專利名稱：掃描偏轉裝置的制作方法
技術領域：
本實用新型涉及一種掃描偏轉裝置，尤其涉及一種半導體制造離子注入機中的掃描偏轉裝置。
背景技術：
在半導體摻雜及其它離子注入技術中，大面積注入均勻是必不可少的條件。離子注入機的目標是在成分和能量方面形成純凈的離子束。用這種純凈的離子束注入目標硅片。也就是說，離子束僅包含具有預定能級的希望得到的雜質離子。離子束斑通常很小，顯然，利用直徑為幾毫米的離子束，固定注入樣品的某部位是不行的，因為，離子束橫截面的束流密度分布是不均勻的。另外，離子束能量集中于樣品表面的局部范圍內，也會引起樣品表面溫升太高，對注入的樣品將帶來十分不利的影響。
目前的離子注入機中對離子束進行掃描和偏轉效果不夠好，不能保證離子束重復均勻地掃過樣品的表面，以保證離子注入的均勻性。
發明內容
為了解決上述存在的問題，本實用新型提供了一種掃描偏轉裝置，在垂直于離子束前進方向上外加一隨時間做線性變化的電場，實現了離子束的偏轉又展寬了離子束，達到離子注入均勻性要求，同時也達到了注入晶片的寬度。
本實用新型是這樣實現的，一種掃描偏轉裝置，由前板、掃描殼體、兩個安裝條、安裝板、兩個斜支撐板、后板、接線塊、兩個絕緣瓷拄子和斜板組成，其中掃描殼體使整個掃描偏轉裝置處于真空環境，前板與安裝板連接，兩個安裝條將安裝板固定在掃描殼體上，離子束從前板進入該裝置，前板阻擋雜散離子進入掃描區域；絕緣瓷柱子將斜板固定在安裝板上，并使斜板與安裝板形成喇叭形狀，以便使掃開的離子束通過；斜支撐板用來支撐后板并與安裝板連接，可以阻擋雜散離子進入漂移區域；接線塊安裝在斜板上，接入掃描電壓。
與現有技術相比本實用新型的有益效果是1、采用離子束偏轉裝置，使離子束偏轉一個角度，與中性束分開，因而得到較好的注入均勻性；2、離子束通過掃描后，束在水平方向得到展寬，達到晶片的注入寬度；3、結構相對簡單，安裝板、前板及后板采用濺射系數小、耐高溫的石墨材料，降低微粒污染。
圖1為本實用新型掃描偏轉裝置的結構示意圖。
具體實施方式
以下結合附圖和具體實施例對本實用新型作進一步詳細描述，一種掃描偏轉裝置，由前板1、掃描殼體2、兩個安裝條3、安裝板4、兩個斜支撐板5、后板6、接線塊7、兩個絕緣瓷拄子8和斜板9組成，其中掃描殼體2使整個掃描偏轉裝置處于真空環境，前板1與安裝板4連接，兩個安裝條3將安裝板4固定在掃描殼體2上，離子束從前板1進入該裝置，前板1阻擋雜散離子進入掃描區域；絕緣瓷柱子8將斜板9固定在安裝板4上，并使斜板9與安裝板4形成喇叭形狀，以便使掃開的離子束通過；斜支撐板5用來支撐后板6并與安裝板4連接，可以阻擋雜散離子進入漂移區域；接線塊7安裝在斜板9上，接入掃描電壓。
離子束從前板1進入由安裝板4和斜板9組成的掃描偏轉系統后，在偏轉電場作用下，離子受電場力作用，離子束將會偏轉一定的角度，由于中性束不受電場力作用，因此它將與離子束分開，不會注入到晶片中，從而消除中性束對注入均勻性的影響。掃描電壓和偏轉電壓迭加后直接加到斜板9上，采用電場掃描方式，頻率為1KHZ，掃描電壓為+10KV～-20KV，離子束通過掃描后把束展寬，以達到注入晶片的寬度。
本實用新型的特定實施例已對本實用新型的內容做了詳盡說明。對本領域一般技術人員而言，在不背離本實用新型精神的前提下對它所做的任何顯而易見的改動，都構成對本發明新型專利的侵犯，將承擔相應的法律責任。
權利要求1.一種掃描偏轉裝置，其特征在于它由前板、掃描殼體、兩個安裝條、安裝板、兩個斜支撐板、后板、接線塊、兩個絕緣瓷拄子和斜板組成，其中掃描殼體為密封結構，使整個掃描偏轉裝置處于真空環境，通過兩個安裝條將安裝板固定在掃描殼體上，安裝板前端設置有前板，安裝板后端設有后板，后板通過兩個斜支撐板與安裝板連接，在安裝板的一側通過絕緣瓷柱子將斜板固定在安裝板上，斜板與安裝板之間的距離前窄后寬成一定角度的喇叭形狀，在斜板上裝有接線塊。
專利摘要本實用新型公開了一種掃描偏轉裝置，由前板、掃描殼體、兩個安裝條、安裝板、兩個斜支撐板、后板、接線塊、兩個絕緣瓷拄子和斜板組成，其中掃描殼體使整個掃描偏轉裝置處于真空環境，離子束從前板進入該裝置，前板阻擋雜散離子進入掃描區域；斜板與安裝板形成喇叭形狀，以便使掃開的離子束通過；斜支撐板與后板構成離子束離開掃描區域的光欄，阻擋雜散離子進入漂移區域；接線塊接入掃描電壓，該裝置實現了離子束的偏轉又展寬了離子束，達到離子注入均勻性要求，同時也達到了注入晶片的寬度。
文檔編號H01L21/265GK2788348SQ20052001709
公開日2006年6月14日 申請日期2005年4月22日 優先權日2005年4月22日
發明者龍會躍, 易文杰, 郭建輝, 陳鑫, 唐景庭, 許波濤, 姚志丹 申請人:北京中科信電子裝備有限公司