專利名稱：聚合物網絡、制造方法和器件的制作方法
技術領域：
一般地，本發明涉及聚合物網絡、制造聚合物網絡的方法和包括聚合物網絡的器件，更具體地，本發明涉及由活性液晶原的混合物形成的聚合物網絡、由活性液晶原的混合物形成聚合物網絡的方法和包括由活性液晶原的混合物形成的聚合物網絡的器件。
背景不斷提高電子和顯示器件的性能以滿足新應用的需求和改善目前的應用。然而，在制造過程中和/或由于這類器件中包括的結構元件而產生的降解抑制了這些性能的提高。例如，用UV光交聯有機半導體材料導致形成懸掛自由基、分子碎片等，它們負面影響有機半導體材料和包括這些材料的器件的性能。減少用于交聯物質的UV光的量使得物質僅部分被交聯。由于未聚合(未交聯)的物質沒有被結合到交聯的材料基體中，因此未聚合的物質可能被隨后制造步驟中使用的溶劑洗掉，這可能導致空隙產生。這些空隙是隨機形成的，并產生不均勻的膜，這會負面影響膜的性能。由于某些結構元件如磨擦配向層的內含物，也產生類似的不均勻問題。因此，在本領域中強烈需要這樣的制造方法和器件，其具有降低的因有機半導體材料或層引起的材料降解和不均勻性。
發明概述本發明的一方面是提供形成層的方法，包括混合至少第一物質和第二物質以形成混合物，使混合物沉積在表面上，和使混合物聚合以形成聚合物網絡，所述聚合物網絡是傳輸電荷或發光中的至少一種。混合物的聚合速度大于第一物質的聚合速度，且混合物的聚合速度大于第二物質的聚合速度。
本發明的另一方面是提供形成層的方法，包括混合至少第一物質和第二物質以形成混合物，使混合物沉積在表面上，和使混合物聚合以形成聚合物網絡，聚合物網絡是傳輸電荷或發光中的至少一種。用于聚合混合物的每單位質量的能量數小于用于聚合第一物質的每單位質量的能量數，且用于聚合混合物的每單位質量的能量數小于用于聚合第二物質的每單位質量的能量數。
本發明的另一方面是提供形成層的方法，包括混合至少第一物質和第二物質以形成混合物，使混合物沉積在表面上，和使混合物聚合以形成聚合物網絡，聚合物網絡是傳輸電荷或發光中的至少一種。用于聚合混合物的能級(power level)小于用于聚合第一物質的能級，且用于聚合混合物的能級小于用于聚合第二物質的能級。
本發明的另一方面是提供形成層的方法，包括混合至少第一物質和第二物質以形成混合物，使混合物沉積在表面上，和使混合物聚合以形成聚合物網絡，聚合物網絡是傳輸電荷或發光中的至少一種。用于聚合混合物的時間小于用于聚合第一物質的時間，且用于聚合混合物的時間小于用于聚合第二物質的時間。
本發明的另一方面是提供形成層的方法，包括混合至少第一物質和第二物質以形成混合物，使混合物沉積在表面上，和使混合物聚合以形成聚合物網絡，聚合物網絡是傳輸電荷或發光中的至少一種。如果混合物和第一物質在相同條件下聚合，那么混合物的交聯密度大于第一物質的交聯密度，如果混合物和第二物質在相同條件下聚合，那么混合物的交聯密度大于第二物質的交聯密度。
本發明的另一方面是提供傳輸電荷或發光的層，其包括在未磨擦配向層上的至少第一和第二物質的混合物，該混合物能夠形成聚合物網絡，所述聚合物網絡為傳輸電荷或發光中的至少一種。
本發明的另一方面是提供傳輸電荷或發光的層，其包括是傳輸電荷或發光中至少一種的聚合物網絡。所述聚合物網絡在未磨擦的配向層上。
附圖簡述本發明將參考以下附圖詳細描述，其中相同的標記代表相同的元件，其中
圖1說明根據本發明的有機發光器件；圖2說明制造包括聚合的活性液晶原的一種或多種混合物器件的示意性方法；和圖3示出了混合物在交聯之前和之后(圖線a)、清洗之后(圖線b)的吸收光譜，并示出了不溶的液晶聚合物網絡的PL光譜(圖線c)，所述液晶聚合物網絡為在混合物交聯之后形成的薄固態膜。
發明詳述能夠在分子基礎上配向的有機材料可沉積到基體或其它表面上，然后交聯以形成交聯的聚合物網絡。通過使用可聚合(可交聯)物質的混合物代替單一的可聚合物質，可增加聚合速度。這種增加的聚合速度便于在更短的時間內室溫制造，且應用更少的能量。這種應用到有機材料中的能量減少降低了由聚合過程中發生的降解量。此外，使用混合物也可提高交聯密度，可提高配向的質量或均勻性，并可提高交聯聚合物網絡的均勻性。
例如，可在導電性光致配向層上旋轉涂覆傳輸電荷的和/或發光的活性液晶原的二元或其它混合物的溶劑溶液，所述溶液具有液晶相(例如向列相或近晶相)。旋轉涂覆可在室溫下進行，以形成液晶膜，液晶在室溫下可為熱力學穩定的液晶相，或在其標準固相至液晶相轉變溫度以下為超冷的液晶相。室溫下與熱力學穩定的液晶相的混合物具有較低粘度和隨后容易交聯聚合的優點。光致配向層于室溫下在基體表面上配向活性液晶原的混合物，在基體平面中具有液晶導向器，從而形成具有平面配向的一個或多個單微區。平面配向便于在交聯聚合物網絡中的電荷注入和傳輸。存在許多不同區域并不損害層的電荷注入和傳輸或包含這種層的器件的發光性質。可用平面偏振的UV光輻照光致配向層，以在層表面上產生均勻的各向異性表面能。當隨后在光致配向層上涂覆活性液晶原的混合物時，混合物和隨后交聯產生的聚合物網絡具有肉眼可見的單微區。此外，聚合物網絡是不溶的，且是難處理的，這使得隨后以類似的方式沉積具有不同功能的其它層。
光致配向層可用來配向活性液晶原混合物的層，在隨后溶液澆鑄于光致配向層上并通過暴露于UV輻射交聯時，活性液晶原混合物的層變為具有液晶序列的聚合空穴傳輸層。然后，可將第二層活性液晶原的混合物澆鑄到空穴傳輸層的上部。通過與空穴傳輸層配向表面的相互作用，使該第二層配向到液晶單微區中。據認為，該第二層的配向是在兩層之間的界面上，由活性液晶原分子間的分子相互作用來實現的。現在，第二活性液晶原單層可通過暴露于UV輻射來交聯，以形成聚合的發光體層。由此可建立一系列具有液晶序列的有機半導體層，且聚合物的所有分子核在相同的方向上配向。
例如，圖1說明了根據本發明的有機發光器件100，其包括空穴注入層102、空穴傳輸層104、發光體106、電子傳輸層108、電子注入層110和電荷載體阻滯層112，一次形成一層，且所有層具有互相配向的液晶序列。可在合適的配向層114上制造該器件，所述器件可包括基體和其它未示出的元件。可替換地，可省略這些層中的一些(包括配向層)，根據本方法建立鄰接層的子集，或者可根據本方法建立鄰接層的子集，且省略這些層中的一些(包括配向層)。
圖2說明制造器件的示例性方法200，所述器件包括聚合的活性液晶原的一種或多種混合物。所述方法200以器件的最初制造步驟開始，該步驟包括形成配向層202。下一步驟204是將混合物施涂到配向層上，接著進行聚合混合物的步驟206。如果沒有要從混合物形成另外的層，進行完成該器件的最終步驟208。如果有另外的層，進行將下一混合物施涂到聚合的混合物上的下一步驟210，接著進行聚合剛施涂的混合物的步驟212。如果沒有要從混合物形成另外的層，進行完成所述器件的最終步驟208。如果有另外的層，重復最后的兩個步驟210、212。
如果聚合過程不需要引發劑如光引發劑，將沒有未反應的引發劑來終止發光或降低其性能和壽命。例如，離子光引發劑可成為完成電子器件中的雜質，并降低器件的性能和壽命。
可使用任何合適的導電光致配向層。例如，可使用US2003/0021913中描述的光致配向層。可替換地，可通過任何其它合適的光致配向層來實現配向，或者不用配向層來實現配向(例如，應用電場或磁場，應用熱梯度或剪切，表面拓撲，其它合適的配向技術或兩種或多種技術的結合)。但是，磨擦配向層不適于有機半導體層和元件，如有機發光器件中的發射層或集成電路中的半導體層，因為這類器件中的有機層和元件比配向層中由摩擦產生的表面溝槽的幅度更窄。在一些情況下，由摩擦過程引起的粗糙的厚度與有機層和元件的厚度相似。此外，可由配向層或配向技術賦予不同的配向。這些不同的配向可為適用于像素化(pixelated)器件的模式。
由可聚合單體的混合物形成的網絡的交聯密度高于由相應單一單體聚合形成的網絡的交聯密度。因為在形成混合物中，固體至液晶的轉變溫度被降低至任一單個組分的固體至液晶的轉變溫度以下，且可被降低至室溫以下，所以可產生增加的交聯密度。這表明，混合物在室溫下具有熱力學穩定的液晶相，因此，混合物與單個組分的超冷玻璃液晶相相比，粘度極大降低。這從而意味著，活性液晶原分子在室溫相中是更加活躍的，從而能夠更快和更容易地使它們自身配向，以引發交聯反應。這種具有更高交聯密度的各向異性聚合物網絡提高了包括由該網絡制備的層、膜或元件的器件的性能，并產生更穩定的器件。
實施例12，7-雙{4-[7-(1-乙烯基烯丙基氧羰基)庚基氧]-4’-聯苯}-9，9-二辛基芴與2，7-雙{4-[10-(1-乙烯基烯丙基氧羰基)癸基氧]-4’-聯苯}-9，9-二辛基芴以1∶3的比例混合的二元混合物(該混合物(混合物1)具有低熔點(Cr-N＝22℃)和高的向列清除點(clearing point)(N-I＝75℃))被涂覆在石英基體上，并用來自氬離子激光的非偏振UV射線照射。激光發射325nm的UV光，總能流為15J cm-2。UV輻射引起二烯端基的光聚合，而不使用光引發劑。在室溫(例如25℃)下進行混合物的聚合，在相同的溫度下，使用比所需要的更小數量級的輻射(例如200J cm-2)來聚合玻璃向列態的混合物組分2，7-雙{4-[10-(1-乙烯基烯丙基氧羰基)癸基氧]-4’-聯苯}-9，9-二辛基芴。圖3表明，混合物交聯之后的吸收光譜與交聯之前(圖線a)的基本相同，并在清洗之后增加(圖線b)。圖3示出了不溶性液晶聚合物網絡的PL光譜(圖線c)，聚合物網絡在混合物交聯之后形成薄的固態膜。
實施例2化合物I，2-(5-{4-[10-(1-乙烯基-烯丙基氧羰基)癸基氧]苯基}噻吩-2-基)-7-{4-[10-(1-乙烯基-烯丙基氧羰基)癸基氧]-4’-聯苯}-9，9-二丙基芴(1份)和化合物II，2-(5-{4-[10-(1-乙烯基-烯丙基氧羰基)癸基氧]苯基}噻吩-2-基)-7-{4-[10-(1-乙烯基-烯丙基氧羰基)癸基氧]-4’-聯苯}-9，9-二辛基芴(1份)的二元混合物是室溫下向列型液晶混合物(混合物2)。這一物質也可被涂覆到石英基體上，并用上述來自氬離子激光的輻射交聯。交聯之后，不溶的液晶聚合物網絡具有藍色光致發光性。
混合物2具有良好的空穴傳輸性質，可用作有機發光元件中的空穴傳輸層。例如，可通過由氯仿旋轉涂覆將50nm厚的混合物2的層澆鑄在ITO-涂覆的玻璃基體上，所述基體先前已用導電光致配向層涂覆，如美國專利申請2003/0099785中所述。室溫下向列型液晶被光致配向層均勻地配向到均勻層中。由氬離子激光在325nm產生的總能流為15J cm-2的非偏振輻射可用來交聯該物質。如果期望使空穴傳輸層形成圖案，可通過光掩模進行輻照。曝光之后，可用氯仿清洗該層，以除去未交聯的單體。
接著，可通過旋轉涂覆由氯仿溶液在已經由混合物2制造的空穴傳輸層上部澆鑄混合物1的50nm層。混合物2的室溫向列物質通過其與空穴傳輸層在界面上的分子間相互作用而均勻地配向。用非偏振的來自氬離子激光的325nm UV射線照射向列混合物2的層，總能流為15J cm-2。這種輻射也可通過光掩模進行，以形成被布圖的發射層。如美國專利申請2003/0119936中所述，通過鋁電極的蒸氣沉積和器件的密封包裝，所得的多層組件可被進一步裝配到工作的機發光元件中。
美國專利申請2003/0119936中描述了混合物1中物質的合成，其全部內容在此處引入作為參考。可使用類似于美國專利申請2003/0119936中使用的合成方法來制備化合物I和II。可使用的合成路線如下
方案I.
方案II.
方案III
其中對于化合物I，n＝3，m＝10，對于化合物II，n＝8，m＝10。
可由任何合適的物質來制備被聚合以形成聚合物網絡的混合物的物質。例如，這類物質包括通式為B-S-A-S-B的那些合適的活性液晶原，其中A為發色團、芳香分子核、雜芳香分子核或具有共軛π-電子鍵的剛性分子核，S為間隔基，B為易于自由基聚合的端基。示例性的端基B包括可光聚合的非共軛二烯基，如1，4-戊二烯-3-基、1，6-庚二烯-4-基或二烯丙基氨基。
實施例3另一示例性的實施例是如實施例2中制造的立體顯示器件，除了光致配向層包括具有第一配向方向和第二配向方向的部分，其中第二配向方向正交于第一配向方向。這形成可產生兩種不同偏振光的發射層。如果觀察者佩戴一副防護鏡或眼鏡，其中一只眼睛看到一種偏振光，另一只眼睛看到正交偏振光，觀察者將能夠看到立體圖象。如果顯示器件的不同偏振區域被分別啟動，或者分別向觀察者發射光(例如對應于不同配向部分的單個像素)，那么防護鏡或眼鏡或其它合適的護目鏡可包括簡單的偏振鏡片。否則，防護鏡或眼鏡或其它合適的護目鏡可包括快門，如液晶顯示快門，以一次向觀察者提供多像素圖像，從而使得像素的不同配向部分被一起啟動。可替換地，可使用其它合適的立體配置。
本發明的混合物可作為有機發光器件中的各向異性聚合物網絡。可通過聚合電荷傳輸和/或發光的活性液晶原的混合物來形成聚合物網絡。這種器件也可包括導電光致配向層，當用于顯示時，可用主動式或被動式陣列尋址。顯示器件可為單色或多色的，并可為像素化或非像素化的。器件可具有由包括各向異性聚合物網絡的發射層產生的偏振發射體。偏振發光器件可用作單色或多色背光(例如液晶顯示背光)。這種有機發光器件可結合各向異性聚合物網絡作為發射層或元件，并可包括發光染料(例如多色染料)。這些聚合物網絡也可為安全器件或立體顯示。
本發明公開的方法和器件適于應用到電子器件、半導體器件、有機發光器件和其它器件中。示例性的應用包括晶體管如FET、晶體管陣列如用于尋址陣列顯示的那些、集成電路、移動電話、數碼相機、手提電腦、手表、鐘表、游戲機和其它消費電子商品。
雖然已詳細描述了本發明的多個實施方案和其優點，但是應該理解，在不偏離本發明教導的前提下，可做出改變、替代、轉化、改進、變化、交換和更替，本發明的精神和范圍由所附的權利要求提出。
權利要求
1.一種形成層的方法，包括混合至少第一物質和第二物質以形成混合物；使混合物沉積在表面上；和使混合物聚合以形成聚合物網絡，所述聚合物網絡是傳輸電荷或發光中的至少一種，其中，混合物的聚合速度大于第一物質的聚合速度；和其中，混合物的聚合速度大于第二物質的聚合速度。
2.權利要求1的方法，其中所述聚合是光聚合。
3.權利要求1的方法，其中所述聚合是電子束聚合。
4.權利要求1的方法，其中所述混合物具有液晶相。
5.權利要求1的方法，其中所述混合物具有在室溫下熱力學穩定的液晶相。
6.權利要求1的方法，其中第一物質和第二物質中的至少一種具有通式B-S-A-S-B，其中A為發色團、芳香分子核、雜芳香分子核或具有共軛π-電子鍵的剛性分子核中的至少一種，S為間隔基，和B為易于光聚合的端基。
7.權利要求1的方法，其中所述聚合物網絡具有均勻的結構。
8.權利要求7的方法，其中所述聚合物網絡具有均勻的厚度。
9.權利要求1的方法，其中所述聚合物網絡包含在半導體器件、顯示器件和薄膜晶體管器件中的一種內。
10.權利要求1的方法，其中所述表面是未磨擦的配向層。
11.一種形成層的方法，包括混合至少第一物質和第二物質以形成混合物；使混合物沉積在表面上；和使混合物聚合以形成聚合物網絡，該聚合物網絡是傳輸電荷或發光中的至少一種，其中，用于聚合混合物的每單位質量的能量數小于用于聚合第一物質的每單位質量的能量數；和其中，用于聚合混合物的每單位質量的能量數小于用于聚合第二物質的每單位質量的能量數。
12.權利要求11的方法，其中所述聚合是光聚合。
13.權利要求11的方法，其中所述聚合是電子束聚合。
14.權利要求11的方法，其中所述混合物具有液晶相。
15.權利要求11的方法，其中所述混合物具有在室溫下熱力學穩定的液晶相。
16.權利要求11的方法，其中第一物質和第二物質中的至少一種具有通式B-S-A-S-B，其中A為發色團、芳香分子核、雜芳香分子核或具有共軛π-電子鍵的剛性分子核的至少一種，S為間隔基，和B為易于光聚合的端基。
17.權利要求11的方法，其中所述聚合物網絡具有均勻的結構。
18.權利要求17的方法，其中所述聚合物網絡具有均勻的厚度。
19.權利要求11的方法，其中所述聚合物網絡包含在半導體器件、顯示器件和薄膜晶體管器件中的一種內。
20.權利要求11的方法，其中所述表面是未磨擦的配向層。
21.一種形成層的方法，包括混合至少第一物質和第二物質以形成混合物；使混合物沉積在表面上；和使混合物聚合以形成聚合物網絡，該聚合物網絡是傳輸電荷或發光中的至少一種，其中，用于聚合混合物的能級低于用于聚合第一物質的能級；和其中，用于聚合混合物的能級低于用于聚合第二物質的能級。
22.權利要求21的方法，其中所述聚合是光聚合。
23.權利要求21的方法，其中所述聚合是電子束聚合。
24.權利要求21的方法，其中所述混合物具有液晶相。
25.權利要求21的方法，其中所述混合物具有在室溫下熱力學穩定的液晶相。
26.權利要求21的方法，其中第一物質和第二物質中的至少一種具有通式B-S-A-S-B，其中A為發色團、芳香分子核、雜芳香分子核或具有共軛π-電子鍵的剛性分子核中的至少一種，S為間隔基，和B為易于光聚合的端基。
27.權利要求21的方法，其中所述聚合物網絡具有均勻的結構。
28.權利要求27的方法，其中所述聚合物網絡具有均勻的厚度。
29.權利要求21的方法，其中所述聚合物網絡包含在半導體器件、顯示器件和薄膜晶體管器件中的一種內。
30.權利要求21的方法，其中所述表面是未磨擦的配向層。
31.一種形成層的方法，包括混合至少第一物質和第二物質以形成混合物；使混合物沉積在表面上；和使混合物聚合以形成聚合物網絡，該聚合物網絡是傳輸電荷或發光中的至少一種，其中，用于聚合混合物的時間低于用于聚合第一物質的時間；和其中，用于聚合混合物的時間低于用于聚合第二物質的時間。
32.權利要求31的方法，其中所述聚合是光聚合。
33.權利要求31的方法，其中所述聚合是電子束聚合。
34.權利要求31的方法，其中所述混合物具有液晶相。
35.權利要求31的方法，其中所述混合物具有在室溫下熱力學穩定的液晶相。
36.權利要求31的方法，其中第一物質和第二物質中的至少一種具有通式B-S-A-S-B，其中A為發色團、芳香分子核、雜芳香分子核或具有共軛π-電子鍵的剛性分子核中的至少一種，S為間隔基，和B為易于光聚合的端基。
37.權利要求31的方法，其中所述聚合物網絡具有均勻的結構。
38.權利要求37的方法，其中所述聚合物網絡具有均勻的厚度。
39.權利要求31的方法，其中所述聚合物網絡包含在半導體器件、顯示器件和薄膜晶體管器件中的一種內。
40.權利要求31的方法，其中所述表面是未磨擦的配向層。
41.一種形成層的方法，包括混合至少第一物質和第二物質以形成混合物；使混合物沉積在表面上；和使混合物聚合以形成聚合物網絡，該聚合物網絡是傳輸電荷或發光中的至少一種，其中，如果混合物和第一物質在相同條件下聚合，混合物的交聯密度大于第一物質的交聯密度；和其中，如果混合物和第二物質在相同條件下聚合，混合物的交聯密度大于第二物質的交聯密度。
42.權利要求41的方法，其中所述聚合是光聚合。
43.權利要求41的方法，其中所述聚合是電子束聚合。
44.權利要求41的方法，其中所述混合物具有液晶相。
45.權利要求41的方法，其中所述混合物具有在室溫下熱力學穩定的液晶相。
46.權利要求41的方法，其中第一物質和第二物質的至少一種具有通式B-S-A-S-B，其中A為發色團、芳香分子核、雜芳香分子核或具有共軛π-電子鍵的剛性分子核的至少一種，S為間隔基，和B為易于光聚合的端基。
47.權利要求41的方法，其中所述聚合物網絡具有均勻的結構。
48.權利要求47的方法，其中所述聚合物網絡具有均勻的厚度。
49.權利要求41的方法，其中所述聚合物網絡包含在半導體器件、顯示器件和薄膜晶體管器件中的一種內。
50.權利要求41的方法，其中所述表面是未磨擦的配向層。
51.一種傳輸電荷或發光的層，包括在未磨擦的配向層上的至少第一和第二物質的混合物，該混合物能夠形成聚合物網絡，該聚合物網絡是傳輸電荷或發光中的至少一種。
52.權利要求51的層，其中所述配向層是光配向層。
53.權利要求51的層，其中所述混合物的聚合速度大于第一物質的聚合速度；和其中所述混合物的聚合速度大于第二物質的聚合速度。
54.權利要求51的層，其中，用于聚合混合物的每單位質量的能量數小于用于聚合第一物質的每單位質量的能量數；和其中，用于聚合混合物的每單位質量的能量數小于用于聚合第二物質的每單位質量的能量數。
55.權利要求51的層，其中，用于聚合混合物的能級低于用于聚合第一物質的能級；和其中，用于聚合混合物的能級低于用于聚合第二物質的能級。
56.權利要求51的層，其中，用于聚合混合物的時間小于用于聚合第一物質的時間；和其中，用于聚合混合物的時間小于用于聚合第二物質的時間。
57.權利要求51的層，其中所述混合物是可光聚合的。
58.權利要求51的層，其中所述混合物具有液晶相。
59.權利要求51的層，其中所述混合物具有在室溫下熱力學穩定的液晶相。
60.權利要求51的層，其中第一物質和第二物質中的至少一種具有通式B-S-A-S-B，其中A為發色團、芳香分子核、雜芳香分子核或具有共軛π-電子鍵的剛性分子核中的至少一種，S為間隔基，和B為易于光聚合的端基。
61.權利要求51的層，其中所述混合物具有均勻的厚度。
62.權利要求51的層，其中所述聚合物網絡包含在半導體器件、顯示器件和薄膜晶體管器件中的一種內。
63.一種傳輸電荷或發光的層，包括聚合物網絡，其為傳輸電荷或發光中的至少一種，其中，所述聚合物網絡在未磨擦的配向層上。
64.權利要求63的層，其中所述配向層是光致配向層。
65.權利要求63的層，其中所述聚合物網絡具有液晶結構。
66.權利要求63的層，其中所述聚合物網絡包括至少一種通式為B-S-A-S-B的重復單元，其中A為發色團、芳香分子核、雜芳香分子核或具有共軛和電子鍵的剛性分子核中的至少一種，S為間隔基，和B為易于光聚合的端基。
67.權利要求63的層，其中所述聚合物網絡具有均勻的結構。
68.權利要求63的層，其中所述聚合物網絡具有均勻的厚度。
69.權利要求68的層，其中所述聚合物網絡具有少量懸掛自由基和分子碎片。
70.權利要求63的層，其中所述聚合物網絡包含在半導體器件、顯示器件和薄膜晶體管器件中的一種內。
全文摘要
一種形成層的方法，包括混合至少第一物質和第二物質以形成混合物，使混合物沉積在表面上，和使混合物聚合以形成聚合物網絡。所述聚合物網絡是傳輸電荷或發光中的至少一種，與第一和第二物質相比，該聚合物網絡具有改進的性質，包括聚合速度、能級、時間和/或用于聚合的每單位質量的能量數。所述聚合物網絡可形成在未摩擦的配向層上，例如光致配向層。可制造具有均勻結構和厚度的聚合物網絡。所述聚合物網絡可具有液晶相，并包括少量懸掛自由基和分子碎片。
文檔編號H01L51/00GK1849382SQ200480024638
公開日2006年10月18日 申請日期2004年7月22日 優先權日2003年7月31日
發明者史蒂芬·M·凱利, 米里·奧尼爾, 馬修·P·奧爾德雷德, 帕諾·弗拉霍斯 申請人:史蒂芬·M·凱利, 米里·奧尼爾, 馬修·P·奧爾德雷德, 帕諾·弗拉霍斯