專利名稱：半導體芯片的制作方法
技術領域：
本發明涉及一種半導體芯片。
背景技術：
形成集成電路的晶圓，由于由半導體形成，所以具有容易破裂的特點。因此，由晶圓切割得到的半導體芯片，由于本來就容易破裂，所以如果在其表面上形成凹凸則更容易破裂。在此，在半導體芯片的表面形成凹凸時，希望不易破裂。
發明內容
本發明的目的在于在半導體芯片表面上形成凹凸時不易破裂。
(1)有關本發明的半導體芯片，包括半導體基板，包括相互反向朝向且平行的第1以及第2面，和連接所述第1以及第2面的周邊的多個側面；集成電路，其在所述半導體基板的所述第1面上形成；和電極，其在所述半導體基板的所述第1面上形成；所述多個側面的至少一個是對所述第1以及第2面傾斜的面；在所述傾斜面上形成槽；所述槽，對與第1以及第2面平行的平面交差的方向上延伸，同時在與第1以及第2面垂直的平面交差的方向上延伸。
根據本發明，通過形成槽，能夠在半導體基板的側面上形成凹凸。通過凹凸的形成，可得到散熱性的提高和粘接劑的密接性的提高。另外，槽，由于與半導體基板的易破裂方向交差并延伸，所以半導體芯片不易破裂。
(2)在該半導體芯片中，也可以是，所述第1面與所述傾斜面所成的角，在所述半導體基板的內部側形成銳角。
(3)在該半導體芯片中，也可以是，所述第1面與所述傾斜面所成的角，在所述半導體基板的內部側形成鈍角。
(4)在該半導體芯片中，也可以是，鄰接的一對所述側面是第1以及第2傾斜面。
(5)在該半導體芯片中，也可以是，所述第1面與所述第1傾斜面所成的角，在所述半導體基板的內部側為銳角；所述第1面與所述第2傾斜面所成的角，在所述半導體基板的內部側為鈍角。
(6)在該半導體芯片中，也可以是，所述第2面成為矩形；在所述第2面上，形成在所述矩形的所有邊上交差的方向上延伸的槽。
圖1表示有關本發明第1實施方式的半導體裝置圖。
圖2表示有關本發明第1實施方式的半導體芯片的概略立體圖。
圖3表示有關本發明第1實施方式的半導體芯片的概略平面圖。
圖4表示有關本發明第2實施方式的半導體裝置圖。
圖5表示有關本發明第2實施方式的半導體芯片的概略俯視圖。
圖6表示有關本發明第2實施方式的半導體芯片的概略仰視圖。
圖7表示有關本發明實施方式的半導體芯片的變形例的平面圖。
圖8表示有關本發明實施方式的半導體芯片的變形例的平面圖。
圖9表示有關本發明實施方式的半導體芯片的變形例的平面圖。
圖10表示有關本發明實施方式的半導體芯片的變形例的平面圖。
圖11表示應用有關本實施方式的半導體裝置的電路基板圖。
圖12表示包括有關本實施方式的半導體裝置的電子設備圖。
圖13表示包括有關本實施方式的半導體裝置的電子設備圖。
圖中10…半導體芯片，12…半導體基板，14…第1面，16…第2面，18…集成電路，20…電極，21～24…側面，26…槽，28…槽，30…基板，32…布線圖案，36…粘接劑，38…外部端子，39…連接盤，40…半導體芯片，42…半導體基板，44…第1面，46…第2面，48…集成電路，50…電極，51～54…側面，56…槽，58…槽，60…基板，62…布線圖案，64…導線，66…粘接劑，68…外部端子。
具體實施例方式
下面，參照
本發明的各實施方式。
第1實施方式圖1表示有關本發明第1實施方式的半導體裝置圖。半導體裝置，包括半導體芯片10。圖2表示有關本發明第1實施方式的半導體芯片的概略立體圖，圖3表示有關本發明第1實施方式的半導體芯片的概略平面圖。
半導體芯片10，包括半導體基板12。半導體基板12，由硅等的半導體的結晶構成。半導體基板12，包括相互反向朝向且平行的第1以及第2面14、16。第1以及第2面14、16的至少一方(僅一方或者兩方)也可以是矩形。第1面14比第2面16大。第2面16的整體按照與第1面14重疊那樣設置。
在第1面14上，形成集成電路18。在第1面14上，形成多個電極20。電極20，電連接在半導體基板12的內部。所有的電極20或者不是所有的多個電極20，在集成電路18中電連接。
半導體基板12，包括連接第1以及第2面14，16的周邊的多個側面21～24。多個側面21～24的至少一個(本實施方式中是全部)是對第1以及第2面14、16的傾斜面。至少一個(本實施方式中是全部)的側面(傾斜面)21～24和第1面形成的角α，在半導體基板12的內部側為銳角。反過來，至少一個(在本實施方式中是全部)的側面(傾斜面)21～24和第2面16形成的角β，在半導體基板12的內部側為銳角。鄰接的一對側面21和22(或者22和23、23和24、24和21)，任一個都傾斜，也可以將鄰接的一對側面定義為第1以及第2傾斜面。
在本實施方式中，側面21～24的至少一個(在本實施方式中是全部)上，形成槽26。在一個側面21、22、23或者24上，也可以形成多個槽26。此時，也可以平行形成多個槽26。槽26，在對第1以及第2面14、16和平行的平面P1(參照圖2)交差的方向上延伸。槽26，對與第1以及第2面14、16垂直的至少一個(在本實施方式中是全部)平面P2、P3(參照圖2)交差的方向上延伸。
根據本實施方式，通過形成槽26，能夠在半導體基板12的側面21～24的至少一個(在本實施方式中是全部)中形成凹凸。通過凹凸的形成，可得到半導體基板12的散熱性的提高和粘接劑的密接性的提高。另外，槽26，由于與半導體基板12的易破裂的方向交差并延伸，所以半導體芯片不易破裂。
在本實施方式中，在第2面16中也形成槽28。也可以在第2面16上形成多個槽28，此時，多個槽28也可以平行排列。第2面16形成矩形時，槽28也可以在矩形的所有邊交差的方向上延伸。通過形成槽28，也能夠在半導體基板12的第2面16上形成凹凸。通過凹凸的形成，可得到半導體基板12的散熱性的提高和粘接劑的密接性的提高。另外，槽28，由于與半導體基板12的易破裂的方向交差并延伸，所以半導體芯片不易破裂。
如圖1所示，半導體裝置包括基板30。在基板30上，形成布線圖案32。在基板30上搭載半導體芯片10。半導體芯片10的第1面14面向基板30。半導體芯片10和基板30，通過粘接劑36粘接。粘接劑36的至少一部分，在半導體芯片10和基板30之間設置并粘接兩者。粘接劑36的一部分，也可以粘接在半導體芯片10的側面21～24上。側面21～24，由于通過槽26形成凹凸，所以與粘接劑36的粘接性較高。電極20(或者在其上設置的凸出34)與布線圖案32也可以面對。電極20和布線圖案32電連接。電連接，也可通過電極20(或者在其上設置的凸塊34)和布線圖案32的金屬粘接進行。如果粘接劑36是包括導電粒子的各向異性導電材料(各向異性導電膜或者各向異性導電膠)，那么在電極20(或者在其上設置的凸塊34)和布線圖案32間也可以通過導電粒子電連接。
半導體裝置，也可以包括外部端子(比如焊錫球)38。外部端子38，在與基板30的半導體芯片10相反的側中設置。外部端子38，也可以在與形成基板30的布線圖案32面相反的面上所形成的連接盤39上設置。連接盤39，通過在基板30上形成的通孔(圖中沒有畫出)等與布線圖案32電連接。有關本實施方式的半導體裝置的制造方法，包括能夠根據上述構成導出的內容。
有關本實施方式的半導體芯片10的制造方法，包括形成了上述槽26的半導體基板12。比如，也可以從半導體晶圓，按照包括平坦側面21～24那樣切斷半導體基板12，在此之后，形成槽26。在槽26的形成中，也可以應用劃線或者研磨。或者，在從半導體晶圓切斷半導體基板12時，也可以在成為其切斷面的側面21～24上形成槽26。另外，槽28，在半導體晶圓或者切斷該晶圓得到的半導體基板12的第2面16上，也可以應用劃線或者研磨等形成。
第2實施方式圖4表示有關本發明第2實施方式的半導體裝置的圖。半導體裝置，包括半導體芯片40。圖5表示有關本發明第2實施方式的半導體芯片的概略俯視圖，圖6是有關本發明第2實施方式的半導體芯片的概略仰視圖。
半導體芯片40，包括半導體基板42。半導體基板42，由硅等的半導體的結晶構成。半導體基板42，包括相互反向朝向并平行的第1以及第2面44、46。第1以及第2面44、46的至少一方(僅一方或者兩方)也可以是矩形。第1面44比第2面46小。第1面44的整體按照與第2面46重疊那樣設置。
在第1面44上，形成集成電路48。在第1面44上，形成多個電極50。電極50，在半導體基板42的內部電連接。所有的電極50或者不是所有的多個電極50，在集成電路48上電連接。
半導體基板42，包括連接第1以及第2面44、46的周邊的多個側面51～54。多個側面51～54的至少一個(本實施方式中是全部)是對第1以及第2面44、46傾斜的面。至少一個(本實施方式中是全部)的側面(傾斜面)51～54與第1面44形成的角α2，在半導體基板42的內部側為鈍角。反過來，至少一個(本實施方式中是全部)的側面(傾斜面)51～54與第2面46形成的角β2，在半導體基板42的內部側為銳角。鄰接的一對側面51和52(或者52和53、53和54、54和51)，任何一個都傾斜，也可以將鄰接的一對側面定義為第1以及第2傾斜面。
在本實施方式中，在側面51～54的至少一個(本實施方式中是全部)上形成槽56。在1個側面51、52、53或者54上，也可以形成多個槽56。此時，也可以平行形成多個槽56。槽56，在對與第1以及第2面44、46平行的平面交差的方向上延伸。槽56，在對與第1以及第2面44、46垂直的至少一個(本實施方式中是全部)的平面交差的方向上延伸。
根據本實施方式，通過形成槽56，能夠在半導體基板42的側面51～54的至少一個(本實施方式中是全部)上形成凹凸。通過凹凸的形成，可得到半導體基板42的散熱性的提高或者與粘接劑的密接性的提高。另外，槽56，由于在與半導體基板42的易破裂方向交差并延伸，所以半導體芯片不易破裂。
在本實施方式中，在第2面46上也形成槽58。也可以在第2面46上形成多個槽58，此時，多個槽58也可以平行排列。第2面46形成矩形時，槽58也可以與矩形的所有的邊交差的方向上延伸。通過形成槽58，在半導體基板42的第2面46上也能形成凹凸。通過凹凸的形成，可得到半導體基板42的散熱性的提高或者與粘接劑或者封止材料的密接性的提高。另外，槽58，由于在與半導體基板42的易破裂方向交差并延伸，所以半導體芯片不易破裂。
如圖4所示，半導體裝置包括基板60。在基板60上，形成布線圖案62。在基板60上搭載半導體芯片40。半導體芯片40的第2面46面向基板60。半導體芯片40和基板60，通過粘接劑66粘接。粘接劑66的至少一部分，在半導體芯片40和基板60間設置并粘接兩者。半導體芯片40的第2面46，由于通過槽58形成凹凸，所以與粘接劑66的密接性較高。粘接劑66的一部分，也可以在半導體芯片40的側面51～54上粘接。側面51～54，由于通過槽66形成凹凸，所以與粘接劑66的密接性較高。電極50和布線62電連接。在電連接中，也可以使用導線64。半導體裝置，也可以包括外部端子(比如焊錫球)68(具體參照在第1實施方式所說明的外部端子38)。進一步，半導體裝置也可以包括密封部70。密封部70將半導體芯片40密封。在半導體芯片40的側面51～54上，由于通過槽56形成凹凸，所以與密封部70的密接性較高。有關本實施方式的半導體裝置的制造方法，包括能夠從上述構成導出的內容。
有關本實施方式的半導體芯片40的制造方法，包括得到形成上述槽56的半導體基板42。比如，也可以從半導體晶圓，按照包括平坦的側面51～54那樣切斷半導體基板42，在此之后，形成槽56。在槽56的形成中，也可以應用劃線或者研磨。或者，在從半導體晶圓切斷半導體基板42時，在成為其的切斷面的側面51～54上也可以形成槽56。還有，槽58，也可以應用劃線或研磨在半導體晶圓或者切斷該晶圓得到的半導體基板42的第2面46上形成。
變形例圖7～圖10表示有關本發明的實施方式的半導體芯片的變形例的平面圖。這些變形例是有關半導體芯片的外形的變形例。除了以下說明的內容，各變形例與上述實施方式的內容相當。
圖7所示的半導體芯片110，包括相互反向朝向并平行的第1以及第2面112、114，和連接第1以及第2面112、114的周邊的多個側面115～118。第1面112與側面(第1傾斜面)116、117形成的角，在半導體基板的內部側為銳角。第1面112與側面(第2傾斜面)115、118形成的角，在半導體基板的內部側為鈍角。與第1面112所形成的角與在半導體基板的內部側形成鈍角的一對側面115、118鄰接。與第1面112所形成的角在半導體基板的內部側形成銳角的一對側面116、117鄰接。與第1面112形成的角在半導體基板的內部側形成銳角的側面115(或者118)，與第1面112形成的角在半導體基板的內部側形成銳角的一對側面116(或者117)鄰接。
圖8所示的半導體芯片120，包括相互反向朝向并平行的第1以及第2面122、124，和連接第1以及第2面122、124的周邊的多個側面125～128。第1面122與側面(第1傾斜面)126形成的角，在半導體基板的內部側為銳角。第1面122與側面(第2傾斜面)125、127、128形成的角，在半導體基板的內部側為鈍角。與第1面122形成的角在半導體基板的內部側為鈍角的側面128，同樣在形成鈍角的125、128上鄰接。與第1面122形成角在半導體基板的內部側為銳角的側面126和與第1面122形成的角在半導體基板的內部側為鈍角的側面125、127鄰接。
圖9所示的半導體芯片130，包括相互反向朝向并平行的第1以及第2面132、134，和連接第1以及第2面132、134的周邊的多個側面135～138。第1面132與側面(第1傾斜面)136、138形成的角，在半導體基板的內部側為銳角。第1面132與側面(第2傾斜面)135、137形成的角，在半導體基板的內部側為鈍角。與第1面132形成角在半導體基板的內部側為銳角的側面136(或者138)，和與第1面132形成角在半導體基板的內部側為鈍角的側面135(或者137)鄰接。
圖10所示的半導體芯片140，包括相互反向朝向并平行的第1以及第2面142、144，和連接第1以及第2面142、144的周邊的多個側面145～148。第1面142與側面(第1傾斜面)145、146、147形成的角，在半導體基板的內部側為銳角。第1面142與側面(第2傾斜面)148形成的角，在半導體基板的內部側為鈍角。與第1面142形成的角在半導體基板的內部側為銳角的側面146，同樣在形成銳角的145、147上鄰接。與第1面142形成角在半導體基板的內部側為鈍角的側面148和與第1面142形成的角在半導體基板的內部側為銳角的側面145、147鄰接。
在圖11中表示安裝有在上述實施方式說明的半導體裝置1的電路基板1000。作為具有該半導體裝置的電子設備，圖12表示筆記本型個人計算機2000，圖13表示移動電話機3000。
本發明，并不限于上述的實施方式，可能有種種變形。比如，本發明，包括與在實施方式說明的構成實質上相同的構成(比如，功能、方法以及結果相同的構成，或者目的以及結果相同的構成)。另外，本發明包括置換在實施方式說明的構成的非本質部分的構成。另外，本發明包括能夠與在實施方式說明的構成取得相同作用效果的構成或者達到相同目的的構成。另外，本發明包括在在實施方式說明的構成中添加公知技術的構成。進一步，本發明包括有條件地除去在實施方式說明的技術事項的任一項的內容。或者，本發明包括從上述實施方式有條件地除去公知技術的內容。
權利要求
1.一種半導體芯片，其特征在于，包括半導體基板，包括相互反向朝向且平行的第1以及第2面，和連接所述第1以及第2面的周邊的多個側面；集成電路，其在所述半導體基板的所述第1面上形成；和電極，其在所述半導體基板的所述第1面上形成；所述多個側面的至少一個是對所述第1以及第2面傾斜的面；在所述傾斜面上形成槽；所述槽，對與第1以及第2面平行的平面交差的方向上延伸，同時在與第1以及第2面垂直的平面交差的方向上延伸。
2.根據權利要求1所述的半導體芯片，其特征在于，所述第1面與所述傾斜面所成的角，在所述半導體基板的內部側形成銳角。
3.根據權利要求1所述的半導體芯片，其特征在于，所述第1面與所述傾斜面所成的角，在所述半導體基板的內部側形成鈍角。
4.根據權利要求1所述的半導體芯片，其特征在于，鄰接的一對所述側面是第1以及第2傾斜面。
5.根據權利要求4所述的半導體芯片，其特征在于，所述第1面與所述第1傾斜面所成的角，在所述半導體基板的內部側為銳角；所述第1面與所述第2傾斜面所成的角，在所述半導體基板的內部側為鈍角。
6.根據權利要求1～5中任一項所述的半導體芯片，其特征在于，所述第2面成為矩形；在所述第2面上，形成在所述矩形的所有邊上交差的方向上延伸的槽。
全文摘要
半導體芯片(10)，包括具有相互反向朝向且平行的第1以及第2面(14、16)，和連接第1以及第2面(14、16)的周邊的多個側面(21～24)的半導體基板(12)。多個側面(21～24)的至少一個是對第1以及第2面(14、16)傾斜的面，在傾斜面上形成槽(26)。槽(26)，對與第1以及第2面(14、16)平行的平面交差的方向上延伸，同時在與第1以及第2面(14、16)垂直的平面交差的方向上延伸。這樣，在半導體芯片表面上形成凹凸時不易破裂。
文檔編號H01L29/06GK1612342SQ20041008599
公開日2005年5月4日 申請日期2004年10月27日 優先權日2003年10月27日
發明者尾形義春 申請人:精工愛普生株式會社