用納米材料作為鈍化膜的半導體整流芯片的制作方法

專利名稱：用納米材料作為鈍化膜的半導體整流芯片的制作方法
專利說明
一、技術領域本實用新型涉及一種半導體整流芯片，尤其與用納米材料作為鈍化膜的半導體整流芯片有關。
二背景技術：
現在的半導體整流器件芯片保護層通常是在臺面上采用半絕緣多晶硅，氮化硅，二氧化硅或其多層復合膜做第一層保護膜，再在第一層保護膜上敷設玻璃層，存在著①敷設第一層保護膜，需要非常昂貴的設備，會使制造成本大大增加；②化學氣相沉積的條件(厚度、成份)難以控制；③化學氣相沉積需要用到危險易爆的氣體硅烷，操作不安全；④如果直接刮玻璃層會產生燒結后玻璃與硅表面之間有氣泡而影響電性能等不足。
三
發明內容
本實用新型的目的是提供一種制造成本低廉，工藝簡單，電性能好，生產效率高的用納米材料作為鈍化膜的半導體整流芯片。
為達到上述目的，本實用新型是通過以下技術解決方案實現的用納米材料作為鈍化膜的半導體整流芯片，包括芯片體，上層，下層，切割面，臺面，納米材料鈍化保護層及保護層，納米材料鈍化保護層設于臺面上，保護層設于納米材料鈍化保護層上。
所述的用納米材料作為鈍化膜的半導體整流芯片，其納米材料鈍化保護層為分散的納米級硅酸鹽絕緣材料，保護層為硅酸鹽絕緣材料。
本實用新型與現有技術相比具有以下優點(一)是納米保護內膜可用旋涂法涂覆，效率非常高；(二)是納米保護內膜的燒結條件范圍很寬，不需要特別精確控制；(三)是由于是納米材料形成的保護膜，故其非常致密；(四)是由于納米保護膜的膨脹系數接近硅，故沒有界面應力；(五)是如果適當調整成份則與第二層玻璃膜之間可以做到無縫結合，即使第二層玻璃膜內存有氣泡也不會影響電性；(六)是簡化了工藝提高了生產效率；(七)是芯片的常溫、高溫漏電流得到了很大的改善，擊穿電壓獲得了較大提高，并減少了分布范圍。
四

圖1是本實用新型用納米材料作為鈍化膜的半導體整流芯片的結構示意圖。
五具體實施方式
以下結合附圖對本實用新型的實施例作進一步詳細的描述。
如圖1所示，用納米材料作為鈍化膜的半導體整流芯片，包括芯片體1，鎳上層2，鎳下層3，切割面4，臺面5，納米材料鈍化保護層6及保護層7，納米材料鈍化保護層6設于臺面5上，保護層7設于納米材料鈍化保護層6上，納米材料鈍化保護層6為分散的納米級硅酸鹽絕緣材料，保護層7為硅酸鹽絕緣材料，如玻璃。
權利要求1.一種用納米材料作為鈍化膜的半導體整流芯片，包括芯片體(1)，上層(2)，下層(3)，切割面(4)及臺面(5)，其特征在于它還包括納米材料鈍化保護層(6)及保護層(7)，納米材料鈍化保護層(6)設于臺面(5)上，保護層(7)設于納米材料鈍化保護層(6)上。
2.根據權利要求1所述的用納米材料作為鈍化膜的半導體整流芯片，其特征在于納米材料鈍化保護層(6)為分散的納米級硅酸鹽絕緣材料，保護層(7)為硅酸鹽絕緣材料。
專利摘要本實用新型公開了一種用納米材料作為鈍化膜的半導體整流芯片。它包括芯片體，上層，下層，切割面，臺面，納米材料鈍化保護層及保護層，納米材料鈍化保護層設于臺面上，保護層設于納米材料鈍化保護層上。本實用新型具有制造成本低廉，工藝簡單，電性能好，生產效率高等優點。
文檔編號H01L21/02GK2641834SQ03256259
公開日2004年9月15日 申請日期2003年8月1日 優先權日2003年8月1日
發明者謝曉東, 沈春和, 保愛林 申請人:紹興科盛電子有限公司