專利名稱：電阻器的制造方法
技術領域：
本發明涉及一種電阻器及其制造方法，特別是關于微型電阻器及其制造方法。
背景技術：
作為以往的這種電阻器，有一種已在特開平4-102302號公報中進行了公開。
下面，首先對照附圖，對以往的電阻器及其制造方法進行說明。
圖53是表示以往的電阻器的剖面圖。
在圖53中，1是由氧化鋁等的瓷器構成的具有絕緣性的單片狀基板。2是設置在所述單片狀基板1上面的左右兩端部上的一對第1上面電極層。3是設置在所述單片狀基板1上面并與一對第1上面電極層的一部分相重疊的電阻層。4是只覆蓋電阻層3全體的第1保護層。5是設置在電阻層3及第1保護層4上的用于修正電阻值的微調槽。6是僅設置在第1保護層4上面的第2保護層。7是設置在一對第1保護層2的上面并在所述單片狀基板1的寬度方向充分延伸的一對第2上面電極層。8是設置在所述單片狀基板1兩側的一對側面電極層。9、10是設置在一對第2上面電極層7及一對側面電極層8的表面上的一對鎳鍍層及一對焊錫鍍層。在這種情況下設置焊錫鍍層10的高度低于第2保護層6。
下面，對于如上構成的以往的電阻器，參照
其制造方法。
圖54(a)～(f)是表示以往的電阻器的制造方法的工序圖。
首先，如圖54(a)所示，在具有絕緣性單片狀基板1上面的左右兩端部上，涂敷形成一對第1上面電極層。
然后，如圖54(b)所示，在所述單片狀基板1的上面涂敷形成電阻層3并且使其中的一部分與一對第1上面電極層相重疊。
然后，如圖54(c)所示，在涂敷形成只覆蓋電阻層3全體的第1保護層4之后，用激光在電阻層3及第1保護層4上形成微調槽5，使電阻層3的總電阻值限定在規定的電阻值的范圍內。
然后如圖54(d)所示，在第1保護層4上涂敷形成第2保護層6。
然后如圖54(e)所示，在一對第1上面電極層2的上面，涂敷形成在所述單片狀基板1的寬度上充分延伸的一對第2上面電極層7。
然后如圖54(f)所示，在一對第1上面電極層2及所述單片狀基板1的左右兩端的側面涂敷形成一對側面電極層8，使之與一對第1、第2上面電極層2、7構成電連接。
最后，在一對第2上面電極層7及一對側面電極層8的表面進行鍍鎳，然后再通過鍍上焊錫形成一對鎳鍍層9和一對焊錫鍍層10，這樣便制造成了電阻器。
另外，上述的電阻器也能夠被做得非常小，近年來，已能夠制造出長度為0.6mm、寬為0.3mm、厚為0.25mm的非常小的電阻器。
下面，對在利用上述的構成及制造方法來制造長為0.6mm、寬為0.3mm、厚為0.25mm的非常小的電阻器時所存在的問題進行說明。
由以往的氧化鋁等的瓷器構成的片狀的絕緣基板是在燒制片狀的絕緣基板之前預先形成基板分割溝，然后再通過燒結該絕緣基板來進行制造工序。因此，預先形成在片狀絕緣基板上的基板分割溝由于片狀絕緣基板的微小構成差異和在片狀絕緣基板在燒結時的微小溫度差異而形成尺寸上的差異(該尺寸上的差異在約100mm×100mm的片狀絕緣基板上達到了約0.5mm)。
在使用具有這樣的尺寸差異的片狀絕緣基板制造非常微小的電阻器時，必須分別對單片狀基板按縱方向和橫方向的尺寸進行非常細的尺寸分類，而且必須要備齊對應各個尺寸的上面電極層2、電阻層3及第1保護層4等的網板印刷掩膜，并且必須對應單片狀基板的各種尺寸進行掩膜的更換，其結果使工序變得非常復雜(在每隔0.05mm進行一組的尺寸分類的情況下，如果要在縱方向和橫方向分別分成25組，則將構成600組以上的尺寸分類)。
發明內容
本發明就是要解決上述以往的問題，其目的是提供一種在制造過程中不需要進行單片狀基板的尺寸分類、不需要象以往那樣的對應單片狀基板的各種尺寸組更換掩膜的工序的廉價且微小的電阻器。
為了達到上述的目的，本發明的電阻器具有通過由狹縫狀第1分割部和與該第1分割部成直角關系的第2分割部對片狀絕緣基板進行分割而形成的單片化的單片狀基板、形成在所述單片狀基板上面的一對上面電極層、其中一部分重疊在所述一對上面電極層上的電阻層、覆蓋所述電阻層的保護層、由形成在所述單片狀基板的側面并與所述一對上面電極層構成電連接的由鎳系電極構成的一對側面電極層。
根據上述的電阻器，由于使用通過由狹縫狀第1分割部和與該第1分割部成直角關系的第2分割部對片狀絕緣基板進行分割而形成的單片化的單片狀基板，所以在制造過程中不需要進行單片狀基板的尺寸分類，因此，可不需要象以往那樣的對應單片狀基板的各種尺寸組更換掩膜的工序，并且可提供廉價且微小的電阻器。
圖1是本發明實施例1電阻器的剖面圖。
圖2是表示在制造該電阻器所使用的片狀絕緣基板全周圍的端部上形成不要區域部的狀態的俯視圖。
圖3的(a)～(e)是表示該電阻器的制造工序的剖面圖。
圖4的(a)～(e)是表示該電阻器的制造工序的俯視圖。
圖5的(a)～(d)是表示該電阻器的制造工序的剖面圖。
圖6的(a)～(d)是表示該電阻器的制造工序的俯視圖。
圖7的(a)～(c)是表示該電阻器的制造工序的剖面圖。
圖8的(a)～(c)是表示該電阻器的制造工序的俯視圖。
圖9是表示在制造該電阻器所使用的片狀絕緣基板一端部上形成不要區域部的狀態的俯視圖。
圖10是表示在制造該電阻器所使用的片狀絕緣基板兩端部上形成不要區域部的狀態的俯視圖。
圖11是表示在制造該電阻器所使用的片狀絕緣基板三個端部上形成不要區域部的狀態的俯視圖。
圖12是表示在制造本發明實施例2的電阻器所使用的片狀絕緣基板全周圍的端部上形成不要區域部的狀態的俯視圖。
圖13的(a)～(e)是表示該電阻器的制造工序的剖面圖。
圖14的(a)～(e)是表示該電阻器的制造工序的俯視圖。
圖15的(a)～(d)是表示該電阻器的制造工序的剖面圖。
圖16的(a)～(d)是表示該電阻器的制造工序的俯視圖。
圖17的(a)～(c)是表示該電阻器的制造工序的剖面圖。
圖18的(a)～(c)是表示該電阻器的制造工序的俯視圖。
圖19是表示在制造該電阻器時所使用的片狀絕緣基板一端部上形成不要區域部的狀態的俯視圖。
圖20是表示在制造該電阻器所使用的片狀絕緣基板兩端部上形成不要區域部的狀態的俯視圖。
圖21是表示在制造該電阻器所使用的片狀絕緣基板三個端部上形成不要區域部的狀態的俯視圖。
圖22是表示在制造本發明實施例3的電阻器所使用的片狀絕緣基板全周圍的端部上形成不要區域部的狀態的俯視圖。
圖23的(a)～(e)是表示該電阻器的制造工序的剖面圖。
圖24的(a)～(e)是表示該電阻器的制造工序的俯視圖。
圖25的(a)～(d)是表示該電阻器的制造工序的剖面圖。
圖26的(a)～(d)是表示該電阻器的制造工序的俯視圖。
圖27的(a)～(c)是表示該電阻器的制造工序的剖面圖。
圖28的(a)～(c)是表示該電阻器的制造工序的俯視圖。
圖29是表示在制造該電阻器所使用的片狀絕緣基板一端部上形成不要區域部的狀態的俯視圖。
圖30是表示在制造該電阻器所使用的片狀絕緣基板兩端部上形成不要區域部的狀態的俯視圖。
圖31是表示在制造該電阻器時所使用的片狀絕緣基板三個端部上形成不要區域部的狀態的俯視圖。
圖32是表示在制造本發明實施例4的電阻器所使用的片狀絕緣基板全周圍的端部上形成不要區域部的狀態的俯視圖。
圖33的(a)～(e)是表示該電阻器的制造工序的剖面圖。
圖34的(a)～(e)是表示該電阻器的制造工序的俯視圖。
圖35的(a)～(c)是表示該電阻器的制造工序的剖面圖。
圖36的(a)～(c)是表示該電阻器的制造工序的俯視圖。
圖37的(a)～(c)是表示該電阻器的制造工序的剖面圖。
圖38的(a)～(c)是表示該電阻器的制造工序的俯視圖。
圖39是表示在制造該電阻器所使用的片狀絕緣基板一端部上形成不要區域部的狀態的俯視圖。
圖40是表示在制造該電阻器所使用的片狀絕緣基板兩端部上形成不要區域部的狀態的俯視圖。
圖41是表示在制造該電阻器所使用的片狀絕緣基板三個端部上形成不要區域部的狀態的俯視圖。
圖42是表示通過本發明實施例5的電阻器的制造方法制造出的電阻器的剖面圖。
圖43是表示在制造該電阻器所使用的片狀絕緣基板全周圍的端部上形成不要區域部的狀態的俯視圖。
圖44的(a)～(f)是表示該電阻器的制造工序的剖面圖。
圖45的(a)～(f)是表示該電阻器的制造工序的俯視圖。
圖46的(a)～(d)是表示該電阻器的制造工序的剖面圖。
圖47的(a)～(d)是表示該電阻器的制造工序的俯視圖。
圖48的(a)～(c)是表示該電阻器的制造工序的剖面圖。
圖49的(a)～(c)是表示該電阻器的制造工序的俯視圖。
圖50是表示在制造該電阻器時所使用的片狀絕緣基板一端部上形成不要區域部的狀態的俯視圖。
圖51是表示在制造該電阻器時所使用的片狀絕緣基板兩端部上形成不要區域部的狀態的俯視圖。
圖52是表示在制造該電阻器所使用的片狀絕緣基板三個端部上形成不要區域部的狀態的俯視圖。
圖53是表示以往的電阻器的剖面圖。
圖54的(a)～(f)是表示以往電阻器的制造工序的立體圖。
具體實施例方式
實施本發明的最佳實施例。
(實施例1)下面，參照附圖，對本發明實施例1的電阻器及其制造方法進行說明。
圖1是本發明實施例1電阻器的剖面圖。
在圖1中，11是通過由狹縫狀第1分割部和與該第1分割部成直角關系的第2分割部對由完成燒制的96％純度的氧化鋁構成的片狀絕緣基板進行分割而形成單片化的單片狀基板。12是形成在單片狀基板11上面的以銀作為主要成分的一對上面電極層。13是形成在單片狀基板11上面并且其中一部分重疊在一對上面電極層12上的氧化镥系的電阻層。14是形成在電阻層13上面的由預涂玻璃層構成的第1保護層。15是為修正在一對上面電極層12之間的電阻層13電阻值而設置的微調槽。16是覆蓋由預涂玻璃層構成的第1保護層14的以樹脂為主要成分的第2保護層。17是與一對上面電極層12的一部分重疊，并且覆蓋單片狀基板11的兩側面及背面的兩端部的由鎳構成的一對側面電極層。18是覆蓋一對側面電極層17及一對上面電極層12的一部分的由錫構成的焊錫層。
下面，參照附圖，對如上構成的本發明實施例1的電阻器的制造方法進行說明。
圖2是表示在制造本發明實施例1的電阻器所使用的片狀絕緣基板全周圍的端部上形成不要區域部的狀態的俯視圖，圖3的(a)～(e)，圖4的(a)～(e)，圖5的(a)～(d)，圖6的(a)～(d)，圖7的(a)～(c)及圖8的(a)～(c)是表示實施例1的電阻器的制造方法的工序圖。
首先，如圖2、圖3(a)、圖4(a)所示，準備好由已完成燒制的96％純度的氧化鋁構成的厚度為0.2mm的具有絕緣性的片狀絕緣基板21。這里，片狀絕緣基板21，如圖2所示，在全周圍的端部上具有最終不構成制品的不要區域部21a。而且該不要區域部21a形成大致口字狀。
然后如圖2、圖3(b)、圖4(b)所示，在片狀絕緣基板21的上面通過網板印刷法形成以銀為主要成分的多對上面電極層22，然后通過用最高溫度為850℃的燒結靠模的燒結，把電極層22形成為穩定的膜層。
然后，如圖2、圖3(c)、圖4(c)所示，通過網板印刷方法形成跨越在多對上面電極層22上的由氧化镥系材料構成的多個電阻層23，然后通過用最高溫度為850℃的燒結靠模的燒結，把電阻層23形成為穩定的膜層。
然后，如圖3、圖4(d)所示，用網板印刷法形成覆蓋多個電阻層23的由多個預涂玻璃層構成的第1保護層24，然后通過用最高溫度為600℃的燒結靠模的燒結，使由預涂玻璃層構成的第1保護層24形成為穩定的膜層。
然后，如圖3(e)、圖4(e)所示，為了把在多對上面電極層22之間的電阻層23的電阻值調整到一定的值，通過用激光調整法進行調整，形成多個微調槽25。
然后，如圖5(a)、圖6(a)所示，通過網板印刷法形成以樹脂為主要成分的覆蓋由在圖中縱向重疊的多層預涂玻璃層構成的第1保護層24的多層第2保護層26，然后通過用最高溫度為850℃的燒結靠模的燒結，把第2保護層26形成穩定的膜層。
然后，如圖5(b)、圖6(b)所示，通過網板印刷法形成覆蓋多層第2保護層26的多層第1阻擋層27，通過紫外線固化處理使第1阻擋層27形成穩定的膜層。進而通過網板印刷法在片狀絕緣基板21的背面上形成多層第2阻擋層28，并通過紫外線固化處理，使第2阻擋層28形成穩定的膜層。
下面，如圖2、圖5(c)、圖6(c)所示，在形成有第1阻擋層27及第2阻擋層28的片狀絕緣基板21上，除了形成在全周圍端部的不要區域部21a，為了分離多對上面電極層22而分割成多個長方形的基板21b，利用刻模法形成多個狹縫狀第1分割部29。此時，以700μm的間隔形成多個狹縫狀第1分割部29，并且該狹縫狀第1分割部29的寬度為120μm。而且，所述多個狹縫狀第1分割部29由在上下方向貫通片狀絕緣基板21的貫通孔形成。而且，由于所述片狀絕緣基板21除了不要區域部21a外，其余通過刻模法形成了多個狹縫狀第1分割部29，所以即使在形成了狹縫狀第1分割部29之后，多個長方形狀基板21b還與不要區域部21a相連，因此還保持著片形的狀態。
然后，如圖5(d)、圖6(d)所示，利用通過浸入鍍液中進行電鍍的無電解的非電鍍加工方法，對片狀絕緣基板21進行全面的鍍鎳，形成厚約4～6μm的側面電極層30。此時，由于多個狹縫狀第1分割部29由上下方向貫通片狀絕緣基板21的貫通孔形成，所以在通過利用對片狀絕緣基板21進行全面無電解的非電鍍加工方法進行鍍鎳而形成側面電極層30的情況下，側面電極層30從片狀絕緣基板21的上面側經過形成貫通孔的狹縫狀第1分割部29的全體內面，一直形成到片狀絕緣基板21的背面側。而且，該側面電極層30覆蓋住露出在片狀絕緣基板21上面側的上面電極層22的一部分和第1阻擋層27，并且在片狀絕緣基板21的背面側覆蓋住第2阻擋層28。
然后，如圖7(a)、圖8(a)所示，剝離下多層第1阻擋層(未圖示)及多層第2阻擋層(未圖示)，對多對側面電極層30進行圖形的形成。
然后，如圖7(b)、圖8(b)所示，利用電鍍法，形成由厚度約為4～6μm的錫構成的覆蓋住露出的多對側面電極層30和通過剝離下多個第1阻擋層(未圖示)而露出的多對上面電極層22的一部分的焊錫層31。
雖然上述的側面電極層30的厚度約為4～6μm，但并不限定在這個范圍內，該厚度可以在1～15μm的范圍內，而且由于該側面電極層30是通過用無電解的非電鍍加工方法進行鍍鎳而構成，所以不具有磁性，因此這樣的構成可獲得尺寸精度非常高的制品，并且在自動安裝機通過吸頭的吸附進行電阻器的安裝時，可提高吸附的穩定性從而可確保高效的安裝率。
而且，上述的焊錫層31雖然由錫構成，但不限于此，也可以使用錫合金系的材料，在由這些材料構成的情況下，在進行軟熔發亮的鍍錫處理時可獲得穩定的鍍錫面。
而且，由于上述的上面電極層22由銀系材料構成，同時電阻層23由氧化镥系材料構成，所以可確保其電阻特性具有良好的耐熱性和耐久性。
并且，由于上述覆蓋上述電阻層23等的保護層由覆蓋電阻層23的由預涂玻璃層構成的第1保護層24、和覆蓋該第1保護層24并且覆蓋微調槽25的以樹脂為主要成分的第2保護層26的2層構成，所以可防止在所述第1保護層24上進行激光修正時發生裂紋，減小電流的雜音，并且通過用以樹脂為主要成分的所述第2保護層26覆蓋住電阻層23的全體，可確保具有良好耐濕性的電阻特性。
最后，如圖2、圖7(c)、圖8(c)所示，除了形成在片狀絕緣基板21全周面端部上的不要區域部21a，在片狀絕緣基板21上的多個長方形狀基板21b上，使用刻模加工方法在與狹縫狀第1分割部29呈直角的方向上形成電阻層23被逐個分離的把片狀絕緣基板21分割成單片狀基板21c的第2分割部32。此時，以400μm的間隔形成多個第2分割部32，并且該第2分割部32的寬度為100μm。而且，由于該多個分割部32是通過刻模法形成在除了不要區域部21a的多個長方形狀基板21b上，所以，在依次形成該多個第2分割部32時，單片狀基板21c被依次地割斷，而且被割斷的單片化的制品被從不要區域部21a上分離開。
通過上述的工序，制造出本發明實施例1的電阻器。
通過上述的工序制造出的電阻器，由于利用刻模法形成的狹縫狀第1分割部29及第2分割部32的間隔尺寸精確(±0.005mm以內)，并且側面電極層30及焊錫鍍層31的厚度尺寸精確，所以制成制品的電阻器的全長及全寬具有精確的長度0.6mm×寬度0.3mm。而且由于不需要對上面電極層22及電阻層23的圖形精度進行單片狀基板的不同尺寸的分類，并且不需要考慮在同一單片狀基板尺寸組內的尺寸差異，所以可構成大于以往制品的電阻層23的有效面積。即，相對以往制品的約0.20mm長度×0.19mm寬度的電阻層面積，本發明實施例1的電阻器的電阻層23的面積約為長0.25mm×寬0.24mm，約為以往面積的1.6倍以上。
由于上述多個狹縫狀第1分割部29及多個第2分割部32是使用刻模法而形成，所以可使用不需要進行單片狀基板的尺寸分類的片狀絕緣基板21，因此，由于不需要象以往那樣進行單片狀基板的尺寸分類，所以可省去以往的更換掩膜工序，簡化了工序流程，并且可以用切割半導體等的一般的刻模設備容易地進行刻模。
另外，由于在上述片狀絕緣基板21的全周圍的端部上形成最終不構成制品的不要區域部21a，并且在所述不要區域部21a上不形成多個狹縫狀第1分割部29及多個第2分割部32，所以在形成了多個狹縫狀第1分割部29之后多個長方形狀基板21b還保持著與不要區域部21a的連接，片狀絕緣基板21未被分離成零散的多個長方形狀基板21b，因此，即使在形成了多個狹縫狀第1分割部29之后，也可以在保持具有不要區域部21a的片狀絕緣基板29的狀態下進行其后的工序，從而可簡化工序的設計。另外，當形成多個第2分割部32時，隨著多個第2分割部32的形成使單片狀基板21c被逐個地分斷，并且單片化的制品被從不要區域部21a上分離下，所以省去了之后進行不要區域部21a與制品的分類工序。
而且，由于是在片狀絕緣基板21的狀態下形成多對側面電極層30及多對焊錫層31，所以，不僅可在片狀絕緣基板21上形成側面電極層30，并且在利用電鍍法形成焊錫層31時，可降低電位差，從而可形成穩定的焊錫層31。
另外，在上述的本發明實施例1中，對形成在片狀絕緣基板21的全周圍的端部上的最終不構成制品的不要區域部21a為大致口字狀的構成進行了說明，但該不要區域部21a不必要必須形成在片狀絕緣基板21全周圍的端部上，例如在如圖9所示地在片狀絕緣基板21的一端部上形成不要區域部21d、如圖10所示地在片狀絕緣基板21的兩端部上形成不要區域部21e、如圖11所示地在片狀絕緣基板21的3端部上形成不要區域部21f的情況下，可達到與上述本發明實施例1相同的作用效果。
另外，在上述的本發明實施例1中，對通過刻模法來形成多個第2分割部32的構成進行了說明，但除此以外，也可以例如在片狀絕緣基板21的背面側、上面側及中央部的任意處保留薄壁部，對片狀絕緣基板21的背面側、上面側及中央部的任意處通過利用激光加工法、刻模法等進行切割來形成該多個第2分割部32，但在這些情況下，不是隨著分割部32的形成而被單片化，而是通過2步驟形成單片化。
另外，在上述的本發明實施例1中，是在形成了第1阻擋層27及阻擋層28之后形成狹縫狀第1分割部29，但也可以在形成狹縫狀第1分割部29之后形成第1阻擋層27及第2阻擋層28。但是這樣在形成狹縫狀第1分割部29之后進行第1阻擋層27及第2阻擋層28的網板印刷的情況下，由于片狀絕緣基板21的強度低，所以要降低網板印刷時的印刷壓力。
并且，如果在形成由預涂玻璃層構成的第1保護層24之后立即形成第2阻擋層28，也可以達到與本發明實施例1相同的效果。
并且，在上述的本發明實施例1中，是在形成焊錫層31之前進行第1阻擋層27及第2阻擋層28的剝離，但也可以在形成該焊錫層31之后進行剝離。
另外，在上述的本發明實施例1中，是使用銀系的材料構成上面電極層22，并且使用氧化镥系材料構成電阻層23，不過使用其他材料系也可以達到與本發明實施例1相同的效果。
另外，在上述的本發明實施例1中，說明了使用刻模法來形成狹縫狀第1分割部29及第2分割部32的情況，但除了使用該刻模法以外，在使用激光或高壓噴水等的分割部形成方法來形成狹縫狀第1分割部29及第2分割部32的情況下也可以達到與本發明實施例1相同的效果。
另外，在上述的本發明實施例1中，說明了在單片狀基板11的上面形成一對上面電極層12，然后形成重疊該一對上面電極層12的一部分的電阻層13的構成，但在與其相反地先在單片狀基板11的上面形成電阻層13，然后在與該電阻層13的一部分相重疊地形成一對上面電極層12的情況下，也可以達到與上述本發明實施例1相同的效果。
另外，在上述的本發明實施例1中，對在形成多個用于分割多個長方形狀基板21b的狹縫狀第1分割部29時，在形成有多對上面電極層22、多個電阻層23、多個第1保護層24、多個微調槽25、多個第2保護層26、多個第1阻擋層、多個第2阻擋層28的片狀絕緣基板21上，形成多個第1分割部29的構成進行了說明，但不限于此，例如除此之外，在片狀絕緣基板21上首先形成多個狹縫狀第1分割部29的情況；在使用預先形成有多個狹縫狀第1分割部的片狀絕緣基板21的情況；在已形成有多對上面電極層22的片狀絕緣基板21上形成多個狹縫狀第1分割部29的情況；在已形成有多個電阻層23的片狀絕緣基板21上形成多個狹縫狀第1分割部29的情況；在已形成有多對上面電極層22且形成有與該多對上面電極層22的一部分相重疊的多個電阻層23的片狀絕緣基板21上形成多個狹縫狀第1分割部29的情況；在形成有多個電阻層23且形成有與該多個電阻層23的一部分相重疊的上面電極層22的片狀絕緣基板21上形成多個狹縫狀第1分割部的情況；在形成有多對上面電極層22、多個電阻層23的片狀絕緣基板21上，并且在為了調整在該多個電阻層23上的素數多對上面電極層22之間的電阻值進行了微調后形成狹縫狀第1分割部29的情況下，都可達到與上述本發明實施例1相同的效果。
(實施例2)下面，參照附圖對本發明實施例2的電阻器的制造方法進行說明。
圖12是表示在制造本發明實施例2的電阻器所使用的片狀絕緣基板全周圍的端部上形成不要區域部的狀態的俯視圖。
圖13的(a)～(e)，圖14的(a)～(e)，圖15的(a)～(d)，圖16的(a)～(d)，圖17的(a)～(c)，圖18的(a)～(c)是表示本發明實施例2的電阻器的制造方法的工序圖。
首先，如圖12、圖13(a)、圖14(a)所示，準備好由完成燒制的96％純度的氧化鋁構成的厚度為0.2mm的具有絕緣性的片狀絕緣基板41。這里，如圖12所示，片狀絕緣基板41在全周圍的端部上具有最終不構成制品的不要區域部41a。而且該不要區域部41a形成大致口字狀。
然后如圖12、圖13(b)、圖14(b)所示，在片狀絕緣基板41的上面通過網板印刷法形成以銀為主要成分的多對上面電極層42，然后通過用最高溫度為850℃的燒結靠模的燒結，把電極層42形成穩定的膜層。
然后，如圖12、圖13(c)、圖14(c)所示，通過網板印刷加工方法形成跨在多對上面電極層42的由氧化镥系材料構成的多個電阻層43，然后通過用最高溫度為850℃的燒結靠模的燒結，把電阻層43形成穩定的膜層。
然后，如圖13(d)、圖14(d)所示，用網板印刷法形成覆蓋多個電阻層43的由多個預涂玻璃層構成的第1保護層44，然后通過用最高溫度為600℃的燒結靠模的燒結，使由預涂玻璃層構成的第1保護層44形成穩定的膜層。
然后，如圖13(e)、圖14(e)所示，為了把在多對上面電極層42之間的電阻層43的電阻值調整到一定的值，通過用激光調整法進行調整，形成多個微調槽45。
然后，如圖15(a)、圖16(a)所示，通過網板印刷法形成以樹脂為主要成分的覆蓋由在圖中縱向重疊的多層預涂玻璃層構成的第1保護層44的多層第2保護層46，然后通過用最高溫度為200℃的固化靠模的固化，把第2保護層46形成穩定的膜層。
然后，如圖15(b)、圖16(b)所示，通過網板印刷法在片狀絕緣基板41的背面上形成多個阻擋層47，并通過紫外線固化處理，使阻擋層47形成穩定的膜層。
下面，如圖12、圖15(c)、圖16(c)所示，在形成有阻擋層47的片狀絕緣基板41上，除了形成在全周圍端部的不要區域部41a，為了分離多對上面電極層42而分割成多個長方形的基板41b，利用刻模法形成多個狹縫狀第1分割部48。此時，以700μm的間隔形成多個狹縫狀第1分割部48，并且該狹縫狀第1分割部48的寬度為120μm。而且，所述多個狹縫狀第1分割部48由在上下方向貫通片狀絕緣基板41的貫通孔形成。而且，由于所述片狀絕緣基板41除了不要區域部41a，通過刻模法形成了多個狹縫狀第1分割部48，所以即使在形成了狹縫狀第1分割部48之后，多個長方形狀基板41b還與不要區域部41a相連，因此還保持著片形的狀態。
然后，如圖15(d)、圖16(d)所示，利用噴鍍加工方法，在片狀絕緣基板41的背面和多個狹縫狀第1分割部48的內面上形成鎳或鎳系合金，例如鎳鉻合金的約0.1～1μm厚度的側面電極層49。此時，形成在多個狹縫狀第1分割部48內面上的側面電極層49與形成在片狀絕緣基板41的上面的上面電極層42形成電連接。
然后，如圖17(a)、圖18(a)所示，剝離下多個阻擋層(未圖示)，對多對側面電極層49進行圖形的形成。
然后，如圖17(b)、圖18(b)所示，利用電鍍法，形成由厚度約為4～6μm的鎳構成的和由厚度約為4～6μm的錫構成的覆蓋住露出的多對側面電極層49和通過剝離下多個阻擋層(未圖示)而露出的多對上面電極層42的一部分的鎳鍍層50和多對焊錫層51。
雖然通過上述的噴鍍法而形成的側面電極層49的厚度約為0.1～1μm，但并不限定在這個范圍內，鍍鎳層50和焊錫層51的厚度之合可以在1～15μm的范圍內。
而且，上述的焊錫層51雖然由錫構成，但不限于此，也可以使用錫合金系的材料，在由這些材料構成的情況下，在進行軟熔發亮的鍍錫處理時可獲得穩定的鍍錫面。
而且，由于上述的上面電極層42由銀系材料構成，同時電阻層43由氧化镥系材料構成，所以可確保其電阻特性具有良好的耐熱性和耐久性。
并且，由于上述覆蓋上述電阻層43等的保護層由覆蓋電阻層43的由預涂玻璃層構成的第1保護層44、和覆蓋該第1保護層44并且覆蓋微調槽45的以樹脂為主要成分的第2保護層46的2層構成，所以可防止在所述第1保護層44上進行激光修正時發生裂紋，減小電流的雜音，并且通過用以樹脂為主要成分的所述第2保護層46覆蓋住電阻層43的全體，可確保具有良好耐濕性的電阻特性。
最后，如圖12、圖17(c)、圖18(c)所示，除了形成在片狀絕緣基板41全周面端部上的不要區域部41a，在片狀絕緣基板41上的多個長方形狀基板41b上，使用刻模加工方法在與狹縫狀第1分割部48呈直角的方向上，形成使多個電阻層43被逐個分離的，把長方形狀絕緣基板41b分割成多個單片狀基板41c的多個第2分割部52。此時，以400μm的間隔形成多個第2分割部52，并且該第2分割部52的寬度為100μm。而且，由于該多個分割部52是通過刻模法形成在除了不要區域部4a的多個長方形狀基板41b上，所以，在依次形成該多個第2分割部52時，長方形狀基板41b被依次地割斷成單片狀基板41c，而且被割斷成單片化的制品從不要區域部41a上被分離開。
通過上述的工序，制造出了本發明實施例2的電阻器。
通過上述的工序制造出的電阻器，由于利用刻模法形成的狹縫狀第1分割部48及第2分割部52的間隔尺寸精確(±0.005mm以內)，并且側面電極層49、鎳鍍層50及焊錫鍍層51的厚度尺寸精確，所以制成制品的電阻器的全長及全寬具有精確的0.6mm長度×0.3mm寬度。而且由于不需要對上面電極層42及電阻層43的圖形精度進行單片狀基板的不同尺寸的分類，并且不需要考慮在同一單片狀基板尺寸組內的尺寸差異，所以可構成大于以往制品的電阻層43的有效面積。即，相對以往制品的約0.20mm長度×0.19mm寬度的電阻層面積，本發明實施例2的電阻器的電阻層43的面積約為長0.25mm×寬0.24mm，約為以往面積的1.6倍以上。
由于上述多個狹縫狀第1分割部48及多個第2分割部52是使用刻模法而形成，所以可使用不需要進行單片狀基板的尺寸分類的片狀絕緣基板41，因此，由于不需要象以往那樣進行單片狀基板的尺寸分類，所以可省去以往的更換掩膜工序，簡化了工序流程，并且可以用切割半導體等的一般的刻模設備容易地進行刻模。
另外，由于在上述片狀絕緣基板41的全周圍的端部上形成最終不構成制品的不要區域部41a，并且在所述不要區域部41a上不形成多個狹縫狀第1分割部48及多個第2分割部52，所以在形成了多個狹縫狀第1分割部48之后，多個長方形狀基板41b還保持著與不要區域部41a的連接，片狀絕緣基板41未被分離成零散的多個長方形狀基板41b，因此，即使在形成了多個狹縫狀第1分割部48之后，也可以在保持具有不要區域部41a的片狀絕緣基板41的狀態下進行其后的工序，從而可簡化工序的設計。另外，當形成多個第2分割部52時，隨著多個第2分割部52的形成，被逐個地分斷成單片狀基板41c，并且單片化的制品被從不要區域部41a上分離下，所以省去了之后進行不要區域部41a與制品的分類工序。
而且，由于是在片狀絕緣基板41的狀態下形成多對側面電極層49、鎳鍍層50及多對焊錫層51，所以，不僅可在片狀絕緣基板41的必要部位上形成側面電極層49，并且在利用電鍍法形成鎳鍍層50及焊錫層51時，可降低電位差，從而可形成穩定的鎳鍍層50和焊錫層51。
另外，在上述的本發明實施例2中，對形成在片狀絕緣基板41的全周圍的端部上的最終不構成制品的不要區域部41a為大致口字狀的構成進行了說明，但該不要區域部41a不必要必須形成在片狀絕緣基板41全周圍的端部上，例如在如圖19所示地在片狀絕緣基板41的一端部上形成不要區域部41d、如圖20所示地在片狀絕緣基板41的兩端部上形成不要區域部41e、如圖21所示地在片狀絕緣基板41的3端部上形成不要區域部41f的情況下，也可達到與上述本發明實施例2相同的作用效果。
另外，在上述的本發明實施例2中，對通過刻模法來形成多個第2分割部52的構成進行了說明，但除此以外，也可以例如在片狀絕緣基板41的背面側、上面側及中央部的任意處保留薄壁部，對片狀絕緣基板41的背面側、上面側及中央部的任意處通過利用激光加工法、刻模法等進行切割來形成該多個第2分割部52，但在這些情況下，不是隨著分割部52的形成而被單片化，而是通過2個步驟來形成單片化。
另外，在上述的本發明實施例2中，是在形成了阻擋層47之后形成狹縫狀第1分割部48，但也可以在形成狹縫狀第1分割部48之后形成阻擋層47。但是，這樣在形成狹縫狀第1分割部48之后進行阻擋層47的網板印刷的情況下，由于片狀絕緣基板41的強度低，所以要降低網板印刷時的印刷壓力。
并且，如果在形成由預涂玻璃層構成的第1保護層44之后立即形成阻擋層47，也可以達到與本發明實施例2相同的效果。
并且，在上述的本發明實施例2中，是在形成鎳鍍層50及焊錫層51之前進行阻擋層47的剝離，但也可以在形成鎳鍍層50及焊錫層51之后進行剝離。
另外，在上述的本發明實施例2中，是使用銀系的材料構成上面電極層42，并且使用氧化镥系材料構成電阻層43，不過使用其他材料系也可以達到與本發明實施例2相同的效果。
另外，在上述的本發明實施例2中，說明了使用刻模法來形成狹縫狀第1分割部48及第2分割部52的情況，但除了使用該刻模法以外，在使用激光或高壓噴水等的分割部形成方法來形成狹縫狀第1分割部48及第2分割部52的情況也可以達到與本發明實施例2相同的效果。
另外，在上述的本發明實施例2中，對在形成多個用于分割多個長方形狀基板41b的狹縫狀第1分割部48時，在形成有多對上面電極層42、多個電阻層43、多個第1保護層44、多個微調槽45、多個第2保護層46、多個阻擋層47的片狀絕緣基板41上，形成多個第1分割部48的構成進行了說明，但不限定于此，例如除此之外，在片狀絕緣基板41上首先形成多個狹縫狀第1分割部48的情況；在使用預先形成有多個狹縫狀第1分割部的片狀絕緣基板41的情況；在已形成有多對上面電極層42的片狀絕緣基板41上形成多個狹縫狀第1分割部48的情況；在已形成有多個電阻層43的片狀絕緣基板41上形成多個狹縫狀第1分割部48的情況；在已形成有多對上面電極層42且形成有與該多對上面電極層42的一部分相重疊的多個電阻層43的片狀絕緣基板41上形成多個狹縫狀第1分割部48的情況；在形成有多個電阻層43且形成有與該多個電阻層43的一部分相重疊的上面電極層42的片狀絕緣基板41上形成多個狹縫狀第1分割部48的情況；在形成有多對上面電極層42、多個電阻層43的片狀絕緣基板41上，并且在為了調整在該多個電阻層43上的所述多對上面電極層42之間的電阻值而進行了微調后，形成狹縫狀第1分割部48的情況下，都可達到與上述本發明實施例2相同的效果。
(實施例3)下面，參照附圖對本發明實施例3的電阻器的制造方法進行說明。
圖22是表示在制造本發明實施例3的電阻器所使用的片狀絕緣基板全周圍的端部上形成不要區域部的狀態的俯視圖。
圖23的(a)～(e)，圖24的(a)～(e)，圖25的(a)～(d)，圖26的(a)～(d)，圖27的(a)～(c)，圖28的(a)～(c)是表示本發明實施例3的電阻器的制造方法的工序圖。
首先，如圖22、圖23(a)、圖24(a)所示，準備好由完成燒制的96％純度的氧化鋁構成的厚度為0.2mm的具有絕緣性的片狀絕緣基板61。這里，片狀絕緣基板61，如圖22所示，在全周圍的端部上具有最終不構成制品的不要區域部61a。而且該不要區域部61a形成大致口字狀。
然后如圖22、圖23(b)、圖24(b)所示，在片狀絕緣基板61的上面通過網板印刷法形成以銀為主要成分的多對上面電極層62，然后通過用最高溫度為850℃的燒結靠模的燒結，把上面電極層62形成穩定的膜層。
然后，如圖22、圖23(c)、圖24(c)所示，通過網板印刷加工方法形成跨在多對上面電極層62的由氧化镥系材料構成的多個電阻層63，然后通過用最高溫度為850℃的燒結靠模的燒結，把電阻層63形成穩定的膜層。
然后，如圖23(d)、圖24(d)所示，用網板印刷法形成覆蓋多個電阻層63的由多個預涂玻璃層構成的第1保護層64，然后通過用最高溫度為600℃的燒結靠模的燒結，使由預涂玻璃層構成的第1保護層64形成穩定的膜層。
然后，如圖23(e)、圖24(e)所示，為了把在多對上面電極層62之間的電阻層63的電阻值調整到一定的值，通過用激光調整法進行調整，形成多個微調槽65。
然后，如圖25(a)、圖26(a)所示，通過網板印刷法形成以樹脂為主要成分的覆蓋由在圖中縱向重疊的多層預涂玻璃層構成的第1保護層64的多層第2保護層66，然后通過用最高溫度為200℃的固化靠模的固化，把第2保護層66形成穩定的膜層。
然后，如圖22、圖25(b)、圖26(b)所示，在片狀絕緣基板61上，除了形成在全周圍端部的不要區域部61a，利用刻模法形成用于分離多對上面電極層62并分割成多個長方形的基板61b的多個狹縫狀第1分割部67。此時，以700μm的間隔形成多個狹縫狀第1分割部67，并且該狹縫狀第1分割部67的寬度為120μm。而且，所述多個狹縫狀第1分割部67由在上下方向貫通片狀絕緣基板61的貫通孔形成。而且，由于所述片狀絕緣基板61除了不要區域部61a，通過刻模法形成了多個狹縫狀第1分割部67，所以即使在形成了狹縫狀第1分割部67之后，多個長方形狀基板61b還與不要區域部61a相連，因此還保持著片形的狀態。
然后，如圖25(c)、圖26(c)所示，在形成有多個第1分割部67的片狀絕緣基板61的背面上設置由磁性金屬構成的掩膜68，并且在所述片狀絕緣基板61的上面側設置把所述掩膜68固定在規定位置上的磁鐵69。然后，如圖25(d)、圖26(d)所示，在這個設置狀態下，利用噴鍍加工方法，在片狀絕緣基板61的背面和多個狹縫狀第1分割部67的內面上形成鎳或鎳系合金，例如是鎳鉻合金的約0.1～1μm厚度的側面電極層70。此時，形成在多個狹縫狀第1分割部67內面上的側面電極層70與形成在片狀絕緣基板61的上面的上面電極層62形成電連接。
然后，如圖27(a)、圖28(a)所示，取下掩膜68和磁鐵69。
然后，如圖27(b)、圖28(b)所示，利用電鍍法，形成由厚度約為4～6μm的鎳構成的和由厚度約為4～6μm的錫構成的覆蓋住露出的多對側面電極層70和多對上面電極層62的一部分的鎳鍍層71和多對焊錫層72。
雖然通過上述的噴鍍法而形成的側面電極層70的厚度約為0.1～1μm，但并不限定在這個范圍內，鍍鎳層71和焊錫層72的厚度之合可以在1～15μm的范圍內。
而且，上述的焊錫層72雖然由錫構成，但不限于此，也可以使用錫合金系的材料，在由這些材料構成的情況下，在進行軟熔發亮的鍍錫處理時可獲得穩定的鍍錫面。
而且，由于上述的上面電極層62由銀系材料構成，同時電阻層63由氧化镥系材料構成，所以可確保其電阻特性具有良好的耐熱性和耐久性。
并且，由于上述覆蓋上述電阻層63等的保護層由覆蓋電阻層63的由預涂玻璃層構成的第1保護層64、和覆蓋該第1保護層64并且覆蓋微調槽65的以樹脂為主要成分的第2保護層66的2層構成，所以可防止在所述第1保護層64上進行激光修正時發生裂紋，減小電流的雜音，并且通過用以樹脂為主要成分的所述第2保護層66覆蓋住電阻層63的全體，可確保具有良好耐濕性的電阻特性。
最后，如圖22、圖27(c)、圖28(c)所示，除了形成在片狀絕緣基板61全周面端部上的不要區域部61a，在片狀絕緣基板61上的多個長方形狀基板61b上，使用刻模加工方法在與狹縫狀第1分割部67呈直角的方向上，形成使電阻層63被逐個分離的，把長方形狀絕緣基板61b分割成單片狀基板61c的第2分割部73。此時，以400μm的間隔形成多個第2分割部73，并且該第2分割部73的寬度為100μm。而且，由于該多個第2分割部73是通過刻模法形成在除了不要區域部61a的多個長方形狀基板61b上，所以，在依次形成該多個第2分割部73時，長方形狀基板61b被依次地割斷成單片狀基板61c，而且被割斷成單片化的制品從不要區域部61a上被分離開。
通過上述的工序，制造出了本發明實施例3的電阻器。
通過上述的工序制造出的電阻器，由于利用刻模法形成的狹縫狀第1分割部67及第2分割部73的間隔尺寸精確(±0.005mm以內)，并且側面電極層70、鎳鍍層71及焊錫鍍層72的厚度尺寸也精確，所以制成制品的電阻器的全長及全寬具有精確的0.6mm長度×0.3mm寬度。而且由于不需要對上面電極層62及電阻層63的圖形精度進行單片狀基板的不同尺寸的分類，并且不需要考慮在同一單片狀基板尺寸組內的尺寸差異，所以可構成大于以往制品的電阻層63的有效面積。即，相對以往制品的約0.20mm長度×0.19mm寬度的電阻層面積，本發明實施例3的電阻器的電阻層63的面積約為長0.25mm×寬0.24mm，約為以往面積的1.6倍以上。
由于上述多個狹縫狀第1分割部67及多個第2分割部73是使用刻模法而形成，所以可使用不需要進行單片狀基板的尺寸分類的片狀絕緣基板61，因此，由于不需要象以往那樣進行單片狀基板的尺寸分類，所以可省去以往的更換掩膜工序，簡化了工序流程，并且可以用切割半導體等的一般的刻模設備容易地進行刻模。
另外，由于在上述片狀絕緣基板61的全周圍的端部上形成最終不構成制品的不要區域部61a，并且在所述不要區域部61a上不形成多個狹縫狀第1分割部67及多個第2分割部73，所以在形成了多個狹縫狀第1分割部67之后，多個長方形狀基板61b還保持著與不要區域部61a的連接，片狀絕緣基板61未被分離成零散的多個長方形狀基板61b，因此，即使在形成了多個狹縫狀第1分割部67之后，也可以在保持具有不要區域部61a的片狀絕緣基板61的狀態下進行其后的工序，從而可簡化工序的設計。另外，當形成多個第2分割部73時，隨著多個第2分割部73的形成，被逐個地分斷成單片狀基板61c，并且單片化的制品被從不要區域部61a上分離下，所以省去了之后進行不要區域部61a與制品的分類工序。
而且，由于是在片狀絕緣基板61的狀態下形成多對側面電極層70、鎳鍍層71及多對焊錫層72，所以，不僅可在片狀絕緣基板61的必要部位上形成側面電極層70，并且在利用電鍍法形成鎳鍍層71及焊錫層72時，可降低電位差，從而可形成穩定的鎳鍍層71和焊錫層72。
另外，在上述的本發明實施例3中，對形成在片狀絕緣基板61的全周圍的端部上的最終不構成制品的不要區域部61a為大致口字狀的構成進行了說明，但該不要區域部61a不一定必須形成在片狀絕緣基板61全周圍的端部上，例如在如圖29所示地在片狀絕緣基板61的一端部上形成不要區域部61d、如圖30所示地在片狀絕緣基板61的兩端部上形成不要區域部61e、如圖31所示地在片狀絕緣基板61的3個端部上形成不要區域部61f的情況下，也可達到與上述本發明實施例3相同的作用效果。
另外，在上述的本發明實施例3中，對通過刻模法來形成多個第2分割部73的構成進行了說明，但除此以外，也可以例如在片狀絕緣基板61的背面側、上面側及中央部的任意處保留薄壁部，對片狀絕緣基板61的背面側、上面側及中央部的任意處通過利用激光加工法、刻模法等進行切割來形成該多個第2分割部73，但在這些情況下，不是隨著第2分割部73的形成而被單片化，而是通過2個步驟來形成單片化。
另外，在上述的本發明實施例3中，是使用銀系的材料構成上面電極層62，并且使用氧化镥系材料構成電阻層63，不過使用其他材料系也可以達到與本發明實施例3相同的效果。
另外，在上述的本發明實施例3中，說明了使用刻模法來形成狹縫狀第1分割部67及第2分割部73的情況，但除了使用該刻模法以外，在使用激光或高壓噴水等的分割部形成方法來形成狹縫狀第1分割部67及第2分割部73的情況也可以達到與本發明實施例3相同的效果。
另外，在上述的本發明實施例3中，對在形成多個用于分割多個長方形狀基板61b的狹縫狀第1分割部67時，在形成有多對上面電極層62、多個電阻層63、多個第1保護層64、多個微調槽65、多個第2保護層66的片狀絕緣基板61上，形成多個第1分割部67的構成進行了說明，但不限定于此，例如除此之外，在片狀絕緣基板61上首先形成多個狹縫狀第1分割部67的情況；在使用預先形成有多個狹縫狀第1分割部67的片狀絕緣基板61的情況；在已形成有多對上面電極層62的片狀絕緣基板61上形成多個狹縫狀第1分割部67的情況；在已形成有多個電阻層63的片狀絕緣基板61上形成多個狹縫狀第1分割部67的情況；在已形成有多對上面電極層62且形成有與該多對上面電極層62的一部分相重疊的多個電阻層63的片狀絕緣基板61上形成多個狹縫狀第1分割部67的情況；在形成有多個電阻層63且形成有與該多個電阻層63的一部分相重疊的上面電極層62的片狀絕緣基板61上形成多個狹縫狀第1分割部67的情況；在形成有多對上面電極層62、多個電阻層63的片狀絕緣基板61上，并且在為了調整在該多個電阻層63上的所述多對上面電極層62之間的電阻值而進行了微調后，形成狹縫狀第1分割部67的情況下，都可達到與上述本發明實施例3相同的效果。
(實施例4)下面，參照附圖對本發明實施例4的電阻器的制造方法進行說明。
圖32是表示在制造本發明實施例4的電阻器所使用的片狀絕緣基板全周圍的端部上形成不要區域部的狀態的俯視圖。
圖33的(a)～(e)，圖34的(a)～(e)，圖35的(a)～(c)，圖36的(a)～(c)，圖37的(a)～(c)，圖38的(a)～(c)是表示本發明實施例4的電阻器的制造方法的工序圖。
首先，如圖32、圖33(a)、圖34(a)所示，準備好由完成燒制的96％純度的氧化鋁構成的厚度為0.2mm的具有絕緣性的片狀絕緣基板81。這里，片狀絕緣基板81，如圖32所示，在全周圍的端部上具有最終不構成制品的不要區域部81a。而且該不要區域部81a形成大致口字狀。
然后如圖32、圖33(b)、圖34(b)所示，在片狀絕緣基板81的上面通過網板印刷法形成以銀為主要成分的多對上面電極層82，然后通過用最高溫度為850℃的燒結靠模的燒結，形成穩定的上面電極層82的膜層。
然后，如圖32、圖33(c)、圖34(c)所示，通過網板印刷加工方法形成跨在多對上面電極層82的由氧化镥系材料構成的多個電阻層83，然后通過用最高溫度為850℃的燒結靠模的燒結，形成穩定的電阻層83的膜層。
然后，如圖33(d)、圖34(d)所示，用網板印刷法形成覆蓋多個電阻層83的由多個預涂玻璃層構成的第1保護層84，然后通過用最高溫度為600℃的燒結靠模的燒結，使由預涂玻璃層構成的第1保護層84形成穩定的膜層。
然后，如圖33(e)、圖34(e)所示，為了把在多對上面電極層82之間的電阻層83的電阻值調整到一定的值，通過用激光調整法進行調整，形成多個微調槽85。
然后，如圖35(a)、圖36(a)所示，通過網板印刷法形成以樹脂為主要成分的覆蓋由在圖中縱向排列的多個預涂玻璃層構成的第1保護層84的多個第2保護層86，然后通過用最高溫度為200℃的固化靠模的固化，形成穩定的第2保護層86的膜層。
然后，如圖32、圖35(b)、圖36(b)所示，在片狀絕緣基板81上，除了形成在全周圍端部的不要區域部81a，利用刻模法形成用于分離多對上面電極層82并分割成多個長方形的基板81b的多個狹縫狀第1分割部87。此時，以700μm的間隔形成多個狹縫狀第1分割部87，并且該狹縫狀第1分割部87的寬度為120μm。而且，所述多個狹縫狀第1分割部87由在上下方向貫通片狀絕緣基板81的貫通孔形成。而且，由于所述片狀絕緣基板81除了不要區域部81a，通過刻模法形成了多個狹縫狀第1分割部87，所以即使在形成了狹縫狀第1分割部87之后，多個長方形狀基板81b還與不要區域部81a相連，因此還保持著片形的狀態。
然后，如圖35(c)、圖36(c)所示，在形成有多個第1分割部87的片狀絕緣基板81的全體背面上設置通過噴鍍法、化學鍍法等形成由鎳或鎳系合金構成的金屬膜88，同時在所述狹縫狀第1分割部87的內面通過噴鍍法、化學鍍法等形成由鎳或鎳系合金構成的多對側面電極層89。此時，形成在多個狹縫狀第1分割部87內面上的側面電極層89與形成在片狀絕緣基板81的上面的上面電極層82形成電連接。
然后，如圖37(a)、圖38(a)所示，通過利用激光除去形成在所述片狀絕緣基板81全體背面上的金屬膜88的不要部分而形成多對背面電極層90。
然后，如圖37(b)、圖38(b)所示，利用電鍍法，形成由厚度約為4～6μm的鎳構成的和由厚度約為4～6μm的錫構成的覆蓋住露出的多對側面電極層89和多對上面電極層82的一部分的多對鎳鍍層91和多對焊錫層92。另外，在通過噴鍍法形成所述多對側面電極層89的情況下，由于側面電極層89的厚度約為0.1～1μm，所以需要形成鎳鍍層91和焊錫層92，但在通過化學鍍法形成所述多對側面電極層89的情況下，由于側面電極層89的厚度約為4～6μm，所以可以只形成焊錫層92。
而且，上述的焊錫層92雖然由錫構成，但不限于此，也可以使用錫合金系的材料，在由這些材料構成的情況下，在進行軟熔發亮的鍍錫處理時可獲得穩定的鍍錫面。
而且，由于上述的上面電極層82由銀系材料構成，同時電阻層83由氧化镥系材料構成，所以可確保其電阻特性具有良好的耐熱性和耐久性。
并且，由于上述覆蓋上述電阻層83等的保護層由覆蓋電阻層83的由預涂玻璃層構成的第1保護層84、和覆蓋該第1保護層84并且覆蓋微調槽85的以樹脂為主要成分的第2保護層86的2層構成，所以可防止在所述第1保護層84上進行激光修正時發生裂紋，減小電流的雜音，并且通過用以所述樹脂為主要成分的所述第2保護層86覆蓋住電阻層83的全體，可確保具有良好耐濕性的電阻特性。
最后，如圖32、圖37(c)、圖38(c)所示，除了形成在片狀絕緣基板81全周面端部上的不要區域部81a，在片狀絕緣基板81上的多個長方形狀基板81b上，使用刻模加工方法在與狹縫狀第1分割部87呈直角的方向上，形成使電阻層83被逐個分離的，把長方形狀絕緣基板81分割成單片狀基板81c的第2分割部93。此時，以400μm的間隔形成多個第2分割部93，并且該第2分割部93的寬度為100μm。而且，由于該多個第2分割部93是通過刻模法形成在除了不要區域部81a的多個長方形狀基板81b上，所以，在依次形成該多個第2分割部93時，被依次地割斷成單片狀基板81c，而且被割斷成單片化的制品從不要區域部81a上被分離開。
通過上述的工序，制造出了本發明實施例4的電阻器。
通過上述的工序制造出的電阻器，由于利用刻模法形成的狹縫狀第1分割部87及第2分割部93的間隔尺寸精確(±0.005mm以內)，并且側面電極層89、鎳鍍層91及焊錫鍍層92的厚度尺寸精確，所以制成制品的電阻器的全長及全寬具有精確的0.6mm長度×0.3mm寬度。而且由于不需要對上面電極層82及電阻層83的圖形精度進行單片狀基板的不同尺寸的分類，并且不需要考慮在同一單片狀基板尺寸組內的尺寸差異，所以可構成大于以往制品的電阻層83的有效面積。即，相對以往制品的約0.20mm長度×0.19mm寬度的電阻層面積，本發明實施例4的電阻器的電阻層83的面積約為長0.25mm×寬0.24mm，約為以往面積的1.6倍以上。
由于上述多個狹縫狀第1分割部87及多個第2分割部93是使用刻模法而形成，所以可使用不需要進行單片狀基板的尺寸分類的片狀絕緣基板81，因此，由于不需要象以往那樣進行單片狀基板的尺寸分類，所以可省去以往的更換掩膜工序，簡化了工序流程，并且可以用切割半導體等的一般的刻模設備容易地進行刻模。
另外，由于在上述片狀絕緣基板81的全周圍的端部上形成最終不構成制品的不要區域部81a，并且在所述不要區域部81a上不形成多個狹縫狀第1分割部87及多個第2分割部93，所以在形成了多個狹縫狀第1分割部87之后，多個長方形狀基板81b還保持著與不要區域部81a的連接，片狀絕緣基板81未被分離成零散的多個長方形狀基板81b，因此，即使在形成了多個狹縫狀第1分割部87之后，也可以在保持具有不要區域部81a的片狀絕緣基板81的狀態下進行其后的工序，從而可簡化工序的設計。另外，當形成多個第2分割部93時，隨著多個第2分割部93的形成，被逐個地分斷成單片狀基板81c，并且單片化的制品被從不要區域部81a上分離下，所以省去了之后進行不要區域部81a與制品的分類工序。
而且，由于是在片狀絕緣基板81的狀態下形成多對側面電極層89、鎳鍍層91及多對焊錫層92，所以，不僅可在片狀絕緣基板81的必要部位上形成側面電極層89，并且在利用電鍍法形成鎳鍍層91及焊錫層92時，可降低電位差，從而可形成穩定的鎳鍍層91和焊錫層92。
另外，在上述的本發明實施例4中，對形成在片狀絕緣基板81的全周圍的端部上的最終不構成制品的不要區域部81a為大致口字狀的構成進行了說明，但該不要區域部81a不一定必須形成在片狀絕緣基板81全周圍的端部上，例如在如圖39所示地在片狀絕緣基板81的一端部上形成不要區域部81d、如圖40所示地在片狀絕緣基板81的兩端部上形成不要區域部81e、如圖41所示地在片狀絕緣基板81的3個端部上形成不要區域部81f的情況下，也可達到與上述本發明實施例4相同的作用效果。
另外，在上述的本發明實施例4中，對通過刻模法形成多個第2分割部93的構成進行了說明，但除此以外，也可以例如在片狀絕緣基板81的背面側、上面側及中央部的任意處保留薄壁部，對片狀絕緣基板81的背面側、上面側及中央部的任意處通過利用激光加工法、刻模法等進行切割而形成該多個第2分割部93，在這些情況下，不是隨著第2分割部93的形成而被單片化，而是通過2個步驟形成單片化。
另外，在上述的本發明實施例4中，是使用銀系的材料構成上面電極層82，并且使用氧化镥系材料構成電阻層83，不過使用其他材料系也可以達到與本發明實施例4相同的效果。
另外，在上述的本發明實施例4中，說明了使用刻模法來形成狹縫狀第1分割部87及第2分割部93的情況，但除了使用該刻模法以外，在使用激光或高壓噴水等的分割部形成方法形成狹縫狀第1分割部87及第2分割部93的情況也可以達到與本發明實施例4相同的效果。
另外，在上述的本發明實施例4中，對在形成多個用于分割多個長方形狀基板81b的狹縫狀第1分割部87時，在形成有多對上面電極層82、多個電阻層83、多個第1保護層84、多個微調槽85、多個第2保護層86片狀絕緣基板81上，形成多個第1分割部87的構成進行了說明，但不限定于此，例如除此之外，在片狀絕緣基板81上首先形成多個狹縫狀第1分割部87的情況；在使用預先形成有多個狹縫狀第1分割部87的片狀絕緣基板81的情況；在已形成有多對上面電極層82的片狀絕緣基板81上形成多個狹縫狀第1分割部87的情況；在已形成有多個電阻層83的片狀絕緣基板81上形成多個狹縫狀第1分割部87的情況；在已形成有多對上面電極層82且形成有與該多對上面電極層82的一部分相重疊的多個電阻層83的片狀絕緣基板81上形成多個狹縫狀第1分割部87的情況；在形成有多個電阻層83且形成有與該多個電阻層83的一部分相重疊的上面電極層82的片狀絕緣基板81上形成多個狹縫狀第1分割部87的情況；在形成有多對上面電極層82、多個電阻層83的片狀絕緣基板81上，并且在為了調整在該多個電阻層83上的所述多對上面電極層82之間的電阻值而進行了微調后，形成狹縫狀第1分割部87的情況下，都可達到與上述本發明實施例4相同的效果。
(實施例5)下面，參照附圖對本發明實施例5的電阻器的制造方法進行說明。
圖42是表示本發明實施例5的電阻器的剖面圖。
在圖42中，101是通過由狹縫狀第1分割部和與該第1分割部成直角關系的第2分割部對由完成燒制的96％純度的氧化鋁構成的片狀絕緣基板進行分割而形成單片化的單片狀基板。102是形成在單片狀基板101上面的以金作為主要成分的一對金屬層。103是形成在單片狀基板101上面并且其中一部分重疊在一對金屬層102上的以銀為主要成分的上面電極層。104是形成在形成在單片狀基板101上面并與一對上面電極層103的一部分相重疊的氧化镥系的電阻層，105是形成在電阻層104上面的由預涂玻璃層構成的第1保護層。106是為修正在一對上面電極層103之間的電阻層104電阻值而設置的微調槽。107是覆蓋由預涂玻璃層構成的第1保護層105的以樹脂為主要成分的第2保護層。108是與一對上面電極層103的一部分重疊，并且覆蓋單片狀基板101的兩側面及背面的兩端部的由鎳構成的一對側面電極層。109是覆蓋一對側面電極層108及一對上面電極層103的一部分的由錫構成的焊錫層。
下面，參照
如上述構成的本發明實施例5的電阻器。
圖43是表示在制造本發明實施例5的電阻器所使用的片狀絕緣基板全周圍的端部上形成不要區域部的狀態的俯視圖。
圖44的(a)～(f)，圖45的(a)～(f)，圖46的(a)～(d)，圖47的(a)～(d)，圖48的(a)～(c)，圖49的(a)～(c)是表示本發明實施例5的電阻器的制造方法的工序圖。
首先，如圖43、圖44(a)、圖45(a)所示，準備好由完成燒制的96％純度的氧化鋁構成的厚度為0.2mm的具有絕緣性的片狀絕緣基板111。這里，片狀絕緣基板111，如圖43所示，在全周圍的端部上具有最終不構成制品的不要區域部111a。而且該不要區域部111a形成大致口字狀。
然后如圖43、圖44(b)、圖45(b)所示，在片狀絕緣基板111的上面通過網板印刷法形成跨過多個第1分割部的以金為主要成分的多對金屬層112，然后通過用最高溫度為850℃的燒結靠模的燒結，形成穩定的金屬層112的膜層。
然后，如圖43、圖44(c)、圖45(c)所示，通過網板印刷加工方法形成以銀為主要成分的多對上面電極層113，并使其在片狀絕緣基板111的上面與所述多對金屬層112構成電連接，然后通過用最高溫度為850℃的燒結靠模的燒結，形成穩定的上面電極層113的膜層。
然后，如圖43(d)、圖44(d)、圖45(d)所示，用網板印刷法形成跨在多對上面電極層113的氧化镥系的多個電阻層114，然后通過用最高溫度為850℃的燒結靠模的燒結，形成穩定的電阻層114的膜層。
然后，如圖44(e)、圖45(e)所示，通過網板印刷法形成覆蓋多個電阻層114的由多個預涂玻璃層構成的第1保護層115，然后通過用最高溫度為600℃的燒結靠模的燒結，使由預涂玻璃層構成的第1保護層115形成穩定的膜層。
然后，如圖44(f)、圖45(f)所示，為了把在多對上面電極層113之間的電阻層114的電阻值調整到一定的值，通過用激光調整法進行調整，形成多個微調槽116。
然后，如圖46(a)、圖47(a)所示，通過網板印刷法形成以樹脂為主要成分的覆蓋由在圖中縱向重疊的多層預涂玻璃層構成的第1保護層115的多個第2保護層117，然后通過最高溫度為200℃的固化靠模的固化，形成穩定的第2保護層117的膜層。
然后，如圖46(b)、圖47(b)所示，通過網板印刷法形成覆蓋多個第2保護層117的第1阻鍍層118，然后通過紫外線固化來形成穩定的第1阻鍍層118的膜層。并且通過網板印刷法在片狀絕緣基板111的背面上形成多個第2阻鍍層119，然后通過紫外線固化而形成穩定的第2阻鍍層119的膜層。
然后，如圖43、圖46(c)、圖47(d)所示，在形成有第1阻擋層118及第2阻擋層119的片狀絕緣基板81上，除了形成在全周圍端部的不要區域部81a，利用刻模法形成只分離開多對金屬層112的用于分割成多個長方形基板81b的多個狹縫狀第1分割部120。此時，以700μm的間隔形成多個狹縫狀第1分割部120，并且該狹縫狀第1分割部120的寬度為120μm。而且，所述多個狹縫狀第1分割部120由在上下方向貫通片狀絕緣基板111的貫通孔形成。而且，由于所述片狀絕緣基板111除了不要區域部111a，是通過刻模法形成了多個狹縫狀第1分割部120，所以即使在形成了狹縫狀第1分割部120之后，多個長方形狀基板111b還與不要區域部111a相連，因此還保持著片形的狀態。
然后，如圖46(d)、圖47(d)所示，通過使用浸入電解液中進行電鍍的化學鍍的加工方法，對片狀絕緣基板111的全體面實施鍍鎳而形成厚度約為4～6μm的側面電極層121。此時，由于多個狹縫狀第1分割部120由在上下方向上貫通片狀絕緣基板11的貫通孔形成，所以，在通過用化學鍍方法對片狀絕緣基板111的全體面實施鍍鎳而形成側面電極層121的情況下，側面電極層121從片狀絕緣基板111的上面側經由形成貫通孔的狹縫狀第1分割部120的全體內面一直形成到片狀絕緣基板111的背面側。而且，該側面電極層121覆蓋住露出在片狀絕緣基板111的上面側的上面電極層113的一部分和第1阻擋層118，并且在片狀絕緣基板111的背面側覆蓋住第2阻擋層119。
然后，如圖48(a)、圖49(a)所示，剝離下多個第1阻鍍層(未圖示)及多個第2阻鍍層(未圖示)，在多對側面電極層121上形成圖形。
然后，如圖48(b)、圖49(b)所示，利用電鍍法，形成由厚度約為4～6μm的錫構成的覆蓋住露出的多對側面電極層121和由剝離下多個第1阻鍍層(未圖示)而露出的上面電極層113的一部分的多對焊錫層122。
另外，雖然上述的側面電極層121的厚度約為4～6μm，但并不限定在這個范圍內，該厚度可以在1～15μm的范圍內，只要是這樣的構成，便可獲得非常高的尺寸精度。
而且，上述的焊錫層122雖然由錫構成，但不限于此，也可以使用錫合金系的材料，在由這些材料構成的情況下，在進行軟熔發亮的鍍錫處理時可獲得穩定的鍍錫面。
而且，由于上述的金屬層112由金系的材料構成，同時上面電極層113由銀系材料構成，并且電阻層114由氧化镥系材料構成，所以可確保其電阻特性具有良好的耐熱性和耐久性。
并且，由于上述覆蓋上述電阻層114等的保護層由覆蓋電阻層114的由預涂玻璃層構成的第1保護層115、和覆蓋該第1保護層115并且覆蓋微調槽116的以樹脂為主要成分的第2保護層117的2層構成，所以可防止在所述第1保護層115上進行激光修正時發生裂紋，減小電流的雜音，并且通過用以樹脂為主要成分的所述第2保護層117覆蓋住電阻層114的全體，可確保具有良好耐濕性的電阻特性。
最后，如圖43、圖48(c)、圖49(c)所示，除了形成在片狀絕緣基板111全周面端部上的不要區域部111a，在片狀絕緣基板111上的多個長方形狀基板111b上，使用刻模加工方法在與狹縫狀第1分割部120呈直角的方向上，形成使電阻層114被逐個分離的，把長方形狀絕緣基板111b分割成單片狀基板111c的第2分割部123。此時，以400μm的間隔形成多個第2分割部123，并且該第2分割部123的寬度為100μm。而且，由于該多個第2分割部123是通過刻模法形成在除了不要區域部111a的多個長方形狀基板111b上，所以，在依次形成該多個第2分割部123時，被依次地割斷成單片狀基板111c，而且被割斷成單片化的制品從不要區域部111a上被分離開。
通過上述的工序，制造出了本發明實施例5的電阻器。
通過上述的工序制造出的電阻器，由于利用刻模法形成的狹縫狀第1分割部120及第2分割部123的間隔尺寸精確(±0.005mm以內)，并且側面電極層121及焊錫鍍層122的厚度尺寸精確，所以制成制品的電阻器的全長及全寬具有精確的0.6mm長度×0.3mm寬度。而且由于不需要對金屬層112、上面電極層113及電阻層114的圖形精度進行單片狀基板的不同尺寸的分類，并且不需要考慮在同一單片狀基板尺寸組內的尺寸差異，所以可構成大于以往制品的電阻層114的有效面積。即，相對以往制品的約0.20mm長度×0.19mm寬度的電阻層面積，本發明實施例5的電阻器的電阻層114的面積約為長0.25mm×寬0.24mm，約為以往面積的1.6倍以上。
由于上述多個狹縫狀第1分割部120及多個第2分割部123是使用刻模法而形成，所以可使用不需要進行單片狀基板的尺寸分類的片狀絕緣基板111，因此，由于不需要象以往那樣進行單片狀基板的尺寸分類，所以可省去以往的更換掩膜工序，簡化了工序流程，并且可以用切割半導體等的一般的刻模設備容易地進行刻模。
另外，由于在上述片狀絕緣基板111的全周圍的端部上形成最終不構成制品的不要區域部111a，并且在所述不要區域部111a上不形成多個狹縫狀第1分割部120及多個第2分割部123，所以在形成了多個狹縫狀第1分割部120之后，多個長方形狀基板111b還保持著與不要區域部111a的連接，片狀絕緣基板111未被分離成零散的多個長方形狀基板111b，因此，即使在形成了多個狹縫狀第1分割部120之后，也可以在保持具有不要區域部111a的片狀絕緣基板111的狀態下進行其后的工序，從而可簡化工序的設計。另外，當形成多個第2分割部123時，隨著多個第2分割部123的形成，被逐個地分斷成單片狀基板111c，并且單片化的制品被從不要區域部111a上分離下，所以省去了之后進行不要區域部111a與制品的分類工序。
而且，由于是在片狀絕緣基板111的狀態下形成多對側面電極層121及多對焊錫層122，所以，不僅可在片狀絕緣基板111上形成側面電極層121，并且在利用電鍍法形成焊錫層122時，可降低電位差，從而可形成穩定的焊錫層122。
另外，在上述的本發明實施例5中，對形成在片狀絕緣基板111的全周圍的端部上的最終不構成制品的不要區域部111a為大致口字狀的構成進行了說明，但該不要區域部111a不一定必須形成在片狀絕緣基板111全周圍的端部上，例如在如圖50所示地在片狀絕緣基板111的一端部上形成不要區域部111d、如圖51所示地在片狀絕緣基板111的兩端部上形成不要區域部111e、如圖52所示地在片狀絕緣基板111的3端部上形成不要區域部111f的情況下，也可達到與上述本發明實施例5相同的作用效果。
另外，在上述的本發明實施例5中，對通過刻模法形成多個第2分割部123的構成進行了說明，但除此以外，也可以例如在片狀絕緣基板111的背面側、上面側及中央部的任意處保留薄壁部，對片狀絕緣基板111的背面側、上面側及中央部的任意處通過利用激光加工法、刻模法等進行切割來形成該多個第2分割部123，但在這些情況下，不是隨著第2分割部123的形成而被單片化，而是通過2個步驟來形成單片化。
另外，在上述的本發明實施例5中，是在形成了第1阻鍍層118及第2阻鍍層119之后，形成狹縫狀第1分割部120，但也可以在形成狹縫狀第1分割部120之后形成第1阻鍍層118及第2阻鍍層119。不過在形成了狹縫狀第1分割部120之后對第1阻鍍層118及第2阻鍍層119進行網板印刷時，由于片狀絕緣基板111的強度低，所以必須降低網板印刷時的印刷壓力。
并且，如果在形成由預涂玻璃層構成的第1保護層115之后立即形成第2阻鍍層119，也可以達到與本發明實施例5相同的效果。
并且，在本發明實施例5中，是在形成焊錫層122之前進行第1阻鍍層118及第2阻鍍層119的剝離，但也可以在形成焊錫層122之后進行。
另外，在上述的本發明實施例5中，是使用金系的材料構成金屬層112、使用銀系的材料構成上面電極層113，并且使用氧化镥系材料構成電阻層114，不過使用其他材料系也可以達到與本發明實施例5相同的效果。
另外，在上述的本發明實施例5中，說明了使用刻模法形成狹縫狀第1分割部120及第2分割部123的構成，但除了使用該刻模法以外，在使用激光或高壓噴水等的分割部形成方法來形成狹縫狀第1分割部120及第2分割部123的情況下也可以達到與本發明實施例5相同的效果。
另外，在上述的本發明實施例5中，是在片狀絕緣基板111的上面形成多對上面電極層113之后形成跨在該多對上面電極層113上的多個電阻層114，不過，在片狀絕緣基板111的上面形成多個電阻層114之后形成與該多個電阻層114的一部分相重疊的多對上面電極層113，也可以達到與本發明實施例5相同的效果。
另外，在上述的本發明實施例5中，說明了在形成多個用于分割多個長方形狀基板111b的狹縫狀第1分割部120時，只在形成有多對金屬層112、多對上面電極層113、多個電阻層114、多個第1保護層115、多個微調槽116、多個第2保護層117、多個第1阻鍍層118、多個第2阻鍍層119的片狀絕緣基板111上的所述多對金屬層112上，形成分離該多對金屬層112的用于把片狀絕緣基板111分割成多個長方形狀基板111b的多個狹縫狀第1分割部120的構成，但不限定于此，除此之外，例如在在片狀絕緣基板111上首先形成多對金屬層112、多對上面電極層113、多個電阻層114，而且在為了調整該多個電阻層114上的在所述多對上面電極層113之間的電阻值而進行了微調后，只在該片狀絕緣基板111上的所述多對金屬層112上形成分離該多對金屬層112的用于把片狀絕緣基板111分割成多個長方形狀基板111b的多個狹縫狀第1分割部120的情況下，也可達到與上述本發明實施例5相同的效果。
另外，在上述的本發明實施例5中，由于是在實施了在片狀絕緣基板111的上面形成多對金屬層112的工序、在所述片狀絕緣基板111的上面形成與所述金屬層112形成電連接的多對上面電極層113與多個電阻層114，并使其兩者構成電連接的工序、調整所述多個電阻層114的在所述多對上面電極層113之間的電阻值的微調工序和形成至少覆蓋所述多個電阻層114的多個保護層115的工序之后，只在實施了上述工序的片狀絕緣基板111上的所述多對金屬層112上形成分離該多對金屬層112的用于把片狀絕緣基板111分割成多個長方形基板111b的狹縫狀第1分割部120，所以根據該制造方法，由于形成在片狀絕緣基板111的上面的多對金屬層112與多對上面電極層113構成了電連接，所以在為了調整一對上面電極層113之間的電阻值而進行微調時，除了該上面電極層113，也可以使用鄰接的金屬層112來進行電阻值的測定，從而，尤其是在微小電阻器的情況下，可使微調用的探針容易地接觸到上電極，而且，在片狀絕緣基板111上形成狹縫狀及1分割部120的情況下，由于只切斷了金屬層112而上面電極層113未被切斷，所以不會產生毛刺，構成平滑的電阻器的上面，從而可達到提高組裝效率的效果。
如上所述，本發明的電阻器具有通過狹縫狀第1分割部和與該第1分割部呈直角關系的第2分割部對片狀絕緣基板的分割而形成的單片狀基板、形成在所述單片狀基板上的一對上面電極層、與所述一對上面電極層的一部分相重疊的電阻層、覆蓋所述電阻層的保護層、形成在所述單片狀基板的側面，并與所述一對上面電極層構成電連接的由鎳電極構成的一對側面電極層，因此，根據這樣的構成，由于使用通過狹縫狀第1分割部和與該第1分割部呈直角關系的第2分割部對片狀絕緣基板的單片化分割而形成的單片狀基板，所以在制造過程中不需要對單片狀基板進行尺寸的分類，并且可省略象以往那樣的對應單片狀基板的尺寸分類而進行掩膜更換的工序，從而可提供廉價且微小的電阻器。
權利要求
1.一種電阻器的制造方法，其特征在于，包括在片狀絕緣基板上形成以金為主要成分的多對的層的工序；在所述以金為主要成分的多對的層上以電連接的方式形成以銀為主要成分的多對上面電極層的工序；形成與所述多對上面電極層電連接的多層電阻層的工序；和在所述片狀絕緣基板上，將所述以金為主要成分的多對的層切斷，以分割為多個長方形基板的工序。
2.一種電阻器的制造方法，其特征在于，包括在片狀絕緣基板上形成以金為主要成分的多對的層及多層電阻層的工序；形成與所述以金為主要成分的多對的層及多層電阻層電連接的以銀為主要成分的多對上面電極層的工序；和在所述片狀絕緣基板上，切斷所述以金為主要成分的多對的層，以分割為多個長方形基板的工序。
3.一種電阻器的制造方法，其特征在于，具有在片狀絕緣基板上形成多對的層的工序；和形成與該多對的層電連接的多層電阻層的工序；其中，形成于所述片狀絕緣基板上的多對的層至少包括以金為主要成分的層，而且，所述制造方法還包括將該以金為主要成分的多對的層切斷，以分割為多個長方形基板的工序。
4.根據權利要求1～3中任一項所述的電阻器的制造方法，其特征在于，以金為主要成分的層通過切割方法來切斷。
全文摘要
本發明提供一種電阻器的制造方法，其特征在于，包括在片狀絕緣基板上形成以金為主要成分的多對的層的工序；在所述以金為主要成分的多對的層上以電連接的方式形成以銀為主要成分的多對上面電極層的工序；形成與所述多對上面電極層電連接的多層電阻層的工序；和在所述片狀絕緣基板上，將所述以金為主要成分的多對的層切斷，以分割為多個長方形基板的工序。
文檔編號H01C7/00GK1722316SQ200510091410
公開日2006年1月18日 申請日期2001年1月17日 優先權日2000年1月17日
發明者橋本正人, 森本嘉郎, 福岡章夫, 皆藤裕祥, 齊川博之, 松川俊樹, 早瀨順一 申請人:松下電器產業株式會社