專利名稱：固體攝像器件及攝像機的制作方法
技術領域：
本發明涉及用于數碼攝像機等的MOS型固體攝像器件。
背景技術：
MOS(金屬氧化物半導體)型固體攝像器件，是利用包含形成在各像素上的絕緣柵電極場效應晶體管(以下稱為MOS晶體管)的放大電路來放大并讀取已存儲在各像素的光電二極管上的光電荷信號的圖像傳感器。尤其，用COMS(互補MOS)工藝制造的CMOS圖像傳感器，是低電壓且低功耗的器件，其優點是能夠和外圍電路一起形成單片化，所以，作為個人計算機用小型攝像機等便攜設備的圖像輸入裝置引起廣泛關注。
圖1是表示構成過去的MOS型固體攝像器件的攝像區的n溝道MOS晶體管和溝槽(トレンチ)元件隔離部的結構一例的剖面圖。如圖1所示，在硅襯底8上形成了P型阱區。在P型阱區內形成了n溝道型MOS晶體管，n溝道型MOS晶體管的源區成為光電二極管10。在該光電二極管區10，把光子轉換成電荷(既通過光照射而產生電荷)。一般，在對鄰接的元件(例如MOS晶體管)之間進行電氣隔離用的元件隔離部，采用由選擇氧化法(LOCOSLocal oxidation of Silicon局部氧化硅隔離)形成的氧化膜。并且，若進一步進行上述固體攝像器件的微細化，則在元件隔離部使用如圖1所示的溝槽元件隔離部9那樣的、由溝槽元件隔離(ST1Shallow Trench Isolation)法而形成的氧化膜。
圖2是表示過去的MOS型固體攝像器件的結構一例的圖。該MOS型固體攝像器件在同一塊硅片8上具有多個像素26排列成二維狀的攝像區27，用于像素選擇的垂直移位寄存器28和水平移位寄存器29，以及向移位寄存器供給所需脈沖的定時信號發生電路30。攝像區27中的各個像素26，由光電變換部31、傳輸用晶體管32、復位用晶體管23、放大用晶體管24和選擇用晶體管25這4個MOS晶體管而構成。
攝像區27中的元件隔離部采用LOCOS或STI而形成的MOS型固體攝像器件，產生氮化膜等引起的膜應力、或者因離子注入工序或蝕刻工序而引起的缺陷。該缺陷是產生暗電流和白傷痕(白キズ)的原因。此外，若采用LOCOS，則出現鳥咀狀(バ一スビ一ク)寬度增加、攝像區27很難微細化的問題。并且，若采用STI，則有埋入氧化膜產生應力的問題。
解決上述問題的方法已公開在日本特開2000-196057號公報(現有例1)上。結合圖3A～圖3F說明該現有例1中記載的上述方法。圖3A~圖3F是按制造工序順序表示過去的MOS型固體攝像器件的元件隔離部的剖面概要的剖面圖。
如圖3A所示，在半導體襯底61上淀積SiO2膜作為柵絕緣膜52，并通過熱氧化達到0.1μm的厚度。然后，通過該柵絕緣膜(熱氧化膜)52進行離子注入，形成溝道限制部53、光電變換部54和漏極55。再者，如圖3B所示，以約0.3μm的厚度來淀積CVD氧化膜56。并且，在淀積CVD氧化膜(抗蝕劑)56之后，如圖3C所示，使用掩模并采用RIE法對CVD氧化膜56和柵氧化膜52進行蝕刻，以便將柵溝道57開口。
然后，如圖3D所示，淀積由多晶硅構成的柵電極58，進行再氧化，在溝道區內形成柵氧化膜。然后，如圖3E所示，使用抗蝕劑掩模、以至少比柵溝道57大的圖形在柵電極58上進行RIE(快速離子刻蝕)，形成多晶硅布線圖形。再者，如圖3F所示，淀積SiO2等層間絕緣膜59，并利用RIE進行開口，埋入信號線60，使其與漏極55導通。
一般，MOS型固體攝像器件在各個像素內具有放大電路，通過放大小的電信號，即可實現高靈敏度。因此，在漏入到光電二極管內的漏電流較大的情況下，該漏電流也被放大，所以，產生大的雜音。該雜音使圖像粗糙化，成為嚴重問題。在此，所謂漏電流是指在光電二極管區內除了因光子變換成電荷而產生的電流之外的所有漏入到光電二極管內的電流。
現在，為適應高級信息處理技術和便攜機的小型化要求，半導體器件的微細化和高密度化的研究仍然在大力進行。目前正在開發以0.18μm(及其以下)的尺寸為設計標準的CMOS型固體攝像器件。并且，像素區和外圍電路的進一步細微化是當前的固體攝像器件的目標之一。通過這種細微化來實現固體攝像器件的高集成化和高密度化，是固體攝像器件的高速化等高性能化或多功能化的最有效手段，是制造今后的固體攝像器件所必不可少的方法。
但是，在固體攝像器件中，作為伴隨上述細微化的特有問題，存在因攝像區面積減小而使靈敏度降低的問題。例如，光電二極管區的靈敏度，是指進行光電變換的電荷量超過漏電流所引起的雜波電荷量的最小光電荷量，為了提高其靈敏度，必須降低雜波電荷。
如上所述，微細的MOS晶體管，是利用半導體LSI的微細化技術而開發的，目前對漏電流尚未注意。例如，作為適合微細化的元件隔離結構，在半導體器件中廣泛采用上述STI。STI是在硅片上用干刻工藝來形成溝槽，在其中充填氧化膜的結構。所以，對充填的氧化膜和硅片的熱膨脹系數不同，因此在硅片內產生很大應力。并且，溝槽的底端部具有陡峭的角度，所以造成應力集中。一般，若在晶體中存在大的應力，則為了使晶體的能量穩定，增加晶體缺陷的密度。來自該晶體缺陷的電子是造成漏電流的原因之一。
并且，在硅片界面上形成與耦合無關的界面電平，存在非價電子。再者，在STI中，溝槽元件隔離部通過干刻而形成，所以，硅片與埋入氧化膜的界面上及界面附近的晶體結構非常雜亂。因此，在上述界面上和界面附近，存在許多與耦合無關的非價電子(以下，把界面上和界面附近的非價電子稱為“界面電平漏泄”)。由于該界面電平漏泄而產生大的漏電流。
如上所述，具有用半導體LSI技術進行微細化的MOS晶體管的固體攝像器件中，存在的問題是應力引起的晶體缺陷所造成的漏電流、以及來自與包含硅表面的STI之間的界面電平的泄漏電流，造成很大的雜音。并且，上述現有技術中記載的MOS型固體攝像器件及其制造方法，利用溝道停止注入來形成元件隔離部，在元件隔離部中，為了充分確保耐壓，必須擴大元件隔離部的區域寬度。
發明內容
因此，本發明是鑒于上述問題而提出的解決方案，其目的在于提供一種容易實現攝像區的微細化和確保元件隔離部的耐壓、容易實現低暗電流及減少白傷痕的MOS型固體攝像器件。
為了達到上述目的，本發明的固體攝像器件，具有包括光電二極管和晶體管的像素單元的攝像區，上述光電二極管具有第1導電型的電荷存儲區，上述晶體管讀取由該光電二極管獲得的電荷，此外，上述攝像區具有將上述晶體管和與其相鄰接的該攝像區以外的晶體管進行電隔離的元件隔離部；上述元件隔離部的深度比其雜質濃度成為最大的上述電荷存儲區的深度淺。
由此，若元件隔離部的深度小于該雜質濃度最大的上述電荷貯存區的深度，則能大大緩和光電二極管上的應力。其結果，能抑制光電二極管的晶體缺陷的生成，所以，能減小漏電流。其結果能適合于STI和LOCOS兩者。
另外，上述MOS晶體管是n溝道型MOS晶體管，但攝像區以外，也可以是由P溝道型MOS晶體管構成的MOS型固體攝像器件。在此情況下，MOS晶體管的構成是，在n型半導體襯底(或n型阱)內，形成作為P型擴散區的源極和漏極。或者，構成攝像區以外電路的晶體管也可以是CMOS晶體管。
此外，本發明的特征是把上述固體攝像器件用于攝像機內，利用上述方法來控制暗電流，可以制作雜音很小的固體攝像器件，所以能夠實現在低照度條件下也能攝像的攝像機。
若采用本發明涉及的MOS型固體攝像器件，MOS晶體管之間的溝槽元件隔離部采用特定的結構，能減小漏電流引起的雜音，所以其實用價值很高。
根據與表示本發明的具體實施方式
的附圖相結合而進行的下述說明，可以看出本發明的目的、優點和特征。
圖1是表示構成過去的MOS型固體攝像器件的攝像區的MOS晶體管及溝槽元件隔離部的結構一例的剖面圖。
圖2是表示過去的MOS型固體攝像器件的結構一例的圖。
圖3A至圖3F是按制造工序順序來表示過去的固體攝像器件的元件隔離部的剖面大致結構的剖面圖，是MOS型固體攝像器件的工序順序剖面圖。
圖4是表示構成本發明第一個實施方式涉及的MOS型固體攝像器件的攝像區的MOS晶體管及溝槽元件隔離部的結構一例的剖面圖。
圖5是表示在光電二極管和暗電流抑制層的邊界上殘留的垂直應力的平均值和元件隔離部的深度之間關系的圖。
圖6是表示光電二極管和暗電流抑制層中的雜質濃度的圖。
圖7是表示STI底面上應力集中部分的圖。
圖8是攝像區的晶體管和外圍電路區的晶體管的剖面圖。
圖9是僅用n型晶體管來形成外圍電路時的固體攝像器件的剖面圖。
圖10是表示構成本發明第二實施方式涉及的MOS型固體攝像器件的MOS晶體管及溝槽元件隔離部的結構一例的剖面圖。
圖11是表示構成本發明第三實施方式涉及的MOS型固體攝像器件的MOS晶體管及溝槽元件隔離部的結構一例的剖面圖。
圖12是表示構成本發明第四實施方式涉及的MOS型固體攝像器件的MOS晶體管及溝槽元件隔離部的結構一例的剖面圖。
圖13是本發明第五實施方式涉及的攝像機的方框圖。
具體實施例方式
以下參照附圖，詳細說明涉及本發明的實施方式。
<第一實施方式>
圖4是表示構成本發明第一個實施方式涉及的MOS型固體攝像器件110的攝像區的n溝道MOS晶體管及溝槽元件隔離部的結構一例的剖面圖。該MOS晶體管通過元件隔離部2與鄰接的MOS晶體管分離，光電二極管3在硅片(或者P型阱)1內形成n型擴散區。該光電二極管3兼用作攝像區的MOS晶體管的源極，和其他MOS晶體管一樣，在與光電二極管3相鄰接的區內形成了元件隔離部2。
再者，希望在作為光電二極管3的n型擴散區的表面附近，形成P型擴散區作為暗電流抑制層6。在此情況下，暗電流抑制層6如圖4所示，延伸到元件隔離部2的周圍。為阻止暗電流抑制層6的光吸收造成靈敏度降低，希望暗電流抑制層6形成在距離硅片1的表面10nm以上且200nm以下的位置。尤其為了提高靈敏度，希望暗電流抑制層6形成在距離硅片1的表面10nm以上且100nm以下的位置。元件隔離部2用干刻法來形成。元件隔離部2的深度為1nm以上200nm以下，如上所述，其形成在比暗電流抑制層6淺的區內。
圖5是表示在光電二極管和暗電流抑制層的邊界上殘留的垂直應力的平均值和元件隔離部2的深度之間關系的圖。而且，元件隔離部2的深度范圍定為50nm~700nm。
上述應力的平均值是作為彈性流動模式中的邏輯計算結果而求出的值。如圖5所示，在元件隔離部2的深度為200nm~700nm的范圍內，上述應力的平均值表示非常大的值，表示與元件隔離部2的深度幾乎沒有關系。但是，假定光電二極管和暗電流抑制層6的邊界的深度為200nm。另一方面，圖5也表示若元件隔離部2的深度小于200nm則光電二極管的殘留垂直應力急劇減小。產生該結果的主要原因是元件隔離部2遠離光電二極管和暗電流抑制層6的邊界面，而且元件隔離部2的深度和寬度之比減小。
由此，晶體缺陷的生成焓隨應力增大而減少，所以，通過減小應力能夠抑制晶體缺陷的產生。其結果，把元件隔離部的深度控制在200nm以下，即可減小漏電流，減小雜音。
尤其是為了減小應力、減小漏電流，希望元件隔離部的深度設在1nm以上且100nm以下。
圖6是表示與光電二極管上的硅片表面相垂直的斷面上的雜質濃度分布的圖。在圖6中，縱坐標表示雜質濃度，橫坐標表示距離硅片表面的深度。圖6所示的雜質濃度曲線是能夠在光電二極管中高效率地存貯光電荷、且進行高效的讀取傳輸的最佳分布。在雜質濃度分布中，存在2個濃度極大點，淺的表示暗電流抑制層，其最大濃度的深度約為100nm。另一方面，深的表示光電二極管，其最大濃度的深度為150nm以上200nm以下，具離硅片表面的元件隔離部的深度定為150nm以下，使元件隔離部遠離光電二極管的耗盡層，能夠防止在元件隔離部和硅片的邊界上產生的復合電子直接擴展到光電二極管，可抑制暗電流。元件隔離部對硅片侵蝕的深度定為100nm以下，如上所述，能夠使元件隔離部的深度等于或小于暗電流抑制層的深度。為了抑制暗電流抑制層的光吸收并防止靈敏度降低，暗電流抑制層的深度(即離開硅片表面的光電二極管和暗電流抑制層的界面的深度)必須保持在200nm以下。尤其希望暗電流抑制層的深度為10nm以上100nm以下。如圖6所示，在最優化的光電二極管和暗電流抑制層的硅片內的雜質濃度曲線中，暗電流抑制層和光電二極管的雜質濃度的邊界，距離硅片表面約100nm。通過在暗電流抑制層內形成元件隔離部，能夠抑制元件隔離部和硅片界面上產生的漏電子的復合和擴散，還能夠抑制漏電流。如圖6所示，暗電流抑制層的最大雜質濃度的深度約為50nm，把元件隔離部侵蝕硅片的深度控制在50nm以下，這樣，能使在元件隔離部和硅片的界面上產生的復合電子向光電二極管方向擴散的擴散活化能量非常大。于是在300K以上373K以下的溫度范圍內，能防止漏電流存貯在光電二極管內，能減少白傷痕。
而且，上述圖4所示的元件隔離部2用STI來形成，但也可以用LOCOS來形成。本發明在用STI來形成元件隔離部2時尤其有效。以下詳細說明其理由。
圖7是表示STI底面上應力集中部分的圖。元件隔離部2可以考慮利用LOCOS或STI進行的元件隔離等，尤其如圖7所示，在用STI進行元件隔離的情況下，應力集中在STI底面的角部上，所以，在STI底面與角部相接的半導體區內，產生大量漏電流。因此，根據STI底面的深度方向的位置，漏入到光電二極管表面的漏電流量會發生巨大變化。所以，光電二極管的深度、光電二極管的最大濃度的深度、位于光電二極管表面上的暗電流抑制層的深度、位于光電二極管表面上的暗電流抑制層的最大濃度的深度，與這4個位置分別對應的STI底面的深度方向的位置，使漏入到光電二極管內的漏電流量發生巨大變化。
而且，以上說明中例示的無MOS晶體管是n溝道型的MOS晶體管，但也可以是P溝道MOS晶體管構成的MOS型固體攝像器件。在此情況下，MOS晶體管的結構是，在n型半導體襯底(或n型阱)內形成P型擴散區的源極和漏極。并且，光電二極管由P型擴散區構成，暗電流抑制層由n型擴散區構成。
對固體攝像器件的攝像區進行驅動的電路包括多個MOS晶體管，該MOS晶體管之間用元件隔離部進行電隔離。元件隔離部的結構可以采用與攝像區內的溝槽元件隔離部相同的結構。也就是說，淺溝槽的深度為1nm以下200nm以上，與暗電流抑制層相等或者比它小。
希望構成攝像區及周圍驅動電路的MOS晶體管全都是n溝道型MOS晶體管，或者全都是P溝道型MOS晶體管。尤其是，因為能實現驅動電路的高速動作，所以，希望全部MOS晶體管是n溝道MOS晶體管。
在此，與驅動電路用CMOS型晶體管構成的固體攝像器件相比，驅動電路的所有MOS晶體管均由同一導電型來構成的固體攝像器件為佳，其原因說明如下。
圖8是攝像區的晶體管和外圍電路區的晶體管的剖面圖。
在CMOS型固體攝像器件的情況下，攝像區的晶體管是n型晶體管，外圍電路區的晶體管由n型晶體管和P型晶體管構成。
如本發明那樣，在使元件隔離部減薄的情況下，外圍電路區內的缺點是，對n型晶體管和P型晶體管進行隔離的元件隔離部的能力可能降低。這時，產生閉鎖現象，在n型晶體管和P型晶體管之間，有可能流過本來不應當流過的電流，使元件損壞。
圖9是僅用n型晶體管來形成外圍電路時的固體攝像器件的剖面圖。為了消除CMOS型固體攝像器件情況下產生的閉鎖現象，僅用n型晶體管來形成外圍電路，能夠消除使元件隔離部減薄時的弊病。所以，僅用n型晶體管來構成攝像區的晶體管和外圍電路的晶體管的n型CMOS固體攝像器件，能實現沒有上述弊病的固體攝像器件。
在上述圖8和圖9中表示攝像區的晶體管為n型晶體管的情況但是在攝像區的晶體管為P型晶體管的情況下，僅用P型晶體管來構成攝像區的晶體管和外圍電路的晶體管的P型固體攝像器件，能實現無弊病的固體攝像器件。
<第二實施方式>
本實施方式涉及的MOS型固體攝像器件中，攝像區和外圍電路由利用元件隔離部進行電隔離的多個MOS晶體管構成。圖10表示攝像區內或外圍電路中的MOS晶體管之間的元件隔離部的結構，是表示晶體管40和晶體管41用元件隔離部42進行電隔離的剖面圖。元件隔離部42侵蝕硅片1的深度為1nm以上200nm以下，能在晶體管40的激活區43和晶體管41的激活區44之間產生漏電流。如圖10所示，在元件隔離部42的正下方設置抑制漏泄的雜質擴散層45，由此能夠提高與用元件隔離部42進行電隔離的晶體管之間的漏電流有關的耐壓，能抑制晶體管之間的漏電流。
<第三實施方式>
圖11表示第三實施方式涉及的MOS型固體攝像器件中的、構成攝像區內或外圍電路中的MOS晶體管之間的元件隔離部的結構一例，是表示晶體管46和晶體管47通過元件隔離部48進行電隔離的樣子的剖面圖。如上所述，元件隔離部48和硅片1的界面的晶體結構是雜亂狀態，產生漏電流。因此，在形成的元件隔離部48和硅片1的界面的硅片1一側，沿著元件隔離部側壁和硅片1的界面，形成雜質擴散層51，由此能抑制元件隔離部48和硅片1的界面電平漏泄。
<第四實施方式>
圖12表示本發明第四實施方式涉及的MOS型固體攝像器件的攝像區內或外圍電路中的MOS晶體管和元件隔離部的結構一例，是表示晶體管70和晶體管71通過元件隔離部72進行電隔離的樣子的剖面圖。如圖12所示，與元件隔離部72侵蝕硅片1的深度相比，激活區73和74伸長的深度較小。這樣，能使激活區73和激活區74的空間距離增大，使激活區73和74之間的漏電流減小。元件隔離部72是在硅片1內形成溝槽、并利用硅氧化物進行填充的結構即所謂STI的元件隔離部，或者是用選擇熱氧化法使硅片1直接熱氧化而生成的利用硅熱氧化膜的隔離結構即LOCOS，無論哪一種均可適用。無論在哪一種元件隔離部結構中，也都是如前所述，能實現雜音小的MOS型固體攝像器件。
<第五實施方式>
圖13是安裝了具有上述實施方式涉及的元件隔離部結構的任一種固體攝像器件的攝像機功能框圖。攝像機200具有透鏡104、固體攝像器件100、驅動電路101、信號處理部102、以及外部接口部103。通過透鏡104的光進入固體攝像器件100。信號處理部102通過驅動電路101來驅動固體攝像器件100，取出來自固體攝像器件100的輸出信號。由信號處理部102處理的信號通過外部接口部103輸出到外部。
利用上述第一至第四實施方式的固體攝像器件，使該攝像機200的圖像質量非常好、且靈敏度提高，所以，即使在沒有照明的狀態下也能攝影。
本發明涉及的固體攝像器件，具有很容易實現攝像區的微細化、確保元件隔離部的耐壓、以及減少白傷痕數量的效果，能夠用作數碼攝像機等內使用的MOS型固體攝像器件。
權利要求
1.一種固體攝像器件，具有包括光電二極管和晶體管的像素單元的攝像區，上述光電二極管具有第1導電型的電荷存儲區，上述晶體管讀取由該光電二極管獲得的電荷，其特征在于上述攝像區具有將上述晶體管和與其相鄰接的該攝像區以外的晶體管進行電隔離的元件隔離部；上述元件隔離部的深度比其雜質濃度成為最大的上述電荷存儲區的深度淺。
2.如權利要求1所述的固體攝像器件，其特征在于上述光電二極管還具有在上述光電二極管的表面形成的第2導電型的暗電流抑制層。
3.如權利要求1所述的固體攝像器件，其特征在于上述光電二極管還具有與上述元件隔離部相連接形成的第2導電型的暗電流抑制層。
4.如權利要求1所述的固體攝像器件，其特征在于上述元件隔離部的深度大于等于1nm且小于等于250nm。
5.如權利要求1所述的固體攝像器件，其特征在于構成上述晶體管的源極或漏極的區域的深度比上述元件隔離部的深度淺。
6.如權利要求1所述的固體攝像器件，其特征在于構成上述晶體管的源極或漏極的區域的深度比上述元件隔離部的深度深。
7.如權利要求1所述的固體攝像器件，其特征在于上述固體攝像器件還具有外圍電路區，上述外圍電路區包括形成在上述半導體襯底上的、用于驅動上述攝像區的晶體管；上述外圍電路區具有利用與上述攝像區的上述元件隔離部相同的工序而形成的元件隔離部。
8.如權利要求7所述的固體攝像器件，其特征在于包含在上述外圍電路區中的晶體管全部是n型MOS晶體管，或者全部是P型MOS晶體管。
9.如權利要求7所述的固體攝像器件，其特征在于包含在上述外圍電路區中的晶體管是CMOS晶體管。
10.如權利要求1所述的固體攝像器件，其特征在于上述固體攝像器件還具有外圍電路區，上述外圍電路區包括形成在上述半導體襯底上的、用于驅動上述攝像區的晶體管；上述外圍電路區具有元件隔離部，上述元件隔離部設有比上述攝像區的元件隔離部深的溝槽。
11.如權利要求1所述的固體攝像器件，其特征在于上述元件隔離部是溝槽隔離。
12.一種固體攝像器件，具有包括光電二極管和晶體管的像素單元的攝像區，上述光電二極管具有第1導電型的電荷存儲區和第2導電型的暗電流抑制層，上述晶體管讀取由該光電二極管獲得的電荷，其特征在于上述攝像區具有將上述晶體管和與其相鄰接的該攝像區以外的晶體管進行電隔離的的元件隔離部；上述元件隔離部的深度比其雜質濃度成為最大的上述暗電流抑制層的深度淺。
13.如權利要求12所述的固體攝像器件，其特征在于上述元件隔離部的深度大于等于1nm且小于等于100nm。
14.一種固體攝像器件，具有包括光電二極管和晶體管的像素單元的攝像區，上述光電二極管具有第1導電型的電荷存儲區，上述晶體管讀取由該光電二極管獲得的電荷，其特征在于上述攝像區具有將上述晶體管和與其相鄰接的該攝像區以外的晶體管進行電隔離的元件隔離部；上述元件隔離部的深度比上述第1導電型的電荷存儲區的深度淺。
15.如權利要求14所述的固體攝像器件，其特征在于上述光電二極管還具有在上述光電二極管的表面形成的第2導電型的暗電流抑制層。
16.如權利要求14所述的固體攝像器件，其特征在于上述光電二極管還具有與上述元件隔離部相連接而形成的第2導電型的暗電流抑制層。
17.如權利要求14所述的固體攝像器件，其特征在于上述元件隔離部的深度大于等于1nm且小于等于150nm。
18.一種固體攝像器件，具有包括光電二極管和晶體管的像素單元的攝像區，上述光電二極管具有第1導電型的電荷存儲區和第2導電型的暗電流抑制層，上述晶體管讀取由該光電二極管獲得的電荷，其特征在于上述攝像區具有將上述晶體管和與其相鄰接的該攝像區以外的晶體管進行電隔離的元件隔離部；上述元件隔離部的深度比上述暗電流抑制層的深度淺。
19.權利要求18所述的固體攝像器件，其特征在于上述元件隔離部的深度大于等于1nm且小于等于50nm。
20.一種固體攝像器件，具有包括光電二極管和晶體管的像素單元的攝像區，上述晶體管讀取由該光電二極管獲得的電荷，其特征在于上述攝像區具有將上述晶體管和與其相鄰接的該攝像區以外的晶體管進行電隔離的元件隔離部；上述元件隔離部的深度大于等于1nm且小于等于200nm。
21.一種攝像機，采用了固體攝像器件，其特征在于上述固體攝像器件具有包括光電二極管和晶體管的像素單元的攝像區，上述光電二極管具有第1導電型的電荷存儲區，上述晶體管讀取由該光電二極管獲得的電荷，其特征在于上述攝像區具有將上述晶體管和與其相鄰接的該攝像區以外的晶體管進行電隔離的元件隔離部；上述元件隔離部的深度比其雜質濃度成為最大的上述電荷存儲區的深度淺。
全文摘要
本發明涉及一種固體攝像器件，漏電流小，并具有元件分離結構。該固體攝像器件，形成在硅片上，還包括具有與各個像素相對應的攝像區，其中包括具有第1導電型電荷存儲區的光電二極管，晶體管和元件隔離部，上述元件隔離部的深度小于其雜質濃度最大的上述第1導電型電荷存儲區的深度。
文檔編號H01L27/146GK1591888SQ200410075208
公開日2005年3月9日 申請日期2004年9月3日 優先權日2003年9月3日
發明者吉田真治, 森三佳, 山口琢己 申請人:松下電器產業株式會社