專利名稱：雙介質層電容器的制作方法
技術領域：
本實用新型涉及電容器，具體為一種雙介質層電容器。
背景技術：
以云母等普通材料作為絕緣介質層的電容，在電容兩端直流電壓為零或零電壓附近，加有交變電壓時，其介質層的極化方向反復改變，導致分子摩擦損耗增加，降低了電容反應速度，影響信號傳輸的快速、準確性。
發明內容
本實用新型解決現有電容存在的上述問題，提供一種雙介質層電容器。
本實用新型是采用如下技術方案實現的雙介質層電容器，包含電容絕緣保護外層、其內的正、負電極和正負電極之間的絕緣介質層，其絕緣介質層包含兩層絕緣介質層，在兩絕緣介質層之間設有中間電極，在中間電極上連接有引出絕緣保護外層的導線。使用時，電容的兩極正常連接外，可將從中間電極上引出的導線通過電阻與電源(正電源或負電源)相連，為電容器的雙層介質提供足夠強的偏置電場，在電容兩端直流電壓為零或零電壓附近，外加的交變電壓在雙層介質中產生的場強不超過偏置電場的場強時，其內部介質極化方向就保持不變。從而克服介質層的極化方向反復改變所帶來的問題。同時，中間電極對兩介質層間的振動起阻尼作用。
本實用新型與現有電容器相比，介質層由兩層構成，并在兩介質層間增設有連接有引出導線的中間電極，為電容器內的介質層外加偏置電壓提供了方便。在外加偏置電壓的情況下，可有效解決在電容兩端直流電壓為零或零電壓附近，加有交變電壓時，造成的介質層的極化方向反復改變，導致分子摩擦損耗增加，降低電容反應速度，影響信號傳輸的快速、準確性的問題。
圖1為本實用新型的結構示意圖；具體實施方式
雙介質層電容器，包含電容絕緣保護外層1、其內的正、負電極2、3和正負電極之間的絕緣介質層，其絕緣介質層包含兩層絕緣介質層4、5，在兩絕緣介質層之間設有中間電極6，在中間電極上連接有引出絕緣保護外層的導線7。
中間電極6可為平面狀；也可為網狀或波浪狀，有利于緩解兩介質層間的振動。
中間電極優選鉛、錫、銅等金屬材料制成。
權利要求1.一種雙介質層電容器，包含電容絕緣保護外層(1)、其內的正、負電極(2、3)和正負電極之間的絕緣介質層，其特征為其絕緣介質層包含兩層絕緣介質層(4、5)，在兩絕緣介質層之間設有中間電極(6)，在中間電極上連接有引出絕緣保護外層的導線(7)。
2.如權利要求1所述的雙介質層電容器，其特征為中間電極(6)為平面狀。
3.如權利要求1所述的雙介質層電容器，其特征為中間電極(6)為網狀。
4.如權利要求1所述的雙介質層電容器，其特征為中間電極(6)為波浪狀。
專利摘要本實用新型為一種雙介質層電容器。其包含電容絕緣保護外層、其內的正、負電極和正負電極之間的絕緣介質層，其絕緣介質層包含兩層絕緣介質層，在兩絕緣介質層之間設有中間電極，在中間電極上連接有引出絕緣保護外層的導線。本實用新型與現有電容器相比，介質層由兩層構成，并在兩介質層間增設有連接有引出導線的中間電極，為電容器內的介質層外加偏置電壓提供了方便。在外加偏置電壓的情況下，可有效解決在電容兩端直流電壓為零或零電壓附近，加有交變電壓時，造成的介質層的極化方向反復改變，導致分子摩擦損耗增加，降低電容反應速度，影響信號傳輸的快速、準確性的問題。
文檔編號H01G4/005GK2743952SQ20042009187
公開日2005年11月30日 申請日期2004年9月30日 優先權日2004年9月30日
發明者郝晉青 申請人:太原師范學院