并且其中所述源區、所述漏區和所述溝道形成區覆蓋所述掃描線；形成在所述溝道形成區上的一個柵極電極；形成在所述較低電極之上的所述存儲電容器的一個較高電極；以及形成在所述柵極電極和所述較高電極上的一條信號線，其中所述較低電極具有與所述信號線平行并覆蓋所述信號線的第一部分，并具有與所述掃描線平行并覆蓋所述掃描線的第二部分，以及其中所述較高電極具有與所述信號線平行并覆蓋所述信號線的第三部分，并具有與所述掃描線平行并覆蓋所述掃描線的第四部分。
3.一種包括一個像素部分的顯示器件，所述像素部分包括在一個襯底上形成的一條掃描線；形成在所述掃描線上的一層半導體膜，其中所述半導體膜包括一個源區，一個漏區，一個溝道形成區，和作為存儲電容器的一個較低電極的區域；形成在所述溝道形成區上的一個柵極電極；形成在所述較低電極之上的所述存儲電容器的一個較高電極；形成在所述柵極電極和所述較高電極上的一條信號線；以及形成在所述信號線上的一層遮光膜，其中所述遮光膜覆蓋所述半導體膜，其中所述較低電極具有與所述信號線平行并覆蓋所述信號線的第一部分，并具有與所述掃描線平行并覆蓋所述掃描線的第二部分，以及其中所述較高電極具有與所述信號線平行并覆蓋所述信號線的第三部分，并具有與所述掃描線平行并覆蓋所述掃描線的第四部分。
4.根據權利要求1至3中任何一項的顯示器件，其中所述柵極電極包含從由多晶Si、W、WSix、Al、Ta、Cr和Mo形成的組中選擇的至少一種。
5.根據權利要求1至3中任何一項的顯示器件，其中所述存儲電容器的較高電極包含從由多晶Si、W、WSix、Al、Ta、Cr和Mo形成的組中選擇的至少一種。
6.根據權利要求1至3中任何一項的顯示器件，其中所述掃描線包含從由多晶Si、W、WSix、Al、Ta、Cr和Mo形成的組中選擇的至少一種。
7.根據權利要求1至3中任何一項的顯示器件，其中所述信號線包含從由Al、W、Ti和TiN形成的組中選擇的至少一種。
8.根據權利要求1至3中任何一項的顯示器件，其中所述顯示器件是一種液晶顯示器件。
9.根據權利要求1至3中任何一項的顯示器件，其中所述顯示器件被包含在從個人計算機、錄像機、便攜式計算機、護目鏡型顯示器、使用記錄媒質的播放器和數字照相機構成的組中選擇的至少一種裝置中。
10.一種投影儀，包括一個投影單元，所述投影單元包括至少多個鏡面、一個光源和一個顯示器件，其中所述顯示器件包括一個像素部分，所述像素部分包括在一個襯底上形成的一條掃描線；形成在所述掃描線上的一層半導體膜，其中所述半導體膜包括一個源區，一個漏區，一個溝道形成區，和作為存儲電容器的一個較低電極的區域；形成在所述溝道形成區上的一個柵極電極；形成在所述較低電極之上的所述存儲電容器的一個較高電極；以及形成在所述柵極電極和所述較高電極上的一條信號線，其中所述較低電極具有與所述信號線平行并覆蓋所述信號線的第一部分，并具有與所述掃描線平行并覆蓋所述掃描線的第二部分，以及其中所述較高電極具有與所述信號線平行并覆蓋所述信號線的第三部分，并具有與所述掃描線平行并覆蓋所述掃描線的第四部分。
11.一種投影儀，包括一個投影單元，所述投影單元包括至少多個鏡面、一個光源和一個顯示器件，其中所述顯示器件包括一個像素部分，所述像素部分包括在一個襯底上形成的一條掃描線；形成在所述掃描線上的一層半導體膜，其中所述半導體膜包括一個源區，一個漏區，一個溝道形成區，和作為存儲電容器的一個較低電極的區域，并且其中所述源區、所述漏區和所述溝道形成區覆蓋所述掃描線；形成在所述溝道形成區上的一個柵極電極；形成在所述較低電極之上的所述存儲電容器的一個較高電極；以及形成在所述柵極電極和所述較高電極上的一條信號線，其中所述較低電極具有與所述信號線平行并覆蓋所述信號線的第一部分，并具有與所述掃描線平行并覆蓋所述掃描線的第二部分，以及其中所述較高電極具有與所述信號線平行并覆蓋所述信號線的第三部分，并具有與所述掃描線平行并覆蓋所述掃描線的第四部分。
12.一種投影儀，包括一個投影單元，所述投影單元包括至少多個鏡面、一個光源和一個顯示器件，其中所述顯示器件包括一個像素部分，所述像素部分包括在一個襯底上形成的一條掃描線；形成在所述掃描線上的一層半導體膜，其中所述半導體膜包括一個源區，一個漏區，一個溝道形成區，和作為存儲電容器的一個較低電極的區域；形成在所述溝道形成區上的一個柵極電極；形成在所述較低電極之上的所述存儲電容器的一個較高電極；形成在所述柵極電極和所述較高電極上的一條信號線；以及形成在所述信號線上的一層遮光膜，其中所述遮光膜覆蓋所述半導體膜，其中所述較低電極具有與所述信號線平行并覆蓋所述信號線的第一部分，并具有與所述掃描線平行并覆蓋所述掃描線的第二部分，以及其中所述較高電極具有與所述信號線平行并覆蓋所述信號線的第三部分，并具有與所述掃描線平行并覆蓋所述掃描線的第四部分。
13.根據權利要求10至12中任何一項的投影儀，其中所述柵極電極包含從由多晶Si、W、WSix、Al、Ta、Cr和Mo形成的組中選擇的至少一種。
14.根據權利要求10至12中任何一項的投影儀，其中所述存儲電容器的較高電極包含從由多晶Si、W、WSix、Al、Ta、Cr和Mo形成的組中選擇的至少一種。
15.根據權利要求10至12中任何一項的投影儀，其中所述掃描線包含從由多晶Si、W、WSix、Al、Ta、Cr和Mo形成的組中選擇的至少一種。
16.根據權利要求10至12中任何一項的投影儀，其中所述信號線包含從由Al、W、Ti和TiN形成的組中選擇的至少一種。
17.根據權利要求10至12中任何一項的投影儀，其中所述投影儀是前投式投影儀和背投式投影儀中的至少一種。
全文摘要
通過保證充足存儲電容值(Cs)時獲得較高孔徑率，同時通過以適時方式分散電容器引線的負載(象素寫入電流)以有效地減少負載，從而提供一種液晶顯示裝置。掃描線形成在與柵電極不同的層面上，電容器布置成與信號線平行。每個象素通過電介質與各自獨立的電容器引線連接。這樣，可避免由相鄰象素的寫入電流產生的電容器引線的電勢變化，進而獲得了滿意的顯示圖象。
文檔編號H01L21/84GK1979877SQ20061009590
公開日2007年6月13日 申請日期2000年8月30日 優先權日1999年8月31日
發明者柴田寬, 磯部敦生 申請人:株式會社半導體能源研究所