半導體器件的制造方法

專利名稱：半導體器件的制造方法
技術領域：
本發明涉及半導體器件的制造方法，更詳細地說涉及具有低介電常數絕緣膜的半導體器件的制造方法。
背景技術：
近年來，半導體器件的高速化進展顯著，因多層布線部中的布線電阻和布線間、布線層間的寄生電容引起的信號傳輸速度的降低而產生的傳輸延遲成為問題。由于隨著半導體器件的高集成化及與之相伴的布線寬度及布線間隔的微細化，布線電阻上升而且寄生電容增大，該問題存在日益顯著的趨勢。
與以往相比，為了防止基于這樣的布線電阻及寄生電容的增大的信號延遲，導入銅布線代替鋁布線進行布線，同時作為層間絕緣膜一直在嘗試使用低介電常數的絕緣膜材料。具體地說，可以舉出在分子內導入了氟和有機基的氧化硅膜。特別是，由于把氧化硅膜的Si-O鍵的一部分置換成Si-CH3鍵的MSQ(甲基硅倍半噁烷)的介電常數低達2.7左右，被認為是一種有希望的低介電常數的絕緣膜材料。但是，由于MSQ與在它上面形成的氧化硅膜之間缺乏粘附性，通過使用包含氧的氣體進行等離子體處理，在表面上形成改性層以求改善粘附性。
另一方面，面向設計規則取得更微細化進展的時代的半導體器件，要求介電常數進一步降低。對此，一直進行絕緣膜多孔化的研究。例如，通過使MSQ多孔化，能夠謀求介電常數的進一步降低。
但是，當在多孔化了的MSQ上進行上述等離子體處理時，MSQ整體被氧化，顯示出親水性。因此，使膜中大量包含水分的結果是，存在介電常數上升的問題。

發明內容
本發明是鑒于存在上述問題而進行的，其目的在于提供一種使用了與氧化硅膜的粘附性好而且介電常數低的絕緣膜的半導體器件的制造方法。
本發明的其他目的及優點將從下述說明中逐漸明了。
本發明中的第1半導體器件的制造方法的特征在于，具有以下工序在半導體基底材料上形成以有機硅氧烷為主成分，包含與該有機硅氧烷沒有化學鍵的有機成分的絕緣膜的工序；以及通過對上述絕緣膜進行等離子體處理，除去上述有機成分，同時在上述絕緣膜的表面上形成改性層的工序。
在第1半導體器件的制造方法中，形成上述絕緣膜的工序可以是用CVD法的工序。
另外，在第1半導體器件的制造方法中，形成上述絕緣膜的工序也可以具有以下工序將包含上述有機硅氧烷及上述有機成分的絕緣膜組成物涂敷在上述半導體基底材料上的工序；以及在100℃～200℃的溫度下對上述絕緣膜組成物進行加熱處理的工序。
在第1半導體器件的制造方法中，上述等離子體處理可以使用從由氧、氫及氮構成的元素組中選擇的至少包含一種元素的氣體進行。
在第1半導體器件的制造方法中，上述有機硅氧烷最好在分子內具有烷基或者烯丙基。在這種情況下，上述有機硅氧烷可以是MSQ。
第1半導體器件的制造方法可以進一步具有在上述等離子體處理后，在250℃～450℃的溫度下對上述絕緣膜進行加熱處理的工序。
另外，第1半導體器件的制造方法可以進一步具有在上述等離子體處理后，在400℃～450℃的溫度下對上述絕緣膜進行加熱處理的工序。
本發明中的第2半導體器件的制造方法的特征在于，具有以下工序在半導體基底材料上形成由有機硅氧烷構成的絕緣膜的工序；以及通過對上述絕緣膜進行等離子體處理，從上述有機硅氧烷除去有機基，同時在上述絕緣膜的表面上形成改性層的工序。
在第2半導體器件的制造方法中，形成上述絕緣膜的工序是用CVD法的工序。
另外，在第2半導體器件的制造方法中，形成上述絕緣膜的工序也可以具有以下工序將包含上述有機硅氧烷的絕緣膜組成物涂敷在上述半導體基底材料上的工序；以及在100℃～200℃的溫度下對上述絕緣膜組成物進行加熱處理的工序。
在第2半導體器件的制造方法中，上述等離子體處理能夠使用從由氧、氫及氮構成的元素組中選擇的至少包含一種元素的氣體進行。
在第2半導體器件的制造方法中，上述有機硅氧烷最好在分子內具有烷基或者烯丙基。在這種情況下，上述有機硅氧烷可以是苯基甲基硅氧烷。
第2半導體器件的制造方法可以進一步具有在上述等離子體處理后，在250℃～450℃的溫度下對上述絕緣膜進行加熱處理的工序。
另外，第2半導體器件的制造方法可以進一步具有在上述等離子體處理后，在400℃～450℃的溫度下對上述絕緣膜進行加熱處理的工序。


圖1(a)～(g)是表示本實施例中的布線形成工序的剖面圖。
圖2(a)～(d)是表示本實施例中的絕緣膜形成工序的剖面圖。
圖3(a)～(d)是本實施例中的等離子體處理后的絕緣膜的紅外線吸收光譜。
圖4(a)～(d)是本實施例中的熱處理后的絕緣膜的紅外線吸收光譜。
圖5是表示在本實施例中絕緣膜的膜厚及折射率相對于等離子體處理時間的變化。
圖6是表示在本實施例中絕緣膜的介電常數相對于等離子體處理時間的變化。
圖7是表示在本實施例中絕緣膜的接觸角相對于等離子體處理時間的變化。
圖8(a)～(d)是現有的等離子體處理后的絕緣膜的紅外線吸收光譜。
圖9是表示現有的絕緣膜的膜厚及折射率相對于等離子體處理時間的變化。
具體實施例方式
以下，參照附圖詳細說明本發明的實施方式。
圖1(a)～(g)是表示用波紋法的布線形成工序的剖面圖。首先，如圖1(a)所示，準備在硅襯底2上形成了第1絕緣膜3的襯底作為半導體基底材料1。例如能夠使用碳化硅(SiC)膜或者氮化硅(SiN)膜作為第1絕緣膜3。這些膜能夠用等離子體CVD(Chemical VaporDeposition，化學氣相淀積)法在硅襯底上形成。
其次，第2絕緣膜在半導體基底材料上形成。在本實施例中，第2絕緣膜稱為具有空位的有機硅氧烷系的低介電常數絕緣膜。
用圖2(a)～(d)說明第2絕緣膜的形成。此外，標有與圖1相同符號的部位表示是相同的部分。
首先，如圖2(a)所示，在第1絕緣膜3上形成以有機硅氧烷為主成分、包含與有機硅氧烷沒有化學鍵的有機成分的絕緣膜4。
有機硅氧烷例如能夠采用在分子內具有烷基或者烯丙基的硅氧烷。具體地說，在氧化硅膜中，最好使用將Si-O鍵的一部分置換成Si-CH3的MSQ(甲基硅倍半噁烷)。
以絕緣膜多孔化為目的使用本發明中的有機成分。例如，能夠使用在比構成有機硅氧烷的有機基的分解溫度低的溫度下分解、蒸發的物質作為有機成分。這樣的有機成分通過蒸發，從硅氧烷骨架中逃逸，能夠在絕緣膜中形成許多空位。此外，有機成分只要是在分解后氣化，從硅氧烷骨架中逃逸的物質即可。因此，有機成分不限于分解-蒸發的物質，也可以是分解-升華的物質。
另外，絕緣膜4也可以是由有機硅氧烷構成的膜。在這種情況下，有機硅氧烷需要具有能夠分解并從硅氧烷骨架中逃逸的有機基。例如，用加熱使有機基分解，該有機基通過成為低分子量的氣體，從硅氧烷骨架逃逸，與上述情況同樣地能夠形成空位。這里，由于將有機基作為不與硅直接鍵合的物質，即使因分解而有機基偏離，也能夠保持硅氧烷骨架。作為這樣的有機硅氧烷的示例，能夠舉出式1所示的物質。
(式1)
以有機硅氧烷為主成分、包含與該有機硅氧烷沒有化學鍵的有機成分的絕緣膜的形成，例如，能夠用將有機成分與有機硅烷的混合氣體作為反應氣體的CVD法進行。
另外，上述絕緣膜的形成也能夠用涂敷法進行。例如，將有機成分及有機硅氧烷溶解在適當的有機溶劑中，調整絕緣膜組成物，用旋轉涂敷法等方法將絕緣膜組成物涂敷在半導體基底材料上。這里，本發明中的有機硅氧烷最好是進行了交聯的有機聚硅氧烷，通過除去溶劑，成為聚合物膜。涂敷后，通過用加熱爐等進行加熱處理，形成涂敷膜。加熱溫度最好在100℃～200℃范圍內。據此，能夠將溶劑從絕緣膜組成物中除去，同時能夠使有機成分的一部分分解-氣化，形成空位。此外，在該處理中，溶劑的除去只要達到不影響以后工序中的處理的程度即可，即使不完全除去也可。
另一方面，具有由能夠分解-除去的有機基的有機硅氧烷組成的絕緣膜的形成也能夠用CVD法及涂敷法的任何一種方法進行。
其次，如圖2(b)所示，對絕緣膜4的表面進行等離子體處理。
本發明的等離子體處理使用從由氧(O)、氫(H)及氮(N)組成的氣體群中選擇的至少包含1種元素的氣體進行。即，可以用氧(O2)氣、氫(H2)氣及氮(N2)氣內的1種氣體進行，也可以用使2種或者3種氣體組合的混合氣體進行。另外，也可以使用將氧、氫及氮內的至少一種作為結構元素的氣體進行。具體地說，能夠舉出一氧化二氮(N2O)氣體等。進而，也可以在這些氣體中包含氬(Ar)等惰性氣體作為稀釋氣體。
等離子體處理能夠使用通用的等離子體處理裝置進行。例如，在設置在等離子體處理裝置的真空室內的對置電極之間，放置形成了絕緣膜的半導體基底材料。其次，使真空室內達到規定的真空度后，例如以規定的流量將氧氣導入該真空室中。如在對置電極間施加高頻電力，則能夠產生等離子體，對絕緣膜進行等離子體處理。
當使用氧氣或者包含以氧為結構元素的氣體進行等離子體處理時，等離子體中的氧與作為絕緣膜的有機硅氧烷膜中的甲基的碳置換。據此，如圖2(C)所示，在絕緣膜4的表面上形成富含Si-O鍵的改性層5。另外，通過進行等離子體處理，包含在絕緣膜中的有機成分分解。分解了的有機成分氣化，從絕緣膜中逃逸，從而在以后形成空位6。此外，在絕緣膜4是具有能夠分解除去的有機基的有機硅氧烷的情況下，通過等離子體處理，有機硅氧烷在有機基部分分解，該有機基通過從硅氧烷骨架中逃逸，形成空位6。
一方面，在使用不包含氧的氣體進行等離子體處理的情況下，同樣地發生有機成分的分解-氣化(或者有機硅氧烷的分解)，在絕緣膜4中形成空位。另一方面，絕緣膜4中的碳原子與氧以外的元素置換。例如，在使用氫氣進行等離子體處理的情況下，通過碳與氫置換，在絕緣膜的表面上形成富含Si-H鍵的改性層。
在本發明中，在等離子體處理結束后，也可以在250℃～450℃范圍的溫度下進一步進行加熱處理。據此，如圖2(d)所示，使包含在絕緣膜中的殘留有機成分進一步分解-氣化，能夠在絕緣膜4中形成大量的空位6。另外，在絕緣膜4是具有能夠分解除去的有機基的有機硅氧烷的情況下，通過該熱處理，能夠進一步促進有機基的分解。但是，在用等離子體處理能夠確保足夠的空位率的情況下，沒有必要進行該加熱處理。
另外，在本發明中，在等離子體處理結束后，也可以在400℃～450℃范圍的溫度下進一步進行加熱處理。據此，也能夠使絕緣膜中的硅烷醇基(-SiOH)縮聚。關于此事將在下面詳述。
例如，在用包含氧的氣體進行等離子體處理的情況下，由于絕緣膜中的碳與氧置換形成Si-O鍵，在等離子體處理后的絕緣膜中存在大量親水性的硅烷醇基(-SiOH)。另外，在用不含氧的氣體進行等離子體處理的情況下，生成Si-H鍵或者生成具有懸掛鍵的Si。這些Si-H鍵或者具有懸掛鍵的Si容易與包含在絕緣膜中的水分反應，變成硅烷醇基。由于當硅烷醇基在絕緣膜中大量存在時，吸濕性增高，介電常數上升，需要將硅烷醇基從絕緣膜中除去。
在等離子體處理后通過在400℃～450℃的溫度下進行加熱處理，引起硅烷醇基的縮聚反應，能夠將硅烷醇基從絕緣膜中除去。另外，通過進行該加熱處理，也能夠將包含在絕緣膜中的水分除去。因此，能夠防止絕緣膜中的Si-O鍵和Si-H鍵與水反應成為硅烷醇基。
另外，通過在400℃～450℃的溫度下進行加熱處理，能夠同時促進包含在絕緣膜中的有機成分的分解-氣化(或者有機硅氧烷的分解)。
因此，在以同時進行增加絕緣膜中的空位率和硅烷醇基的聚合反應這兩者為目的的情況下，最好在等離子體處理后在400℃～450℃的溫度下進行加熱處理。另一方面，在僅僅以增加絕緣膜中的空位率為目的的情況下，最好在250℃～450℃的溫度下進行加熱處理。此外，在不進行增加空位率及硅烷醇基的聚合反應中的任何一種的情況下，沒有必要在等離子體處理后進行加熱處理。
這樣，通過在等離子體處理工序及加熱處理工序2道工序中進行有機成分的分解-氣化，與僅僅在加熱處理工序中進行有機成分的分解-氣化的情況相比，能夠更完全地將有機成分從絕緣膜中除去。此事與將具有能夠分解-除去的有機基的有機硅氧烷作為絕緣膜使用的情況相同。膜中的空位率越大，介電常數就越降低，從而能夠作為更低介電常數的絕緣膜。
另外，通過分2階段進行有機成分的分解-氣化(或者有機硅氧烷的分解)，能夠使加熱處理工序中的溫度比現有的處理溫度低。通過降低加熱溫度，能夠防止因加熱引起的半導體器件的特性降低，同時能夠謀求成本降低。
如圖1(b)所示，用以上的工序，能夠在第1絕緣膜3上形成第2絕緣膜4。第2絕緣膜4的表面上具有改性層5。
其次，如圖1(c)所示，在改性層5上形成第3絕緣膜7。作為第3絕緣膜7能夠使用氧化硅膜，能夠用涂敷法或者CVD法等方法形成。
還有，在第3絕緣膜7上形成抗蝕劑膜(沒有圖示)，用光刻法形成具有所希望的布線圖形的抗蝕劑圖形8(圖1(d))。然后，以抗蝕劑圖形作為掩模，刻蝕第3絕緣膜7、第2絕緣膜4及第1絕緣膜3，形成布線溝槽9(圖1(e))。
還有，在第3絕緣膜7及布線溝槽9中，用濺射法形成鉭膜10。鉭膜10也可以是氮化鉭膜。隨后，用濺射法在鉭膜10上形成銅膜11。其后，用電鍍法等形成銅膜12，以便填埋布線溝槽9(圖1(f))。最后，用化學機械研磨法除去位于布線溝槽9以外部分的銅膜12、銅膜11及鉭膜10，成為圖1(g)所示的結構。
用以上的工序，能夠形成具有低介電常數絕緣膜的布線結構。
以下，就用本實施方式形成第2絕緣膜的情況的一個實例進行說明。
在形成于硅基底上的氮化硅膜上，用涂敷法形成包含有機成分的MSQ膜。在200℃左右的溫度下進行加熱處理后，用N2O氣體進行等離子體處理。例如，在壓力1,000Pa的真空室內，導入在N2O氣體中混合了Ar氣作為稀釋氣體的混合氣體。這時，N2O氣體的流量為200ccm，Ar氣的流量為1,000ccm。在對置電極之間施加13.56MHz的高頻、200W的電力，能夠對MSQ膜進行等離子體處理。此外，等離子體處理時基底的溫度為250℃左右。
圖3是對在200℃下加熱處理后的MSQ膜及等離子體處理后的MSQ膜測得的紅外線吸收光譜的結果。圖3(a)是加熱處理后的光譜，圖3(b)、(c)、(d)是等離子體處理時間分別為5秒鐘、10秒鐘、15秒鐘情況下的光譜。
在圖3中，2,800cm-1～3,000cm-1附近的吸收是由包含在MSQ膜中的有機成分引起的。加熱處理后的吸收最強，可知等離子體處理時間越長吸收就越減弱。另外，3,500cm-1附近的吸收是由水引起的，可知因等離子體處理而吸收減弱。
其次，對等離子體處理后的MSQ膜，在450℃左右的溫度下進行加熱處理。圖4是表示對圖3的樣品進行加熱處理后的紅外線吸收光譜。圖4(a)是在200℃下加熱處理后，不進行等離子體處理，而在450℃進行加熱處理的樣品的光譜。圖4(b)、(c)、(d)是在200℃下加熱處理后，分別進行5秒鐘、10秒鐘、15秒鐘的等離子體處理，在450℃下進行加熱處理的樣品的光譜。
由圖4可知，2,800cm-1～3,000cm-1附近的有機成分的吸收消失。另外，由于在(b)、(c)、(d)的光譜中沒有看到大的變化，由此可知即使等離子體處理時間是15秒鐘在膜中也不至產生大的損傷。
圖5表示對圖4的樣品進行膜厚及折射率相對于等離子體處理時間的變化進行了比較的結果。此外，測量是用分光橢圓法、假定為單層膜的條件下進行的。由圖可知，通過進行等離子體處理，引起膜厚的增加及折射率的減小。但是，當等離子體處理時間為15秒鐘時，相反，一方面膜厚急劇減小，而另一方面折射率卻顯著增大。
圖6是以圖5的膜厚測量結果為基礎，對由電容測量求出的介電常數進行比較的結果。由圖可知，通過進行等離子體處理，介電常數減小。據認為，這是由于通過等離子體處理MSQ膜中的有機成分被分解-除去的結果，與僅僅進行加熱處理的情況加以比較，膜中的空位率增大的緣故。另一方面，當等離子體處理時間為15秒鐘時，介電常數上升。據認為，這是由于在等離子體處理后生成的硅烷醇基的量增多，在加熱處理后也殘存于膜中的緣故。
圖7是就圖5的樣品進行接觸角比較的結果。從該結果可知，當等離子體處理時間大于10秒鐘時，表現出完全的親水性。據認為，這是由于MSQ膜中的碳被氧置換，在表面上形成改性層的緣故。通過形成這樣的親水性改性層，在上層形成氧化硅膜的情況下，能夠確保足夠的粘附性。
其次，為了比較，示出了現有的絕緣膜形成方法。
在形成于硅襯底上的氮化硅膜上，用涂敷法形成包含有機成分的MSQ膜。在450℃左右的溫度下進行加熱處理后，用N2O氣體進行等離子體處理。例如，在壓力1,000Pa的真空室內，導入在N2O氣體內混合了Ar氣體作為稀釋氣體的混合氣體。這時，N2O氣體的流量為200ccm，Ar氣體的流量為1,000ccm。通過在對置電極之間施加13.56MHz的高頻、200W的電力，能夠對MSQ膜進行等離子體處理。此外，等離子體處理時的襯底溫度是250℃左右。
圖8是對等離子體處理后的MSQ膜測得的紅外線吸收光譜的結果。圖8(a)是等離子體處理后的光譜，圖8(b)、(c)、(d)是等離子體處理時間分別為5秒鐘、10秒鐘、15秒鐘情況下的光譜。
在圖8中，1,200cm-1附近的吸收是由甲基引起的。由圖可知，吸收隨等離子體處理時間而減弱。這是甲基的碳與等離子體中的氧置換的結果。另一方面，3,500cm-1附近的吸收是由水引起的，吸收因等離子體處理而增強。
圖9是表示對圖8的樣品，比較了膜厚及折射率相對于等離子體處理時間的變化的結果。此外，測量是用分光橢圓法、假定為單層膜的條件下進行的。通過進行等離子體處理，一方面膜厚急劇減小，而另一方面折射率卻增加。
根據本實施方式，通過進行等離子體處理，在絕緣膜的表面上形成改性層，能夠提高與氧化硅膜的粘附性。因此，由于能夠降低膜剝離等不良情況，能夠提高半導體制造工序中的成品率，制造可靠性優秀的半導體器件。
另外，根據本實施例，通過在等離子體處理工序及其后續的加熱處理工序中、進行有機成分的分解-氣化(或者有機硅氧烷的分解)，包含在絕緣膜中的有機成分的絕大部分能夠被除去。據此，能夠提高膜的空位率，謀求降低介電常數。因此，能夠大幅降低半導體器件的寄生電容，抑制伴隨微細化產生的信號延遲。
進而，根據本實施例，通過用加熱處理使等離子體處理后生成的硅烷醇基反應，能夠降低膜的吸濕性、防止介電常數的上升。
此外，在本實施例中，就絕緣膜被使用于布線形成工序的情況作了說明，但是本發明不限于這種情況。只要是以形成與無機膜的粘附性好的多孔膜為目的，也能應用本發明。
(發明的效果)根據本發明，能夠形成與氧化硅膜的粘附性良好、且低介電常數的絕緣膜。因此，能夠降低半導體器件的寄生電容、抑制伴隨微細化引起的信號延遲。另外，由于能夠降低膜剝離等不良情況，能夠提高半導體制造工序中的成品率，制造可靠性優秀的半導體器件。
權利要求
1.一種半導體器件的制造方法，其特征在于具有以下工序在半導體基底材料上形成以有機硅氧烷為主成分，包含與該有機硅氧烷沒有化學鍵的有機成分的絕緣膜的工序；以及通過對上述絕緣膜進行等離子體處理，除去上述有機成分，同時在上述絕緣膜的表面上形成改性層的工序。
2.如權利要求1所述的半導體器件制造方法，其特征在于形成上述絕緣膜的工序是用CVD法的工序。
3.如權利要求1所述的半導體器件制造方法，其特征在于形成上述絕緣膜的工序具有以下工序將包含上述有機硅氧烷及上述有機成分的絕緣膜組成物涂敷在上述半導體基底材料上的工序；以及在100℃～200℃溫度下對上述絕緣膜組成物進行加熱處理的工序。
4.如權利要求1所述的半導體器件制造方法，其特征在于上述等離子體處理使用從由氧、氫及氮構成的元素組中選擇的至少包含1種元素的氣體進行。
5.如權利要求1所述的半導體器件制造方法，其特征在于上述有機硅氧烷在分子內具有烷基或者烯丙基。
6.如權利要求5所述的半導體器件制造方法，其特征在于上述有機硅氧烷是MSQ。
7.如權利要求1所述的半導體器件制造方法，其特征在于在上述等離子體處理后，進一步具有在250℃～450℃的溫度下對上述絕緣膜進行加熱處理的工序。
8.如權利要求1所述的半導體器件制造方法，其特征在于在上述等離子體處理后，進一步具有在400℃～450℃的溫度下對上述絕緣膜進行加熱處理的工序。
9.一種半導體器件制造方法，其特征在于具有以下工序在半導體基底材料上形成由有機硅氧烷構成的絕緣膜的工序；以及通過對上述絕緣膜進行等離子體處理，從上述有機硅氧烷除去有機基，同時在上述絕緣膜的表面上形成改性層的工序。
10.如權利要求9所述的半導體器件制造方法，其特征在于形成上述絕緣膜的工序是用CVD法的工序。
11.如權利要求9所述的半導體器件制造方法，其特征在于形成上述絕緣膜的工序具有以下工序將包含上述有機硅氧烷的絕緣膜組成物涂敷在上述半導體基底材料上的工序；以及在100℃～200℃的溫度下對上述絕緣膜組成物進行加熱處理的工序。
12.如權利要求9所述的半導體器件制造方法，其特征在于上述等離子體處理使用從由氧、氫及氮構成的元素組中選擇的至少包含1種元素的氣體進行。
13.如權利要求9所述的半導體器件制造方法，其特征在于上述有機硅氧烷在分子內具有烷基或者烯丙基。
14.如權利要求13所述的半導體器件制造方法，其特征在于上述有機硅氧烷是苯基甲基硅氧烷。
15.如權利要求9所述的半導體器件制造方法，其特征在于在上述等離子體處理后，進一步具有在250℃～450℃的溫度下對上述絕緣膜進行加熱處理的工序。
16.如權利要求9所述的半導體器件制造方法，其特征在于在上述等離子體處理后，進一步具有在400℃～450℃的溫度下對上述絕緣膜進行加熱處理的工序。
全文摘要
本發明的課題是提供一種使用與氧化硅膜的粘附性良好、而且介電常數低的絕緣膜的半導體器件制造方法。該方法具有在半導體基底材料1上形成以有機硅氧烷為主成分、包含與該有機硅氧烷沒有化學鍵的有機成分的絕緣膜4的工序；以及通過對該絕緣膜4進行等離子體處理，除去有機成分，同時在絕緣膜4的表面上形成改性層5的工序。等離子體處理能夠使用從由氧、氫及氮構成的元素組中選擇的至少包含一種元素的氣體進行。另外，有機硅氧烷能夠采用在分子內具有烷基或者烯丙基的有機硅氧烷。
文檔編號H01L21/312GK1532896SQ20041003135
公開日2004年9月29日 申請日期2004年3月25日 優先權日2003年3月25日
發明者吉江徹 申請人:半導體先端科技株式會社