專利名稱：晶片的激光加工方法和激光加工裝置的制作方法
技術領域：
本發明涉及在半導體晶片和光器件晶片等晶片的加工面實施激光加工的晶片的激光加工方法和激光加工裝置。
背景技術：
正像本領域的技術人員公知的那樣，在半導體器件制造工序中，形成一種半導體晶片，該晶片是在硅等半導體襯底的表面上疊層形成絕緣膜和功能膜，用這樣的疊層體來使多個IC、LSI等半導體芯片形成為矩陣狀。這樣形成的半導體晶片由被稱作分割道(street)的預定切割線劃分，沿該分割道進行切斷而制成單個的半導體芯片。并且，利用在藍寶石襯底等表面形成格子狀的分割道來劃分成多個區域，在該被劃分的區域內對氮化鎵類化合物半導體等進行疊層，形成光器件的光器件晶片，沿預定分割線分割成單個的發光二極管、激光二極管等光器件，廣泛應用于電氣設備中。
這樣的半導體晶片和光器件晶片等晶片沿分割道進行切斷的方法，通常采用所謂劃片機的切削裝置。該切削裝置具有卡盤臺，用于對作為被加工物的半導體晶片進行保持；切削機構，用于對保持在該卡盤臺上的半導體晶片進行切削；以及移動機構，用于使卡盤臺和切削機構相對地進行移動。切削機構包括進行高速旋轉的旋轉主軸以及安裝在該主軸上的切削刀具。
另一方面，近幾年，對半導體晶片等板狀的被加工物進行分割的方法，已提出的方案(例如參見專利文獻1)是沿被加工物上所形成的分割道來照射脈沖激光光線，形成激光加工槽，沿該激光加工槽用機械斷裂裝置進行切斷。
(日本)特開平10-305420號公報激光加工與切削加工相比能夠加快加工速度，而且對于像藍寶石那樣由莫氏硬度高的材料構成的晶片，也能夠比較容易地進行加工。然而，新產生的問題是，若沿晶片的分割道來照射激光光線，則在被照射的區域內熱能集中，產生碎屑，該碎屑附著到與電路相連接的壓焊焊盤等上，使芯片質量降低。
為了解決上述碎屑問題，提出了激光加工方法(例如參見專利文獻2)，即在晶片的加工面被覆聚乙烯醇等保護覆膜，穿過保護覆膜來將激光光線照射到晶片上。
(日本)特開2004-188475號公報在上述公報中公開了一種旋轉被覆方法，如圖9(a)所示，從樹脂供給噴咀N將規定量的液狀的樹脂L滴到旋轉臺T上所保持的晶片W的中心部上，使旋轉臺T按規定速度旋轉，這樣將液狀的樹脂被覆到晶片W的加工面。
然而，如圖9(b)所示，在晶片W的表面形成電路等器件D，且具有凹凸，所以使保持晶片W的旋轉臺T進行旋轉，在離心力作用下即使要讓液狀樹脂L向外周部流動，也很難使液狀樹脂均勻地被覆到晶片W的表面。并且，像藍寶石那樣，直徑較小的晶片在支承部件內布置多個的狀態下，進行上述旋轉被覆時，也很難在多個晶片表面均勻地被覆樹脂保護覆膜。
發明內容
本發明是針對上述事實而提出的，其目的在于提供一種晶片的激光加工方法和激光加工裝置，能夠在晶片表面均勻被覆保護覆膜并進行激光加工。
為了解決上述主要技術課題，根據本發明的晶片的激光加工方法，沿著格子狀的分割道進行激光加工，上述分割道對在表面成矩陣狀地形成了多個器件的晶片的該器件進行劃分，其特征在于具有保護覆膜被覆工序，用噴射裝置在晶片的加工面噴涂液狀的樹脂來被覆保護覆膜；以及激光光線照射工序，通過該保護覆膜沿分割道將激光光線照射到形成了保護覆膜的晶片的加工面。
優選上述液狀的樹脂是水溶性樹脂。
并且，根據本發明的激光加工裝置，其中包括對被加工物進行保持的卡盤臺、將激光光線照射到被保持在該卡盤臺上的被加工物上的激光光線照射裝置、以及使該卡盤臺和該激光光線照射裝置相對地加工進給的加工進給裝置，其特征在于具有噴咀，沿該卡盤臺的移動路線進行布置，將液狀的樹脂噴涂到被保持在該卡盤臺上的被加工物的表面；以及樹脂供給裝置，向該噴咀供給液狀的樹脂。
本發明具有如下效果若采用本發明，則由于用噴射裝置向晶片的表面噴涂液狀的樹脂來被覆保護覆膜，所以，即使晶片的表面有凹凸，并且布置了多個晶片，也能夠在整個晶片的表面均勻地形成保護覆膜。因此，通過保護覆膜來照射激光光線的激光加工也是均勻的。
圖1是按本發明構成的激光加工裝置的斜視圖。
圖2是圖1所示的激光加工裝置的主要部分斜視圖。
圖3是表示由圖1所示的激光加工裝置進行加工的晶片的一實施方式的半導體晶片粘貼到安裝在環狀的框內的保護帶上的狀態的斜視圖。
圖4是表示由圖1所示的激光加工裝置進行加工的晶片的另一實施方式的光器件晶片粘貼到安裝在環狀的框內的保護帶上的狀態的斜視圖。
圖5是本發明的晶片的激光加工方法中的保護覆膜被覆工序的說明圖。
圖6是用保護覆膜被覆工序來被覆保護覆膜的被加工物半導體晶片的主要部分放大斷面圖。
圖7是表示本發明的晶片的激光加工方法中的激光光線照射工序的說明圖。
圖8是利用圖7所示的激光光線照射工序來進行激光加工的半導體晶片的主要部分放大斷面圖。
圖9是表示過去的保護覆膜的被覆方法的說明圖。
具體實施例方式
以下參照附圖，詳細說明采用本發明的晶片的激光加工方法和激光加工裝置的最佳實施方式。
圖1是由本發明構成的激光加工裝置的斜視圖，其中具有保護覆膜形成兼清洗機構，用于實施本發明的保護覆膜的被覆方法。
圖1所示的激光加工裝置具有大致直方體狀的裝置的外殼1。在該裝置外殼1內布置了圖2所示的靜止基臺2；卡盤臺機構3，其設置在該靜止基臺2上，并能夠在作為加工進給方向的箭頭X所示的方向上進行移動，具有對被加工物進行保持的卡盤臺；激光光線照射單元支持機構4，其設置在靜止基臺2上，并能夠在作為分度進給方向的箭頭Y所示的方向(與作為加工進給方向的箭頭X所示的方向相垂直的方向)上進行移動；以及激光光線照射單元5，它設置在該激光光線照射單元支持機構4上，并且能夠在圖中上下方向箭頭Z所示的方向上移動。
上述卡盤臺機構3具有一對導軌31、31，其沿著箭頭X所示的加工進給方向平行地布置在靜止基臺2上；第1滑動塊32，其設置在該導軌31、31上，并能夠在箭頭X所示的加工進給方向上移動；第2滑動塊33，其設置在該第1滑動塊32上，并能夠在箭頭Y所示的分度進給方向上移動；支承臺35，其利用圓筒部件34而支承在該第2滑動塊33上，以及卡盤臺36，其用作被加工物保持機構。該卡盤臺36具有由多孔性材料形成的吸附盤361，在吸附盤361上利用無圖示的吸引機構來保持被加工物的晶片。這樣構成的卡盤臺36借助于設置在圓筒部件34內的無圖示的脈沖電機而進行旋轉。而且，在卡盤臺36上設置用于固定下述環狀框架的夾子362。
上述第1滑動塊32，其下面設置與上述一對導軌31、31相嵌合的一對被導向槽321、321，而且其上面設置由箭頭Y表示的分度進給方向平行地形成的一對導軌322、322。這樣構成的第1滑動塊32，由于被導向槽321、321與一對導軌31、31相嵌合，在結構上能夠沿一對導軌31、31在箭頭X所示的加工進給方向上移動。圖示的實施方式的卡盤臺機構3具有加工進給機構37，用于使第1滑動塊32沿一對導軌31、31在箭頭X所示的加工進給方向上移動。加工進給機構37包括在上述一對導軌31和31之間平行設置的陽螺紋桿371、以及用于旋轉驅動該陽螺紋桿371的脈沖電機372等驅動源。陽螺紋桿371，其一端由固定在上述靜止基臺2上的軸承塊373旋轉自如地支承，其另一端與上述脈沖電機372的輸出軸進行傳動連結。而且，陽螺紋桿371與穿通陰螺紋孔進行螺紋接合，該螺紋孔形成在向第1滑動塊32的中央部下面突出設置的無圖示的陰螺紋塊上。所以利用脈沖電機372來對陽螺紋桿371進行正轉和反轉驅動，第1滑動塊32沿導軌31、31在箭頭X所示的加工進給方向上移動。
圖示的實施方式中的激光加工裝置具有加工進給量檢測機構374，用于檢測上述卡盤臺36的加工進給量。加工進給量檢測機構374包括直線尺374a，其沿著導軌31進行設置；以及讀出頭374b，其設置在第1滑動塊32上，和第1滑動塊32一起沿直線尺374a移動。該加工進給量檢測機構374的讀出頭374b，在圖示的實施方式中，每1μm向后述控制裝置內發送1個脈沖的脈沖信號。并且，后述控制裝置對輸入的脈沖信號進行計數，以便檢測卡盤臺36的加工進給量。而且，在采用脈沖電機372作為上述加工進給機構37的驅動源的情況下，對于向脈沖電機372內輸出驅動信號的后述控制裝置的驅動脈沖進行計數，這樣能夠檢測出卡盤臺36的加工進給量。并且，在采用伺服電機作為上述加工進給機構37的驅動源的情況下，檢測伺服電機的轉速的旋轉式編碼器所輸出的脈沖信號被發送到后述的控制裝置內，由控制裝置來對輸入的脈沖信號進行計數，這樣即可檢測出卡盤臺36的加工進給量。
上述第2滑動塊33，其下面設置一對被導向槽331、331，用于和設置在上述第1滑動塊32的上面的一對導軌322、322相嵌合。由于該被導向槽331、331和一對導軌322、322相嵌合，所以，從結構上能夠使其在箭頭Y所示的分度進給方向上移動。圖示的實施方式中的卡盤臺機構3具有第1分度進給機構38，用于使第2滑動塊33沿著第1滑動塊32上所設置的一對導軌322、322，在箭頭Y所示的分度進給方向上移動。第1分度進給機構38包括在上述一對導軌322和322之間平行設置的陽螺紋桿381、以及用于對該陽螺紋桿381進行旋轉驅動的脈沖電機382等驅動源。陽螺紋桿381，其一端由固定在上述第1滑動塊32的上面的軸承塊383旋轉自如地支承，其另一端與上述脈沖電機382的輸出軸進行傳動連結。而且，陽螺紋桿381與穿通陰螺紋孔進行螺紋接合，該穿通螺紋孔形成在向第2滑動塊33的中央部下面突出設置的無圖示的陰螺紋塊上。所以利用脈沖電機382來對陽螺紋桿381進行正轉和反轉驅動，使第2滑動塊33沿導軌322、322在箭頭Y所示的分度進給方向上移動。
圖示的實施方式中的激光加工裝置具有分度進給量檢測機構384，用于檢測上述第2滑動塊33的分度進給量。分度進給量檢測機構384包括直線尺384a，其沿著導軌322進行設置；以及讀出頭384b，其設置在第2滑動塊33上，沿直線尺384a移動。該分度進給量檢測機構384的讀出頭384b，在圖示的實施方式中，每1μm向后述控制裝置內發送1個脈沖的脈沖信號。并且，后述控制裝置對輸入的脈沖信號進行計數，以便檢測激光光線照射單元5的分度進給量。而且，在采用脈沖電機382作為上述第1分度進給機構38的驅動源的情況下，對于向脈沖電機382內輸出驅動信號的后述控制裝置的驅動脈沖進行計數，這樣能夠檢測出激光光線照射單元5的分度進給量。并且，在采用伺服電機作為上述第2分度進給機構38的驅動源的情況下，檢測伺服電機的轉速的旋轉式編碼器所輸出的脈沖信號被發送到后述的控制裝置內，由控制裝置來對輸入的脈沖信號進行計數，這樣即可檢測出第2滑動塊33，即卡盤臺36的分度進給量。
上述激光光線照射單元支持機構4具有一對導軌41、41，其沿著箭頭Y所示的分度進給方向平行地設置在靜止基臺2上；以及可動支持基臺42，其設置成能夠在該導軌41、41上沿箭頭Y所示的方向移動。該可動支持基臺42包括設置成能夠在導軌41、41上移動的移動支持部421、以及安裝在該移動支持部421上的安裝部422。安裝部422，在1個側面在由箭頭Z表示的方向上延伸的一對導軌423、423平行地進行設置。圖示的實施方式中的激光光線照射單元支持機構4具有第2分度進給機構43，用于使可動支持基臺42沿著1對導軌41、41在箭頭Y所示的分度進給方向上移動。第2分度進給機構43包括平行地設置在上述一對導軌41、41之間的陽螺紋桿431、以及用于對該陽螺紋桿431進行旋轉驅動的脈沖電機432等驅動源。陽螺紋桿431，其一端由固定在上述靜止基臺2上的無圖示的軸承塊旋轉自如地支承，其另一端與上述脈沖電機432的輸出軸進行傳動連結。而且，陽螺紋431與無圖示的陰螺紋塊上所形成的陰螺紋孔進行螺紋結合，陰螺紋孔突出地設置在構成可動支持基臺42的移動支持部421的中央部下面。因此，利用脈沖電機432來對陽螺紋桿431進行正轉和反轉驅動，即可使可動支持基臺42沿導軌41、41在箭頭Y所示的分度進給方向上移動。
圖示的實施方式中的激光光線照射單元5具有單元支架51、以及安裝在該單元支架51上的激光光線照射機構52。單元支架51設有一對被導向槽511、511，一對被導向槽511、511與設置在上述安裝部422上的一對導軌423、423相嵌合并能夠滑動，使該被導向槽511、511與上述導軌423、423相嵌合，即可獲得支持并能夠在箭頭Z所示的方向上移動。
圖示的激光光線照射機構52從實質上水平布置的圓筒形狀的外殼521前端上所安裝的聚光器522中照射脈沖激光光線。并且，在構成激光光線照射機構52的外殼521的前端部上，設置對位機構6，用于檢測被上述激光光線照射機構52進行激光加工的加工區域。該對位機構6具有對被加工物進行照明的照明機構。對該照射機構進行照射的區域加以捕捉的光學系統、以及對該光學系統捕捉的像進行拍攝的攝像器件(CCD)等，將拍攝的圖像信號發送到后述的控制裝置內。
圖示的實施方式中的激光光線照射單元5具有移動機構53，用于使單元支架51沿一對導軌423、423在箭頭Z所示的方向上移動。移動機構53包括布置在一對導軌423、423之間的陽螺紋桿(無圖示)、以及用于對該陽螺紋桿進行旋轉驅動的脈沖電機532等驅動源，利用脈沖電機532來對無圖示的陽螺紋桿進行正轉和反轉驅動，使單元支架51和激光光線照射機構52沿導軌423、423在箭頭Z所示的方向上移動。而且，在圖示的實施方式中，對脈沖電機532進行正轉驅動，使激光光線照射機構52向上移動；對脈沖電機532進行反轉驅動，使激光光線照射機構52向下移動。
若返回到圖1繼續說明，則圖示的激光加工裝置具有片盒(架)放置部8a，用于放置內部裝有作為被加工物的晶片的片盒。在片盒放置部8a上設置利用無圖示的升降機構能夠上下移動的片盒臺8，在片盒臺8上放置片盒9。放在片盒9內的晶片如圖3所示，在圖示的實施方式中，由半導體晶片10組成。半導體晶片10，在其表面10a上多個器件101形成矩陣狀。并且，各個器件101由形成格子狀的分割道102進行劃分。該半導體晶片10，其背面粘貼到環狀框11所安裝的保護帶12上，并使作為被加工面的表面10a朝向上側(框架支持工序)。而且，在從背面來加工半導體晶片10的情況下，將半導體晶片10的表面10a粘貼到保護帶12上。這樣，半導體晶片10通過保護帶12由環狀框11進行支持的狀態下，放入片盒9內。
而且，作為被加工物的晶片的另一實施方式示于圖4。圖4所示的晶片由光器件100構成，在藍寶石基片表面多個光器件布置成矩陣狀，該光器件100在環狀框11內所安裝的保護帶12上粘貼多個。
在對上述裝置外殼1的上面進行覆蓋的主支持基板1a上設定臨時放置區13a，在該臨時放置區13a內設置了臨時放置臺13，用于臨時放置被加工物，對通過保護帶12由上述環狀框11進行支持的半導體晶片10進行位置對準。圖示的實施方式中的激光加工裝置具有送出機構14，用于將放置在上述片盒放置臺8上的片盒9內所收納的、由環狀環11通過保護帶12進行支持的半導體晶片10(以下稱為半導體晶片10)，送出到臨時放置臺13上；傳送機構15，用于將送出到臨時放置臺13上的半導體晶片10傳送到上述卡盤臺36上；清洗機構16，用于清洗在卡盤臺36上進行激光加工的半導體晶片10；以及清洗傳送機構17，用于將在卡盤臺36上進行了激光加工的半導體晶片10傳送到清洗機構16內。并且，圖示的實施方式中的激光加工裝置具有顯示裝置18，用于顯示由攝像裝置6拍攝的圖像等。
參照圖1，繼續說明如下。圖示的實施方式中的激光加工裝置，具有布置在上述臨時放置臺14的上方的輪廓攝像裝置19。該輪廓攝像裝置19能夠由眾所周知的CCD相機構成，對放置在臨時放置臺14上的半導體晶片10進行攝像，將其圖像信息輸出到后述的控制裝置內。
并且，圖示的實施方式中的激光加工裝置，具有保護覆膜被覆裝置20，用于將保護覆膜被覆到已傳送到上述卡盤臺36上的半導體晶片10的表面。該保護覆膜被覆裝置20具有噴咀(spray nozzle)21，它沿著卡盤臺36的移動路線，即卡盤臺機構3的導軌31、31進行布置，用于將液狀的樹脂噴涂到卡盤臺36內所保持的作為被加工物的半導體晶片10的表面；以及樹脂供給裝置22，用于將液狀的樹脂供給到該噴咀21內。而且，噴咀21布置在圖示的實施方式中圖1內卡盤臺36所在的被加工物接收位置上。上述樹脂供給裝置22包括收納液狀的樹脂的罐221、在對該罐221和噴咀21進行連接的管道222的中途所設置的供給泵223。而且，優選收納在罐221內的液狀的樹脂例如是PVA(聚乙烯醇)、PEG(聚乙二醇)、PEO(聚乙烯氧化物)等水溶性抗蝕劑(resist)。
圖示的實施方式中的激光加工裝置，如圖2所示具有控制裝置25。控制裝置25由計算機構成，其中包括根據控制程序來進行運算處理的中央處理機(CPU)251、存儲控制程序等的只讀存儲器(ROM)252、存儲運算結果的能夠讀寫的隨機存取存儲器(RAM)253、計算器254、輸入接口255和輸出接口256。向控制裝置25的輸入接口255內輸入檢測信號，這些信號來自上述加工進給量檢測機構374、分度進給量檢測機構384、維修機構6和輪廓攝像裝置19等。并且，從控制裝置25的輸出接口256，向上述脈沖電機372、脈沖電機382、脈沖電機432、脈沖電機532、激光光線照射機構52和樹脂供給機構22的供給泵223(參見圖1)等內輸出控制信號。
圖示的實施方式中的激光加工裝置按以上方法構成，以下說明其作用。而且，在以下的說明中，作為被加工物的晶片采用圖3所示的半導體晶片10。
放置在片盒放置臺8上的片盒9的規定位置上所收納的半導體晶片10，利用無圖示的升降機構來使片盒放置臺8上下移動，使晶片位于送出位置。然后，由送出機構14進行進退動作，將被置于送出位置上的半導體晶片10送出到臨時放置臺13上。送出到臨時放置臺13的半導體晶片10，因為環狀框11由構成臨時放置臺13的一對導軌131、131進行導向，所以，對環狀框11的X方向的位置被限定。這樣，如果將半導體晶片10送出到臨時放置臺13的規定位置上，那么由輪廓攝像裝置19對半導體晶片10進行攝像。這時，優選從半導體晶片10的背面側投射所謂背光。并且，輪廓識別機構19將攝像的圖像信息發送到控制裝置25內。控制裝置25將從輪廓攝像裝置19發送到圖像信息暫時存儲到隨機存取存儲器(RAM)253內。并且，由控制裝置25根據隨機存取存儲器(RAM)253內存儲的圖像信息，對半導體晶片10的形狀和位置，即半導體晶片10的輪廓的X坐標值、Y坐標值進行識別，將該圖像信息存儲到隨機存取存儲器(RAM)253內。而且，若半導體晶片10被定位在臨時放置臺13的規定位置上，則定位狀態是環狀環11的中心P與卡盤臺36的中心相一致。并且，半導體晶片10的輪廓的X坐標值、Y坐標值被置換成以卡盤臺36的中心為原點的坐標。
而且，在將圖4所示的多個光器件晶片100粘貼到環狀框11內所安裝的保護帶12上的情況下，各光器件晶片100的形狀和位置作為X坐標值、Y坐標值而存儲到隨機存取存儲器(RAM)255內。
如上述那樣，若求出與半導體晶片10的輪廓有關的圖像信息，將其存儲到隨機存取存儲器(RAM)253內，則半導體晶片10用傳送機構15將其傳送到圖1所示的被加工物接收位置上所固定的卡盤臺36上，吸附保持在卡盤臺36上。然后，將保持半導體晶片10的卡盤臺36移動到對位機構6的正下方，進行對位作業，將對位信息存儲到隨機存取存儲器(RAM)253內。這時，半導體晶片10的輪廓X坐標值、Y坐標值如上述那樣存儲到隨機存取存儲器(RAM)253內，所以，能夠根據該信息、使半導體晶片10的正確定位區定位在對位機構6的正下方。所以，不會產生對位誤差，能夠迅速而準確地進行對位作業。
而且，在圖4所示的多個光器件晶片100粘貼在環狀框11上的保護帶12上的情況下，對各光器件晶片100進行對位。
然后，將保持半導體晶片10的卡盤臺36固定在圖1所示的被加工物接收位置上。并且用噴射裝置(spray)將液狀的樹脂噴涂到卡盤臺36內所保持的半導體晶片10的表面被覆保護覆膜，即進行保護覆膜被覆工序。
保護覆膜被覆工序，首先使圖2所示的加工進給機構37和第1分度進給機構38動作，使卡盤臺36內所保持的半導體晶片10的規定位置，例如圖5所示使表示結晶方位的定位面103的一個端部(在圖5中為左端部)，位于保護覆膜被覆機構20的噴咀21的正下方。然后，控制裝置25使樹脂供給機構22的供給泵223進行工作，而且，使加工進給機構37進行工作，使半導體晶片10在箭頭X1所示的方向上按規定速度來移動。其結果，將液狀的樹脂從噴咀21向半導體晶片10的表面噴涂。并且，控制裝置25在半導體晶片10的圖5中，當右側的輪廓部達到稍稍超過噴咀21的位置時，使加工進給機構37停止動作，而且，使第1分度進給機構38進行動作，使半導體晶片10在箭頭Y1所示的方向上按規定量(例如在從噴咀21中噴出的液狀的樹脂的寬度為10mm時為10mm)進行移動。這樣，當使半導體晶片10在箭頭Y1方向上移動了規定量時，控制裝置25使第1分度進給機構38停止動作，而且，使加工進給機構37進行動作，使半導體晶片10在箭頭X2所示的方向上按規定速度移動。然后，控制裝置25在半導體晶片10的圖5中，當左側的輪廓部達到稍稍超過噴咀21的位置時，使加工進給機構37停止動作，而且使第1分度進給機構38進行動作，使半導體晶片10在箭頭Y2所示的方向上按規定量(例如10mm)進行移動。控制裝置25執行以上的周期，直到與半導體晶片10中的定位面103相反的一側的端部為止。而且，上述半導體晶片10的移動根據從輪廓攝像裝置19發送的圖像信息進行識別，根據隨機存取存儲器(RAM)253內存儲的半導體晶片10的輪廓的X坐標值、Y坐標值，以及從加工進給量檢測機構374和分度進給量檢測機構384來的檢測信號進行控制。如上所述，進行保護覆膜被覆工序，即可在半導體晶片10的表面10a上如圖6所示形成保護覆膜104。該保護覆膜104如上述那樣，從噴咀21中噴涂形成例如寬度為10mm的液狀的樹脂，所以在半導體晶片10的整個表面形成均勻的膜。
若利用上述保護覆膜被覆工序在半導體晶片10的加工面即表面10a上被覆保護覆膜104，則能夠進行在形成了保護覆膜104的半導體晶片10的表面通過保護覆膜104沿分割道102照射激光光線的激光光線照射工序。也就是說，控制裝置25使加工進給機構37進行動作，使保持半導體晶片10的卡盤臺36移動到激光光線照射機構52的聚光器522的下方的加工區內。然后，根據上述對位信息使加工進給機構37和第1分度進給機構38進行動作，卡盤臺36上所保持的半導體晶片10上形成的規定的分割道102位于聚光器522的正下方。這時，如圖7(a)所示，半導體晶片10進行定位，使分割道102的一端(圖7的(a)中左端)位于聚光器522的正下方。然后，一邊從激光光線照射機構52的聚光器522中照射脈沖激光光線，一邊使卡盤臺36即半導體晶片10在圖7的(a)中在箭頭X1所示的方向上按規定的加工進給速度進行移動。并且，如圖7(b)所示，在分割道102的另一端(在圖7的(b)中右端)到達聚光器522的正下方位置上時，使脈沖激光光線的照射停止，而且，使卡盤臺36即半導體晶片10停止移動。在該激光光線照射工序中，將脈沖激光光線的聚光點P對準到分割道102的表面附近。
通過進行上述激光光線照射工序，在半導體晶片10的分割道102上，如圖8所示形成激光加工槽105。這時，如圖8所示，即使由于激光光線的照射，而發生碎屑106，也能夠由保護覆膜104來遮擋該碎屑106，使其不會附著到器件101和壓焊焊盤等上。并且，上述激光光線照射工序在半導體晶片10的所有分割道101上進行。而且，在上述激光光線照射工序中形成在半導體晶片10的表面的保護覆膜104在整個表面是均勻的，所以，能夠進行均勻的激光加工。
而且，上述激光光線照射工序例如在以下加工條件下進行。
激光光線的光源YVO4激光或YAG激光波長355nm重復頻率20kHz脈沖寬度30ns輸出3.0W聚光點徑Φ10μm加工進給速度100mm/秒如果使上述激光光線照射工序沿半導體晶片10的所有分割道101進行，那么，對加工后的半導體晶片10進行保持的卡盤臺36向與清洗機構16相對置的位置上移動。在此，解除對半導體晶片10的吸附保持。并且，加工后的半導體晶片10由清洗傳送機構17將其傳送到清洗機構16內，由清洗水來進行清洗。通過該清洗，使用半導體晶片10的表面10a上被覆的保護覆膜104如上所述由水溶性樹脂來形成，所以，能夠很容易洗掉保護覆膜104，而且，也能夠除去激光加工時產生的碎屑106。
如上述那樣，清洗工序結束后，加工后的半導體晶片10被清洗傳送機構17將其傳送到卡盤臺36上。然后，對半導體晶片進行保持的卡盤臺36被固定在圖1所示的被加工物接收位置上。然后，加工后的半導體晶片10由傳送機構15將其傳送到臨時放置臺13上。傳送到臨時放置臺13上的加工后的半導體晶片10由送出機構14將其收放到片盒9的規定位置上。
而且，在上述實施方式中，表示在進行保護覆膜被覆工序之前進行對位作業的例子。但也可以在進行保護覆膜被覆工序之后進行對位作業。在此情況下，利用可見光線來拍攝對位機構6的圖像的通常的攝像器件(CCD)以外，還有以下構成部分照射紅外線的紅外線照射機構、對由該紅外線照射機構進行照射的紅外線進行捕捉的光學系統、以及由該光光學系統捕捉的紅外線所對應的電氣信號進行輸出的攝像器件(紅外線CCD)等，在進行保護覆膜被覆工序之后透射保護覆膜，拍攝晶片進行對位作業。
權利要求
1.一種晶片的激光加工方法，沿著格子狀的分割道進行激光加工，上述分割道對在表面成矩陣狀地形成了多個器件的晶片的該器件進行劃分，其特征在于具有保護覆膜被覆工序，用噴射裝置在晶片的加工面噴涂液狀的樹脂來被覆保護覆膜；以及激光光線照射工序，通過該保護覆膜沿分割道將激光光線照射到形成了保護覆膜的晶片的加工面。
2.如權利要求1所述的晶片的激光加工方法，其特征在于該液狀的樹脂是水溶性樹脂。
3.一種激光加工裝置，其中包括對被加工物進行保持的卡盤臺、將激光光線照射到被保持在該卡盤臺上的被加工物上的激光光線照射裝置、以及使該卡盤臺和該激光光線照射裝置相對地加工進給的加工進給裝置，其特征在于具有噴咀，沿該卡盤臺的移動路線進行布置，將液狀的樹脂噴涂到被保持在該卡盤臺上的被加工物的表面；以及樹脂供給裝置，向該噴咀供給液狀的樹脂。
全文摘要
本發明提供一種能夠在晶片的加工面均勻地被覆保護覆膜進行激光加工的晶片的激光加工方法和激光加工裝置。沿著格子狀的分割道進行激光加工，上述分割道對在表面成矩陣狀地形成了多個器件的晶片的該器件進行劃分，其特征在于具有保護覆膜被覆工序，用噴射裝置在晶片的加工面噴涂液狀的樹脂來被覆保護覆膜；以及激光光線照射工序，通過該保護覆膜沿分割道將激光光線照射到形成了保護覆膜的晶片的加工面。
文檔編號H01L21/304GK1840279SQ20061007166
公開日2006年10月4日 申請日期2006年3月30日 優先權日2005年3月31日
發明者北原信康, 山下陽平, 檜垣岳彥, 吉川敏行 申請人:株式會社迪斯科