專利名稱：有機發光顯示裝置及其制造方法
技術領域：
本發明涉及有機發光顯示裝置及其制造方法，更具體來講，涉及包括由含有釤(Sm)、鋱(Tb)、金(Au)和銅(Cu)的銀(Ag)合金同時形成的第一電極、源電極和漏電極的有機發光顯示裝置及其制造方法。
背景技術：
常規有機發光顯示裝置的優點包括能耗低、視角寬、對比度好、響應速度快。
圖1是常規頂部發射有源矩陣有機發光顯示裝置及其制造方法的橫截面圖。
參照圖1，根據常規頂部發射有源矩陣有機發光顯示裝置，在基板100上布置緩沖層101，在晶體管區域(a)中的緩沖層101上設置包括源極區111、漏極區112和溝道區113的半導體層110。
在半導體層110的表面上布置柵極絕緣層120，在柵極絕緣層120上布置對應于半導體層110的溝道區113的柵電極130。
在柵電極130的表面上布置層間絕緣層140。源電極150通過布置在層間絕緣層140內的接觸孔141與半導體層110的源極區111電耦合，漏電極155通過布置在層間絕緣層140內的接觸孔142與半導體層110的漏極區112電耦合，由此形成薄膜晶體管。
為了降低互連電阻，由低電阻多層材料形成源電極150和漏電極155，其中，所述多層材料可以由Al和MoW或Ti，或者Al合金構成。通常所述多層材料具有MoW/Al/MoW、MoW/Al-Nd/MoW、Ti/Al-Nd/Ti或Ti/Al/Ti的三層結構。MoW/Al/MoW的多層材料結構最為常用。
MoW可以具有14μΩ·cm到15μΩ·cm的電阻率，源電極150和漏電極155可以具有6μm的線寬。
源電極150和漏電極155可以具有4000到6000的厚度，在這一情況下，源電極150和漏電極155的MoW或Ti可以具有500到1000的厚度，Al或Al-Nd可以具有3500到5000的厚度。
在形成源電極150和漏電極155時，在與開口區域相同的層上布置與源電極150和漏電極155中的任何一個電耦合的第一電極160。
第一電極160包括透明導電層160a和反射層160b，例如具有高反射率的金屬中的Al或Ag合金，在淀積之后對其構圖。
第一電極160具有750到1300的厚度。反射層160b可以具有700到1200的厚度；諸如氧化銦錫(ITO)或氧化銦鋅(IZO)的透明導電層160a可以具有50到100的厚度。
接下來，在包括第一電極160和有機層180的基板100的表面上布置具有開口(b)的并且界定單位像素的像素界定層180；有機層180至少包含布置在第一電極160上的通過開口(b)暴露的有機發射層。
接下來，在包括有機層180的基板100的表面上布置第二電極190。第二電極為具有低功函數的金屬，其由從下述集合中選出的材料構成的薄透射電極形成Mg、Al、Ag、Ca及其合金。
在圖1中的常規有源矩陣有機發光顯示裝置中，認為在形成源電極150和漏電極155的過程中采用的Ag(1.61μΩ·cm)由于具有低電阻，因而是理想的低電阻互連材料；但是，在制造過程中，由于Ag的弱粘附力、熱不穩定性和不良的化學耐受特性，限制了其應用。
因此，源電極150和漏電極155由MoW、Al或Al合金，以及Ti形成，而不是由Ag形成，其中，在具有至少兩個材料層的疊層結構中通常采用MoW、Al或Al合金，以及Ti。韓國專利公開文本No.2003-0077963(‘963)公開了采用單一材料淀積源電極150和漏電極155的備選方法，其采用了Ag合金，所述Ag合金采用了含有0.1到0.5atom％的釤、鏑(Dy)和Tb中的任何一種以及0.1到1.0atom％的Au和/或Cu的Ag合金靶材。由于階梯覆蓋或山狀外觀(hill-look)問題引起了連接失敗或者由于改變了反射率而影響了后續光刻工藝，因此通常不能實施單個層。因此，應當實施優選具有至少兩層的多層材料。但是，多層材料的使用引起了工藝數量的增加，降低了批產量，并且由于電阻率為5μΩ·cm或更高而降低了薄膜晶體管的電效率。
正如‘963所公開的，Ag合金層可以提供粘附力、熱阻、耐腐蝕性和/或良好的構圖特性，同時保持低電阻特性和高反射率特性；但是，當Sm、Dy或Tb超過0.5atom％時，Ag合金層的電阻超過4μΩ·cm，降低了材料的反射率。在250℃或更低的溫度下確定上述Ag合金分層材料的特性。還沒有針對薄膜晶體管在250℃以上的溫度下檢驗Ag分層材料的物理特性。
在形成作為反射電極的常規第一電極時，由于粘附力、熱阻和耐化學性的影響，已經顯著限制了在金屬當中具有最高反射率的Ag的應用。為了解決Ag的材料限制，采用了Al和Al合金；但是，Al或Al合金的使用引起了反射率和效率的降低。
發明內容
本發明提供了一種有機發光顯示裝置及其制造方法，其采用含有Sm、Tb、Au和Cu的Ag合金同時形成源電極、漏電極和第一電極，提高了有機發光顯示裝置的反射率和效率，并在源電極和漏電極的低電阻的作用下，降低了源電極和漏電極的線寬度，由此降低了有機發光顯示裝置的屏板尺寸。
在下述說明中，將闡述本發明的其他方面，這些特征在經說明之后，在某種程度上是顯而易見的，或者可以通過對本發明的實踐習知。
本發明公開了一種有機發光顯示裝置，其包括基板；薄膜晶體管，其包括一半導體層、柵電極、源電極和漏電極；以及布置在基板上的，與位于相同層的源電極和漏電極中的任何一個電耦合的第一電極；布置在所述第一電極上的，至少包括有機發射層的有機層；以及布置在所述有機層上的第二電極，其中，所述源電極、漏電極和第一電極包括位于透明導電層之下的由銀(Ag)合金形成的反射層，所述銀(Ag)合金具有組分比為0.1到0.3atom％的釤(Sm)，0.1到0.5atom％的鋱(Tb)，0.1到0.4atom％的金(Au)和0.4到1.0atom％的銅(Cu)。
本發明還公開了一種制造有機發光顯示裝置的方法，其包括制備基板；形成薄膜晶體管，其包括一半導體層、柵電極、源電極和漏電極；以及在基板上布置與位于相同層的源電極和漏電極中的任何一個電耦合的第一電極；形成至少包括位于所述第一電極上的有機發射層的有機層；以及形成位于所述有機層上的第二電極，其中，所述源電極、漏電極和第一電極包括位于透明導電層之下的由銀(Ag)合金構成的反射層，所述銀(Ag)合金具有組分比為0.1到0.3atom％的Sm，0.1到0.5atom％的Tb，0.1到0.4atom％的Au和0.4到1.0atom％的Cu。
應當理解的是，上述一般性說明以及下述詳細說明均為示范性和說明性的，其意圖在于為權利要求所限定的發明提供進一步的解釋。
這里給出了為本發明提供進一步理解的附圖，其構成了本說明書的一部分，并連同說明一起對本發明的實施例進行了舉例說明，從而對本發明的原理予以解釋。
圖1是常規頂部發射有源矩陣有機發光顯示裝置的橫截面圖。
圖2是根據本發明示范性實施例的頂部發射有源矩陣有機發光顯示裝置的橫截面圖。
具體實施例方式
在下文中，將參照對本發明的實施例予以說明的附圖，對本發明進行更加全面的描述。但是，可以以不同的形式實現本發明，而不應推斷本發明僅限于文中所述實施例。相反地，提供這些實施例的目的在于對本發明予以徹底公布，并向本領域技術人員傳達本發明的范圍。在附圖中，為清晰起見，各層和區域的尺寸和相對尺寸均被放大。
應當理解的是在稱層、膜、區域或襯底位于另一元件上時，其可能直接位于另一元件上，也可能存在插入元件。相反，在稱一元件直接位于另一元件上時，不存在插入元件。
圖2是根據本發明示范性實施例的頂部發射有源矩陣有機發光顯示裝置的橫截面圖。
參照圖2，根據本發明的頂部發射有源矩陣有機發光顯示裝置，在基板300上布置緩沖層305；在晶體管區域(a)中的緩沖層305上布置包括源極區310a、漏極區310c和溝道區310b的半導體層310。
在半導體層310的表面上布置柵極絕緣層320，在柵極絕緣層320上布置對應于半導體層310的溝道區310b的柵電極330。
在柵電極330的表面上布置層間絕緣層340。源電極350通過布置在層間絕緣層340和柵極絕緣層320內的接觸孔341與半導體層310的源極區310a電耦合，漏電極360通過布置在層間絕緣層340和柵極絕緣層320內的接觸孔345與半導體層310的漏極區310c電耦合，由此形成薄膜晶體管。
在形成源電極350和漏電極360時，在相同層上形成起著反射電極作用的第一電極360。分別在源電極350、漏電極355和第一電極360之下布置由含有Sm、Tb、Au和Cu的Ag合金構成的反射層350a和360a。分別在反射層350a和360a上布置透明導電層350b和360b。
Ag合金的組分比由0.1到0.3atom％的Sm，0.1到0.5atom％的Tb，0.1到0.4atom％的Au，以及0.4到1.0atom％的Cu構成。
Ag合金的原子半徑相似于元素Ag的原子半徑；由于其嗜酸(oxyphile)屬性，促進了電子減少；其含有具有良好的自由電子活性的諸如Sm和Tb的兩種稀土元素，或者具有固溶體屬性，并防止Ag元素擴散的諸如Au和Cu的元素。所述Ag合金具有低電阻、高反射率、高耐腐蝕性、高熱阻率、高粘附力和良好的構圖屬性。向Ag合金中添加兩種稀土金屬實現了Ag合金在450℃溫度下的應用。形成具有500到7000厚度的Ag合金可以降低作為常規Ag合金特征的高電阻率。
根據本發明的實施例，源電極350和漏電極360的厚度可以處于750到1300的范圍內。可以以700到1200的厚度形成由所述Ag合金構成的反射層350a和360a，可以以50到100的厚度形成透明導電層350b和360b。
當厚度低于700時，在施加電壓時，可能發生互連電阻故障或連接斷開故障。當厚度超過1200時，在器件當中未發生故障，但是，提高了材料成本。
優選以1000的厚度形成源電極350的反射層350a和漏電極360的反射層360a。優選以1000左右的厚度形成所述Ag合金，因為，所述Ag合金具有3.0μΩ·cm的電阻率(在250℃的溫度下退火之后)，其為常規MoW的電阻率(14到15μΩ-cm)的五分之一左右。
此外，均以2μm到3μm的寬度形成由所述Ag合金構成的源電極350和漏電極360，因為所述Ag合金具有3.0μΩ-cm的電阻率(在250℃的溫度下退火之后)，其為常規MoW的電阻率(14到15μΩ-cm)的五分之一左右。
當源電極350和漏電極360的寬度小于2μm時，電阻可能增加對平穩電壓供應的擾動，當寬度超過3μm時，由于無效空間(dead space)的存在，可能增大屏板尺寸。
因此，本發明允許將源電極350和漏電極360的寬度從常規的6μm降低到2μm到3μm，實現了屏板尺寸的緊湊化。
在形成源電極350和漏電極360的同時，在開口區域(b)內由Ag合金形成與源電極350和漏電極360中的任何一個電耦合的第一電極360，所述第一電極360延伸至開口區域(b)當中，第一電極360在該處起著反射電極的作用。
通常，第一電極360由位于下層的諸如Al或Al合金的具有高反射率的反射層360a和布置在反射層上的諸如ITO或IZO的透明導電層360b形成，優選形成作為反射電極的第一電極360，其包括布置在反射層360a上的透明導電層360b，其由形成源電極350和漏電極360所采用的相同Ag合金構成。
以750到1300的厚度形成第一電極360。
以700到1200的厚度形成反射層360a。當厚度小于750時，在施加電壓時，可能在高電阻的影響下發生互連電阻故障或連接斷開故障。當厚度超過1200時，未發生故障；但是提高了材料成本。
優選以大約1000的厚度形成第一電極360，因為，所述Ag合金具有3.0μΩ·cm的電阻率(在250℃的溫度下退火之后)，其為常規MoW的電阻率(14到15μΩ-cm)的五分之一左右。
此外，在反射層360a上形成的透明導電層360b由從ITO和IZO構成的集合中選出的一種材料形成。
以50到100的厚度形成透明導電層360b，從而利用光程補償彩色坐標，并補償功函數。
接下來，在包括第一電極360和有機層380的基板300的表面上布置界定單位像素并具有開口(c)的像素界定層370，有機層380至少包括布置在第一電極360上的，在開口(c)內暴露的有機發射層。
接下來，在包括有機層380的基板300的表面上布置第二電極390。采用從由Mg、Al、Ag、Ca及其合金組成的集合中選出的材料所構成的材料形成作為薄透射電極的，具有低功函數的第二電極390，以透射光。
可以通過典型的封裝法利用頂部基板封裝具有第二電極390和先前形成的元件的基板300，由此完成對頂部發射有源矩陣有機發光顯示裝置的制造。
在下文中，將詳細介紹根據本發明的頂部發射有源矩陣有機發光顯示裝置的制造方法。
參照圖2，根據本發明的頂部發射有源矩陣有機發光顯示裝置，制備諸如玻璃、塑料或石英的透明基板300；在基板300上布置緩沖層305。布置在基板300上的緩沖層305保護將要在后續工藝中形成的薄膜晶體管，使其免受從基板300流出的雜質的影響。
不一定要疊置緩沖層305，可以由氧化硅層、氮化硅層及其疊層形成緩沖層305。可以通過等離子體增強化學氣相淀積(PECVD)方法或低壓CVD(LPCVD)方法淀積緩沖層305。
接下來，在晶體管區域(a)內的緩沖層305上對包括源極區310a、漏極區310c和在源極區310a和漏極區310c之間插入的溝道區310b的半導體層310構圖。可以由非晶硅或多晶硅形成半導體層310，其優選由多晶硅形成。在半導體層310由非晶硅形成時，在對其淀積之后，通過結晶法將其晶化為多晶硅。當采用PECVD法處理非晶硅時，在淀積硅層之后執行通過熱處理實施的脫氫處理，以降低氫濃度。使非晶硅層結晶的方法至少可以采用快速熱退火(RTA)工藝、固相結晶(SPC)法、準分子激光結晶(ELA)法、金屬誘導橫向結晶(MILC)法、連續橫向固化(SLS)法和金屬誘導結晶(MIC)法當中的一種。
接下來，在包括半導體層310的基板的表面上布置柵極絕緣層320。可以由氧化硅層、氮化硅層或其疊層形成柵極絕緣層320，可以采用PECVD或LPCVD對其進行淀積。
接下來，在對應于半導體層310的溝道區310b的柵極絕緣層320上布置柵電極330。可以由非晶硅或多晶硅構成多晶硅層形成柵電極330，或者可以由從鉬(Mo)、鎢(W)、鉬化鎢(MoW)和硅化鎢(WSix)組成的集合中選出的一種材料形成柵電極330。采用濺射法或蒸鍍法淀積柵電極330。
接下來，采用掩模向半導體層310注入雜質，從而在半導體層310中形成源極區310a和漏極區310c，與此同時，界定插置到源極區310a和漏極區310c之間的溝道區310b。所述雜質可以是n型或p型。所述n型雜質由從磷(P)、砷(As)、銻(Sb)和鉍(Bi)構成的集合中選出的一種材料形成，所述p型雜質由從硼(B)、鋁(Al)、鎵(Ga)和銦(In)構成的集合中選出的一種材料形成。
接下來，在包括柵電極330的基板的表面上布置層間絕緣層340。層間絕緣層340可以由氧化硅層、氮化硅層或其疊層形成，可以采用PECVD或LPCVD對其進行淀積。
接下來，在層間絕緣層340和柵極絕緣層320之內布置接觸孔341和345，分別用于暴露源極區310a和漏區310c。可以采用濺射法或蒸鍍法淀積布置在層間絕緣層340上的Ag合金，其由組分比為0.1到0.3atom％的Sm，0.1到0.5atom％的Tb，0.1到0.4atom％的Au，以及0.4到1.0atom％的Cu構成。
采用濺射法或蒸鍍法分別在由Ag合金形成的反射層350a和360a上疊置由ITO或IZO形成的透明導電層350b和360b，由此形成源電極350、漏電極360和第一電極360優選采用濺射法淀積源電極350、漏電極360和第一電極360，并在淀積之后采用諸如以光刻工藝形成的光致抗蝕劑(PR)圖案的掩模通過蝕刻工藝對其進行構圖。
因此，半導體層310、柵電極330、源電極350和漏電極360構成了薄膜晶體管。
在形成源電極350和漏電極360的同時，在開口區域(b)內由Ag合金形成與源電極350和漏電極360布置在同一層上并與其中的任何一個電耦合的第一電極360，其中，所述第一電極360起著反射電極的作用。
采用Ag合金形成第一電極360，所述Ag合金與在形成源電極350和漏電極360的過程中采用的材料相同；所述Ag合金由組分比為0.1到0.3atom％的Sm，0.1到0.5atom％的Tb，0.1到0.4atom％的Au，以及0.4到1.0atom％的Cu構成。
在由Ag合金形成第一電極360時，反射率提高10％或更多，與由Al或Al-Nd形成的常規反射電極的效率相比，其提高了大約20％的效率。
可以省去淀積第一電極360并對其構圖的工藝，因為，可以同時形成源電極350、漏電極360和第一電極360。
接下來，進一步形成由絕緣材料形成，并且布置在第一電極360上的，界定像素區域的像素界定層370，用于將第一電極與有機發射層絕緣。之后，執行采用PR掩模的蝕刻法，形成用于暴露一部分第一電極360的開口(c)。
接下來，在通過開口(c)暴露的第一電極360上布置至少包括有機發射層的有機層380。
可以采用小分子量材料或聚合物材料形成有機發射層。所述小分子量材料優選為從三(8-羥基喹啉)鋁(tris(8-hydroxyquinoline)aluminum)(Alq3)、蒽(anthracnene)、環戊二烯、BeBq2、Alq3、Almq、ZnPBO、Balq、DPVBi、BSA-2和2PSP構成的集合中選出的一種材料。有機發射層優選由Alq3形成。所述聚合物材料優選為從聚苯撐(PPP)及其衍生物，聚(p-亞苯基次亞乙烯基)(poly(p-phenylenevinylene))(PPV)及其衍生物，以及聚噻吩(PT)及其衍生物構成的集合中選出的一種材料。
有機層380可以至少進一步包括空穴注入層(HIL)、空穴輸運層(HTL)、電子輸運層(ETL)和電子注入層(EIL)之一。
可以采用常規材料形成HIL、HTL、ETL和EIL。例如，HIL可以采用銅酞菁(CuPc)、聚(3，4-乙烯基二氧噻吩)(poly(3，4-ehtylenedixoythiophene))(PEDOT)和三[4-[N-(3-甲基苯基)苯胺]苯基]胺(tris[4-[N-(3-methylphenly)aniline]phenyl]amine))(m-MTDATA)；HTL可以采用諸如單芳基胺(mono arylamine)、二芳基胺(diarylamine)、三芳基胺(triarylamine)、聚合芳基胺(polymerization arylamine)的三芳香胺基材料(third aromatic amine-based material)；ETL可以采用多環烴基的(polycyclichydro carbon-based)衍生物、雜環化合物和Alq3；EIL可以采用諸如氟化鋰(LiF)的材料。
可以采用蒸鍍法、旋涂法、噴墨印刷法或激光誘發熱成像法形成有機層380。優選采用旋涂法形成有機層380。此外，可以采用蔭罩通過激光誘發熱成像法或蒸鍍法實施對有機層380的構圖。
接下來，在有機層380上布置覆蓋基板300的整個表面的第二電極390。可以通過諸如蒸鍍法的典型方法形成第二電極390。
因此，可以通過典型的封裝法利用頂部基板封裝具有第二電極390和先前形成的元件的基板300，由此完成對頂部發射有源矩陣有機發光顯示裝置的制造。
在下文中，將對本發明的一個實施例予以說明。但是，所述實施例是處于示范性目的給出的，以便使本發明得到更好的理解，本發明不限于下述實施例。
第一實施例采用濺射法以5000的厚度形成由Ag合金(組分比為0.3atom％的Sm，0.5atom％的Tb，0.4atom％的Au和0.4到1.0atom％的Cu)構成的有機發光裝置的源電極350和漏電極360。對于本領域普通技術人員而言，可以識別薄膜晶體管的其余元件為薄膜晶體管的常規元件。
第一對比實例采用與上述第一實施例中公開的相同的方法形成有機發光顯示裝置的源電極350和漏電極360；但是，以MoW(厚度為500)/Al-Nd(厚度為4000)/MoW(厚度為500)的三層結構疊置源電極350和漏電極360。
第二對比實例采用與上述第一實施例中公開的相同的方法形成有機發光顯示裝置的源電極350和漏電極360；但是以Ti(厚度為700)/Al(厚度為3800)/MoW(厚度為1000)的三層結構疊置源電極350和漏電極360。
第三對比實例采用與上述第一實施例中公開的相同的方法形成有機發光顯示裝置的源電極350和漏電極360；但是以Ti(厚度為1500)/Al(厚度為3000)/MoW(厚度為1000)的三層結構疊置源電極350和漏電極360。
表1示出了根據第一實施例，以及上述第一、第二和第三對比實例的電阻率特性的結果。
表1
表1說明，在本發明的有機發光顯示裝置中，在采用Ag合金形成厚度為5000的由單層構成的源電極和漏電極時，電阻率為3.0μΩ·cm。其電阻率顯著低于在根據第一、第二和第三對比實例采用常規MoW或Ti，以及Al或Al合金的多層結構的情況下獲得的6.75μΩ·cm到11.72μΩ·cm的電阻率。
因此，在根據本發明采用Ag合金形成作為單層的源電極和漏電極時，與采用常規MoW或Ti，以及Al或Al合金的多層結構相比，其電阻率下降了100％或更多。
在本發明的有機發光裝置中，僅源電極350、漏電極360和第一電極360由組分比為0.3atom％的Sm，0.1到0.5atom％的Tb，0.4atom％的Au，以及0.4到1.0atom％的Cu的Ag合金形成；但是，本發明不僅限于這三個電極的形成。由于其低電阻，可以在形成有機發光顯示裝置的金屬互連(例如Vdd、Vdata等)的過程中采用Ag合金。
根據上文公開的本發明，采用含有Sm、Tb、Au和Cu的Ag合金同時形成源電極、漏電極和第一電極，提高了有機發光顯示裝置的反射率和效率，并在源電極和漏電極的低電阻的作用下，降低了源電極和漏電極的線寬度，由此降低了有機發光顯示裝置的屏板尺寸。
對于本領于技術人員來講，在不背離本發明的精神和范圍的情況下，可以對本發明做出各種修改和變化。因此，上一句話的意圖在于，本發明包含各種修改和變化，只要這些修改和變化落在權利要求及其等同要件的范圍內。
本申請要求于2005年4月28日提交的韓國專利申請No.10-2005-0035729的優先權和權益，在此將其全文引入以供參考。
權利要求
1.一種有機發光顯示裝置，其包括基板；薄膜晶體管，其包括半導體層、柵電極、源電極和漏電極；以及布置在所述基板上的，與位于相同層的所述源電極和所述漏電極中的任何一個電耦合的第一電極；布置在所述第一電極上的，至少包括有機發射層的有機層；以及布置在所述有機層上的第二電極，其中，所述源電極、所述漏電極和所述第一電極包括位于透明導電層之下的由銀合金形成的反射層，所述銀合金具有組分比為0.1到0.3atom％的釤，0.1到0.5atom％的鋱，0.1到0.4atom％的金和0.4到1.0atom％的銅。
2.如權利要求1所述的有機發光顯示裝置，其中，所述銀合金具有3μΩ·cm的電阻率。
3.如權利要求1所述的有機發光顯示裝置，其中，所述反射層具有700到1200的厚度。
4.如權利要求1所述的有機發光顯示裝置，其中，所述透明導電層具有50到100的厚度。
5.如權利要求1所述的有機發光顯示裝置，其中，所述源電極和漏電極均具有2μm到3μm的寬度。
6.如權利要求1所述的有機發光顯示裝置，其中，所述第二電極為由從Mg、Al、Ag、Ca及其合金組成的集合中選出的一種材料形成的透射電極。
7.一種制造有機發光顯示裝置的方法，其包括制備基板；形成薄膜晶體管，其包括半導體層、柵電極、源電極和漏電極；以及布置在所述基板上的，與位于相同層的所述源電極和所述漏電極中的任何一個電耦合的第一電極；在所述第一電極上形成至少包括有機發射層的有機層；以及在所述有機層上形成第二電極，其中，所述源電極、所述漏電極和所述第一電極包括位于透明導電層之下的由銀合金形成的反射層，所述銀合金具有組分比為0.1到0.3atom％的釤，0.1到0.5atom％的鋱，0.1到0.4atom％的金和0.4到1.0atom％的銅。
8.如權利要求7所述的方法，其中，形成所述Ag合金，使其具有3μΩ·cm的電阻率。
9.如權利要求7所述的方法，其中，形成所述反射層，使之具有700到1200的厚度。
10.如權利要求7所述的方法，其中，形成所述透明導電層，使之具有50到100的厚度。
11.如權利要求7所述的方法，其中，形成所述源電極和所述漏電極，使之均具有2μm到3μm的寬度。
12.如權利要求7所述的方法，其中，所述第二電極為由從Mg、Al、Ag、Ca及其合金組成的集合中選出的一種材料構成的透射電極。
13.如權利要求7所述的方法，其中，采用濺射法和蒸鍍法之一形成所述源電極、所述漏電極和所述第一電極。
14.如權利要求7所述的方法，其進一步包括形成由所述Ag合金構成的金屬互連。
全文摘要
提供了一種有機發光顯示裝置及其制造方法，其采用含有Sm、Tb、Au和Cu的Ag合金同時形成源電極、漏電極和第一電極，提高了有機發光顯示裝置的反射率和效率，并在源電極和漏電極的低電阻的作用下，降低了源電極和漏電極的線寬度，由此降低了有機發光顯示裝置的屏板尺寸。
文檔編號H01L23/482GK1855526SQ200610080108
公開日2006年11月1日 申請日期2006年4月28日 優先權日2005年4月28日
發明者申鉉億 申請人:三星Sdi株式會社