專利名稱：白光發光二極管的垂直電極結構的制作方法
技術領域：
本實用新型有關于一種白光發光二極管的垂直電極結構，其尤指一種白光發光二極管，其利用一垂直式的氮化鎵系發光二極管與一光波長轉換基板結合，透過該光波長轉換基板吸收部份藍光而發出黃光而與藍光混合后產生白光。
背景技術：
在現有技術中，參閱圖1A，其顯示一以橫向電極為設計結構的氮化鎵系發光二極管的剖面示意圖。發光二極管1’包含一第一束縛層，如N型氮化鎵(GaN)層11’位于一基底，如藍寶石(sapphire)10’之上(在基底與第一束縛層之間通常包含一緩沖層(圖未示))。圖中，另，一主動層，如InGaN層12’位于第一束縛層之上。再者，一第二束縛層，如P型氮化鎵(GaN)層13’位于主動層之上。圖中，位于第一束縛層15’及第二束縛層14’則分指兩不同極性的電極層，如一N極電極15’與一P極電極14’。在習知技藝中，如美國專利第5,998,925號，目前較常見的白光發光二極管，亦即將上述堆棧結構封裝時，于其封裝罩內包覆一含磷光體，如釔鋁石榴石層16’(YAG phosphor)，請參閱圖1B，以由將上述堆棧層的主動層所發出的光，如藍光，一部分光被釔鋁石榴石層16’吸收而轉換為不同波長的光，如黃光，續由兩種光的混合，以形成一白光。
然而，上述的橫向電極的發光二極管，其由于以絕緣的藍寶石為基板其熱傳導系數較低故散熱效果很差，故當長期使用較高的驅動電流工作時，其釔鋁石榴石層16’極容易因熱而導致質變，進而使得轉換效率降低且產生色度偏移。更者，由于以sapphire為基板10’為絕緣體，而需制作其橫向電極因而額外增加了晶粒的面積，換言之，即是單位芯片的產出量降低。另外，易復雜了封裝打線的制程，故增加了制程的成本。
為此，相對于橫向電極的發光二極管，已有現有技術由將基底替換成非絕緣體，而以垂直電極為設計結構的發光二極管，且另提出一可轉換光源波長的基底，如圖2所示。圖中，其基底為一N型硒化鋅基材22’上。依序在此基底上設置一N型ZnSe緩沖層23’、一N型ZnMgSSe束縛層24’、一ZnCdSe/ZnSeMQW活化層25’、一P型ZnMgSSe束縛層26’及一P型ZnTe接觸層27’。該N型ZnSe緩沖層23’主要用途用以增加基底22’與N型ZnMgSSe束縛層24’之間晶格的匹配(Lattice Mismatch)程度。而位于ZnCdSe/ZnSe MQW活化層25’兩側的N型ZnMgSSe束縛層24’與P型ZnMgSSe束縛層26’，均比活化層25’具有更寬的能隙(band gap)，可以增加載子局限的效果。
于上述堆棧結構的上下兩側，更有一N極電極21’與一P極電極28’。當該P極電極21’與該N極電極28’提供適當的電壓，處于P-N接合面上的ZnCdSe/ZnSe MQW活化層25’，則會產生藍光。部分的藍光被摻有雜質的N型硒化鋅基材22’吸收后，產生黃光。由藍光與黃光的混合，則產生白光。
相較于前者橫向電極的制程，后者垂直電極的發光二極管的制程，除較有簡單的制程外，且更免除前者的散熱問題及于封裝時所需增加的復雜度。然而，后者在實際應用上中，雖然組件壽命可達10000小時(如論文Jpn.J.Appl.Phys.vol.43(2004)pp.1287 T.Nakamura et al)所揭示，但由于ZnSe系列的外延層品質仍未盡理想，故其發光效率并不如氮化鎵系列來得好。再者，如論文Jpn.J.Appl.Phys.vol.41(2002)pp.L246 M.Tamsdaet al及Jpn.J.Appl.Phys.vol.40(2001)pp.L918 B.Damilano et al曾分別提出一種混光式發光二極管，其揭示提供一種可發出多種顏色的InGaN量子井發光層，因其一發光層可發出較短的藍色波長與另一發光層所發出的較長綠光波長光相互混合，即可發出特定色度的混合光(或白光)，但由于調變InGaN中的In組成或改變InGaN層的厚度而達成較長發光波長，其發光效率相對地降低，故其所制作成的白光發光二極管的發光效率只有目前商品化的YAG系列產品的1/2至1/3，故仍有其缺點。
因此，如何針對上述問題而提出一種新穎白光發光二極體的垂直電極結構，不僅可改善傳統白光二極管的橫向電極所造成的色度偏移以及傳統白光二極管的垂直電極所造成發光效率降低的缺點，長久以來一直是使用者殷切盼望及本創作人念茲在茲者，而本創作人提出一種白光發光二極管的垂直電極結構，可解決上述的問題。
發明內容
本實用新型的主要目的，在于提供一種白光發光二極管的垂直電極結構，其利用一氮化鎵系發光二極管與一光波長轉換基板相結合，該光波長轉換基板吸收該氮化鎵系發光二極管所發出的藍光而發射出黃光，與該氮化鎵系發光二極管所發出的藍光混合而產生白光，由于使用該氮化鎵系發光二極管使得該白光發光二極管具有高的發光效率，且可增加該白光發光二極管的散熱效果，而增進組件的工作壽命并適合于高電流驅動的應用，亦能增加抗靜電的能力(ESD)。
本實用新型的次要目的，在于提供一種白光發光二極管的垂直電極結構，透過該氮化鎵系發光二極管以及該光波長轉換基板以形成一白光發光二極管，其為一垂直電極的結構，以降低晶粒制作的單位面積，并有利于打線封裝之后制程。
本實用新型的目的是這樣實現的一種白光發光二極管的垂直電極結構，包括一第一電極；一導電基板，其位于該第一電極的上方；一金屬接合層，其位于該導電基板的上方；
一氮化鎵系半導體堆棧結構，其位于該金屬接合層的上方；一透明導電接合層，其位于該氮化鎵系半導體堆棧結構的上方；一光波長轉換基板，其位于該透明導電接合層的上方；以及一第二電極，其位于該光波長轉換基板的上方。
該金屬接合層包含一透光導電歐姆接觸層以及一金屬反射層，該金屬反射層位于該導電基板的上方，該透光導電歐姆接觸層位于該金屬反射層的上方。
該透明導電接合層為一N型透明導電接合層，其選自氧化銦錫(IndiumTin Oxide；ITO)、氧化銦鉬(Indium molybdenum oxide；IMO)、氧化銦(IndiumOxide)、氧化錫(Tin Oxide)、氧化錫鎘(Cadmium Tin Oxide)、氧化鎵(GalliumOxide)、氧化銦鋅(Indium Zinc Oxide)、氧化鎵鋅(Gallium Zinc Oxide)或氧化鋅(Zinc Oxide)的其中之一。
該光波長轉換基板選自一N型硒化鋅(ZnSe)與N型碲化鋅(ZnTe)的其中之一。
該氮化鎵系半導體堆棧結構的表面具有一織狀化(texturing)結構。
該氮化鎵系半導體堆棧結構依序包含一P型氮化鎵系半導體歐姆接觸層、一發光層與一N型氮化鎵系半導體歐姆接觸層。
該N型氮化鎵系半導體歐姆接觸層的表面具有一織狀化(texturing)結構。
該光波長轉換基板的表面具有一織狀化(texturing)結構。
該織狀化(texturing)可以是具有二維光子晶體(2D photonic crystal)的結構。
該光波長轉換基板非平行于該氮化鎵系半導體堆棧結構的表面相對于其垂直方向具有30～50度的傾斜角度。
一種白光發光二極管的垂直電極結構，包括一第一電極；
一透光導電歐姆接觸層，其位于該第一電極的下方；一氮化鎵系半導體堆棧結構，其位于該透光導電歐姆接觸層的下方；一透明導電接合層，其位于該氮化鎵系半導體堆棧結構的下方；一光波長轉換基板，其位于該透明導電接合層的下方；以及一第二電極，其位于該光波長轉換基板的下方。
該氮化鎵系半導體堆棧結構系依序由下而上包含一N型氮化鎵系半導體歐姆接觸層、一發光層與一P型氮化鎵系半導體歐姆接觸層。
該透明導電接合層為一N型透明導電接合層，其選自氧化銦錫(IndiumTin Oxide；ITO)、氧化銦鉬(Indium molybdenum oxide；IMO)、氧化銦(IndiumOxide)、氧化錫(Tin Oxide)、氧化錫鎘(Cadmium Tin Oxide)、氧化鎵(GalliumOxide)、氧化銦鋅(Indium Zinc Oxide)、氧化鎵鋅(Gallium Zinc Oxide)或氧化鋅(Zinc Oxide)的其中之一。
該光波長轉換基板選自一N型硒化鋅(ZnSe)與N型碲化鋅(ZnTe)的其中之一。
該氮化鎵系半導體堆棧結構的表面具有一織狀化(texturing)結構。
該P型氮化鎵系半導體歐姆接觸層的表面具有一織狀化(texturing)結構。
該透明導電接合層的表面具有一織狀化(texturing)結構。
該光波長轉換基板非平行于該氮化鎵系半導體堆棧結構的表面相對于其垂直方向具有30～50度的傾斜角度。
為達上述所指稱的各目的與功效，本實用新型提供一種垂直電極的白光發光二極管的結構，由先以藍寶石為基板，磊晶成長氮化鎵系化合物半導體所堆棧而成的發光二極管結構，另以一金屬反射層及一導電基板以熱結合的技術與前述的氮化鎵系發光二極管結構相結合并以激光剝離技術將藍寶石基板移除，此舉，可制作成為垂直電極的氮化鎵系發光二極管結構，接著，由一透明導電接合層將此一氮化鎵系發光二極管結構與一光波長轉換基板的碲化鋅或硒化鋅基板相結合而制作成本實用新型的白光發光二極管，當此氮化鎵系的發光二極管發出一藍光波長，而此藍光部分被碲化鋅或硒化鋅所吸收而轉換成黃光波長。此黃光與藍光混和后，即可產生白光。
圖1A為傳統技術的橫向電極為設計結構的氮化鎵系發光二極管的剖面示意圖；圖1B為傳統技術的橫向電極的白光發光二極體的結構示意圖；圖2為傳統技術的垂直電極為設計結構的氮化鎵系發光二極管的剖面示意圖；圖3A至圖3E為本實用新型的一較佳實施例的垂直電極的白光發光二極管制造流程的結構示意圖；圖4A至圖4D為本實用新型的另一較佳實施例的垂直電極的白光發光二極管制造流程的結構示意圖；圖5A為本實用新型的另一較佳實施例的白光發光二極體的結構示意圖；圖5B為本實用新型的另一較佳實施例的白光發光二極體的結構示意圖；圖5C為本實用新型的另一較佳實施例的光波長轉換基板具有二維光子晶體結構的示意圖；圖5D為本實用新型的另一較佳實施例的白光發光二極體的結構示意圖；圖6A為本實用新型的另一較佳實施例的白光發光二極體的結構示意圖；圖6B為本實用新型的另一較佳實施例的白光發光二極體的結構示意圖；圖6C為本實用新型的另一較佳實施例的白光發光二極體的結構示意圖。
圖號說明1’發光二極管10’藍寶石 11’N型氮化鎵(GaN)層12’InGaN層13’P型氮化鎵(GaN)層14’第二束縛層 15’第一束縛層 16’釔鋁石榴石層
22’N型硒化鋅基材 23’N型ZnSe緩沖層24’N型ZnMgSSe束縛層 25’ZnCdSe//ZnSe MQW活化層26’P型ZnMgSSe束縛層 27’P型ZnTe接觸層21’N極電極 28’P極電極10藍寶石(Sapphire)基板 12N型AlInGaN歐姆接觸層13Al InGaN發光層 14P型AlInGaN歐姆接觸層15透光導電歐姆接觸層16金屬反射層17金屬接合層18N型的透明導電接合層19第二電極 20第一電極100導電基板 110暫時性基板4結構 6結構8結構 2光波長轉換基板具體實施方式
本實用新型為解決現有技術的橫向電極的白光發光二極體所使用的釔鋁石榴石層，因為絕緣的藍寶石為基板其熱傳導系數低故散熱效果很差，故當長期使用較高的驅動電流工作時，其釔鋁石榴石層極容易因熱而導致質變，進而使得轉換效率降低且產生色度偏移，且橫向電極因而額外增加了晶粒的面積，換言之，即是單位芯片的產出量降低，另外，易復雜了封裝打線的制程，亦增加了制程的成本；以及現有技術的垂直電極的白光發光二極管的缺點，由于ZnSe系列的外延層品質仍未盡理想，故其發光效率并不如氮化鎵系列來得好，故，本實用新型提供一種垂直電極的白光發光二極管，使用氮化鎵系的發光二極管使其具有較高的發光效率，并提供一垂直電極結構，以消弭橫向電極所增加晶粒面積的缺點以及封裝打線的問題，并使其發出白光。
請參閱圖3A，其為本實用新型的一較佳實施例的白光發光二極管之結構示意圖；如圖所示，本實用新型的第一實施例的垂直電極的白光發光二極管1，首先于一藍寶石(Sapphire)基板10上依序磊晶成長一低溫氮化鎵(GaN)緩沖層11，一N型AlInGaN歐姆接觸層12、一AlInGaN發光層13及一P型AlInGaN歐姆接觸層14，接下來以蒸鍍或濺鍍的技術將一透光導電歐姆接觸層15及一金屬反射層16依序鍍在P型AlInGaN歐姆接觸層14之上，其中該透光導電歐姆接觸層15及該金屬反射層16為一金屬接合層17；接下來將一導電基板100直接或由蒸鍍或濺鍍另一導電層以熱結合(bonding)的方法與該金屬反射層16結合，如圖3B所示；接下來以激光剝離(laser liftoff)或研磨(lapping)的技術將藍寶石(Sapphire)基板10移除而露出N型AlInGaN歐姆接觸層12；接下來分別以蒸鍍或濺鍍的技術將一N型的透明導電接合層18鍍在該N型AlIn-GaN歐姆接觸層12之上而成為一垂直電極式氮化鎵系發光二極管結構4及一N型硒化鋅(ZnSe)或一N型碲化鋅(ZnTe)的光波長轉換基板2之上，如圖3C以及圖3D所示；接著，以芯片結合(wafer bonding)的方法將結構4及結構6結合，圖3E所示，接著，再制作一第一電極20及一第二電極19，其中，該N型的透明導電接合層18能與該N型氮化鋁銦鎵(AlInGaN)歐姆接觸層12及該N型硒化鋅(ZnSe)或N型碲化鋅(ZnTe)光波長轉換基板形成良好的歐姆性接觸(ohmic contact)且具有良好的導電性及透光性，當該第一電極20與該第二電極19提供適當的電壓，處于P-N接合面上的AlInGaN發光層13，則會產生藍光。部分的藍光被摻有雜質的該N型硒化鋅(ZnSe)或N型碲化鋅(ZnTe)光波長轉換基板2吸收后，產生黃光。由藍光與黃光的混合，則產生白光。
實施例中使用高發光效率的氮化鎵系發光二極管結構4、導電基板100及該金屬反射層16制作成垂直電極的結構，并由該N型的透明導電接合層18將一光波長轉換基板2貼合于此該氮化鎵系發光二極管結構4，其中，該金屬反射層16對入射角并無選擇性地反射，所以能增加反射角頻寬，故能有效地將自將該發光層13所發出的光反射增進發光效率且此結構又可增加散熱的效果及增進抗靜電的能力(ESD)，故能增進組件的工作壽命并適合于高電流驅動的應用，除以上所述的優點外，垂直電極的結構能降低晶粒制作的單位面積，并有利于傳統的打線封裝后段制程。
請參閱圖4A，其為本實用新型的另一較佳實施例的白光發光二極管的結構示意圖；如圖所示，本實用新型的第二實施例的白光發光二極管，首先，在一藍寶石(Sapphire)基板10上依序磊晶成長一低溫氮化鎵(GaN)緩沖層11，一N型AlInGaN歐姆接觸層12、一AlInGaN發光層13及一P型AlInGaN歐姆接觸層14，以上成為一氮化鎵系發光二極管結構，接下來將一暫時性基板110以熱結合(bonding)的方法與該P型AlInGaN歐姆接觸層14結合；如圖4B所示，接下來以激光剝離(laser liftoff)或研磨(lapping)的技術將藍寶石(Sapph-ire)基板10移除而露出N型AlInGaN歐姆接觸層12，接下來以蒸鍍或濺鍍的技術分別將一N型的透明導電接合層18鍍在該N型AlInGaN歐姆接觸層12之上而成為一垂直電極式氮化鎵發光二極管結構及一N型硒化鋅(ZnSe)或一N型碲化鋅(ZnTe)的光波長轉換基板2之上，一并參閱圖3D所示；接著，以芯片結合(wafer bonding)的方法將結構8及結構6結合后，如圖3C所示；接著，移除該暫時性基板110再制作一透光導電歐姆接觸層15于該P型AlInGaN歐姆接觸層14之上當成電流散布層(current spreading layer)，并制作一第一電極20及一第二電極19，如圖4D所示，其中，該N型的透明導電接合層18能與該N型AlInGaN歐姆接觸層12及N型硒化鋅(ZnSe)或N型碲化鋅(ZnTe)的光波長轉換基板形成良好的歐姆性接觸(ohmic contact)且具有良好的導電性及透旋光性，當該第一電極20與第二電極19提供適當的電壓，處于P-N接合面上的該AlInGaN發光層13，則會產生藍光。部分的藍光被摻有雜質的該N型硒化鋅(ZnSe)或N型碲化鋅(ZnTe)光波長轉換基板2吸收后，產生黃光。由藍光與黃光的混合，則產生白光。
本實施例中使用高發光效率的氮化鎵系發光二極管結構，并由一N型的透明導電接合層18將一光波長轉換基板2貼合于此氮化鎵系發光二極管結構而制作成垂直電極的結構，此結構不僅發光效率高亦可增加散熱的效果而增進元件的工作壽命并適合于高電流驅動的應用，亦能增進抗靜電的能力(ESD)。除以上所述的優點外，垂直電極的結構能降低晶粒制作的單位面積，并有利于傳統的打線封裝后段制程。
再者，請參閱圖5A，其為本實用新型的另一較佳實施例的白光發光二極管的結構示意圖；如圖所示，本實用新型的第一實施例的另一實施例，其主要技術特征為該N型AlInGaN歐姆接觸層12的表面使其加以織狀化(texturing)，其可進一步提高外部的發光效率。
請參閱圖5B，其為本實用新型的另一較佳實施例的白光發光二極管的結構示意圖；如圖所示，本實用新型的第一實施例的另一實施例，其主要技術特征為該光波長轉換基板2的表面使其加以織狀化(texturing)或于此基板上制作二維光子晶體(2D photonic crystal)請參閱圖5C。
請參閱圖5D，其為本實用新型的的另一較佳實施例的白光發光二極管的結構示意圖；如圖所示，本實用新型的第一實施例另一實施例，其主要技術特征為該光波長轉換基板2與該透明導電接合層的接觸面積比該光波長轉換基板與該第二電極的接觸面積小，且該透明導電接合層與該氮化鎵系半導體堆棧結構的接觸面積等于該透明導電接合層與該光波長轉換基板的接觸面積，故，該光波長轉換基板2非平行于該氮化鎵系半導體堆棧結構的表面相對于其垂直方向具有30～50度的傾斜角度。
又，請參閱圖6A，其為本實用新型的另一較佳實施例的白光發光二極管的結構示意圖；如圖所示，本實用新型的第二實施例的另一實施例，其主要技術特征為該P型氮化鎵系半導體歐姆接觸層14的表面具有一織狀化(textu-ring)結構。
請參閱圖6B，其為本實用新型的另一較佳實施例的白光發光二極管之結構示意圖；如圖所示，本實用新型第二實施例的另一實施例，其主要技術特征為該N型的透明導電接合層18具有一織狀化(texturing)結構。
請參閱圖6C，其為本實用新型的另一較佳實施例的白光發光二極管的結構示意圖；如圖所示，本實用新型的第二實施例的另一實施例，其主要技術特征為該光波長轉換基板2與該透明導電接合層的接觸面積比該光波長轉換基板2與該第二電極20的接觸面積小，且該透明導電接合層與該氮化鎵系半導體堆棧結構的接觸面積等于該透明導電接合層與該光波長轉換基板的接觸面積，故，該光波長轉換基板2非平行于該氮化鎵系半導體堆棧結構的表面相對于其垂直方向具有30～50度的傾斜角度。
權利要求1.一種白光發光二極管的垂直電極結構，其特征在于，包括一第一電極；一導電基板，其位于該第一電極的上方；一金屬接合層，其位于該導電基板的上方；一氮化鎵系半導體堆棧結構，其位于該金屬接合層的上方；一透明導電接合層，其位于該氮化鎵系半導體堆棧結構的上方；一光波長轉換基板，其位于該透明導電接合層的上方；以及一第二電極，其位于該光波長轉換基板的上方。
2.如權利要求1所述的白光發光二極管的垂直電極結構，其特征在于，該金屬接合層包含一透光導電歐姆接觸層以及一金屬反射層，該金屬反射層位于該導電基板的上方，該透光導電歐姆接觸層位于該金屬反射層的上方。
3.如權利要求1所述的白光發光二極管的垂直電極結構，其特征在于，該透明導電接合層為一N型透明導電接合層，其選自氧化銦錫、氧化銦鉬、氧化銦、氧化錫、氧化錫鎘、氧化鎵、氧化銦鋅、氧化鎵鋅或氧化鋅的其中之一。
4.如權利要求1所述的白光發光二極管的垂直電極結構，其特征在于，該光波長轉換基板選自一N型硒化鋅與N型碲化鋅的其中之一。
5.如權利要求1所述的白光發光二極管的垂直電極結構，其特征在于，該氮化鎵系半導體堆棧結構的表面具有一織狀化結構。
6.如權利要求1所述的白光發光二極管的垂直電極結構，其特征在于，該氮化鎵系半導體堆棧結構依序包含一P型氮化鎵系半導體歐姆接觸層、一發光層與一N型氮化鎵系半導體歐姆接觸層。
7.如權利要求1所述的白光發光二極管的垂直電極結構，其特征在于，該N型氮化鎵系半導體歐姆接觸層的表面具有一織狀化結構。
8.如權利要求1所述的白光發光二極管的垂直電極結構，其特征在于，該光波長轉換基板的表面具有一織狀化結構。
9.如權利要求4所述的白光發光二極管的垂直電極結構，其特征在于，該織狀化可以是具有二維光子晶體的結構。
10.如權利要求1所述的白光發光二極管的垂直電極結構，其特征在于，該光波長轉換基板非平行于該氮化鎵系半導體堆棧結構的表面相對于其垂直方向具有30～50度的傾斜角度。
11.一種白光發光二極管的垂直電極結構，其特征在于，包括一第一電極；一透光導電歐姆接觸層，其位于該第一電極的下方；一氮化鎵系半導體堆棧結構，其位于該透光導電歐姆接觸層的下方；一透明導電接合層，其位于該氮化鎵系半導體堆棧結構的下方；一光波長轉換基板，其位于該透明導電接合層的下方；以及一第二電極，其位于該光波長轉換基板的下方。
12.如權利要求11所述的白光發光二極管的垂直電極結構，其特征在于，該氮化鎵系半導體堆棧結構系依序由下而上包含一N型氮化鎵系半導體歐姆接觸層、一發光層與一P型氮化鎵系半導體歐姆接觸層。
13.如權利要求11所述的白光發光二極管的垂直電極結構，其特征在于，該透明導電接合層為一N型透明導電接合層，其選自氧化銦錫、氧化銦鉬、氧化銦、氧化錫、氧化錫鎘、氧化鎵、氧化銦鋅、氧化鎵鋅或氧化鋅的其中之一。
14.如權利要求11所述的白光發光二極管的垂直電極結構，其特征在于，該光波長轉換基板選自一N型硒化鋅與N型碲化鋅的其中之一。
15.如權利要求11所述的白光發光二極管的垂直電極結構，其特征在于，該氮化鎵系半導體堆棧結構的表面具有一織狀化結構。
16.如權利要求11所述的白光發光二極管的垂直電極結構，其特征在于，該P型氮化鎵系半導體歐姆接觸層的表面具有一織狀化結構。
17.如權利要求11所述的白光發光二極管的垂直電極結構，其特征在于，該透明導電接合層的表面具有一織狀化結構。
18.如權利要求11所述的白光發光二極管的垂直電極結構，其特征在于，該光波長轉換基板非平行于該氮化鎵系半導體堆棧結構的表面相對于其垂直方向具有30～50度的傾斜角度。
專利摘要本實用新型揭露一種白光發光二極管，其由一透明導電粘合層將氮化鎵的發光二極管與碲化鋅或硒化鋅為光轉換層的基板結合而成，且制作成垂直電極結構，當此氮化鎵的發光二極管發出一藍光波長，而此藍光部分被碲化鋅或硒化鋅光轉換層所吸收并發出另一黃光波長，此黃光與藍光混和后，即可產生白光。
文檔編號H01L33/00GK2752963SQ20042006634
公開日2006年1月18日 申請日期2004年6月30日 優先權日2004年6月30日
發明者賴穆人 申請人:炬鑫科技股份有限公司