專利名稱：薄膜晶體管的制作方法
技術領域：
本發明涉及一種可以在顯示設備中使用的薄膜晶體管，更特別地是涉及一種具有柵極電極的柵極體接觸(gate-body contact)薄膜晶體管，該柵極電極與用于有源層中形成的主體接觸區域的雜質區相連接。
背景技術：
在平板顯示器中使用的多晶硅薄膜晶體管可以是浮體(floating body)TFT，其中島型有源層可以浮動。隨著器件的小型化，所以浮體TFT可能會有漏電流和漏電流的飽和區兩者減小的問題。
在韓國專利申請No.2003-052709中討論了試圖解決該問題的具有柵極體接觸結構的薄膜晶體管。在該文獻中描述的器件具有如下優點可以進行低電壓驅動，并且，通過形成體接觸區和施加柵極電壓可以提供具有陡坡的閾值電壓和高漏電流，該體接觸區可以具有與有源層中的源/漏區相反的導電性。
然而，這種薄膜晶體管需要用于連接體接觸區和柵極電極的額外布線。在形成有源層之前可以進行額外的布線工藝以使金屬連接布線直接接觸非晶硅層，但該方法可能會產生如下問題，連接布線的金屬材料污染有源層。
發明內容
因此，本發明的一個方面是提供一種柵極體接觸薄膜晶體管及其可以簡化工藝并防止由于金屬材料而引起的有源層污染的制造該柵極體接觸薄膜晶體管的方法。
根據本發明的一個方面，可以提供一種薄膜晶體管，包括形成在絕緣襯底上并具有溝道區和源/漏區的有源層；布置于有源層的溝道區中的柵極電極；在有源層上與源/漏區分開地形成的體接觸區；分別連接至源/漏區的源/漏極電極；以及用于連接體接觸區和柵極電極的導電布線。
導電布線可以由與柵極電極相同的材料制成，并可以以具有柵極電極的主體或分離的島狀橋型圖案的形式形成，導電布線可以由與柵極電極不同的材料組成，且可以具有與柵極電極隔開的橋型圖案結構。該導電布線包括具有島型橋圖案(bridge pattern)的接觸布線，由與柵極電極相同的材料制成并連接至體接觸區；連接布線由與接觸布線不同的材料制成并用于連接接觸布線和柵極電極。
導電布線可以由與源/漏極電極相同的材料或者由與源/漏極電極不同的材料制成，并具有島型橋圖案結構。該導電布線可以有橋圖案結構，且包括由與源/漏極電極相同的材料制成的第一和第二接觸布線并分別連接至柵極電極和體接觸區；以及由與第一和第二接觸布線不同的材料制成的連接布線并用于連接第一和第二接觸布線。
導電布線可以由透明導電層制成并可以有島型橋圖案結構。該導電布線包括由透明導電材料制成并分別連接至柵極電極和體接觸區的第一和第二接觸布線；以及由與第一和第二接觸布線不同的材料制成并用于連接第一和第二接觸布線的連接布線。
源/漏區和體接觸區具有彼此導電性相反的雜質區，溝道區可以是本征區。
而且，可以提供一種包括至少一個像素電極的平板顯示器的薄膜晶體管，該薄膜晶體管包括形成于絕緣襯底上且具有溝道區和源/漏區的有源層；對應有源層的溝道區形成的柵極電極；在有源層中與源/漏區分離地形成的體接觸區；分別連接至源/漏區的源/漏極電極；以及用于連接體接觸區和柵極電極的導電布線，其中布線可以以具有柵極電極的主體或分離的島型橋圖案的形式形成，并且布線可以由與柵極電極、源/漏極電極或像素電極中的至少一種電極相同的材料制成。
而且，可以提供一種薄膜晶體管，包括形成于絕緣襯底上并且具有溝道區和源/漏區的有源層；形成于襯底上以便覆蓋有源層的第一絕緣層；對應有源區的溝道區形成的柵極電極；形成覆蓋柵極電極的第二絕緣層；在有源層中與源/漏區分離地形成的主體接觸層；分別連接至源/漏區的源/漏極電極；形成于第一絕緣層上以露出部分體接觸區的接觸孔；和通過接觸孔連接體接觸區和柵極電極的導電布線。
該導電布線可以與柵極電極的基本共面(roughly coplanar)形成，并且導電布線通過接觸孔電連接柵極電極和體接觸區。可以從柵極電極延伸形成導電布線，并且導電布線通過接觸孔電連接柵極電極和體接觸區。
而且，可以提供一種薄膜晶體管，包括形成于絕緣襯底上并具有溝道區和源/漏區的有源層；在襯底上形成以便覆蓋有源層的第一絕緣層；對應有源區的溝道區形成的柵極電極；形成覆蓋柵極電極的第二絕緣層；在有源層中與源/漏區分離地形成的體接觸區；分別連接至源/漏區的源/漏極電極；在第一和第二絕緣層的至少第二絕緣層上形成以便露出部分柵極電極的第一接觸孔；在第一和第二絕緣層的至少第一絕緣層上形成以便露出部分體接觸區的第二接觸孔；以及至少通過第一接觸孔和第二接觸孔的第二接觸孔連接體接觸區和柵極電極的導電布線。
當布線可以與柵極電極的基本共面形成時，柵極電極和體接觸區可以僅通過形成于第一絕緣層上的第二接觸孔由布線電連接；且當布線可以與源/漏極電極基本共面形成時，柵極電極和體接觸區可以僅通過形成于第二絕緣層上的第一接觸孔以及穿過第一和第二絕緣層形成的第二接觸孔由布線電連接。
而且，可以提供一種用于至少包括一個像素電極的平板顯示器的薄膜晶體管，該薄膜晶體管包括形成于絕緣襯底上并具有溝道區和源/漏區的有源層；形成于襯底上覆蓋有源層的第一絕緣層；對應有源層的溝道區形成的柵極電極；形成覆蓋柵極電極的第二絕緣層；在有源層中與源/漏區分離形成的體接觸區；分別連接至源/漏區的源/漏極電極；在像素電極下形成的第三絕緣層；至少在第一至第三絕緣層的第二絕緣層上形成以露出部分柵極電極的第一接觸孔；至少在第一至第三絕緣層的第一絕緣層上形成以露出部分體接觸區的第二接觸孔；和通過第一接觸孔和第二接觸孔的至少第二接觸孔連接體接觸區和柵極電極的導電布線。
當布線是與柵極電極基本共面形成時，柵極電極和體接觸區僅通過形成于第一絕緣層上的第二接觸孔由布線電連接；當布線是由與源/漏極電極基本共面形成時，柵極電極和體接觸區通過形成于第二絕緣層中的第一接觸孔以及穿過第一和第二絕緣層形成的第二接觸孔由布線電連接；當布線與像素電極基本共面形成時，柵極電極和體接觸區通過穿過第二和第三絕緣層形成的第一接觸孔以及穿過第一至第三絕緣層形成的第二接觸孔由布線電連接。
從下面的示范性實施例的詳細描述并結合附圖，本發明將變得更容易理解。
參考附圖，鑒于以下幾個實施例的詳細描述，本發明的上述和其它的特征以及優點對于那些本領域普通技術人員來說將變得更顯而易見。
圖1是根據本發明第一實施例的柵極體接觸薄膜晶體管的平面圖。
圖2A是沿著圖1的線1A-1A′截取的柵極體接觸薄膜晶體管的截面圖。
圖2B是沿著圖1的線1B-1B′截取的柵極體接觸薄膜晶體管的截面圖。
圖2C是沿著圖1的線1B-1B′截取的柵極體接觸薄膜晶體管的截面圖。
圖3是根據本發明第二實施例的柵極體接觸薄膜晶體管的平面圖。
圖4A是沿著圖3的線2A-2A′截取的柵極體接觸薄膜晶體管的截面圖。
圖4B是沿著圖3的線2B-2B′截取的柵極體接觸薄膜晶體管的截面圖。
圖4C是沿著圖3的線2B-2B′截取的柵極體接觸薄膜晶體管的截面圖。
圖5是根據本發明第三實施例的柵極體接觸薄膜晶體管的平面圖。
圖6A是沿著圖5的線3A-3A′截取的柵極體接觸薄膜晶體管的截面圖。
圖6B是沿著圖5的線3B-3B′截取的柵極體接觸薄膜晶體管的截面圖。
圖6C是沿著圖5的線3B-3B′截取的柵極體接觸薄膜晶體管的截面圖。
具體實施例方式
現在參考附圖本發明將描述得更全面，其中示出了本發明的幾個實施例。然而，本發明可以具體化為不同的形式且不應當解釋為限定到這里提出的實施例。與之相反，提供這些實施例為示范例。附圖是不是按比例縮放的，特別是關于層的厚度。在整個說明書中同樣的數字指的是同樣的元件。如在文中所使用的，詞“相同的(same)”指的是大體上相似，并不是完全相同。
圖1是根據本發明第一實施例的柵極體接觸薄膜晶體管的平面圖。
參考圖1，根據本發明實施例的薄膜晶體管可包括有源層130、柵極電極150和源/漏極電極171、173。有源層130可有其之間具有溝道區135的源/漏區131、133，以及被源/漏區131、133隔開形成的體接觸區137。
可以對應于有源層130的溝道區135形成柵極電極150。可以對應于源極區131形成源極電極171，并通過觸點161與雜質區131電連接。可對應于漏極區132形成漏極電極173，并且通過觸點163可以與用于漏極的雜質區133電連接。
與此同時，對應體接觸區137的接觸布線177可自柵極電極150延伸，且接觸布線177可以是橋圖案，該橋圖案通過體接觸區137中形成的觸點147與體接觸區137和柵極電極150連接。在具有如圖1中所示的柵極電極140的主體中或在與柵極電極150隔開的島中可以形成接觸布線177。
圖2A和2B是根據第一實施例的柵極體接觸薄膜晶體管的截面圖，其每一個說明沿著圖1的線1A-1A′和1B-1B′截取的橫截面結構。現在將參考圖2A和2B描述一種制造根據本發明的第一實施例的薄膜晶體管的方法。
首先，可以在絕緣襯底110上形成緩沖層120。可以將非晶硅層沉積在緩沖層120上并使用任何的結晶化方法可以使其結晶化，通過構圖多晶硅層可以以島狀的形式形成有源層130。
接著可以形成體接觸區137。在一個實施例中，可以形成第一光刻膠層(未示出)以將在打算形成體接觸區137的位置處的部分有源層130露出。在這種情況下，然后利用第一光刻膠層作掩模，通過離子注入高濃度的第一導電性的雜質到露出的有源層130中來形成體接觸區137。可以形成體接觸區137與在一側上的溝道區135接觸，并且可以通過溝道區135與源/漏區131、133隔開。
柵極絕緣層140可以大體形成在襯底的整個表面上，可以蝕刻與體接觸區137對應的部分柵極絕緣層140以形成體接觸147。接著，可以將導電材料例如金屬沉積在柵極絕緣層140上，然后可以構圖以形成柵極電極150。由柵極電極150延伸可以形成接觸布線177。接觸布線177可以有通過體接觸147用于電連接體接觸區137和柵極150的橋圖案。
接著可以形成體接觸區137。在一個實施例中，可以將第二光刻膠層(未示出)形成于對應體接觸區137的柵極絕緣層140的一部分上，并利用柵極電極150和第二光刻膠層作掩模，將與體接觸區137的導電性相反的第二導電性的高濃度的雜質離子注入到有源層130上以形成源/漏區131、133。
可以將層間絕緣層160沉積在襯底的整個表面上，然后蝕刻層間絕緣層160和柵極絕緣層140以形成露出源/漏區131、133的源/漏觸點161、163。接著，可以將導電材料例如金屬沉積在襯底的整個表面上并構圖以形成源/漏極電極171、173，其每一個可以通過觸點161、163連接源/漏區131、133。
如上所述，當形成柵極電極150的同時通過在主體中形成接觸布線177，可以省略用于形成柵極電極150和體接觸區137的附加布線。
與此同時，通過如圖2C中所示的附加接觸布線可以連接柵極電極150和體接觸區137。圖2C是沿著圖1的線1B-1B′截取的另一截面圖。
參考圖2C，如上所述，可以蝕刻柵極絕緣層140以形成體接觸147，然后可以將柵極150形成在對應于溝道區135的柵極絕緣層140上。接著，可以將導電層沉積在襯底的整個表面上并構圖以形成接觸布線177，其中接觸布線177可直接電接觸柵極電極150，并且同時穿過體接觸147也與體接觸區137接觸。
作為另一個例子，當形成柵極電極150時，通過形成連接至觸點147的接觸布線177并接著通過形成由不同于柵極電極150的材料制成的連接布線，可以穿過接觸布線177連接柵極電極150和體接觸區137。
圖3是根據本發明第二實施例的柵極體接觸薄膜晶體管的平面圖。
參考圖3，根據本發明第二實施例的柵極體接觸薄膜晶體管可以包括有源層230、柵極電極250和源/漏極電極271、273。有源層230可以包括其之間具有溝道區235的源/漏區231、233和被源/漏區231、233隔開而形成的體接觸區237。
可以對應有源層230的溝道區235形成柵極電極250。可以對應源區231形成源極電極271，且通過觸點261可以與雜質區231電連接。對應漏區232可以形成漏極電極273并且通過觸點263可以電連接至用于漏極的雜質區233。
與此同時，可以對應體接觸區237形成接觸布線277。接觸布線277可以有用于連接體接觸區237和柵極電極250的島型橋圖案。這可以通過連接形成在柵極電極250上的觸點265和形成在體接觸區237上的觸點267而實現。
圖4A和4B是根據第二實施例的柵極體接觸薄膜晶體管的橫截面圖，其每一個說明沿著圖3的線2A-2A′和2B-2B′截取的橫截面圖結構。現在參考圖4A和4B將描述制造本發明的薄膜晶體管的方法。
首先，可以在絕緣襯底210上形成緩沖層220，并可以將非晶硅層沉積在緩沖層220上，并可以使用任意的結晶化方法使其結晶為多晶硅層，然后可以構圖該多晶硅層以形成島型的有源層230。
接著可以形成體接觸區237。在一個實施例中，可以形成第一光刻膠層(未示出)，以在打算形成體接觸區237的位置處露出部分有源層230。利用第一光刻膠層作掩模，通過離子注入高濃度的第一導電性的雜質到露出的有源層230中可以形成體接觸區237。可以形成體接觸區237以便于在一側可以接觸溝道區235，并可以通過溝道區235與源/漏區231、233隔開。
接著，可以將柵極絕緣層240形成在襯底的整個表面上，且可以將導電材料例如金屬沉積在柵極絕緣層240上，然后可以構圖以形成柵極電極250。對應柵極絕緣層240的體接觸區237可以形成第二光刻膠層(未示出)，并利用柵極電極250和第二光刻膠層作掩模，可以將具有與體接觸區237的導電性相反的第二導電性的高濃度雜質離子注入到有源層230中以形成源/漏區231、233。
可以將層間絕緣層260沉積在襯底的整個表面上，然后蝕刻層間絕緣層260和柵極絕緣層240以形成露出源/漏區231、233的源/漏極觸點261、263，且同樣形成觸點265、267，其每一個露出柵極電極250和體接觸區237。
接著，可以在襯底的整個表面上沉積和構圖導電材料例如金屬以形成源/漏極電極271、273，該源/漏極電極271、273分別通過觸點261、263連接至源/漏區231、233，并同樣形成島型觸點布線277，其通過觸點265、267用于連接體接觸區237和柵極電極250形成。
根據第二實施例，在用于形成源/漏極觸點261、263的工藝中同時形成了用于連接柵極電極250和體接觸區237的接觸孔265、267，且在用于形成源/漏極電極271、273的工藝中同時形成了接觸布線277，由此不用任何的附加工藝就可以形成用于形成柵極電極250和體接觸區237的接觸布線277。
與此同時，作為另一個例子，通過形成源/漏極電極271、273緊接著沉積和構圖導電層，可以形成由不同于源/漏極電極271、273的材料制成的接觸布線277，并通過觸點265、267連接體接觸區237和柵極250。
作為又一個例子，當形成源/漏極電極271、273時，通過分別形成連接各個觸點265、267的連接布線277a、277b并接著通過沉積和構圖與源/漏極電極材料不同的導電材料，可以分離地形成穿過接觸布線277a、277b用于連接體接觸區237和柵極250的連接布線277c，如圖4C中所示示出沿著圖3的線2B-2B截取的另一橫截面圖。
圖5說明根據本發明第三實施例的柵極體接觸薄膜晶體管的平面圖。
參考圖5，根據本發明實施例的薄膜晶體管可包括有源層330、柵極電極350和源/漏極電極371、373。有源層330可以有之間具有溝道區335的源/漏區331、333，和分離地形成有源/漏區331、333的體接觸區337。
可以對應有源層330的溝道區335形成柵極電極350。可以對應源區331形成源極電極371且通過觸點361可以與雜質區331連接。可以對應漏區332形成漏極電極373，通過觸點363電連接至用于漏極的雜質區333。
與此同時，可以形成對應體接觸區337的接觸布線377，并通過在柵極電極350中形成的觸點365以及在體接觸區337中形成的觸點367連接體接觸區337和柵極電極350。接觸布線377可以由與源/漏極電極371、373相同的材料制成，且可以有島型的橋圖案。
圖6A和6B示出沿著圖5的線3A-3A′和3B-3B′截取的橫截面結構。現在參考圖6A和6B將描述制造本發明的薄膜晶體管的方法。
首先，可以在絕緣襯底310上形成緩沖層320，且可以將非晶硅層沉積在緩沖層320上并可以使用任意的結晶化方法使其結晶為多晶硅層，通過構圖該多晶硅層可以在島型中形成有源層330。
接著，可以形成第一光刻膠層(未示出)，以僅露出有源層330中打算形成體接觸區337的一部分。利用第一光刻膠層作掩模，通過離子注入高濃度的第一導電性的雜質到露出的有源層330中可以形成體接觸區337。可以形成體接觸區337以便于可以在一側接觸溝道區335，且可以通過溝道區335與源/漏區331、333隔開。
接著，可以在襯底的整個表面上形成柵極絕緣層340，且可以將導電材料例如金屬沉積在柵極絕緣層340上并構圖以形成柵極電極350。對應體接觸區337可以在部分柵極絕緣層340上形成第二光刻膠層(未示出)，并利用柵極電極350和第二光刻膠層作掩模，可以離子注入具有與體接觸區337的導電性相反的第二導電性的高濃度的雜質以形成源/漏區331、333。
可以將層間絕緣層360沉積在襯底的整個表面上，然后蝕刻層間絕緣層360和柵極絕緣層340以形成露出源/漏區331、333的源/漏極觸點361、363。
接著，可以在襯底的整個表面上沉積和構圖導電材料例如金屬以形成源/漏極電極371、373，每個都可以通過觸點361、363連接源/漏區331、333。通過在襯底的整個表面上形成源/漏極電極371、373以及沉積絕緣層380，并接著蝕刻層間絕緣層360和柵極絕緣層340，形成露出部分柵極電極350的觸點385和露出部分主體接觸337的觸點387。
接著，可以在襯底的整個表面上沉積導電材料并構圖以形成連接柵極電極350和體接觸區337的接觸布線377。當透明導電材料例如ITO可以用于上述導電材料時，在這種情況下可以將具有接觸布線377的柵極體接觸薄膜晶體管應用到例如OLED的平板顯示器，當形成露出漏極電極373的貫穿孔381的同時形成了例如源/漏極電極371、373的觸點385、387，如圖6A所示，當通過構圖透明導電材料形成像素電極390的同時可以形成接觸布線377，由此在沒有任何附加工藝的條件下，可以形成用于形成柵極電極350和體接觸區337的接觸布線377。這里，鈍化層或平面化層等用作上述的絕緣層380。
與此同時，作為另一個例子，當形成具有透明導電層的像素電極390時，在分別形成連接接觸布線377a、377b的各個連接觸點365、367之后，如圖6C中所示示出了沿著圖5的線3B-3B′截取的另一個橫截面結構，通過沉積和構圖導電層，可以附加地形成通過接觸布線377a、377b用于連接體接觸區337和柵極350的連接布線377c。
根據本發明的實施例，源/漏區和體接觸區可以有彼此不同的導電性。例如，當源/漏區可以由重摻雜的n型區構成時，體接觸區可以由重摻雜的p型區構成。相反地，當源/漏區可以由重摻雜的p型區構成時，體接觸區由重摻雜的n型區構成。這里，在沒有摻雜第一或第二導電性的雜質的有源層的溝道區可以是本征區。
根據本發明的實施例，不是形成源/漏區緊接著形成體接觸區，而是通過使用柵極電極和第二光刻膠層作掩模形成第二導電性的源/漏區，緊接著通過在柵極絕緣層上形成第一光刻膠層以露出對應體接觸區的一部分柵極絕緣層，并利用第一光刻膠層作掩模，通過離子注入高濃度的第一導電性的雜質到有源層中可以形成體接觸區。
而且，當上述實施例描述了體接觸區可形成在源/漏區是由重摻雜區構成的薄膜晶體管中時，源/漏區也適用于具有重摻雜區和輕摻雜區的LDD結構的薄膜晶體管。
根據如上所述的本發明的實施例，在薄膜晶體管工藝期間，通過形成用于連接在有源區和柵極中形成的體接觸區的連接布線，其能夠產生可以省略用于連接的任何附加的布線工藝的好處，并可以防止由于用多晶硅連接布線的直接接觸所引起的金屬污染。
而且，通過電連接用柵極電極為體接觸區提供電源的接觸布線，可以低電壓驅動，由此縮減了閾值電壓的擺動范圍并獲得了具有低柵極電壓的高漏電流。
當以上描述了本發明的幾個實施例時，本領域的那些技術人員將明白，在不脫離在后附的權利要求中所描述的本發明的精神和范圍的條件下可以進行各種改變和修改。
本申請要求2003年10月16日提交的韓國專利申請No.2003-72337的優先權，該申請的公開內容被本申請全部引用作為參考。
權利要求
1.一種薄膜晶體管，包括形成在絕緣襯底上并具有溝道區和源/漏區的有源層；布置于有源層的溝道區中的柵極電極；在有源層上與源/漏區分離地形成的體接觸區；分別連接至源/漏區的源/漏極電極；以及用于連接體接觸區和柵極電極的導電布線。
2.如權利要求1的薄膜晶體管，還包括具有從如下配置形式的組中選區的配置形式的導電布線以具有柵極電極的主體的形式；和以分離的島型橋圖案的形式。
3.如權利要求2的薄膜晶體管，其中，導電布線由與柵極電極相同的材料制成。
4.如權利要求2的薄膜晶體管，其中，導電布線由與柵極電極不同的材料制成。
5.如權利要求1的薄膜晶體管，其中，體接觸區和溝道區是同一層的一部分。
6.如權利要求2的薄膜晶體管，其中，導電布線有島型橋圖案結構，該布線包括由與柵極電極相同的材料制成并連接至體接觸區的接觸布線；和由與接觸布線不同的材料制成并用于連接接觸布線和柵極電極的連接布線。
7.如權利要求2的薄膜晶體管，其中，導電布線由與源/漏極電極相同的材料制成，并具有島型橋圖案結構。
8.如權利要求2的薄膜晶體管，其中，導電布線由與源/漏極電極不同的材料制成，并具有島型橋圖案結構。
9.如權利要求2的薄膜晶體管，其中，導電布線具有橋圖案結構，該布線包括由與源/漏極電極相同的材料制成并連接至柵極電極和體接觸區的第一和第二接觸布線；和由與第一和第二接觸布線不同的材料制成并用于連接第一和第二接觸布線的連接布線。
10.如權利要求2的薄膜晶體管，其中，導電布線為透明導電層并有島型橋圖案結構。
11.如權利要求2的薄膜晶體管，其中，導電布線具有橋圖案結構，該布線包括由透明導電材料制成并連接至柵極電極和體接觸區的第一和第二接觸布線；和由與第一和第二接觸布線不同的材料制成并用于連接第一和第二接觸布線的連接布線。
12.如權利要求1的薄膜晶體管，其中，源/漏極電極和體接觸區是具有彼此相反導電性的雜質區，且溝道區為本征區。
13.一種用于平板顯示器的薄膜晶體管，該薄膜晶體管包括形成于絕緣襯底上且具有溝道區和源/漏區的有源層；對應有源層的溝道區形成的柵極電極；在有源層中與源/漏區分離地形成的體接觸區；分別連接至源/漏區的源/漏極電極；以及用于連接體接觸區和柵極電極的導電布線，其中，導電布線具有從如下配置形式的組中選區的配置形式以具有柵極電極的主體的形式；和以分離的島型橋圖案形式，以及其中，導電布線由與柵極電極、源/漏極電極或像素電極中的至少一種電極相同的材料制成。
14.一種薄膜晶體管，包括形成于絕緣襯底上并具有溝道區和源/漏區的有源層；形成于襯底上覆蓋有源層的第一絕緣層；對應有源層的溝道區形成的柵極電極；形成為覆蓋柵極電極的第二絕緣層；在有源層上與源/漏區分離地形成的主體接觸層；分別連接至源/漏區的源/漏極電極；形成于第一絕緣層上以便露出體接觸區的一部分的接觸孔；和通過接觸孔連接體接觸區和柵極電極的導電布線。
15.如權利要求14的薄膜晶體管，其中，導電布線與柵極電極的基本共面形成，并且導電布線通過接觸孔電連接柵極電極和體接觸區。
16.如權利要求14的薄膜晶體管，其中，導電布線自柵極電極延伸，并且導電布線通過接觸孔電連接柵極電極和體接觸區。
17.一種薄膜晶體管，包括形成于絕緣襯底上并具有溝道區和源/漏區的有源層；在襯底上形成以便覆蓋有源層的第一絕緣層；對應于有源區的溝道區形成的柵極電極；形成為覆蓋柵極電極的第二絕緣層；在有源層中與源/漏區分離地形成的體接觸區；分別連接至源/漏區的源/漏極電極；在第一和第二絕緣層的至少第二絕緣層上形成以便露出柵極電極的一部分的第一接觸孔；在第一和第二絕緣層的至少第一絕緣層上形成以便露出體接觸區的一部分的第二接觸孔；以及通過第一接觸孔和第二接觸孔的至少第二接觸孔連接體接觸區和柵極電極的導電布線。
18.如權利要求17的薄膜晶體管，其中，當導電布線與柵極電極基本共面地形成時，布線僅通過形成于第一絕緣層上的第二接觸孔電連接柵極電極和體接觸區。
19.如權利要求17的薄膜晶體管，其中，當導電布線與源/漏極電極基本共面地形成時，布線通過形成于第二絕緣層上的第一接觸孔以及穿過第一和第二絕緣層形成的第二接觸孔電連接柵極電極和體接觸區。
20.一種用于至少包括一個像素電極的平板顯示器的薄膜晶體管，該薄膜晶體管包括形成于絕緣襯底上并具有溝道區和源/漏區的有源層；形成于襯底上以便覆蓋有源層的第一絕緣層；對應于有源層的溝道區形成的柵極電極；形成為覆蓋柵極電極的第二絕緣層；在有源層中與源/漏區分離地形成的體接觸區；分別連接至源/漏區的源/漏極電極；在像素電極下方形成的第三絕緣層；至少在第一至第三絕緣層的第二絕緣層上形成以便露出柵極電極的一部分的第一接觸孔；至少在第一至第三絕緣層的第一絕緣層上形成以便露出體接觸區的一部分的第二接觸孔；和通過第一接觸孔和第二接觸孔的至少第二接觸孔連接體接觸區和柵極電極的導電布線。
21.如權利要求20的薄膜晶體管，其中，當導電布線與柵極電極基本共面地形成時，布線僅通過形成于第一絕緣層上的第二接觸孔電連接柵極電極和體接觸區。
22.如權利要求20的薄膜晶體管，其中，當導電布線與源/漏極電極基本共面地形成時，布線通過形成于第二絕緣層上的第一接觸孔以及穿過第一和第二絕緣層形成的第二接觸孔電連接柵極電極和體接觸區。
23.如權利要求20的薄膜晶體管，其中，當導電布線與像素電極基本共面地形成時，布線通過穿過第一和第二絕緣層形成的第一接觸孔以及穿過第一至第三絕緣層形成的第二接觸孔電連接柵極電極和體接觸區。
全文摘要
本發明公開一種薄膜晶體管，包括形成于絕緣襯底上的有源層并具有溝道區和源/漏區；對應有源區的溝道區形成的柵極電極；在有源層中與源/漏區分離地形成的體接觸區；分別連接至源/漏區的源/漏極電極；以及用于連接體接觸區和柵極電極的導電布線。
文檔編號H01L29/786GK1638147SQ20041010388
公開日2005年7月13日 申請日期2004年10月18日 優先權日2003年10月16日
發明者具在本, 崔炳德, 蘇明燮, 金元植 申請人:三星Sdi株式會社