專利名稱：半導體處理系統用閘閥及真空容器的制作方法
技術領域：
本發明涉及在半導體處理系統內對用于搬運被處理基板的通路進行開閉的閘閥，和內藏該閘閥的半導體系統用的真空容器等。在這里，所謂半導體處理指的是在半導體晶片或LCD(液晶顯示器)或FPD(平面屏顯示器)用玻璃基板等被處理基板上通過以預定圖形形成半導體層、絕緣層、導電層等，為了在該被處理基板上制造半導體器件或與半導體器件連接的配線、包含電極等的構造物而實施的種種處理。
背景技術：
作為半導體處理系統有在真空搬運室周圍配置多個負載鎖定室和真空處理室的組合型真空處理系統。此外，為了減小真空系統設置空間，也有上下疊層負載鎖定室或真空處理室(例如，特開平2001-160578號公報)。由于在這種真空處理系統，需要邊維持真空環境，邊進行被處理基板的搬入搬出，所以在各室間還要配置用于保持氣密性的閘閥。
圖10是示出現有技術的真空處理系統一例的側截面圖。在圖10，處理室2及負載鎖定室3與搬運室1連接。在處理室2及負載鎖定室3和搬運室1之間分別配設閘閥5。在搬運室1的內部配設搬運機械手6，用于在負載鎖定室3和處理室2之間或在2個處理室2之間搬運被處理基板。作為這種閘閥5，通常使用在與該通路的貫通方向正交的方向滑動的閘閥開閉用于被處理基板搬入搬出的通路的形式(例如，特開平2-113178號公報)。
在圖10所示的現有技術的真空系統上，通過上下疊層處理室2或負載鎖定室3等真空室，不增加設置面積地增加處理室2或負載鎖定室3的數目。可是，在疊層各真空室的情況，閘閥5也應當在同一位置上下并列。因此，不能充分地確保閘閥5的驅動系統的配置空間，相反，存在所謂受真空室疊層層數或疊層間隔制約的問題。
發明內容
本發明的目的是提供具有疊層的多個通路，且緊湊化的半導體處理系統用的閘閥及真空容器。
本發明的第一方面是半導體處理系統用閘閥，具備以下配置，即，形成沿第一方向并列的多個通路的殼體，前述通路在面對與前述第一方向正交的第二方向的第一規定側分別具有進出口；前述進出口的每一個上分別配設的閥座，前述閥座越靠近前述第一方向的第二規定側，則在前述第二方向越配置在順序后退的位置上；用于開閉前述進出口、通過在前述第一方向的滑動，有選擇地與前述閥座接合地配設的多個閥板，前述閥板與前述第二方向的前述閥座位置對應而在前述第二方向并排配置；和在關閉前述進出口的第一位置和打開前述進出口的第二位置之間使前述閥板滑動的驅動機構。
本發明的第二方面是半導體處理系統用的真空容器，具備以下部件，即，形成沿第一方向并列的多個真空室的容器主體；和用于開閉前述多個真空室、在前述容器主體的第一端部配設的第一閘閥，前述第一閘閥具備以下配置，即形成沿前述第一方向并排且與前述多個真空室分別連通的多個通路的殼體，前述通路在面對與前述第一方向正交的第二方向的第一規定側分別具有進出口；前述進出口的每一個上分別配設的閥座，前述閥座越靠近前述第一方向的第二規定側，則在前述第二方向越配置在順序后退的位置上；用于開閉前述進出口、通過沿前述第一方向的滑動而有選擇地與前述閥座接合地配設的多個閥板，前述閥板與前述第二方向的前述閥座位置對應而在前述第二方向并排配置；和在關閉前述進出口的第一位置和打開前述進出口的第二位置之間使前述閥板滑動的驅動機構。
本發明的第三方面是半導體處理系統用閘閥的殼體單元，具備以下配置，即，
形成沿第一方向并列的多個通路的殼體，前述通路在面對與前述第一方向正交的第二方向的第一規定側各自具有進出口；和前述進出口的每一個上配設的閥座，前述閥座越靠近前述第一方向的第二規定側，在前述第二方向越配置在順序后退的位置上。
本發明的第四方面是半導體處理系統用閘閥的操作單元，前述閘閥具備沿第一方向并列且在與前述第一方向正交的第二方向順序后退的位置上配置的帶閥座的進出口，前述操作單元具備用于開閉前述進出口、通過沿前述第一方向滑動而有選擇地與前述閥座接合地配設的多個閥板，前述閥板與前述第二方向的前述閥座位置對應而在前述第二方向并列配置；和在關閉前述進出口的第一位置和打開前述進出口的第二位置之間使前述閥板滑動的驅動機構。
圖1A、B是分別示出本發明實施方式的閘閥的正視圖及側向截面圖。
圖2A是示出從前述閘閥之上打開第一及第三層的通路狀態的縱向截面圖，圖2B是示出從前述閘閥之上打開第二及第四層的通路狀態的縱向截面圖。
圖3是從斜右上前方看從前述閘閥之上打開第一及第三層的通路狀態的立體圖。
圖4是示出使前述閘閥與容器主體成對結合構成的負載鎖定裝置的縱向截面圖。
圖5是前述負載鎖定裝置的水平截面圖。
圖6是放大示出前述閘閥的閥板和閥座之間關系的縱截面圖。
圖7是示出使用了前述閘閥的真空處理系統之例子的平面圖。
圖8是示出本發明其它實施方式的真空容器一部分的立體圖。
圖9是示出本發明另一其它實施方式的真空容器一部分的立體圖。
圖10是示出現有技術的真空處理系統一例的側截面圖。
具體實施例方式
參照附圖對本發明的實施方式說明如下。在以下的說明中，具有大體同一功能及構成的構成要素附同一符號，只在必要的情況下進行重復說明。
圖1A，B是分別示出本發明實施方式的閘閥的正視圖及側截面圖。該閘閥20由具有將多個閥功能疊層為多層的結構的1單元構成。閘閥20，如后述所示，通過與容器主體一體化而使用在用于構成多層型處理室或負載鎖定室的真空容器。
如圖1A，B所示，閘閥20具有形成沿著垂直的Z方向(第一方向)并列的多個通路22A～22D的殼體21。通路各自具有面對水平的X方向(即與第一方向正交的第二方向)的前端面21a側的前端進出口23A～23D。在進出口23A～23D各自的周圍上分別配設閥片(閥座)25A～25D。閥座25A～25D越靠近下側，越在X方向配置在順序后退的位置上。
配設用于開閉進出口23A～23D的多個閥板(閥體)24A～24D。閥板24A～24D通過Z方向滑動有選擇地與閥座25A～25D接合。閥板24A～24D與X方向的閥座25A～25D位置對應，在X方向并列地配置。閥座25A～25D由驅動機構30A～30D驅動。驅動機構30A～30D使閥座25A～25D的各個在將進出口23A～23D關閉的第一位置和打開的第二位置之間滑動。
具體講，在殼體21內X方向貫通的多個(圖示例上4個)通路22A～22D在相互平行地在Z方向疊層的狀態下形成。在殼體21的前端面21a上與各通路22A～22D對應形成臺階部分。在各臺階部分的垂直面上形成通路21A～21D的前端進出口23A～23D和包圍各進出口23A～23D的閥座25A～25D。在閥座25A～25D上配設用于確保密封性的密封部件(未圖示)等。殼體21的后端面21b由單一的平面形成。
閥板24A～24D配設在殼體21的前端面21a側，以便分別單個地開閉各通路22A～22D的進出口23A～23D。因此，閥板24A～24D的數目與各通路22A～22D的數目對應。為了開閉通路22A～22D，各閥板24A～24D各自沿Z方向滑動。各閥板24A～24D在滑動到閉合位置時，通過與各閥座25A～25B密接，關閉各通路22A～22D。
在本實施方式，通過閥板24A～24D從下向上滑動，全部通路22A～22D關閉。各閥座25A～25D從上層到下層，從前方向后方順序地后退地，即，沿X方向隔開一定間隔配設。閥板24A～24D也與閥座25A～25D在X方向的一定間隔對應，沿X方向隔開一定間隔地配設。驅動機構30A～30D由使各閥板24A～24D單個地滑動的汽缸等構成。驅動機構30A～30D在殼體21的下方以與對應的閥板24A～24D相同順序配置。
即，用于最上層通路22A的閥座25A、閥板24A、及其驅動機構30A在X方向配置在最前部。另一方面，用于最下層通路22D的閥座25D、閥板24D及其驅動機構30D在X方向配置在最后部。從上開始，用于第二層及第三層的通路22B、22C的閥座25B、25C、閥板24B、24C以及驅動機構30B、30C在上述最前部和最后部之間在X方向順序配置。
閥板24A～24D的用于開閉通路22A～22D的滑動行程(移動量)完全相同地設定。因此，相同滑動行程(移動量)的同規格驅動機構30A～30D以各自固定在殼體21的下端的框架29的狀態配置。
由于在本實施方式，閥板24A～24D的滑動行程如上述所示地設定，所以不能同時打開上下鄰接的進出口。在打開上側閥板時，該閥板保持與其正下側鄰接的閥板高度相同的高度，此外，不進一步下降到其下側排氣孔的位置。可是，關于每隔1層的進出口，可以同時對各閥板進行打開操作從而打開，對每隔1層的通路可以搬出搬入被搬送物(被處理基板)。
圖2A是示出從閘閥20上面開始，打開第一層及第三層通路狀態的縱向截面圖。如圖2A所示，在這里，使第一及第三層閥板24A、24C下降到打開位置。這時，第一及第三層閥板24A、24C保持在與其下側鄰接的第二及第四層的閥板24B、24D的高度水平。因此，可以同時打開第一及第三層排氣孔23A、23D，然而不能與它們同時打開進出口23B、23D。
圖2B是示出從閘閥20上面開始，打開第二及第四層通路狀態的縱向截面圖。如圖2B所示，在這里，使第二層第四層閥板24B、24D下降到打開位置。這時，第二層閥板24B保持在與其下側鄰接的第三層的閥板24C的高度水平。因此，可以同時打開第二及第四層排氣孔23B、23D，然而，不能與它們一起同時打開進出口23C。
這樣一來，閥板24A～24D的滑動行程大體設定為與通路22A～22D的進出口23A～23D的Z方向的間距相等。據此，使閥板24A～24D的驅動機構30A～30D的尺寸作得最小，可以對閘板20整體緊湊化作貢獻。
圖3是從斜右上前方看，從閘閥20之上開始打開第一層及第三層通路狀態的立體圖。如圖1A、圖3所示，從上開始，第一層到第三層的閥板24A～24C經升降框架26A～26C與驅動機構30A～30C的伸縮桿前端連接。各升降框架26A～26C與驅動機構30A～30D的伸縮桿上端連接，而且包含沿各閥板24A～24C寬度方向(Y方向)延伸的水平條板27A～27C。在各水平條板27A～27C上，在其長度方向兩端豎立設置一對桿28A～28C。一對桿28A～28C的間隔設定比通過各進出口23A～23D的被搬運物的寬度還大。
通過該構成，用于升降閥板24A～24D的升降框架26A～26C(尤其是桿28A～28C)未成為對其它進出口23A～23D出入的被搬運物的障礙。即，利用一對桿28A～28C之間的空間，可以使被搬運物對下側進出口23B～23D出入。通過一對桿28A～28C，可以以不偏置、穩定的姿勢，使閥板24A～24D滑動。
因為閘閥20如以上所示地構成，所以可得如下所示的效果。
首先，開閉各通路22A～22D的閥板24A～24D在X方向錯開配置。因此，可以回避閥板24A～24D彼此的干擾，或閥板24A～24D的驅動系統彼此之間的干擾。以在Z方向小的間隔配置閥板24A～24D，即使通路22A～22D的上下間隔也可以據此設置得狹窄。此外，閥板24A～24D的驅動機構30A～30D也可以高度一致，在X方向并列配置。其結果，可以使具有將多個閥層疊為多層的構造的閘閥20，構成為緊湊的1個單元。
閥板24A～24D的可動部分全部配置在各通路22A～22D的進出口23A～23D的下側。因此，可充分回避從可動部分產生的粒子到達被搬運物的移動領域。可是，從上層向下層且從前方向向后方后退那樣地配置各層的閥座25A～25D。因此，即使從上層閥座25A～25C附近來的微粒落到下方，它也只是照樣進一步向下方落下，難以進入下層側進出口23B～23D的周邊。因此，在微粒的對策上可得到良好成果。
在上述的實施方式，從下向上滑動閥板24A～24D關閉全部通路22A～22D。可是也可以這樣構成，使閥板24A～24D從上向下滑動關閉全部通路22A～22D。這樣的閘閥是與圖1A，B的閘閥20的上下相反。
即，在該變更例，通過從上向下滑動閥板24A～24D，關閉全部的通路22A～22D。各閥座25A～25D從下層向上層且從前方向后方順序地后退那樣地，即，在X方向空開一定間隔那樣地配設。閥板24A～24D也與閥座25A～25D在X方向的一定間隔對應，在X方向空開一定間隔那樣地配設。驅動機構30A～30D在殼體21的上方，按照與對應的閥板24A～24D相同的順序配置。
這樣一來，驅動機構30A～30D在配置在上側的閘閥的情況下，可以謀求殼體21的下側空間的有效利用。因此，可得到例如容易進行維護等的優點。
其次，對使用閘閥20的真空容器加以說明。圖4是示出使閘閥20和容器主體50成對結合構成的負載鎖定裝置100的縱向截面圖。圖5是真空裝置100的平截面圖。此外，在圖3也示出閘閥20和容器主體50之間關系。
負載鎖定裝置(真空容器)100具有形成相互遮斷的多個(在圖示例為4個)負載鎖定室(真空室)52A～52D的容器主體50。在容器主體50的X方向兩端部上分別配設具有前述構造的閘閥20。負載鎖定室52A～52D向水平的X方向延伸，而且在相互平行地沿垂直方向(Z方向)疊層。在負載鎖定室52A～52D分別連接供給非活性氣體的供氣系統GS和進行排氣的排氣系統ES，可個逐個地進行內部的壓力調整。
容器主體50包含將含有周壁的主體部分一體制作成的箱形主體外殼55。在主體外殼55的垂直方向中央一體形成間隔壁58。在主體外殼55上內藏另外制作的2枚蓋板56及2枚間隔板57。蓋板56及間隔板57以間隔壁58為中心上下相應配置。據此，各層的負載鎖定室52A～52D分別形成在間隔壁58和板部件57之間，以及在蓋板56和間隔板57之間。
在主體外殼55上沿著垂直方向(Z方向)以一定間隔形成水平壁55a～55e。該垂直方向中層水平壁55c作成上述間隔壁58構成。其它水平壁55a、55b、55d、55e形成為在中央具有開口部55f、55g的壁。在水平壁55a、55b、55d、55e上可裝卸地支持上述蓋板56及間隔板57。上下蓋板56起著上蓋及下蓋的作用。下蓋板56，2枚間隔板57以及間隔壁58的上面構成為載置被處理基板(例如半導體晶片)的面。在這些面上突出設置用于支持例如作為被處理基板的基板的銷59。
各閘閥20通過螺絲41(參照圖3)可裝卸地固定在容器主體50的端面上。在閘閥20的殼體21的后端面21b和容器主體50的端面之間配設用于確保密封性的密封部件(未圖示)等。在閘閥20與容器主體50的結合狀態，閘閥20的通路22A～22D與負載鎖定室52A～55D連通。因而，通過閘閥20的各閥板24A～24D的開閉操作，可以個別地使被處理體出入各真空室52A～52D。
這樣一來，謀求前述垂直方向尺寸緊湊化的多層構造的閘閥20與具有多層構造的負載鎖定室52A～55D的容器主體50一體化。據此，對閘閥20側的尺寸沒有特別的制約，可以使負載鎖定室52A～52D垂直方向間隔作得盡可能地小。因而，可以邊謀求垂直方向的緊湊化，邊增加負載鎖定室52A～52D的疊層層數。通過縮小負載鎖定室的垂直方向尺寸，也可縮短真空排氣時間。
在圖4例示出在容器主體兩側安裝一對閘閥的負載鎖定裝置的情況。可是，也可以在容器主體一側安裝1個閘閥構成真空處理容器。
圖6是放大示出閘閥20的閥座25A～25D和閥板24A～24D之間關系的縱向截面圖。閥座25A～25D和閥板24A～24D的接觸面通過閥板24A～24D的對滑動方向(垂直方向＝Z方向)傾斜的面形成。當使閥板24A～24D沿垂直方向滑動與閥座25A～25D抵接時，傾斜的面彼此強接觸(抵接)，可以確保關閉時的密閉性。
也可以使用在特開平2-113178號公報所示的閥板。也可以用通過垂直方向的滑動作和水平動作，開閉進出口方式的閥板。
圖7是示出使用閘閥20的真空處理系統例的平面圖。該真空處理系統作成組合型(多室型)。該真空處理系統具有中央的真空搬運室101，和在其周圍連接的、裝備前述閘閥20的多個處理搬運室101，和在其周圍連接的、裝備前述閘閥20的多個處理室120，和圖4所示的負載鎖定裝置100。在搬運室101內配設用于對處理室120及負載鎖定裝置100搬入搬出被處理基板的搬運機械手110。在真空搬運室101周圍設置的閘閥20的驅動機構30A～30D上配設波紋管，以便復蓋各驅動桿，保持真空處理系統的氣密性。
圖8及圖9是示出本發明其它實施方式的真空容器一部分的立體圖。如上述所示，用于進行內部調整的氣體供給系統和排氣系統與負載鎖定裝置等的真空容器連接(參照圖4的GS，ES)。現有技術的真空處理系統的情況下，因為例如各負載鎖定室處于相互離間的位置，所以對它們的給排氣通路通過另外形成的配管構成。與此相反，在圖4及圖5所示的負載鎖定裝置100，由于在1個容器主體內部形成有多層的負載鎖定室(真空室)，如果配管分別與真空室連接，則增加了配管部件數，除了成本提高之外，也使配管的布局變難。
在圖8及圖9所示的實施方式，在容器主體壁內形成這些給排氣系統的通路作為內部通路，在真空容器周邊上沒有外部配管，圖8示出通過開孔加工形成內部通路的例，圖9示出通過鑄造一體形成內部通路的例。
在圖8所示實施方式，在容器主體的主體外殼221上形成多層構造的負載鎖定室(真空室)52A～52D。主體外殼221至少周壁部分上作成一體壁單元構成。在壁單元上與各層負載鎖定室(真空室)52A～52D分別連通的排氣用通路作為上下延伸的內部通路231A～231D形成。各內部通路231A～231D由相互連通的縱孔232及橫孔233形成。
縱孔232從主體外殼221下面穿設到與橫孔233相交的位置。橫孔233從主體外殼221外側面穿設到各負載鎖定室52A～52D為止。橫孔233的開口通過閉塞材料234關閉。在縱孔232的下端開口上安裝多通管235，與外部真空排氣裝置連接。給氣用通路(未圖示)也與上述排氣用通路同樣地設置。
在圖9所示的實施方式，容器主體的主體外殼321通過鑄造制成一體的單元。在主體外殼321上形成多層構造的負載鎖定室(真空室)52A～52D。對在載置被處理基板的擱板325上面，結合閘閥的法蘭328的安裝面330，具有蓋盤(未圖示)的嵌合孔326的天板327上面等被研磨加工。其它的不需要的面保持鑄件表面360原樣。
在主體外殼321的周壁部形成與各層負載鎖定室(真空室)52A～52D連通的排氣用(給氣用)通路。這些通路在向壁外側突出的部分內形成為上下延伸的內部通路331A～331D。在各內部通路331A～331D的下端開口上配設多通管350，與外部的真空排氣裝置(供氣部件)連接。
如上述所示，在圖8及圖9所示的實施方式，與各負載鎖定室(真空室)52A～52D連通的給排氣用通路形成作為一體部件的容器主體(主體外殼221，321)的周壁部分的內部通路231A～231D、331A～331D。根據該構成，匯集與給排氣裝置連接的配管，通過與內部通路的開口端連接，可以完成給排氣系統的安裝。因此，可以減輕外部配管處理的麻煩，可以謀求配管部件成本降低，配管布局容易化，通過減少密封處數，可謀求降低漏泄可能性。
以上，通過附圖詳述了本發明的實施方式，然而本發明并不限于前述實施方式，只要在不脫離本發明要點的范圍內可進行種種設計變更等。例如，在圖1A，B所示的實施方式，閘閥20的殼體21作為一體件形成。可是通過將具有至少1個通路的小殼體疊層多層而結合，也可以由多個小殼體的集合構成1個殼體。
此外，閘閥20也可以通過現場裝配另外制作的殼體單元和操作單元形成。這種情況下，在殼體單元內包含形成通路22A～22D的殼體21和閥座25A～25D。另一方面，在操作單元內包含閥板24A～24D和驅動機構30A～30D。
此外，在圖4所示的實施方式，以單體形成閘閥20殼體2 1和容器主體50的主體外殼55。它們也可以制作為一體構造品。如果通路22A～22D的層數在2層以上，則也可以是幾層。在容器主體上安裝1個或2個閘閥構成的真空容器上如果裝入加熱裝置或冷卻裝置等，則也可以作為加熱室、冷卻室使用。作為被搬運物(被處理基板)除半導體晶片以外，也可以是LCD基板。
工業上利用的可能性根據本發明，可以提供疊層的具有多個通路且緊湊的半導體處理系統用的閘閥及真空容器。
權利要求
1.一種半導體處理系統用閘閥，其特征為，具有形成沿第一方向并列的多個通路的殼體，所述通路分別具有面對與所述第一方向正交的第二方向的第一規定側的進出口；在各個所述進出口處配設的閥座，所述座越靠近所述第一方向的第二規定側，越配置在所述第二方向順序后退的位置上；用于開閉所述進出口、通過在所述第一方向滑動而有選擇地與所述閥座接合地配設的多個閥板，所述閥板與所述第二方向的所述閥座的位置對應而在所述第二方向并列配置；和在關閉所述進出口的第一位置和打開所述進出口的第二位置之間使所述閥板滑動的驅動機構。
2.根據權利要求1所述的閘閥，其特征為，所述第二位置比所述第一位置靠近所述第二規定側。
3.根據權利要求2所述的閘閥，其特征為，所述閥板設定為所述第一及第二位置間的行程相等。
4.根據權利要求3所述的閘閥，其特征為，所述行程設為所述第一方向的所述進出口的中心間距離實質上相等。
5.根據權利要求2所述的閘閥，其特征為，所述驅機構使所述閥板內相互鄰接的2個閥板分開地滑動。
6.根據權利要求1所述的閘閥，其特征為，所述閥板具有經在與所述第一及第二方向正交的第三方向隔開間隔而配設的一對桿從而與所述驅動機構連接的閥板，所述一對桿的間隔設定為比通過所述進出口的被搬運物的寬度大。
7.一種半導體處理系統用容器，其特征為，具備形成沿第一方向并列的多個真空室的容器主體；和用于進行所述多個真空室的開閉、在所述容器主體的第一端部配設的第一閘閥，所述第一閘閥具有形成沿第一方向并列且與所述多個真空室分別連通的多個通路的殼體，所述通路分別具有面對與所述第一方向正交的第二方向的第一規定側的進出口；在各個所述進出口處配設的閥座，所述座越靠近所述第一方向的第二規定側，越配置在所述第二方向順序后退的位置上；用于開閉所述進出口、通過在所述第一方向滑動而有選擇地與所述閥座接合地配設的多個閥板，所述閥板與所述第二方向的所述閥座的位置對應而在所述第二方向并列配置；和在關閉所述進出口的第一位置和打開所述進出口的第二位置之間使所述閥板滑動的驅動機構。
8.根據權利要求7所述的閘閥，其特征為，還具備與所述多個真空室的各個連接、供給非活性氣體的供給系統，和進行排氣的排氣系統，所述多個真空室的各個作為用于進行壓力調整的負載鎖定室發揮功能。
9.根據權利要求8所述的閘閥，其特征為，還具備用于進行所述多個真空室的開閉，在與所述第一端部相反側的所述容器主體的第二端部配設的、具有與所述第一閘閥實質上相同功能的第二閘閥，所述第二閘閥具有相對所述容器主體的中心與所述第一閘閥實質上對稱的構造。
10.根據權利要求8所述的閘閥，其特征為，所述容器主體具備由內藏所述供給系統及所述排氣系統的通路的一體形成的壁單元構成的周壁部分。
11.一種半導體處理系統用閘閥的殼體單元，其特征為，具備形成沿第一方向并列的多個通路的殼體，所述通路各自具有面對與所述第一方向正交的第二方向的第一規定側的進出口；和在所述進出口的各個配設的閥板，所述閥板越靠近所述第一方向的第二規定側，越在所述第二方向配置在順序后退的位置上。
12.一種半導體處理系統用閘閥的操作單元，其特征為，所述閘閥具備沿第一方向并列的、且在與所述第一方向正交的第二方向順序后退的位置上配置的帶閥座的進出口，所述操作單元具備用于開閉所述進出口，通過在所述第一方向滑動而有選擇地與所述閥座接合地配設的多個閥板，所述閥板與所述第二方向的所述閥座位置對應而在所述第二方向并列配置；和在關閉所述進出口的第一位置和打開所述進出口的第二位置之間使所述閥板滑動的驅動機構。
13.根據權利要求12所述的操作單元，其特征為，所述閥板具有經在與所述第一及第二方向正交的第三方向隔開間隔而配設的一對桿從而與所述驅動機構連接的閥板，所述一對桿的間隔設定為比通過所述進出口的被搬運物的寬度大。
全文摘要
半導體處理系統用閘閥(20)包含沿第一方向形成并列的多個通路(22A～22D)的殼體(21)，通路各自具有面對與第一方向正交的第二方向的進出口(23A～23D)，在各進出口配設的閥座(25A～25D)，越靠近第一方向的第二規定側，越配置在第二方向順序后退后的位置上。開閉進出口的多個閥板(24A～24D)在第二方向并列配置，閥板通過驅動機構(30A～30D)滑動。
文檔編號H01L21/677GK1698179SQ20048000020
公開日2005年11月16日 申請日期2004年2月27日 優先權日2003年3月11日
發明者廣木勤 申請人:東京毅力科創株式會社