專利名稱：脫水干燥方法和裝置,以及襯底處理裝置的制作方法
技術領域：
本發明涉及脫水干燥方法、脫水干燥裝置和用于脫水和干燥用在半導體制作工藝等等中，在濕處理中處理過的襯底的襯底處理裝置。
背景技術：
迄今為止，在半導體制做中，已經習慣通過旋轉-干燥處理或N2氣流處理來脫水和干燥在濕處理中處理過的襯底，在該旋轉-干燥處理中，由旋轉式脫水機以高速旋轉襯底以便在離心力的作用下去除附著在襯底表面的水分將N2氣體吹到襯底上以便干燥襯底。
近年來，當半導體設備的處理速度變得更高時，已經將所謂的低k薄膜用作將形成在襯底上的絕緣膜。由于它們的生產工藝，許多這樣的低k薄膜具有多孔結構以及親水性和吸水特性。在半導體制作工藝中，當在濕處理，諸如使用超純水等等的清洗處理中處理其上具有這種低k薄膜的襯底，然后通過如上所述的旋轉-干燥工藝或N2氣流工藝進行脫水和干燥，水分子易于留在低k膜中。
留在低k膜中的這種水分子的問題在于剩余的水分子使得低k薄膜膨脹，因此變形。另外，當在高真空或超真空的情況下執行襯底的后續處理時，由于留在低k薄膜中的水分子，不能實現在后續處理中所需的真空度。
發明內容
鑒于上述缺陷，而提出了本發明。因此，本發明的目的是提供能去除留在用作為在襯底上形成的絕緣膜的具有吸水性的薄膜，諸如低k薄膜中的水、且干燥這種薄膜和襯底的脫水干燥方法、脫水干燥裝置以及襯底處理裝置。
為實現上述目的，根據本發明的一個方面，提供一種用于脫水和干燥襯底的脫水干燥方法，包括脫水和干燥襯底，同時將襯底容納在用來承載襯底的載體中。
在本發明的優選方面中，在不旋轉的情況下，脫水和干燥容納在載體中的襯底。
在本發明的優選方面中，載體用來在用于執行一些處理的裝置間承載襯底。
由于在不旋轉的情況下脫水和干燥襯底，在這種情況下，襯底容納在用來在裝置間承載襯底的載體中，與襯底的其他處理分開地，脫水和干燥襯底，因此，通過這種脫水和干燥處理，不影響襯底處理裝置的襯底處理時間。另外，在襯底其上包括具有吸水性的多孔膜，諸如低k膜的情況下，例如，能充分地去除存在于多孔膜中的水，因此，能防止多孔膜膨脹從而變形。另外，當在高真空或超高真空的情況下，執行襯底的后續處理，由于充分脫水和干燥襯底，能實現在這一過程中所需的真空度。
在本發明的優選方面中，通過暴露于真空，脫水和干燥容納在載體中的襯底。
在本發明的優選方面中，通過暴露于干燥氣體，脫水和干燥容納在載體中的襯底。
在本發明的優選方面中，通過加熱，或通過暴露于真空和/或干燥氣體并結合加熱，脫水和干燥容納在載體中的襯底。
由于通過暴露于真空，或暴露于干燥氣體，或暴露于真空和/或干燥氣體結合加熱，脫水和干燥容納在載體中的襯底，能有效地移除存在于襯底上形成的、具有吸水性的多孔膜諸如低k膜中的水。
在本發明的優選方面中，脫水干燥方法進一步包括在將襯底容納在載體中前，初步干燥襯底。
在本發明的優選方面中，通過旋轉干燥處理初步干燥襯底。
由于在將襯底容納在載體中前，初步干燥(例如旋轉干燥)襯底，通過初步干燥過程去除附著在襯底的表面上的水。其余的水，例如存在于形成在襯底上、具有吸水性的多孔膜諸如低k膜中的水被有效地去除，同時襯底在載體中被脫水和干燥。另外，由于通過初步干燥過程，已經從襯底去除大多數水，能降低載體中的脫水和干燥負擔。
在本發明的優選方面中，襯底包含具有吸水性的薄膜。
在具有吸水性的薄膜形成在襯底上的情況下，特別是在具有吸水性的薄膜暴露在襯底的表面上的情況下，通過旋轉干燥過程，不能易于去除存在于這種薄膜中的水。在本發明中，由于脫水和干燥襯底同時襯底容納在用來承載裝置間的襯底的載體中，在不影響襯底處理裝置的襯底處理時間的情況下，能脫水和干燥襯底，因此能有效地去除存在于具有吸水性的薄膜中的水。另外，當在高真空或超高真空的情況下執行襯底的后續處理時，由于已經充分地脫水和干燥襯底，能實現這一過程中所需的真空度。
根據本發明的另一方面，提供一種用于脫水和干燥襯底的脫水干燥裝置，包括脫水干燥設備，用于脫水和干燥襯底，同時將襯底容納在用來承載襯底的載體中。
在本發明的優選方面中，在不旋轉的情況下，脫水和干燥容納在載體中的襯底。
在本發明的優選方面中，載體用來在用于執行一些處理的裝置間承載襯底。
在本發明的優選方面中，脫水干燥設備通過使襯底暴露于真空，脫水和干燥容納在載體中的襯底。
在本發明的優選方面中，脫水干燥設備通過使襯底暴露于干燥氣體，脫水和干燥容納在載體中的襯底。
在本發明的優選方面中，脫水干燥設備通過加熱襯底，或通過使襯底暴露于真空和/或干燥氣體并結合加熱襯底，脫水和干燥容納在載體中的襯底。
由于在不旋轉的情況下，由脫水干燥設備脫水和干燥襯底，同時襯底容納在用來承載裝置間的襯底的載體中，能與襯底的其他處理分開地脫水和干燥襯底，因此，通過這種脫水和干燥過程，能不影響襯底處理裝置的襯底處理時間。另外，在襯底其上包含具有吸水性的多孔膜，諸如低k膜的情況下，例如，能充分地去除存在于多孔膜中的水，因此，能防止多孔膜膨脹，從而變形。另外，當在高真空或超高真空的情況下執行襯底的后續處理時，由于充分地脫水和干燥襯底，能實現這一過程中所需的真空度。因為通過暴露于真空，或通過暴露于干燥氣體，或加熱，或暴露于真空和/或干燥氣體結合加熱，能脫水和干燥容納在載體中的襯底，能有效地去除存在于在襯底上形成的、具有吸水性的多孔膜中，諸如低k膜中的水。
根據本發明的另一方面，提供一種用于處理襯底的襯底處理裝置，包括脫水干燥裝置，用于脫水和干燥在一過程中處理過的襯底；其中，脫水干燥裝置包括脫水干燥設備，用于脫水和干燥襯底。同時襯底容納在用來承載襯底的載體中。
在本發明的優選方面中，在不旋轉的情況下，脫水和干燥容納在載體中的襯底。
在本發明的優選方面中，載體用來在用于執行一些處理的裝置間承載襯底。
在本發明的優選方面中，脫水干燥設備通過使襯底暴露于真空，脫水和干燥容納在載體中的襯底。
在本發明的優選方面中，脫水干燥設備通過使襯底暴露于干燥氣體，脫水和干燥容納在載體中的襯底。
在本發明的優選方面中，脫水干燥設備通過加熱襯底，或通過使襯底暴露于真空和/或干燥氣體并結合加熱襯底，脫水和干燥容納在載體中的襯底。
如上，由于通過脫水干燥裝置脫水和干燥已經處理過的襯底，通過這種脫水和干燥過程不影響襯底處理裝置的襯底處理時間。另外，能有效地去除殘留在具有吸水性的多孔膜，諸如低k膜中的水以便脫水和干燥襯底。
根據本發明的另一方面，提供一種拋光方法，包括拋光襯底以便形成拋光的襯底；清洗和干燥所拋光的襯底以便形成清潔和干燥的襯底；以及通過真空干燥設備，脫水和干燥清潔和干燥的襯底。
在本發明的優選方面中，襯底包含具有吸水性并用作絕緣材料的薄膜。
根據本發明的另一方面，提供一種拋光方法，包括拋光襯底以形成拋光的襯底；清洗和干燥所拋光的襯底以便形成清潔和干燥的襯底；以及通過加熱干燥設備，脫水和干燥清潔和干燥的襯底。
在本發明的優選方面中，襯底包含具有吸水性并用作絕緣材料的薄膜。
根據本發明的另一方面，提供一種拋光方法，包括拋光包含具有吸水性并用作絕緣材料的薄膜的襯底以便形成拋光的襯底；清洗和干燥所拋光的襯底以便形成清潔和干燥的襯底；以及去除殘留在薄膜中的水以便脫水和干燥清潔和干燥的襯底。
圖1A是根據本發明的第一實施例，通過止回閥將其載體本體連接到真空源以便在載體中逐漸形成真空的脫水干燥裝置的示意橫截面圖；圖1B是根據本發明的第一實施例，從真空源斷開其載體本體同時在載體中維持所形成的真空的脫水干燥裝置的示意橫截面圖；圖2是根據本發明的第二實施例的脫水干燥裝置的示意橫截面圖；圖3是根據本發明的第三實施例的脫水干燥裝置的示意橫截面圖；圖4是具有根據本發明的第四實施例的脫水干燥裝置的襯底處理裝置的示意圖；圖5是具有根據本發明的第五實施例的脫水干燥裝置的襯底處理裝置的示意圖；圖6是具有根據本發明的第六實施例的脫水干燥裝置的襯底處理裝置的示意圖。
具體實施例方式
下面，將參考附圖，描述根據本發明的實施例的脫水干燥方法、脫水干燥裝置和襯底處理裝置。圖1A和1B是表示根據本發明的第一實施例，用于執行脫水和干燥襯底的方法的脫水干燥裝置的示意橫截面圖。如圖1A和1B所示，載體10用來在半導體制作設備的裝置間容納和承載襯底15。載體10包括具有在其側壁中限定的開口的載體本體(本體構件)11，以及用來密封地關閉載體本體11的開口的蓋12。蓋12具有用于允許載體本體11的內部空間與真空源14連通的止回閥13。載體本體11能在其中以預定垂直間隔容納多個襯底15。
如圖1A所示，襯底15容納和位于載體10的載體本體11中。通過止回閥13，將載體本體11連接到真空源14。由真空源14抽空載體本體11的內部空間以便在其中逐漸形成高真空，因此，使容納在載體本體11中的襯底15暴露于高真空。因此，例如，在執行使用超純水等等的濕處理，諸如清洗處理后，去除留在襯底15的表面上形成的、具有親水性和/或吸水性的多孔膜，諸如低k膜中的水以便干燥薄膜和襯底15。在使具有親水性和/或吸水性的這種薄膜暴露在襯底15的每一個的表面上時，由于在濕處理期間，薄膜俘獲水分子，要求襯底15充分地脫水和干燥。因此，在執行濕處理后，在將襯底15容納在載體10中前，最好通過初步干燥處理，諸如旋轉干燥處理初步干燥襯底15，以便能降低用于脫水和干燥襯底15的載體10上的任何負擔，以及充分地脫水和干燥襯底15。初步干燥處理可以是N2氣流處理、Marangoni干燥處理、使用IPA(異丙醇)的吸引(pull-up)干燥處理等等。
在脫水和干燥襯底15后，從止回閥13斷開真空源14，如圖1B所示，以及將所形成的真空維持在載體10中。盡管在本實施例中，在蓋12中設置止回閥13，可以在載體本體11的側壁中設置止回閥13。
盡管在這些圖中未示出，通過將高溫N2氣體等等引入載體10中，或將輻射熱從輻射熱源施加到襯底15上，可以加熱襯底15。另外，可以將輻射熱施加到襯底15上以便加熱襯底15同時將真空維持在載體10中。另外，可以使襯底15暴露于真空、干燥氣體或高溫氣體，或可以加熱，或可以經受這種暴露和這種加熱組合。特別地，使載體本體11連接到真空源14以便在載體10中逐漸形成真空，以及在載體10中的真空下，脫水和干燥襯底15。此后，將干燥氣體或高溫氣體諸如高溫N2氣體引入到載體本體11以便加熱襯底15。用這種方式，能有效地脫水和干燥襯底15。在上述實施例中，通過蓋12關閉載體本體11的開口以便使載體10的內部空間氣密。另外，可以用蓋完全覆蓋載體11以便使載體10的內部空間氣密。
圖2表示根據本發明的第二實施例，用于執行脫水和干燥襯底的方法的脫水干燥裝置的示意橫截面圖。如圖2所示，載體10用來在半導體制作設備的裝置間容納和承載襯底15。載體10包括具有在其側壁中限定的開口的載體本體11，以及用來關閉載體本體11的開口以便使載體10的內部空間氣密的蓋12。載體本體11在其中具有襯底存儲室16，用于以預定垂直間隔容納多個襯底15。在襯底存儲室16的側壁17和載體本體11的內壁表面間設置一氣體循環通道18。氣體循環通道18在其中容納一風扇19、脫水過濾器20和HEPA過濾器21。脫水過濾器20用作為用于去除氣體中的水的過濾器，以及HEPA過濾器21用作為用于捕獲和去除氣體中的粒子的空氣過濾器。
圖2所示的脫水干燥操作如下襯底15容納和位于在載體本體11中提供的襯底存儲室16中，以及用蓋12關閉載體本體11的開口以便氣密地密封載體10的內部空間。將干燥氣體諸如干燥N2氣體引入到載體10中，以及驅動風扇19以便通過氣體循環通道18，在襯底存儲室16中循環干燥氣體。用這種方式，循環干燥氣體有效地去除每個襯底15的水，特別是留在每個襯底15上形成的、具有親水性和/或吸水性的多孔膜中的水，從而脫水和干燥多孔膜和襯底15。由脫水過濾器20去除包含在循環氣體中的水，以及由HEPA過濾器21去除包含在循環氣體中的粒子。在第二實施例中，由蓋12關閉載體本體11的開口以便使載體10的內部空間氣密。另外，可以用一蓋完全覆蓋載體10以便使載體10的內部空間氣密。
圖3表示根據本發明的第三實施例，用于執行脫水和干燥襯底的方法的脫水干燥裝置的示意橫截面圖。如圖3所示，載體10用來在半導體制作設備的裝置間容納和承載襯底15。載體10包括具有在其側壁中限定的開口的的載體本體11，以及用于關閉載體本體11的開口以便使載體10的內部空間密封的蓋12。載體本體11在其中具有襯底存儲室16，用于以預定垂直間隔容納多個襯底15。在襯底存儲室16上設置一氣體引入室22。在氣體引入室22中設置有風扇19、脫水過濾器20和HEPA過濾器21，它們在其中連續地排列。載體本體11具有在氣體引入室22上，在其上側壁中限定的開口11a以及在襯底存儲室16下，在其底壁中限定的開口11b。
圖3所示的脫水干燥裝置操作如下襯底15容納和位于載體10的襯底存儲室16中，以及通過蓋12關閉載體本體11的開口以便氣密地密封載體10的內部空間。此后，驅動風扇19以便通過開口11a將干燥氣體或高溫氣體引入氣體引入室22中。通過脫水過濾器20和HEPA過濾器21去除包含在氣體中的水和粒子。通過氣體引入室22將氣體引入襯底存儲室16中，然后從開口11b排出。用這種方式，能有效地去除容納在襯底存儲室16中的每個襯底15上的水，特別是存在于在每個襯底15上形成的、具有親水性和/或吸水性的多孔膜中的水，從而脫水和干燥襯底15。
圖4表示根據本發明的第四實施例，具有用于執行脫水和干燥襯底的方法的脫水干燥裝置的襯底處理裝置的示意圖。如圖4所示，襯底處理裝置30包括襯底處理室31，其中執行各種處理包括濕處理，諸如清洗，以及與襯底處理室31相鄰放置的加載/卸載(L/UL)室32，用于加載和卸載在其中容納襯底15的載體10。
加載/卸載室32包括載體基座33，在其上放置在其中容納襯底15的載體10。加載/卸載室32還包括氣體引入通道34，用于將干燥氣體或高溫氣體輸送(吹)到容納在放在載體基座33上的載體10中的襯底15上。在氣體引入通道34中提供風扇19、脫水過濾器20和HEPA過濾器21。
襯底處理裝置30操作如下在襯底處理室31中執行各種處理，以及由機器人等等(未示出)將已經清洗和旋轉干燥過的襯底15傳送并放置在載體10中。在這種情況下，驅動位于氣體引入室34中的風扇19以便使干燥氣體或高溫氣體引導到氣體引入通道34中。通過脫水過濾器20和HEPA過濾器21去除包含在氣體中的水和粒子，以及使干燥氣體或高溫氣體吹到容納在載體10中的襯底15上。因此，能有效地去除每個襯底15上的水，特別是存在于形成在每個襯底15上的、具有親水性和/或吸水性的多孔膜中的水，從而脫水和干燥襯底15。
如圖4所示，如由箭頭A所示，能向上和向下移動氣體引入通道34。當將襯底15移動到位于載體基座33上的載體10或從其移離襯底15時，向下移動氣體引入通道34。當將干燥氣體或高溫氣體吹到襯底15，將氣體引入通道34向上移動到氣體引入通道34的氣體出口與載體10的開口對準的位置。
在圖1A到4所示的實施例中，脫水和干燥襯底15同時將襯底15容納在載體10中而不旋轉襯底15和載體10。因此，由于不需要用于旋轉襯底15和/或載體10的任何機構，能簡化脫水干燥裝置的結構。
如圖4所示，半導體制作裝置通常包括用于處理襯底的襯底處理室31，以及用于將襯底15移向或移離襯底處理室31以及移動容納在半導體制作裝置和該裝置的外部之間的載體中的襯底15的加載/卸載室32。具有這種結構的裝置的一個例子是CMP(化學機械拋光)裝置。在CMP裝置中，通常，在拋光單元中逐個拋光襯底15，以及清洗和干燥(例如旋轉干燥)已經在拋光單元中拋光的襯底15，然后返回到載體10。在CMP裝置中，采用將具有干燥襯底15的載體10引入加載/卸載室32以及從加載/卸載室321移出具有處理過的干燥襯底15的載體10的干進(dry-in)和干出(dry-out)方法。
如上所述，通過旋轉干燥處理等等，已經干燥從襯底處理室31移進載體10中的襯底15。然而，最好應當進一步脫水和干燥具有多孔膜諸如低k膜的襯底15以便去除包含在多孔膜中的水。因此，最好通過圖5所示的處理脫水和干燥襯底15。
如圖5所示，襯底處理裝置40包括用于執行第一處理41和第二處理42的裝置，以及用于在第二處理42后，執行后續脫水和干燥處理的真空干燥設備43。如第一處理41，通過拋光處理拋光襯底15，然后通過如第二處理42的清洗和干燥(例如旋轉干燥)處理清洗和干燥襯底15。此后，通過真空干燥設備43，脫水和干燥襯底15，然后傳送到載體10中。
真空干燥設備43具有用于容納襯底15的真空室。真空室容納已經在第二處理42中清洗和干燥過的襯底15，并且抽空以便在其中逐漸形成高真空，以便使真空室中的襯底15暴露于高真空，由此用于真空干燥襯底15。用這種方式，能去除留在已經在第二處理42中通過旋轉干燥等等清洗和干燥過的襯底15上形成的具有吸水性和/或親水性的多孔膜中的水。
盡管在圖中未示出，可以用具有用于加熱和干燥襯底的加熱室的熱干燥設備替換真空干燥設備43。在使用熱干燥設備的情況下，已經在第二處理42中清洗和干燥過的襯底15容納在加熱室中，以及加熱該加熱室的內部空間以便干燥襯底15。在這種情況下，由于加熱，使襯底15的氧化加速，要求用惰性氣體代替加熱室中的空氣。不管是否使用真空干燥設備或加熱干燥設備，由于必須保持室氣密以便抽空室或用惰性氣體替換室中的大氣，干燥設備最好應當包括用于逐個處理襯底的單個襯底處理機構，因為這種機構要求小容積室。
使用真空干燥設備43的上述方法在真空室中逐漸形成真空中要求長的處理時間，以及使用加熱干燥設備的方法在加熱該加熱室的內部空間以及冷卻加熱室的加熱的內部空間中需要長的處理時間。因此，最好使用圖6所示的方法。
如圖6所示，襯底處理裝置40包括用于執行第一處理41和第二處理42的裝置，以及位于第二處理42的下游的三個真空干燥設備43-1、43-2和43-3。分將已經由第二處理42清洗和干燥過的襯底15分布并容納在三個真空干燥設備43-1、43-2和43-3中，然后由三個真空干燥設備43-1、43-2和43-3同時脫水和干燥。
通過圖6所示的襯底處理裝置40，如果第一處理(拋光處理)41和第二處理(清洗和干燥處理)42的間歇時間很短，那么能在不降低襯底處理裝置40的處理速度的情況下處理襯底15。然而，在這種情況下，具有三個真空干燥設備43-1、43-2和43-3的襯底處理裝置40易于尺寸大。可以用具有分別用于加熱和干燥襯底的加熱室的加熱干燥設備代替真空干燥設備43-1、43-2和43-3。
如圖5所示，其中單個真空干燥設備43或單個加熱干燥設備位于第二處理(清洗和干燥處理)42的下游的襯底處理裝置40要求長的處理時間。如圖6所示，其中三個真空干燥設備43-1、43-2和43-3或三個加熱干燥設備位于第二處理(清洗和干燥處理)的下游的襯底處理裝置40易于大尺寸。如圖1A至3所示，用于脫水和干燥容納在載體10中的襯底15的裝置能在不增加處理時間和裝置大小的情況下，脫水和干燥襯底。
根據本發明的襯底處理裝置可以應用于具有溫處理的裝置，諸如濕蝕刻裝置、清洗裝置等等，以及CMP裝置。
盡管在上述實施例中，已經描述了具有薄膜諸如低k薄膜的襯底，本發明可應用于不具有薄膜的襯底、具有互連的襯底和其他襯底。
根據本發明，能獲得下述良好的優點1)由于在襯底容納在可用來承載用于執行某些處理的裝置間的襯底的載體中的情況下，襯底被脫水和干燥而不被旋轉，能與襯底的其他處理分離地脫水和干燥襯底，因此，通過這些脫水和干燥處理，不影響襯底處理裝置的襯底處理時間。另外，在襯底具有吸水性的多孔膜，諸如低k薄膜的情況下，例如，能充分地去除存在于多孔膜中的水，因此，能防止多孔膜膨脹從而變形。另外，當在高真空或超高真空的情況下，執行襯底的后續處理時，由于充分地脫水和干燥襯底，能實現在這一處理中所需的真空度。
2)由于通過暴露于真空，或暴露于干燥氣體，或暴露于真空和/或干燥氣體并與加熱組合地進行，脫水和干燥容納在載體中的襯底，能有效地去除存在于形成在襯底上、具有吸水性的多孔膜，諸如低k膜中的水。
3)由于在將襯底容納在載體中前，初步干燥(例如旋轉干燥)襯底，通過初步干燥過程去除附著到襯底的表面上的水。有效地去除存在于在襯底上形成的、具有吸水性的多孔膜諸如低k膜中的水同時在載體中脫水和干燥襯底。另外，由于通過初步干燥處理，已經從襯底上去除大部分水，能降低載體中的脫水和干燥負擔，因此，能充分地脫水和干燥襯底。
4)在襯底上形成具有吸水性屬性的薄膜的情況下，特別是在將具有吸水性的薄膜暴露在襯底的表面上的情況下，通過旋轉干燥處理等等不能易于去除存在于這種薄膜中的水。在本發明中，由于脫水和干燥襯底同時襯底容納在用來承載裝置間的襯底的載體中，能在不影響襯底處理裝置的襯底處理時間的情況下，脫水和干燥襯底，因此，能充分地去除存在于具有吸水性的薄膜中的水。另外，當在高真空或超真空的情況下執行襯底的后續處理時，由于已經充分地脫水和干燥襯底，能實現在這一處理中需要的真空度。
5)在根據本發明的脫水干燥裝置中，由于在不旋轉的情況下，通過脫水干燥裝置脫水和干燥襯底同時襯底容納在用來承載裝置間的襯底的載體中，能與襯底的其他處理分開地脫水和干燥襯底，因此，通過這種脫水和干燥處理，不影響襯底處理裝置的襯底處理時間。另外，在襯底具有吸水性的多孔膜，諸如低k膜的情況下，例如，能充分地去除多孔膜中的水，因此，能防止多孔膜膨脹從而變形。另外，當在高真空或超高真空下執行襯底的后續處理時，由于充分地脫水和干燥襯底，能實現在這一過程中所需的真空度。因為通過暴露于真空，或暴露于干燥氣體，或暴露于真空和/或干燥氣體并結合加熱，脫水和干燥容納在載體中的襯底，能有效地去除形成在襯底上、具有吸水性的多孔膜，諸如低k膜中的水。
6)在根據本發明的襯底處理裝置中，由于通過脫水干燥裝置脫水和干燥已經處理過的襯底，這種脫水和干燥處理不影響襯底處理裝置的后續處理時間。另外，能充分地去除殘存在襯底上形成的、具有吸水性的多孔膜，諸如低k膜中的水以便脫水和干燥襯底。另外，不必安裝用于在襯底處理裝置中脫水和干燥襯底的機構，從而能防止襯底處理裝置尺寸大。
工具應用性本發明可用于能脫水和干燥已經在用在半導體制作過程等等中的濕處理中處理過的襯底的脫水干燥方法、脫水干燥裝置和襯底處理裝置。
權利要求
1.一種用于脫水和干燥襯底的脫水干燥方法，包括脫水和干燥襯底，同時將襯底容納在用來承載襯底的載體中。
2.如權利要求1所述的脫水干燥方法，其特征在于，在不旋轉的情況下，脫水和干燥容納在所述載體中的襯底。
3.如權利要求1或2所述的脫水干燥方法，其特征在于，所述載體用來在用于執行一些處理的裝置間承載襯底。
4.如權利要求1至3的任何一個所述的脫水干燥方法，其特征在于，通過暴露于真空，脫水和干燥容納在所述載體中的襯底。
5.如權利要求1至3的任何一個所述的脫水干燥方法，其特征在于，通過暴露于干燥氣體，脫水和干燥容納在所述載體中的襯底。
6.如權利要求1至3的任何一個所述的脫水干燥方法，其特征在于，通過加熱，或通過暴露于真空和/或干燥氣體并結合加熱，脫水和干燥容納在所述載體中的襯底。
7.如權利要求1至6的任何一個所述的脫水干燥方法，進一步包括在將襯底容納在所述載體中前，初步干燥襯底。
8.如權利要求7所述的脫水干燥方法，其特征在于，通過旋轉干燥處理初步干燥襯底。
9.如權利要求1至8的任何一個所述的脫水干燥方法，其特征在于，襯底包含具有吸水性的薄膜。
10.一種用于脫水和干燥襯底的脫水干燥裝置，包括脫水干燥設備，用于脫水和干燥襯底同時將襯底容納在用來承載襯底的載體中。
11.如權利要求10所述的脫水干燥裝置，其特征在于，在不旋轉的情況下，脫水和干燥容納在所述載體中的襯底。
12.如權利要求10或11所述的脫水干燥裝置，其特征在于，所述載體用來在用于執行一些處理的裝置間承載襯底。
13.如權利要求10至12的任何一個所述的脫水干燥裝置，其特征在于，所述脫水干燥設備通過使襯底暴露于真空，脫水和干燥容納在所述載體中的襯底。
14.如權利要求10至12的任何一個所述的脫水干燥裝置，其特征在于，所述脫水干燥設備通過使襯底暴露于干燥氣體，脫水和干燥容納在所述載體中的襯底。
15.如權利要求10至12的任何一個所述的脫水干燥裝置，其特征在于，所述脫水干燥設備通過加熱所述襯底，或通過使所述襯底暴露于真空和/或干燥氣體并結合加熱所述襯底，脫水和干燥容納在所述載體中的襯底。
16.一種用于處理襯底的襯底處理裝置，包括脫水干燥裝置，用于脫水和干燥在一過程中已處理過的襯底；其特征在于，所述脫水干燥裝置包括脫水干燥設備，用于脫水和干燥襯底，同時襯底容納在用來承載襯底的載體中。
17.如權利要求16所述的襯底處理裝置，其特征在于，在不旋轉的情況下，脫水和干燥容納在所述載體中的襯底。
18.如權利要求16或17所述的襯底處理裝置，其特征在于，所述載體用來在用于執行一些處理的裝置間承載襯底。
19.如權利要求16至18的任何一個所述的襯底處理裝置，其特征在于，所述脫水干燥設備通過使襯底暴露于真空，脫水和干燥容納在所述載體中的襯底。
20.如權利要求16至18的任何一個所述的襯底處理裝置，其特征在于，所述脫水干燥設備通過使襯底暴露于干燥氣體，脫水和干燥容納在所述載體中的襯底。
21.如權利要求16至18的任何一個所述的襯底處理裝置，其特征在于，所述脫水干燥設備通過加熱所述襯底，或通過使所述襯底暴露于真空和/或干燥氣體并結合加熱所述襯底，脫水和干燥容納在所述載體中的襯底。
22.一種拋光方法，包括拋光襯底以便形成一拋光的襯底；清洗和干燥所拋光的襯底以便形成清潔和干燥的襯底；以及通過真空干燥設備，脫水和干燥清潔和干燥的襯底。
23.如權利要求22所述的拋光方法，其特征在于，襯底包含具有吸水性并用作為絕緣材料的薄膜。
24.一種拋光方法，包括拋光襯底以形成拋光的襯底；清洗和干燥所拋光的襯底以便形成清潔和干燥的襯底；以及通過加熱干燥設備，脫水和干燥清潔和干燥的襯底。
25.如權利要求24所述的拋光方法，其特征在于，襯底包含具有吸水性并用作為絕緣材料的薄膜。
26.一種拋光方法，包括拋光包含具有吸水性并用作為絕緣材料的薄膜的襯底以便形成一拋光的襯底；清洗和干燥所拋光的襯底以便形成清潔和干燥的襯底；以及去除殘留在所述薄膜中的水以便脫水和干燥清潔和干燥的襯底。
全文摘要
脫水干燥方法脫水和干燥襯底。在不旋轉的情況下脫水和干燥襯底(15)同時襯底(15)容納在用來在用于執行一些處理的裝置間承載襯底(15)的載體(10)中。
文檔編號H01L21/3105GK1639849SQ0380556
公開日2005年7月13日 申請日期2003年3月5日 優先權日2002年3月8日
發明者阿藤浩司, 戶川哲二 申請人:株式會社荏原制作所