專利名稱：電光學裝置、其制造方法及電子儀器的制作方法
技術領域：
本發明涉及電光學裝置、其制造方法及電子儀器。
現有技術近年來正在推進對于具有有機電致發光元件(以下簡稱有機EL發光元件)作為自發性發光型有機EL裝置的顯示裝置。這種顯示裝置中配置有矩陣狀多個像素區，在各像素區形成紅、綠和藍色有機EL發光元件。而且在透明基板的表面上，除各有機EL發光元件之外，還與其一起形成驅動它的開關元件。
作為這種顯示裝置中的基底保護膜和層間絕緣膜一般采用氧化硅(SiO2)膜，但是近年來正在研究采用氮化硅(SiN)膜。氮化硅膜具有與氧化硅同等的電阻系數，同時還有比氧化硅更加致密的分子結構。因此，采用氮化硅膜能夠限制氧化硅膜所不能防止的移動性離子的遷移。與此同時，氮化硅膜的厚度還能制得比氧化硅膜的厚度更薄，因而有能夠實現顯示裝置薄型化的優點(例如參見專利文獻1)。
專利文獻1特開平11-281943號公報然而，氮化硅膜不完全透明，呈淡藍色。因此一旦從發光元件出射的光透過氮化硅膜從透明基板射出，出射光就會使來自發光元件的光帶有藍色。因而存在有機EL顯示裝置不能顯示正確顏色的問題。這種情況下，為了顯示正確的顏色，必須與氮化硅膜一起形成其他膜或濾光片等，以進行顏色補正。因此，制造成本增加，同時也難使有機EL顯示裝置薄型化。
而且由于氮化硅膜呈現淡藍色而還有使發光元件光的透過率降低的問題。此外為進行顏色補正而形成濾光片的情況下，光的透過率降低得更加顯著。
發明內容
本發明正是為解決上述課題而提出的，目的在于提供一種能夠顯示正確顏色，而且光的透過率不會降低的電光學裝置、其制造方法和電子儀器。
為解決上述課題，本發明涉及一種電光學裝置，是具有在透明基板上排列形成多個顯示元件的顯示部分，和在所述的顯示部分與所述的透明基板之間形成的氮化硅膜的電光學裝置，其特征在于，在所述的氮化硅膜上形成與所述的各顯示元件的形成位置對應的多個開口部分。而且上述各顯示元件也可以由有機EL發光元件構成。通過這種結構，由于來自顯示元件的光通過開口部分從透明基板射出而不透過氮化硅膜。因此，來自顯示元件的光直接形成出射光。這樣能夠顯示正確顏色，而且還能防止光的透過率降低。
而且上述氮化硅膜，也可以是在形成了所述的各顯示元件的驅動元件的電路元件部分與所述的透明基板之間形成的基底保護膜。其中所述的各開口部分的開口寬度，優選形成得比所述的各顯示元件的顯示寬度大。采用這種結構，即使開口部分的位置相對于顯示元件位置移動，來自顯示元件的光也不會入射到基底保護膜上。因此，形成開口部分時，能夠不使用定位標記就能使照相掩膜位置吻合，進行光刻。因而無需專柵形成定位標記，能使制造工序簡化。
而且所述的氮化硅膜，還可以是在形成了所述的各顯示元件的開關元件的驅動元件部分與所述的各顯示元件之間形成的層間絕緣膜。其中所述的各開口部分的開口寬度優選形成得與所述的各顯示元件的顯示寬度相等。由于層間絕緣膜被配置在顯示元件附近，所以，通過使開口寬度與顯示寬度相等，能夠防止光的泄漏。
而且優選在向所述的顯示元件供給電流的像素電極的表面上，形成與所述的開口部分形成位置對應的凹部，在所述的凹部的底面上所述的顯示元件。通過這種結構，與氮化硅膜上沒有開口部分的情況相比，各顯示元件被配置在僅以氮化硅膜的厚度靠近透明基板。因此能使電光學裝置薄型化。
另一方面本發明涉及的電光學裝置的制造方法，是具有在透明基板上排列形成多個有機EL發光元件的顯示部分，和在所述的顯示部分與所述的透明基板之間形成的氮化硅膜的電光學裝置的制造方法，其特征在于，其中具有在所述的透明基板的所述的顯示部分側形成氮化硅膜的工序，在所述的氮化硅膜上形成與所述的各有機EL發光元件的形成位置對應的多個開口部分的工序，在所述的氮化硅膜的所述的顯示部分側，形成具有與所述的各開口部分的形成位置對應的多個凹部的像素電極的工序，和在所述的各凹部的底面上形成所述的各有機EL發光元件的工序。這樣能夠顯示正確的顏色，而且還能防止光透過率的降低。
此外，本發明涉及的電子儀器，其特征在于，其中備有上述的電光學裝置。因而能夠提供一種具有上述效果的電子儀器。
圖1是有機EL顯示裝置的等效電路圖。
圖2(a)是有機EL顯示裝置的平面視圖，(b)是(a)中沿A-B線的側面剖視圖。
圖3是圖2(b)中顯示區域的放大視圖。
圖4是第一種實施方式涉及的有機EL顯示裝置的中基底保護膜周邊的放大圖。
圖5是活性離子蝕刻裝置的說明圖。
圖6是第一等離子處理裝置的說明圖。
圖7是液滴噴出裝置的說明圖。
圖8是第二種實施方式涉及的有機EL顯示裝置的中第二層間絕緣膜周邊的放大圖。
圖9是表示發光層配置方式的平面視圖。
圖中，1-有機EL顯示裝置，2-透明基板，10-顯示部分，14-電路元件部分110-有機EL發光元件，111-像素電極，123-第二薄膜晶體管，210-第一基底保護膜，212-開口部分
具體實施例方式
以下參照
本發明的實施方式。其中在以下說明用的各圖中，為使各部件的大小能夠識別，適當變更了各部件的比例尺。
首先說明作為本發明涉及的電光學裝置的第一種實施方式的有機EL顯示裝置。
圖1是有機EL裝置的等效電路圖。而且圖2(a)是平面視圖，圖2(b)是圖2(a)中沿著A-B線的截面側視圖。圖3是圖2(b)中顯示區的放大視圖。其中本實施方式中將以有源矩陣型顯示裝置為例加以說明。
如圖1所示，在本實施方式的有機EL裝置1中，分別配有多個掃描線101、沿著與掃描線101交叉方向延伸的多個信號線102、和相對于信號線102并列地延伸的多個電源線103。各掃描線101與備有移位寄存器和電位移位器的掃描側驅動電路105相連。而且各信號線102與備有移位寄存器、電位移位器、視頻線和模擬開關的數據側驅動電路104相連。
而且在各掃描線101和各信號線102的交叉點附近，分別設有像素區域A。在各像素區域A中形成有第一薄膜晶體管122。第一薄膜晶體管122的柵極電極與掃描101相連，接受由掃描線101供給的掃描信號。而且第一薄膜晶體管122的源極與信號線102連接，接受由信號線102供給的像素信號。此外將保持電容cap連接在第一薄膜晶體管122的漏極上。保持電容cap將保持經第一薄膜晶體管122供給的像素信號。
另一方面，各像素區域A中形成第二薄膜晶體管123。第二薄膜晶體管123的柵極電極與保持電容cap相連，接受由保持電容cap保持的像素信號。而且第二薄膜晶體管123的源極與電源線103連接，接受由電源線103供給的驅動電流。此外將像素電極(陽極)111連接在第二薄膜晶體管123的漏極上。進而在此像素電極111與對向電極(陰極)12之間形成作顯示元件的有機EL發光元件(以下簡單稱作發光元件)。
采用這種結構，一旦由掃描線101供給掃描信號使第一薄膜晶體管122處于接通的狀態下，該時刻信號線102的電位將被保持電容cap所保持。此外，根據該保持電容cap的狀態決定第二薄膜晶體管123的接通·斷開狀態。而且，一旦第二薄膜晶體管123處于接通狀態下，驅動電流就由電源線103供給像素電極111。這種驅動電流經過發光元件110流向陰極12時，發光元件110就因驅動電流而發光。
圖2(a)是有機EL顯示裝置的平面視圖，圖2(b)是圖2(a)中沿著A-B線的截面側視圖。如圖2(a)和圖2(b)所示，有機EL顯示裝置1由玻璃等制成的透明基板2、形成了薄膜晶體管3和各種配線的電路元件部分14、形成了發光元件110和貯存格部分112的顯示部分、和將顯示部分10密封的密封部分3作為主體而構成的。
如圖2(a)所示，在透明基板2的中央部分形成有顯示區域2a。在此顯示區域2a上配置有矩陣狀上述的發光元件110。其中與顯示區域2a相鄰設置檢查電路106，使之能夠對制造過程中或出廠時顯示裝置的品質和缺陷進行檢查。另一方面，如圖2(b)所示，在顯示區域2a的外側透明基板2的端部形成有非顯示區域2b。另外，在非顯示區域2b中顯示區域2a附近，形成有假(空白)顯示區域2d。
在透明基板2上形成有電路元件部分14。在此電路元件部分14中的的顯示區域2a內，形成有上述的掃描線或信號線、保持電容、第一薄膜晶體管(以上內容圖中未示出)、第二薄膜晶體管123等。而且在電路元件部分14中顯示區域2a的外側，配置有上述的掃描側驅動電路105。在此掃描側驅動電路105的外側，設置驅動電路用電源配線105b和驅動電路用控制信號配線105a，并與掃描側驅動電路105連接。而且在此驅動電路用控制信號配線105a的外側，設置有上述電源線103(103R、103G和103B)。其中在圖2中，將向紅(R)發光元件供給驅動電流的電源線103R設置在顯示區域2a的一側，而將向綠(G)發光元件供給驅動電流的電源線103G和向藍(B)發光元件供給驅動電流的電源線103B設置在顯示區域2a的另一側。而且在電源線103的外側，形成陰極用配線12a。此外將陰極12與此陰極用配線12a在連接。
另一方面，如圖2(a)所示，將柔性基板5與透明基板2的端部連接著。而且在這種柔性基板5的表面上形成多個配線5a，將驅動用IC6(驅動電路)安裝在各配線5a的一端。各配線5a的另一端與基板2上形成的驅動電路用電源配線105b、驅動電路用控制信號配線105a、電源線103(103R、103G和103B)和陰極用配線12a相連接著。
此外如圖2(b)所示，在電路元件部分14的上方形成顯示部分10。在此顯示部分10上形成發光元件110和貯存格(bank)部分112。其中在圖3所示的有機EL顯示裝置1中，采用底部發射方式。也就是說，由發光元件110向透明基板2側發出的光，透過電路元件部分14和透明基板2向透明基板2的下側(觀測者側)出射。而且由發光元件110向透明基板2的反側發出的光，被陰極12反射后，也向透明基板2的下側(觀測者側)出射。其中也可以采用頂部出射方式。這種情況下，通過用透明材料形成陰極12，使光從陰極12一側出射。
在顯示部分10的上方設置密封部分3。這種密封部分3由涂布在透明基板2上的密封樹脂603和設置在密封樹脂603上方的密封基板604構成。
密封基板604由玻璃或金屬構成，在其內側設置有容納顯示部分10的凹部604a。而且在凹部604a的內面上粘貼吸收水分和氧氣的吸氣劑605。這樣能夠吸收侵入密封基板604內部的水分和氧氣等。其中也可以省略這種吸氣劑。
密封樹脂603由熱固性樹脂和紫外線固化性樹脂等組成，環氧樹脂特別適用。這種密封樹脂603例如用微分配器等在透明基板2的周圍涂布成環狀。利用這種密封樹脂603將透明基板2和密封基板604粘結，將密封基板604的內部密封。其結果能夠防止在顯示部分10形成的發光層(圖中未示出)和陰極12被氧化。
圖3是圖2(b)中顯示區域的放大視圖。圖3中，由依次在玻璃制透明基板2上層疊形成了薄膜晶體管123和各種配線等的電路元件部分14，和形成了發光元件110和貯存格部分112的顯示部分構成。
在透明基板2的表面上形成基底保護層2c。像后述那樣，基底保護層2c由氮化硅(SiN)組成的第一基底保護層，和由氧化硅(SiO2)組成的第二基底保護層構成。在此基底保護層2c的表面上矩陣狀地配置由多晶硅(p-Si)構成的半導體膜141。其中通過在各半導體膜141中注入高濃度磷(P)形成源區141b和漏區141a。而且沒有注入高濃度P離子的部分變成通道區141c。
而且形成有由氧化硅(SiO2)等構成的透明柵絕緣膜142，以將基底保護膜2c和半導體膜141覆蓋。在這種柵絕緣膜142的表面上，通過P-Si或Al、Mo、Ta、Ti、W等形成了配線。而且與這種配線中通道區域141相對向的部分將變成柵極電極143。如上述那樣，在電路元件部分14中的半導體膜141的四周，形成有第二薄膜晶體管123。在電路元件部分14上也形成有上述的第一薄膜晶體管122和保持電容cap，但是圖3中省略了對這些部分的圖示。
另一方面，形成有由氧化硅(SiO2)等構成的透明的第一層間絕緣膜144a和第二層間絕緣膜144b，以將柵極電極143和柵絕緣膜142覆蓋。而且從第一層間絕緣膜144a和第二層間絕緣膜144b的表面，至半導體膜141的源區141c和漏區141a，形成有接觸孔146、145。而且在第一這種柵絕緣膜144a的表面上形成有由Al和Mo、Ta、Ti、W等形成電源線103。這種電源線103沿著接觸孔146內部設置，并連接在第二薄膜晶體管123的源區141c。
另外，在第二層間絕緣膜144b的表面上形成由ITO等構成的透明像素電極111。使這種像素電極111形成俯視大體呈矩形的圖案。像素電極111的厚度，優選處于50～200納米范圍內，更優選150納米左右。而且將像素電極111沿著接觸孔145內部設置，連接在第二薄膜晶體管123的漏區141a上。
另一方面，在電路元件14的上方形成有顯示部分10。顯示部分10主要由在第二層間絕緣膜144b的表面上形成的像素電極111、在像素電極111的表面上層疊形成的發光元件110、配置在相鄰發光元件空隙之間將各發光元件110隔開的貯存格部分112、和在發光元件110和貯存格部分112的表面形成的陰極12構成。分別形成紅(R)、綠(G)和藍(B)色的發光元件110。
貯存格部分112由在第二層間絕緣膜144b的表面上形成無機物貯存格層112a(第一貯存格層)和在無機物貯存格層112a的表面形成的有機物貯存格層112b(第二貯存格層)構成。其中，在像素電極111的形成位置上，形成有無機物貯存格層112a和有機物貯存格層112b的開口部分112g。
無機物貯存格層112a處于第二層間絕緣膜144b的表面上，在相鄰像素電極111的間隙中形成。其中，將無機物貯存格層112a的邊緣部分設置在像素電極111的端部上方，在二者的重疊部分形成第一層疊部分112e。而且使無機物貯存格層112a在像素電極111的表面上開口，形成了下部開口部分112c。
無機物貯存格層112a例如由SiO2或TiO2構成。這種無機物貯存格層112a的膜厚，優選處于50～200納米范圍內，更優選150納米左右。膜厚低于50納米時，無機物貯存格層112a比后述的空穴注入/輸送層110a薄，存在不能確保空穴注入/輸送層110a的平坦性的問題。而且膜厚一旦超過200納米，下部開口部分112c中的高度差就會增大，也會有不能確保在空穴注入/輸送層110a上層疊的發光層110b的平坦性的問題。
另一方面，在無機物貯存格層的表面上形成有機物貯存格層112b。其中，在像素電極111的上方形成有機物貯存格層112b的上部開口部分112d。通過將開口部分112d的側面制成傾斜面，使上部開口部分112d比下部開口部分112c更寬。有機物貯存格層112b由丙烯樹脂和聚酰亞胺樹脂等具有耐熱性和耐溶劑性的材料組成。這種有機物貯存格層112b的厚度優選處于0.1～3,5微米范圍內，更優選為2微米左右。厚度小于0.1微米時，后述的孔穴注入/輸送層110a和發光層110b的總厚度比有機物貯存格層112b薄，存在發光層110b從上部開口部分112d溢出的問題。而且厚度一旦超過3.5微米，由上部開口部分112d形成的高度差就會增大，不能確保在有機物貯存格層112b上形成的陰極12的極差范圍(ステツプガバレツジ)。其中若將有機物貯存格層112b的厚度設定在2微米以上，則能夠提高與第二薄膜晶體管123的絕緣性，由此觀點來看優選。
而且在貯存格部分112上形成顯示親液性的區域和顯示疏液性的區域。顯示親液性的區域，是像素電極111的電極面111a和無機物貯存格層112a的第一層疊部分112e。這些區域可以采用以氧氣作處理氣體的等離子處理的方法使表面顯示親液性。另一方面，顯示疏液性的區域，是上部開口部分112d的壁面和有機物貯存格層112b的上面112f。這些區域可以采用四氟甲烷、四氟甲烷或四氟化碳作為處理氣體的等離子處理法，使表面具有疏液性(疏液性處理)。其中，若采用含氟聚合物材料形成有機物貯存格層112b，由于有機物貯存格層112b本身顯示疏液性，所以可以省略疏液處理。
貯存格部分112的開口部分112g處于內部，在像素電極111的表面上形成有發光元件110。這種發光元件110，由在像素電極111的表面上層疊的空穴注入/輸送層110a，和在此空穴注入/輸送層110a的表面上形成的發光層110b構成。其中，發光層110b與陰極12之間也可以形成電子注入/輸送層等功能層。
空穴注入/輸送層110a，由下部開口部分112c處于內部在像素電極111的電極面111a上形成的平坦部分110a1，和上部開口部分112d處于內側在無機物貯存格層110b的第一層疊部分112e的表面上形成的周邊部分110a2構成。而且，有時也僅由平坦部分110a1構成空穴注入/輸送層110a。這種平坦部分110a1，其厚度一定例如形成了50～70納米的厚度。空穴注入/輸送層110a，具有向發光層110b空穴注入/輸送電子的功能。通過設置這種空穴注入/輸送層110a，能夠提高發光層110b的發光效率和壽命等元件特性。
還有，形成周邊部分110a2的情況下，周邊部分110a2從第一層疊部分112e的表面至有機物貯存格層112b的上部開口部分112d的側面密接形成。這種周邊部分110a2的厚度，在靠近電極面111a一側較薄，并沿著遠離電極面111a的方向增大，在下部開口部分112d的壁面附近形成得最厚。將周邊部分110a2制成上述形狀的理由是，空穴注入/輸送層110a，是將空穴注入/輸送層形成材料溶解在極性溶劑中制成的液體，向開口部分112內噴出后除去溶劑形成的，極性溶劑的揮發主要產生在無機物貯存格層的第一層疊部分112e上，空穴注入/輸送層形成材料在此第一層疊部分112e上集中濃縮和析出的緣故。
而且在發光層110b中，從空穴注入/輸送層110a注入的孔穴與從陰極12注入的電子再度結合而發光。像后述那樣，在由高分子材料組成的發光層110b中，存在紅色(R)發光的紅色發光層、綠色(G)發光的綠色發光層和藍色(B)發光的藍色發光層三種發光層。而且在一個發光元件110中僅僅形成發出任何顏色的發光層，各種顏色發光層形成的開口部分110在透明基板2的上方設置成矩陣狀。
其中，像素電極111的電極面111a和無機物貯存格層112a的第一層疊部分112e的表面由于顯示親液性，所以在像素電極111的電極面111a和無機物貯存格層112a的第一層疊部分112e的表面上均勻形成構成發光元件的空穴注入/輸送層110a和發光層110b。因此，在無機物貯存格層112a的上方，發光元件110不會極端變薄，可以防止像素電極111與陰極12之間斷路。另一方面，上部開口部分112d的壁面和有機物貯存格層112b的上面112f由于顯示疏液性，所以發光元件110與有機物貯存格層112b之間的密接性不會降低，可以防止發光元件110從開口部分112g溢出。
在發光元件110的表面上與像素電極成對形成使電流在發光元件110中流過的陰極12。其中在本例中，在顯示部分10的全部表面上形成陰極12。這種陰極12像后述那樣，由LiF/Al(LiF與Al的層疊膜)和MgAl或者由LIF/Ca/Al(LiF與Ca和Al的層疊膜)形成。其中將陰極(對電極)12的總膜厚設定在5～500納米左右，優選200納米左右。
其中也可以在陰極12的表面上形成由SiO和SiO2、SiN等組成的防止氧化用的保護層。
在這樣形成的顯示部分10的上方，與圖2(b)所示的密封基板604連接后，構成有機EL顯示裝置1。
圖4是本實施方式涉及的有機EL顯示裝置中基底保護膜周邊的放大視圖。其中圖3中的第一層間絕緣膜144a和第二層間絕緣膜144b，與圖4中的第一層間絕緣膜162相對應。圖4中，在第一層間絕緣膜162的表面上形成由Al和Cu等金屬材料組成的中繼電極163，通過接觸孔162a與第二薄膜晶體管123連接。而且形成第二層間絕緣膜164將第一層間絕緣膜162和中繼電極163覆蓋。此外還在第二層間絕緣膜164的表面上形成像素電極111，通過接觸孔164a與中繼電極163連接。其中不借助于無機物貯存格層在中繼電極163的上方形成有機物貯存格層112b。
在上述的有機EL顯示裝置中，本實施方式中的基底保護膜2c，由氮化硅(SiN)組成的第一基底保護膜210，和氧化硅(SiO2)等組成的第二基底保護膜220構成。在透明基板2的表面上形成由氮化硅組成的第一基底保護膜210。氮化硅具有與氧化硅同等的電阻系數，同時還有比氧化硅更加致密的分子結構。因此，使用氮化硅膜能夠限制氧化硅膜所不能防止的移動性離子的遷移。與此同時，用氮化硅膜構成基底保護膜的情況下，與僅由氧化硅膜構成的情況相比，能夠使膜厚薄。例如也可以使第一基底保護膜210的厚度形成40～100納米厚。這樣可以使有機EL顯示裝置薄型化。
然而氮化硅膜并不完全透明，而且呈現淡藍色。因此，從發光元件110出射的光一旦透過氮化硅膜從透明基板2的下側(觀測者側)射出，出射光就會使來自發光元件110的光帶有藍色。因而不僅使光的透過率降低，而且還使有機EL顯示裝置不能顯示正確顏色。于是與本身是顯示元件的發光元件110的形成位置對應，在第一基底保護膜210上形成開口部分212。這種情況下，從發光元件110發出的光由于通過開口部分212出射到透明基板2的下側(觀測者側)，而不透過氮化硅膜。因此，從發光元件110發出的光原樣形成出射光。這樣一來，不但能夠防止光的透過率降低，而且還能使有機EL顯示裝置顯示正確的顏色。
這種開口部分212，正如后述那樣，可以采用光刻技術形成。在這種光刻技術中，通過已經描畫除開口部分212的形狀的照相掩膜使透明基板2全部表面上涂布的抗蝕劑曝光，使抗蝕劑形成圖案。此時必須另外形成定位標記，使照相掩膜定位。而且使開口部分212的開口寬度W2，比作為顯示元件的發光元件110中的顯示寬度的發光寬度W1更寬。這種情況下，即使開口部分212的形成位置相對于發光元件110的位置產生偏移，發光元件110發出的光也不會入射到第一基底保護膜210上。因此進行光刻時，可以不用定位標記將掩膜與透明基板2定位的情況下，使抗蝕劑形成圖案。其結果是，不必專門形成定位標記，因而能簡化制造工序。
而且在第一基底保護膜210的表面上形成由氧化硅(SiO2)等組成的第二基底保護膜220。其中由于在第一基底保護膜210上形成的開口部分212內部配置有第二基底保護膜220，所以可以在第二基底保護膜220的表面上形成凹部。由于可以在此第二基底保護膜220的表面上形成上述的柵絕緣膜142、第一層間絕緣膜162、第二層間絕緣膜164和像素電極111，所以也可以在像素電極111的表面上形成有凹部。而且可以在此凹部的底面上配置空穴注入/輸送層110a和發光層110b，形成作為顯示元件的發光元件110。這種發光元件110，與第一基底保護膜210上沒有設置開口部分212的情況相比，被配置在靠近透明基板的距離僅為第一基底保護膜210的厚度。其結果是，能使有機物貯存格層112b的形成高度，降低到僅有第一基底保護膜210的厚度上。因此能夠使有機EL顯示裝置薄型化。
下面利用圖4說明上述的有機EL顯示裝置1的制造方法。本實施方式涉及的有機EL顯示裝置的制造方法，由(1)基底保護膜形成工序；(2)半導體膜形成工序；(3)柵絕緣膜和柵極電極形成工序；(4)薄膜晶體管形成工序；(5)第一層間絕緣膜形成工序；(6)中繼電極和第二層間絕緣膜形成工序；(7)像素電極形成工序；(8)有機物貯存格層形成工序；(9)等離子處理工序；(10)發光元件形成工序；(11)陰極形成工序；和(12)密封工序組成。其中有機EL顯示裝置的制造方法，并不受以下限制，必要時也可以追加其他工序，或者除去一部分工序。
(1)基底保護膜形成工序首先在透明基板2的全部表面上形成由氮化硅組成的第一基底保護膜210。氮化硅膜的形成，例如采用以甲硅烷(SiH4)和氨(HN3)作為反應氣體，生成Si3N4的方式進行。
對于這種成膜而言優選采用等離子激發CVD法(PE-CVD)。這種PE-CVD，是利用等離子放電激發反應氣體進行反應的。其具體順序是，將透明基板2設置在PE-CVD裝置的腔室內部，供給反應氣體，使之產生等離子放電。這樣一來，被激發的反應氣體在透明基板2的表面附近反應，在透明基板2的表面上生成Si3N4等，從而形成第一基底保護膜210。另外，也可以用常壓CVD法(AP-CVD)和減壓CVD法(LP-CVD)等代替PE-CVD。
接著，在第一基底保護膜210上形成開口部分212。開口部分212的形成，采用光刻技術進行。光刻技術是以形成有圖案的抗蝕劑作掩膜，使第一基底保護膜210圖案化形成開口部分212的。為使抗蝕劑圖案化，首先在第一基底保護膜210的全部表面上涂布抗蝕劑。然后通過描畫出開口部分形狀的照相掩膜使被涂布的抗蝕劑曝光。而若將曝光的抗蝕劑顯影，就能使抗蝕劑形成開口部分212的形狀。
第一基底保護膜210的蝕刻，可以采用四氟化碳(CF4)等作蝕刻劑(etchant)的干式蝕刻法進行。這種干式蝕刻法優選采用活性離子蝕刻法(RIEReactive Ion Etching)。圖6是活性離子蝕刻裝置的說明圖。活性離子蝕刻法，是利用薄膜與化學活潑物種之間化學反應的腐蝕作用和活性物種與薄膜表面沖突的物理腐蝕作用，利用這兩種作用的復合作用對基板表面的薄膜進行蝕刻的。
圖5是活性離子蝕刻裝置的說明圖。活性離子蝕刻裝置250中設有腔室252。在這種腔室252內部，相對向配置有與RF(Radio-Frequency)電源258連接的下部電極256，和接地的上部電極254。其中上部電極254形成得能從上部導入反應氣體，使反應氣體從電極面噴出。而且下部電極256形成得能將透明基板2載于電極面上。另一方面，在腔室252的下方形成有排氣口。
活性離子蝕刻根據以下順序進行。首先將透明基板2裝載于活性粒子蝕刻裝置250的腔室252內部的下部電極256的電極面上。進而從上部電極254的上方導入作反應氣體的CF4。而且通過在下部電極256上施加RF，(Radio-Frequency)使電極之間產生等離子放電。于是使達到等離子放電區域的CF4氣體激發，生成F游離基(元素氟的活性物種)，到達被施加RF的透明基板2的表面上。由氮化硅組成的第一基底保護膜與F游離基在透明基板2的表面反應，生成揮發性化合物四氟化硅(SiF4)后，從透明基板2的表面脫離。其中在透明基板2附近，由于施加RF而形成離子外層覆蓋物(空間電化層)，所以F游離基在加速電壓作用下與透明基板2中碰撞。在這種濺射蝕刻作用的復合作用下，如圖4所示，由氮化硅組成的第一基底保護膜210受到蝕刻。而在開口部分212以外的部分，因被抗蝕劑掩蓋而僅有開口部分212被蝕刻，在第一基底保護膜210上形成開口部分212。
其中，也可以采用濕式蝕刻法蝕刻由氮化硅組成的第一基底保護膜210。這種情況下，將透明基板2浸漬在由高溫磷酸組成的蝕刻液中。由于蝕刻液溫度高，所以利用氧化硅膜導體抗蝕劑作為蝕刻掩膜。
然后在第一基底保護膜210的表面上形成由氧化硅組成的第二基底保護膜220。氧化硅膜的形成，可以采用以甲硅烷和氧氣(O2)作為反應氣體，用PE-CVD法進行。也可以使用四乙氧基甲硅烷(TEOSSi(OC2H5)4)和臭氧(O3)作為反應氣體。而且也可以采用AP-CVD和LP-CVD法等代替PE-CVD法。
(2)半導體膜形成工序然后在第二基底保護膜220的表面上形成由多晶硅(p-Si)構成的半導體膜141。其具體操作順序是，首先在第二基底保護膜的全部表面上形成無定形硅膜(a-Si)。a-Si膜的形成可以采用甲硅烷等作反應氣體，利用PE-CVD法進行。接著對a-Si膜照射激元激光(波長308nm)，使a-Si膜加熱熔化。通過將其冷卻使之重結晶，可以在低溫下形成p-Si。進而向p-Si膜注入硼(B)離子等。然后采用光刻技術將p-Si膜圖案化。其中p-Si膜的圖案化，可以采用CF4氣體等作蝕刻劑的干式蝕刻法進行。這樣可以在第二基底保護膜的表面上形成矩陣狀半導體層141。
(3)柵絕緣膜和柵極電極形成工序接著在半導體層141的表面上形成柵絕緣膜142。柵絕緣膜的形成，將透明基板2置于高溫氧化性氣氛中，使半導體層141的表面熱氧化的方式進行。此外也可以采用LP-CVD法等形成氧化硅膜。進而在柵絕緣膜142的表面上形成由p-Si等組成的柵極電極143。其具體操作順序是，首先在柵絕緣膜142的全部表面上形成p-Si膜。接著用光刻技術使p-Si膜形成圖案，這樣可以在柵絕緣膜142的表面上形成柵極電極143。
(4)薄膜晶體管形成工序進而在半導體膜141上形成源區141b和漏區141a(參見圖3)。具體講，以柵極電極143作掩膜，在半導體膜141中注入高濃度磷(P)離子。其中在高濃度磷離子注入后進行退火處理，使硅的結晶性能恢復。于是可以在注入高濃度磷離子的部分形成源區141b和漏區141a，在未注入高濃度磷離子的部分形成通道區域141c(參見圖3)。這樣可以形成第二薄膜晶體管123。
(5)第一層間絕緣膜形成工序接著形成由氧化硅等組成的第一層間絕緣膜162，將柵絕緣膜142和柵極電極143覆蓋。氧化硅膜的形成，與第二基底保護膜的形成的情況同樣，可以采用PE-CVD等的方式進行。進而在第二薄膜晶體管123的源區和漏區的上方形成接觸孔162a。接觸孔162a的形成，可以采用光刻技術和干式蝕刻法等進行。這種干式蝕刻法優選采用活性離子蝕刻法，以CF4等作蝕刻劑。
(6)中繼電極和第二層間絕緣膜形成工序然后在第一層間絕緣膜162的表面上形成由Al和Cu等金屬材料組成的中繼電極163。中繼電極163，是以形成圖案的抗蝕劑作掩膜，采用濺射法形成的。此時，也在接觸孔162a的內部充填金屬材料。進而形成氧化硅等組成的第二層間絕緣膜164，將第一層間絕緣膜162和中繼電極163覆蓋。氧化硅膜的形成，與第二層間絕緣膜164的情況同樣，可以采用PE-CVD等的方式進行。接著在與第二薄膜晶體管123的漏區連接的中繼電極163的上方，形成接觸孔162a。接觸孔162a的形成，與第二層間絕緣膜164的情況同樣，可以采用光刻技術和干式蝕刻法等進行。這樣能夠形成電路元件部分14。
(7)像素電極形成工序其次在第二層間絕緣膜164的表面上形成由ITO等組成的像素電極111。其具體操作順序是，首先在第二層間絕緣膜164的全部表面上形成ITO。ITO膜的形成利用真空蒸鍍法等進行。真空蒸鍍法是指，在真空中加熱ITO燒結體使ITO蒸發，使之在第二層間絕緣膜164的表面上析出的方法。此時，也在接觸孔164a的內部充填ITO。進而采用光刻技術和和干式蝕刻法等使ITO膜形成圖案。這樣可以在第二層間絕緣膜164的表面上形成像素電極111。然而由于將上述的第二基底保護膜220配置在第一基底保護膜210上形成的開口部分212的內部，所以凹部可以形成在第二基底保護膜220的表面上。而且由于在此第二基底保護膜220的表面上形成上述的柵絕緣膜142、第一層間絕緣膜162、第二層間絕緣膜164和像素電極111，所以可以在像素電極111的表面上形成凹部。
(8)有機物貯存格層形成工序然后在第二薄膜晶體管123的上方形成由聚酰亞胺樹脂等組成的有機物貯存格層112b。其具體操作順序是，首先在透明基板2上方的全部表面上形成聚酰亞胺樹脂膜。其次利用光刻技術和干式蝕刻法使聚酰亞胺樹脂膜形成圖案。這樣可以在像素電極111的上方形成開口部分112g。
(9)等離子處理工序接著對像素電極111和有機物貯存格層112b的表面進行等離子處理。等離子處理的目的是使像素電極111的表面活化，并使像素電極111和有機物貯存格層112b的表面親液化和疏液化。其中像素電極111表面活化的主要目的是，將像素電極111的表面洗滌干凈和調整功函數。
作為等離子處理的前處理，首先將透明基板2加熱至所定溫度下。所述的所定溫度，例如為70～80℃左右。因此通過根據以下工序將透明基板2預熱，能夠消除等離子處理中透明基板2上的溫度不均，進行均勻的等離子處理。這樣能夠使發光元件110形成均勻，有機EL顯示元件均勻化。而且通過對透明基板2預熱，能夠縮短以下等離子處理工序中的處理時間。
進而進行第一次等離子處理，目的是使像素電極111的表面活化，以及使像素電極111和有機物貯存格層112b的表面親液化。在第一次等離子處理中，在大氣壓下或真空下進行以氧氣作處理氣體的等離子處理(O2等離子處理)。圖6是示意表示第一等離子處理裝置的視圖。如圖6所示，將透明基板2載于內藏加熱器的樣品臺56上。而且樣品太56的加熱是對經預熱的透明基板2進行保溫。而且在透明基板2的上側，以0.5～2毫米左右的間隙相對設置等離子放電的電極57。而且透明基板2一邊被樣品臺56加熱，一邊被樣品臺沿著箭頭方向以所定速度被輸送。其間使等離子狀態的氧氣照射透明基板2。另外，氧氣等離子處理條件為例如等離子功率100～800千瓦，氧氣流量50～100毫升/分鐘，透明基板輸送速度0.5～10毫米/秒鐘，透明基板溫度為70～90℃。
經過這種第一次等離子處理，像素電極111的電極面111a被洗凈，功函數得到調整。而且像素電極111的電極面111a和有機物貯存格層112B的表面因導入羥基而被賦予親液性。
進而為使有機物貯存格層112b疏液化而進行第二次等離子處理。在第二次等離子處理中，在大氣壓下或真空下進行以CF4作處理氣體的等離子處理(CF4等離子處理)。第二次等離子處理裝置，與圖6所示第一等離子處理裝置具有相同的結構。也就是說，透明基板2一邊被樣品臺56加熱，一邊被樣品臺沿著箭頭方向以所定速度輸送。其間使等離子狀態的CF4氣體照射透明基板2。其中CF4等離子處理條件為例如等離子功率100～800千瓦，CF4氣體流量50～100毫升/分鐘，透明基板輸送速度0.5～1020毫米/秒鐘，透明基板溫度為70～90℃。再有，與第一次等離子處理同樣，樣品臺的加熱主要是為使經預熱的透明基板2保溫而進行的。而且作為處理氣體，并不限于CF4氣體，也可以采用其他含氟烴類氣體。
經過這種第二次等離子處理，因在開口部分112g的上部開口部分112d的側面和有機物貯存格層的上面112f上導入氟基團而賦予疏液性。其中構成有機物貯存格層112b的聚酰亞胺樹脂等有機物，經過等離子狀態的含氟烴類照射而容易被氟化。而且在本實施方式中，由于進行了氧氣等離子處理作為CF4等離子處理的前處理，所以能夠更加容易使有機物貯存格層112b氟化。
然后將等離子處理后的透明基板2冷卻到以下發光元件形成工序的管理溫度下。這樣能夠消除發光元件形成工序中透明基板2的溫度不均，均勻形成發光元件110。例如，可以使下述含有空穴注入/輸送層110a形成材料的第一組合物以一定容積連續噴出，形成均勻的空穴注入/輸送層110a。因而能夠使有機EL顯示裝置的特性均勻化。而且通過將透明基板2冷卻到管理溫度下，能夠縮短以下發光元件形成工序中的處理時間。
(10)發光元件形成工序然后在開口部分112g的內部像素電極111的表面上形成發光元件110。在像素電極111的表面上形成空穴注入/輸送層110a，在此空穴注入/輸送層110a的表面上形成發光層110b作為發光元件110。其中在以下的發光元件形成工序中，優選在沒有水分和氧的氣氛下進行。例如應當在氮氣和氬氣等惰性氣體氣氛中進行。
空穴注入/輸送層110a和發光層110b的形成，采用向像素電極111噴出分別含有各自形成材料的液體液滴的方式進行。圖7是液滴噴出裝置的說明圖。如圖7(a)所示，液滴噴出裝置備有液滴噴頭310。這種液滴噴頭310，備有例如不銹鋼制噴嘴板312和振動板313，通過分離部件(儲液板)314將二者結合在一起。而且在噴嘴板312和振動板313之間形成儲液區316。其中在振動板313上形成向儲液區316供給液體用的孔319。而且在噴嘴板312和振動板313之間，被分離部件314分割成多個儲液室315。這種儲液室315和儲液區314之間，由供給口317連通，將液體充填在儲液區316和各儲液室315的內部。而且在構成各儲液室315底面的噴嘴板312上，形成噴出液體用的噴嘴孔318。其中，各儲液室315由于是以一列并列形成的，所以噴嘴孔318也以一列并列形成在噴嘴板312上。
另一方面，如圖7(b)所示，在構成各儲液室315天井面的振動板313的內側，與壓電元件(壓電元件)320連接。在此壓電元件320厚度方向的兩個截面上，安裝有一對電極321。而且一旦對這一對電極通電，壓電元件320就會沿著厚度方向收縮，振動板313就會向外側彎曲。其結果，儲液室315的容積增大，液體就會從儲液區316流入儲液室315中。進而此一對電極321的通電一旦解除，壓電元件320和振動板313就會恢復原狀。
其結果儲液室315的容積也恢復成原來的狀態，儲液室315內部的液體壓力上升，液體液滴322就會從噴嘴孔318中噴出。在采用壓電方式的液滴噴頭310中，可以根據以上方式噴出液滴322。其中作為噴頭310的液滴噴出方式，除了采用壓電元件320的壓電方式以外，也可以采用公知方式。
使用這種液滴噴出裝置，首先在像素電極111的表面上形成孔穴注入/輸送層110a。具體講，在像素電極111的表面上噴出將孔穴注入/輸送層110a形成材料溶解在極性溶劑中的液體的液滴。作為孔穴注入/輸送層110a形成材料，例如可以采用聚乙烯二氧代噻吩等聚噻吩衍生物和聚乙烯磺酸等的混合物(Baytron-P；バイエルン株式會社的注冊商標)。另一方面，作為極性溶劑，例如可以舉出異丙醇、正丁醇、γ-丁內酯、N-甲基吡咯烷酮、1，3-二甲基-2-咪唑啉二酮及其衍生物、卡必醇乙酸酯、丁基卡必醇乙酸酯等乙二醇醚類等。其中孔穴注入/輸送層110a的形成材料，在紅(R)、綠(G)、藍(B)發光元件中既可以分別使用相同材料，也可以使用不同材料。
通過液體噴出裝置將這種液體噴在像素電極111的電極面111a上。被噴出的液體沿著經親液化處理的電極面111a，以層狀濕潤擴展至開口部分112g的側面為止。
接著進行加熱或光照等干燥處理，使液體中所含的極性溶劑蒸發。極性溶劑在電極面111a上的蒸發速度大體均勻，使空穴/輸送層110a的形成材料得到均勻濃縮。這種干燥處理例如在氮氣氣氛中和室溫下，例如在133.3～13.3Pa(1～0.1乇)左右壓力下進行。其中一旦使壓力急劇降低液體就會爆沸，不能形成平坦的膜。因此應當在所定時間內使壓力降低。而且溫度一旦處于高溫下，極性溶劑的蒸發速度就會加快，不能形成平坦的膜。因此優選在30～80℃范圍內進行。其中干燥處理優選在氮氣氣氛中，優選在真空中，在200℃下進行10分鐘左右的熱處理。這樣能夠除去殘存在空穴/輸送層110a內的極性溶劑和水分。
通過以上方法可以在像素電極111的電極面111a上形成均勻厚度的空穴/輸送層110a。其中當通過液滴噴出裝置一次噴出處理和干燥處理，不能得到所需膜厚的空穴/輸送層110a的情況下，也可以將上述的噴出處理和干燥處理反復多次。
進而在空穴/輸送層110a的表面上形成發光層110b。其中在此之前應當事先對空穴/輸送層110a進行表面改質。發光層110b的形成，使用上述液滴噴出裝置，采用將發光層110b的形成材料溶解在非極性溶劑中的液體液滴噴出在空穴/輸送層110a表面上的方式進行。被噴出的液體沿著空穴/輸送層110a的表面，以層狀濕潤擴展至開口部分112g的側面為止。其中，由于對上部開口部分112d和有機物貯存格層112b的上面112f進行了疏液化處理，所以被噴出在一個像素區域A內的液體，不會越過有機物貯存格層112b流入其他像素區域A內。
作為發光層形成材料，可以使用高分子材料。例如可以使用以下[化1]～[化5]中的聚芴衍生物、聚苯撐衍生物、聚乙烯基咔唑、聚噻吩衍生物、或者在這些高分子材料中摻雜了二萘嵌苯色素、香豆素色素、羅丹明色素，例如紅熒烯、二萘嵌苯、9，10-二苯基蒽、四苯基丁二烯、尼羅紅、香豆素6、喹吖啶酮等的物質。另外，紅(R)、綠(G)和藍(B)色發光層110b的形成材料，分別使用不同的色素。因此，根據事先被分割成各像素區域A的發光顏色，噴出含有各色發光層形成材料的液體。
化合物1 [化2]化合物2 [化3]化合物3 [化4]化合物4 [化5]化合物5
另外作為非極性溶劑，優選使用對空穴/輸送層110a是不溶性的溶劑，可以使用例如環己基苯、二氫苯并呋喃、三甲基苯、四甲基苯等。通過將空穴/輸送層110a的形成材料溶解在這種非極性溶劑制成液體，能夠在使空穴/輸送層110a不被溶解在情況下涂布液體。
進而與空穴/輸送層110a的情況同樣，對噴出的液體材料進行干燥處理(和熱處理)，形成發光層110b。這樣能夠在各像素區域A形成紅(R)、綠(G)和藍(B)色發光層110b。其中在本實施方式中雖然發光層110b是用高分子材料形成的，但是也可以用低分子材料，用蒸鍍法形成發光層110b。尤其是關于藍色發光層，從發光層的壽命來看，存在許多比高分子材料優良的低分子材料。因此，藍色發光層優選用低分子材料形成。
(11)陰極形成工序然后在發光層110b的表面和有機物貯存格層112b上面112f的全體上形成陰極(對電極)12。具體講，用蒸鍍法等依次層疊LiF和Al，形成層疊膜(LiF/Al)制成陰極12。而且也可以形成MgAg膜作為陰極12，進而依次層疊LiF、Ca和Al形成層疊膜(LiF/Ca/Al)，以此層疊膜作為陰極12。而且還可以在這樣形成的陰極12上設置防止氧化用的SiO2、SiN等保護膜。通過以上方法可以形成顯示部分10。
(12)密封工序最后如圖2(b)所示，利用密封樹脂603將形成了發光元件110的透明基板2和密封基板604密封。具體講，利用微分配器等將由熱固性樹脂和紫外線固化性樹脂組成的密封樹脂603涂布在透明基板2的周邊部分。然后將密封基板604層疊在該密封樹脂603上，進行加熱或紫外線照射等。這樣利用密封樹脂603將透明基板2與密封基板604被接合，形成密封部分3。另外，密封工序優選在氮氣和氬氣、氦氣等惰性氣體氣氛中進行。一旦在大氣中進行，當陰極12上產生缺陷的情況下，水分和氧氣等就會從這種缺陷部分侵入陰極12中，存在陰極12被氧化的問題。
此外，在將陰極12連接在圖2所示的柔性基板5的配線5a上，同時將電路元件部分14的配線連接在驅動IC6上。這樣可以得到有機EL顯示裝置1。
以下利用圖8說明本發明涉及的作為電光學裝置的第二種實施方式的有機EL顯示裝置。圖8是本實施方式涉及的有機EL顯示裝置中第二層間絕緣膜周邊部分放大視圖。其中，在第一種實施方式中采用氮化硅膜作為第一基底保護膜，與此相比在第二種實施方式中采用氮化硅膜作為第二層間絕緣膜，第一種實施方式與第二種實施方式之間僅有此點不同，有關其他各點與第一種實施方式構成相同，所以省略其說明。
如圖8所示，本實施方式中利用氧化硅形成單層基底保護膜2c，而第二層間絕緣膜164是用氮化硅形成的。在此第二層間絕緣膜164上，與作為是顯示元件的發光元件110的形成位置對應形有成開口部分165。這樣，與第一種實施方式同樣，發光元件110發出的光經過開口部分165出射到透明基板2的下側(觀測者側)，所以從發光元件發出的光直接形成出射光。因此，能夠防止光透過率的降低，同時還能使有機EL顯示裝置顯示正確的顏色。其中，開口部分165的開口寬度W3，形成得與作為顯示元件的發光元件110中顯示寬度的發光寬度W1相等。第二層間絕緣膜164由于被設置得與發光元件110接近，所以通過使開口寬度W3形成得與發光寬度W1相等，能夠防止光的泄漏。
而且在第二層間絕緣膜164的表面上形成由ITO組成的像素電極111。而且，由于像素電極111被配置在第二層間絕緣膜164上所形成的開口部分165的內部，所以可以在像素電極111的表面上形成有凹部。而且將空穴注入/輸送層110a和發光層110b配置在此凹部的上方，所以可以形成作為顯示元件的發光元件110。這種發光元件110，與第二層間絕緣膜164上沒有開口部分165的情況相比，被設置在靠近透明基板2僅有第二層間絕緣膜164厚度的距離處。這樣能夠使有機EL顯示裝置薄型化。
以下說明備有上述有機EL顯示裝置1的電子儀器的具體實例。便攜式電話的顯示部分，可以采用上述的有機EL顯示裝置1。這種便攜式電話由于備有采用上述的有機EL顯示裝置1的顯示部分，所以可以顯示正確的顏色，而且還能確保光的透過率等，是具有良好性能的便攜式電話。
另外，本發明的技術范圍，并不限于上述實施方式所限定的部分，其中包括不超出本發明要點范圍的各種改型。例如，紅(R)、綠(G)和藍(B)色發光層110b的配置，并不限于圖9(a)所示的條狀，還可以配置成圖9(b)所示的馬賽克狀，和圖9(c)所示的三角狀。而且本發明涉及的電光學裝置，并不限于有機EL顯示裝置，也能用于液晶顯示裝置和等離子顯示裝置上。而且用于液晶顯示裝置的情況下，被像素電極和對電極所夾持，控制偏振光的液晶顯示部分將形成顯示元件。
權利要求
1.一種電光學裝置，是具有在透明基板上排列形成多個顯示元件的顯示部分，和在所述的顯示部分與所述的透明基板之間形成的氮化硅膜的電光學裝置，其特征在于，在所述的氮化硅膜上形成有與所述的各顯示元件的形成位置對應的多個開口部分。
2.根據權利要求1所述的電光學裝置，其特征在于，所述的各顯示元件由有機EL發光元件構成。
3.根據權利要求1或2所述的電光學裝置，其特征在于，所述的氮化硅膜，是在形成了所述各顯示元件的開關元件的電路元件部分與所述的透明基板之間配置的基底保護膜。
4.根據權利要求3所述的電光學裝置，其特征在于，所述的各開口部分的開口寬度形成得比所述的各顯示元件的顯示寬度大。
5.根據權利要求1或2所述的電光學裝置，其特征在于，所述的氮化硅膜，是在形成了所述的各顯示元件的開關元件的電路元件部分與所述的各顯示元件之間配置的層間絕緣膜。
6.根據權利要求5所述的電光學裝置，其特征在于，所述的各開口部分的開口寬度形成得與所述的各顯示元件的顯示寬度相等。
7.根據權利要求1～6的中任何一項所述的電光學裝置，其特征在于，在向所述的顯示元件供給電流的像素電極的表面上，形成與所述的開口部分形成位置對應的凹部，在所述的凹部的底面上形成有所述的顯示元件。
8.一種電光學裝置的制造方法，是具有在透明基板上排列形成多個有機EL發光元件的顯示部分，和在所述的顯示部分與所述的透明基板之間形成的氮化硅膜的電光學裝置的制造方法，其特征在于，其中具有在所述的透明基板的所述的顯示部分側形成氮化硅膜的工序，在所述的氮化硅膜上形成與所述的各有機EL發光元件的形成位置對應的多個開口部分的工序，在所述的氮化硅膜的所述的顯示部分側，形成具有與所述的各開口部分的形成位置對應的多個凹部的像素電極的工序，和在所述的各凹部的底面上形成所述的各有機EL發光元件的工序。
9.一種電子儀器，其中備有權利要求1～7中任何一項所述的電光學裝置。
全文摘要
提供一種能夠表示正確顏色、而且透過率并不降低的有機EL顯示裝置。本發明的電光學裝置，其結構是具有整列形成了多個有機EL發光元件(110)的顯示部分(10)；形成了是各有機EL發光元件(110)開關元件的第二薄膜晶體管123的電路元件部分(14)；和在該電路元件部分(14)與透明基板(2)之間形成了氮化硅膜構成第一基底保護膜(210)的有機EL顯示裝置，其中，在第一基底保護膜(210)上形成與各有機EL發光元件(110)的形成位置對應的多個開口部分(212)。
文檔編號H01L21/00GK1534337SQ20041002875
公開日2004年10月6日 申請日期2004年3月15日 優先權日2003年3月27日
發明者阿部裕幸 申請人:精工愛普生株式會社