固體元件裝置及其制造方法
                            
            
                            
            文檔序號：6843452閱讀：267來源：國知局
            
                            
                        
            
                        
            
                        
            
                            專利名稱：固體元件裝置及其制造方法
            
技術領域：
            本發明涉及用玻璃材料來封固了光學元件的固體元件裝置，尤其涉及在玻璃材料中采用了低熔點玻璃材料的固體元件裝置。
            
背景技術：
             以往，存在一種利用環氧樹脂等透光性樹脂材料來封固了發光二極管等固體元件的固體元件裝置。在這種固體裝置中，透光性樹脂會對強光起反應，從而產生泛黃等不良現象，這一事實已為人們所知。尤其是，在采用發出短波長光的III族氮化物系化合物半導體發光元件的場合下，元件附近的透光性樹脂將因從該元件所發出的高能光及元件本身的發熱而泛黃，光取出效率將因此而下降到不容忽視的程度。
            
JP特開平8-102553號公報及JP特開平11-177129號公報中，公開了一種為防止這種封固部件劣化而在封固部件中采用了低熔點玻璃的發光裝置。
            
JP特開平8-102553號公報中所述的發光裝置構成為用由透明的低熔點玻璃形成的封固體7來被覆LED元件、導線焊接部以及引線部的上端周圍。低熔點玻璃，比如采用加進硒、鉈、砷、硫黃等，而使熔點達到了攝氏130～350度左右的玻璃。在該場合下，最好使用熔點為攝氏200度以下(如為150度以下則更好)的低熔點玻璃。
            
根據JP特開平8-102553號公報中所述的發光裝置，可以避免因環氧系樹脂等所具備的針對紫外線的惡劣特性或弱化特性的原因，其封固體隨著時間的推移而泛黃這一不良現象。
            
此外，作為被覆LED發光元件的封固體，JP特開平11-177129號公報所述的發光裝置采用與GaN系LED發光元件的折射率2.3接近的、折射率為2左右的低熔點玻璃。
            
根據JP特開平11-177129號公報所述的發光裝置，利用與GaN系LED發光元件的折射率接近的低熔點玻璃，來封固LED發光元件，由此，在LED發光元件的表面進行全反射，而返回到內部的光減少，且從LED發光元件發出而入射到低熔點玻璃的光量增多。其結果是，本申請發明涉及的芯片型LED等發光效率，將高于用環氧樹脂來封固LED發光元件的以往裝置。
            
然而，在封固部件中采用了低熔點玻璃的以往固體元件裝置存在著以下問題即，由于所謂的低熔點玻璃，就必要要進行高溫加工，且系硬質材料，因而需要延長樹脂封固加工，所以實際上樣品不成立。
            
因此，本發明的目的在于，將實現無機材料封固加工的課題抽出并予以解決，且提供一種可實際獲得通過進行玻璃封固而可期待的效果的固體元件裝置及其制造方法。
            

            發明內容
            
本發明為達到所述目的，提供一種固體元件裝置，其特征在于，具有被倒裝安裝的固體元件；對前述固體元件進行電力接受供給的電力接受供給部；封固所述固體元件的無機封固材料。
            
此外，本發明為達到所述目的，提供一種固體元件裝置，其特征在于，具有固體元件；對前述固體元件進行電力接受供給的電力接受供給部；耐熱部件，其被覆前述固體元件的電連接部及前述電力接受供給部的一部分；無機封固材料，其封固包含前述耐熱部件的前述固體元件。
            
此外，本發明為達到所述目的，提供一種固體元件裝置，其特征在于，具有固體元件；對前述固體元件進行電力接受供給的電力接受供給部；玻璃封固部，其封固前述固體元件、且采用了從SiO2-Nb2O5系、B2O3-F系、P2O5-F系、P2O5-ZnO系、SiO2-B2O3-La2O3系、以及SiO2-B2O3系選擇的低熔點玻璃。
            
此外，本發明為達到所述目的，提供一種固體元件裝置，其特征在于，具有固體元件；引線部，其對前述固體元件進行電力接受供給，且由金屬構成；封固所述固體元件的無機封固材料。
            
此外，本發明為達到所述目的，提供一種固體元件裝置，其特征在于，具有固體元件；電力接受供給部，其對前述固體元件進行電力接受供給，且由無機材料基片構成；無機封固材料，其封固所述固體元件及前述電力接受供給部的一部分，且熱膨脹率與所述無機材料基片相同。
            
此外，本發明為達到所述目的，提供一種固體元件裝置制造方法，其特征在于，包括安裝工序，其將固體元件安裝到電力接受供給部；封固工序，其在氧遮斷氣氛以及無機封固材料的屈服點以上的溫度下，來對前述固體元件的無機封固材料進行加壓，由此來進行封固加工。
            

            

            
圖1表示本發明第一實施方式涉及的發光裝置，(a)是發光裝置的縱向剖視圖，(b)是光源即GaN系LED元件的側視圖。
            
圖2表示第一實施方式涉及的發光裝置的第一變形例，(a)是發光裝置的縱向剖視圖，(b)是光源即GaN系LED元件的側視圖。
            
圖3是第三變形例，是表示采用了其它底層填料的發光裝置的縱向剖視圖。
            
圖4是第四變形例，是表示設有由樹脂材料形成的模塑部的發光裝置的縱向剖視圖。
            
圖5是表示第二實施方式涉及的發光裝置的縱向剖視圖。
            
圖6是表示本發明第三實施方式涉及的發光裝置的縱向剖視圖。
            
圖7是表示第三實施方式涉及的發光裝置變形例的縱向剖視圖。
            
圖8是表示第四實施方式涉及的發光裝置的縱向剖視圖。
            
圖9是表示第四實施方式涉及的發光裝置第一變形例的縱向剖視圖。
            
圖10是表示第四實施方式涉及的發光裝置第二變形例的縱向剖視圖。
            
圖11表示第五實施方式涉及的發光裝置，(a)是發光裝置的俯視圖，  
            
(b)是發光裝置的側視圖，(c)是發光裝置的仰視圖。
            
圖12是表示第五實施方式涉及的發光裝置第一變形例的縱向剖視圖。
            
圖13是表示第五實施方式涉及的發光裝置第二變形例的縱向剖視圖。
            
圖14是表示第六實施方式涉及的發光裝置的剖視圖。
            
圖15表示第六實施方式涉及的發光裝置的第一變形例，(a)是發光裝置的縱向剖視圖，(b)是光源即GaN系LED元件的側視圖。
            
圖16表示第六實施方式涉及的發光裝置的第二變形例，(a)是發光裝置的縱向剖視圖，(b)是光源即GaN系LED元件的側視圖。
            
圖17表示第七實施方式涉及的發光裝置，(a)是發光裝置的縱向剖視圖，(b)是光源即GaN系LED元件的側視圖。
            
圖18是表示第七實施方式涉及的發光裝置第一變形例的縱向剖視圖。
            
圖19表示第八實施方式涉及的發光裝置，(a)是發光裝置的縱向剖視圖，(b)是光源即GaN系LED元件的側視圖。
            
圖20是表示第八實施方式涉及的發光裝置變形例的縱向剖視圖。
            
圖21(a)至(e)，表示在AlN基片上形成具有Au層的電路圖形的形成工序。
            
圖22是表示第九實施方式涉及的發光裝置的縱向剖視圖。
            
圖23是表示對引線框進行了基于熱壓加工的玻璃封固的狀態的圖。
            
圖24是表示在用作齊納二極管的Si基層安裝件上搭載有GaN系LED元件2的狀態的圖。
            
圖25表示第十實施方式涉及的發光裝置，(a)是俯視圖，(b)是(a)A-A剖視圖，(c)是下部玻璃的立體圖。
            
圖26是表示第十實施方式涉及的發光裝置第一變形例的剖視圖。
            
圖27是表示第十實施方式涉及的發光裝置第二變形例的剖視圖。
            
圖28表示第十一實施方式涉及的發光裝置，(a)是側視圖，(b)是針對玻璃封固的立體圖。
            
圖29是表示第十二實施方式涉及的發光裝置的縱向剖視圖。
            
圖30是表示用于本發明實施例的正裝型發光元件的構成的剖視圖。
            
圖31是表示發光元件與引線的組合體的立體圖。
            
圖32是表示光裝置制造方法的剖視圖。
            
圖33是表示實施例的光裝置的剖視圖。
            
圖34是表示其它實施例的光裝置的剖視圖。
            
圖35是表示其它實施例的光裝置的剖視圖。
            
圖36是表示其它實施例的光裝置的剖視圖。
            
圖37是表示光裝置的制造方法的立體圖。
            
圖38是表示其它實施例的光裝置的剖視圖。
            
圖39是表示其它實施例的光裝置的剖視圖。
            
圖40是表示光裝置的制造方法的剖視圖。
            
圖41是表示倒裝型發光元件的構成的剖視圖。
            
圖42是表示采用了發光元件的光裝置的實施例的剖視圖。
            
圖43是表示其它實施例的光裝置的剖視圖。
            
圖44是表示其它實施例的光裝置的剖視圖。
            
圖45是表示其它實施例的光裝置的剖視圖。
            
圖46是表示其它實施例的光裝置的剖視圖。
            
圖47是表示倒裝型發光元件與電力接送單元的組合體的其它方式的俯視圖。
            
圖48是表示具有組合體的光裝置的實施例的剖視圖。
            
圖49是表示其它實施例的光裝置的剖視圖。
            
圖50是表示其它實施例的光裝置的剖視圖。
            
圖51是表示其它實施例的光裝置的剖視圖。
            
圖52是表示其它實施例的光裝置的剖視圖。
            
圖53是表示其它實施例的光裝置的剖視圖。
            
圖54是表示其它實施例的光裝置的剖視圖。
            
圖55是表示其它實施例的光裝置的俯視圖。
            
圖56是表示光學元件的結構的剖視圖。
            
圖57是表示第十實施例的光裝置的制造方法的圖。
            
圖58是表示光學元件相對基片的安裝狀態的圖。
            
圖59是表示第十實施例的光裝置的構成的圖。
            
圖60是表示其它實施例的光裝置的構成的俯視圖。
            
圖61是圖60中的B-B線剖視圖。
            
圖62是圖61中的C-C箭頭線剖視圖。
            
圖63是仰視圖。
            
圖64是表示其它實施例的光裝置的俯視圖。
            
圖65是表示實施例的光學元件結構的剖視圖。
            
圖66是第十二實施例的光裝置的俯視圖。
            
圖67是圖66中的III-III線剖視圖。
            
圖68是圖67中的主要部件放大圖。
            
圖69是實施例的光裝置的仰視圖。
            
圖70是表示其它實施例的光裝置的構成的圖。
            
圖71是表示其它實施例的光裝置的構成的圖。
            
圖72是表示其它實施例的光裝置的構成的圖。
            
圖73是表示其它實施例的光裝置的構成的圖。
            
圖74是表示其它實施例的光裝置的構成的圖。
            
圖75是表示發光元件的結構的剖視圖。
            
圖76是表示實施例的發光裝置構成的圖，(A)是剖視圖，(B)是俯視圖。
            
圖77是表示具有封固部件的實施例的發光裝置構成的剖視圖。
            
圖78是表示具有其它方式的封固部件的實施例中發光裝置構成的剖視圖。
            
圖79是表示其它方式的引線框的剖視圖。
            
圖80是表示其它方式的引線框的剖視圖。
            
圖81是表示其它方式的引線框的剖視圖。
            
圖82是表示其它方式的引線框的立體圖。
            
圖83是表示其它方式的引線框的立體圖。
            
圖84是表示第十三實施方式涉及的發光裝置的構成的剖視圖。
            
圖85是表示第十三實施方式涉及的發光裝置的變形例的剖視圖。
            
圖86是表示第十四實施方式涉及的發光裝置的剖視圖。
            
圖87是表示第十五實施方式涉及的發光裝置的構成的剖視圖。
            
圖88是表示第十六實施方式涉及的發光裝置的構成的剖視圖。
            
圖89是表示第十七實施方式涉及的發光裝置的構成的剖視圖。
            
圖90是表示第十八實施方式涉及的發光裝置的構成的剖視圖。
            
圖91是表示第十九實施方式涉及的發光裝置的構成的剖視圖。
            
圖92是表示標準尺寸LED元件的凸塊形成面的俯視圖。
            
圖93是表示大尺寸LED元件的凸塊形成面的俯視圖。
            
圖94是表示第二十實施方式涉及的發光裝置的構成的剖視圖。
            
圖95是表示在引線框上搭載有基層安裝件的狀態的俯視圖。
            
圖96是表示利用模具來進行玻璃封固之前的狀態的圖。
            
圖97是表示第二十實施方式涉及的發光裝置的變形例的剖視圖。
            
圖98是表示本發明第二十一實施方式涉及的正裝型發光裝置的剖視圖。
            
圖99表示第二十二實施方式涉及的倒裝型發光裝置，(a)是剖視圖，(b)是從(a)的右側面觀看的側視圖。
            
圖100表示第二十三實施方式涉及的正裝型發光裝置，(a)是剖視圖，(b)是從(a)的右側面觀看的側視圖。
            
具體實施例方式
            
以下參照附圖等，對本發明涉及的固體元件裝置作詳細說明。
            
圖1表示本發明第一實施方式涉及的發光裝置，(a)是發光裝置的縱向剖視圖，(b)是光源即GaN系LED元件的側視圖。該發光裝置1如圖1(a)所示，具有倒裝型GaN系LED元件2；搭載GaN系LED元件2的含玻璃Al2O3基片3；由鎢(W)-鎳(Ni)-金(Au)構成且在含玻璃Al2O3基片3上形成的電路圖形4；將GaN系LED元件2與電路圖形4電連接的Au凸點5；封固GaN系LED元件2且與含玻璃Al2O3基片3粘接的P2O5-ZnO系玻璃封固部6。
            
GaN系LED元件2如圖1(b)所示，通過在由藍寶石(Al2O3)形成的基片20的表面，使緩沖層21、n型層22、包含發光層的層23、p型層24依次晶體生長來形成，它具有設置于p型層24的表面的p電極25以及n電極26，該n電極26在通過蝕刻除去p型層24至n型層22的一部分而露出的n型層22上形成。該GaN系LED元件2在700℃以上的溫度下外延生長，其耐熱溫度為600℃以上，且對用后述的低熔點玻璃來進行封固加工時的溫度具有穩定性。
            
此外，p電極25，被用作使從包含發光層的層23發出的光向基片20方向反射的下面反射鏡。另外，其尺寸為0.34mm×0.34mm×厚度0.09mm。
            
含玻璃Al2O3基片3的熱膨脹率為12.3×10-6/℃，它具有通孔3A。該通孔3A使在基片的表面及背面由金屬化W形成的電路圖形4導通。
            
玻璃封固部6，由P2O5-ZnO系低熔點玻璃(熱膨脹率11.4×106/℃，屈服點415℃，折射率1.59，內部透過率99％(470nm))來形成，具有在由基于金屬模的熱壓加工來與含玻璃Al2O3基片3粘接后用切割機來切割而形成的上面6A及側面6B，且形成為矩形。
            
以與對一般樹脂而言較高的粘度相比非常高的粘度，來對低熔點玻璃進行加工。此外，在玻璃的場合，即使屈服點超過數十℃，粘度也不低至一般的樹脂封固程度。另外，如果要達到一般樹脂成型時程度的粘度，則溫度需要超過LED元件的晶體生長溫度，或者會在金屬模上粘附，從而難以進行封固·成形加工。因此，最好在106泊以上進行加工。
            
以下對該發光裝置1的制造方法作以說明。
            
首先，備好具有通孔3A的含玻璃Al2O3基片3，且在含玻璃Al2O3基片3的表面，按照電路圖形來對W漿膏進行絲網印刷。接下來，以1000℃以上的溫度，對印刷了W漿膏的含玻璃Al2O3基片3進行熱處理，由此將W燒結到基片3上，然后在W上實施Ni鍍覆及Au鍍覆，由此而形成電路圖形4。接下來，在含玻璃Al2O3基片3的電路圖形4(表面側)上，用Au凸點5來電連接GaN系LED元件2。接下來，對搭載有GaN系LED元件2的含玻璃Al2O3基片3，平行地設置片狀P2O5-ZnO系低熔點玻璃，并在氮氣氛中，以60kgf壓力及465℃溫度來進行熱壓加工。該條件下的低熔點玻璃的粘度為108～109泊，低熔點玻璃與含玻璃Al2O3基片3通過其中所含有的氧化物來粘接。接下來，將與低熔點玻璃一體化了的含玻璃Al2O3基片3置于切割機上并進行切割，由此分離出矩形狀的發光裝置1。
            
根據所述第一實施方式，可得到以下效果。
            
(1)利用低熔點玻璃，在高粘度狀態下進行熱壓加工，由此可進行相對晶體生長溫度充分低的加工。
            
(2)含玻璃Al2O3基片3與玻璃封固部6，基于通過氧化物的化學鍵合來粘接，由此可得到強固的封固強度。因此，即使對接合面積較小的小型封裝體也是實用的。
            
(3)由于封固玻璃與含玻璃Al2O3基片的熱膨脹率相同，因而在高溫粘接后，即使在常溫或低溫狀態下，也難以發生剝離及裂紋等粘接不良。而且，玻璃對拉伸應力不發生裂紋，而對壓縮應力也難以發生裂紋，封固玻璃相對含玻璃Al2O3基片熱膨脹率稍微小一些。發明者確認即使進行1000循環的-40℃←→100℃的液相冷熱沖擊試驗，也未發生剝離及裂紋。此外，作為5mm×5mm尺寸的玻璃片與陶瓷基片的接合基礎確認，對玻璃及陶瓷基片以各種熱膨脹率的組合來進行了試驗，其結果是，在熱膨脹率較低一方部件與較高一方部件的熱膨脹率之比為0.85以上的情況下，可進行不發生裂紋的接合。盡管還取決于部件的剛性及尺寸或者第八實施方式的應力吸收層等，但熱膨脹率相同所表示的是這種程度的范圍。
            
(4)由于采用倒裝接合而可不需要導線，因而即使對于高粘度狀態下的加工，也不會發生電極不良。封固加工時的低熔點玻璃的粘度硬固為108至109泊，且熱固化處理之前的環氧樹脂為5泊左右的液狀，與此相比，物理性上大大不同，因而在封固利用導線來電連接元件表面的電極與引線等供電部件的正裝型LED元件的場合下，可防止玻璃封固加工時導線發生擠壓碎裂或變形。此外，在封固通過金(Au)等凸塊來使元件表面的電極與引線等供電部件進行倒裝接合的倒裝型LED元件的場合下，還可防止因基于玻璃粘度而向供電部件方向對LED元件加壓而發生的凸塊碎裂及凸塊之間的短路。
            
(5)平行地設置低熔點玻璃與含玻璃Al2O3基片3，并以高粘度狀態來進行熱壓加工，由此，低熔點玻璃在含玻璃Al2O3基片的表面上平行移動并粘貼，而封固GaN系LED元件2，因而不會產生空隙。
            
(6)由于含玻璃Al2O3基片3的配線用電路圖形4經由通孔3A而引出到背面，因而不必采取針對玻璃進入到不必要的位置以及被覆電氣端子等的特別對策，便可對多個裝置一并封固加工片狀低熔點玻璃，由此，可容易地基于切割機來批量生產多個發光裝置1。此外，由于低熔點玻璃在高粘度狀態下加工，因而不必像樹脂那樣采取充分對策，即使不利用通孔，只要外部端子能引出到背面，便可足以進行批量生產。
            
(7)通過對GaN系LED元件2進行倒裝安裝，還具有以下效果可以克服在實施玻璃封固時所發生的問題點，且可實現邊長為0.5mm的正方形的超小型發光裝置1。其原因在于不需要導線的焊接空間，且玻璃封固部6與含玻璃Al2O3基片3選用熱膨脹率相同的部件，同時由于基于化學鍵合的強固接合，即使是極小空間的粘接，也不會發生界面剝離。
            
圖2表示第一實施方式涉及的發光裝置的第一變形例，(a)是發光裝置的縱向剖視圖，(b)是光源即GaN系LED元件的側視圖。在以下的說明中，對共同的構成部分附加相同的引用數字來說明。
            
該發光裝置1與第一實施方式的不同點在于其構成，即將正裝型GaN系LED元件2倒裝接合到電路圖形4上，且設有保護GaN系LED元件2的電極及Au凸點5的白色系底層填料7。
            
底層填料7，比如可采用氮化硼(BN)等光反射性良好的充填材料，在GaN系LED元件2接合前，預先在含玻璃Al2O3基片3上封裝，在其上對GaN系LED元件2進行倒裝接合，由此來設置。
            
GaN系LED元件2如圖2(b)所示，具有設置于p型層24的表面的ITO(Indium Tin Oxide)等透光性電極27、及設置于透光性電極27的表面的p電極25。
            
根據所述第一變形例，即使是正裝型GaN系LED元件2，由底層填料7反射擴散的光，也會從GaN系LED元件2的基片20輻射，因而光取出性得到提高。此外在第二實施方式中，盡管選擇了白色系底層填料7來作為提高光取出效率的材料，但如果不重視光取出效率，也可以采用白色系之外的其它顏色的底層填料7。
            
作為第二變形例，也可以在玻璃封固部6的表面，實施用于提高耐濕性、耐酸·堿性的表面處理。在該場合下，MgF2、SiO2、SiN表面處理是有效的。此外，也可以用防反射多層膜等來進行減小界面反射的處理。在該場合下，TiO2+SiO2多層覆層是有效的。
            
圖3是第三變形例，是表示采用了其它底層填料的發光裝置的縱向剖視圖。在第三變形例的發光裝置1中，采用了熱傳導性良好的金剛石，來作為保護GaN系LED元件2的電極及Au凸點5的底層填料7。此外，也可以采用BN、氮化鋁(AlN)、碳化硅(SiC)，來作為其它熱傳導性良好的底層填料7。在耐熱性陶瓷被覆材料中，它們作為平均粒徑為數微米的充填劑來混入。
            
圖4是第四變形例，是表示設有由樹脂材料形成的模塑部的發光裝置的縱向剖視圖。該發光裝置1為，將在第一實施方式中說明的發光裝置1與引線框8相接合，且設有整體由環氧樹脂形成的模塑部9。
            
模塑部9形成為具有半球狀光學形狀表面9A，且由傳遞模塑法來形成。
            
根據這種構成，在玻璃封固型裝置中可容易地形成光學系統，而且由于含玻璃Al2O3基片3及玻璃封固部6被模塑部9包圍，因而可進一步提高耐濕性。此外，模塑部9也可以由環氧樹脂之外的其它樹脂材料，比如硅樹脂來形成，也可采用傳遞模塑法之外的封裝模塑法等成型方法。也可以采用丙烯酸酯、聚碳酸酯等樹脂材料，由注塑法來形成，在該場合下可提高生產性。
            
此外，模塑部9中也可以含有熒光體。作為熒光體，也可以采用YAG熒光體、硅酸鹽熒光體，或者以規定比例來混合了它們的材料等。
            
圖5是表示第二實施方式涉及的發光裝置的縱向剖視圖。該發光裝置1的不同點在于以下兩種構成取代第一實施方式的發光裝置1中所用的玻璃材料，而設有SiO2-Nb2O5系玻璃封固部6的構成；在含玻璃Al2O3基片3中設有Ag系電路圖形4的構成。
            
SiO2-Nb2O5系玻璃封固部6，由SiO2-Nb2O5系低熔點玻璃(熱膨脹率12.1×10-6/℃，屈服點507℃，折射率1.69，內部透過率98％(470nm))來形成，且具有由熱壓加工來與含玻璃Al2O3基片3粘接，然后用切割機來切割而形成的上面6A及側面6B，從而模塑成矩形。
            
含玻璃Al2O3基片3的熱膨脹率為12.3×10-6/℃，具有通孔3A。該通孔3A在基片的表面及背面使基于電解鍍覆的Ag電路圖形4導通。
            
根據所述第二實施方式，通過采用SiO2-Nb2O5系低熔點玻璃，可減小透濕性，且可提高光取出性。此外，通過采用透濕性小的低熔點玻璃，比如即使在對GaN系LED元件2進行倒裝安裝的電路圖形之類的、施加電壓且圖形間隔為數十微米的場合下，即在因樹脂封固而發生移動因而難以適用的場合下，也可以采用高反射率材料即Ag。
            
圖6是本發明第三實施方式涉及的發光裝置的縱向剖視圖。該發光裝置1具有正裝型GaN系LED元件2；搭載GaN系LED元件2的含玻璃Al2O3基片3；由W構成且在含玻璃Al2O3基片3上形成的電路圖形4；將GaN系LED元件2與電路圖形4電連接的Au凸點5；對GaN系LED元件2的電極與電路圖形4進行電連接的由Au形成的導線10；對GaN系LED元件2、導線10、及電路圖形4進行包圍且被覆的耐熱無機材料覆層11；將GaN系LED元件2與電路圖形4粘接的無機白色粘接劑12；在封固的同時與含玻璃Al2O3基片3粘接的P2O5-ZnO系玻璃封固部6。
            
耐熱無機材料覆層11，是具有透光性的多孔質SiO2系硬覆層，可防止在P2O5-ZnO系玻璃封固加工中，導線10發生變形。
            
無機白色粘接劑12，對從GaN系LED元件2向基片一側輻射的光進行反射，并使其從電極形成面輻射。
            
以下，對該發光裝置1的制造方法作以說明。
            
首先，備好具有通孔3A的含玻璃Al2O3基片3，且在含玻璃Al2O3基片3的表面，按照電路圖形來對W漿膏進行絲網印刷。接下來，以1500℃以上的溫度，對印刷有W漿膏的含玻璃Al2O3基片3進行熱處理，由此將W燒結到基片3上，進而在W上實施Ni鍍覆及Au鍍覆，由此而形成電路圖形4。接下來，在含玻璃Al2O3基片3的電路圖形4(表面側)上，用無機白色粘接劑12來粘接GaN系LED元件2。接下來，利用導線10來對GaN系LED元件2的p電極和n電極以及電路圖形4進行電連接。接下來，以包圍GaN系LED元件2及導線10的方式，封裝SiO2系覆層材料。接著，對它們實施150℃的熱處理，而形成多孔質耐熱無機材料覆層11。接下來，相對搭載有GaN系LED元件2的含玻璃Al2O3基片3，平行地設置P2O5-ZnO系低熔點玻璃，并以60kgf壓力，以415℃以上的溫度來進行熱壓加工。接下來，將與低熔點玻璃一體化了的含玻璃Al2O3基片3置于切割機上并進行切割，由此分離矩形狀的發光裝置1。
            
根據所述第三實施方式，通過利用透光性耐熱無機材料覆層11來被覆導線10，可以以高合格率，來對焊接有導線的GaN系LED元件2進行基于P2O5-ZnO系低熔點玻璃的玻璃封固加工，可實現玻璃封固型發光裝置1。
            
此外，雖然不設置耐熱無機材料覆層11，也能實現玻璃封固加工，但無法避免導線10的變形，因而易于發生電氣短路，造成合格率下降。此外，除了在GaN系LED元件2上Au導線10的球狀接合部會壓壞，易于發生電氣短路之外，還會發生膜狀Au覆蓋元件表面而妨礙光取出等問題。
            
圖7是表示第三實施方式涉及的發光裝置變形例的縱向剖視圖。該發光裝置1與第三實施方式的不同點在于以下構成，即采用了在元件上下具有電極的AlInGaP系LED元件2。
            
AlInGaP系LED元件2中，上面的電極與電路圖形4由導線10來電連接，下面的電極與電路圖形4由Ag漿膏13來電連接。
            
即使對在上面及下面配有電極的LED元件，通過實施耐熱無機材料覆層11來進行基于P2O5-ZnO系低熔點玻璃的玻璃封固加工，也可以以高合格率來實現玻璃封固型發光裝置1。
            
圖8是表示第四實施方式涉及的發光裝置的縱向剖視圖。該發光裝置1為，對于在第一實施方式的發光裝置1中所用的GaN系LED元件2，使用基于劃線加工來形成的元件。由劃線加工來形成的GaN系LED元件2在切斷部即側面上具有尖銳的凹凸部，因而用元件被覆材料14來被覆側面而構成。
            
元件被覆材料14比如可采用SiO2系被覆材料。SiO2系被覆材料按照被覆GaN系LED元件2的側面的方式來涂布，并由150℃的熱處理來固化。
            
根據所述第四實施方式，由于因劃線加工而在GaN系LED元件2上產生的尖銳的凹凸部位易成為造成裂紋及空隙的原因，因而用元件被覆材料14來被覆凹凸部位而變得光滑，這樣便可以防止發生裂紋。此外還可抑制發生空隙。
            
圖9是表示第四實施方式涉及的發光裝置第一變形例的縱向剖視圖。該發光裝置1中，與第四實施方式的不同點在于以下構成，即用由SiO2系被覆材料形成的元件被覆材料14，按照被覆GaN系LED元件2的整個周圍的方式來進行被覆。
            
通過使元件被覆材料14的熱膨脹率處于GaN系LED元件2的熱膨脹率與P2O5-ZnO系低熔點玻璃的熱膨脹率之間，從而即使在采用了高熱膨脹率玻璃的場合以及采用了大尺寸LED元件的場合等下，也可以防止發生裂紋。
            
根據所述第一變形例，可防止因GaN系LED元件2的表面形狀引起的裂紋及空隙的產生，且可防止因GaN系LED元件2與低熔點玻璃的熱膨脹率之差引起的裂紋的產生。此外，如果考慮從GaN系LED元件2的光取出性，最好將元件被覆材料14盡量設置得薄一些。
            
圖10是表示第四實施方式涉及的發光裝置第二變形例的縱向剖視圖。該發光裝置1與第四實施方式的不同點在于以下構成，即用含有熒光體的熒光體層15，按照被覆GaN系LED元件2的整個周圍的方式來進行被覆。
            
熒光體層15，是在由第一變形例中所用的SiO2系被覆材料形成的元件被覆材料14中作為熒光體而含有YAG系熒光體的層。此外，熒光體可以是單獨的熒光體，也可以使多種熒光體相混合。作為其它熒光體可采用硅酸鹽熒光體，也可以將YAG系熒光體與硅酸鹽熒光體相混合，并使熒光體層15含有它。
            
根據所述第二變形例，除了第一變形例的良好效果之外，還利用玻璃封固來使熒光體與外部濕氣相隔離，因而可防止熒光體劣化，在長期使用中可得到穩定的波長轉換性。
            
圖11表示第五實施方式涉及的發光裝置，(a)是發光裝置的俯視圖，(b)是發光裝置的側視圖，(c)是發光裝置的仰視圖。該發光裝置1具有多個倒裝型GaN系LED元件2；形成為正方形且搭載GaN系LED元件2的多層結構的含玻璃Al2O3基片3；在含玻璃Al2O3基片3的表面及層內由鎢(W)形成的電路圖形(在基片表面的圖形中，還實施Ni、Au鍍覆)4；將GaN系LED元件2與電路圖形4電連接的Au凸點5；封固GaN系LED元件2且與含玻璃Al2O3基片3粘接的P2O5-ZnO系玻璃封固部6；在含玻璃Al2O3基片3的四角，從層內的中間層露出的底面電路圖形16A(陽極)、16C(陰極)；將由GaN系LED元件2發出的熱量向外部發散的、由銅箔形成的放熱圖形17，該裝置在按照具有圓形外形的方式在基片表面形成圖形的電路圖形4上，經由Au凸點5，并按3個×3個陣列來配置有合計9個的GaN系LED元件2。
            
含玻璃Al2O3基片3構成為具有由W形成的層內配線的多層結構，對圖11(b)所示的列方向上的三個GaN系LED元件2進行串聯連接，而形成元件組，且將元件組的陽極與底面電路圖形16A之一相連接，并且將元件組的陰極與底面電路圖形16C相連接。此外，該陰極還與對其它兩列形成的元件組的陰極相連接。
            
根據所述第五實施方式，即使對于采用了多個GaN系LED元件2的結構，也可以通過采用陶瓷多層基片來容易地形成串并聯電路，且可容易地形成實施電解鍍覆時的布線引繞。此外，通過從中間層取出外部電連接端子，且在底面設置放熱用金屬圖形，可以使由使密集安裝的9個GaN系LED元件2發光而產生的熱量從放熱用金屬圖形迅速地向散熱器等傳導。
            
圖12是表示第五實施方式涉及的發光裝置第一變形例的縱向剖視圖。該發光裝置1與第五實施方式的不同之處在于，在P2O5-ZnO系玻璃封固部6的表面設置熒光體層15，而成為波長轉換型發光裝置1。
            
根據所述第一變形例，由于在P2O5-ZnO系玻璃封固部6中，具有包圍GaN系LED元件2整體的熒光體層15，因而可實現高光輸出性的白色發光裝置1。此外，即使多元件型發光裝置1中各LED元件特性存在偏差，其差也難以變得顯著，可實現具有均勻發光特性的發光裝置1。
            
圖13是表示第五實施方式涉及的發光裝置第二變形例的縱向剖視圖。該發光裝置1與第五實施方式的不同點在于，將發出藍色或綠色光的倒裝型GaN系LED元件2與發出紅色光的上下電極型AlInGaP系LED元件2進行混合，并由P2O5-ZnO系玻璃封固部6來進行封固。AlInGaP系LED元件2與導線10一起被耐熱無機材料覆層11包圍。
            
根據所述第二變形例，即使在倒裝型與上下電極型LED元件混合存在的場合下，也可進行基于P2O5-ZnO系低熔點玻璃的玻璃封固加工。此外，對于LED元件2的發光色組合，也可以任意地設定。
            
圖14是表示第六實施方式涉及的發光裝置的剖視圖。該發光裝置1具有在元件的上下具有電極的AlInGaP系LED元件2；搭載AlInGaP系LED元件2的含玻璃Al2O3基片3；由W來構成且形成于含玻璃Al2O3基片3的電路圖形4；對AlInGaP系LED元件2的電極與電路圖形4進行電連接的由Au形成的導線10；包圍并被覆AlInGaP系LED元件2、導線10以及電路圖形4的由TiO2(折射率2.4)形成的高折射率材料覆層11A；將AlInGaP系LED元件2與電路圖形4粘接且電連接的Ag漿膏13；封固由高折射率材料覆層11A包圍的AlInGaP系LED元件2、且與含玻璃Al2O3基片3粘接的SiO2-Nb2O5系玻璃封固部6。
            
SiO2-Nb2O5系玻璃封固部6，由SiO2-Nb2O5系低熔點玻璃(熱膨脹率10.2×10-6/℃，屈服點543℃，折射率1.92，內部透過率81％(470nm)，91％(520nm(厚度10mm時))來形成，具有形成為半球面狀的光學形狀面6D，且將從AlInGaP系LED元件2發出且經由高折射率材料覆層11A而到達的光向玻璃界面大致垂直入射，由此來盡量減小界面反射，并向外部輻射。此外，光學形狀面6D，如果是從AlInGaP系LED元件2發出的光入射到相對玻璃封固部6的界面的臨界角以內的形狀，則也可以是半球狀之外的其它形狀。具體地說，也可以是六面體或八面體。
            
根據所述第六實施方式，用于用折射率為2.4的TiO2這一高折射率材料覆層11A來包圍AlInGaP系LED元件2，并用折射率為1.92的SiO2-Nb2O5系玻璃封固部6來進行封固，因而可抑制在高折射率材料覆層11A與SiO2-Nb2O5系玻璃封固部6的界面上發生界面反射損失，可提高從高折射率媒體即LED元件的光取出效率。
            
此外，由于SiO2-Nb2O5系玻璃封固部6形成為凸面狀，因而以接近于垂直入射的角度，從AlInGaP系LED元件2向玻璃封固部6與空氣的界面進行入射，由此可得到高的外部輻射效率。
            
圖15表示第六實施方式涉及的發光裝置的第一變形例，(a)是發光裝置的縱向剖視圖，(b)是光源即GaN系LED元件的側視圖。該發光裝置1與第六實施方式的不同點在于以下構成取代AlInGaP系LED元件2，而具有含有SiC基片29的GaN系LED元件2；在SiO2-Nb2O5系玻璃封固部6的表面，配有設有具有1/4波長厚度的SiO2膜6E的光學形狀面6D。
            
SiC基片29在底面上具有n電極26，且經由Ag漿膏13來與電路圖形4電連接。
            
根據所述第一變形例，由于在光學形狀面6D上設有具有1/4波長厚度的SiO2膜6E，因而在光學形狀面6D上傳導的光將由SiO2膜6E來干涉，由此可減少反射。
            
圖16表示第六實施方式涉及的發光裝置的第二變形例，(a)是發光裝置的縱向剖視圖，(b)是光源即GaN系LED元件的側視圖。該發光裝置1與第六實施方式的不同點在于，取代AlInGaP系LED元件2，而采用具有GaN基片30的倒裝型GaN系LED元件2。
            
根據所述第二變形例，通過采用具有GaN基片30的GaN系LED元件2，可在LED元件內部不發生界面反射地將光有效地傳導到基片表面。傳導到基片表面的光可經由SiO2-Nb2O5系玻璃封固部6，從光學形狀面6D向外部輻射，由此可得到高的外部輻射效率。
            
圖17表示第七實施方式涉及的發光裝置，(a)是發光裝置的縱向剖視圖，(b)是光源即GaN系LED元件的側視圖。該發光裝置1與至第六實施方式為止的實施方式的不同點在于，取代含玻璃Al2O3，以Al2O3來作為基片材料，并采用與該Al2O3的熱膨脹率相當的封固玻璃材料。該圖表示被截斷成各個裝置之前的狀態。各個發光裝置1如圖l7(a)所示，具有倒裝型GaN系LED元件2；搭載GaN系LED元件2的Al2O3基片3；在Al2O3基片3上形成的電路圖形4；對GaN系LED元件2與電路圖形4進行電連接的Au凸點5；封固GaN系LED元件2且與Al2O3基片3粘接的B2O3-F系玻璃封固部6。
            
GaN系LED元件2如(b)所示，為防止在B2O3-F系玻璃的封固加工時發生Au凸點5的損傷及電極間短路，而在與Al2O3基片3之間充填有底層填料7。
            
Al2O3基片3具有通孔3A，并經由該通孔3A，來使表面與背面的電路圖形4電連接。此外，以規定的間隔形成有成為基片截斷位置的溝3B。
            
電路圖形4在搭載GaN系LED元件2的表面，具有用于提高與B2O3-F系玻璃封固部6的粘接強度的粘接用圖形4A及4B，粘接用圖形4B還用作在Al2O3基片3的背面取出的電路圖形4的一部分。
            
B2O3-F系玻璃封固部6，由B2O3-F系低熔點玻璃(熱膨脹率6.9×10-6/℃，屈服點539℃，折射率1.75，內部透過率98％(470nm))來形成，對由預塑加工來預先設有光學形狀面6D及薄壁部6B的預塑玻璃進行熱壓加工，由此來與Al2O3基片3的表面相粘接。薄壁部6B的形成厚度為在對劃線加工部分附加載荷并截斷時，不使對所鄰接的發光裝置1發生裂紋等損壞的厚度。
            
發光裝置1，在安裝GaN系LED元件2且用B2O3-F系玻璃封固部6來進行封固后，以Al2O3基片3的溝3B作為截斷位置來附加載荷，由此，Al2O3基片3基于應力集中來斷裂，同時，B2O3-F系玻璃封固部6在薄壁部6B處截斷。
            
根據所述第七實施方式，通過使用一般常用的Al2O3基片，可以減小白色光的吸收，提高光取出效率。此外，還易于購買且價格低廉。此外，由于對劃線加工部分附加載荷來截斷成各個發光裝置1，因而批量生產性良好。在基于切割的發光裝置1的截斷中，盡管在用切割機來切斷時，玻璃上會發生殘余變形，且因熱沖擊而在B2O3-F系玻璃封固部6中產生缺陷，但在基于劃線來截斷的發光裝置1中，殘余變形較少，且難以發生缺陷等不良現象。
            
此外，作為B2O3-F系以外的低熔點玻璃，也可采用SiO2-B2O3-La2O3系低熔點玻璃(熱膨脹率8.3×10-6/℃，屈服點559℃，折射率1.81，內部透過率99％(470nm))。
            
此外，作為劃線之外的其它截斷方法，也可利用激光來進行截斷。
            
圖18是表示第七實施方式涉及的發光裝置第一變形例的縱向剖視圖。該發光裝置1與第七實施方式的不同點在于，用平坦的B2O3-F系低熔點玻璃，來形成B2O3-F系玻璃封固部6。
            
B2O3-F系SiO2-B2O3玻璃封固部6，在與Al2O3基片3上所形成的溝3B相對的位置上具有劃線部6C，在附加載荷時與溝3B共同起作用而產生應力集中，由此截斷B2O3-F系玻璃封固部6與Al2O3基片3。
            
根據所述第一變形例，無需B2O3-F系玻璃封固部6的預塑，因而可簡化制造工序，且生產性優越。
            
此外，作為可適用于玻璃封固部6的其它低熔點玻璃，也可以采用SiO2-B2O3系低熔點玻璃。
            
圖19表示第八實施方式涉及的發光裝置，(a)是發光裝置的縱向剖視圖，(b)是光源即GaN系LED元件的側視圖。該發光裝置1與第七實施方式的不同點在于，在GaN系LED元件2的下部具有導熱性良好的BN底層填料7，還具有搭載GaN系LED元件2的AlN基片3、以及SiO2-B2O3系玻璃封固部6，其封固GaN系LED元件2且具有與AlN基片3粘接的AlN相同的熱膨脹率。
            
SiO2-B2O3系玻璃封固部6，由SiO2-B2O3系低熔點玻璃(熱膨脹率4.9×10-6/℃，屈服點558℃，折射率1.61，內部透過率96％(380nm))來形成，且具有與GaN系LED元件2的熱膨脹率5×10-6/℃幾乎相同的熱膨脹率。
            
根據所述第八實施方式，基于GaN系LED元件2的發光而產生的熱量，經由導熱性良好的底層填料7以及Au凸點5，來傳導給高放熱材料AlN基片3，并向外部有效地放熱。此外，GaN系LED元件2、AlN基片3以及SiO2-B2O3系玻璃封固部6等主要部件具有幾乎相同的熱膨脹率，這樣就不會發生因熱膨脹率引起的剝離及封固性下降的問題。
            
比如，即使在主要部件之間存在熱膨脹率差的場合下，也可以通過設置具有應力緩和效果的構成來吸收內部應力，防止封固性下降及剝離。
            
圖20是表示第八實施方式涉及的發光裝置變形例的縱向剖視圖。該發光裝置1與第七實施方式的不同點在于，在安裝GaN系LED元件2的電路圖形4的表面，具有用于吸收內部應力的軟金屬層。
            
圖21(a)至(e)，表示在AlN基片上形成電路圖形的形成工序。首先，如(a)所示，在預先形成有通孔3A的AlN基片3的兩面，對含有與電路圖形相應的W漿膏進行絲網印刷。接下來，以超過1500℃的溫度來燒結AlN基片3，而燒焊W。由此，使W與AlN基片3牢固地結合。也可以通過濺射來形成該W。此外，也可以取代W而采用Mo等高熔點金屬。接下來，如(b)所示，在AlN基片3表面側的電路圖形4上面，利用鍍覆法來設置鎳(Ni)層26。接下來，如(c)所示，以約700℃的溫度來對AlN基片3加熱，而使Ni與W發生反應。由此，使電路圖形4在AlN基片3上面牢固地接合。接下來，如(d)所示，在電路圖形4的表面，利用電解鍍覆來形成Au層4C。接下來，如(e)所示，利用Au凸點5來將GaN系LED元件2安裝到規定的位置上。
            
在按所述方法在電路圖形4上安裝有GaN系LED元件2的AlN基片3上，對SiO2-B2O3系低熔點玻璃進行熱壓加工，并基于劃線來截斷成各個發光裝置1。
            
根據所述變形例，可使電路圖形4與AlN基片3牢固地接合。此外，通過在電路圖形4上面設置經由Au凸點來安裝GaN系LED元件2用的Au圖形4C以及與低熔點玻璃接合用的Ni圖形4A，可以實現凸點安裝，且可緩和應力。此外，對玻璃進行經由氧化物的接合，即雖與Au不粘接但經由Ni表面的Ni氧化膜來與Ni接合。此外，玻璃與AlN均可得到良好接合。盡管由于AlN基片的熱傳導度高，因而在GaN系LED元件2點亮之后等時易發生與玻璃的溫度差，但即使在這種狀況下，也可以基于Au層4C的彈性變形來緩和應力，可獲得穩定的玻璃封固性。
            
圖22是表示第九實施方式涉及的發光裝置的縱向剖視圖。該發光裝置1具有倒裝型GaN系LED元件2；搭載GaN系LED元件2的AlN基層安裝件18；由W構成且形成于AlN基層安裝件18的電路圖形4；具有搭載AlN基層安裝件18的階梯部19A且由銅合金形成的引線19；對GaN系LED元件2與電路圖形4進行電連接的Au凸點5；包圍GaN系LED元件2及引線19而封固成一體的P2O5-F系玻璃封固部6。
            
AlN基層安裝件18具有被金屬化的電路圖形。
            
P2O5-F系玻璃封固部6，由P2O5-F系低熔點玻璃(熱膨脹率16.9×10-6/℃，屈服點363℃，折射率1.54，內部透過率99％(470nm))來形成，基于熱壓加工來形成有光學形狀面6D，該光學形狀面6D形成為半球面狀且在所希望的輻射范圍內輻射光。
            
按照夾持形成于引線框的引線19的方式，平行設置兩個P2O5-F系低熔點玻璃，且在氮氣氛中將壓力設為10kgf，并以410℃以上的溫度來進行熱壓加工。該條件下的低熔點玻璃的粘度為108～109泊。
            
圖23是表示對引線框進行了基于熱壓加工的玻璃封固的狀態的圖。該圖中表示一對引線311向一個方向引出的由片狀銅合金形成的引線框31。該引線框31具有固定AlN基層安裝件18的引線311；設置于引線311的支承側的開口312；吸收引線框31的熱變形的橢圓孔313；對引線框31的輸送位置進行定位的定位孔314，引線311的周圍在沖壓片狀銅合金時被作為開口310來除去。
            
以下，對發光裝置1的制造方法作以說明。
            
首先，形成具有形成了搭載AlN基層安裝件18的階梯部19A的引線19的引線框31。接下來，使引線框31與形成有電路圖形4的AlN基層安裝件18相接合。接下來，在設置于AlN基層安裝件18的表面的電路圖形4上，經由Au凸點5來倒裝接合GaN系LED元件2。接下來，在引線框31的上下，平行設置P2O5-F系低熔點玻璃。接下來，利用未圖示的金屬模，進行對P2O5-F系低熔點玻璃的熱壓加工。P2O5-F系低熔點玻璃基于熱壓加工而在薄壁部6B及P2O5-F系玻璃封固部6上獨立地成型。接下來，剪切引線311，而作為發光裝置1來從引線框31分離。
            
根據所述第九實施方式，可得到以下效果。
            
(1)由于使用P2O5-F系低熔點玻璃，以高粘度狀態來進行熱壓加工，因而可進行晶體生長溫度以下的玻璃封固加工。
            
(2)由于在氮氣氛中進行熱壓加工，因而各部件難以氧化。
            
(3)由于按照夾持引線的方式來設置兩片玻璃，因而可在高粘度下進行封固。
            
(4)P2O5-F系低熔點玻璃與銅合金引線由于熱膨脹率幾乎相同，因而難以發生剝離及裂紋等接合不良現象。此外，即使熱膨脹率有多少差異，也可以基于軟金屬即銅的塑性來吸收內部應力。盡管在第一至第八實施方式中，采用形成有電路圖形的陶瓷基片來作為電力供應裝置，但一般可購買到的陶瓷基片的熱膨脹率相對低熔點玻璃是較低的。盡管相關性不一定大，但分子間耦合力較弱的材料成為低熔點，同時有熱膨脹率變大的傾向。與此相對，如果采用金屬引線來作為電力供應裝置，則即使是熱膨脹率15×10-6/℃以上的熔點更低的玻璃，也可以實現發光裝置1。此外，作為低熔點玻璃，如果選擇熱膨脹率大的材料，則與GaN系LED元件的熱膨脹率差將變大，因而最好并用針對該差的對策。
            
(5)由于采用倒裝安裝，因而難以發生電極部分的損傷。
            
(6)具有難以發生因部件之間的熱膨脹率差而引起的裂紋的結構。
            
即，在引線上形成相應于AlN基層安裝件的形狀的階差，而且利用軟金屬引線的塑性，可緩和AlN基層安裝件長度方向上的應力。此外，盡管玻璃易于因拉伸應力而產生裂紋，但難以因壓縮應力而產生裂紋。由于是熱膨脹率較小的GaN系LED元件為中央部，且相比于此膨脹率高的引線以及P2O5-F系低熔點玻璃圍繞周圍的構成，因而應力在垂直方向上對GaN系LED元件的各面產生作用，在玻璃上產生壓縮應力。這樣，即使低熔點玻璃的熱膨脹率大，也可實現LED元件及基層安裝件。
            
(7)GaN系LED元件發出的熱量，通過AlN基層安裝件及引線來迅速地向外部發散。此外，由于玻璃的熱傳導率優于樹脂封固材料的十倍左右，因而從玻璃放出的熱量也達到不可忽視的程度。
            
(8)此外，對引線框進行熱壓加工，在引線上進行獨立的玻璃封固，同時從引線框上截斷，由此可批量生產，批量生產性良好。
            
此外，對于構成基層安裝件的材料，并不限于AlN，也可以用藍寶石(Al2O3)來形成。在采用了Al2O3的場合下，由于與玻璃材料的熱膨脹率差較小，因而可抑制裂紋及剝離的發生。
            
此外，如圖24所示，也可以由n層18B及p層18C，而在用作齊納二極管的Si基層安裝件18上搭載GaN系LED元件2。在該場合下，可保護GaN系LED元件免受靜電破壞。此外，對于進行Si基層安裝件18的p層18C與引線19的電連接的導線10，通過用前述的耐熱無機材料覆層11等保護部件來保護，可以回避伴隨玻璃封固加工的損傷。
            
此外，對于夾持引線的兩片玻璃中的下側玻璃，也可以采用白色的。在該場合下，可反射向下側輻射的光，使其向光學形狀形成側輻射。
            
此外，夾持引線的兩片玻璃也可以具有不同的粘度。具體地說，上側玻璃采用P2O5-F系低熔點玻璃(熱膨脹率17.3×10-6/℃，屈服點310℃，折射率1.51，內部透過率99％(470nm))，下側玻璃采用P2O5-F系低熔點玻璃(熱膨脹率16.9×10-6/℃，屈服點363℃，折射率1.54，內部透過率99％(470nm))。在該場合下，在熱壓加工時，上側成為高粘度，下側成為低粘度，而易于成型。
            
圖25表示第十實施方式涉及的發光裝置，(a)是俯視圖，(b)是(a)A-A剖視圖，(c)是下部玻璃的立體圖。該發光裝置1具有正裝型GaN系LED元件2；具有搭載GaN系LED元件2的引線罩部19B的引線19；對GaN系LED元件2與引線19電連接的導線10；覆蓋并保護GaN系LED元件2及導線10的硅覆層35；由預塑的上部玻璃60A及下部玻璃60B，來一體地封固引線19的P2O5-F系玻璃封固部6。
            
引線罩部19B由傾斜面190及底面191而形成為研缽狀，且被存放于(c)所示的下部玻璃60B的引線存放溝60C內。引線存放溝60C，是在用金屬模對下部玻璃60B進行預塑而成形時形成的。
            
以下對發光裝置1的制造方法作以說明。
            
首先，以銅作為材料，備好設有在表面實施了鍍銀處理的一對引線19的未圖示引線框。接下來，在引線19的引線罩部19B上搭載GaN系LED元件2。GaN系LED元件2通過無機透明粘接劑來與引線罩部19B的底面191粘接。接下來，用導線10來對一對引線19與GaN系LED元件2的電極進行電連接。接下來，在對一對引線19與GaN系LED元件2進行電連接的狀態下，存放到預塑的下部玻璃60B的引線存放溝60C內。接下來，按照覆蓋一對引線19與GaN系LED元件2的方式，封裝硅樹脂覆層35。接下來，備好上部玻璃60A，并基于熱壓加工來與下部玻璃60B成為一體。接下來，從引線框上截斷發光裝置1。
            
根據所述第十實施方式，可得到以下效果。
            
硅樹脂在大約400℃以上時，分子耦合將因熱而截斷，并產生氣體，但由于可在使硅樹脂覆層35不發生熱分解的360℃中進行加工，因而可由硅樹脂來吸收玻璃封固加工時的熱量，而緩和應力。此外，通過采用存放引線罩部19B的預塑而成的下部玻璃60B，一對引線19的玻璃封固狀態穩定。此外，對引線框進行熱壓加工，對引線進行獨立的玻璃封固，同時從引線框上切斷，由此可批量生產，批量生產性良好。
            
圖26是表示第十實施方式涉及的發光裝置第一變形例的剖視圖。該發光裝置1與第十實施方式的不同點在于，具有倒裝型GaN系LED元件2(0.3mm×0.3mm)；搭載GaN系LED元件2的AlN基層安裝件18；具有存放AlN基層安裝件18的階梯部19A的一對引線框19。
            
一對引線框19在階梯部19A的上方具有傾斜面19D，由傾斜面19D來反射從GaN系LED元件2輻射的光，并向外部輻射。
            
AlN基層安裝件18，具有對設置于表面及背面的電路圖形4進行電連接的通孔18A。
            
以下對發光裝置1的制造方法作以說明。
            
首先，備好設有一對引線19的未圖示的引線框。接下來，按照位于引線19的階梯部19A的方式，用Ag漿膏將AlN基層安裝件18電連接。接下來，經由Au凸點5，來使AlN基層安裝件18與GaN系LED元件2接合。接下來，在使一對引線19與GaN系LED元件2電連接的狀態下，存放到預塑的下部玻璃60B的引線存放溝60C。接下來，按照覆蓋一對引線19與GaN系LED元件2的方式，封裝硅樹脂覆層35。接下來，備好上部玻璃60A，并基于熱壓加工來與下部玻璃60B成為一體。接下來，從引線框上切離發光裝置1。
            
根據所述第一變形例，通過采用倒裝型GaN系LED元件2，可以從基片側有效地進行光取出。
            
圖27是表示第十實施方式涉及的發光裝置第二變形例的剖視圖。該發光裝置1與第十實施方式的不同點在于，具有倒裝型GaN系LED元件(大尺寸)2；搭載GaN系LED元件2的AlN基層安裝件18；具有存放AlN基層安裝件18的階梯部19A的一對引線框19。大尺寸GaN系LED元件2的尺寸為1mm×1mm。
            
在第二變形例中，對采用了大尺寸芯片的構成進行了說明，但通過芯片尺寸的增大，P2O5-F系玻璃AlN基層安裝件18及P2O5-F系玻璃封固部6的熱膨脹率差增大。即使在該場合下，也能得到良好的封固性。
            
圖28表示第十一實施方式涉及的發光裝置，(a)是側視圖，(b)是對玻璃封固時的立體圖。該發光裝置1，如圖28(a)所示，通過對由P2O5-F系玻璃形成的筒狀體60D進行加熱，來對GaN系LED元件2、導線10以及一對引線19進行玻璃封固。
            
筒狀體60D，如圖28(b)所示，由切除了一部分的筒狀玻璃來構成，用未圖示的燃燒器等加熱裝置來加熱筒狀體60D，由此使玻璃熔融，并對GaN系LED元件2、導線10以及一對引線19進行玻璃封固。
            
根據所述第十一實施方式，可基于熔融了的玻璃的表面張力，來對GaN系LED元件2、導線10以及一對引線19進行玻璃封固。此外，雖然在本實施方式中，通過使熔融了的玻璃附著來進行玻璃封固，但也可以在玻璃正在熔融的狀態下，進行熱壓加工。
            
圖29表示第十二實施方式涉及的發光裝置的縱向剖視圖。對于在第九實施方式中說明過的發光裝置1設置由環氧樹脂形成的模塑部9，由此來形成該發光裝置1。
            
模塑部9形成為具有半球狀光學形狀表面9A，通過傳遞模塑法來形成。
            
根據這種構成，在玻璃封固型裝置中可容易地形成光學系統，而且由于玻璃封固部6被模塑部9包圍，因而可進一步提高耐濕性。此外，由于引線引出部不是直接由玻璃形成的，因而還有可防止因引線彎曲時的應力等而造成玻璃裂紋及損傷的效果。此外，模塑部9也可以由環氧樹脂之外的其它樹脂材料比如硅樹脂來形成，且可采用傳遞模塑法之外的封裝模塑法等成型方法。此外，也可以采用丙烯酸酯、聚碳酸酯等樹脂材料，由注塑法來形成，在該場合下可提高生產性。
            
以下，對圖30至圖55所圖示的實施方式作詳細說明。
            
(光學元件)光學元件包括發光二極管、激光二極管及其它發光元件和受光元件。光學元件的受發光波長也沒有特別限定，可采用對紫外光～綠色系光有效的III族氮化物系化合物半導體元件及對紅色系光有效的GaAs系半導體元件等。
            
封固部件的問題特別顯著的是放出短波長的III族氮化物系化合物半導體發光元件。這里，III族氮化物系化合物半導體的一般結構式表示為AIXGaYIn1-X-YN(0＜X≤1，0≤Y≤1，0≤X+Y≤1)。包含Al的化合物，其中包括AlN的所謂二元系、AlxGal-xN及AlxIn1-xN(以上0＜x＜1)的所謂三元系。在III族氮化物系化合物半導體及GaN中，也可以將III族元素的至少一部分置換為硼(B)、鉈(Tl)等，此外，氮(N)的至少一部分也可以置換為磷(P)、砷(As)、銻(Sb)、鉍(Bi)等。
            
此外，III族氮化物系化合物半導體也可以包含任意的摻雜劑。作為n型雜質，可采用硅(Si)、鍺(Ge)、硒(Se)、碲(Te)、碳(C)等。作為p型雜質，可采用鎂(Mg)、鋅(Zn)、鈹(Be)、鈣(Ca)、鍶(Sr)、鋇(Ba)等。此外，在摻雜了p型雜質后，可對III族氮化物系化合物半導體進行電子射線照射、等離子照射，或者由爐子加熱進行照射，但不是必須的。
            
III族氮化物系化合物半導體層由MOCVD(有機金屬氣相生長)法來形成。構成元件的全部半導體層不必一定用該MOCVD法來形成，也可以并用分子線晶體生長法(MBE法)、鹵化物系氣相生長法(HVPE法)、濺射法、離子鍍覆法等。
            
作為發光元件的構成，可采用具有MIS結、PIN結及pn結的同質結構、異質構造或雙異質結構。作為發光層，也可采用量子阱結構(單一量子阱結構或多重量子阱結構)。作為前述III族氮化物系化合物半導體發光元件，可采用以主受發光方向(電極面)作為光裝置的光軸方向的正裝型元件、以及以主受發光方向作為與光軸方向相反的方向并利用反射光的倒裝型元件。
            
III族氮化物系化合物半導體元件的耐熱溫度為600℃左右，此外GaAs系半導體元件的耐熱溫度為600℃左右，它們均對模塑低熔點玻璃時的溫度具有穩定性。
            
(電力接送單元)光裝置中包含電力接送單元。該電力受送單元是向發光元件供應電力且取出接受光后在受光元件產生的電力的電氣部件，包含用于使光裝置與外部電氣線路連接的引線、以及對該引線與光學元件進行配線的焊接線等。焊接線大多由金線或金合金線來形成。該焊接線本身以及焊接線與引線或光學元件之間的焊接體的耐熱溫度為600℃以上，它們均對模塑了低熔點玻璃時的溫度具有穩定性。
            
(第一封固部件)第一封固部件對光學元件與電力接送單元的至少一部分進行被覆。在本發明中，作為該第一封固部件，選擇了SiO2-Nb2O5系、B2O3-F系、P2O5-F系、P2O5-ZnO系、SiO2-B2O3-La2O3系或SiO2-B2O3系的玻璃。
            
這些低熔點玻璃均可在350～600℃的溫度下沖壓成型。本發明的第一封固部件也可以由自然熔接來形成。
            
也可以在第一封固部件中分散熒光材料。作為所述熒光材料，可采用無機系熒光材料粉體，并使其混合到低熔點玻璃中。此外，也可以在低熔點玻璃中摻雜稀土族離子，由此使其發熒光。通過使發光元件與熒光材料適當地組合，可獲得白色光為主的任意的發光色。
            
在該第一封固部件與光學元件的組合中，最好將第一封固部件的阿貝數設為40以下，將其折射率設為1.6以上，并將光學元件的受發光波長設為546.1nm(Na的e線波長)以下。即，對于在高折射材料中發出的光的外部量子效率而言，封固材料對所發出的光的波長的折射率較高則更有利。光學材料的折射率盡管由Na的d線來定義，但一般情況下，越是短波長其折射率便越高，且折射率對光的波長的變化程度由阿貝數來表示。尤其在以往的樹脂封固中成為問題的發出短波長光的發光元件中，通過選擇Na的d線上折射率較高且對于波長的折射率變化較大的材料，可以防止因樹脂泛黃而引起的光輸出下降，而且實際上可實現由對于短波長光折射率高的材料進行的封固，且可得到高的外部量子效率。
            
作為具有前述光學特性的低熔點玻璃，可舉出SiO2-Nb2O5系玻璃，其中SiO2-Nb2O5-Na2O玻璃最好。
            
第一封固部件在發光元件中，最好至少配置在受發光方向并將其被覆。這是為了可靠地防止該方向上的變色。
            
第一封固部件的形狀沒有特別限定，可按光裝置所要求的光學特性來適宜設計。發光元件的場合，配置在光放出方向的第一封固部件最好為凸透鏡型。
            
(第二封固部件)在本發明中，在有的情況下，用包含所述第一封固部件的多個封固部件來封固光學元件。這里，第二封固部件從與其主要受發光方向相反的方向來被覆光學元件。
            
第二封固部件與第一封固部件同樣，也可以是從下列選擇的低熔點玻璃SiO2-Nb2O5系、B2O3-F系、P2O5-F系、P2O5-ZnO系、SiO2-B2O3-La2O3系、以及SiO2-B2O3系。這里，第二封固部件的材料可以與第一封固部件相同，也可以不同。
            
當二者為不同的低熔點玻璃材料時，最好使第一封固部件(處于光學元件的主要受發光方向上的部件)的折射率高于第二封固部件的折射率。這樣，在采用發光元件來作為光學元件的場合下，發光元件與封固部件的界面上的臨界角將增大，而可提高光效率。
            
由低熔點玻璃形成的第二封固部件的場合，最好與第一封固部件同樣，通過模壓或自然熔接來形成。
            
此外，在由低熔點玻璃形成的第二封固部件中，也可以與第一封固部件同樣，分散熒光材料。
            
也可以用非透明的材料來形成第二封固部件。作為所述第二封固部件，除了低熔點玻璃之外，還可舉出金屬片、陶瓷片等。在這種場合下，第二封固部件最好用對光進行有效反射的材料來制成。在用低熔點玻璃之外的材料來形成了第二封固部件的場合下，最好使第一封固部件的線膨脹系數值處于該第二封固部件的線膨脹系數與光學元件的線膨脹系數之間。由此，即使在光裝置在回流焊接爐等中進行了熱處理的場合下，也可以降低因異種材料線膨脹系數的不同而造成的光裝置內部應力。
            
以下，用實施例來說明本發明。
            
(第一實施例)在該實施例中，作為光學元件，采用了圖30所示的正裝型III族氮化物系化合物半導體發光元件1010。該發光元件可放出藍色系的光。
            
發光元件1010各層的規格如下。
            
層  組成p型層1015   p-GaNMg包含發光層的層1014  包含InGaN層n型層1013   n-GaNSi  
            
緩沖層1012 AlN基片1011   藍寶石在基片1011上，隔著緩沖層1012來形成由摻雜有Si這一n型雜質的GaN組成的n型層1013。這里，盡管在基片1011上采用了藍寶石，但并非限定于此，也可以采用藍寶石、尖晶石、碳化硅、氧化鋅、氧化鎂、氧化錳、硼化鋯、III族氮化物系化合物半導體單晶體等。此外，盡管采用AlN，并用MOCVD法來形成緩沖層，但并非限定于此，作為材料，也可以采用GaN、InN、AlGaN、InGaN、以及AlInGaN等，作為制造方法，可采用分子線晶體生長法(MBE法)、鹵化物系氣相生長法(HVPE法)、濺射法、離子鍍覆法等。在將III族氮化物系化合物半導體用作基片的場合下，可省略該緩沖層。
            
此外，基片及緩沖層在半導體元件形成后，也可以根據需要除去。
            
這里，n型層1013由GaN來形成，但也可以采用AlGaN、InGaN或AlInGaN。
            
此外，在n型層1013中摻雜了Si來作為n型雜質，但除此之外，也可以采用Ge、Se、Te、C等來作為n型雜質。
            
包含發光層的1014層也可以具有量子阱結構(多重量子阱結構、或單一量子阱結構)，此外作為發光元件的結構，可采用單異質型、雙異質型及同質接合型的結構等。
            
包含發光層的1014層，也可以包含在p型層1015側摻雜了Mg等禁帶寬度較寬的III族氮化物系化合物半導體層。這是為了有效地防止注入到包含發光層的1014層中的電子向p型層1015擴散。
            
在包含發光層的層1014上，形成由摻雜了Mg這一p型雜質的GaN組成的p型層1015。該p型層1015也可以采用AlGaN、InGaN、或InAlGaN。此外，作為p型雜質，也可以采用Zn、Be、Ca、Sr、Ba。在p型雜質導入后，也可以利用電子射線照射、由爐子的加熱、等離子照射等周知的方法，來實現低電阻化。在所述構成的發光元件中，各III族氮化物系化合物半導體層，在一般條件下可通過執行MOCVD來形成，或也可以采用分子線晶體生長法(MBE法)、鹵化物系氣相生長法(HVPE法)、濺射法、離子鍍覆法等方法來形成。
            
n電極1018由Al與V這二層來構成，在形成p型層1015后，通過蝕刻來除去p型層1015、包含發光層的層1014以及n型層1013的一部分，在由此露出的n型層1013上蒸鍍形成。
            
透光性電極1016是含金的薄膜，且層疊在p型層1015上面。p電極1017也由含金的材料來構成，且通過蒸鍍在透光性電極1016上形成。在由所述工序而形成了各層及各電極后，進行各芯片的分離工序。
            
該發光元件1010如圖31所示，在用作電力接送單元的安裝引線1021上固定發光元件1010，且從發光元件1010上面的電極向安裝引線1021及用作另一電力接送單元的副引線1022，分別懸架焊接導線1023及1024。為使來自發光元件1010的光有效地反射，對安裝引線1021的表面鍍銀。此外，為確保光反射效率，也可以利用無機系白色粘接劑，來將發光元件1010固定到安裝引線1021上。進而，也可以采用與純銅相近的銅合金，來作為高放熱性材料。焊接線采用金線。
            
圖30所示的組裝體1020如圖32所示，被作為型芯來設置到沖壓用金屬模1025中。在該沖壓用金屬模1025的凹部1026、1027內分別預先設置低熔點玻璃，然后關閉該金屬模1025，由此來形成圖33所示的封固部件1028(第一封固部件)。在該實施例中，作為低熔點玻璃，選擇P2O5-F系玻璃(株式會社住田光學玻璃商品名K-PG325)，成型溫度為430℃。
            
其結果如圖33所示，發光元件1010的全部及引線1021、1022的一部分被半球型封固部件1028被覆。該封固部件1028的形狀，可按光裝置1002所要求的光學特性來適宜設計，也可以采用比如炮彈形狀。
            
(第二實施例)在圖33所示的光裝置1001中，使低熔點玻璃中含有熒光材料，由此來形成圖34所示的光裝置1003。此外，對與圖33相同的要素附加同一符號，省略其說明。在本實施例中，作為熒光材料摻雜了稀土族元素的低熔點玻璃來形成封固部件1038。
            
通過使低熔點玻璃含有任意的熒光材料，可控制光裝置1003的發光色。
            
(第三實施例)在圖4的光裝置1002中由炮彈型罩1048來被覆封固部件1028后，形成圖35所示的光裝置1004。該罩1048采用環氧樹脂及其它透光性樹脂來模塑成型。這樣通過設置罩1048，可以得到大尺寸光裝置。由此，制成標準形狀的玻璃封固體，并利用模塑型設備及易于加工的樹脂對其進行處理，由此可得到多種光學系統。此時，由于從發光元件輻射的光的密度較高，且溫度上升處的發光元件附近是玻璃材料，因而可將光輸出劣化抑制到可忽視的程度。并且，也可以用該罩1048來被覆圖34所示的封固部件1038。此外，也可以用該罩1048來被覆后述的圖36、圖38、圖39的各封固部件1058、1068、1069、1079。也可以使該罩1048中含有熒光材料。
            
(第四實施例)圖36所示的光裝置1005具有通過自然熔接而形成的封固部件1058。對與圖33相同的要素附加同一符號，省略其說明。
            
該封固部件1058按以下方法來形成。如圖37所示，備好由低熔點玻璃形成的筒狀體1058a，并用它來覆蓋發光元件1010與引線1021、1022的組合體1020。將其放入爐內，使筒狀體1058a軟化。其結果是，筒狀體1058a由其材料的表面張力，以透鏡狀來被覆組合體1020。
            
根據該實施例，不需要沖壓用金屬模，因此可提供廉價的光裝置。
            
(第五實施例)在圖38所示的光裝置1006中，利用不同種類的低熔點玻璃來被覆發光元件1010及引線1021、1022。此外，圖38中，對與圖33相同的要素附加同一符號，省略其說明。
            
在圖38的例子中，發光元件與前述實施例同樣，采用藍色系發光元件，用由SiO2-Nb2O5系玻璃形成的第一封固部件6108(折射率1.8，阿貝數25)，來封固發光元件1010的上側(主要的光放出方向)，且用由P2O5-F系玻璃形成的第二封固部件1069，來封固發光元件1010的下側(與主要的光放出方向相反的方向)。從提高光取出效率的觀點出發，第一封固部件1068選用高折射率材料。這樣，可由第二封固部件來緩和由此產生的制造上的限制，以便于實際上可制成。其結果，第一封固部件1068的折射率大于第二封固部件1069的折射率。此外，第一封固部件1068選用阿貝數較小的材料，且相對藍色系發光元件，實際的折射率變大。
            
圖38所示的光裝置1006，可以通過在圖32中的金屬模1025的凹部1026、1027內充填不同材料來形成。
            
此外，在采用紅色系發光元件的場合下，作為第一封固部件1068，選用折射率高且阿貝數大的材料，由此可以選出實際折射率較大的材料。比如，可選出折射率為1.8，阿貝數為45的SiO2-B2O2-La2O3系玻璃。
            
(第六實施例)在圖39所示的光裝置1007中，采用金屬薄片(Al薄片)來作為第二封固部件1079。對與圖38相同的要素附加同一符號，省略其說明。通過采用金屬材料來作為第二封固部件，可以有效地反射來自發光元件1010的光。該第二封固部件1079專門用作反射片，除了金屬薄片之外，還可采用樹脂片等。
            
該光裝置1007按以下方法來制造。如圖40所示，在發光元件1010與引線1021、1022的組合體1020的背側，粘貼金屬薄片1079。將其作為型芯來設置到金屬模1025內。此時，低熔點玻璃只充填到沖壓金屬模1025上側的凹部1026內。然后進行合模，得到圖39所示的光裝置1007。
            
在如該實施例所示，由異種材料來形成第一封固部件1068與第二封固部件1079的場合下，最好使第一封固部件的線膨脹系數值，處于第二封固部件的線膨脹系數與發光元件的線膨脹系數的中間。
            
(第七實施例)  
            
在該實施例中，采用倒裝型發光元件1100。如圖41所示，倒裝型發光元件構成為在p型層1015的整個表面，取代圖30的發光元件中的透光性電極1016及p電極1017，而層疊厚膜的p電極1101。此外，對與圖30相同的要素附加同一符號，省略其說明。
            
經由基層安裝件1110，將該倒裝型發光元件1100安裝到安裝引線1021上，且用焊接線1124來連接基層安裝件1110與副引線1022，而形成組合體1120。在該基層安裝件1110上形成有電路圖形，發光元件1100的各電極1018、1101直接或者經由焊接線1124來與引線1021、1022電連接。將該組合體1120作為型芯，與第一實施例同樣來形成封固部件1028，而獲得圖42所示的光裝置1008。這樣，在具有倒裝型發光元件的發光裝置中，在封固工序中只采用一條細致的焊接線，因而易于工序管理，且可提高制造合格率。此外，由于焊接線不靠近發光元件的發光面，因而焊接線不再對外部輻射效率產生影響。
            
以下，對與第一實施例相同的要素附加同一符號，簡化其說明。
            
對于圖41所示的倒裝型發光元件1100的組合體1120，可適用第2～第6實施例中說明的封固部件。圖42～圖45示出了該例子。此外，為簡化說明，對與前述要素相同的要素附加同一符號，省略其說明。
            
(第八實施例)在該實施例中，如圖47所示，在由AlN等形成的無機材料基片1200的表面，形成有用作電力接送單元的電路圖形1201、1202。對于該電路圖形1201、1202，倒裝型發光元件1100通過凸塊1205、1206來安裝。此外，底座1200用共晶材料來安裝到引線1021、1022上。這樣，將該組合體1220作為型芯，與第一實施例同樣來形成封固部件1028，而得到圖48所示的光裝置1009。
            
另外，對與第一實施例相同的要素附加同一符號，以簡化說明。
            
對于圖47所示的組合體1220，可適用第2～第6實施例中說明的封固部件。圖49～圖51示出了該例子。為簡化說明，對與前述要素相同的要素附加同一符號，省略其說明。
            
在所述示例中，雖然組合體1220整體由封固部件來被覆，但也可以如圖52所示，用封固部件1228來被覆發光元件1100與電路圖形1201、1202的一部分。圖53所示結構的光裝置也可以作為芯片LED來使用。
            
在該實施例的光裝置中，不存在對熱或機械性脆弱的焊接線，此外，由于裝置內不含有機材料，因而可以以更高的溫度來沖壓成形低熔點玻璃。此外，對于回流爐等內的熱處理，也達到穩定。因此易于制造，可適用的低熔點玻璃的選擇范圍也變寬。因而可提供廉價的光裝置。
            
不只限于所述的共晶材料，也可進行基于金凸塊的光學元件安裝。即使這樣，也可形成無導線且只有無機材料的穩定的裝置。
            
(第九實施例)圖54表示該實施例的光裝置的剖視圖，圖55表示它的俯視圖。
            
該光裝置1230具有倒裝型發光元件1100；AlN基片1231；金屬圖形1236及封固部件1238。
            
在本實施例中，采用了由AlN形成的基片作為基片1231，只要至少發光元件1100的安裝面由AlN等絕緣材料來形成即可。比如，也可以采用由鋁片來形成基片的基部，且在其表面層疊了AlN的基片作為基片。作為絕緣材料，除了AlN之外，也可以采用Al2O3等。
            
在基片1231上，形成有穿通孔1231、1232。
            
用金屬圖形1235、1236，來被覆基片1231的幾乎整個這裝面。在該實施例中，利用金屬化方法，來形成有金屬圖形1235、1236。因此，金屬圖形1235、1236與基片1231的結合力便強，通過增大與基片1231的接觸面積，提高二者的結合力。實施例中的金屬圖形1235、1236是在鎢上面鍍鎳而形成，發光元件安裝部及金屬圖形露出部(未實施低熔點玻璃封固的部位)是進而實施鍍金而形成。所述金屬材料，具有與基片安裝面的絕緣材料及由低熔點玻璃形成的封固部件較強的結合力。此外，玻璃與金屬材料的線熱膨脹系數大致相同(約為10～20×10-6(1/℃))，難以發生因熱收縮而引起的應力。此外，金屬圖形的形狀及形成材料，根據基片安裝面的材料及封固部件的材料來適宜地選擇。
            
金屬圖形1235、1236，是針對發光元件1100的電力接送單元。此外，也可以獨立于該電力接送單元來形成金屬圖形，而確保基片與封固部件的結合力。
            
在倒裝型發光元件1100的電極面(圖示的下側面)上，實施共晶材料鍍覆。然后，利用通用回流爐，將發光元件1100錫焊到金屬圖形1235、1236上。
            
這里，由于在發光元件1100的電極表面，大面積且薄地形成有共晶材料鍍覆層，因而對基片側的放熱性良好。此外，即使像倒裝型發光元件那樣，縮小p電極與n電極之間的間隔，也不會發生短路。
            
封固部件1238，由對發光元件1100的波長透明的低熔點玻璃來構成。作為所述低熔點玻璃，可采用從以下材料選擇的低熔點玻璃SiO2-Nb2O5系、B2O3-F系、P2O5-F系、P2O5-ZnO系、SiO2-B2O3-La2O3系、及SiO2-B2O3系。
            
封固部件1238在負壓下氮氣氛中模塑成形。
            
根據所述光裝置1230，形成封固部件1238的低熔點玻璃與形成金屬圖形1235、1236的金屬之間的粘接性高，且在該金屬與AlN基片1231之間也可確保高粘接性。因此，封固部件1238與基片1231可強固地接合，幾乎不再發生界面剝離。此外，在該光裝置中，不存在對熱或機械性脆弱的焊接線，而且裝置內不含有機材料，因而可以以更高的溫度來沖壓成型低熔點玻璃。此外，對于回流爐等內的熱處理，也達到穩定。因此易于制造，可適用的低熔點玻璃的選擇范圍也得到擴大。
            
以下，對圖56至圖64所圖示的實施方式作詳細說明。
            
(光學元件)光學元件包括發光二極管、激光二極管及其它發光元件和受光元件。光學元件的受發光波長也沒有特別限定，可采用對紫外光～綠色系光有效的III族氮化物系化合物半導體元件及對紅色系光有效的GaAs系半導體元件等。除此之外，還可以采用由SiC、AlInGaP等形成的光學元件。
            
封固部件的問題特別顯著的是放出短波長的III族氮化物系化合物半導體發光元件。這里，III族氮化物系化合物半導體的一般式表示為AIxGayIn1-x-yN(0＜x≤1，0≤y≤1，0≤x+y≤1)。包含Al的化合物，其中包括AlN的所謂二元系、以及AlxGal-xN及AlxIn1-xN(以上0＜x＜1)的所謂三元系。在III族氮化物系化合物半導體及GaN中，也可將III族元素的至少一部分置換為硼(B)、鉈(Tl)等，此外，氮(N)的至少一部分也可以置換為磷(P)、砷(As)、銻(Sb)、鉍(Bi)等。
            
此外，III族氮化物系化合物半導體也可以包含任意的摻雜劑。作為n型雜質，可采用硅(Si)、鍺(Ge)、硒(Se)、碲(Te)、碳(C)等。作為p型雜質，可采用鎂(Mg)、鋅(Zn)、鈹(Be)、鈣(Ca)、鍶(Sr)、鋇(Ba)等。此外，在摻雜了p型雜質后，可對III族氮化物系化合物半導體進行電子射線照射、等離子照射、或者由爐子加熱進行照射，但不是必須的。
            
III族氮化物系化合物半導體層由MOCVD(有機金屬氣相生長)法來形成。構成元件的全部半導體層不必一定用該MOCVD法來形成，也可以并用分子線晶體生長法(MBE法)、鹵化物系氣相生長法(HVPE法)、濺射法、離子鍍覆法等。
            
作為發光元件的構成，可采用具有MIS結、PIN結及pn結的同質結構、異質構造或雙異質結構。作為發光層，也可采用量子阱結構(單一量子阱結構或多重量子阱結構)。作為前述III族氮化物系化合物半導體發光元件，可采用以主受發光方向(電極面)作為光裝置的光軸方向的正裝型元件、以及以主受發光方向作為與光軸方向相反的方向并利用反射光的倒裝型元件。
            
III族氮化物系化合物半導體元件的外延生長溫度為1050℃左右，GaAs系半導體元件的外延生長溫度耐熱溫度為600℃以上，它們均可通過采用低熔點玻璃來進行沒有由熱引起的損傷影響的加工。
            
(無機材料基片)  
            
在本發明的光裝置中，所述光學元件被安裝到無機材料基片上。盡管無機材料基的基體材料及形狀可根據光裝置的用途來適宜選擇，但比如也可以采用AlN、Al2O3、含玻璃Al2O3等矩形片狀材料。
            
基片中至少其表面由該基體材料來形成即可。比如，可以采用由Al或Al合金來形成中心部分，且由AlN來圍繞其表面而形成的基片。
            
(金屬圖形)在無機材料基片上形成金屬圖形，且對光學元件的各電極與外部電路進行電連接，并對光學元件進行電力接送。即，在光學元件是發光元件的場合下，從外部電路向光學元件附加電力，而在光學元件是受光元件的場合下，則將光學元件所發生的電力向外部電路取出。
            
本發明的金屬圖形，除了所述電力接受功能之外，還兼有使無機系封固部件在無機材料基片上穩定地粘接的粘接層功能。由于封固部件被配置成圍繞光學元件，因而該金屬圖形也在圍繞光學元件的部位上形成，由此，可使介于封固部件與無機材料基片之間的金屬圖形的面積極大化。此外，圍繞光學元件的金屬圖形并不限定于連續體，也可以是非連續體。所述非連續體金屬圖形的所有部分，不必均承擔電力接送功能。
            
由于金屬圖形還具有對光進行反射的功能，因而通過用它來圍繞光學元件，還可具有使光學元件的光無泄漏地反射而提高光取出效率的功能。由于比如由黑色AlN形成的基片會吸收來自光學元件的光，且由Al2O3形成的基片會透過來自光學元件的光，因而通過用所述金屬圖形來圍繞光學元件，可以使來自光學元件的光向外部有效地反射。
            
金屬圖形的形成材料，根據封固部件的材質及無機材料基片的材質，來適宜選擇與它們的結合性良好的材料。金屬圖形也可以形成為多層結構。比如作為金屬圖形的形成材料，可采用W、W\Ni(在W層上層疊Ni的材料)、W\Ni\Ag(在W層上依次層疊Ni及Ag的材料)、Cu箔等。
            
這里，通過加熱，使W層如同楔子一般進入到封固部件與基片無機材料內，從而在二者之間形成強固的結合。在W層上形成了Ni層的場合下，通過加熱，在Ni層與封固部件之間產生化學鍵合，而在二者之間獲得強固的結合。
            
Ag層是提高金屬圖形的光反射效率的高反射率層，最好在光學元件的周邊部位部分地形成。此外，也可以在安裝光學元件的部分形成Au層作為結合單元。可利用該Au層來使光學元件與金屬圖形相粘接。
            
作為結合單元，可以采用Au凸塊。此外，除了Au凸塊之外，還可以采用錫焊凸塊及錫焊鍍層等基于共晶材料的安裝結合單元。
            
從降低基片的熱變形量的觀點出發，最好在基片的光學元件安裝面(表面)實質上的整個表面，形成該金屬圖形。
            
在直至基片背面為止的部位形成金屬圖形時，在基片上形成穿通孔(通孔)，并使金屬圖形材料從中通過，由此可以使基片表面的圖形與基片背面的圖形相連接。由于電氣端子從基片的光學元件安裝面向其背面一側引出，因而不必在基片的光學元件安裝面一側特地設置用于電氣端子的未由光學元件封固部件覆蓋的部位，而可由片狀封固部件來全面封固。因此可提高批量生產性。另外此時，如果基片中沒有貫通孔，則光學元件安裝面一側的光學元件封固部件不會向其背面一側外伸。
            
盡管金屬圖形的形成方法沒有特別限定，但在實施例中，在無機材料基片上絲網印刷W漿膏，再對其燒結，而在無機材料基片上形成了W金屬圖形。在該W層上鍍覆Ni層，從而形成由W\Ni組成的金屬圖形，并進行加熱處理。W\Ni\Ag，是在所鍍覆的Ni層上再鍍覆Ag。
            
也可以利用濺射法及其它周知方法，來形成這些金屬層。
            
(封固部件)無機系封固部件，如果是對光學元件的受發光波長透明且可保護光學元件的材料，則沒有特別限定，但如果考慮到光學元件的耐熱溫度為600℃左右這一事實，最好采用熔點(軟化點)比其低的低熔點玻璃。
            
作為所述低熔點玻璃，除了鉛玻璃及硫族化物玻璃之外，還可以采用SiO2-Nb2O5系、B2O3-F系、P2O5-F系、P2O5-ZnO系、SiO2-B2O3-La2O3系或SiO2-B2O3系玻璃。這些低熔點玻璃在350～600℃溫度下，均可沖壓成型。
            
也可以在封固部件中分散熒光材料。作為所述熒光材料，可采用無機系熒光材料粉體，并使其混合到低熔點玻璃中。此外，也可以在低熔點玻璃中摻雜稀土族離子，由此使其發出熒光。通過使發光元件與熒光材料適當地組合，可獲得白色光為主的任意的發光色。
            
在該封固部件與光學元件的組合中，最好將封固部件的阿貝數設為40以下，將其折射率設為1.6以上，并將光學元件的受發光波長設為546.1nm(Na的e線波長)以下。即，對于在高折射材料中發出的光的外部量子效率而言，封固材料對所發出的光的波長的折射率較高則更有利。光學材料的折射率盡管由Na的d線來定義，但一般情況下，越是短波長其折射率便越高，且折射率對光的波長的變化程度由阿貝數來表示。尤其在以往的樹脂封固中成為問題的發出短波長光的發光元件中，通過選擇Na的d線上折射率較高且對于波長的折射率變化較大的材料，可以防止因樹脂泛黃而引起的光輸出下降，而且實際上可實現由對于短波長光折射率高的材料進行的封固，可得到高的外部量子效率。
            
作為具有前述光學特性的低熔點玻璃，可舉出SiO2-Nb2O5系玻璃，其中SiO2-Nb2O5-Na2O玻璃最好。
            
將由片狀低熔點玻璃形成的封固部件重疊到光學元件上并加熱，以使其軟化，由此可用封固部件來圍繞發光元件。該加熱最好在負壓氣氛下進行，從而使空氣不能進入到封固部件與光學元件之間。通過該加熱，在低熔點玻璃與金屬圖形的界面上發生化學反應，使兩者被強固地粘接。
            
以下，通過實施例，對本發明作以說明。
            
(第十實施例)在該實施例中，作為光學元件，采用了圖56所示的倒裝型III族氮化物系化合物半導體發光元件2010。該發光元件可發出藍色系光。
            
發光元件2010各層的規格如下。
            
層  組成  
            
p型層2015p-GaNMg包含發光層的層2014   包含InGaN層n型層2013n-GaNSi緩沖層2012   AlN基片2011 藍寶石在基片2011上，隔著緩沖層12來形成由摻雜有Si這一n型雜質的GaN組成的n型層2013。這里，盡管在基片2011上采用了藍寶石，但并非限定于此，也可以采用藍寶石、尖晶石、碳化硅、氧化鋅、氧化鎂、氧化錳、硼化鋯、III族氮化物系化合物半導體單晶體等。此外，盡管采用AlN并用MOCVD法來形成緩沖層，但并非限定于此，作為材料，也可以采用GaN、InN、AlGaN、InGaN、以及AlInGaN等，作為制造方法，可采用分子線晶體生長法(MBE法)、鹵化物系氣相生長法(HVPE法)、濺射法、離子鍍覆法等。在將III族氮化物系化合物半導體用作基片的場合下，可省略該緩沖層。
            
此外，基片及緩沖層在半導體元件形成后，也可以根據需要除去。
            
這里，n型層2013由GaN來形成，但也可以采用AlGaN、InGaN或AlInGaN。
            
此外，在n型層2013中摻雜了Si來作為n型雜質，但除此之外，也可以采用Ge、Se、Te、C等來作為n型雜質。
            
包含發光層的2014層，也可以具有量子阱結構(多重量子阱結構或單一量子阱結構)，此外作為發光元件的結構，可采用單異質型、雙異質型及同質接合型的結構等。
            
包含發光層的2014層，也可以包含在p型層2015側摻雜了Mg等禁帶寬度較寬的III族氮化物系化合物半導體層。這是為了有效地防止注入到包含發光層的層2014中的電子向p型層2015擴散。
            
在包含發光層的層2014上，形成由摻雜了Mg這一p型雜質的GaN組成的p型層2015。該p型層2015也可以采用AlGaN、InGaN、或InAlGaN。此外，作為p型雜質，也可以采用Zn、Be、Ca、Sr、Ba。在p型雜質導入后，也可以利用電子射線照射、爐子加熱、等離子照射等周知的方法，來實現低電阻化。
            
在所述構成的發光元件中，各III族氮化物系化合物半導體層，在一般條件下執行MOCVD來形成，或也可以采用分子線晶體生長法(MBE法)、鹵化物系氣相生長法(HVPE法)、濺射法、離子鍍覆法等方法來形成。
            
n電極2018由Al與V這二層來構成，在形成p型層2015后，通過蝕刻來除去p型層2015、包含發光層的層2014、以及n型層2013的一部分，在由此露出的n型層2013上蒸鍍形成。
            
p電極2016通過蒸鍍而層疊在p型層2015上面。在由所述工序而形成了各層及各電極后，進行各芯片的分離工序。
            
接下來，準備安裝該發光元件2010的無機材料基片。
            
在由AlN形成的燒結前的無機材料基片2021的兩面，對含W漿膏進行絲網印刷，形成圖57所示的圖形2023、2024。如圖57(b)所示，在基片2021上形成穿通孔2025，經由該穿通孔2025，來實現安裝面(表面)的圖形2023與背面的圖形2024電結合。
            
其后，以超過1500℃的溫度來燒結AlN，同時在基片2021上燒結漿膏W。由此，W與基片被強固地結合。也可以通過濺射來形成該W。此外，也可以取代W，而采用Mo等高熔點金屬。
            
接下來，利用鍍覆法，以大約700℃的溫度，在基片2021表面側的W圖形2023上面對Ni層2026加熱，使Ni與W反應。由此，在AlN基片2021上面，強固地接合金屬圖形。
            
接下來，如圖58所示，利用金凸塊2027、2028，將發光元件2010安裝到規定位置上。并且，凸塊2027與發光元件2010的n電極2018連接，凸塊2028與發光元件2010的p電極2016連接。在圖58(a)的狀態下，發光元件2010呈現由金屬圖形2023來包圍的狀態。
            
接下來，如圖59所示，在基片2021的表面側，重疊成為封固部件的片狀低熔點玻璃，并在負壓氣氛下，對其加熱并使之熔接，從而封固發光元件2010。由此，金屬圖形表面的Ni與低熔點玻璃2029通過Ni表面的氧化物來化學鍵合，而強固地結合。此外，還可防止在封固時發生殘留氣泡。
            
此外，通過采用倒裝型元件來作為發光元件2010，可以省略焊接線，因而在這一方面也具有機械穩定性。因此可以說所述構成的光裝置適于批量生產。
            
最后，在分割線D處對基片2021進行分割，而獲得實施例中的光裝置。
            
(第十一實施例)圖60～圖63表示其它實施例的光裝置。
            
圖60是該光裝置的俯視圖。該光裝置中，基片表面(安裝面)一側的圖形被分割成第一部分(環狀部分)2103與第二部分(結合部分)2104、2105。在第一部分2103中，形成有多個孔2107。在第一部分2103中，形成有一直延伸到基片周緣為止的導電部2108。該導電部2108用于在鍍覆時附加電場。
            
第一部分2103，是與第十實施例同樣形成的W層與Ni層的層疊體，并在其上面粘貼無機系封固部件，由此，在基片2110-第一部分2103-封固部件2140之間可得到強固的結合。通過鍍覆來形成且由Cu來構成的第二部分2104、2105從第一基片2111中貫通。
            
該實施例中的基片2110，以Al2O3作為基體材料，使第一基片2111與第二基片2112貼合而成。作為各基片的基體材料，可采用AlN、含玻璃Al2O3其它無機材料，也可以使第一基片2111的基體材料與第二基片2112的基體材料相異。
            
在第一基片2111的基體材料中，形成貫通孔2107，在該孔2107的周面上，還層疊有金屬圖形即第一部分2103的金屬層。
            
在第二基片2112的表面，形成有圖62所示的金屬圖形2120、2121、212。具有切口的環狀金屬圖形2120與第一基片111的孔2107對置。該金屬圖形2120與第一金屬圖形的第一部分2103同樣，由W層與Ni層的層疊體來形成。根據如此構成的金屬圖形2120，在與進入到孔2107的底部為止的封固部件的無機系材料(低熔點玻璃等)之間，可得到充分的結合力。
            
在第二基片2112的中央形成的金屬圖形2121、2122，分別在與第一基片2111的金屬圖形中的第二部分2104、2105對置的位置上形成。在貼合了第一基片2111與第二基片2112時，金屬圖形2121、2122分別與第二部分2104、2105電結合。該金屬圖形2121、2122，是在W層與Ni層的層疊體上面還層疊有Au層的。通過設置Au層，提高金屬圖形2121、2122與第二部分2104、2105的結合性。
            
在第二基片2112中，形成有貫通孔2125、2126。在第二基片2112的背面，大面積形成金屬圖形2131、2132。第二基片2112表面側的金屬圖形2121，通過在貫通孔2125內充填的導電性金屬材料，來與背面側的金屬圖形2131電結合。由此，通過第一基片2111的表面金屬圖形2104，從金屬圖形2131向元件2010的一個電極進行電力接送。同樣，第二基片2112表面側的金屬圖形2122，通過在貫通孔2126內充填的導電性金屬材料，來與背面側的金屬圖形2132電結合。由此，通過第一基片2111的表面金屬圖形2105，從金屬圖形2132向元件2010的另一個電極進行電力接送。
            
在第二基片2112的背面形成的金屬圖形2131、2132中，分別形成有導電部2135、2136。該導電部2135、2136在金屬圖形2131、2132形成覆層時使用。
            
第二基片2112背面的金屬圖形2131、2132，是在W層與Ni層的層疊體上面還層疊Au層的。通過設置Au層，提高金屬圖形2131、2132與外部電極的結合性。貫通孔2125及2126內的金屬材料，在形成該金屬圖形2131、2132及表面側的金屬圖形2121、2122時一并形成。
            
在該實施例中，分別準備第一基片2111與第二基片2112，通過使它們結合來形成無機材料基片2110。第一基片2111與第二基片2112的結合方法沒有特別限定，也可以采用粘接劑。
            
通過對基片2110進行分割，可在分割面上形成金屬圖形，因而電路設計的自由度提高。此外，如果孔2107從基片2110中貫通，則根據封固部件的材料性質，有可能與支撐基片2110的下模相粘接，而有難以脫模之虞。在該實施例中，孔2107如果有底，則可預防封固部件的材料與下模接觸。此外，如果孔2107貫通，則用于排除封固部件與基片表面之間的空氣的負壓將在整個基片上分布。而孔2107如果有底，則即使在封固部件與基片之間殘存空氣，該空氣也會流入該孔，因而可防止在封固部件與基片之間發生氣泡。這里，在第一基片2111上形成的貫通孔的一個開口部被第二基片2112堵塞，而形成有底孔2107，這與在一個片狀基片上穿設有底孔相比，具有良好的批量生產性。
            
由無機系透光性材料形成的封固部件2140在基片2110的表面被覆。封固部件2140的材料與基片2110的表面金屬圖形2103強固結合，在該實施例中，封固部件2140的材料一直進入到孔2107中為止，該封固部件2140的材料與基片2110物理性卡合。這樣，即使在封固部件2140與基片2110之間，熱膨脹系數有較大差異，兩者的變形也被物理性地抑制，可以可靠地防止封固部件2140從基片2110上剝離。
            
這樣，通過在被覆封固部件的基片表面設置凹凸，封固部件與基片可以物理性地卡合，因而可以可靠地防止封固部件從基片上剝離。作為該凹凸，除了實施例中的有底孔之外，也可以采用溝及貫通孔。此外，通過形成粗糙的基片面(Ra＝0.5μm以上)，可獲得兩者的物理性卡合。如果在基片上形成粗糙的基體材料表面，即使在其上面形成金屬圖形，該粗糙度也會反映到金屬圖形表面。此外，通過只在金屬圖形2103上設置孔，即通過使金屬圖形2103比如形成為格狀，也可以形成該凹凸。
            
即使在不經由任何金屬圖形，直接在無機材料基片的基體材料上被覆由無機系透光性材料形成的封固部件的場合下，該凹凸的作用也有效。
            
圖64表示在第十實施例中光學元件的基片上穿設了有底孔2257的例子。如該圖64及圖60所示，孔即凹凸最好在基片面上均勻地分配。這是為了在整個基片面上確保封固材料與凹凸的卡合，防止兩者的剝離。
            
以下，對圖65至圖74所圖示的實施方式作詳細說明。
            
(光學元件)光學元件包括發光二極管、激光二極管及其它發光元件和受光元件。光學元件的受發光波長也沒有特別限定，可采用對紫外光～綠色系光有效的III族氮化物系化合物半導體元件及對紅色系光有效的GaAs系半導體元件等。除此之外，還可以采用由SiC、AlInGaP等形成的光學元件。
            
封固部件的問題特別顯著的是輻射短波長的III族氮化物系化合物半導體發光元件。這里，III族氮化物系化合物半導體的一般式表示為AIXGaYIn1-X-YN(0＜X≤1，0≤Y≤1，0≤X+Y≤1)。包含Al的元素的化合物，其中包括AlN的所謂二元系、以及AlxGal-xN及AlxIn1-xN(以上中0＜x＜1)的所謂三元系。在III族氮化物系化合物半導體及GaN中，也可以將III族元素的至少一部分置換為硼(B)、鉈(Tl)等，此外，氮(N)的至少一部分也可以置換為磷(P)、砷(As)、銻(Sb)、鉍(Bi)等。
            
此外，III族氮化物系化合物半導體也可以包含任意的摻雜劑。作為n型雜質，可采用硅(Si)、鍺(Ge)、硒(Se)、碲(Te)、碳(C)等。作為p型雜質，可采用鎂(Mg)、鋅(Zn)、鈹(Be)、鈣(Ca)、鍶(Sr)、鋇(Ba)等。此外，在摻雜了p型雜質后，可對III族氮化物系化合物半導體進行電子射線照射、等離子照射，或者由爐子加熱進行照射，但不是必須的。
            
III族氮化物系化合物半導體層由MOCVD(有機金屬氣相生長)法來形成。構成元件的全部半導體層不必一定用該MOCVD法來形成，也可以并用分子線晶體生長法(MBE法)、鹵化物系氣相生長法(HVPE法)、濺射法、離子鍍覆法等。
            
作為發光元件的構成，可采用具有MIS結、PIN結及pn結的同質結構、異質構造或雙異質結構。作為發光層，也可采用量子阱結構(單一量子阱結構或多重量子阱結構)。作為前述III族氮化物系化合物半導體發光元件，可采用以主受發光方向(電極面)作為光裝置的光軸方向的正裝型元件、以及以主受發光方向作為與光軸方向相反的方向并利用反射光的倒裝型元件。
            
III族氮化物系化合物半導體元件的外延生長溫度為1050℃左右，此外GaAs系半導體元件的外延生長溫度耐熱溫度為600℃左右，它們均可通過采用低熔點玻璃，來進行沒有由熱引起的損傷影響的加工。
            
(無機材料基片)在本發明的光裝置中，所述光學元件被安裝到無機材料基片上。盡管無機材料基片的基體材料及形狀可根據光裝置的用途來適宜選擇，但也可以采用比如AlN、Al2O3、含玻璃Al2O3等矩形片狀材料。
            
基片中至少其表面由該基體材料來形成就可。比如，可以采用以下構成的基片用Al或Al合金來形成中心部分，且用AlN來包圍其表面。
            
(金屬圖形)在無機材料基片上形成第一金屬圖形及第二金屬圖形。
            
第一金屬圖形對光學元件的各電極與外部電路進行電連接，并對光學元件進行電力接送。即，在光學元件是發光元件的場合下，從外部電路向光學元件附加電力，而在光學元件是受光元件的場合下，則將光學元件所發生的電力向外部電路取出。
            
第二金屬圖形具有使無機系封固部件在無機材料基片上穩定粘接的粘接層的功能。由于封固部件被配置成圍繞光學元件，因而該第二金屬圖形也被配置成圍繞安裝光學元件的第一金屬圖形，由此，可使處于封固部件與無機材料基片之間的第二金屬圖形的面積極大化。此外，第二金屬圖形并非限定于連續體，也可以是非連續體。
            
第一金屬圖形與第二金屬圖形可以是連續的，但如果第一金屬圖形與第二金屬圖形被絕緣，則通過獨立地附加電場，可將最適合各功能的材料進行電場鍍覆。
            
由于金屬層還具有對光進行反射的功能，因而通過用第一金屬圖形與第二金屬圖形來圍繞光學元件，還可具有使光學元件的光無泄漏地反射而提高光取出效率的功能。比如由于由黑色AlN形成的基片會吸收來自光學元件的光，且由Al2O3形成的基片會透過來自光學元件的光，因而通過用所述金屬圖形來圍繞光學元件，可以使來自光學元件的光向外部有效地反射。
            
為提高光的反射效率，最好將靠近光學元件形成的第一金屬圖形的表面，設置成Ag等高反射率金屬層。
            
第一金屬圖形的形成材料，有必要使其表面層適合于光學元件結合用的結合材料。比如，在采用Au凸塊來作為結合材料時，用Au及Ag來形成第一金屬圖形的表面層。從提高生產性的觀點出發，最好用與第二金屬圖形相同的材料來形成該表面層之外的層。
            
作為用于結合光學元件與基片的結合材料，除了所述Au凸塊之外，還可以采用錫焊凸塊及錫焊鍍覆等共晶材料。
            
由于Ag層具有較高的光反射率，因而最好在第一金屬圖形中，在光學元件的周邊部位部分地形成。
            
第二金屬圖形的形成材料，根據封固部件的材質及無機材料基片的材質，來適宜選擇與它們的結合性良好的材料。金屬圖形也可以將其形成多層結構。比如，作為金屬圖形的形成材料，可采用W、W\Ni(在W層上層疊了Ni的材料)、W\Ni\Ag(在W層上依次層疊了Ni及Ag的材料)、Cu箔(可通過氧化物，得到與含玻璃Al2O3基片的粘接強度，該基片具有13×10-6(1/℃)這一與無機系封固部件接近的熱膨脹系數)等。
            
這里，通過加熱，使W層如同楔子一般進入到封固部件與基片無機材料內，而在二者之間形成強固的結合。在W層上面形成Ni層的場合下，通過加熱，可在Ni層與封固部件之間產生化學鍵合，而在兩者之間得到強固的結合。
            
第二金屬圖形的表面，最好采用與軟化狀態封固部件的濡濕性良好的材料。作為所述材料，可舉出Ni、Cr、Ti、Cu或它們的合金的至少一種。
            
接合基片表面與封固部件的第二金屬圖形，最好在基片表面上形成盡量大的面積。
            
最好利用具有封固部件(熱膨脹系數小)與無機材料基片(熱膨脹系數大)的各熱膨脹系數中間的熱膨脹系數的材料，在基片表面形成占據大面積的第二金屬圖形。由此，封固部件與無機材料基片的各熱膨脹系數的差異可得到緩和。從用封固部件來被覆光學元件時的高溫狀態，將其冷卻到常溫時，封固部件與無機材料基片便按各自的熱膨脹系數來收縮，但如果兩者的熱膨脹系數的差異較大，則基片便可能變形，或者封固部件會從基片上剝離。通過在兩者之間插設具有其中間熱膨脹系數的第二金屬圖形，便可以緩和基于兩者的熱膨脹系數差異的應力。
            
當封固部件采用低熔點玻璃且基片采用AlN時，各熱膨脹系數為低熔點玻璃為17.3×10-6/℃，AlN為4.5×10-6/℃。在該場合下，Ni(熱膨脹系數12.8×10-6/℃)具有中間值，最好用作這些金屬圖形的形成材料。
            
從降低基片的熱變形量的觀點出發，最好在基片的光學元件安裝面(表面)上，大范圍形成該第二金屬圖形。此外，更好的是在基片的背面，也大范圍形成由同一或同種材料形成的金屬圖形，而抑制基片的熱變形量。
            
在直至基片背面為止的部位延長形成基片表面的金屬圖形材料時，在基片上設置穿通孔(通孔)，而使金屬圖形材料從中通過，由此可以使基片表面的圖形與基片背面的圖形相連接。由于電氣端子從基片的光學元件安裝面向其背面一側引出，因而不必在基片的光學元件安裝面一側特地設置用于電氣端子的未由光學元件封固部件覆蓋的部位，可由片狀封固部件來全面封固。因此，可提高批量生產性。此時，如果基片中沒有貫通孔，則光學元件安裝面一側的光學元件封固部件便不會向其背面一側外伸。此外，如果在光學元件的安裝位置形成該穿通孔，則光學元件的熱量便可通過穿通孔內的金屬圖形材料而向外部放出。由此可提高放熱效率，尤其適于發熱量大的III族氮化物系化合物半導體發光元件。
            
盡管第一及第二金屬圖形的形成方法沒有特別限定，但在實施例中，在無機材料基片上絲網印刷W漿膏，并對其燒結，而在無機材料基片上形成了W金屬圖形。在該W層上鍍覆Ni層，而形成由W\Ni組成的金屬圖形，并進行加熱處理。W\Ni\Ag，是在所鍍覆的Ni層上再鍍覆Ag。
            
也可以利用濺射法及其它周知方法，來形成這些金屬層。
            
也可以在不要求復雜且正確的圖形形狀的基片的背面，粘接Cu箔之類的金屬薄膜。
            
(封固部件)無機系封固部件，如果是對光學元件的受發光波長透明且可保護光學元件的材料，則沒有特別限定，但如果考慮到光學元件的耐熱溫度為600℃左右這一事實，最好采用熔點(軟化點)低于該溫度的低熔點玻璃。
            
作為所述低熔點玻璃，除了鉛玻璃及硫族化物玻璃之外，還可以采用SiO2-Nb2O5系、B2O3-F系、P2O5-F系、P2O5-ZnO系、SiO2-B2O3-La2O3系或SiO2-B2O3系玻璃。這些低熔點玻璃在350～600℃溫度下，均可沖壓成形。
            
也可以在封固部件中分散熒光材料。作為所述熒光材料，可采用無機系熒光材料粉體，并使其混合到低熔點玻璃中。此外，也可以在低熔點玻璃中摻雜稀土族離子，由此使其發熒光。通過使發光元件與熒光材料適當地組合，可獲得白色光為主的任意的發光色。
            
在該封固部件與光學元件的組合中，最好將封固部件的阿貝數設為40以下，將其折射率設為1.6以上，并將光學元件的受發光波長設為546.1nm(Na的e線波長)以下。即，對于在高折射材料中所發出的光的外部量子效率而言，封固材料對所發出的光的波長的折射率較高則更有利。光學材料的折射率盡管由Na的d線來定義，但一般情況下，越是短波長其折射率便越高，且折射率對光的波長的變化程度由阿貝數來表示。尤其在以往的樹脂封固中成為問題的發出短波長光的發光元件中，通過選擇Na的d線上折射率較高且折射率對波長的變化較大的材料，可以防止因樹脂泛黃而引起的光輸出下降，而且實際上可實現由對于短波長光折射率高的材料進行的封固，且可得到高的外部量子效率。
            
作為具有前述光學特性的低熔點玻璃，可舉出SiO2-Nb2O5系玻璃，其中SiO2-Nb2O5-Na2O玻璃最好。
            
將由片狀低熔點玻璃形成的封固部件重疊到光學元件上并加熱，以使其軟化，由此可使封固部件包圍發光元件。該加熱最好在負壓氣氛下進行，從而使空氣不能進入到封固部件與光學元件之間。通過該加熱，在低熔點玻璃與第二金屬圖形的界面中發生化學反應，使兩者強固粘接。
            
在與光學元件重疊的軟化狀態下的封固部件上，可形成凹凸。比如，沿著無機材料基片的分割線，在封固部件上設置凹部(薄壁部)，由此可使分割作業變容易。這樣，封固部件中，與芯片對應的凸部及沿著分割線的凹部便形成為細格狀。這樣，熱變形不對應于凹凸部形成前的片狀尺寸，而對應于細格狀尺寸，因而可減小封固部件的熱變形，即使封固部件與基片之間存在較大的熱膨脹系數差，基片-封固部件之間也不會發生剝離，可進一步緩和基片翹曲的問題。
            
通過使封固部件的凸部形成為凸透鏡狀，可使來自發光元件的光向光軸方向集中。此外，還可使來自外部的光相對受光元件集中。在該場合下，作為封固部件的材料，最好采用高折射率材料。
            
最好在負壓狀態下，將軟化狀態的封固部件貼合到光學元件上。這樣可以防止空氣被封閉在封固部件的內部。可在將片狀封固部件貼合到光學元件上后，在封固部件保持軟化狀態的期間或者再加熱而使封固部件軟化，并利用沖壓成型來形成封固部件的凹凸。
            
以下利用實施例，對本發明作以說明。
            
(第十二實施例)在該實施例中，作為光學元件，采用了圖65所示的倒裝型III族氮化物系化合物半導體發光元件3010。該發光元件可發出藍色系的光。
            
發光元件3010各層的規格如下。
            
層組成p型層3015 p-GaNMg包含發光層的層3014包含InGaN層n型層3013 n-GaNSi緩沖層3012AlN基片3011  藍寶石在基片3011上，隔著緩沖層3012，來形成由摻雜有Si這一n型雜質的GaN組成的n型層3013。這里，盡管在基片3011上采用了藍寶石，但并非限定于此，也可以采用藍寶石、尖晶石、碳化硅、氧化鋅、氧化鎂、氧化錳、硼化鋯、III族氮化物系化合物半導體單晶體等。此外，盡管采用AlN，并用MOCVD法來形成緩沖層，但并非限定于此，作為材料，也可以采用GaN、InN、AlGaN、InGaN、以及AlInGaN等，作為制造方法，可采用分子線晶體生長法(MBE法)、鹵化物系氣相生長法(HVPE法)、濺射法、離子鍍覆法等。在將III族氮化物系化合物半導體用作基片的場合下，可省略該緩沖層。
            
此外，基片及緩沖層在半導體元件形成后，也可以根據需要而除去。
            
這里，n型層3013由GaN來形成，但也可以采用AlGaN、InGaN或AlInGaN。
            
此外，在n型層3013中摻雜了Si來作為n型雜質，但除此之外，也可以采用Ge、Se、Te、C等來作為n型雜質。
            
包含發光層的3014層，也可以包含量子阱結構(多重量子阱結構或單一量子阱結構)，此外作為發光元件的結構，可采用單異質型、雙異質型及同質接合型的結構。
            
包含發光層的3014層，也可以包含在p型層3015側摻雜了Mg等禁帶寬度較寬的III族氮化物系化合物半導體層。這是為了有效地防止注入到包含發光層的層3014中的電子向p型層3015擴散。
            
在包含發光層的3014層上，形成由摻雜了Mg這一p型雜質的GaN組成的p型層3015。該p型層3015也可以為AlGaN、InGaN、或InAlGaN。此外，作為p型雜質，也可以采用Zn、Be、Ca、Sr、Ba。在p型雜質導入后，也可以利用電子射線照射、爐子加熱、等離子照射等周知的方法，來實現低電阻化。
            
在所述構成的發光元件中，各III族氮化物系化合物半導體層，在一般條件下執行MOCVD來形成，也可以用分子線晶體生長法(MBE法)、鹵化物系氣相生長法(HVPE法)、濺射法、離子鍍覆法等方法來形成。
            
n電極3018由Al與V這二層來構成，在形成p型層3015后，通過蝕刻來除去p型層15、包含發光層的3014層以及n型層3013的一部分，在由此露出的n型層3013上蒸鍍形成。
            
p電極3016通過蒸鍍在p型層3015上面層疊。在由所述工序而形成了各層及各電極后，實施各芯片的分離工序。
            
接下來，準備安裝該發光元件3010的無機材料基片。
            
實施例的無機材料基片3021的基體材料是AlN，在其上下面形成有金屬圖形3023、3024。上面側的圖形3023如圖66所示，由第一金屬圖形3025n、3025p及第二金屬圖形26來構成。第一金屬圖形3025n通過Au凸塊3027，來與光學元件3010的n電極3018連接，第一金屬圖形3025p通過Au凸塊3028，來與光學元件的p電極3016連接。第一金屬圖形25n如圖67所示，經由從無機材料基片3021的基體材料中穿設的穿通孔3031，來與基片背面的金屬圖形3024n電連接。同樣，第一金屬圖形3025p，經由穿通孔3032來與基片背面的金屬圖形3024p電連接。各穿通孔3031、3032如圖68(圖67的主要部分放大圖)所示，用基于鍍覆的Cu來充填。
            
第二金屬圖形3026形成于與第一金屬圖形3025n、3025p相隔且包繞它的環狀區。
            
背面側的金屬圖形3024n及3024p如圖69所示，最好盡量以大面積來形成。這樣，使由具有封固部件與基片中間的熱膨脹系數的金屬材料形成的大面積圖形與基片3021的背面相結合，由此，可使附加熱過程時的基片3021的變形量接近于封固部件3029的變形量。這樣，可以更可靠地防止基片3021的翹曲及封固部件-基片間的剝離。
            
各金屬圖形按以下方法形成。首先，通過絲網印刷等，在形成貫通孔的燒結之前的無機材料基片3021的兩面以及形成穿通孔的貫通孔上，涂布含有W的漿膏。然后，以超過1500℃的溫度來燒結AlN，同時將漿膏內的W燒結到基片3021上。由此，使W與基片強固結合。也可以通過濺射法來形成該W。此外也可以取代W，而采用Mo等高熔點金屬。
            
接下來，在W圖形上面用鍍覆法來形成Ni層，并以約700℃的溫度來加熱，使Ni與W起反應。由此，使金屬圖形在AlN基片3021上強固地接合。
            
Ni與由無機透光性材料形成的封固部件強固地化學鍵合。此外，由于軟化狀態的封固部件無機系材料對Ni的濡潤性良好，因而該封固部件材料可與第二電極圖形全面接觸，而可防止發生氣泡，且兩者之間可得到強固的結合力。
            
在第一金屬圖形3025n、3025p中，最好可在Ni層上良好地進行基于Au凸塊的焊接，且可形成高反射率的Ag層。此外，如果發光元件在底面形成反射面，則可以只考慮基于Au凸塊的焊接性，比如對于藍色發光元件而言，也可以在Ni層上面形成Au層。
            
由于在第一金屬圖形3025n、3025p正下方的位置上形成有穿通孔3031、3032，因而可經由該穿通孔內的金屬材料，使光學元件10的熱量有效地向外部(基片3021的背面)放出。
            
接下來，如圖67所示，利用金凸塊3027、3028，將發光元件3010安裝到規定位置上。并且，凸塊3027與發光元件3010的n電極3018連接，凸塊3028與發光元件3010的p電極3016連接。在圖66的狀態下，發光元件3010呈現由第一金屬圖形3025n及3025p來圍繞的狀態。
            
接下來，如圖67所示，在基片3021的表面側，重疊成為封固部件的片狀低熔點玻璃，并在負壓氣氛下，對其加熱并使之熔接，而封固發光元件3010。由此，金屬圖形表面的Ni與低熔點玻璃3039通過Ni表面的氧化物來化學鍵合，而強固地結合。此外，可防止在封固時發生殘留氣泡。
            
最好在片狀低熔點玻璃軟化時進行沖壓加工，從而在其上形成凹凸。通過使封固部件3039的凹部與基片3021的分割線3037(凹口)相一致，可使基片的分割作業變容易。封固部件3039的凸部最好為透鏡狀，而提高光取出效率。
            
在所述的一系列制造工序中，發光元件3010與第一金屬圖形3025n、3025p由熔點高于加工溫度的金凸塊3027、3028來連接，因而在封固溫度下，凸塊3027、3028不會軟化。這樣，在封固作業中，即使對發光元件施加了力，發光元件3010也不會從規定的位置偏離。此外，通過采用倒裝型元件來作為發光元件3010，可以省略焊接線，因而在這一點上還具有機械穩定性。因此可以說所述構成的光裝置可適于批量生產。
            
此外，占據金屬圖形的大部分膜厚的Ni層的熱膨脹系數為12.8×10-6/℃，成為AlN的熱膨脹系數(4.5×10-6/℃)與低熔點玻璃303039的熱膨脹系數(17.3×10-6/℃)的中間值。
            
這樣，通過使金屬圖形處于無機系封固部件3039與無機材料基片3021之間，除了可使封固部件3039與基片3021強固地結合，還可緩和因封固部件3039與基片3021的各熱膨脹系數之差而引起的應力。由此，可以可靠地防止基片3021產生翹曲及裂紋或者封固部件3039與基片3021發生剝離。
            
最后，在分割線3037處對基片3021進行分割，而獲得實施例中的光裝置。
            
圖70～圖73表示該實施例的變形方式。在圖70～圖73中，對與圖22相同的要素附加同一符號，省略其說明。
            
在圖69的光裝置中，第二金屬圖形3041呈矩形環狀。
            
在圖70的光裝置中，第二金屬圖形43為非連續體。
            
在圖72的示例中，作為倒裝型發光元件的基片，取代藍寶石基片，而采用了GaN基片3011a或SiC。由于所述元件用基片具有高于藍寶石基片的高折射率，因而通過將其與高折射率封固部件(低熔點玻璃等)相組合，可以提高光取出效率。
            
通過在GaN基片3011a的周緣部設置倒角，進一步提高光學元件3010的光取出效率。
            
此外，在圖72的示例中，作為無機材料基片3051的基體材料，采用了熱膨脹系數大于AlN的廉價Al2O3(熱膨脹系數6.7×10-6)。
            
在圖73的示例中，作為無機材料基片3061的基體材料，采用了含有玻璃的Al2O3。這樣，在基片3061上全面粘接了Cu箔。在貫通孔3031及3032內，通過鍍覆來充填了Cu。以1000℃來加熱所述無機材料基片3061時，Cu便與Al2O3化學鍵合。通過在含玻璃Al2O3基片的背面大范圍形成熱膨脹率與玻璃相同的Cu層，可以防止基片產生翹曲及封固部件-基片之間發生剝離。
            
第一金屬圖形與第二金屬圖形具有相同的基底(Cu箔)，且通過只在發光元件的安裝區域3025n、3025p內鍍覆Ag及Au而形成。這可以通過掩蔽第二金屬圖形區域來容易地形成。
            
此外，比如也可以在同一基底Cu箔上鍍覆Ni，并對藍色發光元件用作第二金屬圖形的反射層。這樣，即使不分離第一金屬圖形3025n、3025p與第二金屬圖形3026也行。
            
(第十三實施例)圖74表示該實施例的光裝置。該實施例中所用的發光元件3100是在上下都有電極的類型，其結果是需要焊接線3101。
            
在由AlN形成的無機材料基片3110中，形成穿通孔3111，在該穿通孔3111內，通過鍍覆充填有Cu。在基片3110的兩面大范圍形成由W\ni構成的金屬圖形。該金屬圖形的形成方法與實施例12相同。
            
從提高熱取出效率的觀點出發，在穿通孔3111之上面的第一金屬圖形3113a上，安裝發光元件3110的一個電極。焊接線3101從另一個電極引出，并焊接到第二金屬圖形3113b上。
            
此外，備好由低熔點玻璃形成的片狀隔離片3120。在該隔離片3120上，形成有從發光元件3100及焊接線3101中通過的孔，可對它們不產生任何干擾地將隔離片3120在基片3110上重疊(圖74的狀態)。在該狀態下，安裝由低熔點玻璃構成的封固部件3130。此時，盡管焊接線3101可能因封固部件的材料而發生變形，但該變形可由隔離片3120來限制。因此，可預防焊接線3101的切斷及短路。
            
此外，從保護焊接線3101的觀點出發，隔離片3120最好一直包繞到焊接線3101的下側為止。
            
以下，詳細說明圖75至圖83所示的實施方式。
            
(發光元件)發光元件包括發光二極管、激光二極管及其它發光元件。發光元件的發光波長也沒有特別限定，可采用對紫外光～綠色系光有效的III族氮化物系化合物半導體元件及對紅色系光有效的GaAs系半導體元件等。此外，也可以采用由SiC、AlInGaP等形成的發光元件。
            
在上述中，提到了具有絕緣性基片的III族氮化物系化合物半導體發光元件存在排熱的課題，而且在將該發光元件用作比如白色光源的場合下，特別要求高輸出性。
            
這里，III族氮化物系化合物半導體的一般式表示為AIXGaYIn1-X-YN(0＜X≤1，0≤Y≤1，0≤X+Y≤1)。包含Al的化合物，其中包括AlN的所謂二元系、以及AlxGal-xN及AlxIn1-xN(以上中0＜x＜1)的所謂三元系。在III族氮化物系化合物半導體及GaN中，也可以將III族元素的至少一部分置換為硼(B)、鉈(Tl)等，此外，氮(N)的至少一部分也可以置換為磷(P)、砷(As)、銻(Sb)、鉍(Bi)等。
            
此外，III族氮化物系化合物半導體也可以包含任意的摻雜劑。作為n型雜質，可采用硅(Si)、鍺(Ge)、硒(Se)、碲(Te)、碳(C)等。作為p型雜質，可采用鎂(Mg)、鋅(Zn)、鈹(Be)、鈣(Ca)、鍶(Sr)、鋇(Ba)等。此外，在摻雜了p型雜質后，可對III族氮化物系化合物半導體進行電子射線照射、等離子照射，或者由爐子加熱進行照射，但不是必須的。
            
III族氮化物系化合物半導體層由MOCVD(有機金屬氣相生長)法來形成。構成元件的全部半導體層不必一定用該MOCVD法來形成，也可以并用分子線晶體生長法(MBE法)、鹵化物系氣相生長法(HVPE法)、濺射法、離子鍍覆法等。
            
作為發光元件的構成，可采用具有MIS結、PIN結及pn結的同質結構、異質構造或雙異質結構。作為發光層，也可采用量子阱結構(單一量子阱結構或多重量子阱結構)。作為所述III族氮化物系化合物半導體發光元件，可采用以主發光方向(電極面)作為發光裝置的光軸方向的正裝型元件、以及以主發光方向作為與光軸方向相反的方向并利用反射光的倒裝型元件。
            
(基層安裝件)如果基層安裝件的基體材料的導熱性較高，則可根據發光裝置的用途來適宜選擇。比如可選擇AlN、Al2O3、SiC、Si3N4、Si等無機材料。
            
形成基層安裝件的無機材料具有處于發光元件的半導體材料與引線框的金屬材料中間的熱膨脹率。因此，即使在發光裝置的制造工序中附加了較大的熱過程(比如將基層安裝件錫焊到第一及第二引線框上等)，也可以緩和發光元件與引線框的熱膨脹率所引起的應力。
            
基層安裝件的形狀為其一端可設置到形成于第一引線框的第一凹部內，且另一端可設置到形成于第二引線框的第二凹部內。
            
在采用了倒裝型發光元件的場合下，由于可以省略導線，因而可向發光元件附加大電流。其結果，可以使發光元件高亮度發光的同時，發光元件的熱量也可有效地發散。此外，通過省略導線，可以提高發光裝置的耐沖擊性。
            
取代導線，而在基層安裝件上形成穿通孔及金屬邊等配線圖形。借助于該配線圖形，安裝在基層安裝件上面的發光元件的各電極與第一引線框及第二引線框電連接。金屬圖形的形成材料，其表面層有必要適應于與發光元件結合用的結合材料。比如，在采用Au凸塊來作為結合材料時，用Au及Ag來形成金屬圖形的表面層。
            
并且，作為用于結合發光元件與基層安裝件的配線圖形的結合材料，除了所述Au凸塊之外，還可以采用錫焊凸塊及錫焊鍍覆等共晶材料。
            
(第一引線框，第二引線框)在第一引線框的一端形成第一凹部，在第二引線框的一端形成第二凹部。第一凹部及第二凹部可通過以下方法來形成，即分別在第一及第二引線框，在厚度方向通過切削或蝕刻來形成溝。此外，也可以通過沖壓第一及第二引線框的材料，來分別形成第一及第二凹部。此外，還可以在第一及第二引線框的表面設置凸部，且將該凸部所圍繞的部分作為凹部。
            
這些凹部成為基層安裝件的托座，其形狀及深度根據基層安裝件來適宜設計。
            
將基層安裝件的一端設置到所述第一凹部內，將另一端設置到第二凹部內，且利用由金屬共晶材料構成的焊料(比如Pb-Sn、Au-Sn等)或Ag漿膏等，對基層安裝件和第一及第二引線框進行機械固定。
            
通過縮小基層安裝件與第一及第二凹部周壁之間的間隙，比如在該基層安裝件與第一及第二凹部實際上處于嵌合的狀態時，基層安裝件的安裝位置穩定，且由此可防止發光元件的位置偏移。這樣，用透鏡狀封固部件來封固發光元件時的配光特性便達到穩定。
            
此外，在設置到第一凹部與第二凹部上的狀態下，如果使基層安裝件與第一及第二引線框實際上設為同一高度，則易于控制從發光元件向側方發出的光，且可提高光取出效率。
            
此外，基層安裝件與第一及第二引線框實際上是同一高度，且基層安裝件與第一及第二引線框之間的間隙小(嵌合狀態)，即兩者實際上處于同一平面時，還可提高基于引線框的反射效率。
            
以下，對本發明的實施例作以說明。
            
發光元件10是III族氮化物系化合物半導體發光元件。圖75典型地表示其結構。如圖75所示，發光元件4010構成為在藍寶石基片上層疊多個III族氮化物系化合物半導體層。發光元件4010各層的規格如下。
            
層組成p型層4015 p-GaNMg包含發光層的層4014包含InGaN層n型半導體層4013   n-GaNSi緩沖層4012AlN基片11藍寶石在基片4011上，隔著緩沖層4012，來形成由摻雜有Si這一n型雜質的GaN組成的n型半導體層4013。這里，盡管在基片4011上采用了藍寶石，但并非限定于此，也可以采用藍寶石、尖晶石、硅、碳化硅、氧化鋅、磷化鎵、砷化鎵、氧化鎂、氧化錳、III族氮化物系化合物半導體單晶體等。此外，盡管采用AlN并用MOCVD法來形成緩沖層，但并非限定于此，作為材料，可采用GaN、InN、AlGaN、InGaN、以及AlInGaN等，作為制造方法，可采用分子線晶體生長法(MBE法)、鹵化物系氣相生長法(HVPE法)、濺射法、離子鍍覆法、電子簇射法等。在將III族氮化物系化合物半導體用作基片的場合下，可省略該緩沖層。
            
此外，基片及緩沖層在半導體元件形成后，也可以根據需要而除去。
            
這里，n型半導體層4013由GaN來形成，但也可以采用AlGaN、InGaN或AlInGaN。
            
此外，在n型半導體層4013中摻雜了Si來作為n型雜質，但除此之外，也可以采用Ge、Se、Te、C等來作為n型雜質。
            
n型半導體層4013，也可以是由包含發光層的層4014一側的低電子濃度n層與緩沖層12一側的高電子濃度n+層構成的雙層結構。
            
包含發光層的層4014，也可以包含量子阱結構(多重量子阱結構或單一量子阱結構)，此外，作為發光元件的結構，可采用單異質型、雙異質型及同質接合型的結構。
            
包含發光層的層4014，也可以包含在p型半導體層4015側摻雜了鎂等受主的禁帶寬度較寬的III族氮化物系化合物半導體層。這是為了有效地防止注入到包含發光層的層4014中的電子向p型層4015擴散。
            
在包含發光層的層4014上，形成由摻雜了Mg這一p型雜質的GaN組成的p型半導體層4015。該p型半導體層4015也可以為AlGaN、InGaN或InAlGaN。此外，作為p型雜質，也可以采用Zn、Be、Ca、Sr、Ba。
            
進而，p型半導體層4015，也可以是由包含發光層的層4014一側的低空穴濃度p-層與電極側的高空穴濃度p+層構成的雙層結構。
            
在所述構成的發光二極管中，各III族氮化物系化合物半導體層，在一般條件下可執行MOCVD來形成，也可以采用分子線晶體生長法(MBE法)、鹵化物系氣相生長法(HVPE法)、濺射法、離子鍍覆法、電子簇射法等方法來形成。
            
n電極4018由Al與V這二層來構成，在形成p型半導體層4015后，通過蝕刻來除去p型半導體層4015、包含發光層的層4014以及n型半導體層4013的一部分，并利用蒸鍍形成在n型半導體層4013上面。
            
p電極4016是含金的膜狀，在p型半導體層4015上面通過蒸鍍來層疊。
            
在由所述工序而形成了各半導體層及各電極后，進行各芯片的分離工序。
            
基層安裝件4020如圖76A所示，是由AlN構成的絕緣性片狀部件，在其上側表面形成表面電極4021、4022，在背面側形成背面電極4023、4024。通過依次層疊鈦、Ni及Au，來形成這些電極4021、4022、4023、4024，并由穿通孔4025(充填有導電性金屬)來導通。
            
在本實施例的基層安裝件4020中，由穿通孔來導通表面電極4021、4022與背面電極4023、4024，但也可以在基層安裝件4020的側面形成金屬層(金屬邊)，從而使兩者導通。
            
發光元件4010的n電極，經由Au凸塊4031來與表面電極4021電連接，p電極經由Au凸塊4032來與表面電極4022電連接。也可以取代凸塊，而采用錫焊球。
            
在第一引線框4041與第二引線框4042相互對置的端緣處，通過切削分別形成有溝4043、溝4044。各溝4043、4044的形狀為幾乎無間隙地嵌入基層安裝件4020的兩端，由此來規定基層安裝件4020的位置。第一及第二引線框4041、4042與基層安裝件4020，是利用焊錫(Sn-Ag系焊膏焊錫等)4035來固定。
            
在本實施例中，對溝4043及溝4044的深度進行了調整，從而使第一及第二引線框4041、4042的表面與基層安裝件4020的表面幾乎處于同一高度。這樣，便易于控制從發光元件4010發出的光(尤其是向側面發出的光)。
            
此外，也可以構成為加深溝的深度，且由溝的側壁來反射從發光元件4010發出的光。
            
其后，如圖77所示，用封固部件4051被覆發光元件4010，從而形成實施例的發光裝置4050。通過將熒光材料混合到封固部件4051中，可以得到白色等任意的發光色。根據發光裝置的用途等，從可使來自發光元件的光透過的材料中，適宜選擇封固部件4051。比如，可以由環氧樹脂、聚酰亞胺、硅彈性體等有機材料及低熔點玻璃等無機材料來形成。在本實施例中，用耐回流的亞胺系樹脂來形成封固部件4051，然后，將基層安裝件4020錫焊到第一及第二引線框4041、4042上。
            
圖78表示另一種方式的封固部件4053。在該例中，第一及第二引線框4041、4042的端部及基層安裝件4020，均被封固部件4053所覆蓋。所述封固部件4053，將基層安裝件4020固定到第一及第二引線框4041、4042上，然后通過鑄模成型來形成。成型材料可采用環氧樹脂。
            
根據如此構成的實施例的發光裝置4050，在發光裝置4010產生的熱量，經由基層安裝件4020，均勻地傳遞給第一及第二引線框4041、4042。因此，充分確保熱傳遞路徑，而提高散熱效率。
            
此外，由溝4043及溝4044，來規定基層安裝件4020的位置，即發光元件4010的位置。因此，作為發光裝置的配光特性穩定。
            
以下，對所述實施例中各要素的變形方式作以說明。對于與圖77-78所示的要素相同的要素，附加同一符號，省略其說明。
            
在圖80的示例中，第一引線框4041的溝4045形成得短，第二引線框4042中的溝4046形成得長。這樣，第二引線框4042的部件(溝4046的周壁)便可處于發光元件4010的正下方。這樣，從發光元件4010至引線框的距離達到最短，熱量可從發光元件4010更有效地散發。
            
在圖80的示例中，溝4047及溝4048開啟至各引線框4041、4042的側面為止。由此，更易于進行基層安裝件4020針對溝4047及溝4048的設置。
            
在圖81的示例中，在第一引線框4041的側面，形成了溝4049。如該實施例所示，引線框中溝的形成方向及形成位置是任意的，可根據發光裝置的用途來適宜選擇。
            
在圖82所示的示例中，在第一及第二引線框4041、4042的前端，通過沖壓加工形成有凹部4061、4062。與圖76同樣，可對該凹部4061、4062設置基層安裝件。
            
在圖83的示例中，在第一及第二引線框4041、4042的前端，通過沖壓加工形成有コ字形凸部4071、4072。由該凸部4071、4072圍繞的部分成為凹部4073、4074。可與圖76同樣，對該凹部4073、4074設置基層安裝件。
            
圖84是表示第十三實施方式涉及的發光裝置的結構的剖視圖。該發光裝置5010構成為，具有作為供電部件的基片部5011；搭載于該基片部5011的上面的LED元件5012；在基片部5011的上面按照被覆LED元件5012的方式來封固的緩沖層5013；按照被覆該緩沖層5013及基片部5011的上面的方式形成的封固部件5014。
            
基片部5011具有高膨脹率的陶瓷基片5011a(絕緣性基片)；在該陶瓷基片5011a的上面，按規定的圖形形成的配線層5011b、5011c、5011d、5011e；在陶瓷基片5011a的下面，按規定的圖形形成的配線層5011f、5011g；在配線層11c的表面被覆的Au鍍膜5011h；在配線層5011d的表面被覆的Au鍍膜5011i；在配線層5011f的表面被覆的Au鍍膜5011j；在配線層5011g的表面被覆的Au鍍膜5011k；連接配線層5011b與配線層5011f的通孔511l；連接配線層5011d與配線層5011g的穿通孔5011m。
            
陶瓷基片5011a比如可采用含玻璃Al2O3材料(熱膨脹率13.2×10-6/℃)。配線層5011b、5011d、5011j、5011g，用作供給電源的電極。此外，Au鍍膜5011h、5011i、5011j、5011k，為了提高連接性、導電性及耐腐蝕性而設置。此外，在基片部5011搭載LED元件5012之前，有必要預先在陶瓷基片5011a上形成配線層5011b～5011g、Au鍍膜5011h、5011i、5011j、Au鍍膜5011k以及穿通孔511l、5011m。
            
LED元件12，比如用GaN、AlInGaP等半導體來構成，其芯片尺寸為0.3×0.3mm(標準尺寸)、1×1mm(大尺寸)等。緩沖層5013采用硅樹脂。封固部件5014為比如株式會社住田光學玻璃生產的“K-PSK100”(熱膨脹率11.4×10-6/℃)。
            
封固部件5014采用透光性且具有低熔點特性的玻璃材料。LED元件5012在下面具有電源用電極5012a、5012b，該電極5012a、5012b被錫焊在基片部11的規定配線層上。
            
以下，對發光裝置10的組裝作以說明。
            
首先，按照在基片部5011的配線層5011c、5011d上搭載電極5012a、5012b的方式，來對LED元件5012進行定位，且對配線層5011c與電極5012a，以及配線層5011d與電極5012b，分別進行錫焊。
            
接下來，從LED元件5012中心部的正上方滴下液狀的硅樹脂材料，并層狀地覆蓋LED元件5012的整個上面及側面，由此來形成緩沖層13。
            
接下來，在形成有緩沖層5013的狀態下，將基片部5011及LED元件5002置于150℃左右溫度的氣氛中，使緩沖層5013一次固化。
            
接下來，在緩沖層5013的表面及基片部5011的表面，封固基于玻璃材料的封固部件5014。在封固部件5014的封固中采用金屬模，并利用規定溫度氣氛及加壓沖壓，來形成圖84所示的半圓型。通過所述過程，完成發光裝置5010。此外，硅樹脂在玻璃封固加工時，化學鍵合因熱而切斷被SiO2化，但不會發生黑化現象，也不會成為光吸收的主要原因。
            
在所述構成的發光裝置5010中，比如，當配線層5011f處于LED元件5012的陽極一側時，配線層5011f便與直流電源(未圖示)的正極側連接，配線層5011g與負極側連接。在經由與墊層電極5108及n型電極5109電連接的凸塊2，對LED元件12附加正向電壓后，在LED元件5012內的發光層內，發生空穴及電子的載體再結合而發光，輸出光經由藍寶石基片5101，向LED元件5012的外部輻射。該光幾乎全部從封固部件5014內透過，并向封固部件5014的外部出光，一部分進行內面反射，然后向封固部件5014的外部出光。
            
根據所述第十三實施方式，可得到以下效果。
            
(1)通過用基于玻璃材料的封固部件5014來進行整體封固，可以降低在樹脂封固中成為問題的因泛黃及著色而引起的光衰減。
            
(2)通過在LED元件5012的周圍設置緩沖層5013，可緩和在封固部件5014封固時，經由高粘度玻璃材料施加到LED元件5012上的外力。即，通過插設緩沖層5013，LED元件5012與封固部件5014不直接接觸，因而因熱膨脹·熱收縮而產生的應力可由緩沖層13而吸收。
            
(3)通過隔著緩沖層5013來對LED元件5012進行玻璃封固，可防止在LED元件5012附近發生裂紋。設置這樣的緩沖層5013的構成，對與封固部件5014的接觸面積變大的大尺寸(1mm×1mm)LED元件5012特別有效。
            
(4)通過用緩沖層5013來包圍LED元件5012，可防止因凸塊5002壓塌而引起的電極間短路。此外，由于緩沖層5013可抑制凸塊形狀的壓塌，因而可防止因玻璃封固而使LED元件5012的光軸發生傾斜。
            
(5)在通過對晶片進行劃線來形成LED元件5012的場合下，在劃線后的LED元件5012的側面，產生細微的凹凸。該凹凸對于玻璃封固型發光裝置5010，在LED元件5012與封固部件5014的界面形成應力不均衡部分，從而成為發生微小裂紋的主要原因。對這一問題而言，通過在成為LED元件5012的劃線面的側面設置緩沖層5021，可以防止封固部件5014熱收縮時發生微小裂紋。
            
圖85是表示第十三實施方式涉及的發光裝置的變形例的剖視圖。該發光裝置5020中，只在LED元件5012的側面設置有緩沖層5021這一構成不同。在這種構成中，也可以防止因凸塊5002壓塌而引起的電極間短路，可緩和伴隨封固部件5014的熱收縮的應力。此外，由于在LED元件12的基片側未設置緩沖層，因而不會妨礙從LED元件5012輻射的光的取出。
            
圖86是表示第十四實施方式涉及的發光裝置的剖視圖。圖86的發光裝置5030為正裝型，具有作為供電部件的基片部31；搭載于該基片部31的上面的LED元件5032；覆蓋LED元件5032整體來封固的緩沖層5033；覆蓋該緩沖層33及基片部31的上面來形成的封固部件5034；連接LED元件5032的電極與基片部5031上面的配線層的導線5035a、5035b。
            
基片部5031具有采用了與圖84的基片部5011相同的材料的作為絕緣性基片的陶瓷基片5031a；在陶瓷基片5031a的上面按規定圖形形成的配線層5031b、5031c；在陶瓷基片5031a的下面按規定圖形形成的配線層5031d、5031e；連接配線層5031b與配線層5031d的穿通孔5031f；連接配線層5031c與配線層5031e的穿通孔5031g。此外，配線層5031b～5031e在表面設有Au鍍膜，但在這里省略了圖示。
            
陶瓷基片5031a比如可采用含玻璃Al2O3。配線層5031b～5031e用作供給電源的電極。此外，在基片部5031搭載LED元件5032之前，有必要在陶瓷基片5031a上預先形成配線層5031b～5031e及穿通孔5031f、5031g。封固部件5034采用透光性且具有低熔點特性的玻璃。
            
LED元件5032在配線層5031c上用粘接劑等來固定，LED元件5032上面的一個電極(未圖示)與配線層5031b用導線5035a來連接，LED元件5032上面的另一個電極(未圖示)與配線層5031c用導線5035b來連接。
            
緩沖層5033，按照覆蓋LED元件5032的露出面及導線5035a、5035b的方式進行被覆。
            
封固部件5034，按照覆蓋緩沖層5033的表面、在基片部5031的上面露出的配線層及基片部5031的部分露出部的方式，形成為半球狀。
            
以下，對發光裝置5030的組裝作以說明。
            
首先，備好在陶瓷基片5031a上已形成配線層5031b～5031e及穿通孔5031f、5031g的基片部5031，且在該配線層5031c上的規定位置，搭載LED元件5032。
            
接下來，利用導線5035a、5035b，來將LED元件5032與配線層5031b、5031c通過焊接來連接。
            
接下來，按照覆蓋LED元件5032的露出面及導線5035a、5035b的方式，滴下液狀硅并達到規定的厚度。
            
接下來，置于具有LED元件5032及導線5035a、5035b的150℃左右的氣氛中，來進行緩沖層5033的一次固化，然后，在緩沖層5033的周邊，形成基于玻璃材料成型的封固部件5034。由所述過程來完成發光裝置5030。
            
在該發光裝置5030中，比如，當配線層5031d處于LED元件5032的陽極一側時，配線層5031d便與直流電源(未圖示)的正極側連接，配線層5031e與負極側連接。通過該通電，LED元件5032便發光。該光從圖中的LED元件5032的上面射出，且幾乎全部從封固部件5034內通過并向外部發出光，另一部分在封固部件5034內進行內面反射，然后向封固部件5034的外部發出光。
            
根據所述第十四實施方式，由于在以正裝形式來搭載LED元件5032的發光裝置5030的LED元件5032周圍，設有緩沖層5033，因而可防止在玻璃封固時導線5035a、5035b發生變形或者壓塌，而造成電極間短路，而且與第一實施方式同樣，可防止因封固部件5034的高熱膨脹而在LED元件5012的附近發生裂紋。
            
比如，在未設置緩沖層5033的場合下，如果玻璃封固加工后溫度設得過高，則會對LED元件造成損壞，因而對溫度有限制，且在玻璃處于高粘度的狀態下進行玻璃封固加工，因此，不能避免對導線5035a、5035b施加外力，且難以將導線5035a、5035b維持所希望的狀態。比如，在導線5035a因玻璃的加壓加工而被壓塌的場合，配線5031b與5031c便會發生短路。在該場合下，不僅不發光，而且還會影響未圖示的電源側。因此樹脂材料不會發生這種問題。
            
在正裝型LED元件中，在上面設有金屬部件即導線，這本身成為一種緩沖材料。然而，存在著被壓塌而造成電氣短路的問題。因此，即使沒有緩沖材料要素，也應有能防止壓塌從而防止電氣短路的要素，這一點是重要的。
            
圖87是表示本發明第十五實施方式涉及的發光裝置的剖視圖。該發光裝置5040中，將搭載LED元件5041的基層安裝件5043搭載到引線部5044a、5044b上。此外，在圖87中，以非剖面狀態示出基層安裝件。
            
該發光裝置5040具有在安裝面上設有凸塊5042的LED元件5041；搭載LED元件5041的基層安裝件5043；搭載基層安裝件5043的作為供電部件的引線部5044a、5044b；按照覆蓋LED元件5041的露出面的方式設置的緩沖層5045；封固緩沖層5045及其周圍的基于透光性玻璃的封固部件5046。
            
基層安裝件5043比如采用高熱傳導性AlN(氮化鋁)，與凸塊5042連接的電極5043a在LED元件5041的安裝面一側形成，在相反側面上(引線框側面)，形成有用于與一對引線部5044a、5044b連接的電極5043b。為連接電極5043a與電極5043b，在基層安裝件5043內，設有穿通孔5043c。
            
引線部5044a、5044b形成為作為引線框的一部分，以規定間隙比兩側的帶狀部分更靠向內側且對置的方式，相對于一個LED元件分配有一對。引線部5044a、5044b的前端部一部分按照產生階差的厚薄來制成，且在該階差部分載置基層安裝件5043。
            
按照與所述其它實施方式所示的緩沖層5013、5021、5033相同的材料及加工，來設置緩沖層5045。
            
封固部件5046與所述的其它實施方式同樣，采用透光性且具有低熔點特性的玻璃材料。
            
在該發光裝置5040中，如果將引線部5044a設為正(+)電源供給端子，則供給到引線部5044a的電流便經由引線部5044a、電極5043b的一方、穿通孔5043c的一方、電極5043a的一方、及凸塊42的一方，而流入到LED元件5041的陽極，進而，流出LED元件41的陰極的電流，則經由凸塊5042的另一方、電極5043a的另一方、穿通孔5043c的另一方、及電極5043b的另一方，而流入到引線部5044b，由此，LED元件5041發光。
            
以下，對發光裝置5040的組裝作以說明。
            
首先，備好已預先形成電極5043a、5043b及穿通孔5043c的基層安裝件5043，且在基層安裝件5043上的規定位置，通過凸塊5042來搭載LED元件5041。由此，使LED元件5041電連接且機械固定。
            
接下來，在引線部5044a、5044b前端部的凹部內，與通電方向一致地配置基層安裝件5043上搭載的LED元件5041。
            
接下來，按照覆蓋LED元件5041的周圍的方式，滴下液狀硅并形成規定厚度。
            
接下來，將LED元件5032、基層安裝件5043、引線部5044a、5044b置于150℃左右溫度的氣氛中，進行一次固化，而在LED元件5032的周圍形成緩沖層5045。
            
接下來，將用于形成封固部件5045的玻璃片配置到LED元件5041的上方及下方，并在LED元件5041的上側及下側，分別配置金屬模。
            
接下來，在規定溫度的氣氛中，進行基于金屬模的加壓沖壓，由此使玻璃片形成為規定的形狀。由此來完成發光裝置5040。最后，將引線部5044a、5044b的另一端從引線框相分離，而形成單獨的各個發光裝置5040。
            
根據所述第十五實施方式，在用玻璃材料來封固高熱傳導性基層安裝件5043上搭載的LED元件5041時，可由緩沖層5045來防止因熱膨脹率差而在LED元件5041與基層安裝件5043的周圍產生裂紋及剝離。
            
此外，在發光裝置5040中，也可以在緩沖層5045中混合熒光體。在該場合下，進行基于從由LED元件5041的輻射光激勵的熒光體輻射出的激勵光與LED元件5041的輻射光的混合的波長轉換。作為熒光體，比如可采用由LED元件5041所發出的藍色光所激勵且輻射黃色光的Ce(鈰):YAG(釔·鋁·石榴石)。
            
圖88是表示本發明第十六實施方式涉及的發光裝置的剖視圖。該發光裝置5050構成為在圖87的發光裝置5040上裝有放熱部件。即，其特征在于在由AlN等的基層安裝件5052的下部，安裝有采用了銅等導熱性良好的金屬材料的放熱部件5051。
            
發光裝置5050具有用作放熱器的放熱部件5051；在放熱部件5051上搭載的基層安裝件5052；在基層安裝件5052兩端的階差部上載置前端部的引線部5053a、5053b；在下面具有電源供給用一對凸塊5042且搭載于基層安裝件5052上的LED元件5041；按照覆蓋LED元件5041的露出面的方式設置的緩沖層5054；封固緩沖層5054及其周圍的基于低熔點透明玻璃的封固部件5055。
            
基層安裝件5052，按照在兩端的規定范圍內產生階差的厚薄來制成，且在該厚薄部上載置引線部5053a、5053b的前端部，該前端通過錫焊等來連接到配線圖形5052a、5052b的側面。此外，在基層安裝件5052上，與一對凸塊5042接觸的配線圖形5052a、5052b從上面設置到側面。
            
緩沖層5054，是在Si系烴氧基金屬內混合熒光體并燒結的多孔質狀態的含熒光體SiO2，因而具有應力緩沖及波長轉換的功能。
            
熒光體，可如在第十五實施方式中所說明的那樣，采用Ce(鈰):YAG(釔·鋁·石榴石)等。
            
第十六實施方式中發光裝置5050的組裝方式與第十五實施方式相同，因而這里省略重復說明，但也可以在首先完成圖88的基層安裝件5052之上的部分后，將放熱部件5051通過粘接等來安裝到下面即可。
            
根據所述第十六實施方式，可得到以下效果。
            
(1)由于在基層安裝件5052的下部，設置有促使放熱的放熱部件5051，因而可將伴隨LED元件5041點亮而發出的熱量有效地向外部發散，可抑制發生基于玻璃材料的伴隨封固部件5055等的溫度上升而產生的熱膨脹·熱收縮，且防止發生裂紋。
            
(2)通過在緩沖層5054中混合熒光體，可以進行波長轉換，且可提高光的取出效率。
            
并且，在所述各實施方式中，也可以在基片部5011、5031及引線部5044a、5044b、5053a、5053b的表面形成反射面，而提高光的出射效率。
            
此外，也可以在封固部件5014、5034內的LED元件5012、5032的上部，部分地混合熒光體，或者，在緩沖層5013、5033內，混合波長轉換用熒光體。
            
此外，在緩沖層5054中采用了TiO2系陶瓷材料的場合下，其折射率具有2.4這一較大的值，因而可提高來自LED元件5041的光的取出效率。
            
此外，在所述各實施方式中，在一個封固部件內配置的LED元件的個數為一個，但也可以制成LED元件為二個及其以上的多發光型發光裝置。所搭載的多個LED元件可構成為，設置多個不同發光色的LED元件，或者設置多個相同發光色的LED元件。此外，作為LED元件的驅動方式，既可以對多個LED元件全部進行并聯連接或以組為單位來并聯連接，也可以按多個單位來串聯連接或全部串聯連接。
            
此外，盡管在所述說明中，封固部件5014采用株式會社住田光學玻璃生產的“K-PSK100”，但并非限定于此，只要是以不會對發光元件造成熱損傷的封固加工溫度來軟化的玻璃，也可以采用其它材料。
            
此外，作為封固部件5014、5034、5046、5055的形狀，盡管所示的是半球狀，但本發明不限定于圖示的形狀，也可以制成為沒有透鏡部的形狀、多角型、圓柱型等任意形狀。
            
此外，在封固部件5014、5034、5046、5055成型時，不限定于基于采用了玻璃片的加壓沖壓的成形方法，比如也可以采用向LED元件附近供給熔融玻璃，并用金屬模來加熱成型等其它封固方法。
            
此外，緩沖層5054不限定于多孔質，也可以采用能迅速吸收應力，且熱膨脹率處于LED元件與封固玻璃之間等具有緩沖效果和絕緣性及耐熱性的材料。
            
圖89是表示本發明第十七實施方式涉及的發光裝置的構成的剖視圖。該發光裝置6010具有作為供電部件的基片部6011；具有電源供給用的由至少一對Au形成的凸塊6012a、6012b、且搭載于基片部6011的上面的LED元件6012；充填于LED元件6012的下面與基片部6011之間的絕緣層6013；按照覆蓋LED元件6012及基片部6011的上面的方式形成的封固部件6014。
            
基片部6011具有陶瓷基片6011a；在陶瓷基片6011a的上面按規定圖形形成的配線層6011b、6011c、6011d、6011e；在陶瓷基片6011a的下面按規定圖形形成的配線層6011f、6011g；在配線層6011c的表面被覆的Au鍍膜6011h；在配線層6011d的表面被覆的Au鍍膜6011i；在配線層6011f的表面被覆的Au鍍膜6011j；在配線層6011g的表面被覆的Au鍍膜6011k；連接配線層6011b與配線層6011f的穿通孔611l；連接配線層6011d與配線層6011g的穿通孔6011m。
            
陶瓷基片6011a，比如采用含玻璃Al2O3材料(熱膨脹率13.2×10- 6/℃)。配線層6011c、6011d、6011f、6011g，用作供給電源用的電極。此外，Au鍍膜6011h、6011i、6011j、6011k為了提高連接性、導電性及耐腐蝕性而設置。并且，在基片部6011搭載LED元件6012之前，有必要預先在陶瓷基片6011a上形成配線層6011b～6011g、Au鍍膜6011h、6011i、6011j、6011k以及通孔60111、6011m。
            
LED元件6012，比如用GaN、AlInGaP等半導體來構成，其芯片尺寸為0.3×0.3mm(標準尺寸)、1×1mm(大尺寸)等。此外，LED元件6012，在下面具有電源用電極6012a、6012b，該電極6012a、6012b被錫焊在基片部6011的規定配線層上。
            
絕緣層6013，由硅系材料、或含有金剛石、BN、SiC、或AlN粉末的絕緣材料來形成。在采用硅樹脂來作為硅系材料的場合下，由于伴隨封固部件6014的封固的高溫，化學鍵合切斷，由此而成為SiO2，而用作具有耐熱性的絕緣體。此外，也可以取代由硅樹脂形成的SiO2，而采用由Si系及Ti系等烴氧基金屬形成的陶瓷。并且金剛石具有高的熱傳導性。雖然BN、SiN、AlN的熱傳導性劣于金剛石，但價格低廉。此外，金剛石、BN、SiC為透明或白色，具有光吸收少的特征。
            
封固部件6014采用透光性且具有低熔點特性的玻璃材料，比如可采用株式會社住田光學玻璃生產的“K-PSK100”(熱膨脹率11.4×10- 6/℃)。此外，在發明者的試驗中，為獲得陶瓷與玻璃的良好接合，有必要使陶瓷基片6011a與封固部件6014具有大致相同的熱膨脹率(熱膨脹率差之比為15％以內)，在這里，熱膨脹率之比為0.86。
            
以下，對發光裝置6010的組裝作以說明。
            
按照Au凸塊6012a、6012b載置到配線層6011c、6011d的方式進行定位，在基片部6011上配置了LED元件6012后，通過滴液及充填等來形成絕緣層13。
            
接下來，在LED元件6012、絕緣層6013的露出面及在基片部6011的露出面上，封固基于玻璃材料的封固部件6014。在封固部件6014的封固中采用金屬模，并通過規定的溫度氣氛及加壓沖壓，來形成為圖89所示的半圓型。在該封固時，作為絕緣層6013的硅材料被SiO2化，且LED元件6012的下面以及凸塊6012a、6012b處于固定狀態，因而可避免凸塊6012a、6012b的變形及凸塊間短路等。由此來完成發光裝置6010。
            
在該發光裝置6010中，比如當配線層6011f處于LED元件6012的陽極一側時，配線層6011f便與直流電源(未圖示)的正極側連接，配線層6011g與負極側連接。在經由與未圖示的p型電極及n型電極電連接的凸塊6002，對LED元件6012施加正向電壓時，在LED元件6012的活性層中，發生空穴及電子的載體再結合，從而發光，輸出光向LED元件6012的外部輻射。該光幾乎全部從封固部件6014內透過，并向封固部件6014的外部發出光，且一部分進行內面反射，并向封固部件6014的外部發出光。
            
根據所述第十七實施方式，可得到以下效果。
            
(1)通過用基于玻璃材料的封固部件6014來進行整體封固，可以降低在樹脂封固中成為問題的因泛黃及著色而引起的光衰減。
            
(2)通過在LED元件6012的下側設置具有耐熱性的絕緣層13，在封固部件14封固時，封固部件6041不再會以高熱來擠壓凸塊6012a、6012b而造成LED元件6012損傷。即，可以防止因封固部件14的高熱及高壓力而使凸塊6012a、6012b變形或破損從而發生凸塊間短路。
            
(3)在采用了包含金剛石、BN、SiC或AlN粉末的絕緣材料的場合下，可期待釋放LED元件6012所發出的熱量的效果，因而可提高散熱性。
            
圖90是表示第十八實施方式涉及的發光裝置的構成的剖視圖。該發光裝置6020，是一種利用基層安裝件6022在引線框上搭載的金屬引線類型，且具有在安裝面上設有凸塊6021a、6021b的LED元件6021；搭載該LED元件6021的基層安裝件6022；搭載該基層安裝件6022的作為供電部件的引線部6023a、6023b；充填于引線部6023a、6023b的上面與LED元件6021的下面之間的絕緣層6024；用于封固絕緣層6024的端部及包含LED元件6021的表面的引線部6023a、6023b的前端部的基于透光性玻璃的封固部件6025。
            
基層安裝件6022比如采用高熱傳導性AlN(氮化鋁)，與凸塊6021a之一連接的配線層6022a在上面、側面及下面形成為コ字形，在相反側上與凸塊6021b連接的配線層6022b在上面、側面及下面形成為コ字形。
            
此外，基層安裝件6022，在必要時也可以內置用于防止元件破壞的齊納二極管等電路。另外，也可以取代配線層6022a、6022b，而采用設置于上下面的電極及使該上下電極相互連通的穿通孔組合的配線方法。
            
引線部6023a、6023b由銅系及鐵系金屬來形成，且形成為作為未圖示的引線框的一部分，以規定間隙比兩側的帶狀部分更靠向內側且對置，而且對一個LED元件分配有一對。引線部6023a、6023b的部分前端部，按照形成階差的厚薄來制成，在該階差部分載置基層安裝件6022。
            
絕緣層6024與第十七實施方式中的絕緣層6013同樣，可采用硅材料或包含金剛石及AlN粉末的絕緣材料。封固部件6025封固時化學鍵合切斷且硅材料成為SiO2的生成過程、及采用包含金剛石、BN、SiC或AlN粉末的絕緣材料場合下的放熱效果等，與絕緣層6013的場合相同。
            
封固部件6025與所述的實施方式同樣，采用透光性且具有低熔點特性的玻璃材料。
            
在該發光裝置6020中，如果將引線部6023a設為正(+)電源供給端子，則供給到引線部6023a的電流便經由引線部6023a、配線層6022a、及凸塊6021a，流入到LED元件6021的陽極，而流出LED元件21的陰極的電流，則經由凸塊6021b、配線層6022b，流入到引線部6023b，由此，LED元件6021發光。
            
以下，對發光裝置6020的組裝作以說明。
            
首先，備好已預先形成配線層6022a、6022b的基層安裝件6022。在該基層安裝件6022上的規定位置，形成凸塊6021a、6021b，且在其上搭載LED元件6021，并對凸塊6021a與配線層6022a、以及凸塊6021b與配線層6022b進行電連接，同時進行機械固定。
            
接下來，在引線部6023a、6023b前端部的凹部內，與通電方向一致地配置基層安裝件6022上搭載的LED元件6021。此外，也可以采用如下順序即，在將LED元件21搭載到基層安裝件6022上后，將該基層安裝件6022搭載到引線部6023a、6023b。
            
接下來，將作為絕緣層6024的硅材料充填到LED元件6021的下面與基層安裝件6022的上面之間(也可以在將基層安裝件22搭載到引線部6023a、6023b之前，進行該充填)。在該狀態下搬入到金屬模內，將用于形成封固部件25的玻璃片(未圖示)配置到LED元件6021的上方及下方，并利用規定的溫度及加壓沖壓來形成為半球型。在進行該封固時，硅材料被SiO2化，而成為絕緣層6024，且固定LED元件6021的下面及凸塊6012a、6012b，因而可避免凸塊6012a、6012b的變形及凸塊間短路等。由此來完成發光裝置6020。最后，使引線部6023a、6023b的另一端從未圖示的引線框分離，由此形成各個發光裝置6020。
            
根據所述第十八實施方式，采用與玻璃材料的粘合性良好的引線部6023a、6023b，且在LED元件6021的下側設置絕緣層6024，這樣，在封固部件6025封固時，封固部件6025不再會對LED元件6021造成破壞，因而可防止凸塊6021a、6021b產生變形、移動及短路等。此外，由于利用基于玻璃材料的封固部件6025來進行了整體封固，因而可防止在封固材料是樹脂材料的場合下所發生的因泛黃及著色而引起的光衰減。
            
圖91是表示第十九實施方式涉及的發光裝置的剖視圖。該發光裝置6030與第十八實施方式同樣，是利用基層安裝件來搭載到引線框上的金屬引線類型。這里，與圖90同樣，只圖示了主要部件的構成，此外，所圖示的基層安裝件6032是非剖面狀態。本實施方式與第十八實施方式的不同點在于，基層安裝件的結構、和絕緣層的構成及形成范圍。
            
本發光裝置30具有在安裝面上設有凸塊6031a、6031b的LED元件6031；搭載該LED元件6031的基層安裝件6032；在前端部搭載該基層安裝件6032的作為供電部件的引線部6033a、6033b；混合有熒光體6034a且按照覆蓋整個LED元件6031的方式來充填或滴下的絕緣層6034；用于封固包含LED元件6031的上面的引線部6033a、6033b的前端部且基于透光性玻璃的封固部件6035。
            
基層安裝件6032采用比如高熱傳導性AlN(氮化鋁)，與凸塊6031a、6031b連接的電極6032a、6032b形成在LED元件6031的實裝面一側，在相反側面(引線框的側面)，形成一對用于與引線部6033a、6033b連接的電極6032c、6032d。為連接電極6032a與電極6032c，以及電極6032c與電極6032d，在基層安裝件6032內設有穿通孔6032e、6032f。
            
引線部6033a、6033b由銅系及鐵系金屬來構成，且形成為作為未圖示的引線框的一部分，比兩側的帶狀部分更靠向內側上，以規定間隙相對置，且對一個LED元件分配有一對。引線部6033a、6033b的部分前端部，按照產生階差的厚薄來制成，且在該階差部分載置基層安裝件6032。
            
絕緣層6034以硅材料為主體，其中混合有熒光體6034a。并且，在封固部件6025封固時硅材料的化學鍵合切斷且成為SiO2的生成過程、以及采用包含金剛石及AlN粉末的絕緣材料的場合下的放熱效果等，與絕緣層6013的場合相同。
            
熒光體6034a，比如在LED元件6021發出藍色光的場合下，采用具有由該藍色光激勵而輻射黃色光的特性的Ce(鈰):YAG(釔·鋁·石榴石)。
            
封固部件6035，與所述的各實施方式同樣，采用透光性且具有低熔點特性的玻璃材料。
            
在該發光裝置6030中，如果將引線部6033a設為正(+)電源供給端子，則供給到引線部6033a的電流便經由引線部6033a、電極6032c、穿通孔6032e、電極6032a、以及凸塊6031a，流入到LED元件6031的陽極，而流出LED元件6031的陰極的電流，則經由凸塊6031b、電極6032b、穿通孔6032f、以及電極6032d，流入到引線部6033b，由此，LED元件6031發光。
            
以下，對發光裝置6030的組裝作以說明。
            
首先，備好已預先形成電極6032a～6032d、以及穿通孔6032e、6032f的基層安裝件6032。在該基層安裝件6032上面的規定位置上，形成凸塊6031a、6031b，并搭載LED元件6031。由此，經由凸塊6031a、6031b，將LED元件6031與電極6032a、6032b進行電連接，同時進行機械固定。
            
接下來，在引線部6033a、6033b前端部的凹部內，與通電方向一致地配置基層安裝件6032上搭載的LED元件6031。或者，也可以采用如下順序，即在將基層安裝件6032搭載到引線部6033a、6033b上后，將LED元件6031安裝到基層安裝件6032上。
            
接下來，按照擴充到基層安裝件6032的上面、側面及上面的方式，滴下或充填已混入有熒光體6034a的絕緣層6034。
            
接下來，搬入到金屬模內，在LED元件6031的上方及下方，配置用于形成封固部件35的玻璃片(未圖示)，并以規定的溫度來加壓沖壓而形成為半球狀，這樣便完成發光裝置6030。在該封固時，硅材料被SiO2化，而成為絕緣層6034，LED元件6031的下面及凸塊6031a、6031b處于被固定的狀態，因而可避免凸塊6012a變形及凸塊間短路等。最后，使引線部6033a、6033b的另一端從引線框分離，而形成各個單獨的發光裝置。
            
根據所述第十九實施方式，可得到以下效果。
            
(1)通過設置絕緣層6034，在封固部件6035的封固時，封固部件6035不再對LED元件6031造成損壞，因而可防止凸塊6031a、6031b發生變形、移動及短路等。
            
(2)由于在絕緣層6034中混入了熒光體6034a，因而可降低基于引線部上的電極(或基層安裝件上的配線層)的光吸收。一般，在電極及配線層上實施Au鍍覆。該Au鍍覆，對藍色或紫色光的吸收率較高，但通過設置混入了熒光體的絕緣層6034，可對從LED元件側面輻射的光進行波長轉換，且可防止Au鍍覆面上的光吸收。
            
(3)對從LED元件6031的上面輻射的光，也可進行波長轉換。此外，由于利用玻璃材料的封固部件6035來進行了整體封固，因而可防止在封固材料為樹脂材料的場合下所發生的因泛黃及著色而引起的光衰減。
            
此外，也可以取代該基層安裝件6032，而采用具有圖90所示的“コ”字型配線層6022a、6022b的基層安裝件6022。反之，也可以取代圖90的基層安裝件6022，而采用圖91所示的基層安裝件6032。
            
圖92是表示標準尺寸LED元件的凸塊形成面的俯視圖。該LED元件6031是邊長為0.3mm的正方形LED元件，設有與n電極連接的搭載凸塊6041的小圖形6042；與p電極連接的大圖形6043；搭載于該大圖形6043的凸塊6044a、6044b。在LED元件6031中，越是高輸出型，則流過的電流越大。因此，可將p電極側的凸塊設為多個，可與大電流容量相對應。
            
圖93是表示大尺寸LED元件的凸塊形成面的俯視圖。該LED元件6031是邊長為1mm的正方形LED元件，具有設有凸塊6052a、6052b的配線圖形6054；設有凸塊6053a～6053p的配線圖形6055。由于大尺寸LED元件與標準尺寸的元件相比，發光面積增大，因而流過更大的電流。因此，為使發光面產生均勻的發光，根據配線圖形6054、6055的形狀面積，將成為電極接點的各個凸塊設為多個。
            
如圖92及圖93所示，在經由凸塊來進行電連接的LED元件中，易于由玻璃封固時的溫度及壓力而造成凸塊壓塌。尤其，如圖93所示，在具有多個凸塊6053a～6053p的元件中，由于各凸塊之間的距離接近，因而如果凸塊發生變形，則更容易造成短路。對這種LED元件6031，用絕緣層6034覆蓋凸塊形成面，而確保凸塊間的絕緣，同時通過承受玻璃封固時的壓力，來抑制凸塊6053a～6053p的變形。其結果是，可形成基于玻璃材料的封固部件6035。
            
此外，在所述各實施方式中，對由Au形成的凸塊6012a、6012b作了說明，但不限定于Au，也可以是由焊錫形成的凸塊。此外，也不限定于凸塊，也可以是形成于電極的錫焊鍍層。對株式會社住田光學玻璃生產的“K-PSK100”而言，由于在超過400℃的溫度下進行封固加工，且加工時的玻璃粘度較高，因而Au凸塊也會發生壓塌。而對無機有機混合型低熔點玻璃而言，盡管可在更低的溫度下進行封固加工，但如果像錫焊那樣，熔點低于封固加工溫度，則即使在小壓力下，也會發生電極間短路。對這一點本發明也是有效的。
            
此外，在所述各實施方式中，也可以在封固部件6014、6025、6035內的LED元件6012、6032的上部，形成用于波長轉換的熒光體層。
            
此外，在所述各實施方式中，在一個封固部件內配置的LED元件的個數為一個，但也可以制成LED元件為二個及其以上的多發光型發光裝置。搭載的多個LED元件，既可以構成為設置多個不同發光色的LED元件，也可以構成為設置多個相同發光色的LED元件。此外，作為LED元件的驅動方式，既可以對多個LED元件全部進行并聯連接或以組為單位來并聯連接，也可以按多個單位來串聯連接或全部串聯連接。
            
此外，封固部件6014、6025、6035的形狀，盡管所表示的是穹頂狀構成，但本發明不限于圖示的形狀，也可以制成為沒有透鏡部的形狀、多角型、圓柱型等任意形狀。
            
此外，在封固部件6014、6025、6035成型時，不限于基于采用了玻璃片的加壓沖壓的成型方法，也可以采用其它封固方法。
            
圖94是表示本發明第二十實施方式涉及的發光裝置的構成的剖視圖。通常，在引線框的兩側設有連接各引線部的外側的帶狀部，但這里省略了圖示。此外，雖然在引線框上，通常安裝多個LED元件，但這里只圖示了其中的一個。此外，在圖94中，所圖示的是非剖面狀態的基層安裝件。
            
發光裝置7010是金屬引線安裝類型，具有在安裝面上經由凸塊7002來倒裝接合的GaN系LED元件7001(熱膨脹率4.5～6×10-6/℃)；搭載該LED元件7001的基層安裝件7003；搭載基層安裝件3的作為供電部件且由Cu形成的引線部(熱膨脹率15～17×10-6/℃，熱傳導率400W·m-1·k-1)7004A、7004B；以LED元件7001為中心，來封固其周圍的透明玻璃制封固部件7005。
            
基層安裝件7003比如采用AlN(氮化鋁熱膨脹率5×10-6/℃，熱傳導率180W·m-1·k-1)，與凸塊7002連接的電極7031A、7031B形成在LED元件1的安裝面一側，在相反側面(引線框側面)，形成有用于與一對引線部7004A、7004B連接的電極7032A、7032B。引線部7004A、7004B上面的LED元件7001的搭載面被加工成比其它部分低一階，且在該凹部內配置基層安裝件7003。為連接電極7031A、7031B與電極7032A、7032B，在基層安裝件7003內設置有穿通孔7033。
            
封固部件7005形成透光性玻璃部，其使透明低熔點且具有熱膨脹率接近(或者處于規定的熱膨脹率差的范圍值內)引線部7004A、7004B的特性的片狀玻璃熱熔接，由此來封固LED元件7001、基層安裝件7003、以及引線部7004A、7004B的一部分。
            
如果將引線部7004A設為正(+)電源供給端子，則供給到引線部7004A的電流便經由引線部7004A、電極7032A、7032B的一方、通孔7033的一方、電極7031A、7031B的一方、凸塊7002的一方，流入到LED元件7001的陽極，而流出LED元件7001的陰極的電流，則經由凸塊7002的另一方、電極7031A、7031B的另一方、通孔7033的另一方、以及電極7032A、7032B的另一方，流入到引線部704B，由此來使LED元件7001發光。
            
圖95是表示在引線框上搭載有基層安裝件的狀態的俯視圖。基層安裝件7003，在中央部搭載有LED元件7001。引線部7004A、7004B形成為作為引線框的一部分，比兩側的帶狀部分更靠向內側以規定的間隔相對置，且對一個LED元件分配一對。
            
圖96是表示利用金屬模具來進行玻璃封固之前的狀態的圖。該圖表示在圖95的A-A部分進行了切斷的狀態。以下，參照圖94至圖96，對發光裝置7010的制造方法作以說明。
            
首先，在基層安裝件7003上定位設有凸塊7002的LED元件7001，進行回流，從而對凸塊7002與電極7031進行電連接，且機械固定。
            
接下來，在引線部7004A、7004B前端的凹部內，使通電方向一致地來配置基層安裝件7003上搭載的LED元件7001。此外，基層安裝件7003，采用預先形成有電極7031A、7031B、電極7032A、7032B，以及通孔7033。
            
接下來，將引線框7006搬入到金屬模內，在LED元件7001的上方及下方，配置玻璃片7007、7008。玻璃片7007、7008用于形成封固部件7005，且其大小可以同時封固多個LED元件7001。
            
接下來，按照覆蓋玻璃片7007的方式來配置上金屬模7011，并且按照覆蓋玻璃片7008的方式來配置下金屬模7012。接下來，在真空氣氛中，以450℃溫度對玻璃片7007、7008進行加熱而軟化了的狀態下，使上金屬模7011與下金屬模7012以圖95所示的箭頭方向來移動，由此對玻璃片7007、7008施加壓力，此時，玻璃片7007、7008沿著上金屬模7011的凹部7011A及下金屬模7012的凹部7012A，而形成圖94所示的封固部件7005那樣的穹頂狀。
            
接下來，除去引線框7004的帶部等不需要的部分，由此，使各個發光裝置7010從引線框7004分離。
            
發光裝置7010中，如果通過與墊層電極7108及n型電極7109電連接的凸塊7002來附加正向電壓，則在LED元件7001的活性層內，將發生空穴及電子的載體再結合，從而發光，輸出光經由藍寶石基片7101向LED元件7001的外部輻射。該輸出光透過封固部件7005，而向外部輻射。
            
根據所述第二十實施方式，可得到以下效果。
            
(1)由于按照由熱膨脹率較大的玻璃封固材料7005包圍熱膨脹率較小的LED元件7001整體的方式來進行封固，因而基于熱膨脹率差產生的內部應力被調整成朝向LED元件7001的中心。即，即使在玻璃加工后發生基于玻璃材料熱收縮的內部應力，該內部應力也會成為朝向LED元件1的中心方向的壓縮力，因而所實現的玻璃封固結構，不會破壞對壓縮具有強度的玻璃材料。
            
(2)由于將熱膨脹率較小的LED元件7001搭載于熱膨脹率較小的基層安裝件7003，然后搭載到熱膨脹率較大的引線部7004A、7004B上，因而對形成封固部件7005的玻璃材料而言，要求具有與熱膨脹率較小的LED元件7001和熱膨脹率較大的引線部7004A、7004B雙方的粘接性，但最好選擇具有與LED元件7001接近的熱膨脹率的材料來進行封固。由Cu等軟金屬形成的引線部7004A、7004B，與玻璃材料相比具有豐富的彈性，因而，如果對LED元件1及基層安裝件3而言，熱膨脹率差處于150％至400％的范圍內，則可以在維持與玻璃材料的良好粘接性的同時，結構性地吸收基于熱收縮差的應力。這樣，即使在由玻璃材料來夾持封固引線部7004A、7004B的場合下，也不會發生裂紋等不良現象。
            
(3)即使在對LED元件7001的投入電力較大，發熱溫度較高的場合下，也可以使LED元件7001所發出的熱量向外發散，可有效地防止發光效率下降。尤其是，可通過以下方式來實現，即使基層安裝件7003及引線部7004A、7004B的熱傳導率處于100W·m-1·k-1以上。
            
(4)由于采用低熔點玻璃片7007、7008來形成封固部件7005，因而可縮短加熱所需的時間，并可使用簡單的加熱裝置，從而易于玻璃封固加工。
            
(5)由于在加工時難以發生裂紋等不良現象，因而可長期穩定地維持基于玻璃的高封固性，即使在水中及多濕條件下，發光特性也不會降低，可長期發揮良好的耐久性。
            
另外，在第一實施方式中，所說明的是采用GaN系LED元件7001來作為LED元件7001的結構，但LED元件不限于GaN系，也可采用其它的LED元件。
            
此外，在所述實施方式中，所說明的是在由Cu形成的引線部7004A、7004B上，搭載了由AlN形成的基層安裝件7003的結構，但比如也可以構成為在由黃銅形成的引線部(熱傳導率106W·m-1·k-1)上，搭載由Si構成的基層安裝件3(熱傳導率170W·m-1·k-1)。
            
此外，封固部件7005，不限于以用片狀玻璃來一并封固多個LED元件7001及基層安裝件7003的方法來形成，也可以通過以下方法來形成即，將熔融玻璃供給到LED元件7001及基層安裝件7003的周圍，且用上金屬模7011及下金屬模7012來加熱沖壓成型。此外，對所使用的玻璃材料而言，如果是具有透光性的材料，則不限定于透明材料，也可以是著色的材料。
            
此外，封固部件7005，可按規格等制成各種形狀。比如除了圓形、橢圓形、四邊形等之外，也可以是有透鏡及無透鏡等形狀。
            
在所述第二十實施方式中，所說明的是將金屬引線用作供電部件的倒裝型發光裝置，但也可適用其它方式的發光裝置。比如，也可適用采用了導線焊接的正裝(FU)型發光裝置等。
            
圖97是表示第二十實施方式涉及的發光裝置的變形例的剖視圖。在該發光裝置7010中，作為防止因封固部件7005的熱膨脹·熱收縮而引起的裂紋的結構，通過除去基層安裝件7003的角部來設置了傾斜部7003A。通過采用這種基層安裝件3，除了具有第二十實施方式的良好效果之外，還可實現難以發生裂紋的玻璃封固型發光裝置7010。
            
圖98是表示本發明第二十一實施方式涉及的正裝型發光裝置的剖視圖。該發光裝置7040構成為，具有引線部7004A、7004B，其作為供電部件而在前端部設有間隔且在一條直線上水平配置；在引線部7004A前端部的上面經由粘接劑等來搭載的GaN系LED元件7041；對LED元件7041上的兩個電極(未圖示)與引線部7004A、7004B進行連接的導線7042；對LED元件7041及引線部7004A、7004B的前端部進行封固的由玻璃材料形成的封固部件7005。
            
封固部件7005采用透明低熔點且具有規定值內熱膨脹率的玻璃材料。尤其對正裝型而言，由于采用導線，因而在玻璃封固時，因加熱而軟化的導線7042及導線連接部7042A易于因加壓而壓塌，因而易于發生短路等。為此，最好盡量采用低熔點玻璃材料。
            
以下，對發光裝置7040的組裝作以說明。
            
首先，在引線框分離前的狀態下，在引線部7004A的前端上面搭載LED元件7041。接下來，用導線7042來連接LED元件7041上面的一個電極與引線部7004A的上面，然后再用導線7042來連接LED元件7041上面的另一個電極與引線部7004B的上面。接下來，如第二十實施方式所示，實施基于金屬模的玻璃材料成型，從而形成具有規定形狀的封固部件7005。最后，除去引線框7004的不需要部分，由此，使各發光裝置7040從引線框7004分離。
            
圖98中，比如如果引線部7004A是陽極一側，則引線部7004A便與直流電源(未圖示)的正極側連接，引線部7004B與負極側連接。通電后，LED元件7041便發光。該光從LED元件7041的上面出射，且幾乎全部從封固部件7005內透過，并向外部出光，而另一部則經由內面反射，向封固部件7005的外部出光。
            
根據所述第二十一實施方式，除了第二十實施方式的良好效果之外，考慮到引線部7004A、7004B與封固部件7005的熱膨脹率值，而采用低熔點玻璃，從而即使是正裝型發光裝置7040，也可防止發生剝離及裂紋。
            
并且，在所述各實施方式中，也可以在引線部7004A、7004B的表面形成反射面，從而提高光的出射效率。
            
此外，也可以在LED元件7001、7042上部的封固部件7005內，設置采用了由規定波長光激勵的熒光體等的波長轉換部。
            
進而，在所述各實施方式中，在一個封固部件內配置的LED元件的個數為一個，但也可以制成LED元件為二個及其以上的多發光型發光裝置。作為該場合下發光裝置的類型，適用倒裝接合型即圖94所示的構成。所搭載的多個LED元件，即可以是設置多個不同發光色的LED元件的構成，也可以是設置多個相同發光色的LED元件的構成。
            
此外，作為LED元件的驅動方式，既可以對多個LED元件全部進行并聯連接或以組為單位來并聯連接，也可以按多個單位來串聯連接或進行全部串聯連接。
            
此外，作為封固部件7005的形狀，盡管所表示的是在頂部形成了透鏡部的半球狀構成，但封固部件7005不限于圖示的形狀，也可以制成為沒有透鏡部的形狀、多角型、圓柱型等任意形狀。
            
此外，在封固部件7005成型時，采用了玻璃片，但不限于采用了玻璃片的方法，也可以采用其它封固方法。
            
圖99表示本發明第二十二實施方式涉及的倒裝型發光裝置，(a)是剖視圖，(b)是從(a)的右側面觀看的側視圖。此外，對具有與第二十實施方式相同的構成的部分，附加共通的引用數字。該發光裝置7010如圖99(a)所示，具有如下構成將基層固定元件7003搭載到由Cu構成的放熱部7050上，并用由低熔點玻璃形成的封固部件7005來一體封固，此外在封固部件7005中形成有透鏡7005A。
            
基層固定元件7003被存放到設置于放熱部7050的溝部7051內，設置于其表面的配線圖形7053與LED元件7001的電極由凸塊7002來電連接，由此來構成供電部的一部分。配線圖形7053在與LED元件7001接合后，與軟金屬即由Cu構成的引線部7004A、7004B錫焊連接。引線部7004B，如圖99(b)所示，在溝部7051中以長方形截面來夾設棒狀玻璃材料7052，由此來與放熱部7050絕緣，且以該絕緣狀態來對封固部件5加熱沖壓。此時，對引線部7004A也進行與引線部7004B同樣的處理。引線部7004A、7004B，以由基于加熱沖壓而溶融了的玻璃材料7052及封固部件7005而與放熱部7050絕緣的狀態來被一體化。
            
根據第二十二實施方式，由于用由玻璃材料構成的封固部件7005，來對搭載有基層固定元件7003的放熱部7050進行一體封固，因而可獲得如下發光裝置7001，即除了第一實施方式的良好效果之外，還可提高從基層固定元件7003傳來的熱量的放熱性，不僅在玻璃封固加工時，即使在比如來自LED元件7001的發熱量因大電流化而增大的場合下，放熱性也良好，且難以發生因熱膨脹率差而引起的封裝裂紋。
            
此外，在所述第二十二實施方式中，所說明的是采用了由Cu構成的放熱部7050的構成，但也可以采用比如Cu合金及鋁等傳熱性良好且與封固部件7005的熱膨脹率差較小的材料。假設，比如在采用由鋁構成的放熱部7050的場合下，對LED元件7001及基層安裝件7003，熱膨脹率差大約為500％。
            
圖100表示本發明第二十三實施方式涉及的正裝型發光裝置，(a)是剖視圖，(b)是從(a)的右側面觀看的側視圖。并且，對具有與第二十一實施方式相同構成的部分，附加共通的引用數字。該發光裝置70040如圖100(a)所示，構成為在由Cu構成的放熱部50的中央，粘接LED元件7040，并用導線7042，來對向該LED元件7040供給電流的引線部7004A、7004B與LED元件7040的電極進行電連接。此外，LED元件7040、導線7042、以及引線部7004A、7004B，被由硅樹脂構成的硅被覆部7060覆蓋，從而對低熔點玻璃加工時的熱量具有耐熱性。封固部件7005覆蓋硅被覆部7060，且與放熱部7050成為一體。此外，在封固部件7005中形成有透鏡7005A。
            
根據第二十三實施方式，即使是正裝型發光裝置7040，也可以通過由具有耐熱性及彈性的硅被覆部7060覆蓋LED元件7041的周圍，來防止因玻璃封固加工時的壓力而造成LED元件7041的電極及導線7042發生變形，而且可同時進行玻璃封固，因而可獲得如下的發光裝置7001，即除了第二十一實施方式的良好效果之外，LED元件7041的安裝性良好，不僅在玻璃封固加工時，比如即使在來自LED元件7041的發熱量因大電流而增大的場合下，放熱性也良好，且難以發生因熱膨脹率差而引起的封裝裂紋。此外，硅被覆部7060也可以含有熒光體。
            
此外，在所述第二十三實施方式中，所說明的是從一對引線部7004A、7004B，來對搭載于放熱部7050的LED元件7041供電的構成，但比如也可以構成為使放熱部7050與一個引線部成為一體，而用玻璃材料7052來絕緣另一個引線部與放熱部7050。
            
此外，除了采用硅樹脂來作為被覆材料之外，也可以采用陶瓷被覆材料等其它具有耐熱性的材料。對于施用該被覆材料的結構而言，不限于正裝型LED元件，也可以采用倒裝型LED元件。
            
此外，如果是LED之類的發光元件，且發光元件的折射率為2以上的材料，則通過用折射率為1.5程度以上的封固材料來封固元件，則可使來自元件的光的取出效率提高約2倍及其以上。此時，封固材料有必要具有透光性。受光元件沒有這種效果，如果用透光性材料來直接對元件進行粘接封固，則只有降低不同媒體界面上的反射的效果。如果不是光學元件，則不必具有透光性。
            
此外，盡管所說明的是用玻璃來作為封固材料，但也可以是在玻璃加工后結晶化了的材料，也可以是化學穩定性較高的無機材料。
            
產業上的可利用性如上所述，根據本發明，即使在采用了硬度為108至109泊的玻璃材料的場合下，也可以不對固體元件造成損傷地進行封固加工。因此，可采用低熔點玻璃，可在減輕施加于固體元件的熱負荷的同時，進行良好的玻璃封固加工。與樹脂材料相比，可通過實現需要高溫加工的硬質材料即玻璃封固固體元件裝置，面適用于要求高溫環境及耐氣候性的環境。此外，通過采用透光性玻璃，作為光學裝置可實現光透過率穩定且不發生時效變化的高可靠性。此外，對固體發光元件而言，通過選擇高折射率玻璃，可提高來自發光元件的光取出效率，且可實現高效率發光裝置。
            
本申請基于日本國專利申請號(2003-063015、2003-160855、2003-160867、2003-193182、2003-342705、2003-342706、2004-010385)，本申請中參照了該日本國申請的全部內容。
            
權利要求
            
1.一種固體元件裝置，其特征在于，具有被倒裝安裝的固體元件；對前述固體元件進行電力接受供給的電力接受供給部；封固前述固體元件的無機封固材料。
            
2.一種固體元件裝置，其特征在于，具有固體元件；對前述固體元件進行電力接受供給的電力接受供給部；耐熱部件，其被覆前述固體元件的電連接部及前述電力接受供給部的一部分；無機封固材料，其封固包含前述耐熱部件的前述固體元件。
            
3.一種固體元件裝置，其特征在于，具有固體元件；對前述固體元件進行電力接受供給的電力接受供給部；玻璃封固部，其封固前述固體元件，且采用了從SiO2-Nb2O5系、B2O3-F系、P2O5-F系、P2O5-ZnO系、SiO2-B2O3-La2O3系、以及SiO2-B2O3系選擇的低熔點玻璃。
            
4.一種固體元件裝置，其特征在于，具有固體元件；引線部，其對前述固體元件進行電力接受供給，且由金屬構成；封固前述固體元件的無機封固材料。
            
5.根據權利要求4所述的固體元件裝置，其特征在于前述引線部由軟金屬構成。
            
6.根據權利要求4所述的固體元件裝置，其特征在于前述引線部具有基層安裝部，且具有與前述基層安裝部對應的凹部。
            
7.根據權利要求4所述的固體元件裝置，其特征在于前述固體元件，被熱膨脹率高于前述固體元件的部件包圍。
            
8.一種固體元件裝置，其特征在于，具有固體元件；電力接受供給部，其對前述固體元件進行電力接受供給，且由無機材料基片構成；無機封固材料，其封固前述固體元件，且熱膨脹率與前述無機材料基片相同。
            
9.根據權利要求1、2、4至8任意一項所述的固體元件裝置，其特征在于前述無機封固材料是無機封固玻璃材料。
            
10.根據權利要求9所述的固體元件裝置，其特征在于前述無機封固玻璃材料，是從以下選擇的低熔點玻璃SiO2-Nb2O5系、B2O3-F系、P2O5-F系、P2O5-ZnO系、SiO2-B2O3-La2O3系、以及SiO2-B2O3系。
            
11.根據權利要求1至3任意一項所述的固體元件裝置，其特征在于前述電力接受供給部由金屬引線構成。
            
12.根據權利要求11所述的固體元件裝置，其特征在于前述金屬引線由軟金屬來形成。
            
13.根據權利要求1至3、8任意一項所述的固體元件裝置，其特征在于前述電力接受供給部由形成有導電圖形的無機材料基片構成，前述無機材料基片具有與前述無機封固材料相同的熱膨脹率。
            
14.根據權利要求13所述的固體元件裝置，其特征在于前述無機封固材料的熱膨脹率小于前述無機材料基片。
            
15.根據權利要求13所述的固體元件裝置，其特征在于前述無機材料基片，基于與前述無機封固材料進行化學反應接合，來封固前述固體元件。
            
16.根據權利要求8或13所述的固體元件裝置，其特征在于前述無機封固材料的熱膨脹率為15×10-6/℃以下。
            
17.根據權利要求1至3、8、13任意一項所述的固體元件裝置，其特征在于前述無機材料基片具有金屬層，前述無機材料基片與前述無機封固材料，通過前述金屬層的氧化物來接合。
            
18.根據權利要求8或13所述的固體元件裝置，其特征在于，前述無機材料基片上形成的導電圖形具有安裝前述固體元件一側的圖形；其背面側的圖形；電連接其兩側的圖形。
            
19.根據權利要求8或13所述的固體元件裝置，其特征在于前述無機材料基片，在表面形成有裝置分割用的溝。
            
20.根據權利要求8或13所述的固體元件裝置，其特征在于前述無機材料基片由含玻璃Al2O3、Al2O3或AlN來構成。
            
21.根據權利要求1至8任意一項所述的固體元件裝置，其特征在于前述無機封固材料，在表面上實施耐濕、耐酸及堿用的被覆處理。
            
22.根據權利要求1至21任意一項所述的固體元件裝置，其特征在于前述固體元件是光學元件，且前述無機封固材料是透光性材料。
            
23.根據權利要求22所述的固體元件裝置，其特征在于前述光學元件是發光元件。
            
24.根據權利要求23所述的固體元件裝置，其特征在于前述光學元件被折射率為1.7及其以上的前述無機封固材料來封固。
            
25.根據權利要求22所述的固體元件裝置，其特征在于前述光學元件是受光元件。
            
26.根據權利要求22至25任意一項所述的固體元件裝置，其特征在于前述無機封固材料，在表面上實施用于減輕無機封固材料與空氣的界面反射的被覆處理。
            
27.根據權利要求1至21任意一項所述的固體元件裝置，其特征在于前述無機封固材料，在表面上實施基于樹脂的壓模成形。
            
28.一種固體元件裝置制造方法，其特征在于，包括將固體元件安裝到電力接受供給部的安裝工序；封固工序，利用氧隔斷氣氛以及無機封固材料屈服點以上的溫度，來對前述固體元件的無機封固材料加壓，由此來進行封固加工。
            
29.根據權利要求30所述的固體元件裝置制造方法，其特征在于前述安裝工序是倒裝安裝。
            
30.根據權利要求30所述的固體元件裝置制造方法，其特征在于前述安裝工序，包括實施導線焊接，且用耐熱部件來被覆固體元件及導線焊接部的工序。
            
31.根據權利要求29所述的固體元件裝置制造方法，其特征在于前述封固工序，以高粘度狀態來加工前述無機封固材料。
            
32.根據權利要求31所述的固體元件裝置制造方法，其特征在于前述封固工序，以106泊以上的高粘度條件來加工前述無機封固材料。
            
33.根據權利要求28所述的固體元件裝置制造方法，其特征在于前述電力接受供給部，是向安裝前述固體元件的背面引出了電極的無機材料基片，向該無機材料基片安裝多個固體元件，并封裝無機封固材料，由此來進行封固加工，且在封固后被分離。
            
34.根據權利要求33所述的固體元件裝置制造方法，其特征在于前述無機封固材料，采用預先形成的玻璃。
            
全文摘要
            
一種固體元件裝置，其可實現低溫下的玻璃封固加工、且提供具有高可靠性封固結構的固體元件裝置。對于搭載有GaN系LED元件(2)的含玻璃Al
            
文檔編號H01L31/02GK1759492SQ20048000640
            
公開日2006年4月12日 申請日期2004年3月10日 優先權日2003年3月10日
            
發明者末廣好伸, 井上光宏, 加藤英昭, 甚目邦博, 東門領一, 和田聰, 太田光一, 相田和哉, 渡部洋己, 山本吉記, 大塚正明, 沢登成人 申請人:豐田合成株式會社, 株式會社住田光學玻璃 
            
                        
            
                        
            
                        
            
                            
                        
            

                        
                            
                    
            
                    
                    


                     
                        
                        
                    

                
            

                
                
            
                    
            
                        網友詢問留言
                        已有0條留言
                    
            
                    
            
                        
            
                            
                            
              

                                								

						

            • 還沒有人留言評論。精彩留言會獲得點贊！
              • 


                            
            
                        
            
                        
            
                         1 
                    
            
                        
                        
            
                            
            
                              
                            
            
                            
                        
            
                    
            
                
            
            
            
            
            
                
                     
            
            
          
            
      
            
    
            
      

        

  
婷婷六月激情在线综合激情,亚洲国产大片,久久中文字幕综合婷婷,精品久久久久久中文字幕,亚洲一区二区三区高清不卡,99国产精品热久久久久久夜夜嗨
,欧美日韩亚洲综合在线一区二区,99国产精品电影,伊人精品线视天天综合,精品伊人久久久大香线蕉欧美

            

亚洲精品1区
国产成人一级
91精品国产欧美一区二区
亚洲精品乱码久久久久久下载
国产精品久久久久久久伊一
九色国产
国产精品九九视频
伊人久久成人爱综合网
欧美日韩亚洲区久久综合
欧美日本一道免费一区三区
夜夜爽一区二区三区精品
欧美日韩高清一区二区三区
国产成人av在线
国产精品对白交换绿帽视频
国产视频亚洲
国产在线欧美精品
国产精品综合网
国产日韩精品欧美一区色
国产日韩精品欧美一区喷
欧美日韩在线观看区一二
国产区精品
欧美视频日韩视频
中文字幕天天躁日日躁狠狠躁97
视频一二三区
欧美高清在线精品一区二区不卡
国产精品揄拍一区二区久久
99久久综合狠狠综合久久aⅴ
亚洲乱码视频在线观看
日韩在线第二页
亚洲精品无码专区在线播放
成人亚洲网站www在线观看
欧美三级一区二区
99久久精品免费看国产高清
91麻豆国产在线观看
最新日韩欧美不卡一二三区
成人在线观看不卡
日韩国产在线
在线亚洲精品
亚洲午夜久久久久中文字幕
国产精品成人久久久久久久
精品国产一区二区在线观看
欧美精品国产一区二区三区
中文在线播放
亚洲第一页在线视频
国产午夜精品福利久久
九色国产
精品国产九九
国产永久视频
久久精品人人做人人综合试看
国产一区二区三区免费观看
亚洲精品国产电影
9999热视频
国产精品资源在线
麻豆久久婷婷国产综合五月
国产精品免费一级在线观看
亚洲国产一区二区三区青草影视
中文在线播放
国产成人综合在线
国产在线观看色
国产亚洲三级
国产片一区二区三区
久久99精品久久久久久牛牛影视
亚洲欧美日韩国产
四虎永久免费网站
国产一毛片
国产精品视频在
九九热在线精品
99精品福利视频
色婷婷色99国产综合精品
97成人精品视频在线播放
精品久久久久久中文字幕
亚洲欧美一区二区三区孕妇
亚洲欧美成人网
日韩高清在线二区
国产尤物在线观看
在线不卡一区二区
91网站在线看
韩国精品福利一区二区
欧美日韩国产成人精品
99热精品久久
国产精品免费视频一区
高清视频一区
精品九九久久
欧美日韩在线观看免费
91欧美激情一区二区三区成人
99福利视频
亚洲国产精品91
久热国产在线
精品久久久久久中文字幕女
国产精品久久久久久久久99热
成人自拍视频网
国产精品视频久久久久久
久久影院国产
国产玖玖在线观看
99精品在线免费
亚洲欧美一区二区三区导航
久久久久久久综合
国产欧美日韩精品高清二区综合区
国产精品视频自拍
亚洲一级片免费
久久久久久九九
国产欧美自拍视频
视频一区二区在线观看
欧美日韩一区二区三区久久
中文在线亚洲
伊人热人久久中文字幕
日韩欧美亚洲国产一区二区三区
欧美亚洲国产成人高清在线
欧美日韩国产码高清综合人成
国产性大片免费播放网站
亚洲午夜综合网
91精品久久一区二区三区
国产无套在线播放
国产精品视频网站
国产成人亚洲精品老王
91在线网站
国产视频97
欧美黑人欧美精品刺激
国产一区二区三区免费在线视频
久久久国产精品免费看
99re6久精品国产首页
久久精品91
国产成人一级
国产成人精品曰本亚洲
日本福利在线观看
伊人成综合网
久久综合一本
国产综合久久久久久
久久精品成人免费看
久久福利
91精品国产91久久久久久麻豆
亚洲精品成人在线
亚洲伊人久久精品
欧美日本二区
国产永久视频
国产一区二
一区二区福利
国产一毛片
亚洲精品1区
毛片一区二区三区
伊人久久大香线蕉综合影
国产欧美在线观看一区
亚洲国产欧洲综合997久久
国产一区二区免费视频
国产91精品对白露脸全集观看
久久亚洲国产伦理
欧美成人伊人久久综合网
亚洲性久久久影院
久久99国产精一区二区三区!
91精品国产欧美一区二区
欧美日韩亚洲区久久综合
日韩精品一二三区
久久久夜色精品国产噜噜
国产在线精品福利91香蕉
久久久久久久亚洲精品
97se色综合一区二区二区
91国语精品自产拍在线观看性色
91久久国产综合精品女同我
日韩中文字幕a
国产成人亚洲日本精品
久久国产精品-国产精品
久久国产经典视频
久久国产精品伦理
亚洲第一页在线视频
国产精品久久久久三级
日韩毛片网
久久免费高清视频
麻豆国产在线观看一区二区
91麻豆国产福利在线观看
国产成人精品男人的天堂538
一区二区三区中文字幕
免费在线视频一区
欧美日韩国产成人精品
国产综合网站
国产资源免费观看
亚洲精品亚洲人成在线播放
精品久久久久久中文字幕专区
亚洲人成人毛片无遮挡
国产一起色一起爱
国产香蕉精品视频在
九九热免费观看
日韩亚洲欧美一区
九九热精品在线观看
精品久久久久久中文字幕专区
亚洲欧美自拍偷拍
国产精品每日更新
久久久久国产一级毛片高清板
久久天天躁狠狠躁夜夜中文字幕
久久精品片
日韩在线毛片
国产成人精品本亚洲
国产成人精品一区二区三区
九九热在线观看
国产r级在线观看
国产欧美日韩精品高清二区综合区
韩国电影一区二区
国产精品毛片va一区二区三区
五月婷婷伊人网
久久一区二区三区免费
一本色道久久综合狠狠躁篇
亚洲综合色站
国产尤物在线观看
亚洲一区亚洲二区
免费在线视频一区
欧洲精品视频在线观看
日韩中文字幕a
中文字幕日本在线mv视频精品
91精品在线免费视频
精品国产免费人成在线观看
精品a级片
中文字幕日本在线mv视频精品
日韩在线精品视频
婷婷丁香色
91精品国产高清久久久久
国产成人精品日本亚洲直接
五月综合视频
欧美日韩在线亚洲国产人
精液呈暗黄色
亚洲乱码一区
久久精品中文字幕不卡一二区
亚洲天堂精品在线
激情婷婷综合
国产免费久久精品久久久
国产精品亚洲二区在线
久久免费播放视频
五月婷婷丁香综合
在线亚洲欧美日韩
久久免费精品高清麻豆
精品久久久久久中文字幕
亚洲一区网站
国产精品福利社
日韩中文字幕免费
亚洲综合丝袜
91精品在线播放
国产精品18
亚洲日日夜夜
伊人久久大香线蕉综合影
亚洲精品中文字幕乱码影院
亚洲一区二区黄色
亚洲第一页在线视频
一区二区在线观看视频
国产成人福利精品视频
亚洲高清二区
国内成人免费视频
精品亚洲性xxx久久久
国产精品合集一区二区三区
97av免费视频
国产一起色一起爱
国产区久久
国产资源免费观看
99精品视频免费
国产成人一级
国产精品九九免费视频
欧美91精品久久久久网免费
99热国产免费
久久精品色
98精品国产综合久久
久久精品播放
中文字幕视频免费
国产欧美日韩一区二区三区在线
精品久久蜜桃
国产小视频精品
一本色道久久综合狠狠躁篇
91在线免费观看
亚洲精品区
伊人成综合网
伊人热人久久中文字幕
伊人黄色片
99国产精品热久久久久久夜夜嗨
久久免费精品视频
亚洲一区二区三区高清不卡
久久久久国产一级毛片高清板
国产片一区二区三区
久久狠狠干
99久久婷婷国产综合精品电影
国产99区
国产精品成人久久久久
久久狠狠干
青青国产在线观看
亚洲高清国产拍精品影院
国产精品一区二区av
九九热在线免费视频
伊人久久国产
国产精品久久久久久久久久一区
在线观看免费视频一区
国产精品自在在线午夜区app
国产精品综合色区在线观看
国产毛片久久久久久国产毛片
97国产免费全部免费观看
国产精品每日更新
国产尤物视频在线
九九视频这里只有精品99
一本一道久久a久久精品综合
久久综合给会久久狠狠狠
国产成人精品男人的天堂538
欧美一区二区高清
毛片一区二区三区
国产欧美日韩在线观看一区二区三区
在线国产二区
欧美不卡网
91在线精品中文字幕
在线国产福利
国内精品91久久久久
91亚洲福利
日韩欧美国产中文字幕
91久久精品国产性色也91久久
亚洲性久久久影院
欧美精品1区
国产热re99久久6国产精品
九九热免费观看
国产精品欧美日韩
久久久久国产一级毛片高清板
久久国产经典视频
日韩欧美亚洲国产一区二区三区
欧美亚洲综合另类在线观看
国产精品自在在线午夜区app
97中文字幕在线观看
视频一二三区
精品国产一区在线观看
国产欧美日韩在线一区二区不卡
欧美一区二三区
伊人成人在线观看
国内精品91久久久久
97在线亚洲
国产在线不卡一区
久久久全免费全集一级全黄片
国产精品v欧美精品∨日韩
亚洲毛片网站
在线不卡一区二区
99re热在线视频
久久激情网
国产毛片一区二区三区精品
久久亚洲综合色
中文字幕视频免费
国产视频亚洲
婷婷伊人久久
国产一区二区免费播放
久久99国产精品成人欧美
99国产在线视频
国产成人免费视频精品一区二区
国产不卡一区二区三区免费视
国产码欧美日韩高清综合一区
久久精品国产主播一区二区
国产一区电影
久久精品国产夜色
国产精品国产三级国产
日韩一区二区三区在线
久久97久久97精品免视看
久久国产免费一区二区三区
伊人久久大香线蕉综合电影网
99re6久精品国产首页
久久激情网
亚洲成人高清在线
国产精品网址
国产成人精品男人的天堂538
香蕉国产综合久久猫咪
国产专区中文字幕
91麻豆精品国产高清在线
久久国产经典视频
国产精品成人va在线观看
国产精品爱啪在线线免费观看
日本精品久久久久久久久免费
亚洲综合一区二区三区
久久五月网
精品国产网红福利在线观看
久久综合亚洲伊人色
亚洲国产精品久久久久久网站
在线日韩国产
99国产精品热久久久久久夜夜嗨
国产综合精品在线
国产区福利
精品亚洲综合久久中文字幕
国产制服丝袜在线
毛片在线播放网站
在线观看免费视频一区
国产精品久久久精品三级
亚洲国产电影在线观看
最新日韩欧美不卡一二三区
狠狠综合久久综合鬼色
日本精品1在线区
国产日韩一区二区三区在线播放
欧美日韩精品在线播放
亚洲欧美日韩国产一区二区三区精品
久久综合久久网
婷婷六月激情在线综合激情
亚洲乱码一区
国产专区91
97av视频在线观看
精品久久久久久中文字幕
久久五月视频
国产成人福利精品视频
国产精品网址
中文字幕视频在线
精品一区二区三区免费视频
伊人手机在线视频
亚洲精品中文字幕乱码
国产在线视频www色
色噜噜国产精品视频一区二区
精品亚洲成a人在线观看
国产香蕉尹人综合在线
成人免费一区二区三区在线观看
国产不卡一区二区三区免费视
欧美精品久久天天躁
国产专区中文字幕
久久精品国产免费中文
久久精品国产免费一区
久久无码精品一区二区三区
国产欧美另类久久久精品免费
欧美精品久久天天躁
亚洲精品在线视频
国产视频91在线
91精品福利一区二区三区野战
日韩中文字幕免费
国产精品99一区二区三区
欧美成人高清性色生活
国产精品系列在线观看
亚洲国产福利精品一区二区
国产成人在线小视频
国产精品久久久久免费
99re热在线视频
久久久久久久综合
一区二区国产在线播放
成人国产在线视频
亚洲精品乱码久久久久
欧美日韩一区二区综合
精品久久久久免费极品大片
中文字幕视频二区
激情粉嫩精品国产尤物
国产成人精品一区二区视频
久久精品中文字幕首页
亚洲高清在线
国产精品亚洲一区二区三区
伊人久久艹
中文在线亚洲
国产精品一区二区在线播放
国产精品九九免费视频
亚洲二区在线播放
亚洲狠狠婷婷综合久久久久网站
亚洲欧美日韩网站
日韩成人精品
亚洲国产一区二区三区青草影视
91精品国产福利在线观看
国产精品久久久久久久久99热
国产一区二区精品尤物
久碰香蕉精品视频在线观看
亚洲日日夜夜
在线不卡一区二区
国产午夜亚洲精品
九九热在线视频观看这里只有精品
伊人手机在线视频
91免费国产精品
日韩欧美中字
91精品国产91久久久久
国产全黄三级播放
视频一区二区三区免费观看
国产开裆丝袜高跟在线观看
国产成人欧美
激情综合丝袜美女一区二区
国产成人亚洲综合无
欧美精品一区二区三区免费观看
欧美亚洲国产日韩
日韩亚州
国产欧美日韩精品高清二区综合区
亚洲午夜国产片在线观看
精品久久久久久中文字幕
欧美精品1区
久久伊人久久亚洲综合
亚洲欧美日韩精品
国产成人精品久久亚洲高清不卡
久久福利影视
国产精品99精品久久免费
久久久久免费精品视频
国产日产亚洲精品
亚洲国产午夜电影在线入口
精品无码一区在线观看
午夜国产精品视频
亚洲一级片免费
伊人久久大香线蕉综合影
国产精品久久影院
久碰香蕉精品视频在线观看
www.欧美精品
在线小视频国产
亚洲国产天堂久久综合图区
欧美一区二区三区不卡
日韩美女福利视频
九九精品免视频国产成人
不卡国产00高中生在线视频
亚洲第一页在线视频
欧美日韩在线播放成人
99re视频这里只有精品
国产精品91在线
精品乱码一区二区三区在线
国产区久久
91麻豆精品国产自产在线观看一区
日韩精品成人在线
九九热在线观看
国产精品久久不卡日韩美女
欧美一区二区三区综合色视频
欧美精品免费一区欧美久久优播
国产精品网址
国产专区中文字幕
国产精品欧美亚洲韩国日本久久
日韩美香港a一级毛片
久久精品123
欧美一区二区三区免费看
99r在线视频
亚洲精品国产字幕久久vr
国产综合激情在线亚洲第一页
91免费国产精品
日韩免费小视频
亚洲国产精品综合一区在线
国产亚洲第一伦理第一区
在线亚洲精品
国产精品一区二区制服丝袜
国产在线成人精品
九九精品免视频国产成人
亚洲国产网
欧美日韩亚洲一区二区三区在线观看
在线亚洲精品
欧美一区二区三区高清视频
国产成人精品男人的天堂538
欧美日韩在线观看区一二
亚洲欧美一区二区久久
久久精品中文字幕首页
日本高清www午夜视频
久久精品国产免费
久久999精品
亚洲国产精品欧美综合
88国产精品视频一区二区三区
91久久偷偷做嫩草影院免费看
国产精品夜色视频一区二区
欧美日韩导航
国产成人啪精品午夜在线播放
一区二区视频在线免费观看
99久久精品国产自免费
精液呈暗黄色
久久99国产精品
日本精品久久久久久久久免费
精品国产97在线观看
99re视频这里只有精品
国产视频91在线
999av视频
亚洲美女视频一区二区三区
久久97久久97精品免视看
亚洲国产成人久久三区
99久久亚洲国产高清观看
日韩毛片在线视频
综合激情在线
91福利一区二区在线观看
一区二区视频在线免费观看
激情粉嫩精品国产尤物
国产成人精品曰本亚洲78
国产成人精品本亚洲
国产精品成人免费视频
国产成人啪精品视频免费软件
久久精品国产亚洲妲己影院
国产精品成人久久久久久久
久久大香线蕉综合爱
欧美一区二区三区高清视频
99热国产免费
在线观看欧美国产
91精品视频在线播放
国产精品福利社
欧美精品一区二区三区免费观看
国产一区二区免费视频
国产午夜精品一区二区
精品视频在线观看97
91精品福利久久久
国产一区福利
国产综合激情在线亚洲第一页
国产精品久久久久久久久久久不卡
九色国产
在线日韩国产
黄网在线观看
亚洲一区小说区中文字幕
中文字幕丝袜
日本二区在线观看
日本国产一区在线观看
欧美日韩一区二区三区久久
欧美精品亚洲精品日韩专
国产日产亚洲精品
久久综合九色综合欧美播
亚洲国产欧美无圣光一区
欧美视频区
亚洲乱码视频在线观看
久久无码精品一区二区三区
九九热精品免费视频
久久99精品久久久久久牛牛影视
国产精品成久久久久三级
国产一区福利
午夜国产精品视频
日本二区在线观看
99久久网站
国产亚洲天堂
精品国产一区二区三区不卡
亚洲国产日韩在线一区
国产成人综合在线观看网站
久久免费高清视频
欧美在线导航
午夜精品久久久久久99热7777
欧美久久综合网
国产小视频精品
国产尤物在线观看
亚洲国产精品综合一区在线
欧美一区二区三区不卡视频
欧美黑人欧美精品刺激
日本福利在线观看
久久国产偷
国产手机精品一区二区
国产热re99久久6国产精品
国产高清啪啪
欧美亚洲国产成人高清在线
国产在线第三页
亚洲综合一区二区三区
99r在线视频
99精品久久久久久久婷婷
国产精品乱码免费一区二区
国产在线精品福利91香蕉
国产尤物视频在线
五月婷婷亚洲
中文字幕久久综合伊人
亚洲精品一级毛片
99国产精品电影
在线视频第一页
久久99国产精品成人欧美
国产白白视频在线观看2
成人精品一区二区www
亚洲成人网在线观看
麻豆91在线视频
色综合合久久天天综合绕视看
久久精品国产免费高清
国产不卡一区二区三区免费视
欧美国产中文
99精品欧美
九九在线精品
国产中文字幕在线免费观看
国产一区中文字幕在线观看
国产成人一级
国产精品一区二区制服丝袜
国产一起色一起爱
亚洲精品成人在线
亚洲欧美精品在线
国产欧美自拍视频
99精品久久久久久久婷婷
久99视频
国产热re99久久6国产精品
视频一区亚洲
国产精品视频分类
国产精品成在线观看
99re6久精品国产首页
亚洲在成人网在线看
亚洲国产日韩在线一区
久久国产三级
日韩国产欧美
欧美在线一区二区三区
国产精品美女一级在线观看
成人午夜免费福利视频
亚洲天堂精品在线
91精品国产手机
欧美日韩视频在线播放
狠狠综合久久综合鬼色
九一色视频
青青视频国产
亚洲欧美自拍一区
中文字幕天天躁日日躁狠狠躁97
日韩免费大片
996热视频
伊人成综合网
亚洲天堂欧美
日韩精品亚洲人成在线观看
久久综合给会久久狠狠狠
日韩精品亚洲人成在线观看
日韩国产欧美
亚洲成aⅴ人片在线影院八
亚洲精品1区
99久久精品免费
国产精品高清在线观看
国产精品久久久免费视频
在线亚洲欧美日韩
91在线看视频
国产精品96久久久久久久
欧美日韩国产成人精品
91在线亚洲
热久久亚洲
国产精品美女免费视频观看
日韩在线毛片
亚洲永久免费视频
九九免费在线视频
亚洲一区网站
日本高清二区视频久二区
精品国产美女福利在线
伊人久久艹
国产精品久久久久三级
欧美成人精品第一区二区三区
99久久精品国产自免费
在线观看日韩一区
国产中文字幕一区
成人免费午夜视频
欧美日韩另类在线
久久99国产精品成人欧美
色婷婷中文网
久久天天躁夜夜躁狠狠躁2020
欧美成人伊人久久综合网
国产精品福利资源在线
国产伦精品一区二区三区高清
国产精品亚洲综合色区韩国
亚洲一区欧美日韩
色综合视频
国语自产精品视频在线区
国产高清a
成人国内精品久久久久影
国产在线精品香蕉综合网一区
国产不卡在线看
国产成人精品精品欧美
国产欧美日韩综合精品一区二区三区
韩国电影一区二区
国产在线视频www色
91中文字幕在线一区
国产人成午夜免视频网站
亚洲综合一区二区三区
色综合视频一区二区观看
久久五月网
九九热精品在线观看
国产一区二区三区国产精品
99久热re在线精品996热视频
亚洲国产网
在线视频亚洲一区
日韩字幕一中文在线综合
国产高清一级毛片在线不卡
精品国产色在线
国产高清视频一区二区
精品日本久久久久久久久久
亚洲国产午夜精品乱码
成人免费国产gav视频在线
日韩欧美一区二区在线观看
欧美曰批人成在线观看
韩国电影一区二区
99re这里只有精品6
日韩精品一区二区三区视频
99re6久精品国产首页
亚洲欧美一区二区三区导航
欧美色图一区二区三区
午夜精品视频在线观看
欧美激情在线观看一区二区三区
亚洲热在线
成人国产精品一区二区网站
亚洲一级毛片在线播放
亚洲一区小说区中文字幕
亚洲午夜久久久久影院
国产自产v一区二区三区c
国产精品视频免费
久久调教视频
国产成人91激情在线播放
国产精品欧美亚洲韩国日本久久
久久亚洲日本不卡一区二区
91中文字幕网
成人国产在线视频
国产视频91在线
欧美成人精品第一区二区三区
国产精品福利在线
久久综合九色综合精品
欧美一区二区三区精品
久久国产综合尤物免费观看
久久99青青久久99久久
日韩精品免费
久久国产精品999
91亚洲视频在线观看
国产精品igao视频
色综合区
在线亚洲欧国产精品专区
国产一区二区三区在线观看视频
亚洲精品成人在线
一区二区国产在线播放
中文在线亚洲
亚洲精品第一国产综合野
国产一区二区精品久久
一区二区三区四区精品视频
99热精品久久
中文字幕视频二区
国产成人精品男人的天堂538
99精品影视
美女福利视频一区二区
久久午夜夜伦伦鲁鲁片
综合久久久久久久综合网
国产精品国产欧美综合一区
国产99视频在线观看
国产亚洲女在线精品
婷婷影院在线综合免费视频
国产亚洲3p一区二区三区
91成人爽a毛片一区二区
亚洲一区二区高清
国产欧美亚洲精品第二区首页
欧美日韩导航
亚洲高清二区
欧美激情观看一区二区久久
日韩毛片在线播放
亚洲欧美日韩高清中文在线
亚洲日本在线播放
国产精品一区二区制服丝袜
精品国产一区二区三区不卡
国产不卡在线看
国产欧美网站
四虎永久在线观看视频精品
国产黄色片在线观看
夜夜综合
一本色道久久综合狠狠躁篇
欧美亚洲综合另类在线观看
国产91在线看
伊人久久国产
欧美一区二区在线观看免费网站
国产精品久久久久三级
久久福利
日韩中文字幕a
亚洲午夜久久久久影院
91在线高清视频
国产亚洲一区二区三区啪
久久人精品
国产精品亚洲午夜一区二区三区
综合久久久久久
久久伊人一区二区三区四区
国产综合久久久久久
日韩一区精品视频在线看
国产精品日韩欧美制服
日本精品1在线区
99re视频
无码av免费一区二区三区试看
国产视频1区
日韩欧美中文字幕一区
日本高清中文字幕一区二区三区a
亚洲国产欧美无圣光一区
国产在线视频一区二区三区
欧美国产第一页
在线亚洲欧美日韩
日韩中文字幕第一页
在线不卡一区二区
伊人久久青青
国产精品一区二区在线播放
www.五月婷婷
麻豆久久婷婷国产综合五月
亚洲精品区
久久国产欧美另类久久久
99在线视频免费
伊人久久中文字幕久久cm
久久精品成人免费看
久久这里只有精品首页
88国产精品视频一区二区三区
中文字幕日本在线mv视频精品
国产在线精品成人一区二区三区
伊人精品线视天天综合
亚洲一区二区黄色
国产尤物视频在线
亚洲精品99久久久久中文字幕
国产一区二区三区免费观看
伊人久久大香线蕉综合电影网
国产成人精品区在线观看
日本精品一区二区三区视频
日韩高清在线二区
久久免费播放视频
一区二区成人国产精品
国产精品免费精品自在线观看
亚洲精品视频二区
麻豆国产精品有码在线观看
精品日本一区二区
亚洲欧洲久久
久久中文字幕综合婷婷
中文字幕视频在线
国产成人精品综合在线观看
91精品国产91久久久久福利
精液呈暗黄色
香蕉国产综合久久猫咪
国产专区精品
亚洲精品无码不卡
国产永久视频
亚洲成a人片在线播放观看国产
一区二区国产在线播放
亚洲一区二区黄色
欧美日韩在线观看视频
亚洲精品另类
久久国产综合尤物免费观看
国产一区二区三区国产精品
高清视频一区
国产精品igao视频
国产精品资源在线
久久综合精品国产一区二区三区
www.五月婷婷
精品色综合
99热国产免费
麻豆福利影院
亚洲伊人久久大香线蕉苏妲己
久久电影院久久国产
久久精品伊人
在线日韩理论午夜中文电影
亚洲国产欧洲综合997久久
伊人国产精品
久草国产精品
欧美一区精品二区三区
亚洲成人高清在线
91免费国产精品
日韩精品福利在线
国产一线在线观看
国产不卡在线看
久久99青青久久99久久
亚洲精品亚洲人成在线播放
99久久免费看国产精品
国产日本在线观看
青草国产在线视频
麻豆久久婷婷国产综合五月
国产中文字幕一区
91久久精品国产性色也91久久
国产一区a
国产欧美日韩成人
国产亚洲女在线精品
一区二区美女
中文字幕在线2021一区
在线小视频国产
久久这里只有精品首页
国产在线第三页
欧美日韩中文字幕
在线亚洲+欧美+日本专区
精品国产一区二区三区不卡
久久这里精品
欧美在线va在线播放
精液呈暗黄色
91精品国产手机
91在线免费播放
欧美视频亚洲色图
欧美国产日韩精品
日韩高清不卡在线
精品视频免费观看
欧美日韩一区二区三区四区
国产欧美亚洲精品第二区首页
亚洲韩精品欧美一区二区三区
国产精品视频免费
在线精品小视频
久久午夜夜伦伦鲁鲁片
国产无套在线播放
久热这里只精品99re8久
欧美久久久久
久久香蕉国产线看观看精品蕉
国产成人精品男人的天堂538
亚洲人成网站色7799在线观看
日韩在线第二页
一本色道久久综合狠狠躁篇
国产一区二区三区不卡在线观看
亚洲乱码在线
在线观看欧美国产
久久福利青草精品资源站免费
国产玖玖在线观看
在线亚洲精品
亚洲成aⅴ人在线观看
精品91在线
欧美一区二三区
日韩中文字幕视频在线
日本成人一区二区
日韩免费专区
国内精品在线观看视频
久久国产综合尤物免费观看
国产精品系列在线观看
一本一道久久a久久精品综合
亚洲免费播放
久久精品国产免费
久久人精品
亚洲毛片网站
亚洲成a人一区二区三区
韩国福利一区二区三区高清视频
亚洲精品天堂在线
一区二区三区中文字幕
亚洲国产色婷婷精品综合在线观看
亚洲国产成人久久笫一页
999国产视频
国产精品香港三级在线电影
欧美日韩一区二区三区四区
日韩国产欧美
国产精品99一区二区三区
午夜国产精品理论片久久影院
亚洲精品中文字幕麻豆
亚洲国产高清视频
久久免费手机视频
日韩a在线观看
五月婷婷亚洲
亚洲精品中文字幕麻豆
中文字幕丝袜
www国产精品
亚洲天堂精品在线
亚洲乱码一区
国产日韩欧美三级
久久999精品
伊人热人久久中文字幕
久热国产在线视频
国产欧美日韩在线观看一区二区三区
国产一二三区在线
日韩国产欧美
91精品国产91久久久久
亚洲一区小说区中文字幕
精品一区二区免费视频
国产精品视频免费
国产精品亚洲综合色区韩国
亚洲国产精品成人午夜在线观看
欧美国产日韩精品
中文字幕精品一区二区精品