專利名稱：絕緣膜的形成方法
技術領域：
本發明涉及利用低能量的等離子體，使包含固化性有機材料的電子器件用的基片上的膜固化，形成絕緣膜的方法。
背景技術：
本發明一般地可廣泛用于半導體和半導體器件、液晶器件等的電子器件材料的制造，這里，為了說明方便，以半導體器件的背景技術作為例子來說明。
在半導體器件中，目前，通過使設計的比例尺微細化，來達到高集成化和/或高性能。然而，當設計比例尺微細化時(例如，小于0.18μm)，則線路電阻和線路間的電容增加顯著，利用目前的線路材料。使器件的性能再提高困難。
例如，為了提高半導體器件的動作速度，必需提高電氣信號的速度。然而，利用目前的鋁線路，當半導體器件再微細化時(例如，在0.18μm以下)，在構成半導體器件的回路中流動的電氣信號的速度有界限(產生所謂“線路延遲”)。因此，必需使用電阻比鋁低的銅(Cu)等材料制成線路。銅的特征是其電阻比鋁小，因此線路延遲小，即使細的線路，電也能平穩地流動。
當使用上述電阻小的銅等材料時，作為絕緣膜，必需使用電“更難泄漏的絕緣膜”。通過這種電容易通過的Cu線路和電難以泄露的絕緣膜的組合。可以制造以極高速動作的半導體器件。
在目前的鋁線路的時代，作為絕緣膜，使用SiO2膜(比介電常數＝4.1)，但在使用Cu線路的情況下，必需使絕緣膜的比介電常數遠比該值低(低k)。一般，所謂低k膜意味著比介電常數都在3.0以下。
作為這種低k膜的制造方法，目前已知有二種方法。一種是使用CVD裝置的方法。這種方法可以得到品質好的低k膜，但低k膜制造的生產率低，因此運轉成本高。另一種方法是使用旋轉涂層器，將液體等的有流動性的低k材料涂布在基片等上的方法(形成所謂的S0D(介電質上旋轉)絕緣膜的方法)。
采用這種涂層方法，運轉成本和生產率都好，這是優點。
在上述涂層方法中，為了提高絕緣膜的膜品質，實際上必需有使涂布在基片等上的涂布膜固化的工序(基于交朕等反應的固化工序)。然而，在構成半導體器件的線路層為多層構成的情況下，對該涂布膜和由其固化形成的絕緣膜加過度的熱作用，(熱聚集)結果容易使由該涂布膜構成的絕緣膜質量降低。
發明內容
本發明的目的是要提供克服上述目前技術的缺點的絕緣膜形成方法。
本發明的另一個目的是要提供一種可防止加過度的熱作用，但可得到品質好的絕緣膜的絕緣膜形成方法。
本發明者精心研究的結果發現，用低能量的等離子體照射，使含有有機材料的膜固化，可以非常有效地達到上述目的。
本發明的絕緣膜形成方法是根據上述認識提出的，更詳細地說其特征為對配置在電子器件用基片上的固化性材料含有膜，進行低能量的等離子體照射，使該固化性材料含有膜固化。
圖1為表示在本發明中可以使用的微波等離子體處理裝置的結構的大致的方框圖。
圖2為用于說明在圖1所示的微波等離子體處理裝置中使用的槽電極的具體結構例子的大致平面圖。
圖3為表示在圖1所示的微波等離子體處理裝置中使用的第一溫度控制裝置和溫度調節板的結構的概略方框圖。
圖4為用于說明第三溫度控制裝置95的部分放大截面圖。
圖5為表示圖1所示的微波等離子體裝置的溫度調節板的變形例的部分放大截面圖。
符號說明10微波源；20天線容納部件；22波長縮短部件；24槽電極；25隙縫；28電介質；30第一溫度控制裝置；32溫度調節板；36溫度傳感器；38加熱器裝置；39水源；40處理室；42熱板；50反應氣體供給噴嘴；58反應氣體源；60真空泵；70第二溫度控制裝置；72溫度傳感器。
具體實施例方式
以下，根據需要，參照附圖更具體地說明本發明。在以下的說明中，表示數量比的“部”和“％”除非另有說明，以質量為基準。
(絕緣膜的形成方法)在本發明的絕緣膜形成方法中，利用低能量等離子體照射含有配置在電子器件用的基片上的固化性材料的有機材料含有膜，使該固化性材料含有膜固化。
(電子器件用的基片)在本發明中，可以使用的上述電子器件用的基片沒有特別的限制，可以從眾所周知電子器件用基片的一種或二種以上的組合中適當選擇使用。作為這種電子器件用的基片的例子可舉出半導體材料、液晶器件材料等。作為半導體材料的例子，可舉出單晶硅為主成分的材料等。
(電子器件用基片上)在本發明中，所謂“電子器件用基片上”是指應形成的絕緣膜位于電子器件用基片的上方(即，形成構成該基片的電子器件的各層的上方)。換句話說，在它們之間也可配置其他的絕緣層、導體層(例如，Cu層)、半導體層等。另外，根據需要，也可配置多個含有利用本發明形成的絕緣膜、各種絕緣層、導體層(例如Cu層)、半導體層等。
(固化性材料)可以在本發明中使用的固化性材料沒有特別的限制，從可與Cu等導電性好的線路材料組合的觀點來看，優選為在固化后，生成介電常數在3以下的絕緣膜的固化材料。
作為這種固化材料，可以使用介電常數為3以下的低介電常數的有機絕緣膜，例如可以使用PAE-2(Shumacher公司制)、HSG-R7(Hitachi Chemical公司制)、FLARE(Aplied signal公司制)、BCB(DowChemical公司制)、SILK(Dow Chemical公司制)、Speed Film(W.L.Gore公司制)等有機聚合物。
(固化性材料的配置方法)將上述固化性材料配置在電子器件用基片上的方法沒有特別的限制，優選是將具有流動性的固化性材料的溶液或分散液，涂布在上述電子器件用基片上。從均勻性觀點來看，這種涂布優選為旋轉涂層。
(膜厚)在本發明中，基于等離子體照射的固化前后的膜厚沒有特別的限制，可以使用下述的膜厚。
<固化前的膜厚>
優選100-1000nm，更優選為400-600nm.
<固化后的膜厚>
最后，膜厚減少數個％(例如5-6％)。
(低能量等離子體)在本發明中，用低能量等離子體照射上述固化性的涂布膜。所謂“低能量等離子體”是指電子溫度在2eV以下。
(等離子處理條件)在本發明的基底膜制作時，從形成的絕緣膜特性的觀點來看，可以使用下述的等離子體處理條件。
稀有氣體(例如，Kr、Ar、He或Xe)10-3000sccm，更優選是200-500sccm。
N210-1000sccm，更優選是100-200sccm。
溫度室溫(25℃)～500℃，更優選是室溫～400℃，特別優選是250～350℃。
壓力0.1～1000Pa，更優選是1～100Pa，特別優選是1～10Pa。
微波1～10W/cm2，更優選是2～5W/cm2，特別優選是3～4W/cm2。
處理時間10～300秒，更優選是60～120秒。
(優選條件的例子)在本發明中，可以使用下述條件。
微波2kW/cm2
氣體Ar、1000sccm+N2100sccm或Kr、1000sccm+N2100sccm壓力13.3～133Pa基片溫度350±50℃處理時間60-120秒(絕緣膜的優良特性)采用本發明，可以容易地形成具有下述優良特性的固化的絕緣膜。
在本發明中，只限于可用上述低能量等離子體照射，但對可能使用的等離子體沒有特別的限制。從容易得到實質上熱預算減少的固化膜的觀點來看，優選使用電子溫度比較低，而且使用高密度的等離子體。通過形成實質上熱聚集減少的固化膜，可以抑制膜的剝離和Cu等向絕緣膜的滲出，因此可以形成高品質的絕緣膜。特別是在400℃以下的溫度下，對固化性材料進行低能量等離子體處理的情況下，可以得到損壞少的絕緣膜。
(優良的等離子體)可以在本發明中使用的等離子體的特性如下。
電子溫度1eV-2eV密度1E12-1E13等離子體密度的均勻性±5％以下。
(平面天線部件)在本發明的絕緣膜形成方法中，優選通過具有多個槽的平面天線部件，照射微波，形成電子溫度低，而且密度高的等離子體。在本發明中，在利用具有這種優良特性的等離子體形成絕緣膜的情況下，可以得到等離子體損壞特別小，而且在低溫下，反應性高的過程。在本發明中，還可通過平面天線部件(與使用目前的等離子體的情況比較)，照射微波，而容易形成優良的絕緣膜。
(等離子體照射裝置的一個實施例)以下，參照附圖來說明作為等離子體照射裝置可使用的例舉的微波等離子體裝置100。在各個圖中，利用相同的符號表示相同的部件。目前的微波的頻率為1～100GHz，但本發明的微波不是僅限于此，大概為50MHz～100GHz。
圖1為微波等離子體裝置100的概略的方框圖。本實施例的微波等離子體裝置100與微波源10、反應氣體供給噴嘴50和真空泵60連接；具有天線容納部件20、第一溫度控制裝置30、處理室40和第二溫度控制裝置70。
微波源10例如由磁控管構成，可發出通常的2.45GHz的微波(例如5kW)。以后，利用圖中沒有示出的模式變換器，將微波的傳送形態變換為TM、TE或TEM模式等。另外，在圖1中省略了吸收產生的微波向磁控管返回的反射波的絕緣體，用于與負載匹配的EH調諧器或短線調諧器。
在天線容納部件20中放置波長縮短部件22，槽電極24與波長縮短部件22接觸，作為天線容納部件20的底板。另外，在天線容納部件20中使用熱傳導率高的材料(例如鋁)，如后所述，該材料與溫度調節板32接觸。因此，可將天線容納部件20的溫度設定為與溫度調節板32的溫度大致相同的溫度。
為了縮短微波的波長，在波長縮短部件22中，選擇具有給定的介電常數，同時熱傳導率高的給定材料。為了使導入處理室40中的等離子體密度均勻，必需在后述的槽電極24上作出多個隙縫25。波長縮短部件22具有可在槽電極24上作出多個隙縫25的功能。作為波長縮短部件22，可以使用例如氧化鋁類陶瓷、SiN、AlN。例如，AlN的比介電常數εt約為9，波長縮短率這樣，通過波長縮短部件22的微波的速度為0.33倍，波長也為0.33倍，可以縮短后述的槽電極24的隙縫25的間隔，可以作出更多的隙縫25。
槽電極24螺絲固定在波長縮短部件22上，例如由直徑為50cm、厚度在1mm以下的圓筒形銅板構成。如圖2所示，槽電極24從中心少許向外側例如，離開數cm的位置開始，依次向著周邊緣呈渦卷狀作出多個隙縫25。
在圖2中，隙縫25渦卷二次。在本實施例中，通過如上所述地配置以大略呈T字形地稍微隔開配置的一對隙縫25A和25B為一組的隙縫對，形成隙縫群。各個隙縫25A、25B的長度L1，設定為微波的管內波長λ的大約1/16-1/2的范圍內，設定其寬度為1mm左右。隙縫渦卷的外輪和內輪的間隔L2可稍微調整設定為與管內波長λ大致相同的長度。即隙縫的長度L1可在下式的范圍內設定。
λ016×1ϵt≤L1≤λ02×1ϵt---(1)]]>式中εt-比介電常數。
這樣，通過形成各個隙縫25A、25B，可以在處理室40內形成均勻的微波分布。寬度為數個mm左右的防止微波電力反射用反射元件26，在渦卷狀隙縫的外側且在圓盤狀槽電極24的周邊緣部，沿著該邊緣形成(也可以省略)。這樣，可提高槽電極24的天線效率。另外，本實施例的槽電極24的隙縫形式為簡單的，也可以利用具有任意的隙縫形狀(例如L字形等)的電極作為槽電極。
第一溫度控制裝置30與天線容納部件20連接。第一溫度控制裝置30具有將由微波的熱造成的天線容納部件20及其附近的構成元件的溫度變化控制在給定范圍的功能。如圖3所示，第一溫度控制30具有溫度調節板32、固定部件34、溫度傳感器36和加熱器裝置38；可從水道等的水源39供給冷卻水。從容易控制的觀點來看，優選從水源39供給的冷卻水的溫度為恒溫。溫度調節板32可選擇不銹鋼等熱傳導率好，流路33容易加工的材料。流路33是縱橫地貫通矩形的溫度調節板32，通過將螺釘等固定部件34擰入通孔中形成的。當然不限于圖3，溫度調節板32和流路33可以分別具有任意形狀。可使用冷卻水，而使用其他種類的冷卻介質(乙醇、熱傳導液(galden)、氟等)也可以。
溫度傳感器36可以使用PTC熱敏電阻、紅外線傳感器等眾所周知的傳感器。另外，熱電偶也是溫度傳感器36可以使用的，優選不受微波的影響。溫度傳感器36可以與流路33連接，也可以不與流路33連接。溫度傳感器36可以測定天線容納部件20、波長縮短部件22和或槽電極24的溫度。
加熱器裝置38由卷繞在與溫度調節板32的流路33連接的水道管周圍的加熱器線構成。控制在加熱器線中流動的電流大小，可以調節在溫度調節板32的流路33中流動的水溫。由于溫度調節板32的熱傳導率高，因此可以控制成與在流路33中流動的水的水溫大致相同的溫度。
溫度調節板32與天線容納部件20接觸，因此，天線容納部件20和波長縮短部件22的熱傳導率高。結果，通過控制溫度調節板32的溫度，可以控制波長縮短部件22和槽電極24的溫度。
如果沒有溫度調節板32等，則通過長時間將微波源10的電力(例如5kW)加在波長縮短部件22和槽電極24上，則由于在波長縮短部件22和槽電極24中的電力損失，會使電極本身的溫度升高。結果，波長縮短部件22和槽電極24熱膨脹而變形。
例如，槽電極24由于熱膨脹其最優的隙縫長度變化，在后述的處理室40內的全體等離子體密度降低，部分地等離子體密度集中。如果整體的等離子體密度降低，則半導體晶片W的處理速度變化。結果，對等離子體處理進行時間上管理，如果經過給定時間(例如2分鐘)，停止處理，從處理室40中取出半導體晶片W時，如果整體的等離子體密度降低，則有時不能在半導體晶片W上形成所希望的處理(蝕刻深度和成膜厚度)。另外，如果等離子體密度部分地集中，則半導體晶片W的處理也部分地變化。這樣，如果槽電極24由于溫度變化造成變形，則等離子體處理的品質降低。
如果沒有溫度調節板32，則因為波長縮短部件22和槽電極24的材質不同，而且兩者用螺釘擰緊，槽電極24彎曲。在這種情況下，等離子體處理的品質同樣降低。
另一方面，如果溫度一定，即使在高溫下配置，槽電極24也不會變形。另外，由于在等離子體CVD裝置中，如果水分以液狀或霧狀存在處理室40中，則雜質混入半導體晶片W的膜中，所以必需盡可能提高溫度。另外，考慮密封處理室40和后述的介電質28之間的O形圈90等部件具有80-100℃的耐熱性，則控制溫度調節板32(即槽電極24)，使其控制為在以70℃為基準的±5℃左右。根據要求的處理和構成部件的耐熱性等，可以任意設定70℃等的設定溫度和±5℃的容許溫度范圍。
在這種情況下，第一溫度控制裝置30得到溫度傳感器36的溫度信息，控制供給加熱器裝置38的電流(例如，使用可變電阻等)，使溫度調節板32的溫度為70℃±5℃。槽電極24設定成以在70℃下使用為前提，即放置在70℃的氣氛下時，具有最優的隙縫長度。在溫度傳感器36配置在溫度調節板32上的情況下，因為從溫度調節板32至槽電極24或與此相反的傳熱需要時間，因此可使容許范圍為70℃±10℃等設定更寬的允許范圍。
因為最初放置在室溫下的溫度調節板32的溫度比70℃低，因此最初第一溫度控制裝置30驅動加熱器裝置38，使水溫達到70℃左右，再供給溫度調節板32。在微波熱使溫度上升達到70℃附近前，水也可以不流入溫度調節板32中。因此，圖3所示的溫度控制機構，也可以包含調節從水源39來的水量的質量流量控制器和開閉閥。當溫度調節板32的溫度超過75℃時，可以從水源39供給15℃左右的水，開始冷卻溫度調節板32，以后，當溫度傳感器36顯示65℃時，驅動加熱器裝置38，將溫度調節板32的溫度控制成70℃±5℃。第一溫度控制裝置30可采用通過利用上述質量流量控制器和開閉閥，從水源39供給15℃的水，開始冷卻溫度調節板32，以后，當溫度傳感器36顯示70℃時，停止水的供給等各種控制方法。
這樣，第一溫度控制裝置30在進行溫度控制，使波長縮短部件22和槽電極24在以給定的設定溫度為中心的給定的容許溫度范圍內這點上，與不設定這些而單純冷卻的特開平3-191073號所述的冷卻裝置不同。這樣，可以維持處理室40的處理品質。例如，在槽電極24設計成放置在70℃的氣氛下時而具有最優的隙縫長度時，單純將該電極冷卻至15℃左右來得到最優的處理環境，沒有意義。
另外，通過控制在溫度調節板32中流動的水的溫度，第一溫度控制裝置30可以同時控制波長縮短部件22和槽電極24的溫度。溫度調節板32，天線容納部件20和波長縮短部件22都用熱傳導率高的材料制造。采用這樣的結構，可以利用一個裝置控制三個溫度，不需要多個裝置，因此可以防止裝置整體尺寸增大和成本提高。另外，溫度調節板32只是溫調裝置的一個簡單例子，也可以利用冷卻風扇等其他冷卻裝置。
其次，參照圖4說明第三溫度控制裝置95。圖4為用于說明第三溫度控制裝置95的部分放大截面圖。第三溫度控制裝置95利用冷卻水或冷卻介質等，控制介電質28周邊的溫度。第三溫度控制裝置95，如第一溫度控制裝置那樣，同樣利用溫度傳感器和加熱器裝置構成，因此省略其詳細說明。
在本實施例中，溫度調節板32和天線容納部件20為分開的部件，但天線容納部件20中也可帶有溫度調節板32的功能。例如，通過在天線容納部件20的上面和/或側面形成流路32，可以直接冷卻天線容納部件20。又如圖5所示，如果在天線容納部件20的側面上形成具有與流路33類似的流路99的溫度調節板98，則也可以同時冷卻波長縮短部件22和槽電極24。圖5為表示圖1所示的微波等離子體裝置100的溫度調節板32的變形例的部分放大截面圖。在槽電極24的周圍設置溫度調節板或不妨礙隙縫25的配置地在槽電極24本身上作出流路也可以。
介電質28配置在槽電極24和處理室40之間。槽電極24和介電質28可制用焊料強固而緊密地面接合。在燒成的陶瓷制的介電質28的背面，利用絲網印刷等裝置將銅薄膜布圖形成為包含隙縫的槽電極24的形狀，也可以如燒制銅薄膜那樣形成銅箔的槽電極24。介電質28和處理室40利用O型圈90接合。在設置將介電質28的周邊溫度調整至80-100℃的第三溫度控制裝置95的情況下，可如圖4所示那樣構成。第三溫度控制裝置95，與溫度調節板32同樣，具有包圍介電質28的流路96。這樣，由于第三溫度控制裝置設在O型圈90附近，在調整介電質28和槽電極24的溫度時，可以有效地調整O型圈90的溫度。介電質28由氮化鋁(AlN)等制成，可以防止在將處于減壓或真空環境中的處理室40的壓力加在槽電極24上，槽電極24變形，槽電極24在處理室40中剝離噴濺，產生銅污染。如有必要，可用熱傳導率低的材質制造介電質28，以防止槽電極24受到由處理室40的溫度造成的影響。
與波長縮短部件22同樣，介電質28也可由熱傳導度高的材質(例如AlN)制成。在這種情況下，通過控制介電質28的溫度，可以控制槽電極24的溫度，還可以通過槽電極24，控制波長縮短部件22的溫度。在這種情況下，可在介電體28的內部不妨礙微波導入處理室40地形成該流路。上述溫度控制也可以任意組合。
處理室40的側壁、底部由鋁等導體制成，整體作成筒狀，內部由后述的真空泵60維持為給定的減壓或真空密閉空間。熱板42及放置在其上面的作為被處理體的半導體晶片W放置在處理室40內。在圖1中，為了方便，省略了固定半導體晶片W的靜電夾頭和夾緊機構等。
熱板42結構與加熱器38相同，可進行半導體晶片W的溫度控制。在等離子體CVD處理中，熱板42將半導體晶片W加熱至例舉的大約450℃。另外，在等離子體蝕刻處理中，熱板42將半導體晶片W加熱至例如80℃以下。基于熱板42的這些加熱溫度因工藝不同而不同。無論那種情況，熱板42加熱半導體晶片W，使作為雜質的水分不附著或混入半導體晶片W中。第二溫度控制裝置70，根據測定熱板42的溫度的溫度傳感器72所測定的溫度，可以控制在熱板42中流動的加熱用電流的大小。
在處理室40的側壁上安裝著用于導入反應氣體的石英管制的氣體供給噴嘴50。該噴嘴50通過質量流量控制器54和開閉閥56，利用氣體供給路52，與反應氣體源58連接。例如，在堆積氮化硅膜的情況下，可選擇在作為反應氣體的給定混合氣體(即在氖、氙、氬、氦、氡、氪的任何一種中加入N2和H2)中混合NH3或SiH4氣體等。
真空泵60可將處理室40的壓力抽真空至給定的壓力(例如0.1～幾十mTorr)。在圖1中，省略了排氣系統的詳細結構。
(等離子體處理裝置的動作)其次，說明以上結構的本實施例的微波等離子體的本處理裝置100的動作。首先，通過設在通常的處理室40的側壁上的圖中沒有示出的閘閥，利用輸送臂將半導體晶片W送入處理室40中。以后，通過使圖中沒有示出的提升銷上下運動，將半導體晶片W放置在給定的放置面上。
其次，將處理室40內部維持在給定的壓力例如50mTorr下，利用噴嘴50，從例如混合了氬和氮的混合氣體的一個以上的反應氣體源58，通過質量流量控制器54和開閉閥56進行流量控制并導入處理室40中。
利用第二溫度控制裝置70和熱板42調整處理室40的溫度為70℃左右。另外，第一溫度控制裝置30控制加熱器裝置38，使溫度調節板32的溫度為70℃左右。這樣，通過溫度調節板32，將波長縮短部件22和槽電極24的溫度維持在70℃左右。設計槽電極24，使它在70℃下具有最優的隙縫長度。另外，已經知道使槽電極24的±5℃溫度誤差設定為容許范圍。當產生等離子體時，由于槽電極通過利用等離子體的熱加熱，所以在槽溫度在給定溫度以下時，按照供給微波的方式以抑制等離子體產生時的熱從而也可以對溫度加以控制。
另一方面，通過圖中沒有示出的矩形導波管或同軸導波管等在例如TEM模式下，將從微波源10發出的微波導入天線容納部件20內的波長縮短部件22中。通過了波長縮短部件22的微波的波長縮短，入射在槽電極24上，通過介電體28，從隙縫25導入處理室40中。由于控制波長縮短部件22和槽電極24的溫度，因此沒有熱膨脹等引起的變形，槽電極24可以維持最優的隙縫長度。這樣，微波可以均勻(即沒有局部集中)而且作為整體，以所希望的密度(即沒有密度減小)導入處理室40中。
通過繼續使用，如果溫度調節板32的溫度從75℃上升，第一溫度控制裝置30通過從水源39將15℃左右的冷卻水導入溫度調節板32中，控制溫度調節板的溫度在75℃以內。同樣，如果在處理開始時或過分冷卻溫度調節板32的溫度在65℃以下，則第一溫度控制裝置30控制加熱器裝置38，使從水源39導入溫度調節板32中的水溫升高，可使溫度調節板32的溫度在65℃以上。
另一方面，如果溫度傳感器72檢測由于溫度調節板32過分冷卻。使處理室40的溫度在給定溫度以下，則為了防止水分作為雜質，附著并混入晶片W中，第二溫度控制裝置70控制熱板42，可以控制處理室40的溫度。
然后，微波使反應氣體成為等離子體，對配置在電子器件用基片上的固化性材料含有膜進行低能量的等離子體照射，使該固化性材料含有膜固化。固化處理例如只進行預先設定的給定時間，然后，從圖中沒有示出的閘閥，將半導體晶片W送出至處理室40外面。由于所希望密度的微波均勻地供給處理室40，因此可以均勻地在晶片W上形成所希望厚度的膜。另外，由于將處理室40的溫度維持為水分等不混入晶片W中的溫度，可以維持所希望的成膜品質。
以上說明了本發明的可以使用的裝置的優選實施例，但在本發明的技術的范圍內，可作各種變形和改變。例如，由于本發明的微波等離子體處理裝置100不妨礙利用電子回旋共振，因此可以具有產生給定磁場的線圈等。另外，本實施例的微波等離子體處理裝置100是作為等離子體CVD裝置說明的，但該微波等離子體處理裝置100也可以在蝕刻半導體晶片W、清洗該晶片的情況下使用。另外，本發明處理的被處理體不僅限于半導體晶片，也可是包含LCD等的被處理體。
產業上利用的可能性如上所述，采用本發明可提供一種可以防止加上過度的熱作用，同時得到良好質量的絕緣膜的絕緣膜形成方法。
權利要求
1.一種絕緣膜形成方法，其特征為，對配置在電子器件用的基片上的固化性材料含有膜，進行低能量的等離子體照射，使該固化性材料含有膜固化。
2.如權利要求1所述的絕緣膜形成方法，其特征為，所述固化性材料是有機的固化性材料。
3.如權利要求1或2所述的絕緣膜形成方法，其特征為，由所述固化得到的絕緣膜的介電常數在3以下。
4.如權利要求1～3之一所述的絕緣膜形成方法，其特征為，所述低能量的等離子體為基于通過具有多個槽的平面天線部件的微波照射的等離子體。
5.如權利要求1～4之一所述的絕緣膜形成方法，其特征為，固化性材料含有膜是通過將具有流動性的該材料的溶液或分散液，涂布在所述電子器件用的基片上而配置的。
6.如權利要求5所述的絕緣膜形成方法，其特征為，固化性材料含有膜是利用旋轉涂層法配置在所述電子器件用的基片上的。
7.如權利要求1～6之一所述的絕緣膜形成方法，其特征為，通過所述固化形成的絕緣膜為層間絕緣膜。
8.如權利要求1～7之一所述的絕緣膜形成方法，其特征為，將所述等離子體，在300～400℃的溫度下照射固化性材料含有膜。
全文摘要
一種形成絕緣膜的方法，它包括將低能量等離子體照射配置在電子器件用基片上的固化性材料含有膜，使所述固化性材料含有膜固化。該方法可以用于防止將過分的熱加在該膜上，同時形成高質量的導電膜。
文檔編號H01L21/3105GK1692478SQ0381248
公開日2005年11月2日 申請日期2003年7月30日 優先權日2002年7月30日
發明者本鄉俊明, 星野聰彥 申請人:東京毅力科創株式會社