專利名稱：電介質瓷器組合物及利用所述組合物的電介質諧振器的制作方法
技術領域：
本發明涉及具有良好的毫米波頻帶特性的電介質瓷器組合物及電介質諧振器，還涉及可控制其特性(介電系數εr和溫度系數τf)的電介質瓷器組合物的制造方法。
背景技術：
已知有各種電介質材料可作為高頻率電介質材料，其中一種Qf值較高的材料已知有鈦酸鎂類電介質材料。據文獻(例如參照非專利文獻1等)報道，作為鈦酸鎂類電介質材料的MgTiO3的相對介電系數是εr＝17，Qf＝110000GHz，諧振頻率的可靠溫度系數是τf＝-45ppm/K。
另外，也提出過鈦酸鎂類電介質材料的改進，例如專利文獻1中記載了，通過將相對每1摩爾二氧化鈦含有大于等于1摩爾且小于等于1.3摩爾的氧化鎂和二氧化鈦的原料進行燒結，得到電介質材料。該專利文獻1中所述的電介質材料的特性為，當MgO∶TiO2＝1.2∶1時，相對介電系數εr＝17.3，無負荷Qu＝12000(以Qf表示時為120000GHz)。
專利文獻2中記載了，為得到與導電材料一起煅燒也能具有沒有翻轉或彎曲的高Q值的電介質瓷器，所述電介質瓷器含有由MgTiO3、CaTiO3、Mg2SiO4和BaTi4O9中至少一種組成的第1結晶相和由Mg2TiO4、Mg2B2O5和Li2TiSiO5中至少一種組成的第2結晶相以及Si、B和Li的氧化物。
非專利文獻1日本陶瓷協會編陶瓷工學手冊、第1版、技報堂出版、1993年5月30日、第1885頁專利文獻1
特公昭61-14605號公報專利文獻2特開2002-193662號公報但是，近年來在信息通信領域中的技術發展很快，用于電介質諧振器等的電介質材料不僅需要所述Qf值的特性，而且需要通過用途以及使用頻帶等來實現多樣化的傾向。
例如，作為用于準毫米波以及毫米波的電介質材料的特性，特別是作為諧振器材料利用時，從容易設計的觀點考慮，有必要開發出具有較低相對介電系數εr的電介質材料。當介電系數為ε時，共振現象的大小與ε-1/2成正比，所以利用高相對介電系數εr的材料時，伴隨頻率增大必須把諧振器的尺寸減小到極小。因此，為了容易設計諧振器，考慮整體尺寸和加工性等，希望開發出具有適當相對介電系數εr的電介質材料。
另外，用于諧振器時，電介質材料的溫度系數τf優選越小越好，但并不限定在此，還要考慮例如安裝在其周圍的其他部件的溫度系數，溫度系數優選可在某些范圍內任意設定。
從這些觀點考慮時，現有技術例如專利文獻1和專利文獻2中所述的技術中，主要目的放在Qf值和Q值的改善，幾乎沒有考慮相對介電系數εr和溫度系數τf。
市售的材料中，相對介電系數εr小且溫度系數τf小的材料具有相對介電系數εr＝約12.6且溫度系數τf＝約-10ppm/K，但這些材料并不是充分滿意的材料。
發明內容
本發明是為解決這些以往技術中的問題而提出的，其目的是提供相對介電系數εr調整為較小且容易設計例如準毫米波以及毫米波諧振器的電介質瓷器組合物及電介質諧振器。另外，本發明的另一個目的是提供溫度系數τf盡可能小且可根據周圍情況進行調整的電介質瓷器組合物及電介質諧振器。本發明的再另一個目的是提供相對介電系數εr調整為較小且溫度系數τf調整為零附近的電介質瓷器組合物及電介質諧振器。另外，本發明的其他目的是提供可任意調整電介質瓷器組合物的相對介電系數εr和溫度系數τf的特性控制方法。
為達到上述目的，本發明者們進行了長期深入的研究。結果發現，通過在MgTiO3中加入Mg2SiO4，在幾乎不改變溫度系數τf的情況下，根據Mg2SiO4的含量可自由設定相對介電系數εr，而且可設定在準毫米波以及毫米波頻帶最合適的相對介電系數εr。而且，也發現通過在MgTiO3中加入CaTiO3，在幾乎不改變相對介電系數εr的情況下，根據CaTiO3的含量將溫度系數τf在零附近可任意設定。
本發明是根據這些研究結論而完成的。也就是，本發明的電介質瓷器組合物的特征是，含有MgTiO3和Mg2SiO4，當MgTiO3的摩爾比為a，Mg2SiO4的摩爾比為b時，a+b＝1，0＜b＜1；或含有MgTiO3和CaTiO3，當MgTiO3的摩爾比為a，CaTiO3的摩爾比為c時，a+c＝1，0＜c≤0.15；或含有MgTiO3、Mg2SiO4和CaTiO3，當MgTiO3的摩爾比為a，Mg2SiO4的摩爾比為b，CaTiO3的摩爾比為c時，a+b+c＝1，0＜b＜1，0＜c≤0.15。
本發明的電介質瓷器組合物，其相對介電系數εr為6.8～18范圍，溫度系數τf為-55～+55ppm/K范圍，例如，可得到相對介電系數εr為10左右且溫度系數τf為零附近的電介質瓷器組合物。
本發明的電介質瓷器組合物可用作電介質諧振器例如準毫米波以及毫米波諧振器的電介質材料。因此，本發明的電介質諧振器的特征是，采用所述各電介質瓷器組合物作為電介質材料。
如上所述，通過在MgTiO3中加入Mg2SiO4，根據Mg2SiO4含量可自由設定相對介電系數εr，而通過在MgTiO3中加入CaTiO3，根據CaTiO3含量將溫度系數τf在零附近可任意設定，所以利用調整這些成分可控制所得到的電介質瓷器組合物的特性。
本發明還提供可控制這些特性的制造方法。即，本發明的制造方法的特征是，在制造電介質瓷器組合物時，把Mg2SiO4和CaTiO3的含量調整在指定范圍，以調整相對介電系數εr和溫度系數τf。
圖1為表示本發明電介質瓷器組合物的制造工藝的一個示例的流程圖。
圖2為0.6MgTiO3-0.4Mg2SiO4的X射線衍射圖譜。
圖3為表示MgTiO3+Mg2SiO4類中Mg2SiO4含量與相對介電系數εr關系的特性圖。
圖4為表示MgTiO3+Mg2SiO4類中Mg2SiO4含量與溫度系數τf關系的特性圖。
圖5為表示MgTiO3+Mg2SiO4類中煅燒溫度與相對密度關系的特性圖。
圖6為0.91MgTiO3-0.09CaTiO3的X射線衍射圖譜。
圖7為表示MgTiO3+CaTiO3類中CaTiO3含量與相對介電系數εr關系的特性圖。
圖8為表示MgTiO3+CaTiO3類中CaTiO3含量與溫度系數τf關系的特性圖。
圖9為表示MgTiO3+CaTiO3類中煅燒溫度與相對密度關系的特性圖。
圖10為0.2275MgTiO3-0.6825Mg2SiO4-0.09CaTiO3的X射線衍射圖譜。
圖11為表示在MgTiO3-Mg2SiO4-CaTiO3類中把CaTiO3固定在0.05摩爾且變化Mg2SiO4的取代量時相對介電系數εr的測定結果的特性圖。
圖12為表示在MgTiO3-Mg2SiO4-CaTiO3類中把CaTiO3固定在0.05摩爾且變化Mg2SiO4的取代量時溫度系數τf的測定結果的特性圖。
圖13為表示在MgTiO3-Mg2SiO4-CaTiO3類中把CaTiO3固定在0.05摩爾且變化Mg2SiO4的取代量時相對密度的測定結果的特性圖。
圖14為表示在MgTiO3-Mg2SiO4-CaTiO3類中把MgTiO3∶Mg2SiO4固定在1∶3且變化CaTiO3的取代量時相對介電系數εr的測定結果的特性圖。
圖15為表示在MgTiO3-Mg2SiO4-CaTiO3類中把MgTiO3∶Mg2SiO4固定在1∶3且變化CaTiO3的取代量時溫度系數τf的測定結果的特性圖。
圖16為表示在MgTiO3-Mg2SiO4-CaTiO3類中把MgTiO3∶Mg2SiO4固定在1∶3且變化CaTiO3的取代量時相對密度的測定結果的特性圖。
具體實施例方式
下面詳細說明適用于本發明的電介質瓷器組合物和電介質諧振器、以及電介質瓷器組合物的制造方法。
本發明的電介質瓷器組合物是以鈦酸鎂(MgTiO3)為基質，在其中加入Mg2SiO4或CaTiO3、或者兩者而得到的。
MgTiO3具有良好的Qf值等特性，但是相對介電系數εr為約18.2，略高，而溫度系數τf為-57ppm/K，也略大。因此，在本發明中，為了改善相對介電系數εr，加入Mg2SiO4，而為了改善溫度系數τf，加入CaTiO3。
在MgTiO3中加入Mg2SiO4時，相對介電系數εr與Mg2SiO4含量幾乎成反比地降低。此時，溫度系數τf幾乎沒有變化。另一方面，在MgTiO3中加入CaTiO3時，溫度系數τf隨著CaTiO3含量的增加幾乎成正比地從負數依次增大到正數。此時，相對介電系數εr幾乎沒有增大。因此，通過添加Mg2SiO4和添加CaTiO3，可分別獨立控制相對介電系數εr和溫度系數τf。
從這些觀點出發，在MgTiO3中加入Mg2SiO4或CaTiO3。此時，含有Mg2SiO4時的Mg2SiO4含量，當MgTiO3的摩爾比為a，Mg2SiO4的摩爾比為b時，優選a+b＝1，0＜b＜1。通過把MgTiO3的含量任意調整在上述范圍內，在比MgTiO3自身的相對介電系數εr小的范圍，可自由控制相對介電系數εr(例如在6.8～18范圍)。但是，考慮適用于準毫米波以及毫米波用途的相對介電系數εr的值時，例如考慮小于等于12的值時，更優選0.5≤b＜1。
另一方面，含有CaTiO3時的CaTiO3含量，當MgTiO3的摩爾比為a，CaTiO3的摩爾比為c時，優選a+c＝1，0＜c≤0.15。通過把CaTiO3的含量任意調整在上述范圍內，在-55～+55ppm/K的范圍可任意控制溫度系數τf的值。但是，考慮把溫度系數τf控制為更加接近零的值(±30ppm/K左右)時，更優選0.03≤c≤0.08。
另外，含有兩者(Mg2SiO4和CaTiO3)時的Mg2SiO4含量和CaTiO3含量，調整在上述各自適當范圍就可，當MgTiO3的摩爾比為a，Mg2SiO4的摩爾比為b，CaTiO3的摩爾比為c時，優選a+b+c＝1，0＜b＜1，0＜c≤0.15。為了把相對介電系數εr控制在適合于準毫米波以及毫米波用途的值例如小于等于12，且為了把溫度系數τf控制在更接近零的值，仍需要把上述各成分調整在更優選范圍，當加入兩者時，最適合的范圍與上述范圍有些差別，也就是更優選0.5≤b＜1且0.05≤c≤0.09。
在本發明的電介質瓷器組合物中，各成分分別以MgTiO3、Mg2SiO4、CaTiO3的形式存在，通過X射線衍射可更加清楚將混合這些成分的結晶相作為母材的情況，所以對組合物的組成用這些成分的比例(摩爾)來表示。
根據以上觀點，通過調整各成分的比例，可得到例如相對介電系數εr＝10.86、溫度系數τf＝-2.7ppm/K、Qf＝74000GHz的電介質瓷器組合物。
下面說明本發明電介質瓷器組合物的制造方法。圖1為表示適用于本發明的制造工藝的流程圖。
首先，在本發明的制造方法中，原料使用例如MgO、TiO2、CaCO3和SiO2。各原料成分根據所需特性而配制，但是此時加入的成分組成幾乎能原原本本地反映在電介質瓷器組合物的組成中，所以加入的各成分組成按照與電介質瓷器組合物的組成的幾乎1對1的關系，混合各原料成分。
在制造電介質瓷器組合物時，通過混合工藝1將作為原料的MgO、TiO2、CaCO3和SiO2混合。混合時可利用例如球磨機等設備。混合后，經過干燥工藝2和成形工藝3，然后通過預煅燒工藝4進行預煅燒。預煅燒是為了使原料進行一些反應而實施的，一般來說比正式煅燒溫度略低。
預煅燒后，通過粉碎工藝5進行粉碎，通過干燥工藝6進行干燥。干燥后，通過顆粒制作工藝7制作顆粒。制作顆粒時加入粘合劑，所述粘合劑可使用任意材料，例如可使用聚乙烯醇等。
最后，通過成形工藝8實施所需形狀的成形，通過煅燒工藝9進行正式煅燒。所述正式煅燒時的煅燒溫度可調整在例如1250～1500℃，根據原料的混合比例，最適宜的溫度可有些變化。例如制造含有MgTiO3和Mg2SiO4的電介質瓷器組合物時，煅燒溫度優選大于等于1300℃。當煅燒溫度不足1300℃時，Qf值降低且相對密度減少。制造含有MgTiO3和CaTiO3的電介質瓷器組合物時，煅燒溫度優選大于等于1250℃。當煅燒溫度不足1250℃時，Qf值和相對密度仍減少。制造含有MgTiO3、Mg2SiO4和CaTiO3的電介質瓷器組合物時，煅燒溫度優選大于等于1300℃。通過煅燒溫度設定在上述范圍內，可保持高Qf值和高相對密度。
在上述制造工藝中，作為原料利用MgO、TiO2、CaCO3和SiO2，但不限定在這些，例如也可以事先制造MgTiO3、Mg2SiO4、CaTiO3，將這些材料按指定比率混合而成。
所述電介質瓷器組合物可用于例如準毫米波以及毫米波頻帶，例如可用于30～300GHz的頻帶。這些頻帶中可包括例如汽車雷達等(使用77GHz或38.5GHz的2倍增)。
因此，本發明的電介質瓷器組合物可用作在準毫米波以及毫米波頻帶使用的諧振器用材料、MIC用電介質基板材料、電介質波導線路、電介質天線、各種毫米波電路的阻抗耦合、以及其他各種電子部件等，特別適用于電介質諧振器用材料。
實施例下面結合具體實驗結果說明本發明。
電介質瓷器組合物樣品的制作按照以下順序制作各樣品。
首先，把作為原料的MgO、TiO2、CaCO3、SiO2按指定混合比率稱取所需量，把這些原料利用球磨機混合16小時。混合后，在120℃干燥24小時，成形為直徑60mm的圓盤狀。成形時的成形壓力為200kgf/cm2。
成形后，在1100℃預煅燒2小時。接著，利用球磨機進行16小時的粉碎，在120℃干燥24小時。干燥后，加入1重量％的聚乙烯醇以制作顆粒，成形為直徑12mm的顆粒。此時的成形壓力為200kgf/cm2。
最后在1250～1500℃進行正式煅燒，得到電介質瓷器組合物樣品。
MgTiO3+Mg2SiO4根據上述電介質瓷器組合物樣品的制作方法，當MgTiO3的摩爾比為a，Mg2SiO4的摩爾比為b時，進行原料混合，使b為0～1(但是，a+b＝1)，在1250～1500℃進行正式煅燒，制作各種樣品。
圖2表示針對0.6 MgTiO3-0.4 Mg2SiO4(a＝0.6，b＝0.4)樣品的通過X射線衍射裝置(XDR)的測定結果。所述X射線衍射圖譜中可觀察到MgTiO3的相關峰和Mg2SiO4的相關峰，可確認所制作的樣品為MgTiO3和Mg2SiO4的混合晶相。
下面對已制作的各樣品根據日本工業規格[微波用細陶瓷的介電特性的試驗方法](JIS R 1627)測定相對介電系數εr和溫度系數τf。相對介電系數εr的測定結果如圖3和表1所示。溫度系數τf的測定結果如圖4和表2所示。
表1
表2
從圖3和表1可以明顯看出，隨著Mg2SiO4含量的增多，相對介電系數εr依次降低。另一方面，如圖4和表2所示，即使改變Mg2SiO4的含量，溫度系數τf幾乎沒有變化。因此，可以看出通過調整Mg2SiO4的含量，不會影響其他特性(溫度系數τf)，可控制相對介電系數εr。另外，特別是通過把Mg2SiO4的摩爾比b調整為大于等于0.5，可實現相對介電系數εr小于等于12。
而且，對已制作的各樣品也進行相對密度的測定。其結果如圖5和表3所示。從圖5和表3可以明顯看出，在1300℃時相對密度有所下降，但1300℃以上溫度時幾乎沒有變化。另外，在小于等于1200℃的煅燒溫度時，不能得到所需的相對密度。因此，可以看出當通過Mg2SiO4控制相對介電系數εr時，煅燒溫度優選設定在大于等于1300℃。
表3
MgTiO3+CaTiO3根據上述電介質瓷器組合物樣品的制作方法，當MgTiO3的摩爾比為a，CaTiO3的摩爾比為c時，進行原料混合，使c為0～0.09(但是，a+c＝1)，在1300℃進行正式煅燒，制作各種樣品。
圖6表示針對0.91 MgTiO3-0.09 CaTiO3(a＝0.91，c＝0.09)樣品的通過X射線衍射裝置(XDR)的測定結果。所述X射線衍射圖譜中可觀察到MgTiO3的相關峰和CaTiO3的相關峰，可確認所制作的樣品為MgTiO3和CaTiO3的混合晶相。
下面對已制作的各樣品根據日本工業規格[微波用細陶瓷的介電特性的試驗方法](JIS R 1627)測定相對介電系數εr和溫度系數τf。相對介電系數εr的測定結果如圖7和表4所示。溫度系數τf的測定結果如圖8和表5所示。
表4
表5
從圖8和表5可以明顯看出，與CaTiO3的含量成正比，溫度系數τf依次變化。當CaTiO3的摩爾比c為0.06左右時，溫度系數τf幾乎等于零，當CaTiO3的比例更少時，溫度系數τf為負數，而當CaTiO3的比例更大時，溫度系數τf為正數。另一方面，如圖7和表4所示，即使改變CaTiO3的含量，相對介電系數εr幾乎沒有變化。因此，可以看出通過調整CaTiO3的含量，可獨立控制溫度系數τf。特別是通過把CaTiO3的摩爾比c調整為0.03～0.08，可將溫度系數τf控制在±30ppm/K范圍內。
而且，對已制作的各樣品也進行相對密度的測定。其結果如圖9和表6所示。從圖9和表6可以明確看出，在大于等于1250℃時相對密度沒有問題。因此，可以看出當通過CaTiO3控制溫度系數τf時，煅燒溫度優選設定在大于等于1250℃。
表6
MgTiO3+Mg2SiO4+CaTiO3根據上述電介質瓷器組合物樣品的制作方法，制作含有MgTiO3、Mg2SiO4和CaTiO3的樣品。
圖10表示針對0.2275 MgTiO3-0.6825 Mg2SiO4-0.09 CaTiO3(a＝0.2275，b＝0.6825，c＝0.09)樣品的通過X射線衍射裝置(XDR)的測定結果。所述X射線衍射圖譜中可觀察到MgTiO3的相關峰和Mg2SiO4的相關峰以及CaTiO3的相關峰，可確認所制作的樣品為MgTiO3和Mg2SiO4以及CaTiO3的混合晶相。
首先，在MgTiO3-Mg2SiO4-CaTiO3類中，把CaTiO3固定為0.05摩爾(c＝0.05)，變化Mg2SiO4的取代量，制作各種樣品。此時相對介電系數εr的測定結果如圖11和表7所示，溫度系數τf的測定結果如圖12和表8所示，相對密度的測定結果如圖13和表9所示。
表7
表8
表9
另外，在MgTiO3-Mg2SiO4-CaTiO3類中，把MgTiO3∶Mg2SiO4固定為1∶3，變化CaTiO3的取代量，制作各種樣品。此時相對介電系數εr的測定結果如圖14和表10所示，溫度系數τf的測定結果如圖15和表11所示，相對密度的測定結果如圖16和表12所示。
表10
表11
表12
從這些圖和表可明顯看出，即使三元類混合物，通過調整Mg2SiO4的含量，可控制相對介電系數εr，而通過調整CaTiO3的含量，可控制溫度系數τf。例如，以相對介電系數εr＝10、溫度系數τf＝0為目標，在具有0.2275MgTiO3-0.6825 Mg2SiO4-0.09 CaTiO3組成的組合物中，可得到相對介電系數εr＝10.86、溫度系數τf＝-2.7ppm/K。
另外，也對已制作的各樣品進行相對密度的研究，從圖13和表9以及圖16和表12中可看出，在煅燒溫度大于等于1300℃時可得到良好的結果。
如上說明可確認，本發明可提供能夠控制相對介電系數εr和溫度系數τf的、具有適合于準毫米波以及毫米波頻帶的相對介電系數εr且溫度系數τf控制在零附近的電介質瓷器組合物。
根據本發明，通過把所述電介質瓷器組合物用作電介質材料，可提供在準毫米波以及毫米波頻帶中可使用的電介質諧振器。所述電介質諧振器的電介質瓷器組合物具有適當的相對介電系數εr，所以可放寬尺寸公差，在制作時容易設計。另外，也根據周圍部件的溫度系數可控制溫度系數τf。
權利要求
1.一種電介質瓷器組合物，其特征在于，含有MgTiO3和Mg2SiO4，當MgTiO3的摩爾比為a，Mg2SiO4的摩爾比為b時，a+b＝1，0＜b＜1。
2.如權利要求1所述的電介質瓷器組合物，其特征在于，0.5≤b＜1。
3.如權利要求1所述的電介質瓷器組合物，其特征在于，煅燒溫度為大于等于1300℃。
4.一種電介質瓷器組合物，其特征在于，含有MgTiO3和CaTiO3，當MgTiO3的摩爾比為a，CaTiO3的摩爾比為c時，a+c＝1，0＜c≤0.15。
5.如權利要求4所述的電介質瓷器組合物，其特征在于，0.03≤c≤0.08。
6.如權利要求4所述的電介質瓷器組合物，其特征在于，煅燒溫度為大于等于1250℃。
7.一種電介質瓷器組合物，其特征在于，含有MgTiO3、Mg2SiO4和CaTiO3，當MgTiO3的摩爾比為a，Mg2SiO4的摩爾比為b，CaTiO3的摩爾比為c時，a+b+c＝1，0＜b＜1，0＜c≤0.15。
8.如權利要求7所述的電介質瓷器組合物，其特征在于，0.5≤b＜1且0.05≤c≤0.09。
9.如權利要求7所述的電介質瓷器組合物，其特征在于，煅燒溫度為大于等于1300℃。
10.一種電介質諧振器，其特征在于，其利用電介質瓷器組合物作為電介質材料，所述組合物含有MgTiO3和Mg2SiO4，當MgTiO3的摩爾比為a，Mg2SiO4的摩爾比為b時，a+b＝1，0＜b＜1。
11.一種電介質諧振器，其特征在于，其利用電介質瓷器組合物作為電介質材料，所述組合物含有MgTiO3和CaTiO3，當MgTiO3的摩爾比為a，CaTiO3的摩爾比為c時，a+c＝1，0＜c≤0.15。
12.一種電介質諧振器，其特征在于，其利用電介質瓷器組合物作為電介質材料，所述組合物含有MgTiO3、Mg2SiO4和CaTiO3，當MgTiO3的摩爾比為a，Mg2SiO4的摩爾比為b，CaTiO3的摩爾比為c時，a+b+c＝1，0＜b＜1，0＜c≤0.15。
13.一種電介質瓷器組合物的制造方法，其特征在于，包括制造含有MgTiO3和Mg2SiO4的電介質瓷器組合物，其中當MgTiO3的摩爾比為a，Mg2SiO4的摩爾比為b時，把Mg2SiO4的含量調整在如下范圍，以調整介電系數εra+b＝1，0＜b＜1。
14.一種電介質瓷器組合物的制造方法，其特征在于，包括制造含有MgTiO3和CaTiO3的電介質瓷器組合物，其中當MgTiO3的摩爾比為a，CaTiO3的摩爾比為c時，把CaTiO3的含量調整在如下范圍，以調整溫度系數τfa+c＝1，0＜c≤0.15。
15.一種電介質瓷器組合物的制造方法，其特征在于，包括制造含有MgTiO3、Mg2SiO4和CaTiO3的電介質瓷器組合物，其中當MgTiO3的摩爾比為a，Mg2SiO4的摩爾比為b，CaTiO3的摩爾比為c時，把Mg2SiO4和CaTiO3的含量調整在如下范圍，以調整介電系數εr和溫度系數τfa+b+c＝1，0＜b＜1，0＜c≤0.15。
全文摘要
本發明提供可控制相對介電系數εr和溫度系數τf的、具有例如適合于準毫米波以及毫米波頻帶的相對介電系數εr以及接近零的溫度系數τf的電介質瓷器組合物。通過在MgTiO
文檔編號H01B3/10GK1530964SQ20041000868
公開日2004年9月22日 申請日期2004年3月16日 優先權日2003年3月17日
發明者宮內泰治, 嵐友宏 申請人:Tdk株式會社