專利名稱：多晶硅刻蝕腔體的制作方法
技術領域：
本發明涉及集成電路領域，尤其是集成電路領域中的一種多晶硅刻蝕 腔體。
背景技術：
在多晶硅及硅化鎢刻蝕過程中，均一性是非常重要的工藝參數，它對 多晶硅刻蝕后的氧化膜膜厚及多晶硅線寬等參數有很大影響，從而直接影 響電路的性能。隨著集成電路制造過程中硅片逐步向大尺寸化發展的同時, 保持硅片的面內均一性也變得越來越重要。在目前通用的刻蝕腔體內，氣 體可以在整個腔體范圍里自由流動，產生的等離子體比較發散，不能很好 的集中于需要刻蝕的硅片表面，因此硅片的面內均一性較差。如圖1和圖2所示，在多晶硅刻蝕腔體中，在靜電吸附盤周圍僅有一 個略高于靜電吸附盤表面的陶瓷定位環，硅片在刻蝕過程中位于靜電吸附 盤表面，硅片表面與定位環表面處于同一高度。反應氣體由上腔體四周的 氣體噴嘴吹向硅片表面，在射頻能量的作用下產生等離子體，對硅片起到 刻蝕作用。由于刻蝕過程中硅片與定位環的表面處于同一高度，因此等離子體不 能很好地聚集在硅片表面，會發散到整個腔體內，等離子體不能很好的聚 集在腔體中央，使得硅片周邊和中心的刻蝕速率有較大的差異，等離子體 的均一性較差，影響了刻蝕速率的均一性
發明內容
本發明所要解決的技術問題是提供一種多晶硅刻蝕腔體，能夠使得等 離子體很好地聚集在硅片表面，從而提高硅片刻蝕速率的均一性。為解決上述技術問題，本發明的多晶硅刻蝕腔體所采用的技術方案是， 在多晶硅刻蝕腔體內的靜電吸附盤周圍環繞設有一底部和靜電吸附盤處于 同樣高度、設置在靜電吸附盤底座上的聚焦環，聚焦環高出靜電吸附盤的部分高度在10mm至40mm之間，外徑等于靜電吸附盤底座的外徑，內徑 在201mm至211mm之間，聚焦環圍繞靜電吸附盤周圍部分高度等于靜電 吸附盤的高度，內徑等于靜電吸附盤的直徑，外徑等于靜電吸附盤底座的 外徑。本發明通過在靜電吸附盤周圍設置一個高于靜電吸附盤的聚焦環，在 刻蝕腔體內硅片周圍形成一個相對封閉的環境，改善等離子體的均一性， 從而達到改善刻蝕均一性的效果。
下面結合附圖和具體實施方式
對本發明作進一步詳細的說明圖1是己有技術中多晶硅刻蝕腔體工作示意圖；圖2是己有技術中多晶硅刻蝕腔體結構示意圖；圖3是本發明多晶硅刻蝕腔體結構示意圖。
具體實施方式
如圖3所示，本發明的多晶硅刻蝕腔體，在多晶硅刻蝕腔體內的靜電 吸附盤周圍環繞設有一底部和靜電吸附盤處于同樣高度、設置在靜電吸附 盤底座上的聚焦環，聚焦環高出靜電吸附盤的部分高度為10mm 40mm， 外徑等于靜電吸附盤底座的外徑，內徑為201mm至211mm之間，聚焦環 圍繞靜電吸附盤周圍部分高度等于靜電吸附盤的高度，內徑等于靜電吸附 盤的直徑，外徑等于靜電吸附盤底座的外徑。聚焦環圍繞靜電吸附盤周圍 部分高度為40mm至45mm之間，內徑為245mm至260mm之間，聚焦環 外徑為250mm至300mm之間。該聚焦環為陶瓷材料或者石英材料。本發明將腔內的定位環更換為聚焦環，由于聚焦環具有比硅片表面更 高的高度，能夠在硅片周圍形成一個相對封閉的環境，將等離子體聚集在 硅片表面，使得硅片表面的等離子的均一性改善，這種做法在無需改變現 有刻蝕程序的情況下能使得刻蝕均一性明顯改善。本發明使硅片面內的器 件具有同樣的性能，并且提高器件的可靠性。
權利要求
1、一種多晶硅刻蝕腔體，其特征在于，在多晶硅刻蝕腔體內的靜電吸附盤周圍環繞設有一底部和靜電吸附盤處于同樣高度、設置在靜電吸附盤底座上的聚焦環，聚焦環高出靜電吸附盤的部分高度在10mm至40mm之間，外徑等于靜電吸附盤底座的外徑，內徑在201mm至211mm之間，聚焦環圍繞靜電吸附盤周圍部分高度等于靜電吸附盤的高度，內徑等于靜電吸附盤的直徑，外徑等于靜電吸附盤底座的外徑。
2、 如權利要求1所述的多晶硅刻蝕腔體，其特征在于，聚焦環圍繞靜 電吸附盤周圍部分高度在40mm至45mm之間，內徑在245mm至260mm 之間，聚焦環外徑在250mm至300mm之間。
3、 如權利要求1或2所述的多晶硅刻蝕腔體，其特征在于，聚焦環為 陶瓷材料。
4、 如權利要求1或2所述的多晶硅刻蝕腔體，其特征在于，聚焦環為 石英材料。
全文摘要
本發明公開了一種多晶硅刻蝕腔體，在多晶硅刻蝕腔體內的靜電吸附盤周圍環繞設有一底部和靜電吸附盤處于同樣高度、設置在靜電吸附盤底座上的聚焦環，聚焦環高出靜電吸附盤的部分高度為10mm～40mm，外徑等于靜電吸附盤底座的外徑，內徑在201mm至211mm之間，聚焦環圍繞靜電吸附盤周圍部分高度等于靜電吸附盤的高度，內徑等于靜電吸附盤的直徑，外徑等于靜電吸附盤底座的外徑，本發明通過將腔內的定位環更換為具有比硅片表面更高的高度的聚焦環，將等離子體聚集在硅片表面，使得硅片表面的等離子的均一性改善，改善了刻蝕均一性。本發明使硅片面內的器件具有同樣的性能，并且提高器件的可靠性。
文檔編號H01L21/302GK101117715SQ20061002961
公開日2008年2月6日 申請日期2006年8月1日 優先權日2006年8月1日
發明者黎 吉, 吳志丹, 虹 李, 穎 虞 申請人:上海華虹Nec電子有限公司