專利名稱：用于tft干刻工藝中的清洗方法
技術領域：
本發明涉及一種用于TFT干刻工藝中的清洗方法。
背景技術：
在TFT(薄膜晶體管)制造過程中某些工程需要采用到干刻工藝(DryEtching)，干刻工藝是采用低壓氣體在高頻電場下的生成的等離子體來起到刻蝕作用的。在該過程中，工藝氣體與被刻蝕的物質發生化學反應生成其他產物，其中有一部分會沉積在工藝腔體的內表面，沉積的物質較多則會污染腔室的環境。
針對干刻工藝中生成物的沉積一般都采取濕式清掃(Wet Clean)的方法——即用潔凈布蘸酒精后擦洗。
該方法需要開啟腔室，對于真空設備、開啟腔室后再恢復到真空狀態需要很長的時間(5代線的干刻設備需要5小時以上)再加上本身清掃所需的時間，對生產的影響很大。
發明內容
本發明的目的是提供用一種簡便的TFT干刻工藝中的清洗方法。
本發明的目的是通過以下技術方案實現的一種用于TFT干刻工藝中的清洗方法，調整RF的參數對干刻工藝中附著在設備內壁上的沉積物進行再刻蝕，進而清除這些沉積物。
其中，將上部電機功率調整為8千瓦，下部電極功率調整為2千瓦，氧氣流量為900毫升/平方米，SF6的流量為100毫升/平方米，壓力為1.3帕，處理時間為3×50秒。
本發明的積極進步效果在于無需開腔也能達到一定的清洗效果，可減少沉積物的生成以及由其導致的灰塵，延長設備的使用時間，同時配合濕法清掃(Wet Clean)則可以達到理想的效果并且能節約大量的時間。
圖1為使用本發明的方法前后對比圖表。
具體實施例方式
下面結合附圖給出本發明較佳實施例，以詳細說明本發明的技術方案。
一種用于TFT干刻工藝中的清洗方法，調整RF(射頻)的參數對干刻工藝中附著在設備內壁上的沉積物進行再刻蝕，進而清除這些沉積物。
其中，將上部電機功率調整為8千瓦，下部電極功率調整為2千瓦，氧氣流量為900毫升/平方米，SF6(六氟硫)的流量為100毫升/平方米，壓力為1.3帕，處理時間為3×50秒。
如圖1所示，使用本方法后，設備中的灰塵量下降明顯。所檢查的灰塵規格(3≤S≤5，5≤M≤10，5≤M≤10，單位um)。
權利要求
1.一種用于TFT干刻工藝中的清洗方法，其特征在于，調整RF的參數對干刻工藝中附著在設備內壁上的沉積物進行再刻蝕，進而清除這些沉積物。
2.根據權利要求1所述的用于TFT干刻工藝中的清洗方法，其特征在于，將上部電機功率調整為8千瓦，下部電極功率調整為2千瓦，氧氣流量為900毫升/平方米，SF6的流量為100毫升/平方米，壓力為1.3帕，處理時間為3×50秒。
全文摘要
本發明公開了一種用于TFT干刻工藝中的清洗方法，調整RF的參數對干刻工藝中附著在設備內壁上的沉積物進行再刻蝕，進而清除這些沉積物。本發明無需開腔也能達到一定的清洗效果，可減少沉積物的生成以及由其導致的灰塵，延長設備的使用時間，同時配合濕法清掃(Wet Clean)則可以達到理想的效果并且能節約大量的時間。
文檔編號H01L21/02GK1996549SQ20051011226
公開日2007年7月11日 申請日期2005年12月28日 優先權日2005年12月28日
發明者儲培鳴 申請人:上海廣電Nec液晶顯示器有限公司