專利名稱：珠形噪聲濾波器的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及珠形(bead type)噪聲濾波器，用于安裝在電路板上的信號線和電源線，以抑制不希望有的輻射噪聲。
背景技術(shù)：
隨著電子器件的尺寸減小和性能提高，從信號線和電源線(以下通稱“信號線”)輻射的高頻噪聲變成了主要問題。將信號線穿過螺旋管形或圓柱形的叫做“珠芯(bead core)”的閉合路徑磁芯可以最簡單地抑制這些噪聲中的大部分。實際上，通常信號線插入磁芯在磁芯上繞一匝(插入一匝)，某些情況下，磁芯可以設(shè)置經(jīng)常插入通孔，信號線穿過這些通孔在磁芯上纏繞多匝。
以下將參見圖1說明影響上述噪聲抑制方法的珠形噪聲濾波器。圖1顯示出具有高電阻率的軟磁材料形成的閉合路徑磁芯(珠芯)1。磁芯1是圓柱形，具有沿著其中心軸的通孔1a，它附在信號線2上從而信號線2穿過通孔1a，由此起到珠形噪聲濾波器的功能?；蛘?，磁芯1可以設(shè)置多個通孔1a。(參見圖2)。
為了抑制幾十到幾百MHz的不希望有的輻射噪聲，通常用電阻率為102到105Ωm的Ni-Zn鐵氧體形成磁芯1，以便在這樣的高頻頻段恰當?shù)毓ぷ?。而且，要求磁?具有高電阻率，這樣即使當插入通孔1a的信號線2沒有絕緣涂層因此可能與通孔直接接觸的時候也不會產(chǎn)生麻煩，這也是用Ni-Zn形成磁芯1的另一個原因。用含有價格昂貴的Ni材料的Ni-Zn鐵氧體形成磁芯1會提高珠形噪聲濾波器的制造成本，即使其結(jié)構(gòu)很簡單。
另一方面，常規(guī)的Mn-Zn鐵氧體是價格便宜的軟鐵氧體，但電阻率低到10-1-100Ωm。渦流損耗在低于要求抑制噪聲的信號頻段的頻段內(nèi)急劇增大，因此，用Mn-Zn鐵氧體構(gòu)成的磁芯1不能用于高頻頻段。而且，用Mn-Zn鐵氧體構(gòu)成的磁芯1的另一個問題是，當信號線穿過通孔1a時，沒有絕緣涂層的信號線2絕對不能與磁芯1的通孔1a直接接觸。
Mg-Zn鐵氧體是另一種價格便宜的軟鐵氧體材料。但是，Mg-Zn鐵氧體與其他鐵氧體材料比較，Mg-Zn鐵氧體的軟磁性能差，例如，初始磁導(dǎo)率和飽和磁通量密度等軟磁性能比其它鐵氧體材料差，所以，用Mg-Zn鐵氧體構(gòu)成磁芯1時，要想達到與珠形噪聲濾波器同等的性能，用Mg-Zn鐵氧體構(gòu)成的磁芯1就必須增大尺寸。特別地，當用于抑制信號線2(尤其是電源線)中的噪聲時(其中在信號線2中波動電涌和電涌噪聲成為問題)，必須進一步增大磁芯1的尺寸以防止磁飽和。所以，Mg-Zn鐵氧體不能用于珠形噪聲濾波器。
參見圖3，圖3中顯示的珠形噪聲濾波器的等效電路圖，是由電感元件L和電阻元件R構(gòu)成的串聯(lián)電路與電容元件C構(gòu)成的并聯(lián)電路。以下將電感元件L、電阻元件R、和電容元件C簡化成L元件、R元件、和C元件。
圖3中，要發(fā)送的信號的頻段(信號頻段)中，存在關(guān)系式L＞＞R，式中L是L元件的值，R是R元件的值，每一個元件值表示成阻抗值|Z|。因此，在珠形噪聲濾波器中R和L元件的串聯(lián)電路具有電感功能(幾乎只有L元件)，所以，要發(fā)送的信號不會出現(xiàn)由R元件引起的損耗。因此，珠形噪聲濾波器和信號線上的C元件構(gòu)成電路中的低通濾波器，但是，由于L元件值小，以及由于截止頻率高于要發(fā)送的信號頻段，所以，信號的發(fā)送損耗可以忽略不計。
在高于要發(fā)送的信號頻段的頻段內(nèi)，有關(guān)系式L＜＜R，所以，R和L元件的串聯(lián)電路具有電阻功能(幾乎只有 R元件)，有發(fā)熱的吸收噪聲，這特別有助于有效抑制不希望有的輻射噪聲。
珠形噪聲濾波器的阻抗值|Z|分成電抗X分量(以下為了好用，簡稱為X分量)和電阻R分量，用下式表示|Z|=(X2+R2)]]>式(1)
珠形噪聲濾波器的磁芯上加AC磁場時，它的復(fù)數(shù)磁導(dǎo)率μ用下式表示μ=(μ′2+μ''2)]]>式(2)式中μ′是實數(shù)部分。珠形噪聲濾波器的X分量由實數(shù)部分μ′產(chǎn)生，而珠形噪聲濾波器的R分量由虛數(shù)部分μ”產(chǎn)生。
因此，X分量在要發(fā)送的信號頻段起主導(dǎo)作用，也就是說，珠形噪聲濾波器與信號線上的C元件結(jié)合，起一個低通濾波器的作用，阻止疊加到信號上的噪聲分量通過。但是，被阻止的和防止通過的噪聲分量有可能影響其他的電路。另一方面，在產(chǎn)生輻射噪聲的高頻頻段，R分量是主導(dǎo)部分，并將包括輻射噪聲的噪聲分量轉(zhuǎn)換成熱能，以構(gòu)成一個噪聲消除因子。與被低通濾波器阻塞相比，被轉(zhuǎn)換成熱能可以更安全、更可靠的消除噪聲。
在X分量和R分量具有相等的值的頻率，也就是說，X-R交叉點的頻率，是反射噪聲的X分量與將噪聲轉(zhuǎn)換成熱能的R分量之間的變化的臨界頻率。一般地，R分量把噪聲轉(zhuǎn)換成熱能越多，可以更好地消除噪聲，所以，如果阻抗特性相等，X-R交叉點的頻率越低越好。
如果在高頻頻段的X分量大而R分量小，那么在信號線上的電容元件C會產(chǎn)生具有大Q值的LC諧振(Q是表示電感特性的指標)，因此，根據(jù)珠形噪聲濾波器所連接的電路，輸入的數(shù)字式信號會出現(xiàn)波形畸變，例如，出現(xiàn)圓環(huán)。因此，在高頻頻段中，X分量越小越好。
根據(jù)上述的頻段和X分量和R分量之間的關(guān)系，用所述的Ni-Zn鐵氧體構(gòu)成的磁芯所構(gòu)成的珠形噪聲濾波器的X-R交叉點大致出現(xiàn)在屬于高頻頻段的10MHz，它的X電抗分量在高頻頻段中仍然保持增加。所以，如果用Ni-Zn鐵氧體構(gòu)成的珠形噪聲濾波器連接在具有幾PF電容的高阻抗數(shù)字電路(例如C-MOS反相器)的輸入信號線上，那么，輸入的數(shù)字信號會出現(xiàn)波形畸變，例如，出現(xiàn)圓環(huán)形、下沖峰突信號和上沖峰突信號。出現(xiàn)這些波形畸變是由具有比較大的Q值的LC諧振引起的。由于出現(xiàn)波形畸變和上述的Ni-Zn價格昂貴，所以，需要用非Ni-Zn鐵氧體構(gòu)成的磁芯來構(gòu)成噪聲濾波器。特別地，需要一個其X-R交叉點頻率低于用Ni-Zn鐵氧體構(gòu)成的磁芯所構(gòu)成的珠形噪聲濾波器的X-R交叉點頻率，并且主要用R分量更完全可靠地抑制噪聲的珠形噪聲濾波器。
已經(jīng)按照以上的要求描述了本發(fā)明，本發(fā)明的目的是提供一種價格便宜的珠形噪聲濾波器，它能夠抑制噪聲，同時在諸如數(shù)字信號的發(fā)送信號中不出現(xiàn)波形畸變，以便在近來的電子裝置中處理信號的更高頻率和數(shù)字化。
具體地說，本發(fā)明的目的(按權(quán)利要求1)是提供用價格便宜的Mn-Zn鐵氧體構(gòu)成的磁芯所構(gòu)成的珠形噪聲濾波器，Mn-Zn鐵氧體具有顯著增大的電阻率，以取得在高頻頻段與Ni-Zn鐵氧體的軟磁特性相當?shù)能洿判裕瑥亩种茙资綆装費Hz的輻射噪聲，還提供一種珠形噪聲濾波器，它允許沒有絕緣涂層的信號線或電源線必要時直接接觸磁芯的通孔并穿過通孔。而且，發(fā)明的目的(根據(jù)權(quán)利要求2和3)是最終提供一種高性能的珠形噪聲濾波器，其在實現(xiàn)上述目標之后主要用R分量安全可靠地抑制噪聲，從而不會造成發(fā)送信號的波形畸變。
發(fā)明內(nèi)容
按本發(fā)明的權(quán)利要求1，珠形噪聲濾波器中包括具有通孔的磁芯，以形成一個閉合磁路，珠形噪聲濾波器連接到信號線和電源線之一上，所述線穿過磁芯的閉合磁路，磁芯用軟磁材料構(gòu)成，軟磁材料具有的復(fù)數(shù)相對電容率范圍是在1kHz頻率為1000-20000，和在1MHz頻率為50以下；具有的電阻率為150Ωm或更高。因此，可以制成價格便宜的珠形噪聲濾波器，它具有很高的電阻率，同時在高頻頻段具有與Ni-Zn鐵氧體構(gòu)成的珠形噪聲濾波器相當?shù)能洿盘匦?，能夠抑制幾十到幾百MHz的輻射噪聲。
按本發(fā)明的權(quán)利要求2，磁芯用Mn-Zn鐵氧體構(gòu)成，Mn-Zn鐵氧體的基本成分組分包括44.4-50.0(不包括50.0)mol％的Fe2O3；4.0-26.5mol％的ZnO；0.1-8.0mol％的TiO2和SnO2中的至少一種；和MnO是剩余組份。因此，可以制造出便宜的珠形噪聲濾波器，它以更安全可靠的方式主要用R分量抑制噪聲，而不會引起發(fā)送信號的波形畸變。
按照本發(fā)明的權(quán)利要求書，用Mn-Zn鐵氧體構(gòu)成磁芯，Mn-Zn鐵氧體的基本成分組分包括44.4-到50.0(不包括50.0)mol％的Fe2O3；4.0-26.5mol％的ZnO；0.1-8.0mol％的TiO2和SnO2中的至少一種；0.1-16.0mol％的CuO；和MnO是剩余組份。因此，可以制造出價格便宜的珠形噪聲濾波器，并達到與上述的按本發(fā)明權(quán)利要求2相同的性能。
圖1是按本發(fā)明的珠形噪聲濾波器的透視圖；圖2是按本發(fā)明的珠形噪聲濾波器的透視圖；圖3是珠形噪聲濾波器的等效電路圖；圖4是用以后要描述的表1中顯示的磁芯樣品的珠形噪聲濾波器的阻抗頻率特性曲線；圖5按本發(fā)明例1(用編號為樣品1的磁芯構(gòu)成的珠形噪聲濾波器)的阻抗頻率特性曲線；和圖6按對比例2(用編號為樣品4的磁芯構(gòu)成的珠形噪聲濾波器)的阻抗頻率特性曲線。
具體實施例方式
以下參見圖1-6說明本發(fā)明的優(yōu)選實施例。
參見圖1，珠形噪聲濾波器用磁芯1(珠芯)構(gòu)成，磁芯1具有高電阻率，信號線2(或電源線)插入并穿過磁芯1。磁芯1是圓柱形，具有沿著其中心軸的通孔1a，信號線2穿過通孔1a。圖2顯示出另一個珠形噪聲濾波器，參見圖2，圖2中的磁芯1用與圖1所示的磁芯1相同的材料構(gòu)成，也具有圓柱形，但是，具有兩個通孔1a，信號線2穿過一個通孔1a并回轉(zhuǎn)以穿過另一個通孔1a。
參見圖3，圖3是珠形噪聲濾波器的等效電路圖，圖3中顯示的等效電路圖是電感元件L和電阻元件R形成的串聯(lián)電路再和電容元件C形成并聯(lián)電路。
圖1和圖2顯示出按本發(fā)明的珠形噪聲濾波器，圖3是按本發(fā)明的珠形噪聲濾波器的等效電路圖。
含50.0mol％或更多的Fe2O3的常規(guī)Mn-Zn鐵氧體價格便宜和具有良好的特性，但是，電阻率太低。所以具有用這種Mn-Zn鐵氧體構(gòu)成的磁芯的珠形噪聲濾波器不能用在高頻頻段中，也不允許與沒有絕緣涂層的信號線接觸。
本發(fā)明人在諸如日本專利No.3108803和No.3108804中公開了Mn-Zn鐵氧體，當Mn-Zn鐵氧體包含少于50.0mol％的Fe2O3和適量的TiO2和SnO2中的至少一種時，Mn-Zn鐵氧體的電阻率明顯增大。但是，按本發(fā)明目的，也就是說，以安全可靠方式主要用R分量抑制噪聲而又不會引起發(fā)送信號波形畸變的高性能珠形噪聲濾波器，是不可能通過使用像Ni-Zn鐵氧體這樣的高電阻率鐵氧體就能實現(xiàn)的。具體地說，由于Ni-Zn鐵氧體形成的磁芯X-R交叉點頻率在屬于高頻頻段的10MHz或更高頻率，如以下要描述的，在高頻頻段X電抗分量會保持增大。所以，如果用這種磁芯構(gòu)成的珠形噪聲濾波器連接到高阻抗數(shù)字電路的輸入信號線上，會引起輸入數(shù)字信號的波形畸變，例如，出現(xiàn)上沖峰突信號、環(huán)形信號等。
當圖3顯示出其等效電路圖的珠形噪聲濾波器的磁芯上加AC磁場時，電容率(permitivity)ε用以下的復(fù)數(shù)表示ϵ=(ϵ'2+ϵ''2)]]>式(3)式中ε′是復(fù)數(shù)相對電容率的實數(shù)部分，ε″是復(fù)數(shù)相對電容率的虛數(shù)部分。復(fù)數(shù)相對電容率的虛數(shù)部分ε″是引起介電損耗的分量。
由于這種珠形噪聲濾波器經(jīng)常連接在信號線上，所以信號線穿過磁芯(珠芯)并在磁芯上繞一匝(插入一匝)，由于輸入端與輸出端之間的距離大，所以，繞組(纏繞在磁芯上的信號線)之間的電容C分量小。不僅僅在繞組之間存在電容分量C，在繞組與磁芯之間也存在電容分量C，并因此取決于磁芯的復(fù)數(shù)相對電容率的實數(shù)部分ε′。例如，在具有非常大的復(fù)數(shù)相對電容率實數(shù)部分ε′的Mn-Zn鐵氧體的情況下，在繞組與磁芯之間產(chǎn)生很大的電容分量C。特別地，由于珠形噪聲濾波器的繞組以緊密接觸的方式穿過磁芯，電容分量C主要取決于磁芯的復(fù)數(shù)相對電容率實數(shù)部分ε′。
本發(fā)明人制造了具有相同L分量和R分量的Mn-Zn鐵氧體珠形噪聲濾波器，測量了它們的阻抗特性，并發(fā)現(xiàn)如下事實。
在具有大的復(fù)數(shù)相對電容率實數(shù)部分ε′的常規(guī)Mn-Zn鐵氧體中(C分量大)，發(fā)現(xiàn)X-R交叉點的頻率接近低頻，但是，在高頻頻段的阻抗特性差。另一方面，在具有小的復(fù)數(shù)相對電容率實數(shù)部分ε′的Ni-Zn鐵氧體中(C分量小)，發(fā)現(xiàn)X-R交叉點的頻率接近高頻，但是，在高頻頻段的阻抗特性好。而且，常規(guī)的Mn-Zn鐵氧體和Ni-Zn鐵氧體的復(fù)數(shù)相對電容率實數(shù)部分ε′被基本上保持恒定，從低頻頻段到高頻頻段只有小于個單個位數(shù)的變化(如果有的話)。
根據(jù)以上的發(fā)現(xiàn)，本發(fā)明人用具有從低頻頻段到高頻頻段復(fù)數(shù)相對電容率實數(shù)部分ε′變化很大的軟磁材料形成的磁芯構(gòu)成珠形噪聲濾波器。上述的珠形噪聲濾波器中，由于復(fù)數(shù)相對電容率實數(shù)部分ε′在低頻頻段大到一定程度，所以X-R交叉點的頻率接近低頻頻段，由于復(fù)數(shù)相對電容率實數(shù)部分ε′在高頻頻段小，所以在高頻頻段阻抗特性優(yōu)良。
按照本發(fā)明，磁芯的電阻率設(shè)定為150Ωm或更高。不能肯定一個沒有絕緣涂層的銅線直接纏繞在磁芯上時是否會出現(xiàn)問題，因為它與所加的電壓有關(guān)，但是在相當廣泛的應(yīng)用中，相信電阻率為150Ωm或更高的磁芯能承擔適當?shù)墓ぷ鳌?br>
按本發(fā)明，復(fù)數(shù)相對電容率實數(shù)部分ε′的范圍設(shè)定在1kHz的頻率下是1000到20000，和在1MHz的頻率下是50以下。如上所述，這種磁芯的復(fù)數(shù)相對電容率實數(shù)部分ε′從低頻頻段到高頻頻段有明顯的變化，珠形噪聲濾波器的X-R交叉點的頻率接近低頻，例如，5MHz。
以下將說明本發(fā)明的實施例。構(gòu)成珠形噪聲濾波器的磁芯用的軟磁材料，其復(fù)數(shù)相對電容率實數(shù)部分ε′的范圍在1kHz的頻率下是1000到20000，和在1MHz的頻率下是50以下，和電阻率為150Ωm或更高。每個磁芯具有通孔，所以形成閉合磁路，并且附在信號線上從而信號線穿過磁芯的通孔。
例子過程1表1中顯示出磁芯樣品的基本組份，一些磁芯用按本發(fā)明的軟磁材料構(gòu)成，另一些磁芯樣品作為對比例，用常規(guī)的軟磁材料構(gòu)成。
表1
參見表1，制備了五種磁芯樣品(樣品1-樣品5)。材料顆粒選自Fe2O3，ZnO，TiO2，SnO2，CuO，MnO，NiO和MgO，各個組份的重量顯示在表1中，選擇的組份通過球磨混合以產(chǎn)生各種混合物，各種混合物在900℃在大氣中煅燒2小時。煅燒過的各種混合物用球磨研磨成平均顆粒直徑為1.4μm的顆粒。然后，研磨后的各種混合物與加入的聚乙烯醇混合，然后成粒，并在80MPa的壓力下模壓成具有螺旋管結(jié)構(gòu)的各種生坯。要制成樣品1到樣品3的生坯，在1150℃的溫度下、在通過灌入氮氣來控制其部分氧氣壓強的氣氛中燒結(jié)3小時；要制成樣品4和樣品5的生坯，在1150℃的溫度下在大氣中燒結(jié)3小時。
由此制成外徑為3.2mm，內(nèi)徑為1.6mm，高度為6mm的樣品1到樣品5。測試這樣制成的樣品1-5(用于珠形噪聲濾波器的磁芯樣品)0.1MHz的初始磁導(dǎo)率μi；Z 1194A/m的飽和磁通量密度Bs；電阻率ρν(Ωm)；和在1kHz及1MHz的復(fù)數(shù)相對電容率實數(shù)部分ε′。測試數(shù)據(jù)列有表2中。
表2
用Mg-Zn鐵氧體形成的樣品5的初始磁導(dǎo)率μi和飽和磁通密度Bs都低，因此與樣品1-4比較，樣品5沒有優(yōu)越性。特別地，要求珠形噪聲濾波器防止由于波動電流和電涌噪聲而變得磁飽和，所以，必需增大具有低飽和磁通量密度Bs的樣品5的尺寸。
用普通的Mn-Zn鐵氧體構(gòu)成的樣品3的初始磁導(dǎo)率μi和飽和磁通密度Bs都良好，但是電阻率ρν極低。所以會妨礙它在高頻頻段的使用。而且，樣品3一定不能與不絕緣的信號線直接接觸，這就必然限制了它的應(yīng)用。
用本發(fā)明(根據(jù)權(quán)利要求1)的Mn-Zn鐵氧體形成的樣品1，用本發(fā)明(根據(jù)權(quán)利要求3)的Mn-Zn鐵氧體形成的樣品2，和用Ni-Zn鐵氧體形成的樣品4都具有優(yōu)良的初始磁導(dǎo)率μi、飽和磁通密度Bs、和電阻率ρν。
過程2按上述過程1構(gòu)成的樣品1-5(珠芯)都可以連接到信號線上作為珠形噪聲濾波器，使信號線穿過磁芯在其上纏繞一匝(插入一匝)。這樣制成的樣品例顯示在表3中，其中測試了X-R交叉點的頻率。
表3 圖4中顯示出例1-5的阻抗頻率特性的測試結(jié)果。圖4中顯示的阻抗頻率特性是珠形噪聲濾波器的實際特性。
如圖4所示，10MHz以上的頻率是噪聲抑制的關(guān)鍵頻段。與其他例(發(fā)明例1和2和對比例2和3)相比，對比例1的阻抗頻率特性明顯地低。其原因是，Mn-Zn鐵氧體的電阻率ρν低。
與其他例(發(fā)明例1和2和對比例1和2)相比，對比例3的阻抗頻率特性低。其原因是，Mn-Zn鐵氧體的初始磁導(dǎo)率μi低。
在高頻頻段中發(fā)明例1和2和對比例2具有優(yōu)良的阻抗特性。
發(fā)明例1和2和發(fā)明例1和2在上述實施例1和2中的各種測試結(jié)果看起來是珠形噪聲濾波器的優(yōu)選例，它們被進一步考查。
在過程2中測試的發(fā)明例1和2中的各個阻抗和對比例2的阻抗按照上述的式(1)分成電抗分量X和電阻分量R。發(fā)明例1和對比例2的劃分分量分別用圖5和6中的曲線顯示。
參見圖5，發(fā)明例1的X-R交叉點的頻率在5MHz附近。發(fā)明例2的劃分分量沒有顯示，其結(jié)果基本與發(fā)明例1相同。另一方面，對比例2的X-R交叉點的頻率在10MHz附近，如圖6所示。其原因是，如表2顯示的，在1KHz與1MHz之間的頻率范圍內(nèi)，樣品1(發(fā)明例1)和樣品2(發(fā)明例2)的復(fù)數(shù)相對電容率實數(shù)部分ε′變化極大，而樣品4(對比例2)的復(fù)數(shù)相對電容率實數(shù)部分ε′變化極小。
以上的考查發(fā)現(xiàn)，雖然在高頻頻段發(fā)明例1和2以及對比例2都具有優(yōu)良的阻抗頻率特性，這就是說，能進行有效的噪聲抑制，但發(fā)明例1和2的輸入數(shù)字信號的波形畸變的可能性很低，所以發(fā)明例1和2比對比例2優(yōu)異。
本發(fā)明權(quán)利要求1的說明中，上述的實施例涉及多個珠形噪聲濾波器，它的電阻率是150Ωm或更高，其復(fù)數(shù)相對電容率實數(shù)部分ε′分別是，在1KHz是12320和10970，在1MHz是32和28(發(fā)明例1和2)，但是可以證明其復(fù)數(shù)相對電容率實數(shù)部分ε′在上述權(quán)利要求1范圍內(nèi)的珠形噪聲濾波器具有與上述實施例相同或基本相同的效果。
本發(fā)明的權(quán)利要求2的說明中，上述的實施例涉及多個珠形噪聲濾波器，它的磁芯用Mn-Zn鐵氧體形成，Mn-Zn鐵氧體的基本組分包括47.0mol％的Fe2O3；10.5mol％的ZnO；1.0mol％的TiO2；和剩余量(41.5mol％)的MnO(發(fā)明例1)，但是可以證明具有本發(fā)明權(quán)利要求2中規(guī)定的范圍內(nèi)的基本組份的珠形噪聲濾波器與上述實施例具有相同或基本相同的效果。
本發(fā)明權(quán)利要求3的說明中，上述的實施例涉及多個珠形噪聲濾波器，它的磁芯用Mn-Zn鐵氧體形成，Mn-Zn鐵氧體的基本組份包括47.0mol％的Fe2O3；10.5mol％的ZnO；0.5mol％的SnO2；1.5mol％的CuO和剩余量(40.5mol％)的MnO(發(fā)明例2)，但是可以證明具有本發(fā)明權(quán)利要求3中規(guī)定的范圍內(nèi)的基本組份的珠形噪聲濾波器與上述實施例具有相同或基本相同的效果。
按本發(fā)明的珠形噪聲濾波器有助于簡單地和價格便宜地抑制來自尺寸減小和性能提高了的新電子裝置的信號線輻射的高頻噪聲，特別適合于抑制噪聲而同時輸入數(shù)字信號的波形沒有畸變。
權(quán)利要求
1.一種珠形噪聲濾波器，包括具有一個通孔的磁芯，以形成一個閉合磁路，所述珠形噪聲濾波器連接到信號線和電源線之一上，從而所述線穿過磁芯的閉合磁路，其特征在于，磁芯用軟磁材料形成，軟磁材料的復(fù)數(shù)相對電容率的實數(shù)部分的范圍是，在1KHz時是從1000到20000，在1MHz時是50或更??；并且其電阻率是150Ωm或更高。
2.按照權(quán)利要求1的珠形噪聲濾波器，其中磁芯用Mn-Zn鐵氧體形成，Mn-Zn鐵氧體的基本組份包括44.0-50.0(不包含50.0)mol％的Fe2O3；4.0-26.5mol％的ZnO；0.1-8.0mol％的TiO2和SnO2中的至少一種；和剩余由MnO構(gòu)成。
3.按照權(quán)利要求1的珠形噪聲濾波器，其中磁芯用Mn-Zn鐵氧體形成，Mn-Zn鐵氧體的基本組份包括44.0-50.0(不包含50.0)mol％的Fe2O3；4.0-26.5mol％的ZnO；0.1-8.0mol％的TiO2和SnO2中的至少一種；0.1-16.0％的CuO；和剩余由MnO構(gòu)成。
全文摘要
本發(fā)明的珠形噪聲濾波器用磁芯1構(gòu)成，磁芯用Mn－Zn鐵氧體形成，Mn－Zn鐵氧體的電阻率增大以改善高頻特性，以及其電容率降低，從而能成功地抑制輻射噪聲而不會引起發(fā)送信號的波形畸變。構(gòu)成珠形噪聲濾波器的磁芯1用具有高電阻率的軟磁材料形成，磁芯1是圓柱形，具有至少一個通孔1a以形成閉合磁路。珠形噪聲濾波器連接到信號線2，信號線2穿過通孔1a。軟磁材料的復(fù)數(shù)相對電容率實數(shù)部分的范圍是在1KHz時是1000－20000，在1MHz時是50或更小；具有的電阻率是150Ωm或更高。
文檔編號H01F1/34GK1663003SQ0381439
公開日2005年8月31日 申請日期2003年9月22日 優(yōu)先權(quán)日2003年9月22日
發(fā)明者小林修, 山田修, 鈴木行夫, 伊藤清, 白井麻由佳 申請人:美蓓亞株式會社