專利名稱：激光泵浦單元及具有其的具有隧道結的高功率激光器件的制作方法
技術領域：
本發明涉及一種具有隧道結的激光泵浦單元及具有該單元的高功率激光器件，尤其涉及一種激光泵浦單元以及通過利用包括該單元的隧道結在橫向中容易擴散電流的高功率垂直外腔面發射激光器(VECSEL)。
背景技術：
圖1是傳統的垂直腔面發射激光器(VCSEL)10的截面圖，該VCSEL在垂直于襯底的方向中發射激光束。參考圖1，傳統的VCSEL 10是通過依次堆疊n型GaAs形成的稱底11、下分布式布拉格反射器(DBR)層13、有源層14及上DBR層16形成的。下DBR層13以及上DBR層16起到反射層的作用，且對激光的振蕩波長具有高反射系數。下DBR層13是摻雜n型雜質的n型DBR層，上DBR層16是摻雜p型雜質的p型DBR層。向有源層提供電流的金屬接觸17形成在上DBR層16上。當向有源層14提供電流時，空穴和電子在有源層14中復合以產生光。光在上DBR層16和下DBR層13之間反復地反射并在有源層14中得到增強。然后，光通過上DBR層發射，成為激光束。
在這種VCSEL10中，橫向電阻比垂直方向的電阻大很多，從而電流在有源層14的開口的邊緣集中。這被稱為電流擁擠(current crowding)。圖1中的曲線A示出了電流密度的輪廓。參考圖1，由于橫向中的電阻高，因此電流密度在有源層14的中央比在有源層14的邊緣低。因此，在VCSEL 10中單橫模振蕩是不會發生的。為了防止這樣的問題，通過氧化有源層14的邊緣形成氧化物層15，以限制充當電流注入區的開口的尺寸為5μm左右。可以用離子注入層代替氧化物層15。由于傳統的VCSEL 10的開口小，因此傳統的vCSEL 10的功率只有數mW。
垂直外腔面發射激光器(VECSEL)是一種高功率激光器。VECSEL通過利用外部反射鏡增大增益區來獲得高功率(數百個mW的最小值)。圖2是傳統的VECSEL 20的截面圖。參考圖2，該VECSEL 20包括具有襯底21、下DBR層22、有源層23、上DBR層24的激光泵浦單元25及一凹面外反射鏡26。激光腔分別形成于下DBR層22與上DBR層24之間以及下DBR層22與外部反射鏡26之間。在有源層23中產生的光在下DBR層22與上DBR層24之間以及在下DBR層22與外部反射鏡26之間反復地反射，以便在有源層23中往復運動。從而，具有預定波長λ2的光的一部分作為激光束通過外部反射鏡26向外輸出，而光的另外一部分被反射，以在光泵浦操作中使用。
在VECSEL 20中激勵有源層23的方法包括光泵浦法和電泵浦法。在光泵浦法中，通過泵浦激光器27向激光泵浦單元25輸入具有比激光束波長λ2短的波長λ1的激光束。在電泵浦法中，如圖1中所示，通過在上DBR層24中形成的金屬接觸向有源層23提供電流。然而，在VECSEL中電泵浦法不能解決VCSEL的問題。此外，VECSEL具有一個大約20-100μm的大開口。因此，在開口的邊緣電流集中的問題變嚴重了，并且，也變得難以產生單橫模振蕩了。
為了解決這樣的問題，在Aram Moorairan等人1997年7月7日申請的題為“High Power Laser Devices(高功率激光器件)”的美國專利No.6243407中公開了一種高功率激光30。參考圖3，激光器30包括p型DBR層31、有源層32、n型DBR層33、襯底34，以及一外部反射鏡38。另外，還在p型DBR層31下形成了圓形接觸層35，在襯底34上形成了環形接觸層36，以通過接觸層35和36向有源層32提供電流。襯底34的厚度約為500μm且由透明的n型GaAs形成以傳輸振蕩波長。激光腔形成于p型DBR層31與n型DBR層33之間，以及p型DBR層31與外部反射鏡38之間。另外，可以在外部反射鏡38與襯底34之間設置第二諧波發生(SHG)晶體37用于為光倍頻。
參考圖3，這樣設計激光器30，使得有源層32中產生的激光束從襯底34透射。換句話說，在激光腔中將襯底34安排在p-型DBR層31與外部反射鏡38之間。因此，當電流39流過較厚的襯底34時，可以在橫向中充分的擴散，由此防止電流擁擠。結果，激光器30可以產生單橫模振蕩。
然而，激光器30存在一些問題。由于通常用作襯底34的n型GaAs引起自由載離子吸收，限制了激光器件30的輸出和功率。更明確的說，由于襯底34的厚度大這個問題可能變嚴重了。
另外，在傳統的VECSEL中，在激光腔中諧振的光能量中，大約有30％存在于上DBR層與下DBR層之間形成的激光腔中，而其余70％的光能量存在于DBR層與外部反射鏡之間形成的激光腔中。在圖3的激光器30的情況下，為了減少自由載離子吸收的作用，大約有30％的光能量分布在DBR層31與外部反射鏡38之間形成的激光腔中。另一方面，在襯底34與外部反射鏡38之間形成的SHG晶體37的效率正比于光能量而增加。結果圖3的激光器30的效率變差了。
此外，外部反射鏡38與DBR層31之間的光路的距離較大，這樣一來，就應當精確地制造外部反射鏡38的凸面，以將從外部反射鏡38反射的光束匯聚到DBR 31上。因此，難以在最佳位置放置SHG 37。
發明內容
本發明提供了一種激光泵浦單元及具有該單元的高功率垂直外腔面發射激光器(VECSEL)。該激光泵浦單元使用簡單的結構實現了電流在橫向的擴散，因此沒有因自由載流子吸收而導致的耗損并且容易制造。
根據本發明的一方面，提供了一種用于面發射半導體激光器的激光泵浦單元，該單元包括襯底、在襯底上形成的下分布式布拉格反射器(DBR)層、在下DBR層上形成、以產生具有預定波長的光的具有量子阱結構的有源層、在有源層上形成、以增大垂直方向電阻的隧道結層，以及在隧道結層上形成的上DBR層。
隧道結層可以包括依次堆疊的p型摻雜的p+半導體層及n型摻雜的n+半導體層，每個p+半導體層和n+半導體層摻雜的濃度可以為5×1018/cm3到5×1019/cm3。
下DBR層和上DBR層的每個都可以有多層結構，在多層結構中，多個n型摻雜的高折射率半導體層以及n型摻雜的低折射率半導體層交替淀積，上DBR層的每個高折射率半導體層的厚度可以是振蕩波長的四分之三，每個低折射率半導體層的厚度可以是振蕩波長的四分之一。
設置于隧道結層上方的上DBR層的每個高折射率半導體層和低折射率半導體層的部分可以形成具有預定高度的脊。
另外，激光泵浦單元還可以包括在上DBR層上形成的電流擴散層。激光泵浦單元還可以包括在電流擴散層上形成的抗反射膜，且設置在隧道結層上的電流擴散層的一部分可以形成凸透鏡。
根據本發明的另一方面，提供了一種半導體激光器件，該器件包括產生具有預定波長的光的激光泵浦單元，及位于激光泵浦單元外面以透射作為激光束的、激光泵浦單元產生的光的一部分以及向激光泵浦單元反射光的另一部分的外部反射鏡單元，該激光泵浦單元吸收光的反射部分，其中，激光泵浦單元包括襯底、在襯底上形成的下DBR層、在下DBR層上形成以產生具有預定波長的光的具有量子阱結構的有源層、在有源層上形成以增大垂直方向電阻的隧道結層，以及在隧道結層上形成的上DBR層。
該激光器件可以進一步包括插置在激光泵浦單元與外部反射鏡之間的第二諧波發生晶體，用于為光倍頻。
通過參考附圖詳細描述本發明的示范性實施例，其上述的和其他的特征及優勢將變得更明顯，在附圖中圖1是傳統的面發射激光器的截面圖；圖2是傳統的垂直外腔面發射激光器(VECSEL)的截面圖；圖3是另一個傳統的VECSEL的截面圖；圖4是根據本發明第一實施例的激光器件的激光泵浦單元的截面圖；圖5是圖4所示的激光泵浦單元的隧道結層和有源層的截面圖；圖6是示出傳統的激光器件以及根據本發明實施例的激光器件的電流密度在有源層中的分布的曲線圖；圖7是根據本發明第二實施例的激光器件的激光泵浦單元的截面圖；圖8示出了包括圖7所示的激光泵浦單元的具有脊的上分布式布拉格反射器(DBR)層的能帶；以及圖9到圖13是根據本發明的實施例的激光器件的截面圖。
具體實施例方式
參考附圖，現在將更充分的描述本發明，附圖中展示了本發明的示范性圖4是根據本發明第一實施例的具有隧道結層的激光泵浦單元40的截面圖。參考圖4，激光泵浦單元40包括n-GaAs襯底41、下分布式布拉格反射器(DBR)層42、有源層43、隧道結層44，以及上DBR層45。另外，用于向有源層43提供電流的金屬接觸46形成在上DBR層45上。可以在有源層43的邊緣形成用于限制充當電流注入區的開口的尺寸的氧化物層47。可以用離子注入層代替氧化物層47。
隧道結層44在垂直方向中增加電阻以促進電流在橫向中的分布。在傳統的激光器件中，由于在橫向中的電阻比在垂直方向中的電阻大，因此通過位于上DBR層的邊緣的金屬接觸注入的電流未充分地向有源層的中央轉移，而是在開口的邊緣集中。在根據本發明第一實施例的激光泵浦單元40中，垂直方向中的電阻通過隧道結層44而增大，從而電流密度在有源層43中均勻分布，允許產生單橫模振蕩。
圖5是下DBR層42、有源層43、隧道結層44，以及上DBR層45的截面圖。參考圖5，具有多層結構的有源層43和隧道節層44，在下DBR層42與上DBR層45之間淀積。有源層43包括不摻雜的波導層43a與43c之間的量子阱43b，以及在上波導層43c上形成的p-型半導體層43d。p型半導體層43d向量子阱43b提供空穴，空穴和電子在量子阱43b中復合以產生光束。
隧道結層44是通過連接高摻雜p+半導體層44a和高摻雜n+半導體層44b形成的。當半導體層高摻雜時，電流因隧道效應而在半導體層間流動，允許電子無需越過能量勢壘即可穿過能量勢壘，在隧道效應中半導體層之間的邊界狀態發生了變化。在這種情況下，隨著摻雜濃度的增加，帶隙，連同對穿過能量勢壘的電子的阻力都在減小。因此，隧道結層通常用以在不流動電流的結構中流動電流，例如n-p-n結。另外，增加摻雜濃度來降低電阻。然而，在本發明中，摻雜濃度比在傳統的隧道結中的低，因此在隧道結層中存在大的電阻。結果，當電子穿過在垂直方向中具有大電阻的隧道結層44時，電流在橫向中容易流動，因而，電流密度在有源層43中均勻地分布。
圖6是示出不包括隧道結層的傳統的激光器件中以及根據本發明的實施例使用了隧道結層的激光器件的電流密度在有源層中分布的曲線圖。附圖標記A指示的曲線表示的是傳統的激光裝置的電流密度分布，而附圖標記B指示的曲線表示的是根據本發明實施例的激光裝置的電流密度分布。參考圖6，在傳統的激光器件中電流密度集中在有源層的邊緣，然而，電流密度在根據本發明的實施例的激光器件的有源層中均勻分布。結果，即使當形成的開口大到約20到100μm時，也有可能發生單橫模振蕩，而且由于可以使用大的開口，因此可以提供高功率激光。
這種結構中，當隧道結層44的p型半導體層44a及n型半導體層44b的摻雜濃度過低時，隧穿現象就不能出現。然而，當p型半導體層44a及n型半導體層44b的摻雜濃度過高時，在垂直方向中的電阻太低而不能充分地分布電流密度。因此應該維持足夠的摻雜濃度。傳統的隧道結層摻雜濃度為1020/cm3以降低電阻；但是，根據本發明實施例的隧道結層44摻雜的濃度大約為5×1018/cm3到5×1019/cm3以在垂直方向中提供足夠的電阻。另外，隧道結層44的厚度應該降低以促進隧穿現象。在本發明中，隧道結層44的厚度可以小于幾十nm，更確切地說，小于40nm。
在根據本發明第一實施例的激光泵浦單元中，電流流過隧道結層44，因而，n型DBR層可以用作上DBR層45來代替p型DBR層。當沒有隧道結層44且下DBR層42和上DBR層45是n型DBR層時，電流不向有源層43流動。因而，上DBR層45應該是p型DBR層。然而，p型半導體比n型半導體吸收更多的自由載離子。在根據本發明第一實施例的激光泵浦單元中使用了隧道結層44，因此，即使在下DBR層42和上DBR層45都是n-DBR層時，電流也可以向有源層43流動。因此，在第一實施例中的振蕩效率可能比用D型DBR層作為上DBR層的傳統激光泵浦單元中的振蕩效率好。
為了在振蕩波長附近的帶寬具有高反射率，通過重復淀積多個具有高折射率的n-型摻雜半導體層以及具有低折射率的n-型摻雜半導體層，形成下DBR層42和上DBR層45。一般而言，由GaAs形成具有高折射率的半導體層，由AlAs形成具有低折射率的半導體層。參考圖4，只有上DBR層45被圖示為具有多層結構，然而，下DBR層42同樣具有多層結構。在DBR層中包括的每層的厚度通常設定為振蕩波長的四分之一。然而，為了增大垂直方向中的電阻，在上DBR層45中包括的每層的厚度是不同于振蕩波長的四分之一的。例如，低折射率層45a的厚度可以是振蕩波長的四分之一，高折射率層45b的厚度可以是振蕩波長的四分之三。因而，在高折射率層45b中垂直方向中路線的長度增長，因此，垂直方向中的電阻增大且電流在橫向中可以均勻地分布。
圖7是根據本發明第二實施例的激光泵浦單元的截面圖。參考圖7，隧道結層44部分地覆蓋有源層43。另外，上DBR層45形成于隧道結層44和有源層43上。因此，上DBR層45掩埋了隧道結層44。結果，在隧道結層44上形成的上DBR層45的一部分是比上DBR層45的其他部分高的脊。在有源層43中產生的光在脊部分內垂直傳播。因而，上DBR層45的脊部分起到了開口的作用。
另外，在上DBR層45中，當高折射率層45b的摻雜濃度比低折射率層45a的摻雜濃度大時，就形成了圖8所示的能帶。結果，接觸層46提供的電流僅在脊部分內流動。因此，在圖7的結構中，掩蓋了其結構中的隧道結層44，激光泵浦單元無需形成額外的電流限制構件即可運轉，例如，氧化層或離子注入層。圖7的激光泵浦單元的其余結構與圖4的激光泵浦單元的結構是相同的。例如，上DBR層45的每個低折射率層45a的厚度是振蕩波長的四分之一，而上DBR層45的每個高折射率層45b的厚度是振蕩波長的四分之三。
圖9是根據本發明實施例的垂直外腔面發射激光器(VECSEL)50的截面圖。參考圖9，VECSEL 50包括激光泵浦單元40和外部反射鏡55。激光泵浦單元40產生具有預定波長的光，外部反射鏡55透射一部分由激光泵浦單元40產生的光作為激光束，并將其它部分的光返射回激光泵浦單元40，激光泵浦單元40吸收反射的部分的光。
此外可以把第二諧波產生(SHG)晶體52插置在激光泵浦單元40和外部反射鏡55之間，它將在激光泵浦單元中產生光倍頻。SHG晶體52，將在激光泵浦單元40中產生的紅外線光轉換成可見光。SHG 52可由鈦氧磷酸鹽(Titanyl Phosphate，KTP)，LiNbO3、周期極性LiNbO3(PPLN)、KTN或KNbO3形成。
激光泵浦單元40的結構與圖4的激光泵浦單元的結構是相同的。因而，圖9的激光泵浦單元40包括n型GaAs形成的襯底41、下DBR層42、有源層43、隧道結層44、上DBR層45以及向有源層43提供電流的金屬接觸46。另外，可以包括為了限制起電流注入區作用的開口的尺寸的氧化物層47。如上所述，下DBR層42和上DBR層45具有多層結構，在多層結構中多個高折射率層與低折射率層交替堆疊。另外，上DBR層45的每個高折射率層的厚度是振蕩波長的四分之三。
除了在激光泵浦單元中代替氧化物層47用作電流限制構件的離子注入層48以外，圖10的VECSEL的結構與圖9的VECSEL的結構是相同的。
圖11是根據本發明的實施例利用圖7的激光泵浦單元的VECSEL 50的截面圖。參考圖11，VECSEL 50包括激光泵浦單元40和外反射鏡55，激光泵浦單元40產生具有預定波長的光，外反射鏡55透射一部分由激光泵浦單元40產生的光作為激光束，并將其他部分的光反射回激光泵浦單元40，激光泵浦單元吸收被反射部分的光。此外，可以把SHG晶體52插置在激光泵浦單元40與外部反射鏡55之間，它將在激光泵浦單元40中產生的光倍頻。
在這種情況下，圖11的激光泵浦單元40包括n型GaAs襯底41、下DBR層42、有源層43、部分覆蓋有源層43的隧道結層44、在有源層43和隧道結層44上形成并且具有脊的上DBR層45，以及向有源層43提供電流的金屬接觸46。如上所述，在有源層43中產生的光在DBR層45的脊內垂直地傳播。另外，上DBR層45的低折射率層45a的摻雜濃度比上DBR層45的高折射率層45a的摻雜濃度大，因此電流在上DBR層45的脊部分中流動。
圖12是根據本發明另一實施例的VECSEL 50的截面圖。除了在激光泵浦單元40的上DBR層45上形成的電流擴散層49a以外，圖12的VECSEL50的結構與圖11的VECSEL 50的結構是一樣的。電流擴散層49a可以由n型GaAs形成。電流擴散層49a增加了垂直方向中電流路徑的長度，從而增大了橫向電阻，結果使電流在橫向擴散。另外，為了預防在電流擴散層49a的表面反射光，可以在電流擴散層49a的表面上涂布一層抗反射膜49b。
除了在隧道結層44上面的電流擴散層49a的一部分是凸起的以外，圖13的VECSEL 50與圖12的VECSEL是一樣的。另外，外部反射鏡55是平的。在圖9到圖12的VECSEL 50的情況下，凹面外部反射鏡55用以將反射在外部反射鏡55上的光會聚在有源層43中。然而，在圖13的VECSEL 50中，電流擴散層49a的凸起的部分會聚光束。因而扁平的鏡子可以用作外部反射鏡55。當外部反射鏡是扁平的時，可以容易的形成激光器陣列。換句話說，當利用多個凸面外部反射鏡用多個激光器形成激光陣列時，應該將多個凸面外部反射鏡設置在精確的位置。然而，當利用扁平的外部反射鏡時，一個大的外部反射鏡可以用作共同的外部反射鏡。因而，激光陣列可以方便地制造和組裝。另外，如上所述，圖12的VECSEL 50可以包括涂布在電流擴散層49a上的抗反射膜49b。
根據本發明，利用簡單的結構可以獲得產生單橫模振蕩的高功率面發射激光器件。另外，由于包括隧道結層，可以用具有較低自由載流子吸收率的n型DBR作為上DBR層。因而可以提供具有優異效率的VECSEL。
由于垂直方向中的電阻增大了，VECSEL的運行電壓輕微地增加。然而，在高功率VECSEL的情況下，需要運行電壓的增加。
另外，當扁平的鏡子用作外部反射鏡時，可以容易地形成激光陣列。
盡管已經參考本發明的示范性實施例對本發明進行了特別的顯示和說明，但是應當理解的是，本領域的普通技術人員可以在不背離權利要求定義的本發明的精神和范圍的情況下，對其中的實施例做出各種形式和細節上的變化。
權利要求
1.一種用于面發射半導體激光器的激光泵浦單元，所述激光泵浦單元包括襯底；在所述襯底上形成的下分布式布拉格反射器層；在所述下分布式布拉格反射器層上形成以產生具有預定波長的光且具有量子阱結構的有源層；在所述有源層上形成以增大垂直方向中的電阻的隧道結層；以及在所述隧道結層上形成的上分布式布拉格反射器層。
2.如權利要求1所述的激光泵浦單元，其中所述隧道結層包括依次堆疊的p型摻雜的p+半導體層以及n型摻雜的n+半導體層。
3.如權利要求2所述的激光泵浦單元，其中每個所述的p+半導體層以及所述的n+半導體層的摻雜濃度為5×1018/cm3到5×1019/cm3。
4.如權利要求1所述的激光泵浦單元，其中所述隧道結層的厚度小于50nm。
5.如權利要求1所述的激光泵浦單元，其中所述下分布式布拉格反射器層以及所述上分布式布拉格反射器層的每一個均具有多層結構，在多層結構中多個n-型摻雜的高折射率半導體層以及n-型摻雜的低折射率半導體層交替淀積。
6.如權利要求5所述的激光泵浦單元，其中所述分布式布拉格反射器層的每個所述高折射率半導體層的厚度是振蕩波長的四分之三，每個所述低折射率半導體層的厚度是所述振蕩波長的四分之一。
7.如權利要求5所述的激光泵浦單元，其中所述隧道結層部分地覆蓋所述有源層，且所述上分布式布拉格反射器層掩埋所述隧道結層的邊緣。
8.如權利要求7所述的激光泵浦單元，其中設置在所述隧道結層上方的所述上分布式布拉格反射器層的每個所述高折射率半導體層以及所述低折射率半導體層的一部分形成具有預定高度的脊。
9.如權利要求8所述的激光泵浦單元，進一步包括在所述上分布式布拉格反射器層上形成的電流擴散層。
10.如權利要求9所述的激光泵浦單元，其中所述電流擴散層由n型GaAs形成。
11.如權利要求9所述的激光泵浦單元，進一步包括涂布在所述電流擴散層上的抗反射膜。
12.如權利要求9所述的激光泵浦單元，其中設置在所述隧道結層上方的所述電流擴散層的一部分形成凸透鏡。
13.一種半導體激光器件，包括產生具有預定波長的光的激光泵浦單元；以及位于所述激光泵浦單元外部的外部反射鏡單元，該單元透射一部分由激光泵浦單元產生的光作為激光束，并將其它部分的光反射回激光泵浦單元，所述激光泵浦單元吸收反射部分的光。其中所述激光泵浦單元包括襯底；在所述襯底上形成的下分布式布拉格反射器層；在所述下分布式布拉格反射器層上形成以產生具有預定波長的光且具有量子阱結構的有源層；在所述有源層上形成以增大垂直方向中的電阻的隧道結層；以及在所述隧道結層上形成的上分布式布拉格反射器層。
14.如權利要求13所述的激光器件，其中所述隧道結層包括依次堆疊的p型摻雜的p+半導體層以及n型摻雜的n+半導體層。
15.如權利要求14所述的激光器件，其中每個所述p+半導體層以及所述n+半導體層的摻雜濃度為5×1018/cm3到5×1019/cm3。
16.如權利要求13所述的激光器件，其中所述隧道結層的厚度小于50nm。
17.如權利要求13所述的激光器件，其中所述下分布式布拉格反射器層以及所述上分布式布拉格反射器層的每一個均具有多層結構，在多層結構中多個n-型摻雜的高折射率半導體層以及n-型摻雜的低折射率半導體層交替淀積。
18.如權利要求17所述的激光器件，其中所述上分布式布拉格反射器層的每個所述高折射率半導體層的厚度是振蕩波長的四分之三，且每個所述低折射率半導體層的厚度是所述振蕩波長的四分之一。
19.如權利要求17所述的激光器件，其中所述隧道結層部分地覆蓋所述有源層，且所述上分布式布拉格反射器層掩埋所述隧道結層的邊緣。
20.如權利要求19所述的激光器件，其中設置在所述隧道結層上方的所述上分布式布拉格反射器層的每個所述高折射率半導體層以及所述低折射率半導體層的一部分形成具有預定高度的臺階。
21.如權利要求20所述的激光器件，進一步包括在所述上分布式布拉格反射器層上形成的電流擴散層。
22.如權利要求21所述的激光裝置，其中所述電流擴散層由n型GaAs形成。
23.如權利要求21所述的激光器件，進一步包括在所述電流擴散層上形成的抗反射膜。
24.如權利要求21所述的激光器件，其中設置在所述隧道結層上方的所述電流擴散層的一部分形成凸透鏡。
25.如權利要求24所述的激光器件，其中所述的外部反射鏡是扁平鏡。
26.如權利要求13所述的激光器件，進一步包括插置在所述激光泵浦單元與所述外部反射鏡之間用于為光束倍頻的第二諧波產生晶體。
全文摘要
提供了一種激光泵浦單元以及具有該單元的高功率垂直外腔面發射激光(VECSEL)器件。通過利用隧道結，激光泵浦單元在橫向容易地擴散電流。該激光泵浦單元包括襯底、在襯底上形成的下分布式布拉格反射器(DBR)層、在下DBR層上形成的能夠產生具有預定波長的光且具有量子阱結構的有源層、在有源層上形成以增加垂直方向中的電阻的隧道結層，以及在隧道結層上形成的上DBR層。
文檔編號H01S5/34GK1761112SQ20051008487
公開日2006年4月19日 申請日期2005年7月19日 優先權日2004年10月11日
發明者金澤 申請人:三星電子株式會社