專利名稱：平板顯示器及其制造與控制方法
技術領域：
本發明涉及平板顯示器及其制造方法，具體而言涉及一種平板顯示器及其動其的方法，通過與外部系統連接的金屬構件和形成于導電基板的基板暴露部分上的接地單元對導電基板施加反向偏壓(back bias)從而改善了薄膜晶體管的特性，和/或避免了由大量靜電噪聲產生的閾值電壓的減小和/或波動，和/或避免了不期望的電壓被供給到導電基板。
背景技術：
進來，使用形成于具有絕緣表面的基板上的半導體層來形成薄膜晶體管的技術已經吸引了許多的關注。薄膜晶體管可以廣泛地應用于比如集成電路(IC)的電子裝置或光電設備。因為玻璃和/或石英被用于形成薄膜晶體管，所以薄膜晶體管可能是脆弱的和/或比較厚而且重。然而，電子裝置，特別例如使用薄膜晶體管的顯示裝置應當是輕的且不太脆弱。
為了解決與使用玻璃基板相關的問題，提出了一種比較薄且不脆弱的材料。例如，已經提出了形成于導電基板上的薄膜晶體管，且正在活躍地研究使用導電基板材料的平顯示面板的開關元件和驅動電路。
參考圖1和2，顯示了包括形成薄膜晶體管的導電基板的常規的平板顯示器。
圖1示出了根據現有技術的平板顯示器1’的簡化的平面圖，圖2示出了沿圖1的I-I’線所取的焊墊(pad)單元的剖面圖。參考圖1和2，根據現有技術的平板顯示器1’包括形成圖像顯示單元11和焊墊單元12，以及與焊墊單元12電連接的接口板(interface panel)14。
形成于導電基板10上的圖片顯示單元(圖像顯示單元)11包括多個薄膜晶體管(未顯示)，且焊墊單元12包括緩沖層22、形成于緩沖層22上的層間絕緣層23、形成于層間絕緣層23上的多個端子13、和形成于導電基板10的下側上的下絕緣層20。
接口板14形成了多個接口端子15，其中多個接口端子15形成于與形成在焊墊單元12上的端子13相對應的位置，且用于與端子13電連接。一般地，可以將接口板14分為將控制器存儲在其內部的嵌入型或與外部的控制器連接的外部型，且可以主要使用柔性印刷電路板(FPCB)和集成電路。
如上所述，形成薄膜晶體管和/或平板顯示器1’的導電基板10的特性之一是可以根據施加到導電基板10的反向偏壓來改變薄膜晶體管的閾值電壓。
圖3示出了根據施加到薄膜晶體管的反向偏壓的電特性減小。
如圖3所示，X軸代表了供給到薄膜晶體管的柵極偏壓，且Y軸代表了漏電流。如圖所示，如果施加到導電基板的反向偏壓值高，則增加了閾值電壓的偏移。因此，通過調整施加到形成薄膜晶體管的導電基板上的反向偏壓，可以如電路型調諧閾值電壓。
然而，在形成導電基板上的薄膜晶體管的結構中，在由于大量靜電噪聲而引起不期望的電壓被供給到導電基板的情形，和/或不可預測的電荷積聚在導電基板上的情形，如電路型的調諧變得非常困難，因為薄膜晶體管的預調節的閾值電壓與基準指定值不同。另外，問題在于，當形成于導電基板上的薄膜晶體管的閾值電壓與基準指定值不同時，在使用薄膜晶體管的顯示裝置上顯示的各種顏色所顯示的亮度、灰度和對比度改變了。
發明內容
因此，本發明的一個方面是提供一種平板顯示器及其制造方法，其可以通過調整施加到導電基板的反向偏壓來避免薄膜晶體管的電特性減小。
另外，本發明的另一方面是提供一種平板顯示器及其驅動方法，其可以避免不期望的電壓被供給形成薄膜晶體管的基板和由大量靜電噪聲產生的閾值電壓的波動等。
另外，本發明的再一個方面是提供一種控制平板顯示器的特性的方法。
因此，本發明的第一方面提供了一種平板顯示器，其具有導電基板，形成具有至少一個薄膜晶體管的圖像顯示單元和包括多個端子的焊墊單元，其中導電基板與多層絕緣層層疊來形成圖像顯示單元和焊墊單元；基板暴露部分，用于暴露導電基板，通過去除形成于焊墊單元上的絕緣層的至少一個區域來形成；系統控制板，用于通過基板暴露部分供給反向偏壓，其中系統控制板與焊墊單元電連接；和金屬構件，用于將反向偏壓傳輸到導電基板，其中金屬構件形成于基板暴露部分和系統控制板之間。
在一個實施例中，系統控制板通過接口板與金屬構件和相應的一個端子電連接，且還包括與相應的一個端子和金屬構件連接的接口端子，以及用于調整提供到導電基板的反向偏壓的控制器。
在一個實施例中，金屬構件包括與端子形成在同一高度水平的金屬銷，且薄膜晶體管是PMOS型，且其中施加到導電基板的反向偏壓是負反向偏壓。在一個實施例中，薄膜晶體管是NMOS型，且其中施加到導電基板的反向偏壓是正反向偏壓。在一個實施例中，范圍從-0.1V到-20V的負反向偏壓被施加到導電基板。而且，范圍從0.1V到20V的正反向偏壓被施加到導電基板。
在一個實施例中，形成有相應的一個端子的焊墊單元和金屬構件的焊墊單元通過導電膠與接口板壓連接，且通過完全去除形成于導電基板上的絕緣層來形成基板暴露部分。而且，通過濕蝕刻方法、干蝕刻方法和/或反應離子蝕刻方法來去除絕緣層。另外，使用蒸鍍方法或涂布方法通過在基板暴露部分層疊金屬材料且通過構圖該層疊的金屬材料來形成金屬構件。而且，導電基板包括不銹鋼、鈦、鉬、鐵和/或鈷。
根據本發明的第二方面，提供有一種驅動平板顯示器的方法，所述平板顯示器包括導電基板，形成具有至少一個薄膜晶體管的圖像顯示單元和包括多個端子的焊墊單元，其中導電基板與多層絕緣層層疊來形成圖像顯示單元和焊墊單元；基板暴露部分，用于暴露導電基板，通過去除形成于焊墊單元上的絕緣層的至少一個區域來形成；系統控制板，用于通過基板暴露部分供給反向偏壓，其中系統控制板與焊墊單元電連接；和金屬構件，用于將反向偏壓傳輸到導電基板，其中金屬構件形成于基板暴露部分和系統控制板之間，所述方法包括的步驟為通過與基板暴露部分電連接的系統控制板來將反向偏壓供給到導電基板。
根據本發明的第三方面，提供有一種平板顯示器，所述平板顯示器包括導電基板，形成具有至少一個薄膜晶體管的圖像顯示單元和包括多個端子的焊墊單元，其中導電基板與多層絕緣層層疊來形成圖像顯示單元和焊墊單元；基板暴露部分，形成于焊墊單元上的絕緣層的至少一個區域上且用于暴露導電基板；金屬構件，提供在基板暴露部分中且接觸導電基板；和接口面板，用于向導電基板提供外部控制信號，其中接口板具有與焊墊單元和金屬構件連接的接口端子。
在一個實施例中，平板顯示器還包括用于接地導電基板的接地部分；和形成于導電基板下的下絕緣層，其中所述接地部分與金屬構件連接。
根據本發明的第四方面，提供一種控制平板顯示器的特性的方法，所述方法包括將導電基板與多層絕緣層層疊以形成具有至少一個薄膜晶體管的圖像顯示單元和具有多個端子的焊墊單元；去除焊墊單元上的絕緣層的至少一個區域來暴露導電基板來形成基板暴露部分；從系統控制板通過基板暴露部分提供反向偏壓，其中系統控制板與焊墊單元電連接；形成金屬構件，金屬構件用于將所述反向偏壓傳輸到導電基板，其中金屬構件形成于基板暴露部分和系統控制板之間；以及將反向偏壓通過與基板暴露部分電連接的系統控制板而提供到導電基板。
附圖與說明書一起示出了本發明的示范性實施例，且與說明書一起用于解釋本發明的原理。
圖1示出了根據現有技術的平板顯示器的簡化平面圖；圖2示出了沿圖1的I-I’線所取的焊墊單元的剖面圖；圖3示出了根據施加到薄膜晶體管的反向偏壓的電特性減小；圖4示出了根據本發明的實施例的平板顯示器的簡化的平面圖；圖5示出了沿圖4的II-II’線所取的本發明的第一實施例的焊墊單元的剖面圖；圖6示出了沿圖4的II-II’線所取的本發明的第二實施例的焊墊單元的剖面圖；圖7示出了根據本發明的實施例的平板顯示器的簡化的平面圖；圖8示出了沿圖7的III-III’線所取的本發明的第三實施例的焊墊單元的剖面圖；圖9A和9B示出了根據施加到本發明的基板的反向偏壓的電特性減小；圖10示出了根據本發明的實施例的平板顯示器的簡化的平面圖；圖11示出了沿圖10的IV-IV’線所取的本發明的第四實施例的焊墊單元的剖面圖；圖12示出了沿圖10的IV-IV’線所取的本發明的第五實施例的焊墊單元的剖面圖；以及圖13示出了沿圖10的IV-IV’線所取的本發明的第六實施例的焊墊單元的剖面圖。
以下的詳細描述將僅為了示出的目的且不旨在限制本發明的范圍。
具體實施例方式
在以下的詳細說明中，通過示例顯示并說明了本發明的某些示范性實施例。本領域的技術人員可以理解所述的示范性實施例可以以各種方法改變，而不脫離本發明的精神或范圍。因此，附圖和說明被認為本質上是說明性的而不是限制性的。可以存在附圖中顯示的部件，或存在附圖中未顯示的部件，其在說明書中未討論，因為它們對于完整理解本發明并不重要。相似的參考標號指示相似的元件。這里，當第一元件連接到第二元件或與第二元件連接時，所述元件可以不僅直接連接到第二元件或直接與第二元件連接，而且還可以通過第三元件不直接連接到第二元件或不直接與第二元件連接。
參考圖4到11，將更詳細地說明本發明的實施例。圖4示出了根據本發明的實施例的平板顯示器1的簡化平面圖。參考圖4，平板顯示器1包括圖像顯示單元41，其具有至少一個薄膜晶體管；和形成多個端子45的焊墊單元42。平板顯示器1包括導電基板，在導電基板上層疊了多層絕緣層以形成圖像顯示單元41和焊墊單元42。通過去除形成于焊墊單元42上的絕緣層的至少一層的至少一個區域來形成基板暴露部分44，且然后暴露此處的導電基板。另外，平板顯示器1包括用于將反向偏壓供給到基板暴露部分44的系統控制板48，其中系統控制板48與焊墊單元42電連接；以及平板顯示器1包括金屬構件43，用于將反向偏壓傳輸給導電基板，其中金屬構件43形成于基板暴露部分44和系統控制板48之間。
在圖4中，接口板46和系統控制板48通過連接線50彼此連接，但是當然它們可以通過多根連接線連接。
導電基板可以由不銹鋼(SUS)、鈦、鉬、鐵和/或鈷形成，但不限于此。
而且，金屬構件43與基板暴露部分44連接且對導電基板傳輸從系統控制板48提供的反向偏壓，且金屬構件43形成與形成于焊墊單元42中形成的端子45平齊。通過使用蒸鍍和/或涂布在基板暴露部分44上層疊金屬材料并構圖所述層疊的金屬材料來形成金屬構件43。
系統控制板48還包括與端子45和金屬構件43連接的接口端子47和用于調整提供到導電基板的反向偏壓的控制器49。而且，通過去除形成于導電基板上的所有絕緣層來形成基板暴露部分44。可以通過進行濕蝕刻方法、干蝕刻方法和/或反應離子蝕刻方法，基板暴露部分44可以去除導電基板上的絕緣層。
形成端子45的焊墊單元42和金屬構件43以及接口板46擠壓在一起，且然后用導電膠與彼此連接。導電膠是各向異性的導電膜，通過加壓和/或加熱各向異性導電膜來將焊墊單元42與金屬構件43連接，從而可以減小(或消除)膠的破裂，該破裂可能是通過由于壓力或者熱退化引起的基底的撓曲而產生的。
通過系統控制板48為導電基板提供的反向偏壓是負反向偏壓。例如，如果在PMOS薄膜晶體管的情形提供了負反向偏壓，則提高了遷移率和漏電流特性，且閾值電壓增加接近“0”值。在一個實施例中，根據本發明的平板顯示器1是有機發光顯示器。
圖5示出了顯示沿圖4的II-II’線所取的本發明的第一實施例的焊墊單元的剖面圖。
參考圖5，緩沖層52形成于導電基板51上(例如，上述圖4中的導電基板)，從而避免對導電基板51的損傷，且可以由包括氧化硅(SiO2)和/或氮化硅(SiNx)的無機絕緣材料形成，或可以由比如丙烯酸有機化合物、聚酰胺、聚酰亞胺等的有機絕緣材料形成。根據本發明的示范性實施例的緩沖層52由氧化硅(SiO2)和/或氮化硅(SiNx)形成，但不限于它們。
形成于緩沖層52上的柵極絕緣層53起到絕緣柵電極和半導體層(未顯示)的作用。多個端子45形成于柵極絕緣層53上，且完全去除在形成有任何一個端子45的位置的導電基板51上的絕緣層，且然后形成基板暴露部分44。通過濕蝕刻方法、干蝕刻方法和反應離子蝕刻方法中任何一種方法，可以去除該絕緣層。
使用蒸鍍和涂布的任何適當的方法在基板暴露部分上層疊金屬材料，且然后構圖層疊的金屬材料以形成金屬構件，從而形成金屬構件(例如，圖4的金屬構件43)。在圖5中，金屬構件被示為金屬銷54。金屬銷54形成得與端子45平齊。金屬銷54與形成于接口板(未顯示)中的接口端子(未顯示)連接，且將反向偏壓提供到導電基板51，由此提高薄膜晶體管的遷移率、閾值和漏電流特性。
圖6示出了沿圖4的II-II’線所取的本發明的第二實施例的焊墊單元的剖面圖。為了方便，省略了上述的第一實施例中的相同元件的具體說明。更具體而言，將省略絕緣以及形成于導電基板上的絕緣方法的具體說明。
參考圖6，下絕緣層60形成于導電基板61(例如，上述的圖4中的導電基板)下，且下絕緣層60起到減小加工中施加到導電基板61的應力的作用。緩沖層62、柵極絕緣層63和層間絕緣層64順序形成于導電基板61上。將多個端子45形成于絕緣層64上；完全去除在形成有端子45之一的位置的導電基板61上的層間絕緣層64，且然后形成基板暴露部分44。使用蒸鍍和涂布的任何適當的方法在基板暴露部分上層疊金屬材料，且然后構圖層疊的金屬材料以形成金屬構件，從而形成金屬構件(例如，圖4的金屬構件43)。在圖6中，金屬構件被示為金屬銷65。金屬銷65與形成于接口板(未顯示)中的接口端子(未顯示)連接，且將反向偏壓從形成控制器49的系統控制板48提供到導電基板61，由此提高薄膜晶體管的遷移率、閾值和漏電流特性。
圖7示出了根據本發明的實施例的平板顯示器2的簡化的平面圖。
參考圖7，平板顯示器2包括具有至少一個薄膜晶體管的圖像顯示單元71和形成多個端子75的焊墊單元72。平板顯示器2還包括導電基板，在該導電基板上層疊了多層絕緣層以形成圖像顯示單元71和焊墊單元72。通過消除形成于焊墊單元42上的絕緣層的至少一層的至少一個區域來形成基板暴露部分74，且然后暴露此處的導電基板。另外，平板顯示器2包括用于將反向偏壓供給到基板暴露部分74的系統控制板76，其中系統控制板76與焊墊單元72電連接；以及平板顯示器包括金屬構件73，用于將反向偏壓傳輸給導電基板，其中金屬構件73形成于基板暴露部分74和系統控制板76之間。系統控制板76形成了將端子75與用于調節提供到導電基板的反向偏壓的控制器78如一個整體般連接的接口端子77。
圖8示出了沿圖7的III-III’線所取的本發明的第三實施例的焊墊單元的剖面圖。參考圖8，下絕緣層80形成于導電基板81(例如，上述的圖7中的導電基板)下；緩沖層82、柵極絕緣層83和層間絕緣層84順序形成于導電基板81上。多個第一端子75’形成于柵極絕緣層83上；層間絕緣層84形成于多個第一端子75’上；多個第二端子75”形成于層間絕緣層84上。形成于柵極絕緣層83上的多個第一端子75’和形成于層間絕緣層84上的多個第二端子75”通過接觸孔86彼此電連接。完全去除在形成有一個端子75的位置的導電基板81上的絕緣層，且然后形成基板暴露部分74。使用蒸鍍和涂布的任何適當的方法在基板暴露部分74上層疊金屬材料，且然后構圖層疊的金屬材料來形成金屬銷85，其與端子75平齊。金屬銷85與形成于接口板(未顯示)中的接口端子(未顯示)連接，且將反向偏壓從系統控制板提供到導電基板，由此提高薄膜晶體管的遷移率、閾值和漏電流特性。
圖9A和9B示出了根據施加到本發明的基板的反向偏壓的電特性減小。如圖9A所示，X軸代表了提供到導電基板的反向偏壓，且Y軸代表了形成于導電基板上的低溫多晶硅薄膜晶體管的遷移率和漏電流。如圖所示，如果在PMOS薄膜晶體管的情形，提供到導電基板上的正偏壓高，則增加了薄膜晶體管元件的漏電流、減小了遷移率且提高了操作特性。
例如，在將反向偏壓(-10V)提供到導電基板的情形，漏電流是1.1×10-12A且遷移率是12.15cm2/Vsec。另一方面，在將反向偏壓(10V)提供到導電基板的情形，漏電流是1.35×10-12A且遷移率是11.95cm2/Vsec。在將負反向偏壓(-15V)提供到導電基板的情形，漏電流是1.0×10-12A且遷移率是12.25cm2/Vsec。
實驗結果顯示，如果在PMOS型薄膜晶體管的情形，取代負反向偏壓值的提供到導電基板上的正反向偏壓值高，則顯著提高了薄膜晶體管元件的漏電流和遷移率的操作特性。如果增加了負反向偏壓，則操作特性被過度提高。
參考圖9B，X軸代表了提供到導電基板的反向偏壓，且Y軸代表了形成于導電基板上的低溫多晶硅薄膜晶體管的閾值電壓和S斜度(S-slop)。如圖所示，如果在PMOS薄膜晶體管的情形，取代負反向偏壓的提供到導電基板上的正偏壓高，則減小了閾值電壓，且減弱了薄膜晶體管元件的操作特性；但是如果將負反向偏壓提供到導電基板上，則增加了閾值電壓。如果增加了提供到導電基板上的反向偏壓的絕對值，還增加了S斜度。
例如，在將反向偏壓(-10V)提供到導電基板的情形，閾值電壓是-7.0V。另一方面，在將反向偏壓(10V)提供到導電基板的情形，閾值電壓是-8.2V。而且，在將-5V的反向偏壓提供到導電基板的情形，S斜度是-1.24V/dec。另一方面，在將15V的反向偏壓提供到導電基板的情形，S斜度是-1.30V/dec。
實驗結果顯示，如果在PMOS型薄膜晶體管的情形，取代正反向偏壓值的提供到導電基板上的負反向偏壓值高，則顯著提高了薄膜晶體管元件的閾值電壓的操作特性。另外，如果具有絕對值相對較大的反向偏壓，而非具有絕對值相對較小的反向偏壓，被提供到導電基板，則顯著增加了S斜度的操作特性。
圖10示出了根據本發明的實施例的平板顯示器的簡化的平面圖。
參考圖10，平板顯示器3包括圖像顯示單元101和形成多個端子105的焊墊單元102。
平板顯示器3還包括導電基板，在導電基板上層疊了多層絕緣層以形成圖像顯示單元101和焊墊單元102；通過消除形成于焊墊單元102上的絕緣層的至少一層的至少一個區域來形成基板暴露部分104，且然后暴露此處的導電基板；金屬構件103，設置于基板暴露部分104中且與導電基板接觸；以及接口板106，用于為導電基板提供從外部提供的控制信號，其中接口板106具有與焊墊單元102的端子以及金屬構件103連接的接口端子107。
金屬構件103起到將導電基板接地的作用，其中金屬構件103與形成于接口板106上的接口端子75連接。
圖11示出了沿圖10的IV-IV’線所取的本發明的第四實施例的焊墊單元的剖面圖。
參考圖11，下絕緣層110形成于導電基板111(例如，上述的圖10中的導電基板)下，且起到減小在加工時施加到導電基板111的應力的作用。
緩沖層112形成于導電基板111上以避免對于導電基板111的損傷。柵極絕緣層113形成于緩沖層112上且起到絕緣柵電極(未顯示)和半導體層(未顯示)的作用。多個端子105形成于柵極絕緣層113上，完全去除在形成有一個端子105的位置的導電基板111上的絕緣層，且然后形成基板暴露部分104。
使用蒸鍍和涂布的任何適當的方法在基板暴露部分104上層疊金屬材料，且然后構圖層疊的金屬材料來形成金屬銷114。金屬銷114形成得與端子105平齊。金屬銷114與形成于接口板(未顯示)中的接口端子(未顯示)連接，且將反向偏壓提供到導電基板111，由此減小由于隨機提供到導電基板111的電壓和/或大量靜電噪聲產生的閾值電壓的減小。
圖12和13示出了沿圖10的IV-IV’線所取的本發明的第五和第六實施例的焊墊單元的剖面圖。為了方便，省略了上述的第四實施例中的相同元件的具體說明。更具體而言，將省略絕緣以及形成于導電基板上的絕緣的去除方法的具體說明。
參考圖12，緩沖層121、柵極絕緣層122和層間絕緣層123形成于導電基板120(例如，上述的圖10中的導電基板)上。多個端子105形成于層間絕緣層123上；完全去除在形成有任一端子105的位置的導電基板120上的層間絕緣層123；然后形成基板暴露部分104。金屬銷124形成于基板暴露部分104中，且通過與金屬銷124連接的外部接地單元125將導電基板120接地，由此避免由隨機提供到導電基板111的電壓和/或大量靜電噪聲產生的閾值電壓的減小。
參考圖13，下絕緣層130形成于導電基板131(例如，上述的圖10中的導電基板)下，且緩沖層132、柵極絕緣層133形成于導電基板131上。多個第一端子105，形成于柵極絕緣層133上；層間絕緣層134形成于多個第一端子105，上；多個第二端子105”形成于層間絕緣層134上。形成于柵極絕緣層133上的多個第一端子105’和形成于層間絕緣層134上的多個第二端子105”通過接觸孔136彼此電連接。完全去除在形成有任一端子105的位置的導電基板131上的絕緣層，且然后形成基板暴露部分104。在第六實施例的一端，金屬銷135形成且接觸基板暴露部分104，且金屬銷135與外部接口板(未顯示)連接，且通過與金屬銷135連接的外部接地單元137將導電基板131接地，由此避免由隨機提供到導電基板111的電壓和/或大量靜電噪聲產生的閾值電壓的減小。
如上所述，在所述的示范性實施例中，層疊所有形成于導電基板上的絕緣層且然后蝕刻絕緣層來形成基板暴露部分，但是沒有形成絕緣層的方法也可以在本發明的范圍內，其在導電基板上層疊絕緣層的情形在形成基板暴露部分的位置使用掩模。另外，可以不同的變化端子的形成位置，基板暴露部分可以形成于多于兩個的區域中，且金屬構件的形式可以被形成為與金屬銷形式不同的其它形式。
雖然已經說明了對于PMOS薄膜晶體管將從-0.1V到-20V的負反向偏壓提供到導電基板的示范性實施例，但是對于NMOS薄膜晶體管將從0.1V到20V的正反向偏壓提供到導電基板也將在本發明的范圍內，因為其效果與上述的PMOS示范性實施例相同。當然，可以對于NMOS薄膜晶體管將正反向偏壓提供給導電基板。
而且，在一個實施例中，基板暴露部分形成于焊墊單元上，焊墊單元形成于導電基板的一端，且導電基板通過與導電基板連接的金屬銷接地，由此避免提供不期望的電壓、和/或由大量噪聲產生的閾值電壓的減小、和/或亮度、灰度和對比度的變化。
雖然結合某些示范性實施例描述了本發明，然而本領域的一般技術人員可以理解本發明不限于所公開的實施例，而是相反旨在覆蓋包括在權利要求及其等同物的精神和范圍內的各種改變。
權利要求
1.一種平板顯示器，包括導電基板，形成具有至少一個薄膜晶體管的圖像顯示單元和包括多個端子的焊墊單元，其中所述導電基板與多層絕緣層層疊來形成所述圖像顯示單元和所述焊墊單元；基板暴露部分，用于暴露所述導電基板，其中所述基板暴露部分通過去除形成于所述焊墊單元上的絕緣層的至少一個區域來形成；系統控制板，用于通過所述基板暴露部分供給反向偏壓，其中所述系統控制板與所述焊墊單元電連接；和金屬構件，用于將所述反向偏壓傳輸到所述導電基板，其中所述金屬構件形成于所述基板暴露部分和系統控制板之間。
2.如權利要求1所述的平板顯示器，其中所述系統控制板通過接口板與所述金屬構件和相應的一個所述端子電連接。
3.如權利要求1所述的平板顯示器，其中所述系統控制板還包括與相應的一個所述端子和金屬構件連接的接口端子，以及包括用于調整提供到導電基板的反向偏壓的控制器。
4.如權利要求2所述的平板顯示器，其中所述金屬構件包括與所述端子形成在同一高度水平的金屬銷。
5.如權利要求1所述的平板顯示器，其中所述至少一個薄膜晶體管是PMOS型，且其中施加到所述導電基板的反向偏壓是負反向偏壓。
6.如權利要求5所述的平板顯示器，其中范圍從-0.1V到-20V的所述負反向偏壓被施加到所述導電基板。
7.如權利要求1所述的平板顯示器，其中所述薄膜晶體管是NMOS型，且其中施加到導電基板的反向偏壓是正反向偏壓。
8.如權利要求7所述的平板顯示器，其中范圍從0.1V到20V的所述正反向偏壓被施加到所述導電基板。
9.如權利要求3所述的平板顯示器，其中形成有相應的一個所述端子的焊墊單元和所述金屬構件的焊墊單元通過導電膠與所述接口板壓連接。
10.如權利要求1所述的平板顯示器，其中通過完全去除所述絕緣層來暴露所述導電基板來形成所述基板暴露部分。
11.如權利要求10所述的平板顯示器，其中通過濕蝕刻方法、干蝕刻方法和/或反應離子蝕刻方法來去除絕緣層。
12.如權利要求1所述的平板顯示器，其中使用蒸鍍方法或涂布方法通過在所述基板暴露部分層疊金屬材料且通過構圖所述層疊的金屬材料來形成所述金屬構件。
13.如權利要求1所述的平板顯示器，其中所述導電基板包括不銹鋼、鈦、鉬、鐵和/或鈷。
14.一種驅動平板顯示器的方法，所述平板顯示器包括導電基板，形成具有至少一個薄膜晶體管的圖像顯示單元和包括多個端子的焊墊單元，其中所述導電基板與多層絕緣層層疊來形成所述圖像顯示單元和所述焊墊單元；基板暴露部分，用于暴露所述導電基板，其中通過去除形成于所述焊墊單元上的絕緣層的至少一個區域來形成所述基板暴露部分；系統控制板，用于通過所述基板暴露部分提供反向偏壓，其中所述系統控制板與所述焊墊單元電連接；和金屬構件，用于將所述反向偏壓傳輸到所述導電基板，其中所述金屬構件形成于所述基板暴露部分和所述系統控制板之間，所述方法包括通過與所述基板暴露部分電連接的系統控制板來將所述反向偏壓提供給導電基板。
15.如權利要求14所述的方法，其中所述至少一個薄膜晶體管是PMOS型，且其中施加到所述導電基板的反向偏壓是負反向偏壓。
16.如權利要求15所述的方法，其中范圍從-0.1V到-20V的所述負反向偏壓被施加到所述導電基板。
17.如權利要求14所述的方法，其中所述薄膜晶體管是NMOS型，且其中施加到導電基板的反向偏壓是正反向偏壓。
18.如權利要求17所述的方法，其中范圍從0.1V到20V的所述正反向偏壓被施加到所述導電基板。
19.一種平板顯示器，包括導電基板，形成圖像顯示單元和包括多個端子的焊墊單元，其中所述導電基板與多層絕緣層層疊來形成所述圖像顯示單元和所述焊墊單元；基板暴露部分，形成于所述焊墊單元上的絕緣層的至少一個區域上且暴露所述導電基板；金屬構件，提供在所述基板暴露部分中且接觸所述導電基板；和接口板，用于向所述導電基板提供外部控制信號，其中所述接口板具有與所述焊墊單元和所述金屬構件連接的接口端子。
20.根據權利要求19所述的平板顯示器，還包括用于接地所述導電基板的接地部分，其中所述接地部分與所述金屬構件連接。
21.根據權利要求19所述的平板顯示器，還包括形成于所述導電基板下的下絕緣層。
22.一種控制平板顯示器的特性的方法，所述方法包括將導電基板與多層絕緣層層疊以形成具有至少一個薄膜晶體管的圖像顯示單元和具有多個端子的焊墊單元；去除所述焊墊單元上的絕緣層的至少一個區域來暴露所述導電基板來形成基板暴露部分；從系統控制板通過所述基板暴露部分提供反向偏壓，其中所述系統控制板與所述焊墊單元電連接；形成金屬構件，所述金屬構件用于將所述反向偏壓傳輸到所述導電基板，其中所述金屬構件形成于所述基板暴露部分和系統控制板之間；以及將所述反向偏壓通過與所述基板暴露部分電連接的所述系統控制板而提供到所述導電基板。
全文摘要
本發明公開了一種平板顯示器及其驅動和控制方法。所述平板顯示器，包括導電基板，形成具有至少一個薄膜晶體管的圖像顯示單元和包括多個端子的焊墊單元，其中導電基板與多層絕緣層層疊來形成圖像顯示單元和焊墊單元；基板暴露部分，用于暴露導電基板，其中基板暴露部分通過去除形成于焊墊單元上的絕緣層的至少一個區域來形成；系統控制板，用于通過基板暴露部分供給反向偏壓，其中系統控制板與焊墊單元電連接；和金屬構件，用于將反向偏壓傳輸到導電基板，其中金屬構件形成于基板暴露部分和系統控制板之間。
文檔編號H01L27/28GK1892742SQ200610094368
公開日2007年1月10日 申請日期2006年6月29日 優先權日2005年6月29日
發明者鄭在景, 具在本, 申鉉秀, 權世烈, 牟然坤 申請人:三星Sdi株式會社