半導體發光裝置、照明裝置、便攜通信設備、攝像機及制造方法

專利名稱：半導體發光裝置、照明裝置、便攜通信設備、攝像機及制造方法
技術領域：
本發明涉及發出光的半導體發光裝置、以半導體發光裝置為光源的照明裝置、便攜通信設備及攝像機，特別是涉及用于將輸出光高效地輸出到外部或提高熒光物質的變換率的技術。
背景技術：
近年來，隨著半導體技術的提高，正在推動普及輸出照明用的白色光的半導體裝置。
在上述半導體裝置中，考慮將底板(submount)的電極形成為比上述半導體發光元件大來使其具有反射膜的功能的方法。這時，上述電極可以用光的反射率高的金屬形成。
專利文獻1(日本)特開2000-286457號公報。
但是，在上述反射率高的金屬中，有的金屬因容易產生電遷移等而不適合作為電極。

發明內容
本發明不管反射率高的材料是否適合作為電極，提供用它將半導體元件發出的藍色光或由熒光物質變換的黃綠色光等的輸出光高效地輸出到外部的半導體裝置、具備該半導體裝置的照明裝置、便攜通信設備、及攝像機、以及該半導體發光裝置的制造方法。
為了實現上述目的，本發明的半導體發光裝置，具備襯底部件和配置在上述襯底部件上的半導體發光元件，上述襯底部件具備基板；電極部，配置在上述基板的上表面上，與上述半導體發光元件直接接觸；及反射部，配置在上述基板的上表面上，不與上述半導體發光元件及上述電極部直接接觸。
根據用于解決課題的手段中記載的結構，在襯底部件的上表面上與電極部分開設置反射部，所以不管該反射部是否適合作為電極，都可以使用它。
因此，與使電極具有作為反射膜的功能的方法相比，能夠將半導體發光元件發出的輸出光更高效地輸出到外部。
在此，在半導體發光裝置中，其特征在于，上述電極部包括形成在上述基板的上述上表面上的電極、以及將上述半導體發光元件和上述電極電連接的連接部。
由此，襯底部件上的布線圖案等的電極和半導體發光元件由凸塊和接合線等連接部連接。
在此，在半導體發光裝置中，其特征在于，上述反射部的光反射率比上述電極高。
由此，反射部的反射率比電極高，所以與將電極作為反射膜使用的情況相比，也能夠更多地反射半導體發光元件發出的光。
因此，可以提高半導體發光裝置的發光效率。
這里，在半導體發光裝置中，其特征在于，上述反射部由金屬形成，上述電極比形成上述反射部的金屬難以產生電遷移。
這樣，電極與反射部相比，是難以產生電遷移的金屬，所以是比反射部更適合作為電極的材質，能夠抑制由電遷移導致的電極間短路故障的發生。
另一方面，反射部是反射率比電極高的材質，因此，可以容易選擇適合各種用途的材質。
這里，在半導體發光裝置中，其特征在于，上述反射部由Ag、包含Ag的合金、包含Ag、Bi、Nd的合金、包含Ag、Au、Sn的合金、Al、包含Al的合金、或包含Al、Nd的合金形成。
由此，可以提高反射部的反射率。
在此，在半導體發光裝置中，其特征在于，上述反射部由Ag或包含Ag的合金形成；在上述電極由Au或以Au為主成分的合金形成時，上述半導體發光元件發出的光的波長帶是大約340nm以上、大約800nm以下；上述電極由Pt或以Pt為主成分的合金形成時，上述波長帶是大約350nm以上、大約800nm以下；上述電極由Cu或以Cu為主成分的合金形成時，上述波長帶是大約350nm以上、大約800nm以下；上述電極由Ni或以Ni為主成分的合金形成時，上述波長帶是大約340nm以上、大約800nm以下；上述電極由Rh或以Rh為主成分的合金形成時，上述波長帶是大約370nm以上、大約800nm以下；上述電極由Al或以Al為主成分的合金形成時，上述波長帶是大約460nm以上、大約800nm以下。
由此，Ag或包含它的合金是反射部，Au、Pt、Cu、Ni、Rh、Al是各電極的情況下，在上述波長帶中，反射部的反射率比電極的反射率高。
在此，在半導體發光裝置中，其特征在于，上述反射部由Al或包含Al的合金形成；上述電極由Au或以Au為主成分的合金形成時，上述半導體發光元件發出的光的波長帶是大約200nm以上、大約600nm以下；上述電極由Pt或以Pt為主成分的合金形成時，上述波長帶是大約200nm以上、大約800nm以下；上述電極由Cu或以Cu為主成分的合金形成時，上述波長帶是大約200nm以上、大約630nm以下；上述電極由Ni或以Ni為主成分的合金形成時，上述波長帶是大約200nm以上、大約800nm以下；上述電極由Rh或以Rh為主成分的合金形成時，上述波長帶是大約200nm以上、大約800nm以下。
由此，Al或包含Al的合金是反射部，Au、Pt、Cu、Ni、Rh是各電極的情況下，在上述波長帶中，反射部的反射率比電極的反射率高。
在此，在半導體發光裝置中，其特征在于，上述基板包含Si。
由此，一般，包含Si的基板的反射率在整個可見光區域較低，所以通過設置反射部，可以很快地將半導體發光元件發出的輸出光高效地輸出到外部。
這里，在半導體發光裝置中，其特征在于，上述反射部從上看時具有未被上述半導體發光元件遮擋的開放部分。
由此，形成在開放部分的反射部能夠將從半導體發光元件向與發光方向相反的方向發出的光高效地進行反射，而使其朝向發光方向，因此，可以高效地利用從半導體發光元件發出的光。因此，能夠提高半導體發光裝置的發光效率。
這里，在半導體發光裝置中，其特征在于，上述反射部的離上述半導體發光元件遠的部分比近的部分，在上下方向上高。
由此，能夠高效回收離半導體發光元件越遠則越衰減而變弱的光，所以能夠抑制亮度不均勻或顏色不均勻。
這里，在半導體發光裝置中，其特征在于，述半導體發光裝置具備透光變換部，該透光變換部覆蓋上述半導體發光元件的發光部分的一部分或全部、以及上述反射部的一部分或全部。
由此，將半導體發光元件發出的例如藍色光的第1波長帶的光和由熒光物質變換的例如藍色光的互補色即黃綠色光的第2波長帶的光高效地輸出到外部，例如可以抑制白色光的混合色的光的亮度不均勻和顏色不均勻的同時進行輸出，并且，由于反射部的被透光變換部覆蓋的部分至少反射第1波長帶的光，所以可以提高熒光物質的變換率。
這里，在半導體發光裝置中，其特征在于，上述反射部的離上述半導體發光元件遠的部分比近的部分，反射來自上述半導體發光元件的光的比例高。
由此，使離半導體發光元件越遠就越衰減而減弱的光，越是遠的部分反射越多，從而可以抑制亮度不均勻和顏色不均勻。
在此，在半導體發光裝置中，其特征在于，在上述反射部的一部分或整面上具有凹凸。
由此，因凹凸而增加表面積，可以使第1波長帶光的漫反射，所以可以提高熒光物質的變換率。
在此，在半導體發光裝置中，其特征在于，上述反射部的離上述半導體發光元件遠的部分的凹凸比近的部分大。
由此，使離半導體發光元件越遠就越衰減而減弱的光，通過越是遠的部分越增大凹凸，由此使越是遠的部分漫反射越多，從而可以抑制亮度不均勻和顏色不均勻。
這里，在半導體發光裝置中，其特征在于，述反射部在一部分或全部具有球面。
由此，通過曲面增加表面積，使第1波長帶的光漫反射，從而提高熒光物質的變換率。
在此，在半導體發光裝置中，其特征在于，上述反射部的上述球面的離上述半導體發光元件遠的部分的曲率比近的部分小。
由此，使離半導體發光元件越遠就越衰減而減弱的光，通過越是遠的部分使曲面的曲率越小，由此使得越是遠的部分越增大表面積，并使漫反射越多，從而可以抑制亮度不均勻和顏色不均勻。
這里，在半導體發光裝置中，其特征在于，在上述反射部和上述基板之間設有絕緣部。
由此，可以可靠地截斷在反射部中流動的電流，可以可靠地防止電遷移的發生。
這里，在半導體發光裝置中，其特征在于，在上述半導體發光元件中，在一方的主面側設有第1元件電極和第2元件電極，在上述襯底部件上作為上述電極設有第1基板電極和第2基板電極，上述第1元件電極和上述第1基板電極由上述連接部中的一個即第1微凸塊電連接，上述第2元件電極和上述第2基板電極由上述連接部中的一個即第2微凸塊電連接。
由此，在倒裝片安裝中，能夠使半導體發光元件發出的輸出光更高效地輸出到外部，所以，可以得到高亮度。
為了實現上述目的，本發明的照明裝置的特征在于，具備上述半導體發光裝置和配置在上述半導體發光裝置的主發光方向上的透鏡部。
由此，以使用多個上述半導體發光裝置的吊燈或筒燈(down lamp)等室內照明為代表，提高立式桌上用照明、手電筒等便攜式照明、攝像機的閃光燈等攝像用照明等的各種照明裝置的發光效率。并且，在室內用照明或桌上用照明中，可以期待高亮度化及節能效果，并且，在便攜用照明中，可以期待高亮度化及連續點燈時間的延長等。
為了實現上述目的，本發明的便攜通信設備的特征在于，具備上述半導體發光裝置或照明裝置。
由此，提高便攜通信設備的液晶畫面的背光源、內置的數碼攝像機的靜止像用的閃光燈或動態像用的照明等的發光效率。并且，在便攜通信設備中，可以期待操作性提高，電池續航時間的延長及輕量化等。
為了實現上述目的，本發明的攝像機的特征在于，具備上述半導體發光裝置或照明裝置。
由此，提高數碼靜止攝像機或銀鉛攝像機用的閃光燈、錄像攝像機用的照明等的發光效率提高。由此，在各種攝像機中，可以期待比過去低的EV值上的攝像、電池續航時間的增長及輕量化。
在此，半導體發光元件的制造方法的特征在于，包括在上述基板的上述上表面上形成上述電極部的步驟；在上述電極部及與上述電極部鄰接的區域形成保護膜的步驟；在由形成有上述保護膜的區域及要形成上述反射部的區域構成的上述基板的上述大致整個上表面上形成反射部用被膜的步驟；以及除去上述保護膜和形成于上述保護膜上的反射部用被膜的步驟。
這樣，將保護膜形成在電極部及電極部周圍的分離區域，因此，可以同時進行電極部保護和分離區域形成。
此外，蒸鍍的反射部用金屬的垂直面與水平面相比難以成膜，因此，可以在需要膜厚的反射部形成一定膜厚以上的被膜，同時可以形成在垂直面即側面沒有形成反射部的不連續的薄膜。


圖1(a)是表示本發明的實施方式中的半導體發光裝置100的外觀的立體圖。圖1(b)是圖1(a)所示的半導體發光裝置100的俯視圖。圖1(c)是圖1(a)所示的半導體發光裝置100的A-A’線縱剖視圖。
圖2是組裝前的半導體發光元件110的底視圖。
圖3(a)是組裝前的底板130的俯視圖。圖3(b)是圖3(a)所示的底板130的A-A’線縱剖視圖。
圖4是表示輸出的光的波長范圍、電極的材質、及反射部的材質的適當的組合的圖。
圖5是表示底板130的制造方法的概要的圖。
圖6是反射部形成工序中的底板130的截面的概要的圖。
圖7是表示底板130的制造方法的概要的圖。
圖8是表示反射部的形成工序中的底板130的截面的概要的圖。
圖9是表示半導體發光裝置100的制造方法的概要的圖。
圖10(a)是組裝前的底板510的俯視圖。圖10(b)是半導體發光裝置500的圖10(a)中表示的底板510的A-A’線縱剖視圖。圖10(c)是半導體發光裝置500的圖10(a)中表示的底板510的B-B’線縱剖視圖。
圖11(a)是組裝前的底板610的俯視圖。圖11(b)是半導體發光裝置600的圖11(a)中表示的底板610的A-A’線縱剖視圖。
圖12(a)是組裝前的底板710的俯視圖。圖12(b)是半導體發光裝置700的圖12(a)中表示的底板710的A-A’線縱剖視圖。
圖13是表示將半導體發光裝置100作為光源的照明裝置200的圖。
圖14是將照明裝置200作為照相用的閃光燈搭載的便攜通信設備300。
圖15是將照明裝置200作為照相用的閃光燈搭載的攝像機400。
其中，100 半導體發光裝置110 半導體發光元件111 負電極
112 正電極120 透光性樹脂130 底板(襯底部件)131 硅基板132 反射部133 背面電極134 正電極(電極部)135 負電極(電極部)136 接合焊盤140～144 微凸塊(電極部)200 照明裝置201～204 引腳框205 Ag糊料206、207 Au線208 透明環氧樹脂209 微透鏡300 便攜通信設備400 攝像機500 半導體發光裝置510 底板(襯底部件)511 正電極512 反射部513 硅基板600 半導體發光裝置610 底板(襯底部件)611 反射部612 硅基板700 半導體發光裝置
710 底板(襯底部件)711 反射部712 硅基板具體實施方式
(半導體發光裝置)<結構>
本發明的實施方式是如下的半導體發光裝置使襯底部件的上表面比上述半導體發光元件的外形大一圈，在上述上表面上，與Au(金)或Al(鋁)等電極分別地用反射率比電極高的Ag(銀)等金屬設置反射部，從而不管反射率高的材料是否適合作為電極，用它將半導體發光元件發出的藍色光或紫外光、及由熒光物質變換的黃綠色光等輸出光高效地輸出到外部。
圖1(a)是本發明的實施方式中的半導體發光裝置100的外觀的立體圖。并且，在本實施方式中，將圖1(a)所示的X軸方向設為半導體發光裝置100的前后方向(+側為前側、-側為后側)，將Y軸方向設為左右方向(+側為左側、-側為右側)，將Z軸方向設為上下方向(+側為上側、-側為下側)。
圖1(b)是從上側(上述Z軸方向+側)看半導體發光裝置100的俯視圖。
圖1(c)是從右側(上述Y軸方向-側)看半導體發光裝置100的A-A’線截面的A-A’線縱剖視圖。
如圖1(a)所示，本發明的實施方式的半導體發光裝置100是輸出白色光的器件，具備半導體發光元件110、作為透光變換部的一例的透光性樹脂120及作為襯底部件的底板130。
圖2是從下側(上述Z軸方向-側)即面對底板130的主面側看組裝前的半導體發光元件110的底視圖。
半導體發光元件110例如是在透光性的基板上形成了GaN系化合物半導體層的發出藍色光的發光二極管，在面對底板130的一方的主面上具備負電極111和正電極112，另一方的主面上具有主要發出光的主發光部。半導體發光元件110的外形在這里是主面為0.3mm見方的正方形、厚度為0.1mm左右的直方體形狀，如圖1所示配置在底板130上。
透光性樹脂120由包含將從半導體發光元件110發出的藍色光變換成其互補色即黃綠色光的熒光物質(未圖示)的樹脂材料構成，使未由熒光物質變換的藍色光和由熒光物質變換的黃綠色光透射。
如圖1所示，透光性樹脂120配置在底板130上，以覆蓋半導體發光元件110的全部和其周邊。此外，透光性樹脂120配置成覆蓋反射部132的一部分。
這里，透光性樹脂120覆蓋全部半導體發光元件110，并不一定要覆蓋全部，只要至少覆蓋發光部分的局部即可。并且，透光性樹脂120覆蓋反射部132的一部分，但是也可以覆蓋全部。
圖3(a)是從上側(上述Z軸方向+側)即配置半導體發光元件110的上面側看組裝前的底板130的俯視圖。圖3(b)是從右側(上述Y軸方向-側)看圖3(a)所示的底板130的A-A’線截面的A-A’線縱剖視圖。
如圖1(a)及(c)所示，底板130配置在半導體發光元件110及透光性樹脂120的下側(上述Z軸方向的-側)。
底板130具有作為基板的一例的硅基板131、設置在上述硅基板131的上表面的電極部及反射部132、設置在上述硅基板131的下表面的背面電極133。
硅基板131是包含硅的基板，具體而言，是以硅為基材的齊納二極管等保護用二極管。
電極部由正電極134、負電極135及作為連接部的一例的微凸塊(bump)140～144構成。正電極134配置在底板130的p型半導體區域的上表面上，負電極135和反射部132配置在底板的n型半導體區域的上表面上。并且，反射部132也可以配置在底板的p型半導體區域的上表面上。
背面電極133的材質例如是Au、Pt(白金)、Cu(銅)、Ni、Rh(銠)、Al、Ag等中的任一種、或多個組合、或者是包含它們的合金。
如圖1(a)所示，底板130是主面為0.5×0.8mm的長方形且厚度為0.2mm左右的直方體形狀。因此，如圖1(b)所示，在俯視時，底板130比半導體發光元件110大一圈。
并且，底板130比透光性樹脂120大，在開放部分的未被上述透光性樹脂120覆蓋的部分，至少配置有正電極134；上述正電極134的未被上述透光性樹脂120覆蓋的部分的一部分成為接合焊盤136。
并且，底板130可以使用齊納二極管、pn二極管、pin二極管、肖特基二極管、隧道二極管、耿氏二極管等的各種二極管。
這里，保護用二極管即底板130和發光二極管即半導體發光元件110以相反極性的電極互相連接。在發光二極管上這樣連接有保護用二極管，因此，即使要向發光二極管施加反向電壓，電流在保護用二極管中也向順方向流動，所以，在發光二極管上幾乎不被施加反方向電壓，并且，即使要向發光二極管施加過大的順方向電壓，也不會施加保護用二極管的反方向擊穿電壓(齊納電壓)以上的順方向電壓。
將硅二極管用作保護用二極管的情況下，一般順方向電壓是0.9V左右，可以將反方向擊穿電壓設定為10V左右。其結果，GaN系的發光二極管的順方向擊穿電壓是100V左右、反方向擊穿電壓是30V左右，所以，可以防止因靜電等過大的電壓而導致發光二極管被破壞的狀況。
特別是，發出藍色光的發光二極管主要是GaN系，與其它整體(bulk)化合物半導體(GaP、GaAlAs等)比較，反靜電性能較弱，如上所述由各種二極管構成底板130的效果較大。但是，從外部實施針對靜電的其它對策的情況下，在如其它整體化合物半導體那樣使用反靜電性能強的半導體發光元件的情況等，底板130并不一定是二極管也可以。
正電極134是電極，通過微凸塊與半導體發光元件110的負電極111電連接，同樣，負電極135是電極，通過微凸塊141～144與半導體發光元件110的正電極112電連接，在正電極134和負電極135之間施加電壓，半導體發光元件110發光。
微凸塊140～144是分別將半導體發光元件和電極電連接的導體。
并且，這里正電極134及負電極135的材質是具有難以產生電遷移等的適合作為電極的特性的金屬，例如是如圖4所示的表的最左欄所示的Au、Pt(白金)、Cu(銅)、Ni(鎳)、Rh(銠)、Al中的任一種、多個組合、或包含它們的合金。
此外，電遷移是指由于電場的影響，金屬成分在非金屬介質上或非金屬介質中橫截移動的現像，電極間的絕緣電阻值隨著使用時間的經過下降并導致短路故障。并且，若不存在電場，就不發生電遷移。例如，光的波長在340nm以上800nm以下，反射率高的Ag，是特別容易引起電子的金屬，不適合作為電極，最終不能使用。
反射部132例如圖1(b)所示，在硅基板131的上表面的未被半導體發光元件110遮擋的開放部分，除了正電極134及負電極135的部分，配置成大致遍及整個面。并且，在上述反射部132和硅基板131之間，也可以設有絕緣部(未圖示)。
反射部132設置成不與正電極134、負電極135及半導體發光元件110的任一個直接接觸。這里，所謂直接接觸是指物理上不接觸的狀態，可以隔著其它物體連接，并且，也可以電連接。
此外，反射部132在發光等時被施加的電壓比電極部小。因此，電場的影響也小，難以引起電遷移。因此，反射部132的材質，可以是具有容易引起電遷移等的不適合作為電極的特性的金屬。
作為反射部132的材質，例如圖4所示的表的最上欄所示，除考慮Au、Pt、Cu、Ni、Rh、Al以外，還可以考慮容易引起電遷移的Ag，還可以是這些內的多個組合或包含它們的合金等。根據從半導體發光元件110發出的光的波長，可以分開使用Ag或包含Ag的合金(Ag-Bi，Ag-Bi-Nd)、或Al、或包含Al的合金。
另一方面，電極部在發光等時被施加的電壓較大，因此，電場的影響也較大，容易引起電遷移，因此，如上所述，最好是難以引起電遷移的金屬。
并且，反射部132對從半導體發光元件110發出的波長帶的光、及由透光性樹脂120中的熒光物質變換的波長帶的光的反射率比正電極134及負電極135高。
以上，在本發明的實施方式中，以輸出照明用的藍色光和黃綠色光的混合色即白色光的半導體發光裝置為例進行了說明，但是，輸出不同組合的白色光或白色光以外的光的半導體發光裝置也同樣可以實現，可以期待同樣的效果。
以下，對輸出的光的波長范圍、電極的材質、及反射部的材質的適當的組合進行說明。
圖4是表示輸出的光的波長范圍、電極的材質、及反射部的材質的適當的組合的圖。并且，在圖4中，記載在電極及反射部的欄中的各元素符號意味著該元素符號表示的金屬。并且，在圖4中，波長僅表示了200nm以上800nm以下，但是不限于此。
在圖4中，反射部的反射率比電極高，與將電極用作反射膜相比，能夠更多地反射半導體發光元件發出的圖中記載的波長帶的光，并且，示出電極是難以引起電遷移的金屬的組合。
特別是，反射部是Ag或包含Ag的合金，電極是Au或以它為主成分的合金時，半導體發光元件發出的光最好是大約340nm以上、大約800nm以下；反射部是Ag或包含Ag的合金，電極是Pt或以Pt為主成分的合金時，半導體發光元件發出的光最好是大約350nm以上、大約800nm以下；反射部是Ag或包含Ag的合金，電極是Cu或以Cu為主成分的合金時，半導體發光元件發出的光最好是大約350nm以上、大約800nm以下；反射部是Ag或包含Ag的合金，電極是Ni或以Ni為主成分的合金時，半導體發光元件發出的光最好是大約340nm以上、大約800nm以下；反射部是Ag或包含Ag的合金，電極是Rh或以Rh為主成分的合金時，半導體發光元件發出的光最好是大約370nm以上、大約800nm以下；反射部是Ag或包含Ag的合金，電極是Al或以Al為主成分的合金時，半導體發光元件發出的光最好是大約460nm以上、大約800nm以下。并且，這里合金的主成分是指占該合金的組成的50％以上的金屬。
此外，特別是反射部是Al或包含它的合金，電極是Au或以Au為主成分的合金時，半導體發光元件發出的光最好是大約200nm以上、大約600nm以下；反射部是Al或包含Al的合金，電極是Pt或以Pt為主成分的合金時，半導體發光元件發出的光最好是大約200nm以上、大約800nm以下；反射部是Al或包含Al的合金，電極是Cu或以Cu為主成分的合金時，半導體發光元件發出的光最好是大約200nm以上、大約630nm以下；反射部是Al或包含Al的合金，電極是Ni或以Ni為主成分的合金時，半導體發光元件發出的光最好是大約200nm以上、大約800nm以下；反射部是Al或包含Al的合金，電極是Rh或以Rh為主成分的合金時，半導體發光元件發出的光最好是大約200nm以上、大約800nm以下。
此外，即使沒有電場的影響，Ag或Al也具有由于因熱產生結晶粒或鹵素的凝聚而導致反射率下降的性質。為了抑制反射率的下降，與反射部由Ag單體形成相比，更優選由包含Ag、Bi、Nd的合金、或者包含Ag、Au、Sn的合金形成，另外，與反射部由Al單體形成相比，更優選由包含Al、Nd的合金的合金形成。這些特別是在發熱量大的高亮度型的半導體發光裝置中有效。并且，這些合金的重量比優選Ag-Bi(0.35％)-Nd(0.2％)、Ag-Au(10％)-Sn(10％)、Al-Nd(2％)左右。
此外，特別是，在反射部和基板之間設有絕緣部的情況下，由于Ag或Al的上述因熱產生結晶粒或鹵素的凝聚，上述反射部和上述絕緣部的密接性容易被損壞，如上所述通過將上述反射部不是由金屬單體而是由合金形成，可以抑制上述反射部和上述絕緣部的密接性被損壞。
并且，本發明的半導體發光元件不限于發出藍色光的元件，例如也可以是發出紫外光的元件，在這種情況下，透光性樹脂包含從半導體發光元件發出的紫外光中激勵藍色光、紅色光、綠色光的熒光物質，成為由使通過該熒光物質激勵的藍色光、紅色光、綠色光透過的樹脂材料構成的具有透光性的熒光體。
<制造方法>
半導體發光裝置100的制造方法中，與不具備反射部的以往的底板的制造方法不同的僅是底板130的制造方法，因此，這里說明底板130的制造方法，對其它制造方法進行簡單說明。
圖5是表示底板130的制造方法的概要的圖。
首先，用圖5說明底板130的制造方法。
此外，從S1到S7及從S12到S15與不具備反射部的以往的底板的制造方法相同，從步驟S8到S11與以往的底板的制造方法不同。
(步驟S1)在氧化工序中，使加工前的n型的包含Si的基板131的晶片表面氧化。
(步驟S2)在抗蝕劑工序中，除了晶片表面上的正電極134的預定形成部分和其鄰接部分以外形成抗蝕劑膜，從而形成PN結形成用窗。
(步驟S3)在擴散工序中，對晶片表面上的PN結形成用窗的部分選擇性地擴散p型雜質，從而形成PN結。
(步驟S4)在除去抗蝕劑膜之后、絕緣部形成工序中，利用等離子CVD裝置在晶片表面上形成厚度為5000～6000(埃)的鈍化膜(氧化硅膜和氮化硅膜)，作為絕緣部的一例。
(步驟S5)通過除去晶片表面上的正電極134及負電極135的預定形成部分的一部分或全部的絕緣部，來形成電極接觸窗。
(步驟S6)將電極用金屬蒸鍍在晶片表面上。這里蒸鍍2～6μm厚的Al。
(步驟S7)通過除去所蒸鍍的Al的不需要的部分，形成正電極134及負電極135的圖案。
圖6是表示反射部形成工序中的底板130的截面的概要的圖。
圖6所示的801表示進入反射部形成工序之前的底板130的截面的狀態。
(步驟S8)為了防止形成反射部132時的對電極的壞影響，使用等離子CVD裝置，在晶片表面上形成氮化硅膜4000～5000(埃)。并且，取代氮化硅膜，也可以使用氧化硅膜。
圖6所示的802表示通過步驟S8的工序實施了處理的狀態。
氮化硅膜通過等離子CVD以250～400℃的較低的溫度形成，不會在Al電極表面產生凝聚等變化，可以使正電極134及負電極135的表面維持具有光澤的狀態。特別是，氮化硅膜的耐濕性優良。
(步驟S9)在晶片表面上蒸鍍反射部用金屬1000(埃)以上。這里，蒸鍍Ag合金。此外，作為蒸鍍Ag合金的方法，例如有電子束方式、電阻加熱方式及濺射方式等。
圖6所示的803表示通過步驟S9的工序實施了處理的狀態。
(步驟S10)通過除去反射部用金屬的分離反射部132和電極的區域、和電極表面的不需要的部分，來形成反射部132的圖案。這里，Ag合金使用濕法刻蝕，氮化硅膜通過等離子的干法刻蝕除去，來形成反射部132的圖案。
這里，通過干法刻蝕除去氮化硅膜，從而在比較低溫(100～200℃)下進行，并且，可以防止正電極及負電極被酸等污染而降低光澤的狀況。
并且，這里通過將氮化硅膜形成為覆蓋電極表面的周緣部分，來保護上述電極和絕緣部的界面，防止粘接力弱的上述電極從上述絕緣部剝離。
圖6所示的804表示通過步驟S10的工序實施了處理的狀態。
(步驟S11)將正電極134及負電極135上的微凸塊140～144的預定形成部分及其周邊部分的氮化硅膜，利用干法刻蝕除去，從而形成氮化硅膜的圖案。
圖6所示的805表示通過步驟S11的工序實施了處理的狀態。
(步驟S12)削去晶片背面，將厚度調整為100～200μm。
(步驟S13)將背面電極用的Au和Ag等金屬通過電子束、濺射、電阻加熱等的蒸鍍法來蒸鍍于晶片表面上，來形成背面電極133。
(步驟S14)進行特性檢測，存儲不符合規格的不合格元件的位置信息。這里，被存儲的不合格元件的位置信息用于在管芯接合(diebonding)時舍棄不合格元件。
(步驟S15)將晶片粘接在劃片帶(dicing tape)上，按芯片單位進行劃片。
通過如上那樣的方法，可以制造底板130。
并且，上述制造方法的情況下，如在除去不需的反射部時使用的濕法刻蝕和在除去不需要的氮化硅膜時使用的干法刻蝕等那樣，為了除去不需要的部分需要經過復雜的工序。因此，可以將除去不需要的部分時的工序(步驟S8～步驟S11)置換為更加簡化的如下的工序(步驟S21～步驟S23)。
圖7是表示底板130的制造方法的概要的圖。
圖8是表示反射部的形成工序中的底板130的截面的概要的圖。
圖8所示的901表示進入反射部的形成工序之前的底板130的截面的狀態。
(步驟S21)為了防止形成反射部132時的對電極的壞影響，使用磁電子絕對式編碼器(スピンコ一タ一)在晶片表面上的配置有正電極134及負電極135的區域及與該區域鄰接的周圍的區域有選擇地形成2～3μm的抗蝕劑膜，作為保護膜的一例。
這時，保護膜具備在垂直方向延伸的側面，其膜厚優選為之后形成的反射部的10倍左右。這是利用了蒸鍍對象面的角度越接近垂直、則形成反射部的蒸鍍速度越慢的特性，可以可靠地進行保護膜的剝離。
圖8所示的902表示通過步驟S21的工序實施了處理的狀態。
(步驟S22)在由形成有保護膜的區域及要形成反射部132的區域構成的大致整個晶片表面上(基板的上表面上)，蒸鍍反射部用金屬，作為反射部用被膜。
這時，蒸鍍的金屬以1000～4000(埃)的范圍形成較好。這是因為，以1000(埃)以下的膜厚不能發揮作為反射膜的功能，并且，若是4000埃以下，則可以在沿保護膜的垂直方向延伸的側面的一部分形成開口部，通過保護膜的剝離作用，可以簡單地進行保護膜的去除。并且，若使用有機類的抗蝕劑，則可以用有機溶劑以比較短時間去除保護膜，不需要使用對電極表面的光澤造成影響的酸。
并且，這里，在蒸鍍金屬時，也可以首先蒸鍍鈦等難以與晶片表面反應的金屬，在其上蒸鍍Ag或Ag合金等反射率高的金屬，做成雙重結構。
圖8所示的903表示通過步驟S22的工序實施了處理的狀態。
(步驟S23)將保護膜與形成在上述保護膜上的反射部用被膜一起通過溶劑浸漬法除去，從而使正電極134及負電極135露出的同時，僅在與各電極分離的區域殘留反射部用被膜來形成反射部的圖案。
圖8所示的904表示通過步驟S23的工序實施了處理的狀態。
如上所述，在步驟S21中將保護膜形成在電極及電極周圍的分離區域，從而可以同時進行電極保護和分離區域形成。
此外，蒸鍍的反射部用金屬的垂直面比水平面難以被成膜，可在需要膜厚的反射部132上形成一定膜厚以上的被膜，同時，在垂直面即側面可以形成沒有形成上述反射部132的不連續的薄膜。
圖9是表示半導體發光裝置100的制造方法的概要的圖。
以下用圖9說明半導體發光裝置100的制造方法。
(步驟S31)將底板130固定在管芯接合(die bonding)機的規定位置。
(步驟S32)將半導體發光元件110固定在管芯接合機的規定位置。
(步驟S33)在底板130上的要用凸塊連接半導體發光元件110的位置，生成微凸塊140～144。
(步驟S34)將半導體發光元件110每次僅拾取一個芯片，在底板130上凸塊連接半導體發光元件110。
(步驟S35)當在底板130上用凸塊連接半導體發光元件110時，將它傳送到金屬版的熒光體印刷機上。
(步驟S36)在熒光體印刷機上，在底板130上的半導體發光元件110和覆蓋其周邊的要印刷的位置印刷熒光體。
(步驟S37)通過以上完成半導體發光裝置100。
<總結>
根據本發明的實施方式的半導體發光裝置，通過與電極分開地用反射率高的材料設置反射部，以便不受電場的影響，從而得到如下的優良效果不管反射率高的材料是否容易引起電遷移，可以用它將半導體發光元件發出的藍色光或紫外光、及由熒光物質變換的黃綠色光等輸出光高效地輸出到外部。
(變形例1)<結構>
本發明的變形例1是改良實施方式的半導體發光裝置的半導體發光裝置，該半導體發光裝置使反射部等的形狀傾斜成離半導體發光元件遠的部分比近的部分相對于發光方向側變高，來高效回收離半導體發光元件越遠就越衰減而減弱的光，從而抑制亮度不均勻或顏色不均勻。
本發明的變形例1的半導體發光裝置500是與實施方式的半導體發光裝置100同樣地輸出白色光的裝置，具備半導體發光元件110、透光性樹脂120及作為襯底部件的底板510，底板130被置換為底板510。
圖10(a)是組裝前的底板510的俯視圖。圖10(b)是將半導體發光裝置500的圖10(a)中表示的底板510的A-A’線縱剖視圖。圖10(c)是半導體發光裝置500的圖10(a)中表示的底板510的B-B’線縱剖視圖。并且，在圖10中的X軸、Y軸及Z軸所示的方向遵照圖1(a)中的各軸的定義。
如圖10(a)所示，本發明的變形例1的底板510與實施方式的底板130同樣，也包括例如以硅為基材的齊納二極管等保護用二極管即硅基板513，配置在半導體發光元件110和透光性樹脂120的下側，配置有這些的一側的硅基板513的表面側的主面即上表面上設置正電極511、負電極135、反射部512及微凸塊140～144，并且在背側的主面即下表面設置背面電極133，正電極133被置換為正電極511，反射部132被置換為反射部512。
正電極511僅形狀與正電極134不同，被透光性樹脂120覆蓋，并且，在未配置半導體發光元件110的部分，傾斜成離半導體發光元件遠的部分比近的部分相對于發光方向側變高，材質等其它特征與正電極134同樣。這里，未被正電極511的透光性樹脂120覆蓋的部分沒有傾斜，但是為了不改變接合焊盤136的形狀，可以使該部分與未被透光性樹脂覆蓋的部分同樣地傾斜。
反射部512僅形狀與反射部132不同，在至少被透光性樹脂120覆蓋的部分，傾斜成離半導體發光元件遠的部分比近的部分相對于發光方向側變高，材質等其它特征與反射部132同樣。這里，反射部512的未被透光性樹脂120覆蓋的部分沒有傾斜，但這是為了與正電極511的形狀對齊，也可以與被透光性樹脂覆蓋的部分同樣地傾斜。
<制造方法>
對底板510的上表面賦予傾斜是如下進行例如將正型光抗蝕劑涂敷在基板上，隔著光柵掩膜曝光，對光抗蝕劑進行顯影及沖洗，從而將具有由光抗蝕劑產生的傾斜的表面形狀圖案形成在基板上之后，可以將此作為掩膜對光抗蝕劑和基板進行各向異性刻蝕或噴砂處理，將光抗蝕劑的表面形狀圖案挖入轉印在基板表面上。
<總結>
如上所述，根據本發明的變形例1，在至少被透光性樹脂覆蓋的部分，使正電極及反射部的形狀傾斜成離半導體發光元件遠的部分比近的部分相對于發光方向側變高，高效回收離半導體發光元件越遠就越衰減而減弱的光，從而抑制亮度不均勻或顏色不均勻。
(變形例2)<結構>
本發明的變形例2是改良實施方式的半導體發光裝置的半導體發光裝置，在反射部的表面設置凹凸來增加表面積，從而提高反射效率，并且通過漫反射來提高波長的變換效率，并且，使離半導體發光元件遠的部分的凹凸比近的部分大，將離半導體發光元件越遠就越衰減而減弱的光，越是遠的部分就漫反射越多，從而抑制亮度不均勻或顏色不均勻。
本發明的變形例2的半導體發光裝置600是與實施方式的半導體發光裝置100同樣地輸出白色光的裝置，具備半導體發光元件110、透光性樹脂120及作為襯底部件的底板610，底板130被置換為底板610。
圖11(a)是將組裝前的底板610從配置半導體發光元件110的上表面側看的俯視圖。圖11(b)是將半導體發光裝置600在圖11(a)中表示的底板610的A-A’線縱剖視圖。并且，在圖11中的X軸、Y軸及Z軸所示的方向遵照圖1(a)中的各軸的定義。
如圖11(a)所示，本發明的變形例2的底板610與實施方式的底板130同樣，也包括例如以硅為基材的齊納二極管等保護用二極管即硅基板512，配置在半導體發光元件110和透光性樹脂120之下，在配置有這些的一側的硅基板612的表面側的主面即上表面上設置正電極134、負電極135、反射部611及微凸塊140～144，并且在背側的主面即下表面設置背面電極133，反射部132被置換為反射部611。
反射部611僅表面形狀與反射部132不同，在表面具有凹凸，離半導體發光元件遠的部分的凹凸比近的部分的凹凸大，材質等其它特征與反射部132同樣。
這里，在正電極沒有設置凹凸，也可以與反射部611同樣地設置凹凸。
<制造方法>
對底板610的上表面賦予凹凸是如下地進行例如將正型光抗蝕劑涂敷在基板上，隔著光柵掩膜曝光，對光抗蝕劑進行顯影及沖洗，從而將具有由光抗蝕劑產生的凹凸的表面形狀圖案形成在基板上之后，可以將此作為掩膜對光抗蝕劑和基板進行各向異性刻蝕或噴砂處理，將光抗蝕劑的表面形狀圖案挖入轉印在基板表面上即可。
<總結>
如上所述，根據本發明的變形例2，在反射部的表面設置了凹凸，所以增加表面積并提高反射效率，并且，通過漫反射而提高波長的變換效率。
并且，使離半導體發光元件遠的部分的凹凸比近的部分的凹凸大，將離半導體發光元件越遠就越衰減而減弱的光，越是遠的部分就漫反射越多，從而能夠抑制亮度不均勻或顏色不均勻。
并且，為了抑制顏色不均勻，至少在被透光性樹脂覆蓋且未配置半導體發光元件的部分的反射部設置凹凸即可，此外，至少反射半導體發光元件發出的藍色光即可。
(變形例3)<結構>
本發明的變形例3是改良實施方式的半導體發光裝置的半導體發光裝置，在反射部的表面設置球面并增加表面積，從而提高反射效率，并且通過漫反射來提高波長的變換效率，并且，使離半導體發光元件遠的部分的球面的曲率比近的部分小，將離半導體發光元件越遠就越衰減而減弱的光，越是遠的部分就漫反射越多，從而抑制亮度不均勻或顏色不均勻。
本發明的變形例3的半導體發光裝置700是與實施方式的半導體發光裝置100同樣地輸出白色光的裝置，具備半導體發光元件110、透光性樹脂120及作為襯底部件的底板710，底板130被置換為底板710。
圖12(a)是組裝前的底板710的俯視圖。圖12(b)是將半導體發光裝置700在圖12(a)中表示的底板710的A-A’線縱剖視圖。并且，在圖12中的X軸、Y軸及Z軸所示的方向上遵照圖1(a)中的各軸的定義。
如圖12(a)所示，本發明的變形例3的底板710與實施方式的底板130同樣，也包括例如以硅為基材的齊納二極管等保護用二極管即硅基板712，配置在半導體發光元件110和透光性樹脂120之下，在配置有這些的一側的硅基板712的表面側的主面即上表面上設置正電極134、負電極135、反射部711及微凸塊140～144，并且在背側的主面即下表面設置背面電極133，反射部132被置換為反射部711。
反射部711僅表面形狀與反射部132不同，在表面具有球面，離半導體發光元件遠的部分的球面的曲率比近的部分小，材質等其它特征與反射部132同樣。
這里，在正電極沒有設置球面，但也可以與反射部711同樣地設置球面。
<制造方法>
對底板710設置球面，例如可以利用形成以往的凸塊的方法來進行加工。
按如下方式對底板710設置球面，即，例如將正型光抗蝕劑涂敷在基板上，隔著光柵掩膜曝光，對光抗蝕劑進行顯影及沖洗，從而將具有由光抗蝕劑產生的半球形狀的表面形狀圖案形成在基板上之后，可以將此作為掩膜對光抗蝕劑和基板進行各向異性刻蝕或噴砂處理，只要將光抗蝕劑的表面形狀圖案挖入轉印在基板表面上即可。
<總結>
如上所述，根據本發明的變形例3，在反射部的表面設置了球面，所以增加表面積并提高反射效率，并且，通過漫反射而提高波長的變換效率。
并且，使離半導體發光元件遠的部分的球面的曲率比近的部分小，將離半導體發光元件越遠就越衰減而減弱的光，越是遠部分就漫反射越多，從而抑制亮度不均勻或顏色不均勻。
并且，為了抑制顏色不均勻，只要在至少被透光性樹脂覆蓋且未配置半導體發光元件的部分的反射部設置球面即可，并且，只要至少反射半導體發光元件發出的藍色光即可。
(照明裝置)圖13是表示將半導體發光裝置100作為光源的照明裝置200的圖。
圖13所示的照明裝置200在引腳框201、202上，利用Ag糊料205管芯接合各一個半導體發光裝置100，將引腳框203、204和半導體發光裝置100上的接合焊盤136用Au線206、207進行引線接合，用透明環氧樹脂208進行塑封，來安裝具有全反射拋物面的微透鏡209。
并且，將半導體發光裝置100作為光源的照明裝置不限于圖13所示的照明裝置200，例如以使用多個上述半導體發光裝置100的吊燈(ceilinglight)或筒燈(down light)等的室內用照明為代表，也可以是立式桌上用照明、手電筒等便攜式照明、攝像機的閃光燈等攝像用照明等的任一種照明裝置。
如上所述，根據本發明的實施方式的照明裝置，得到與上述半導體發光裝置同樣的效果。特別是通過提高發光效率，可以期待室內用照明或桌上用照明中的高亮度化或節能效果，并且，在便攜式照明中可以期待高亮度化及連續點燈時間的延長等。
(便攜通信設備)圖14是將照明裝置200作為照相用的閃光燈搭載的便攜通信設備300。
并且，搭載半導體發光裝置100的便攜式通信設備，不限于圖14所示的便攜通信設備300，例如可以是將半導體發光裝置100用于便攜通信設備的液晶畫面的背光源、內置的數碼攝像機的靜止像用的閃光燈或動態像用的照明等的任一種用途的便攜通信設備。
如上所述，根據本發明的實施方式的便攜通信設備，得到與上述半導體發光裝置的效果同樣的效果，特別是通過提高發光效率，在便攜通信設備中可以期待提高操作性、電池的續航時間的延長及輕量化等。
(攝像機)圖15是將照明裝置200作為照相用的閃光燈來搭載的攝像機400。
并且，搭載半導體發光裝置100的攝像機不限于圖15所示的攝像機400，例如也可以是在靜止像用的閃光燈或動態像用的照明等上使用了半導體發光裝置100的數碼靜止攝像機或銀鉛攝像機、錄像攝像機等任一種攝像機。
如上所述，根據本發明的實施方式的攝像機。得到與上述半導體發光裝置的效果同樣的效果。特別是通過提高發光效率，在各種攝像機中，可以期待比過去低的EV值的攝像、電池續航時間的增長及輕量化。
(工業利用性)本發明可以廣泛應用于便攜通信設備或攝像機等便攜設備用的照明中。
權利要求
1.一種半導體發光裝置，其特征在于，具備襯底部件和配置在上述襯底部件上的半導體發光元件，上述襯底部件具備基板；電極部，配置在上述基板的上表面上，與上述半導體發光元件直接接觸；及反射部，配置在上述基板的上表面上，不與上述半導體發光元件及上述電極部直接接觸。
2.如權利要求1所述的半導體發光裝置，其特征在于，上述電極部包括形成在上述基板的上述上表面上的電極、以及將上述半導體發光元件和上述電極電連接的連接部。
3.如權利要求2所述的半導體發光裝置，其特征在于，上述反射部的光反射率比上述電極高。
4.如權利要求3所述的半導體發光裝置，其特征在于，上述反射部由金屬形成，上述電極比形成上述反射部的金屬難以產生電遷移。
5.如權利要求1所述的半導體發光裝置，其特征在于，上述反射部由Ag、包含Ag的合金、包含Ag、Bi、Nd的合金、包含Ag、Au、Sn的合金、Al、包含Al的合金、或包含Al、Nd的合金形成。
6.如權利要求4所述的半導體發光裝置，其特征在于，上述反射部由Ag、包含Ag的合金、包含Ag、Bi、Nd的合金、包含Ag、Au、Sn的合金、Al、包含Al的合金、或包含Al、Nd的合金形成。
7.如權利要求2所述的半導體發光裝置，其特征在于，上述反射部由Ag或包含Ag的合金形成；在上述電極由Au或以Au為主成分的合金形成時，上述半導體發光元件發出的光的波長帶是大約340nm以上、大約800nm以下；上述電極由Pt或以Pt為主成分的合金形成時，上述波長帶是大約350nm以上、大約800nm以下；上述電極由Cu或以Cu為主成分的合金形成時，上述波長帶是大約350nm以上、大約800nm以下；上述電極由Ni或以Ni為主成分的合金形成時，上述波長帶是大約340nm以上、大約800nm以下；上述電極由Rh或以Rh為主成分的合金形成時，上述波長帶是大約370nm以上、大約800nm以下；上述電極由Al或以Al為主成分的合金形成時，上述波長帶是大約460nm以上、大約800nm以下。
8.如權利要求4所述的半導體發光裝置，其特征在于，上述反射部由Ag或包含Ag的合金形成；在上述電極由Au或以Au為主成分的合金形成時，上述半導體發光元件發出的光的波長帶是大約340nm以上、大約800nm以下；上述電極由Pt或以Pt為主成分的合金形成時，上述波長帶是大約350nm以上、大約800nm以下；上述電極由Cu或以Cu為主成分的合金形成時，上述波長帶是大約350nm以上、大約800nm以下；上述電極由Ni或以Ni為主成分的合金形成時，上述波長帶是大約340nm以上、大約800nm以下；上述電極由Rh或以Rh為主成分的合金形成時，上述波長帶是大約370nm以上、大約800nm以下；上述電極由Al或以Al為主成分的合金形成時，上述波長帶是大約460nm以上、大約800nm以下。
9.如權利要求2所述的半導體發光裝置，其特征在于，上述反射部由Al或包含Al的合金形成；上述電極由Au或以Au為主成分的合金形成時，上述半導體發光元件發出的光的波長帶是大約200nm以上、大約600nm以下；上述電極由Pt或以Pt為主成分的合金形成時，上述波長帶是大約200nm以上、大約800nm以下；上述電極由Cu或以Cu為主成分的合金形成時，上述波長帶是大約200nm以上、大約630nm以下；上述電極由Ni或以Ni為主成分的合金形成時，上述波長帶是大約200nm以上、大約800nm以下；上述電極由Rh或以Rh為主成分的合金形成時，上述波長帶是大約200nm以上、大約800nm以下。
10.如權利要求4所述的半導體發光裝置，其特征在于，上述反射部由Al或包含Al的合金形成；在上述電極由Au或以Au為主成分的合金形成時，上述半導體發光元件發出的光的波長帶是大約200nm以上、大約600nm以下；上述電極由Pt或以Pt為主成分的合金形成時，上述波長帶是大約200nm以上、大約800nm以下；上述電極由Cu或以Cu為主成分的合金形成時，上述波長帶是大約200nm以上、大約630nm以下；上述電極由Ni或以Ni為主成分的合金形成時，上述波長帶是大約200nm以上、大約800nm以下；上述電極由Rh或以Rh為主成分的合金形成時，上述波長帶是大約200nm以上、大約800nm以下。
11.如權利要求1所述的半導體發光裝置，其特征在于，上述基板包含Si。
12.如權利要求6所述的半導體發光裝置，其特征在于，上述基板包含Si。
13.如權利要求1所述的半導體發光裝置，其特征在于，上述反射部從上看時具有未被上述半導體發光元件遮擋的開放部分。
14.如權利要求12所述的半導體發光裝置，其特征在于，上述反射部從上看時具有未被上述半導體發光元件遮擋的開放部分。
15.如權利要求1所述的半導體發光裝置，其特征在于，上述反射部的離上述半導體發光元件遠的部分比近的部分，在上下方向上高。
16.如權利要求14所述的半導體發光裝置，其特征在于，上述反射部的離上述半導體發光元件遠的部分比近的部分，在上下方向上高。
17.如權利要求1所述的半導體發光裝置，其特征在于，上述半導體發光裝置具備透光變換部，該透光變換部覆蓋上述半導體發光元件的發光部分的一部分或全部、以及上述反射部的一部分或全部。
18.如權利要求16所述的半導體發光裝置，其特征在于，上述半導體發光裝置具備透光變換部，該透光變換部覆蓋上述半導體發光元件的發光部分的一部分或全部、以及上述反射部的一部分或全部。
19.如權利要求1所述的半導體發光裝置，其特征在于，上述反射部的離上述半導體發光元件遠的部分比近的部分，反射來自上述半導體發光元件的光的比例高。
20.如權利要求18所述的半導體發光裝置，其特征在于，上述反射部的離上述半導體發光元件遠的部分比近的部分，反射來自上述半導體發光元件的光的比例高。
21.如權利要求1所述的半導體發光裝置，其特征在于，在上述反射部的一部分或整面上具有凹凸。
22.如權利要要求20所述的半導體發光裝置，其特征在于，在上述反射部的一部分或整面上具有凹凸。
23.如權利要求21所述的半導體發光裝置，其特征在于，上述反射部的離上述半導體發光元件遠的部分的凹凸比近的部分大。
24.如權利要求22所述的半導體發光裝置，其特征在于，上述反射部的離上述半導體發光元件遠的部分的凹凸比近的部分大。
25.如權利要求1所述的半導體發光裝置，其特征在于，在上述反射部的一部分或整面上具有球面。
26.如權利要求20所述的半導體發光裝置，其特征在于，在上述反射部的一部分或整面上具有球面。
27.如權利要求25所述的半導體發光裝置，其特征在于，上述反射部的上述球面的離上述半導體發光元件遠的部分的曲率比近的部分小。
28.如權利要求26所述的半導體發光裝置，其特征在于，上述反射部的上述球面的離上述半導體發光元件遠的部分的曲率比近的部分小。
29.如權利要求1所述的半導體發光裝置，其特征在于，在上述反射部和上述基板之間設有絕緣部。
30.如權利要求24所述的半導體發光裝置，其特征在于，在上述反射部和上述基板之間設有絕緣部。
31.如權利要求28所述的半導體發光裝置，其特征在于，在上述反射部和上述基板之間設有絕緣部。
32.如權利要求2所述的半導體發光裝置，其特征在于，在上述半導體發光元件中，在一方的主面側設有第1元件電極和第2元件電極，在上述襯底部件上作為上述電極設有第1基板電極和第2基板電極，上述第1元件電極和上述第1基板電極由上述連接部中的一個即第1微凸塊電連接，上述第2元件電極和上述第2基板電極由上述連接部中的一個即第2微凸塊電連接。
33.如權利要求18所述的半導體發光裝置，其特征在于，在上述半導體發光元件中，在一方的主面側設有第1元件電極和第2元件電極，在上述襯底部件上作為上述電極設有第1基板電極和第2基板電極，上述第1元件電極和上述第1基板電極由上述連接部中的一個即第1微凸塊電連接，上述第2元件電極和上述第2基板電極由上述連接部中的一個即第2微凸塊電連接。
34.一種照明裝置，其特征在于，具備權利要求1所述的半導體發光裝置和配置在上述半導體發光裝置的主發光方向上的透鏡部。
35.一種便攜通信設備，其特征在于，具備權利要求1所述的半導體發光裝置。
36.一種攝像機，其特征在于，具備權利要求1所述的半導體發光裝置。
37.一種半導體發光裝置的制造方法，其特征在于，包括在上述基板的上述上表面上形成上述電極部的步驟；在上述電極部及與上述電極部鄰接的區域形成保護膜的步驟；在由形成有上述保護膜的區域及要形成上述反射部的區域構成的上述基板的上述大致整個上表面上形成反射部用被膜的步驟；以及除去上述保護膜和形成于上述保護膜上的反射部用被膜的步驟。
全文摘要
本發明的半導體發光裝置(100)具有如下結構具備襯底部件(130)和配置在上述襯底部件(130)上的半導體發光元件(110)，上述襯底部件(130)具備基板(131)；電極部(正電極134、負電極135、凸塊140～144)，配置在上述基板(131)的上表面上，與上述半導體發光元件(110)直接接觸；及反射部(132)，配置在上述基板(131)的上表面上，不與上述半導體發光元件(110)及上述電極部直接接觸。從而能夠提供一種半導體發光裝置，不管反射率高的材料是否適合作為電極，可以用它將輸出光高效地輸出到外部。
文檔編號H01L33/58GK101065851SQ200580040589
公開日2007年10月31日 申請日期2005年11月11日 優先權日2004年11月25日
發明者小屋賢一, 岸本幸男 申請人:松下電器產業株式會社