專利名稱：基板支撐·運送用托盤的制作方法
技術領域：
本發明涉及被載置在配備于對半導體基板進行加熱處理的處理室的基板支撐部件上，在上側放置著基板的基板支撐·運送用的托盤。特別是涉及被載置在內部具有基板加熱處理用的加熱構件的基板支撐部件上，在上側放置著半導體基板的基板支撐·運送用的托盤。
背景技術：
在半導體制造裝置中，在真空狀態或大氣壓狀態的處理室內，進行對半導體基板的加熱處理，在這種情況下，考慮對半導體基板均勻的加熱、加熱處理完成后的半導體基板的移送等，在上部側具有基板支撐部的基板支撐·運送用托盤上放置著半導體基板的狀態下，對半導體基板進行加熱處理。
例如，如圖7(a)所示，將基板1放置于在上部側具有基板支撐部的基板支撐·運送用托盤18上，將它放在內置著對半導體基板進行加熱的加熱構件4的基板支撐部件2上，在真空狀態或大氣壓狀態下，進行針對基板1的加熱處理。
該圖7(a)所示的方式是以均勻加熱基板1為目的，使用了基板支撐·運送用托盤18，但是，在想要將加熱處理完成后的基板1從處理室(未圖示出)內取出，將下一個受到加熱處理的新的基板運入處理室內進行加熱處理時，在基板支撐·運送用托盤18上沒有運送用機械手等可支撐的位置。因此，結果為存在不能在基板1的溫度降低前進行運送處理的問題。
因此，如圖7(b)所示，采用了平板狀、大直徑的基板支撐·運送用托盤18a，該基板支撐·運送用托盤18a在上部側具有基板支撐部，外周緣18d比內置著對基板進行加熱的加熱構件4的基板支撐部件2的外周緣2a大。這樣的現有技術例如記載于特開2002-2695等中。
在這樣方式的基板支撐·運送用托盤18a的情況下，因為外周緣18d比內置著對基板1進行加熱的加熱構件4的基板支撐部件2的外周緣2a大，所以可以通過運送用機械手等的前端為雙股的叉，來支撐基板支撐·運送用托盤18a的外周緣側18c的下側(圖7(b)中下側)。
因此，若對基板1進行加熱的處理完成后，則可以不必等到基板1的溫度降低，可以通過運送用機械手等的成為叉的雙股的前端部分來支撐基板支撐·運送用托盤18a的外周緣側18c的下側(圖4(b)中下側)，從基板支撐部件2上卸下基板支撐·運送用托盤18a。然后，通過同樣地運來在基板支撐部上放置著下一個進行加熱處理的新基板的其它的基板支撐·運送用托盤18a，并放置在基板支撐部件2上，可以開始新基板的加熱處理。據此，能夠有效地進行多片基板的加熱處理。
但是，在內置著對基板進行加熱的加熱構件4的基板支撐部件2上，如圖7(b)所示的方式那樣，放置著外周緣18d比基板支撐部件2的外周緣2a大，平板狀的大直徑的基板支撐·運送用托盤18a，在進行基板1的加熱處理的情況下，熱從突出于基板支撐部件2的外周緣2a的基板支撐·運送用托盤18a的外周緣側18c放射。因此，在基板支撐·運送用托盤18a的中心部側和基板支撐·運送用托盤18a的外周緣側18c之間溫度不均勻，其結果為，產生了難以進行基板1的均勻加熱的問題。
本發明的目的在于提供一種基板支撐·運送用托盤，該基板支撐·運送用的托盤是在真空狀態或大氣壓狀態下，被載置在配備于對基板(半導體基板)進行加熱處理的處理室的基板支撐部件上，特別是被載置在內置著基板加熱用的加熱構件的基板支撐部件上，在上側放置著基板(半導體基板)，在對基板(半導體基板)進行加熱處理時，能夠更均勻地加熱基板，同時，在加熱處理結束后，不必等到基板(半導體基板)的溫度降低，即可簡單地從上述基板支撐部件卸下，從進行加熱處理的處理室運往他處，能夠有效地進行多片基板的加熱處理。
發明內容
為了解決上述課題，本發明所提出的基板支撐·運送用托盤是被載置在配備于對基板(半導體基板)進行加熱處理的處理室的基板支撐部件上，在上側放置著基板的基板支撐·運送用的托盤，其特征在于，在上部側具有圓盤狀的基板支撐部，具有從該圓盤狀的基板支撐部的周緣向下側延伸的筒狀側壁部，和從該筒狀側壁部的下端側在徑向向外側延伸的環狀部。
發明效果根據本發明，可以提供一種基板支撐·運送用托盤，該基板支撐·運送用的托盤是在真空狀態或大氣壓狀態下，被載置在配備于對基板(半導體基板)進行加熱處理的處理室的基板支撐部件上，特別是被載置在內置著基板加熱用的加熱構件的基板支撐部件上，在上側放置著基板(半導體基板)，在對基板進行加熱處理時，能夠更均勻地加熱基板，同時，在加熱處理結束后，不必等到基板的溫度降低，即可簡單地從上述基板支撐部件卸下，從進行加熱處理的處理室運往他處，能夠有效地進行多片基板的加熱處理。
圖1是說明本發明的第一實施方式的省略了一部分的剖視圖。
圖2是說明本發明的第二實施方式的省略了一部分的剖視圖。
圖3是說明圖1所示的本發明的第一實施方式的其它的例子的省略了一部分的剖視圖。
圖4是說明圖2所示的本發明的第二實施方式的其它的例子的省略了一部分的剖視圖。
圖5(a)、(b)、(c)是說明本發明的第三實施方式的省略了一部分的剖視圖。
圖6(a)是說明對在上側載置著基板的狀態的本發明的基板支撐·運送用托盤進行運送的狀態的俯視圖，(b)是說明對在上側載置著基板的狀態的本發明的基板支撐·運送用托盤進行運送的狀態的正視圖。
圖7(a)、(b)是說明以往的基板支撐·運送用托盤的省略了一部分的剖視圖。
具體實施例方式
下面，參照附圖，說明本發明的優選的實施方式。
圖1是說明本發明的第一實施例的圖。
在對基板1進行加熱處理的處理室11的內部配備著基板支撐部件2。基板支撐部件2在內部具有由電子沖擊加熱用的熱電子發生構件、紅外線燈加熱用的紅外線燈等構成的基板加熱用的加熱構件4。據此，在處理室11內對基板1進行加熱處理。
在處理室11內對基板1進行的加熱處理可以使處理室11內成為規定的真空狀態進行，也可以使處理室11內成為大氣壓狀態進行。
本發明的基板支撐·運送用托盤8被載置在該基板支撐部2上，在上側放置著基板(例如是Si基板、SiC基板那樣的半導體基板)。
基板支撐·運送用托盤8在其上部側具有圓盤狀的基板支撐部8e(圖3(a))。筒狀側壁部9從該圓盤狀的基板支撐部8e的周緣向下側延伸。
筒狀側壁部9可以如圖1所示，成為沿圓柱狀的基板支撐部件2的外周，從圓盤狀的基板支撐部8e的周緣向垂直方向下側(圖1中下側)延伸的圓筒狀。另外，也可以如圖2所示，成為以沿圓柱狀的基板支撐部件2的外周，從圓盤狀的基板支撐部8e的周緣開始隨著趨近垂直方向下側(圖1中下側)直徑逐漸增大的方式，傾斜地擴大的倒漏斗狀的形式。
但是在通過加熱構件4借助基板支撐部件2進行加熱時，在減小與基板支撐·運送用托盤8之間產生的溫度差、基板支撐·運送用托盤8的面內的溫度分布，能夠在基板支撐·運送用托盤8面內進行更均勻地加熱的基礎上，最好是使筒狀側壁部9如圖1所示那樣為沿基板支撐部件2的外周，從圓盤狀的基板支撐部8e的周緣延伸的圓筒狀。
環狀部10從筒狀側壁部9的下端側在徑向向外側延伸。
在通過運送機械手等提升、運送象圖1所示那樣，在圓盤狀的基板支撐部8e上載置著基板1的基板支撐·運送用托盤8時，從與運送機械手等的前端的臂23、24連結的叉基端部22分為兩股并延伸的叉21a、21b如圖6(a)、(b)所示那樣，支撐環狀部10的下側。
因此，若結束對基板1的加熱處理，則不必等到基板1的溫度降低，可以用運送用機械手等的叉21a、21b來支撐基板支撐·運送用托盤8的環狀部10的下側，將基板支撐·運送用托盤8從基板支撐部件2上卸下。然后，可以通過同樣地運來在圓盤狀的基板支撐部8e上放置著下一個進行加熱處理的新基板的其它的基板支撐·運送用托盤8，并放置在基板支撐部件2上，來開始新基板的加熱處理。據此，能夠有效地進行多片基板的加熱處理。
本發明的基板支撐·運送用托盤8如圖1、圖2所示，具有從在上部側所具備的圓盤狀的基板支撐部8e的周緣向下側延伸的筒狀側壁部9。因此，在通過加熱構件4，借助基板支撐部件2進行加熱時，與圖7(a)、(b)所示的那樣方式的以往的基板支撐·運送用托盤18、18a的情況相比，能夠減小在基板支撐部件2和基板支撐·運送用托盤8之間產生的溫度差。再有，與圖7(a)、(b)所示的那樣方式的以往的基板支撐·運送用托盤18、18a的情況相比，也可以減小基板支撐·運送用托盤8的面內的溫度分布。因此，能夠進行在基板支撐·運送用托盤8面內的更均勻的加熱。
另外，如圖3、圖4所示，即使是不具有環狀部10，僅配備筒狀側壁部9的方式，也能發揮上述的效果。圖3所示的實施方式是在圖1所示的實施方式中，不具有環狀部10，僅具有筒狀側壁部9。圖4所示的實施方式是在圖2所示的實施方式中，不具有環狀部10，僅具有筒狀側壁部9。但是，如圖1、圖2所示的實施方式那樣，還是具有環狀部10的方式有利。這是因為在進一步減小在內部具有發熱體4的基板支撐部件2和基板支撐·運送用托盤8之間產生的溫度差，進一步減小基板支撐·運送用托盤8面內的溫度分布，進行在基板支撐·運送用托盤8面內的更均勻的加熱方面是理想的。
圖5(a)是進行加熱處理時，在基板支撐·運送用托盤8上放置蓋5，在基板支撐·運送用托盤8上載置的基板1(例如SiC基板)通過蓋5被覆蓋，通過該蓋5和基板支撐·運送用托盤8密封基板1。
據此，在對基板1進行加熱處理時，通過蓋5密封配置著基板1的空間3。即，通過在載置著加熱處理的基板1的基板支撐·運送用托盤8上覆蓋蓋5，用蓋5密封配置著基板1的空間3。
這樣一來，在加熱處理時，如上所述，因為配置著基板1的空間3被密封，另外，施加了來自蓋5的輻射熱，所以可以更有效地對基板1進行加熱。
圖5(b)與圖5(a)所示的實施方式的不同之處在于，蓋5在側壁5c的下端側具有被鉤掛在基板支撐·運送用托盤8的上端外周的鉤掛階梯部6，在鉤掛階梯部6中的蓋5的側壁內徑R2比基板支撐·運送用托盤8的筒狀側壁部9的外徑R3至少大正公差的量。
即，圖5(b)所示的本發明的基板支撐·運送用托盤8是上述的本發明的基板支撐·運送用托盤8與蓋5的組合，該蓋5配置于在上側配置有基板1的基板支撐部上，并對在基板支撐部的上側配置有基板1的空間3進行密封，在下端側具有被鉤掛在基板支撐部的上端外周的鉤掛階梯部6，在鉤掛階梯部6中的蓋的側壁內徑(R2)與基板支撐部的上端的外徑(R3)相比至少大正公差的量。
據此，在進行加熱處理時，通過蓋5、基板支撐·運送用托盤8的熱膨脹，提高了配置著基板1的空間3的密封狀態。
圖5(c)與圖5(b)所示的實施方式的不同之處在于，蓋5在蓋主體5a的表面形成著涂層5b。
其目的在于，通過對蓋主體5a的表面進行涂層，抑制在加熱處理期間的來自蓋5的氣體釋放、形成蓋5的材質的飛散，防止基板1、處理室11的內面被污染。
涂層5b可由能夠防止氣體釋放的材質、例如熱分解碳(PyrolyticGraphite、Pyrolytic Carbon)形成，希望涂層5b的厚度為10-50μm。
上面，參照
了本發明的優選的實施方式，但本發明并不限定于該實施方式，在權利要求范圍的記載可把握的技術范圍內，可變更為各種方式。
權利要求
1.一種基板支撐·運送用托盤，該基板支撐·運送用的托盤被載置在配備于對基板進行加熱處理的處理室的基板支撐部件上，在上側放置著基板，其特征在于，在上部側具有圓盤狀的基板支撐部，具有從該圓盤狀的基板支撐部的周緣向下側延伸的筒狀側壁部，和從該筒狀側壁部的下端側在徑向向外側延伸的環狀部。
2.如權利要求1所述的基板支撐·運送用托盤，其特征在于，該基板支撐·運送用托盤與蓋組合，該蓋配置于在上側配置有基板的基板支撐部上，并對在基板支撐部的上側配置有基板的空間進行密封，下端側具有被鉤掛在基板支撐部的上端外周的鉤掛階梯部，在鉤掛階梯部的蓋的側壁內徑(R2)與基板支撐部的上端的外徑(R3)相比至少大正公差的量。
全文摘要
本發明提供一種基板支撐·運送用托盤，該基板支撐·運送用的托盤被載置在配備于對基板進行加熱處理的處理室的基板支撐部，特別是被載置在內置著基板加熱用的加熱構件的基板支撐部上，在上側放置著基板，在對基板進行加熱處理時，能夠更均勻地加熱基板，同時，在加熱處理結束后，不必等到基板的溫度降低，即可簡單地從上述基板支撐部卸下，從進行加熱處理的處理室運往他處。本發明的基板支撐·運送用托盤中，在上面側具有圓盤狀的基板支撐部，具有從該圓盤狀的基板支撐部的周緣向下側延伸的筒狀側壁部，和從該筒狀側壁部的下端側在徑向向外側延伸的環狀部。
文檔編號H01L21/673GK101061578SQ200580039349
公開日2007年10月24日 申請日期2005年10月18日 優先權日2004年10月19日
發明者柴垣真果, 榑松保美 申請人:佳能安內華股份有限公司