專利名稱：微米級芯片尺寸封裝散熱結構的制作方法
技術領域：
本實用新型涉及一種微米級芯片尺寸封裝散熱結構，是應用在集成電路芯片或功率分立器件芯片，或圓片級芯片尺寸封裝技術領域。
背景技術：
近年來，集成電路或分立器件消費產品需求量大增，其種類也相應增加。圓片廠的金屬線減小，芯片封裝產品在不影響產品的性能和可靠性的前提下走向小型化等半導體行業技術的進步，是滿足此類需求的重要支柱。
多年來，芯片裸晶封裝已經被廣泛應用，這是目前外形最小的，幾乎沒有包裝或防護材料的一種封裝形式。這種封裝的面積是和芯片面積一樣大的。
在本實用新型作出以前，傳統的芯片封裝，其封裝散熱結構是在芯片本體的硅基材或基島背面加裝金屬散熱片，芯片包封在里面，芯片所產生的熱量通過外露基島間接散熱。因此其散熱功能或導熱功能較差。
發明內容
本實用新型的目的在于克服上述不足，提供一種具有較佳散熱功能或導熱功能的微米級芯片尺寸封裝散熱結構。
本實用新型的目的是這樣實現的一種微米級芯片尺寸封裝散熱結構，包括芯片本體、設置于芯片本體硅基材正面的電路焊墊，植置于電路焊墊頂面的金屬凸點，其特征在于于芯片本體硅基材背面植上金屬層；于硅基材背面金屬層上制作金屬凸塊，在芯片背面形成熱交換區域，與空氣產生散熱功能。
本實用新型微米級芯片尺寸封裝散熱結構，所述的芯片本體硅基材背面金屬層有單層或多層。
本實用新型微米級芯片尺寸封裝散熱結構，所述的芯片本體硅基材背面金屬層上金屬凸塊有單層或多層。
本實用新型的特點是改變傳統外露基島的封裝方式，將芯片以倒裝封裝工藝，使裸芯片直接散熱。因此具有較佳散熱功能或導熱功能。
圖1為本實用新型在芯片本體硅基材背面植置金屬層后示意圖。
圖2為本實用新型微米級芯片尺寸封裝散熱結構制作完成后示意圖。
具體實施方式
參見圖1，本實用新型一種微米級芯片尺寸封裝散熱結構，主要由芯片本體1、設置于芯片本體1硅基材正面的電路焊墊2，植置于電路焊墊頂面的金屬凸點3，植置于芯片本體1硅基材背面的單層或多層金屬層4；制作于硅基材背面金屬層4上的單層或多層金屬凸塊5組成。
所述的芯片本體硅基材背面金屬層4材料為Ti或Cu、Ni、Au、Tiw中的一種或數種；
所述的芯片本體硅基材背面金屬層上金屬凸塊5材料為Cu或Sn、Ni、Ag、Au、Tiw中的一種或數種；所述的電路焊墊頂面金屬凸點3材料為Au或Ag、Cu、Sn、Ni、Pd中的一種或數種。
具體制作方法在裸芯片封裝工藝中，在芯片本體背面硅基材上，采用濺射、蒸鍍或電鍍或化學鍍工藝，將單層或多層金屬植入，如圖1；再在硅基材背面金屬層上，采用濺射、光刻、蝕刻、蒸鍍或電鍍或化學鍍工藝，制作單層或多層金屬凸點，如圖2。
權利要求1.一種微米級芯片尺寸封裝散熱結構，包括芯片本體(1)、設置于芯片本體(1)硅基材正面的電路焊墊(2)，植置于電路焊墊頂面的金屬凸點(3)，其特征在于于芯片本體(1)硅基材背面植上金屬層(4)；于硅基材背面金屬層(4)上制作金屬凸塊(5)。
2.根據權利要求1所述的一種微米級芯片尺寸封裝散熱結構，其特征在于所述的芯片本體硅基材背面金屬層(4)有單層或多層。
3.根據權利要求1或2所述的一種微米級芯片尺寸封裝散熱結構，其特征在于所述的芯片本體硅基材背面金屬層上金屬凸塊(5)有單層或多層。
4.根據權利要求2所述的一種微米級芯片尺寸封裝散熱結構，其特征在于所述的芯片本體硅基材背面金屬層(4)材料為Ti或Cu、Ni、Au、Tiw中的一種或數種。
5.根據權利要求3所述的一種微米級芯片尺寸封裝散熱結構，其特征在于所述的芯片本體硅基材背面金屬層上金屬凸塊(5)材料為Cu或Sn、Ni、Ag、Au、Tiw中的一種或數種。
6.根據權利要求1或2所述的一種微米級芯片尺寸封裝散熱結構，其特征在于所述的電路焊墊頂面金屬凸點(3)材料為Au或Ag、Cu、Sn、Ni、Pd中的一種或數種。
專利摘要本實用新型涉及一種微米級芯片尺寸封裝散熱結構，是應用在集成電路芯片或功率分立器件芯片，或圓片級芯片尺寸封裝技術領域。包括芯片本體(1)、設置于芯片本體(1)硅基材正面的電路焊墊(2)，植置于電路焊墊頂面的金屬凸點(3)，其特征在于于芯片本體(1)硅基材背面植上金屬層(4)；于硅基材背面金屬層(4)上制作金屬凸塊(5)。本實用新型的特點是改變傳統外露基島的封裝方式，將芯片以倒裝封裝工藝，使裸芯片直接散熱。因此具有較佳散熱功能或導熱功能。
文檔編號H01L23/367GK2862325SQ200520077359
公開日2007年1月24日 申請日期2005年11月10日 優先權日2005年11月10日
發明者王新潮, 賴志明 申請人:江陰長電先進封裝有限公司