液晶顯示器件的制作方法

專利名稱：液晶顯示器件的制作方法
技術領域：
本發明涉及一種液晶顯示(LCD)器件，尤其涉及一種可以防止由公共電壓失真引起的圖像質量惡化的LCD器件。
背景技術：
近來，有源矩陣LCD器件隨著其性能提高已經廣泛用于平板TV、便攜式計算機、顯示器和其它電子設備。在有源矩陣LCD器件中，主要采用扭曲向列(TN)模式LCD器件。TN模式LCD器件通過向設置在兩基板上的電極施加電壓來驅動以90°角度扭曲的液晶指向矢。TN模式LCD器件提供了極好的對比度和色彩再現力但是卻有視角窄的缺點。
為了解決TN模式LCD器件視角窄的問題，開發出了共平面開關(IPS)模式LCD器件。在IPS模式LCD器件中，兩電極形成在同一基板上并且液晶指向矢受在兩電極之間產生的IPS模式控制。IPS模式LCD器件提供了寬視角，但卻有孔徑比低和透光率低的缺點。
為了提高IPS模式LCD器件的低孔徑比和低透光率，已經開發出了一種邊緣電場開關(FFS)模式LCD器件。在FFS LCD器件中，對電極(counterelectrode)和像素電極由透明導電材料形成，且對電極和像素電極之間的距離保持在窄范圍以利用在對電極和像素電極之間形成的邊緣電場驅動液晶分子。
現有技術的FFS模式LCD器件包括設置有濾色片層的濾色片陣列基板和設置有薄膜晶體管(TFT)、對電極和像素電極的薄膜晶體管陣列基板。濾色片陣列基板和TFT陣列基板彼此粘接在一起同時其間夾有液晶層。如圖1所示，TFT陣列基板包括柵線12、數據線15、在柵線12和數據線15各交叉處的TFT、公共線25、板型對電極24和像素電極17。柵線12和數據線15由不透明金屬形成。柵線12與數據線15垂直交叉以限定子像素。各TFT導通/關斷在各自柵線12和數據線15之間的各交叉點處的電壓。對電極24和像素電極17由透明金屬形成，通過絕緣層彼此絕緣且在像素中彼此重疊。對電極24與公共線25接觸以從公共線25接收公共信號(Vcom)。
具體地說，各對電極24由板型透明金屬形成。各像素電極17設置有關于像素區的中心部分彼此對稱的多個狹縫60。當向電極施加電壓時，在對電極24和像素電極17之間產生邊緣電場。特別地，信號Vcom傳輸到對電極24而通過TFT的像素電壓傳輸到像素電極17。
各狹縫60通常具有2μm到6μm的寬度。液晶由在像素電極17和對電極24之間形成的邊緣電場驅動。即，當沒有電壓時通過沿一個方向研磨而初始排列的液晶在邊緣電場的作用下旋轉以透射光。
濾色片陣列基板包括以固定間隔設置的紅、綠、藍(R/G/B)濾色片層(未示出)以顯示顏色。黑矩陣層用作將R/G/B單元彼此分開并且遮擋異常光(aberration light)。各濾色片層與子像素對應形成，從而使得各子像素具有一種顏色。通常，設置具有R/G/B顏色的像素并且獨立驅動該像素。通過子像素的R/G/B顏色的組合顯示一個像素的顏色。
R/G/B濾色片層以各種圖案排列，諸如條形排列、鑲嵌排列、三角形排列(delta arrangement)或四角形排列(quad arrangement)。R/G/B濾色片層根據LCD面板的尺寸、濾色片層的形狀和顏色排列來設置。如圖2和圖3中所示，條形排列具有沿水平方向順序排列而在垂直方向排列相同顏色的R/G/B濾色片層。
上述現有技術的LCD器件按照各R/G/B像素導通/關斷以顯示黑(B)或白(W)，從而檢查諸如殘留圖像、抖動、和綠色彩的圖像質量。如圖2所示，現有技術的LCD器件可以按反圖案(counter pattern)驅動，即每行的第N個導通像素和第N+1個導通像素水平偏移一個間隔，從而使得沿斜方向導通像素。如圖3所示，LCD器件可以按垂直圖案驅動，即每行中第N個導通像素和第N+1個導通像素排列在相同的位置，從而使得沿垂直方向導通像素。
在LCD器件以圖4所示的反圖案驅動時，在水平方向根據一點反轉模式施加正極性(+)和負極性(-)的電壓，而在垂直方向根據雙點反轉模式(two-dotinversion mode)施加正極性(+)和負極性(-)的電壓。具體地說，如圖4B所示，按照這種方式，使用交流(AC)電壓施加正極性(+)和負極性(-)的電壓以及數據電壓的值發生變化以顯示黑和白。施加到第N行的公共電壓Vcom1是直流(DC)電壓并且數據電壓Vdata和公共電壓Vcom1之間的電勢差驅動液晶層。
然而，現有技術的LCD器件具有幾個問題。如圖4B所示，施加到第N行的數據電壓Vdata為AC電壓而施加到其上的公共電壓Vcom1是DC電壓。在數據線15與公共線25重疊的部分由于在數據線15和公共線25之間形成的公共線電容Cdc，公共電壓Vcom1的波動被放大。為此發生耦合，其中公共電壓Vcom1被失真為公共電壓Vcom2。
在具有R/G/B子像素以顯示白色的一個像素中，R子像素的失真公共電壓Vcom2和G子像素的失真公共電壓Vcom2彼此抵銷(offset)。然而，B子像素的失真公共電壓Vcom2保持而沒有抵銷。因此，通過保留公共電壓，總的公共電壓比施加的公共DC電壓增加。
如圖5所示，如果在公共線25中流動的公共電壓Vcom2由于寄生耦合而增加施加的公共DC電壓Vcom1，那么施加到綠像素區的電壓Vdata和Vcom2之間的電壓差V2比施加到紅和藍像素區的電壓Vdata和Vcom2之間的電壓差V1大。因此在顯示的圖像中產生綠顏色比其它顏色更亮的綠色彩。由于如果電壓差變大，液晶分子的旋轉增大從而使相應的顏色更亮。
同樣，如圖6所示，如果在公共線中流動的公共電壓Vcom2由于寄生耦合而減小施加的公共DC電壓Vcom1，那么施加到綠像素區的電壓Vdata和Vcom2之間的電壓差V3比施加到紅和藍子像素區的電壓Vdata和Vcom2之間的電壓差V4大。因此，由于綠顏色比其它顏色更亮所以產生綠色彩。此外，因為由于公共電壓Vcom失真液晶分子旋轉不穩定，所以在圖像轉換過程中產生對應于前一圖像的殘留圖像。也產生使圖像質量變差的圖像抖動。

發明內容
因此，本發明涉及一種LCD器件，其基本上克服了由于現有技術的限制和缺點而產生的一個或者多個問題。
本發明的一個目的是提供一種抵消公共電壓從而消除殘留圖像、抖動和綠色彩的LCD器件。
本發明的附加優點、目的和特征將在后面的描述中得以闡明，通過以下描述，將使其對本領域技術人員來說顯而易見，或者可通過實踐本發明來認識。本發明的這些目的和其它優點可通過說明書及其權利要求以及附圖中具體指出的結構來實現和得到。
為了實現這些目的和其它優點，按照本發明的目的，作為具體和廣義的描述，一種液晶顯示(LCD)器件包括第一基板；在所述第一基板上形成的柵線；與所述柵線垂直交叉以限定紅、綠、藍子像素的數據線；設置在所述柵線和所述數據線的各交叉處的薄膜晶體管(TFT)；與所述柵線平行設置的公共線，所述公共線包括公共線電容(Cdc)控制部分；與所述公共線絕緣且連接到所述TFT的像素電極；與所述第一基板相對且粘接到所述第一基板的第二基板；以及夾在所述第一基板和所述第二基板之間的液晶層。
根據本發明另一方面，一種液晶顯示(LCD)器件的制造方法，包括在第一基板上形成柵線，所述柵線包括柵線電容控制部分；在所述第一基板上形成與所述柵線平行的公共線，所述公共線包括公共線電容控制部分；在所述柵線和所述公共線上方形成絕緣層；在所述絕緣層上形成與所述柵線垂直交叉以限定紅、綠、藍子像素的數據線；在所述柵線和所述數據線的交叉處形成薄膜晶體管；形成連接到所述薄膜晶體管的像素電極；以及粘接所述第一基板和所述第二基板，且在其間設置有液晶層。
應該理解，本發明上面的概述和下面的詳細說明都是示例性和解釋性的，意欲對所要求保護的本發明提供進一步解釋。


所包括的用于提供對本發明進一步解釋并引入構成本申請一部分的

了本發明的實施方式，并與說明書一起用于說明本發明的原理。在附圖中圖1示出了現有技術的邊緣電場(FFS)模式液晶顯示(LCD)器件的平面圖；圖2示出了以反圖案驅動的現有技術LCD器件；圖3示出了以垂直圖案驅動的現有技術LCD器件；圖4A示出了用于以反圖案驅動現有技術LCD器件的數據電壓的極性圖案；
圖4B示出了在現有技術LCD器件中公共電壓和數據電壓的波形圖；圖5和圖6示出了在現有技術LCD器件中產生綠色彩的波形圖；圖7所示為根據本發明第一實施方式FFS模式LCD器件的平面圖；以及圖8所示為根據本發明第二實施方式FFS模式LCD器件的平面圖。
具體實施例方式
以下將參照附圖中所示的實施例來詳細描述本發明的優選實施方式。盡可能，在整個附圖中使用相同的標號表示相同或相似的部分。
圖7所示根據本發明第一示例性實施方式的邊緣電場(FFS)模式液晶顯示(LCD)器件的平面圖。如圖7所示，根據本發明第一示例性實施方式的FFS模式LCD器件的薄膜晶體管(TFT)陣列基板包括柵線112、數據線115、在柵線112和數據線115的各交叉處的TFT、公共線125、板式對電極124和像素電極117。柵線112通過柵絕緣層(未示出)與數據線115絕緣。各TFT設置在各自柵線112和數據線115的各交叉點處。
根據本發明第一示例性實施方式，各公共線125設置有用于控制公共線電容Cdc(由數據線115和公共線125的重疊產生的電容)并且設置在G子像素中與數據線115重疊部分I處的延伸125a。公共線125的延伸部分125a與數據線115平齊。對電極124接觸公共線125且形成在各像素內側。像素電極117通過接觸孔118連接到TFT的漏極115b并且具有多個狹縫160。像素電極117與對電極124絕緣。如果向像素電極117和對電極124施加電壓，那么通過狹縫160在像素電極117和對電極124之間產生邊緣電場，從而使得液晶分子被最大效率地驅動。
公共線125的延伸部分125a沒有形成在R和B子像素中而是僅形成在G子像素中，從而使得G子像素的公共線電容Cdc與R和B子像素的不同。通常，電容由其間夾有絕緣層的上電極和下電極形成。隨著上電極和下電極的面積增加，電容的電容量增加。隨著絕緣層厚度的增加，電容量減小。因此，在G子像素中的延伸部分125a增加了數據線115和公共線125之間的重疊面積，從而增大了G子像素的公共線電容Cdc。
假設公共線125和數據線115之間的重疊面積為S，與數據線115重疊的公共線125的延伸部分125a的面積為S’，夾在公共線125和數據線115之間的柵絕緣層的厚度為d，而柵絕緣層的介電率為ε，那么公共線電容Cdc可以表示為如下Cdc=ϵS+S′d=ϵSd+ϵS′d]]>(等式1)因此，在G子像素中公共線電容Cdc通過公共線125的延伸部分125a增加 G子像素的公共線電容Cdc增大以與G和B子像素的公共線電容Cdc不同。因此，R和B子像素的失真公共電壓和G子像素的失真公共電壓彼此抵消從而使得施加到R/G/B子像素的有效公共電壓相同。
然而，公共線電容Cdc的增大同時增大了沿數據線115流動的數據電壓的延遲。因此，在柵線112被與延伸部分125a重疊的數據線115所重疊的區域中形成凹槽112a。凹槽112a降低柵線電容Cdg(即，數據線115和柵線112之間的重疊部分的電容)以抵消由延伸部分125a增加的公共線電容Cdc。
假設柵線112和數據線115之間的重疊面積為W，與數據線115重疊的柵線112的凹槽面積為W’，夾在柵線112和數據線115之間的柵絕緣層的厚度為d，柵絕緣層的介電率為ε，那么柵線電容Cdg可以表示為如下Cdg=ϵW-W′d=ϵWd-ϵW′d]]>(式2)因此，在G子像素中柵線電容Cdg由于柵線112的凹槽112a減少 根據本發明，G子像素的公共線電容Cdc增大以防止由G子像像產生綠色彩，并且G子像素的柵線電容Cdg減少與公共線電容Cdc的增大量相同的量以防止數據電壓延遲。如果施加到柵線112的電壓與施加到公共線125的電壓相同，如果滿足下式那么公共線電容Cdc等于柵線電容CdgϵS′d=ϵW′d]]>(式3)如果在整個基板上柵絕緣層均勻地形成，那么在整個基板上柵絕緣層的厚度d和其介電率ε是一致的(即，在式3兩邊d和ε都是相等的)。那么，根據式3，通過形成具有相同面積(即，S’＝W’)的延伸部分125a和凹槽112a，在G子像素中公共線電容Cdc的增加可以通過柵線電容Cdg的減少來抵消。
圖8所示為根據本發明第二示例性實施方式的FFS模式LCD器件的平面圖。如圖8所示，TFT陣列基板包括柵線512、數據線515、在柵線512和數據線515的各交叉處的TFT、公共線525、板式對電極524和像素電極517。柵線512通過柵絕緣層(未示出)與數據線515絕緣。各TFT設置在柵線512和數據線515的各交叉處。
根據本發明第二示例性實施方式，各公共線525設置有凹槽525a，該凹槽525a用于控制公共線電容Cdc(即由數據線515和公共線525重疊產生的電容)并且該凹槽525a設置在R和B子像素中與數據線515的重疊部分II處。公共線525的凹槽525a與數據線515平齊。對電極524接觸公共線525且形成在各像素內側。像素電極517通過接觸孔518連接到TFT的漏極515b，并且具有多個狹縫560。像素電極517與對電極524絕緣。如果向像素電極517和對電極524施加電壓，那么通過狹縫560在像素電極517和對電極524之間產生邊緣電場，從而使得液晶分子被最大效率地驅動。
公共線525的凹槽525a沒有形成在G子像素而是形成在R和B子像素中，從而使得G子像素的公共線電容Cdc與R和B子像素的公共線電容Cdc不同。具體地說，在R和B子像素中的凹槽525a減小了數據線515和公共線525之間的重疊面積，從而減小了R和B子像素的公共線電容Cdc。
假設公共線525和數據線515之間的重疊面積為S，與數據線515重疊的公共線525的凹槽面積525a為S’，夾在公共線525和數據線515之間的柵絕緣層的厚度為d，而柵絕緣層的介電率為ε，那么R和B子像素的公共線電容Cdc可以表示為如下Cdc=ϵS-S′d=ϵSd-ϵS′d]]>(式4)因此，在R和B子像素中公共線電容Cdc通過公共線525的凹槽525a減小 因此，一個像素的整個公共線電容Cdc減小 R和B子像素的公共線電容Cdc減少以與G子像素的公共線電容Cdc不同。因此，R和B子像素的失真公共電壓和G子像素的失真公共電壓彼此抵消從而使得施加到R/G/B子像素的有效公共電壓相同。
然而，由于公共線電容Cdc影響了數據電壓的傳輸速度，所以在R和B子像素中公共電容Cdc的減小使得提供到R/G/B子像素沿數據線515流動的數據電壓的傳輸不一致。因此，為了補償在R/G/B子像素中公共線電容Cdc的變化，在柵線512被與凹槽525a重疊的數據線515所重疊的區域中形成延伸部分512a。延伸部分512a增大柵線電容Cdg(即，數據線515和柵線512之間重疊部分的電容)以抵消由凹槽525減小的公共線電容Cdc。
假設R和B子像素中柵線512和數據線515之間的重疊面積為W，與數據線515重疊的柵線512的延伸部分512a面積為W’，夾在柵線和數據線之間的柵絕緣層的厚度為d，并且柵絕緣層的介電率為ε，那么柵線電容Cdg可以表示為如下Cdg=ϵW+W′d=ϵWd+ϵW′d]]>(式5)因此，在R和B子像素中柵線電容Cdg由于柵線512的延伸部分512a增加 因此，對于一個像素全部柵線電容Cdg增加 R和B子像素的公共線電容Cdc減小以防止由G子像素在圖像中產生綠色彩，并且R和B子像素的柵線電容Cdg增加與公共線電容Cdc的減小量相同的量使得數據電壓一致流入R/G/B子像素。如果施加到柵線512的電壓與施加到公共線525的電壓相同，如果滿足式3的條件那么公共線電容Cdc等于柵線電容Cdg。
如果在整個基板上均勻地形成柵絕緣層，那么在整個基板上柵絕緣層的厚度d和其介電率ε都是一致的(即，在式3兩邊d和ε都是相等的)。因此，通過形成具有相同面積(即，S’＝W’)的凹槽525a和延伸部分512a，在R和B子像素中公共線電容Cdc的減少可以通過柵線電容Cdg的增加來抵消。
在第一和第二示例性實施方式中的狹縫160和560關于像素的中央部分對稱形成，使得液晶指向矢沿不同的方向排列，從而實現多疇。此外，在柵線112和512與數據線115和515的交叉處形成用于控制數據電壓的切換的TFT包括對應于柵線預定區域的柵極，在包括柵線112和512的整個表面上形成的柵絕緣層(未示出)，通過在柵極上的柵絕緣層上順序沉積非晶硅(a-Si)和在非晶硅上沉積摻雜有雜質的n+a-Si形成的半導體層(未示出)，以及從數據線115和515上分叉出來且在半導體層上形成的源/漏極115a/115b和515a/515b。而且，TFT陣列基板與相對的濾色片基板粘接在一起，且其間具有液晶層，其中相對的濾色片基板包括黑矩陣層和濾色片層。
上述的示例性實施方式以FFS模式LCD器件為例描述。然而，本發明并不僅限于FFS模式LCD器件，而是可以應用于其它模式的LCD器件。適用于本發明的各種模式的實施例包括扭曲向列(TN)模式、多疇模式、光學補償雙折射(OCB)模式、共平面開關(IPS)模式和垂直對準(VA)模式，其中在TN模式下，液晶指向矢以90°的扭曲角度排列并且施加電壓以控制液晶指向矢；在多疇模式下，將一個像素劃分為多個疇并且各疇的主視角彼此不同以獲得寬視角；在0CB模式下，在基板的外表面粘附有補償膜以根據光的行進方向補償光的相位變化；在IPS模式下，在一個基板上形成兩個電極并且液晶指向矢按照與定向膜平行的方向扭曲；在VA模式下，采用負液晶和垂直定向膜在定向膜上垂直排列液晶分子。作為參考，根據上述模式可以在濾色片陣列基板上形成對電極來代替在TFT陣列基板上設置對電極。
根據本發明，為了防止發生綠色彩，通過修改公共線和數據線之間重疊部分的圖案使G子像素的公共線電容Cdc與R和B子像素的公共線電容Cdc不同。此外，修改柵線和數據線之間重疊部分的圖案以補償修改后的公共線電容Cdc的增加或減小。
根據本發明的LCD器件具有下述優點。第一，修改公共線和數據線之間重疊部分的圖案，使得G子像素的公共線電容Cdc與R和B子像素的公共線電容Cdc不同，從而完全抵消在白色中失真的公共電壓。因此可以防止綠色彩，從而提高圖像質量。另外，修改柵線和數據線之間重疊部分的圖案以補償在各子像素中增大或減小的公共線電容Cdc，從而防止在各子像素中數據信號延遲。
很顯然，本領域的熟練技術人員可以在不脫離本發明的精神或者范圍內對本發明的LCD器件進行不同的修改和改進。因此，本發明旨在覆蓋所有落入所附權利要求及其等同物范圍內的對本發明進行的修改和改進。
權利要求
1.一種液晶顯示器件，包括第一基板；在所述第一基板上形成的柵線；與所述柵線垂直交叉以限定紅、綠、藍子像素的數據線；設置在所述柵線和所述數據線的各交叉處的薄膜晶體管；與所述柵線平行設置的公共線，所述公共線包括公共線電容控制部分；與所述公共線絕緣且連接到所述薄膜晶體管的像素電極；與所述第一基板相對且粘接到所述第一基板的第二基板；以及夾在所述第一基板和所述第二基板之間的液晶層。
2.根據權利要求1所述的液晶顯示器件，其特征在于，所述公共線電容控制部分是所述公共線的延伸和凹槽其中之一。
3.根據權利要求1所述的液晶顯示器件，其特征在于，所述公共線電容控制部分設置在所述公共線和所述數據線的重疊部分中。
4.根據權利要求1所述的液晶顯示器件，其特征在于，所述公共線電容控制部分設置在綠子像素中。
5.根據權利要求4所述的液晶顯示器件，其特征在于，所述公共線電容控制部分是所述公共線的延伸。
6.根據權利要求1所述的液晶顯示器件，其特征在于，所述公共線電容控制部分設置在所述紅和藍子像素中。
7.根據權利要求6所述的液晶顯示器件，其特征在于，所述公共線電容控制部分是所述公共線的凹槽。
8.根據權利要求1所述的液晶顯示器件，其特征在于，所述柵線包括柵線電容控制部分。
9.根據權利要求1所述的液晶顯示器件，其特征在于，所述柵線電容控制部分是所述柵線的延伸和凹槽其中之一。
10.根據權利要求8所述的液晶顯示器件，其特征在于，所述柵線電容控制部分設置在所述柵線和所述數據線的重疊部分中。
11.根據權利要求4所述的液晶顯示器件，其特征在于，還包括設置在所述綠子像素的所述柵線和數據線重疊部分中的柵線電容控制部分。
12.根據權利要求11所述的液晶顯示器件，其特征在于，所述公共線電容控制部分是所述公共線的延伸而所述柵線電容控制部分是所述柵線的凹槽。
13.根據權利要求12所述的液晶顯示器件，其特征在于，所述公共線延伸部分的面積等于所述柵線凹槽的面積。
14.根據權利要求6所述的液晶顯示器件，其特征在于，還包括分別設置在所述紅和藍子像素的所述柵線和數據線的各重疊部分中的柵線電容控制部分。
15.根據權利要求14所述的液晶顯示器件，其特征在于，所述公共線電容控制部分是所述公共線的凹槽而所述柵線電容控制部分是所述柵線的延伸。
16.根據權利要求15所述的液晶顯示器件，其特征在于，所述公共線凹槽的面積等于所述柵線延伸的面積。
17.根據權利要求1所述的液晶顯示器件，其特征在于，還包括與所述公共線接觸的對電極，其中在各對電極和各像素電極之間形成電場。
18.根據權利要求17所述的液晶顯示器件，其特征在于，所述對電極設置在所述第一基板和所述第二基板其中之一中。
19.一種液晶顯示器件的制造方法，包括在第一基板上形成柵線，所述柵線包括柵線電容控制部分；在所述第一基板上形成與所述柵線平行的公共線，所述公共線包括公共線電容控制部分；在所述柵線和所述公共線上方形成絕緣層；在所述絕緣層上形成與所述柵線垂直交叉以限定紅、綠、藍子像素的數據線；在所述柵線和所述數據線的各交叉處形成薄膜晶體管；形成連接到所述薄膜晶體管的像素電極；以及粘接所述第一基板和所述第二基板，且在其間設置有液晶層。
20.根據權利要求19所述的方法，其特征在于，所述公共線電容控制部分在所述數據線和所述公共線的重疊部分中由所述公共線的延伸和凹槽其中之一形成。
21.根據權利要求19所述的方法，其特征在于，所述柵線電容控制部分由在所述柵線和所述數據線的重疊部分中的所述柵線的延伸和凹槽其中之一形成。
22.根據權利要求19所述的方法，其特征在于，在所述綠子像素中形成所述公共線電容控制部分。
23.根據權利要求22所述的方法，其特征在于，在連接到所述綠子像素的數據線和所述柵線的重疊部分中形成所述柵線電容控制部分。
24.根據權利要求19所述的方法，其特征在于，在紅和藍子像素中形成公共線電容控制部分。
25.根據權利要求24所述的方法，其特征在于，在連接到所述紅子像素的所述數據線和所述柵線的重疊部分中以及連接到藍子像素的所述數據線和所述柵線的重疊部分中形成所述柵線電容控制部分。
全文摘要
本發明公開了一種液晶顯示(LCD)器件，其包括第一基板；在所述第一基板上形成的柵線；與所述柵線垂直交叉以限定紅、綠、藍子像素的數據線；設置在所述柵線和所述數據線的各交叉處的薄膜晶體管(TFT)；與所述柵線平行設置的公共線，所述公共線包括公共線電容(Cdc)控制部分；與所述公共線絕緣且連接到所述TFT的像素電極；與所述第一基板相對且粘接到所述第一基板的第二基板；以及夾在所述第一基板和所述第二基板之間的液晶層。
文檔編號H01L29/786GK1888964SQ20051013213
公開日2007年1月3日 申請日期2005年12月16日 優先權日2005年6月29日
發明者金佑炫, 金義泰, 張圣洙 申請人:Lg.菲利浦Lcd株式會社