探測方法、探測器和電極還原/等離子體刻蝕處理機構的制作方法

專利名稱：探測方法、探測器和電極還原/等離子體刻蝕處理機構的制作方法
技術領域：
本發明涉及一種探測方法、探測器和電極還原/等離子體刻蝕處理機構。更具體地說，本發明涉及一種能改進被測物體的電極與探針的電接觸狀態的探測方法、探測器和電極還原/等離子體刻蝕處理機構。
背景技術：
制造電子產品和電子部件(例如半導體)的工藝包括各個步驟，如在目標物體(例如晶片)上形成如互連層等各種類型金屬層的膜形成步驟、測試形成在晶片上的被測物體的步驟以及測試封裝的被測物體的步驟。例如，為了測試形成在晶片上的被測物體的電氣特性，探針將與被測物體的電極接觸。從測試器通過探針將測量信號施加于被測物體上。如果電絕緣氧化物膜已經形成在被測物體的電極表面上，只通過使探針與電極接觸，電極有時不能電連接到探針上。在這種情況下，不能從測試器將測試信號施加于電極上。常規地，在利用預定針壓使探針與電極接觸時，探針擦洗電極表面，從而破壞電極表面上的氧化物膜，由此使探針和電極彼此電接觸。
隨著半導體產品的集成度變為超高集成度，半導體產品的淀積層的厚度也加速減小。電極也變薄。如果利用恰好破壞氧化物膜的程度的針壓使探針與電極接觸，如常規探測方法那樣，探針的針壓可能使半導體產品的電氣特性被不希望地改變。當電極的下層由具有低介電常數的軟材料如低k材料構成時，利用這個針壓不能使探針與電極接觸。
在膜形成步驟中，金屬層上的氧化物膜妨礙了其上的另一金屬層的形成。因此，必須通過清洗等方法預先還原并除去該氧化物膜。例如，Jpn.Pat.Appln.KOKAI公報No.2000-311868(權利要求14和第 段)介紹了在形成用于連接多層互連中的不同互連層的通孔的工藝中，在形成上金屬互連之前清洗通孔的工藝。在該工藝中，通過使用給氫基團輸送電子而產生的負氫離子除去形成在硅襯底表面的通孔中的本地氧化物膜等。在這個工藝中，在真空容器中對含有氫原子的氣體進行微波放電輻射，由此產生氫等離子體。電子輸送裝置向氫基團輸送熱電子，從而產生負氫離子。在這篇參考文獻中，使用負氫離子進行清洗。
在測試步驟中，探針與晶片表面上的電極電接觸。在探針和電極彼此電接觸時，進行被測物體的測試。如果氧化物膜存在于電極表面上，由于氧化物膜是絕緣體，因此它干擾探針和電極的電接觸。為此，必須在測試之前除去電極表面上的氧化物膜。為了除去氧化物膜，可以使用在Jpn.Pat.Appln.KOKAI公報No.2000-311868中所述的還原方法。然而，利用這種還原方法，晶片暴露于苛刻條件下。相應地，形成在晶片上的元件可能被破壞，導致產量下降。
U.S.P.No.6191416B1(權利要求和第四列，4-16行)介紹了一種產生自由原子或基團顆粒的設備。這種設備具有用于輸送氣體例如氫氣或鹵素氣體的管子以及沿著管子延伸并連接到電源的導線。電流輸送給導線，給它加熱。導線的輻射熱將管子中流動的氣體加熱到1500°K到2500°K，從而熱分解氣體，由此形成原子材料或基團。該氣體的原子材料或基團用于還原其他材料。這種設備與Jpn.Pat.Appln.KOKAI公報No.2000-311868中所述的設備相比是緊湊的并且便宜。然而，管子必須加熱到高溫。
“Characterization of Cu surface cleaning by hydrogen plasma”，M.R.Baklanov，D.G.Shamiryan，Zs.Tokei，G.P.Beyer，T.Conard，S.Vanhaelemeersch，和K.Maexj.Vac.Sci.Technol.B19(4)，2001年7月/8月(第1201頁的序言部分)報導了一種如下技術在真空下在150℃或更高的溫度下將這種氧化銅、氫氧化銅等熱分解成水等和氧化銅從而從金屬表面除去水等，并用氫等離子體還原和除去剩余的氧化銅。
根據在U.S.P.No.6191416B1中所述的技術，可以利用相對簡單的設備由氫氣產生氫基團和原子氫。然而，氫基團和原子氫的還原能力不清楚。
根據“Characterization of Cu surface cleaning by hydrogenplasma”，通過使用氫等離子體在150℃或更高的溫度下在真空中還原銅金屬表面上的氧化銅、氫氧化銅等。因此，必須利用與Jpn.Pat.Appln.KOKAI公報No.2000-311868相同的方式在真空氣氛下進行還原。

發明內容
本發明基于上述問題且解決了它們中的至少一個問題。根據本發明的一個方面，提供一種探測方法、探針和電極還原/等離子體刻蝕處理機構，能利用盡可能低的針壓使探針與電極電接觸。
根據本發明的另一方面，可以在相對低的加熱溫度下在大氣壓下還原目標物體的金屬層表面或電極層表面上的氧化物等。
根據本發明的另一方面，可以提供一種減少對目標物體的損傷的目標物體還原方法。
根據本發明的第一方面，提供一種使探針與具有電極的被測物體的至少一個電極電接觸從而測試被測物體的電氣特性的探測方法。該探測方法包括(a)對被測物體的電極進行還原處理和等離子體刻蝕處理中的至少一種處理；(b)在非氧化氣氛中使測試電極和探針彼此電接觸；和(c)測試被測物體的電氣特性。
這種探測方法優選包括以下設置a)至j)中的任何一項或這些設置的任何組合形式。
a)通過使含氫氣的氣體和通過用催化劑金屬激活含氫氣體而獲得的氣體中的一種氣體與被測物體的電極表面接觸來進行還原處理，通過含有等離子體化的氫氣的氣體進行等離子體刻蝕處理，和非氧化氣氛包括干燥氣氛。
b)催化劑金屬是鉑族金屬和鉑族金屬合金中的至少一種。
c)還原/等離子體刻蝕處理包括加熱被測物體。
d)該方法包括在被測物體的電極的還原處理之前，將被測物體放在惰性氣體氣氛中并加熱被測物體，其中還原處理是通過在大氣壓下使還原氣體與被測物體的電極接觸來進行的。
e)還原處理中的還原氣體是含有氫氣的常溫還原氣體和常溫形成氣體中的一種。
f)在被測物體的電極的還原處理之前將被測物體的溫度加熱到150-270℃范圍內。
g)催化劑包括鈀。
h)還原氣體是形成氣體。
i)電極含有銅和銅合金中的至少一種。
j)惰性氣體是氮氣。
根據本發明的第二方面，提供一種用于使探針與具有電極的被測物體的至少一個電極電接觸從而測試被測物體的電氣特性的探測器。該探測器包括還原/等離子體刻蝕處理機構，它對被測物體的電極進行使用還原氣體的還原處理和使用等離子體氣體的刻蝕處理中的至少一個處理；和移動被測物體和探針中的至少一個使被測物體的電極與探針彼此電接觸的機構。
探測器優選包括下列設置k)-x)中的任何一個或者這些設置的任何組合形式。
k)還原氣體是含有氫氣的氣體和形成氣體中的一種。
l)包括將被測物體放在惰性氣體氣氛中并加熱被測物體的機構，其中利用還原/等離子體刻蝕處理機構進行的還原處理是通過在大氣壓氣氛下使還原氣體與被測物體的電極接觸來進行的。
m)利用還原/等離子體刻蝕處理機構進行的還原處理中的還原氣體是常溫氫氣和常溫形成氣體中的一種。
n)加熱機構將被測物體加熱到150-270℃范圍內。
o)至少在已經被還原/等離子體刻蝕處理機構處理過的被測物體的電極周圍設置非氧化氣氛的機構。
p)設置非氧化氣氛的機構至少在電極周圍設置干燥氣氛。
q)探測器包括在其中測試被測物體的電氣特性的探測室，并且在該探測室中設置還原/等離子體刻蝕處理機構。
r)探測器包括裝載和卸載被測物體的裝載室，并且在裝載室中提供還原/等離子體刻蝕處理機構。
s)還原/等離子體刻蝕處理機構具有處理容器、設置在處理容器中并且其上放置被測物體的工作臺、工作臺的調溫機構、向由調溫機構加熱的被測物體的表面輸送還原氣體的機構以及輸送刻蝕氣體的機構中的至少一個。
t)用于向被測物體的表面輸送還原氣體的裝置包括含有氫氣的氣體的供給源、在其中從氣體供給源輸送氣體的氣體通道以及用于激活氣體通道中的氣體的裝置。
u)用于激活氣體通道中的氣體的裝置包括設置在氣體通道的內表面上的催化劑金屬。
v)催化劑金屬是鉑族金屬和鉑族金屬合金中的至少一種。
w)催化劑是鈀。
x)還原/等離子體刻蝕處理機構具有處理容器、設置在處理容器中并且其上放置被測物體的工作臺、向處理容器輸送還原氣體的機構、和由處理容器中的還原氣體來產生等離子體的機構。
根據本發明的第三方面，在用于測試被測物體的電氣特性的探測器中，提供一種還原/等離子體刻蝕處理機構，以便對被測物體的電極進行還原處理和等離子體刻蝕處理中的至少一種處理。還原/等離子體刻蝕處理機構包括供給含有氫氣的氣體的氣體源；在其中從氣體源供給含氫氣體的氣體通道；和設置在氣體通道中并使用含氫氣體進行激活處理和等離子體化處理中的至少一種處理的機構。
在還原/等離子體刻蝕處理機構中，優選地，氣體通道包括內壁表面，并且該內壁表面的表面包括催化劑金屬。


圖1A和1B是表示根據本發明一個實施例的探測器的剖面圖，其中圖1A表示具有在氣體供給容器15A中的加熱器15B的探測器，圖1B表示沒有此種加熱器的探測器；圖2A和2B是表示可以應用于根據本發明另一實施例的探測器的還原處理裝置的剖面圖；圖3A和3B是表示應用于根據本發明再一實施例的探測器的還原/等離子體刻蝕處理機構的剖面圖，其中圖3A表示具有加熱器15B的還原/等離子體刻蝕處理機構的剖面圖，圖3B表示沒有此種加熱器的還原/等離子體刻蝕處理機構的剖面圖；圖4表示應用于根據本發明另一實施例的探測器的還原/等離子體刻蝕處理機構的剖面圖；圖5是表示與對比例一起示出的在使用根據本發明一個實施例的探測方法進行銅晶片的還原處理時獲得的薄銅膜中的氧濃度的分布的曲線圖；圖6是表示銅晶片的溫度和在通過使用根據本發明一個實施例的探測方法進行銅晶片的還原處理時獲得的薄銅膜中的氧濃度的曲線圖；圖7A和7B是表示濕度對被還原銅晶片的氧化的影響的曲線圖，其中圖7A表示銅晶片的溫度和在將銅晶片留在干燥空氣中和大氣下預定時間內而獲得的薄銅膜中的氧濃度的分布的曲線圖，圖7B是表示干燥空氣中和大氣下的氧化速度的曲線圖；圖8A-8C表示根據本發明一個實施例的探測方法，并且是表示過驅動量和接觸電阻之間的關系的曲線圖；圖9A-9C表示非還原銅晶片的過驅動量和接觸電阻之間的關系，并且是與圖8A-8C對應的曲線圖；圖10A是表示用根據本發明一個實施例的探測方法測量的銅晶片的接觸電阻隨著時間的變化的曲線圖，圖10B是表示通過在大氣下測量還原銅晶片而獲得的銅晶片的接觸電阻隨著時間變化的曲線圖；圖11(a)-11(h)是表示根據本發明一個實施例的目標物體還原方法中的各個步驟的草圖；圖12A和12B是表示可以安裝在圖1的測試裝置等中的還原處理裝置的另一例子的示意圖，其中圖12A是其剖面圖，圖12B是其平面圖；圖13是表示氧濃度和距離薄銅膜層的表面的深度之間的關系的曲線圖，從而呈現本發明的示例6的試驗結果；圖14是表示氧濃度和距離薄銅膜層的表面的深度之間的關系的曲線圖，從而呈現本發明的示例7的試驗結果；和圖15是表示氧濃度和距離薄銅膜層的表面的深度之間的關系的曲線圖，從而呈現本發明的示例8的試驗結果。
發明詳述下面將參照圖1A-10B介紹本發明的實施例。根據本發明的實施例，通過使用例如氫氣或含有氫氣的還原氣體(作為氫氣和氮氣的氣體混合物的形成氣體)，還原或等離子體刻蝕處理形成在晶片電極表面上的氧化物膜，由此部分地或完全地除去氧化物膜(以下將其稱為“除去氧化物膜”)。
當除去電極上的氧化物膜時，可以利用低針壓使探針14A與電極電接觸。因而，電極將不會受到探針14A的損傷，并且可以延長探針14A的使用壽命。
下面將介紹根據本實施例的探測器。例如如圖1A所示，本實施例的探測器10可以具有傳送目標物體W(例如晶片)的裝載室(圖4中的56)、在其中測量形成在晶片W上的被測物體W′(以下稱為集成電路)的電氣特性的探測室11、以及控制設置在兩個腔室中的各種裝置的控制器51。
裝載室56可包括其中放置存儲有例如25個晶片W的盒子的工作臺部分、從盒子C逐個傳送晶片W的晶片傳送機構16A、以及在利用晶片傳送機構16A傳輸晶片W時在預定方向對準晶片的子卡盤(subchuck)。
探測室11可包括工作臺13、設置在工作臺13上的探測卡14、使探測卡14的探針14A與晶片W上的被測物體W′的電極P對準的對準機構(未示出)以及對晶片W上的被測物體W′的電極P進行還原處理和等離子體刻蝕處理中的至少一種處理的處理裝置15(以下稱為“還原/等離子體刻蝕處理機構”)。
可以利用三軸(X軸、Y軸和Z軸)移動機構12使工作臺13在三軸方向移動，并且可以利用轉動機構使工作臺13在θ方向上順時針和逆時針轉動。工作臺13還可以包括調節放在工作臺13上的被測物體W′的溫度的調溫機構35J。
探測卡14的探針14A與形成在晶片W上的集成電路的電極P接觸，從而使測試器T和電極P彼此連接。電極P可以由導電金屬構成，例如銅、銅合金或鋁。
還原/等離子體刻蝕處理機構15除去在工作臺13上的被測物體(W′)的電極表面上形成的氧化物膜。
探測卡14可以固定到探測室11的上部的頭板16上。具有測試器T的測試頭TH設置在頭板16上，從而使得測試頭TH可以電連接到探測卡14上。如圖1A所示，移動機構12可以具有在探測室11中的底表面上在Y方向移動(垂直于圖1A中的頁面表面的方向)的Y臺12A、在Y臺12A上在X方向移動的X臺12B、以及設置在X臺12B上的Z軸機構12C。移動機構12可以是采用線性電機的原理的機構。移動機構12在X、Y和Z方向移動工作臺13。工作臺13可以與調溫機構35J結合在一起，它在例如-55到400℃的范圍內調節放在工作臺13上的被測物體(W′)的溫度。可以通過θ-驅動機構(未示出)使工作臺13順時針和逆時針轉動。
還原/等離子體刻蝕處理機構(以下稱為還原處理機構)15對放在工作臺13上并被加熱的被測物體(W′)的電極表面上的氧化物膜在大氣壓或還原氣氛下進行還原處理和等離子體刻蝕處理中的至少一種處理。例如如圖1A所示，還原處理機構15可以具有設置在頭板16上并由耐熱材料如石英或陶瓷材料構成的氣體供給容器15A、設置在氣體供給容器15A中的加熱器15B、連接到氣體供給容器15A的入口的氣體供給管15C、連接到氣體供給管15C并供給形成氣體的氣體供給源15D以及控制來自氣體供給源15D的形成氣體的流速的質流控制器15H。還原處理機構15可以利用氣體供給容器15A中的加熱器15B加熱形成氣體。被加熱的形成氣體對在工作臺13上加熱的被測物體W′的電極P上的氧化物膜進行還原或等離子體刻蝕。
氣體供給容器15A可包括絕熱機構。絕熱機構防止氣體供給容器15A中的溫度下降。如圖1A所示，氣體供給容器15A的排氣口35K可以被設置成穿過頭板16在與探測卡14相鄰的位置上延伸并與工作臺13的上表面相對。探測室11具有排氣口11A。排氣口11A可以通過排氣管15E連接到排氣裝置52上。具有開口上端并圍繞工作臺13的平坦容器15F可以固定到移動機構12的上部。容器15F可以被形成為其具有的直徑大于工作臺13的直徑。容器15F可以用從氣體供給容器15A供給的形成氣體填充。可以利用形成氣體在容器15F的內部設置還原氣氛。氣體供給容器15A的排氣口35K可以設置在任何位置上，只要它在工作臺13的移動范圍內即可。
形成氣體可以是由氫氣和載體氣體(氮氣)構成的氣體混合物。探測室11中的形成氣體可以通過質流控制器15H來進行調節，從而使氫氣的含量落在非爆炸范圍(例如體積比為5％或更小，特別是大約3％)內。作為載體氣體，除了氮氣之外，例如，還可以使用惰性氣體如氬氣或氦氣。
探測室11的內表面可具有屏蔽部件15G。屏蔽部件15G可以使探測室11的內部保持在氣密狀態，從而使探測室的內部保持為預定還原壓力狀態。氧濃度計17可以設置在探測室11的內部和外部。氧濃度計17測量探測室11內部和外部的氧濃度。當氧濃度計17檢測到臨界值的氧濃度時，警告單元53如警報器可以產生警告。
探測器10可以包括用于輸送干燥空氣的裝置54。干燥空氣供給源54向探測室11中的工作臺輸送干燥空氣，從而可以在干燥氣氛下測試被測物體W′的電氣特性。利用干燥氣氛，可以防止已經被處理機構15除去氧化物膜的被測物體W′的這些電極表面再次被空氣中的水份氧化。當向探測室供給干燥空氣時，可以利用還原處理機構15的氣體供給管15C。
下面介紹使用探測器10的探測方法的實施例。在探測室11中，探針14A和被測物體W′的電極P對準。探測室11中的空氣通過排氣管15E被排空，并且將形成氣體從氣體供給源15D輸送到氣體供給容器15A內。氣體供給容器15A中的加熱器15B加熱形成氣體。被加熱的形成氣體通過氣體供給容器15A的排氣口35K輸送給工作臺13上的被測物體(W′)。
容器15F的內部用形成氣體填充，從而在容器15F中形成還原氣氛。形成氣體對已經被工作臺13的調溫機構(35J)加熱到例如200℃或以上的被測物體W′的電極P的氧化物膜進行還原處理，從而部分地或全部地除去電極表面上的氧化物膜。在還原處理之后的形成氣體從容器15F流到探測室11中，并且從探測室11經排氣管15E排放到外部。在這個操作期間，如果空氣沒有從探測室11被充分地排出和氧濃度高于預定預置值，則警告單元53產生警告信號。
在還原處理機構15除去電極P上的氧化物膜之后，向容器15F輸送干燥空氣(例如露點為-70℃)，從而在容器15F中設置干燥氣氛。在這個狀態下，移動機構12驅動來使探測卡14的探針14A和被測物體W′的電極P彼此接觸。此時，因為已除去電極P的氧化物膜，所以只需利用低于常規情況的針壓來使探針14A和電極P彼此接觸，從而使它們彼此電接觸。這樣，測試器T可以測試被測物體W′的電氣特性。
如上所述，本實施例包括通過使用還原氣體(例如形成氣體)在大氣壓下或還原壓力下還原電極P上的氧化物膜，并使電極P和探針14A在干燥氣氛下彼此電接觸。這樣，只須利用非常低的針壓(例如0.2mN或更低)使探針14A和電極P彼此接觸，從而使它們彼此電接觸。可以避免薄淀積層如電極P或它們的下層由于探針14A的低針壓而損傷。根據本實施例，形成氣體中的氫氣被加熱器15B激活。使用被激活氫氣的還原處理或等離子體刻蝕處理可以在短時間內除去電極P上的氧化物膜。此外，由于形成氣體和被測物體(W′)被加熱，因此可以促進還原反應/等離子體刻蝕處理。
在本實施例中，使用具有加熱器15B的還原處理機構15。或者，如圖1B所示，加熱器15B可以省略，并且只提供氣體供給源15D。在這種情況下，還原氣體(形成氣體)從氣體供給源15D輸送到探測室11中，從而還原工作臺13上的被加熱到預定溫度(例如，200℃或以上)的被測物體W′。
圖2A示出了還原處理機構的另一實施例。根據本實施例的探測器不同于上述實施例的地方只在于還原處理機構。如圖2A所示，本實施例中使用的還原處理機構25具有由鉑族元素(例如鈀)或其合金構成的鈀管(例如，其直徑為3-100mm)25A。鈀管25A是氣體通道。還原處理機構25可以具有包圍鈀管25A的管狀加熱器25B、用于容納加熱器25B的絕熱管25C以及具有雙壁結構和容納絕熱管25C的儲存管25D。還原處理機構25可以固定到頭板16上。
氣體供給源15D經氣體供給管25E連接到鈀管25A的上端。氣體供給源15D向鈀管25A輸送含有氫氣的氣體(例如形成氣體)同時用質流控制器15H控制氣體的流速。絕熱管25C和儲存管25D各具有底表面，并且底表面具有形成在其中心的出口。儲存管25D的底表面還具有雙結構，并且惰性氣體如氮氣被輸送到兩個壁之間的空間。從儲存管25D的出口輸送到探測室中的惰性氣體對探測室中的空氣進行凈化。鈀管25A具有激活氫氣的功能。鈀管25A可以是網型或海綿型。代替鈀管25A，可以在由耐腐蝕材料構成的管子中設置粒狀鈀催化劑或鈀線圈。
下面介紹還原處理機構25的操作。首先，從儲存管25D向探測室中輸送氮氣。氮氣凈化在探測室中的空氣。加熱器25B將鈀管25A加熱到氫氣的激活溫度(600℃或更低)或等離子體化氫氣的溫度。接著，從氣體供給源15D向鈀管25A中輸送形成氣體。形成氣體中的氫氣在其與鈀管25A接觸時被激活。向探測室中的晶片W輸送形成氣體。被激活的氫氣還原或等離子體刻蝕被加熱的晶片W上的電極P的氧化物膜。在還原或等離子體刻蝕由例如銅或銅合金構成的金屬材料時，優選使用還原處理機構25。
圖3A示出了在根據本發明再一實施例的探測器中使用的還原處理機構15。根據本實施例的探測器可以按照與上述實施例相同的方式形成，除了還原處理機構15之外。本實施例中使用的并進行還原處理和等離子體刻蝕處理中的至少一種處理的還原處理機構15形成在裝載室56中，如圖3A所示。在測試形成在晶片W上的被測物體W′之前，還原處理機構15還原形成在裝載室56中的晶片W上的被測物體W′的電極P的氧化膜。還原處理機構15可以包括處理容器35A、加熱和冷卻處理容器35A中的晶片W的調溫機構35J、工作臺13、接收工作臺13上的晶片W的多個升降柱35C、設置在處理容器35A上方并具有加熱器15B的氣體供給容器15A、連接到氣體供給容器15A的氣體供給管15C、氣體供給源15D、和連接到氣體供給容器15A的排氣管15E。從氣體供給源15D經過氣體供給管15C引入的形成氣體在氣體供給容器15A中被加熱。將被加熱的形成氣體引入到處理容器35A中，從而還原被測物體W′的電極P的氧化膜。晶片傳送機構16A設置在裝載室56中。晶片傳送機構16A在盒子C和處理容器35A之間傳送晶片W。優選地，按照與探測室中相同的方式向裝載室56中輸送干燥空氣，從而將裝載室56內部調節為干燥氣氛。參考標記G表示用于打開/關閉處理容器35A的打開/關閉門。
下面介紹還原處理機構15的操作。在裝載室56中，晶片傳送機構16A從盒子C提取晶片W，將晶片W經打開的打開/關閉門G傳送到處理容器35A中，并將晶片W從工作臺13放到已經向上移動的升降柱35C上。升降柱35C向下移動，從而將晶片W放在工作臺13上。工作臺13的加熱器15B將晶片W加熱到預定溫度。同時，從氣體供給源15D向氣體供給容器15A輸送形成氣體。形成氣體在氣體供給容器15A中被調溫機構35J加熱(例如加熱到基本上與晶片W相同的溫度)。被加熱的形成氣體流進處理容器35A，從而還原或等離子體刻蝕晶片W上的被測物體W′的電極P。還原或等離子體刻蝕氧化物膜之后，晶片傳送機構16A從處理容器35A提取晶片W并將其傳送到探測室11中。在探測室11中測試形成在被傳送晶片W上的被測物體W′的電氣特性。
圖3B不同于圖3A所示的設備的地方在于它不包括加熱器15B。圖3B所示的還原處理機構15從氣體供給源15D向處理容器35A輸送還原氣體(例如形成氣體)。還原氣體部分地或完全地還原設置在處理容器35A中的工作臺13上的被加熱的被測物體W′的電極P的氧化物膜。
圖4示出了在根據本發明另一實施例的探測器中使用的還原處理機構15。根據本實施例的探測器可以按照與上述實施例相同的方式形成，除了還原處理機構15之外。如圖4所示，本例中使用的還原處理機構15可包括裝載室56、經門G連接到裝載室56從而使處理容器35可以與裝載室56連通和隔離的處理容器35、設置在處理容器35中并用作下電極的工作臺13、與工作臺13平行地設置在工作臺13上方并具有大量氣體供給孔的上電極45C、用于向處理容器35中輸送形成氣體的氣體供給源15D、和用于排出處理容器35中的氣體的排氣裝置52。可以在裝載室56中設置干燥氣氛。
例如如圖4所示，工作臺13可以包括連接到11.56MHz高頻電源45E上的下電極45F、具有加熱器的加熱部分45G、設置在加熱部分45G下面并具有制冷通道的冷卻部分45H、以及用于垂直移動工作臺表面上的晶片W的升降柱(圖3A中的35C)。當高頻電源45E在預定還原壓力下給下電極45F施加高頻功率時，在下電極45F和上電極45C之間產生形成氣體等離子體。加熱部分45G和冷卻部分45H調節工作臺13上的晶片W的溫度。例如，如圖4所示，氣體供給源15D可包括用于供給氫氣的氫氣供給源45I、用于供給氮氣的氮氣供給源45J、以及用于調節氫氣和氮氣的流速的質流控制器15H。質流控制器15H將氫氣調節到預定濃度并將其輸送給處理容器35。來自處理容器35的處理氣體經排氣管15E排出。
下面介紹還原處理機構15的操作。在裝載室56中，從盒子取出晶片W。在測試形成在晶片W上的被測物體W′的電氣特性之前，晶片傳送機構將晶片W從裝載室56傳送到處理容器35中的工作臺13上。門閥G被關閉以便隔離處理容器35的內部與外部空氣。然后，排氣裝置52排出處理容器35內的空氣。用氮氣凈化處理容器35中的空氣。以預定流速將由氫氣和氮氣構成的形成氣體從氣體供給源15D輸送給處理容器35中，以凈化空氣。處理容器35的內部保持在一個能實現等離子體化的壓力。將高頻功率施加于下電極45F，并且在下電極45F和上電極45C之間產生形成氣體。該等離子體刻蝕了晶片W上的被測物體W′的銅電極P的氧化物膜。在冷卻部分45H快速冷卻晶片W從而將其溫度降低到常溫之后，停止形成氣體的輸送和排氣。門閥G打開，并同時使晶片傳送機構進入處理容器35中。晶片傳送機構將晶片W從處理容器35卸載到裝載室56中。門閥G關閉。晶片W經裝載室56傳送到被調節到干燥氣氛下的探測室中。之后，利用與上述實施例相同的方式，在探測室中測試晶片W上的被測物體W′的電氣特性。
在這些示例中，通過試驗具體觀測銅的氧化和還原性能及濕度對氧化所產生的影響。而且，具體實施本發明的探測方法以便檢測還原效果。
示例1在本示例中，觀測形成氣體的還原性能。在形成氣體氣氛中還原用于參考的銅晶片(薄銅膜＝1μm，TiN底層＝15nm)(以下只稱為“參考晶片”)的氧化物膜。觀測薄銅膜中的氧濃度分布。更具體地說，將參考晶片放在工作臺上。參考晶片在設置在150℃的溫度的工作臺上被加熱。在這個狀態下，輸送形成氣體(氫氣濃度＝3體積％)，以便將參考晶片暴露于形成氣體氣氛中。之后，用X射線光電子分光鏡(XPS)觀測薄銅膜中的氧濃度分布。利用相同方式，在加熱參考晶片的同時，只輸送氮氣，以便將參考晶片暴露于氮氣氣氛中。之后，用XPS觀察薄銅膜中的氧濃度分布。圖5示出了其觀測結果。根據圖5所示的結果，當輸送形成氣體時，在距離薄銅膜的表面的深度達到10nm之前，氧濃度為0at％。這表明氧化物膜遠遠比參考晶片中的薄，并相應地通過形成氣體對其進行可靠地還原。與此相反，在通過輸送氮氣而獲得的非氧化氣氛中，氧濃度比參考晶片中的更高。
示例2根據本示例，觀測在通過使用形成氣體還原參考晶片的氧化物膜時工作臺的溫度的影響。更具體地說，如圖6所示，工作臺的溫度在250℃、300℃、325℃和350℃之間變化，并且用XPS觀察在每個溫度時薄銅膜中的氧濃度分布。圖6示出了其觀察結果。根據圖6所示的結果，工作臺的溫度越高，就越能促進還原反應。
示例3在本示例中，觀測濕度對氧化過程的影響。更具體地說，將晶片在干燥空氣(露點-70℃)、大氣(溫度＝25℃，濕度＝50％)和氮氣中放置一段時間，如圖7A所示。觀測在各個氣氛中進行的銅晶片(薄銅膜＝1μm，TiN底層＝15nm)的氧化。圖7A示出了該觀測結果。獲得干燥空氣和大氣中的氧化速度。圖7B示出了所述獲得的結果。圖7A中的標記◆表示在剛剛制造銅晶片之后薄銅膜中的氧濃度分布。根據圖7A和7B所示的結果，在高濕度氣氛中的放置時間越長，就越能促進薄銅膜的氧化，并且將要還原的氧化物膜的厚度越大。與此相反，在干燥空氣中，即使在放置時間很長時，與剛剛制造之后的銅晶片相比也不會進行太多的氧化反應。因此，即使還原之后，如果不是在濕度氣氛中而是在干燥空氣中進行測試，可以采用低針壓進行測試。
示例4在本示例中，觀測在干燥氣氛中探針的針壓和銅晶片的氧化物膜的接觸電阻之間的關系。通過使用氫氣利用以下條件來還原銅晶片，并在氮氣氣氛中保持20分鐘。然后，將被還原的銅晶片放在工作臺上。在干燥空氣(露點-70℃)中將工作臺過驅動到三個值，即0μm、10μm、和30μm。在每個過驅動點上，測量銅晶片和探針之間的接觸電阻。圖8A-8C表示在過驅動量(針壓)和接觸電阻之間的關系。為了便于比較，通過使用非還原銅晶片，利用相同方式在干燥空氣(露點-70℃)中測量探針的針壓和接觸電阻。測量結果示于圖9A-9C中。當過驅動(OD)量滿足OD＝0μm、OD＝10μm和OD＝30μm時，針壓分別為0mN、15mN和50mN。當探測卡的15個探針都與銅晶片的中心接觸時并且電阻值為5Ω或更小時，確定OD＝0μm。而且，Z方向上的變化量為10μm或更小。
處理室中的壓力133.332Pa工作臺的溫度400℃工作臺的溫度升高時間5分鐘利用氫氣進行的還原處理時間15分鐘氫氣的流速500sccm晶片的冷卻時間15分鐘根據圖8A-8C所示的結果，當過驅動量為0μm(即，當只有銅晶片和探針彼此接觸時)時，接觸電阻值有時超過1.0Ω，如圖8A所示。然而，隨著增加測量次數，接觸電阻減小。當過驅動量為10μm時，接觸電阻從開始測量值變為0.2Ω或更小，并且大大提高了薄銅膜和探針之間的電連接。當過驅動量進一步增加到30μm時，接觸電阻值與在10μm時獲得的值相比基本上沒有變化。因此，可以利用10μm的過驅動量，即利用15mN的低針壓對晶片進行可靠地測試。
與此相反，利用非還原銅晶片，如從圖9A-9C所示結果明顯看出的，即使將銅晶片放在干燥空氣中，除非使用30μm的過驅動量即利用50mN的高針壓之外，不能測試晶片。
示例5在本示例中，觀測濕度對還原銅晶片和探針之間的接觸電阻的影響。以300L/min的流速輸送干燥空氣(露點＝-70℃)。在干燥氣氛中，將銅晶片過驅動到10μm使其與探針接觸。測量銅晶片的整個表面的接觸電阻。測量結果示于圖10A中。而且，在大氣中(溫度＝25℃，濕度＝50.1％)，將還原銅晶片過驅動到10μm使其與探針接觸。測量銅晶片的整個表面的接觸電阻。測量結果示于圖10B中。
根據圖10A和10B所示的結果，在干燥氣氛中，銅晶片的整個表面上的電阻值穩定地處于1Ω或更小。在該氣氛中，越接近于測量時間的中間時間，接觸電阻值越高。在本實例中，對于探測卡，使用在它被過驅動10μm時產生0.2mN負載的14針探測卡。
從上述說明看出，在進行還原處理之后，在干燥空氣中，即使將晶片放置4小時或更長時間，也可以利用大約0.2mN的低針壓可靠地進行測試。在工作臺上的銅晶片中，中心部分比周邊部分低。這樣，在該氣氛中進行測試時，即使過驅動量保持相同，晶片中部的針壓也低于周邊部分的針壓。由此，接觸電阻值增加。
下面參照圖2B、11和12介紹使用圖3B所示的還原處理機構15的本發明的探測方法的另一實施例。圖11是從表示圖3B所示的處理容器35A中的處理的方面考慮而只示出了圖3B的處理容器35A。如圖11(a)所示，傳送機構將晶片W經打開/關閉門G從裝載室56傳送到處理容器35A中的工作臺的升降柱35C上。工作臺13的升降柱向下移動，以將晶片W放在工作臺13上。工作臺可以利用真空吸盤機構固定晶片W。打開/關閉門G關閉(參見圖11(b))。接著，將惰性氣體(例如，以1-2L/min的流速輸送惰性氣體)輸送到處理容器35A中。處理容器35A中的空氣被氮氣替換，并在處理容器35A中形成惰性氣體氣氛。
如圖11(c)所示，在惰性氣體氣氛中，從氣體供給管15C向處理容器35A中的工作臺13上的晶片W輸送還原氣體(例如，以1-2L/min的流速輸送常溫形成氣體)。
作為氣體供給管15C，可以使用由鉑族金屬(例如鈀)構成的管道15C(例如直徑為3-100mm)或含有鈀箔的管道15C，例如如圖2B所示。
如圖11(d)所示，調溫機構35J加熱工作臺13，以便在短時間(例如5分鐘)內將工作臺13上的晶片W快速地加熱到比如150-270℃。在這個溫度下，如圖11(e)所示，形成氣體在短時間(例如5-20分鐘)內還原由銅、銅合金等構成的晶片W上的電極P。還原處理之后，如圖11(f)所示，連續輸送形成氣體，調溫機構35J在短時間內(例如5分鐘)將晶片W快速地冷卻到常溫。如圖11(g)所示，在停止輸送形成氣體之后，從氣體供給管15C向處理容器35A中輸送氮氣。處理容器35A中的空氣被氮氣凈化，并在處理容器35A中形成惰性氣體氣氛。打開/關閉門G被打開，并且傳送機構將被還原的晶片W從處理容器35A經裝載室56輸送到探測室11(圖1A)中。在探測室中，測試形成在晶片W上的被測物體W′的電氣特性。
即使在調溫機構35J沒有冷卻裝置時，也可以加熱工作臺13，可以關閉打開/關閉門G，用形成氣體凈化處理容器35A中的空氣，并且之后利用夾緊方式將晶片W固定到工作臺13上并通過加熱進行還原處理。
與調溫機構35J獨立，例如，可以提供圖12A和12B中所示的冷卻裝置35M′。如圖12A和12B所示，冷卻裝置35M′具有可以為了放大或減小而移動的一對冷卻板22C。下面介紹使用這種冷卻裝置的情況。如上所述，晶片W在處理容器35A中的工作臺13上被加熱，并還原。在向處理容器35A輸送形成氣體的同時，升降柱35C將晶片W從工作臺13抬高。在這種狀態下，冷卻板22C進入晶片W和工作臺13之間，以便夾住升降柱35C。升降柱35C將晶片W放在冷卻板22C上，或者將其放置成與冷卻板22C稍微分開一些。用冷卻板22C冷卻晶片W。冷卻之后，這對冷卻板22C從工作臺13收回。傳送機構16A將由升降柱35C支撐的晶片W輸送到探測室11。或者，可以不使用冷卻板22C，在向處理容器35A輸送形成氣體和升降柱35C將晶片W從工作臺13提起的同時，可以冷卻晶片W。而且，可以再提升晶片W之后輸送形成氣體。
下面參照圖13-15介紹用常溫形成氣體進行銅晶片(薄銅膜＝1μm，TiN下層＝15nm)的氧化物膜的還原處理的情況和加熱銅晶片并用形成氣體進行還原的情況。利用與上述實施例相同的方式進行還原處理之前和之后的步驟。
示例6在示例6中，觀測室溫氫氣的還原性和被加熱(被激活)氫氣的還原性。將處理容器35A中設置氮氣氣氛之后，在形成氣體氣氛中還原銅晶片上的氧化物膜。觀測被還原薄銅膜層中的氧原子濃度分布(下面只將其稱為“氧濃度分布”)。更具體地說，將銅晶片放在被設置在350℃的溫度下的工作臺13上，并將該銅晶片加熱到270℃。在加熱狀態下，向銅晶片輸送室溫形成氣體(氫氣濃度＝3體積％，流速＝1L/min-2L/min)，并對其進行20分鐘的還原。之后，用X射線光電子分光鏡(XPS)觀測薄銅膜層中的氧濃度分布。觀測結果在圖13中通過繪制標記■而示出。利用相同方式，向被加熱到335℃的銅晶片輸送被加熱到550℃的形成氣體(氫氣被激活)，并對其進行20分鐘的還原。然后，利用XPS觀測薄銅膜層中的氧濃度分布。觀測結果在圖13中通過繪制標記▲來表示。在圖13中通過繪制標記◆示出了還原處理之前的銅晶片中的氧濃度分布。
根據圖13所示的結果，當輸送室溫形成氣體時，在距離銅薄膜層的表面的深度達到20nm之前氧濃度變為0at％，如圖13中標記■所示的。當輸送被加熱的形成氣體時，在距離薄銅膜層的表面為20nm的深度時呈現7at％到8at％的氧濃度，如圖13中的標記▲所示。當使用被加熱的形成氣體時，氫氣的還原性比使用室溫形成氣體的情況的還原性低。因而，室溫下的形成氣體例如室溫氫氣具有比被加熱氫氣更高的還原能力。這個結果表明當使用室溫氫氣時，氫氣被銅晶片的表面吸收，并且被晶片的溫度激活。被激活的氫氣還原氧化銅。在薄銅膜層的表面和內部之間形成氧濃度梯度。因而，促進從內部向表面的氧原子擴散。同時，在薄銅膜層的表面和內部之間形成溫度差，其中薄銅膜層的溫度已經被室溫氫氣降低了。這個溫度梯度使薄銅膜層中的氧原子向表面擴散。被估計的是，擴散的氧原子被氫氣還原。與此相反，當使用加熱氫氣時，銅晶片的薄銅膜層中的溫度高于薄銅膜層的表面溫度。被估計的是，延遲了薄銅膜層中的氧原子擴散，因而延遲了利用氫氣進行的還原反應。換言之，被估計的是，薄銅膜層中的氧原子擴散控制了還原反應的速度。
示例7在示例7中，將銅晶片放在氮氣氣氛中，并在給銅晶片輸送室溫氫氣的情況和不給其輸送這種氫氣的情況下觀測銅晶片的氧化物膜層中的氧濃度分布。利用與實例6相同的方式，將銅晶片放在被加熱到350℃的工作臺13上。以1-2L/min流速向被加熱到270℃的銅晶片輸送室溫形成氣體，對銅晶片進行還原20分鐘。用X射線光電子分光鏡(XPS)觀測薄銅膜層中的氧濃度分布。結果是，獲得圖14中用標記●表示的氧濃度分布。在氮氣氣氛中在335℃下加熱銅晶片20分鐘之后，用XPS觀察薄銅膜層中的氧濃度分布。結果是，獲得在圖14中用標記■表示的氧濃度分布。還原處理之前的銅晶片的氧濃度分布在圖14中通過繪制標記◆而示出。
根據圖14中所示的結果，獲得了與示例6相同的結果，即，當在與示例6相同的條件下輸送室溫形成氣體時，促進了薄銅膜層中的還原，如圖14中的標記●所示。與此相反，當在氮氣氣氛中熱處理銅晶片時，由作為雜質含在氮氣中的氧進行氧化反應，如圖14中的標記■所示，并且氧濃度變得高于由圖14中標記◆所示的未處理銅晶片中的氧濃度。
示例8在示例8中，觀測銅晶片的溫度對還原反應的影響。在示例8中，在將銅晶片的溫度升高到高于示例7的情況的同時進行還原和熱處理。更具體地說，當還原銅晶片時，除了銅晶片的溫度升高到340℃之外，利用與示例6和7相同的條件進行薄銅膜層的還原處理。結果是，獲得了在圖15中通過標記●表示的氧濃度分布。除了銅晶片的溫度升高到400℃之外，利用與示例7相同的條件進行薄銅膜層的熱處理。結果是，獲得了由圖15中的標記■表示的氧濃度分布。還原處理之前的銅晶片的氧濃度分布在圖15中通過繪制標記◆來表示。
根據圖15所示的結果，當利用室溫形成氣體進行還原處理時，獲得與示例6和7相同的結果，如圖15中的標記●所示。相應地，當用室溫氫氣還原銅晶片時，銅晶片的溫度可以增加到至多270℃，如圖15中的標記●所示。與此相反，在氮氣氣氛中熱處理銅晶片時，銅晶片的溫度越高，氧化反應進行得越多，氧化銅的厚度越大，如圖15中的標記■所示。
在上述例子中，省略了在270℃或更低溫度下進行還原反應的說明。當銅晶片的溫度在150-270℃范圍內時，獲得與上述實施例相似的還原結果。即使將晶片W加熱到高于這個溫度范圍的上限時，還原能力也沒有提高。
如上所述，根據本實施例，當在大氣壓下還原銅晶片上形成的薄銅膜層的氧化物膜時，預先形成氮氣氣氛。將銅晶片加熱到150-270℃，并且室溫形成氣體被吹到加熱銅晶片的表面上。因此，即使在大氣壓下，也可以在相對低的加熱溫度下還原銅晶片的薄銅膜層的表面上的氧化銅。此外，可以防止對銅晶片的損傷。
根據本實施例，在通過使探針與晶片的電極接觸而測試晶片的電氣特性之前，其中電極由銅或銅合金構成，在大氣壓下還原電極的氧化物膜。在這個還原處理中，預先在裝載室56的處理容器15a中形成氮氣氣氛，然后，將晶片加熱到150-270℃的范圍。將室溫形成氣體吹到被加熱晶片的表面上，從而甚至可以在大氣壓下、在相對低的加熱溫度下還原晶片的電極表面上的氧化銅。在測試晶片的電氣特性時，只須利用低針壓(例如0.2mN或以下)來使探針和電極彼此接觸，從而使它們彼此電接觸。與現有技術相比，可以大大抑制探針和電極之間的針壓。可以防止對電極等的損傷。
因此，即使在淀積層如電極或它們的下層變薄時，淀積層也將不會受到來自探針的針壓的損傷，并可以穩定地、高度可靠地進行測試。
根據本發明的實施例，可以提供一種目標物體還原方法，可以在大氣壓下和利用相對低的加熱溫度還原金屬層表面上或目標物體的電極層表面上的氧化物等，從而可以減少對目標物體的損傷。
本發明根本不限于上述實施例。例如，除了在各個實施例中所示的設置之外，晶片還原處理裝置還可以采用各種類型的實施例。含氫氣體不限于形成氣體(除了必要時)，可以適當地選擇和使用載體氣體。當進行晶片還原處理時，盒子中的晶片同時被還原。在上述實施例中，作為被測物體W′，使用形成在晶片W上的集成電路。但是，本發明也可以適用于除晶片以外的封裝物品。
根據本發明的實施例，可以提供一種探測方法、探測器、和電極還原/等離子體刻蝕機構，即使在淀積層如測試電極變得很薄時，也可以利用盡可能低的針壓使探針與測試電極電接觸，同時不會損傷淀積層，并且可以將探針和測試電極彼此可靠地電連接，從而高度可靠地進行測試。
權利要求
1.一種探測方法，使探針與具有電極的被測物體的至少一個電極電接觸，從而測試該被測物體的電氣特性，該方法包括(a)對該被測物體的所述電極進行還原處理和等離子體刻蝕處理中的至少一種處理；(b)在非氧化氣氛中使該測試電極和該探針彼此接觸；和(c)測試該被測物體的電氣特性。
2.根據權利要求1的探測方法，其中所述還原處理是通過使含氫氣的氣體和通過用催化劑金屬激活含氫氣體而獲得的氣體中的一種氣體與所述被測物體的電極表面接觸來進行的，所述等離子體刻蝕處理是通過含有等離子體化氫氣的氣體來進行的，和所述非氧化氣氛包括干燥氣氛。
3.根據權利要求2的探測方法，其中所述催化劑金屬是鉑族金屬和鉑族金屬合金中的至少一種。
4.根據權利要求2的探測方法，其中所述還原/等離子體刻蝕處理包括加熱所述被測物體。
5.根據權利要求1的探測方法，還包括在所述被測物體的電極的還原處理之前，將所述被測物體放置在惰性氣體氣氛中并加熱所述被測物體，和其中所述還原處理是通過在大氣壓下使還原氣體與所述被測物體的電極接觸來進行的。
6.根據權利要求1的探測方法，其中所述還原處理中的所述還原氣體是含有氫氣的常溫還原氣體和常溫形成氣體中的一種。
7.根據權利要求6的探測方法，其中在所述被測物體的電極的還原處理之前，將所述被測物體的溫度加熱到150-270℃范圍內。
8.一種用于使探針與具有電極的被測物體的至少一個電極電接觸從而測試該被測物體的電氣特性的探測器，該探測器包括還原/等離子體刻蝕處理機構，用于對該被測物體的電極進行使用還原氣體的還原處理和使用等離子體氣體的刻蝕處理中的至少一個處理；和移動機構，用于移動該被測物體和該探針中的至少一個使得該被測物體的電極與該探針彼此電接觸。
9.根據權利要求8的探測器，其中所述還原氣體是含有氫氣的氣體和形成氣體中的一種。
10.根據權利要求8的探測器，還包括將所述被測物體放置在惰性氣體氣氛中并加熱所述被測物體的機構，其中利用所述還原/等離子體刻蝕處理機構進行的所述還原處理是通過在大氣壓下使所述還原氣體與所述被測物體的電極接觸來進行的。
11.根據權利要求10的探測器，其中利用所述還原/等離子體刻蝕處理機構進行的所述還原處理中的還原氣體是常溫氫氣和常溫形成氣體中的一種。
12.根據權利要求10的探測器，其中所述加熱機構將所述被測物體加熱到150-270℃的范圍內。
13.根據權利要求8的探測器，還包括至少在已經被所述還原/等離子體刻蝕處理機構處理過的所述被測物體的電極周圍設置非氧化氣氛的機構。
14.根據權利要求13的探測器，其中設置所述非氧化氣氛的機構至少在所述電極周圍設置干燥氣氛。
15.根據權利要求8的探測器，其中所述探測器包括在其中測試所述被測物體的電氣特性的探測室，和所述還原/等離子體刻蝕處理機構設置在該探測室中。
16.根據權利要求8的探測器，其中所述探測器包括裝載和卸載所述被測物體的裝載室，和所述還原/等離子體刻蝕處理機構設置在該裝載室中。
17.根據權利要求8的探測器，其中所述還原/等離子體刻蝕處理機構具有處理容器、設置在該處理容器中并且其上放置所述被測物體的工作臺、該工作臺的調溫機構、向被所述調溫機構加熱的所述被測物體的表面輸送還原氣體的機構以及輸送刻蝕氣體的機構中的至少一個。
18.根據權利要求17的探測器，其中用于向所述被測物體的表面輸送還原氣體的裝置包括含有氫氣的氣體的供給源、在其中從所述氣體供給源輸送氣體的氣體通道以及用于激活該氣體通道中的氣體的裝置。
19.根據權利要求18的探測器，其中用于激活所述氣體通道中的氣體的裝置包括設置在該氣體通道的內表面上的催化劑金屬。
20.根據權利要求19的探測器，其中所述催化劑金屬是鉑族金屬和鉑族金屬合金中的至少一種。
21.一種在用于測試被測物體的電氣特性的探測器中對該被測物體的電極進行還原處理和等離子體刻蝕處理的至少一種處理的還原/等離子體刻蝕處理機構，該還原/等離子體刻蝕處理機構包括供給含有氫氣的氣體的氣體源；在其中從該氣體源供給含氫氣體的氣體通道；和設置在該氣體通道中并使用含氫氣體進行激活處理和等離子體化處理中的至少一種處理的處理機構。
22.根據權利要求21的還原/等離子體刻蝕處理機構，其中所述氣體通道包括內壁表面，并且該內壁表面的表面包括催化劑金屬。
全文摘要
本發明的探測方法包括使用形成氣體對晶片(W)的電極(P)進行還原的步驟以及使電極(P)和探針(14A)在干燥氣氛中彼此接觸的步驟。該探測方法還包括，在被測物體(W′)的電極(P)的還原處理之前，將被測物體(W′)放置在惰性氣體氣氛中并加熱被測物體(W′)。還原處理是在大氣壓下通過使還原氣體與被測物體(W′)的電極(P)接觸來進行的。
文檔編號H01L21/66GK1695238SQ03824859
公開日2005年11月9日 申請日期2003年9月1日 優先權日2002年9月2日
發明者奧村勝彌, 小松茂和, 阿部祐一, 古屋邦浩, 樊尚·維津, 久保謙一 申請人:株式會社奧科泰克, 東京毅力科創株式會社