專利名稱：制造半導(dǎo)體器件的方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及制造半導(dǎo)體器件的方法，尤其涉及適用于形成門柵絕緣膜的方法。
背景技術(shù)：
在制造半導(dǎo)體器件時，由于極微小顆粒和極微量雜質(zhì)的附著阻礙了高性能、高可靠半導(dǎo)體器件的實現(xiàn)，因此在某個制造過程和隨后的制造過程之間執(zhí)行半導(dǎo)體基底的清潔過程。為了進行這種清潔過程，可使用各種清潔方法，在這些清潔方法當(dāng)中，使用含有鹽酸或類似物質(zhì)的溶劑的濕法清潔是目前的主流。
然而，當(dāng)準(zhǔn)備在半導(dǎo)體基底上形成絕緣膜時，在半導(dǎo)體基底經(jīng)歷上述濕式清潔之后，在后續(xù)的放置時間內(nèi)會附著一定數(shù)量的諸如有機物質(zhì)的雜質(zhì)。通常，因為在進行濕式清潔時形成的化學(xué)氧化膜包括含有鹽酸，其中附著諸如有機物質(zhì)的雜質(zhì)的溶劑，隨著放置時間的流逝，雜質(zhì)會產(chǎn)生不利影響。
更具體地，當(dāng)形成包圍上述化學(xué)氧化膜的門柵氧化膜或隧道氧化膜時，存在一個問題，即隨著濕法清潔和形成氧化膜之間的放置時間的持續(xù)，諸如有機物質(zhì)的雜質(zhì)的附著引起氧化膜的絕緣性能的迅速退化，使得可靠性得不到保證。
發(fā)明內(nèi)容
鑒于上述問題提出了本發(fā)明，其目的在于實現(xiàn)可靠半導(dǎo)體器件的制造方法，其中在形成諸如門柵絕緣膜，隧道絕緣膜等等的絕緣膜(第二絕緣膜)時減少了雜質(zhì)數(shù)量。
在進行刻苦研究之后，本發(fā)明人提出了下述形式的發(fā)明。
本發(fā)明制造半導(dǎo)體器件的方法的特征在于包括以下步驟在清潔半導(dǎo)體基底的表面之后，通過使用強酸溶劑氧化半導(dǎo)體基底的表面，形成第一絕緣膜；通過低溫處理形成包圍第一絕緣膜的第二絕緣膜。
圖1A和圖1B是說明本發(fā)明制造半導(dǎo)體器件的方法的基本結(jié)構(gòu)的示意圖；圖2A至圖2D是按照過程順序說明本發(fā)明實施例中制造SONOS型半導(dǎo)體存儲器器件的方法的橫截面示意圖；圖3A至圖3D是繼圖2A至圖2D之后按照過程順序說明本發(fā)明實施例中制造SONOS型半導(dǎo)體存儲器器件的方法的橫截面示意圖；圖4A至圖4D是繼圖3A至圖3D之后按照過程順序說明本發(fā)明實施例中制造SONOS型半導(dǎo)體存儲器器件的方法的橫截面示意圖；圖5A至圖5C是繼圖4A至圖4D之后按照過程順序說明本發(fā)明實施例中制造SONOS型半導(dǎo)體存儲器器件的方法的橫截面示意圖；圖6A和圖6B是實施例中SONOS型半導(dǎo)體存儲器器件的存儲器區(qū)域的示意圖；圖7是進行等離子氧化和等離子氮化的等離子處理器的示意方框圖；圖8A和圖8B是門柵絕緣膜的承受電壓的特性圖表。
具體實施例方式
-本發(fā)明的半導(dǎo)體器件制造方法的基本結(jié)構(gòu)-本發(fā)明的半導(dǎo)體器件制造方法的基本結(jié)構(gòu)將在下文中進行闡述。
通常，通過使用含有鹽酸的溶劑進行濕式清潔在半導(dǎo)體基底上形成薄化學(xué)氧化膜。然而，這個使用含有鹽酸的溶劑形成的化學(xué)氧化膜因其表面的不規(guī)則而具有較大的表面面積，使得諸如有機物質(zhì)的雜質(zhì)容易附著其上。因此，當(dāng)通過低溫處理(650℃或者更低的溫度)而不是熱氧化(例如通過直接等離子氧化或直接等離子氮化)形成諸如門柵氧化膜或隧道氧化膜的絕緣膜以包圍這個化學(xué)氧化膜時，由于其較低的形成溫度，諸如有機物質(zhì)的雜質(zhì)未被清除。因此，雜質(zhì)會產(chǎn)生非常不利的影響。
在上述環(huán)境下，本發(fā)明人提出了一種制造半導(dǎo)體器件的方法，用于使在濕式清潔時形成的化學(xué)氧化膜成為均勻和密實的膜，從而不允許諸如有機物質(zhì)的雜質(zhì)容易地附著其上。
圖1A和圖1B是說明本發(fā)明制造半導(dǎo)體器件的方法的基本結(jié)構(gòu)的示意圖。
如圖1A所示，通過使用比含鹽酸溶劑酸性更強的溶劑(例如含有氮酸或含有臭氧的溶劑)進行濕式清潔，在半導(dǎo)體基底1上形成化學(xué)絕緣膜(第一絕緣膜)100。此時，因為使用強酸溶劑形成的氧化膜100具有強酸性，因此可以使得到的化學(xué)絕緣膜比使用含鹽酸的溶劑形成的絕緣膜更均勻和更密實。因此，可以減少其表面積，并且不允許諸如有機物質(zhì)的雜質(zhì)容易地附著。
隨后如圖1B所示，通過使用等離子體或類似物質(zhì)的低溫處理形成包圍化學(xué)氧化膜100的門柵絕緣膜(第二絕緣膜)200。此時，由于所得到的門柵絕緣膜200被形成為包圍不允許諸如有機物質(zhì)的雜質(zhì)容易地附著的化學(xué)氧化膜100，與包圍使用含鹽酸溶劑形成的化學(xué)氧化膜的門柵絕緣膜相比，可以使門柵絕緣膜200具有更少量的雜質(zhì)。
如上所述，使用用于濕式清潔的強酸溶劑形成在半導(dǎo)體基底1上形成的化學(xué)絕緣膜100，因此能夠減少在濕式清潔過程和絕緣膜形成過程之間附著到化學(xué)絕緣膜100的雜質(zhì)的數(shù)量。這能夠在進行低溫處理的絕緣膜形成過程中，減少在形成包圍化學(xué)氧化膜100的門柵絕緣膜200時出現(xiàn)的諸如有機物質(zhì)的雜質(zhì)的數(shù)量。因此能夠防止門柵絕緣膜200的絕緣退化。
-應(yīng)用本發(fā)明的具體實施例-下面將參照
基于本發(fā)明制造半導(dǎo)體器件的方法的基本結(jié)構(gòu)的實施例。在這個實施例中，具有嵌入位線型SONOS結(jié)構(gòu)的半導(dǎo)體存儲器器件將作為半導(dǎo)體器件的例子公布出來。這個半導(dǎo)體存儲器件的構(gòu)造使得存儲單元區(qū)域(核心區(qū)域)中的SONOS晶體管為平面型，并且在外圍電路區(qū)域中形成CMOS晶體管。
圖2A至圖5C是按照過程順序說明制造包含這個實施例中的嵌入位線型SONOS晶體管的半導(dǎo)體存儲器器件的方法的橫截面示意圖。其中，每個圖的左面給出的是沿平行線到門柵電極(字線)的核心區(qū)域的橫截面圖，右邊的圖給出的是外圍電路區(qū)域的橫截面圖。
首先如圖2A所示，在含有P-型硅(Si)的半導(dǎo)體基底1上通過熱氧化形成薄膜厚度大約為20nm的氧化硅膜(SiO2膜)11。其后，通過照相平板印刷形成抗蝕劑圖案31，該圖案在外圍電路區(qū)域的晶體管形成區(qū)域上具有開口，并且磷(P)被離子植入整個表面。其后，通過退火使雜質(zhì)熱擴散，以形成N-阱2。其后，經(jīng)過使用O2等離子體的拋光(ashing)等方法清除抗蝕劑圖案31。
其后如圖2B所示，通過照相平板印刷形成在外圍電路區(qū)域的NMOS晶體管形成區(qū)域上具有開口的抗蝕劑圖案32，并且硼(B)被離子植入整個表面上。其后，通過退火使雜質(zhì)熱擴散，以形成P-阱3，從而在NMOS晶體管形成區(qū)域中形成了3阱結(jié)構(gòu)。其后，通過使用O2等離子體的拋光等方法清除抗蝕劑圖案32。
隨后如圖2C所示，通過CVD方法在氧化硅膜11上沉積薄膜厚度大約為100nm的氮化硅薄膜12。接頭，通過照相平板印刷形成在外圍電路區(qū)域的元件隔離區(qū)域上具有開口的抗蝕劑圖案33，并且用干法刻蝕使元件隔離區(qū)域中的氮化硅薄膜12開口。其后，通過使用O2等離子體的拋光等方法清除抗蝕劑圖案33。
隨后如圖2D所示，通過所謂的LOCOS方法僅在氮化硅薄膜12沒有覆蓋的部分形成用于元件隔離的厚氧化硅膜13，以限定元件活動區(qū)域。其后，通過干法刻蝕清除氮化硅薄膜12。
隨后如圖3A所示，通過照相平板印刷形成具有位線形狀的抗蝕劑圖案34，并通過使用這個抗蝕劑圖案34作為掩模，砷(As)被離子植入整個平面上。其后，通過退火使雜質(zhì)熱擴散。通過這些過程，在核心區(qū)域中形成也充當(dāng)源極/漏極的位線擴散層4。其后，通過使用O2等離子體的拋光等方法清除抗蝕劑圖案34。
隨后如圖3B所示，通過使用氫氟酸的濕法刻蝕清除氧化硅薄膜11，以曝露出核心區(qū)域中的半導(dǎo)體基底1的表面，和外圍電路區(qū)域中每個元件活動區(qū)域。
隨后如圖3C所示，通過使用含有氮酸的強酸溶劑在70℃或更高溫度下進行的濕式清潔，形成薄膜厚度為例如大約1.0nm至大約1.5nm的化學(xué)氧化膜(第一絕緣膜)14。這里，由于它是使用強酸溶劑形成的，因而化學(xué)氧化膜14是均勻且密實的膜。
應(yīng)當(dāng)注意，在本發(fā)明中將強酸溶劑定義為氧化程度比含鹽酸溶劑更高的溶劑，并且不限于本實施例中所示的含氮酸溶劑。只要滿足上述基本性質(zhì)，任何溶劑都可以使用。例如，含有臭氧的溶劑或類似的溶劑也都可以使用。
隨后，形成ONO薄膜以作為多層絕緣膜。這里將詳細說明通過微波激勵被用來形成這種ONO薄膜的等離子氧化方法和等離子氮化方法。
具體如圖7所示，配有放射線縫隙天線的等離子處理器被用來進行等離子氧化和等離子氮化。
該等離子處理器1000包含與集群工具1001連通的門閥1002；處理室1005，能夠納入基座1004，基座1004安裝要處理的物體W(本實施例中的半導(dǎo)體基底1)，并且基座1004配有用來在等離子處理時冷卻要處理的物體W的冷卻套1003；連接到處理室的高真空泵1006；微波供給源1010；天線構(gòu)件1020；偏置高頻電源1007和與天線單元1020一起構(gòu)成離子電鍍設(shè)備的匹配器1008；擁有供氣環(huán)1031、1041的供氣系統(tǒng)1030、1040；和控制要處理的物體W的溫度的溫控部件1050。
微波供給源1010包括例如磁控管，并且通常能夠產(chǎn)生2.45GHz的微波(例如5kW)。隨后由模式轉(zhuǎn)換器1012將微波傳輸模式轉(zhuǎn)換到TM、TE、TEM模式或類似模式。
天線構(gòu)件1020含有溫度調(diào)整板1022和接納構(gòu)件1023。溫度調(diào)整板1022連接到溫度控制單元1021，接納構(gòu)件1023接納波長收縮材料1024和與波長收縮材料1024接觸的縫隙電極(沒有示出)。這種縫隙電極被稱為放射線縫隙天線(RLSA)或超高效平板天線。然而在這個實施例中，也可使用不同類型的天線，例如單層波導(dǎo)平板天線，電介質(zhì)基底并行平面縫隙陣列等等。
在使用上述結(jié)構(gòu)的等離子處理器形成本實施例的ONO薄膜時，如圖3D所示，在低溫(650℃或者更低的溫度)下通過等離子氧化方法首先形成包圍化學(xué)氧化膜14、薄膜厚度大約為7nm的隧道氧化膜(氧化硅膜)15a。
更具體地，在大約450℃的溫度下，在含有氧原子的源氣體環(huán)境中使用2kW的微波照射此源氣體，從而產(chǎn)生氧化基(O*基或OH*基)以完成氧化，因此形成隧道氧化薄膜15a。
隨后如圖4A所示，使用SiH4作為源氣體，在530℃的溫度條件下通過CVD方法在隧道氧化膜15a上沉積薄膜厚度大約為10nm的非晶質(zhì)硅薄膜15b。這里，可以形成多晶硅薄膜，而不是非晶質(zhì)硅薄膜。
隨后如圖4B所示，通過等離子氮化方法使非晶質(zhì)硅薄膜15b完全氮化，從而在隧道氧化膜15a上形成氮化硅薄膜15c。
具體地，在大約450℃的溫度條件下，在含有氮原子的源氣體(例如NH3氣體)的環(huán)境中，使用2kW的微波照射這個源氣體以產(chǎn)生氮化基(N*基或NH*基)，由此完成氮化。薄膜厚度大約為10nm的氮化硅薄膜15b完全氮化，從而被薄膜厚度為大約15nm的氮化硅膜15c代替。
隨后如圖4C所示，通過等離子氧化方法氧化氮化硅薄膜15c的表面，以形成氧化硅薄膜15d。
具體地，在450℃的溫度條件下，在含有氧原子的源氣體的環(huán)境中，使用2kW的微波照射這個源氣體以產(chǎn)生氧化基(O*基或OH*基)，因此完成氧化以形成氧化硅膜15d。經(jīng)過這些處理，形成了三個薄膜15a、15c和15d組成的ONO薄膜15。
隨后如圖4D所示，通過照相平板印刷形成在外圍電路區(qū)域上具有開口的抗蝕劑圖案35，并且通過干法刻蝕清除外圍電路區(qū)域中的ONO薄膜15。其后，通過使用O2等離子體的拋光等方法清除抗蝕劑圖案35。
隨后如圖5A所示，在大約1000℃的溫度條件下，對半導(dǎo)體基底1的表面進行高溫加熱處理，并且形成薄膜厚度大約為8nm的氧化硅膜(SiO2膜)。其后，通過照相平板印刷形成在外圍電路區(qū)域的PMOS晶體管形成區(qū)域上方具有開口的未示出抗蝕劑圖案，并且通過使用氫氟酸(HF)的濕式刻蝕清除PMOS晶體管形成區(qū)域中的氧化硅膜。進一步地，通過使用O2等離子體的拋光等方法清除這個未示出的抗蝕劑圖案。其后，半導(dǎo)體基底1的表面再一次在1000℃的溫度條件下經(jīng)過高溫加熱處理，以形成薄膜厚度為大約10nm的氧化硅膜。經(jīng)過這些處理過程，形成兩個不同類型的門柵絕緣膜，即在PMOS晶體管形成區(qū)域中具有大約10nm薄膜厚度的門柵絕緣膜16，和在NMOS晶體管形成區(qū)域中具有大約13nm薄膜厚度的門柵絕緣膜17。
隨后如圖5B所示，用CVD方法將薄膜厚度大約為100nm的多晶硅薄膜18沉積在核心區(qū)域和外圍電路區(qū)域中。進一步地，使用CVD方法將薄膜厚度大約為150nm的鎢硅化物19沉積在多晶硅薄膜18上。
隨后如圖5C所示，通過照相平板印刷并且接著進行干法刻蝕，對鎢硅化物19和多晶硅薄膜18進行布圖(pattern)，以分別在核心區(qū)域，和外圍電路區(qū)域中的PMOS晶體管形成區(qū)域以及NMOS晶體管形成區(qū)域中形成由鎢硅化物19和多晶硅薄膜18組成的門柵電極。此時，核心區(qū)域中的門柵電極被形成為基本上垂直地越過位線擴散層4。
而且，僅在外圍電路區(qū)域中形成具有LDD結(jié)構(gòu)的源極/漏極20、21。
具體地，p-型雜質(zhì)被離子植入PMOS晶體管形成區(qū)域中門柵電極兩側(cè)的半導(dǎo)體基底1的表面上，以形成擴展區(qū)域22。與此同時，在NMOS晶體管形成區(qū)域中，n-型雜質(zhì)被離子植入門柵電極兩側(cè)的半導(dǎo)體基底1的表面上，以形成擴展區(qū)域23。
接著，當(dāng)使用CVD方法將氧化硅薄膜沉積在整個表面上之后，這層氧化硅薄膜的整個表面被各向異性刻蝕(回蝕)，使得僅留下每個門柵電極兩側(cè)的氧化硅薄膜。
接頭，在PMOS晶體管形成區(qū)域中，p-型雜質(zhì)被離子植入門柵電極兩側(cè)的半導(dǎo)體基底1的表面和側(cè)壁上，以形成與擴展區(qū)域22部分重疊的深源極/漏極20。與此同時，在NMOS晶體管形成區(qū)域中，n-型雜質(zhì)被離子植入門柵電極兩側(cè)的半導(dǎo)體基底1的表面和側(cè)壁24上，以形成與擴展區(qū)域23部分重疊的深源極/漏極21。
其后，形成覆蓋整個表面，接觸孔，通孔，各種導(dǎo)線層等等的若干層的層間絕緣膜，并且在頂層上形成保護絕緣膜(均未示出)，使得在半導(dǎo)體基底1上，在核心區(qū)域中形成SONOS存儲器單元陣列，并且在外圍電路區(qū)域中形成CMOS晶體管。此時，核心區(qū)域中的位線擴散層4支持有(back with)導(dǎo)線。這里，圖6A中示出了核心區(qū)域的示意圖，圖6B中示出了沿圖6A中的I-I切線所截取的橫截面視圖和沿II-II切線所截取的橫截面視圖。如圖6A所示，在位線擴散層4中，在預(yù)定位置形成用于背上導(dǎo)線的接觸孔形成部分25，每個接觸孔形成部分25在16條字線19中的一條字線19處形成。
經(jīng)過上述處理過程，完成了本實施例的半導(dǎo)體存儲器器件的制造。
在該實施例中，將LOCOS方法用作元件隔離方法，但可以使用STI(淺溝隔離)方法。而對于等離子氧化，可以使用將源氣體導(dǎo)入普通單晶片處理類型的等離子室中以產(chǎn)生氧基(O*)的方法。作為門柵電極，在多晶硅薄膜上形成鎢硅化物，但可以使用鈷等材料完成硅化。核心區(qū)域由平板型晶體管構(gòu)成，但是可以使用所謂的氧化位線型晶體管。半導(dǎo)體基底可以是N-型的，并且晶面取向可以是(100)或(111)。而且，可以在8條字線，32條字線或20條字線中的一條字線處支持(back)位線。進一步地說，這個實施例中的核心區(qū)域的存儲器單元陣列的結(jié)構(gòu)是虛擬接地型的，然而它可以是NOR型的，NAND型的，或可以具有其它結(jié)構(gòu)。
-半導(dǎo)體器件的特性驗證結(jié)果-在圖1A和圖1B所示的半導(dǎo)體器件中，在象常規(guī)方法中那樣使用含鹽酸溶劑形成化學(xué)氧化膜(第一絕緣膜)100的情況，和使用如本實施例所示的含氮酸溶劑形成化學(xué)氧化膜的情況之間進行電特性驗證比較。
圖8A和圖8B是門柵絕緣膜200的承受電壓的特性圖表。圖8A是其中使用含鹽酸溶劑形成化學(xué)氧化膜100的半導(dǎo)體器件的特性圖表，圖8B是其中使用含氮酸溶劑形成化學(xué)氧化膜100的半導(dǎo)體器件的特性圖表。其中，每個溶劑的濃度大約為10wt％至60wt％。
在這些特性圖表中，垂直軸給出的是累積失效率，水平軸給出的是導(dǎo)致門柵絕緣膜200電介質(zhì)擊穿的電量。一個實線連接的特性針對一個半導(dǎo)體器件?！?’是一測量樣本，其中在形成化學(xué)氧化膜100之后立即通過低溫處理(O*基)形成門柵絕緣膜200?！?’是一測量樣本，其中在形成化學(xué)氧化膜100之后，并且將半導(dǎo)體基底原樣保留一小時之后，通過低溫處理形成門柵絕緣膜200?！?’是一測量樣本，其中在以類似方式將半導(dǎo)體基底原樣保留二小時之后形成門柵氧化膜200。‘4’是一測量樣本，其中在將半導(dǎo)體基底原樣保留三小時之后形成門柵氧化膜200。
可以看出，當(dāng)形成門柵氧化膜200之前的放置時間變長時，圖8A所示的半導(dǎo)體器件(其中使用含鹽酸溶劑形成化學(xué)氧化膜100)表現(xiàn)出大大降低的承受電壓。原因可以設(shè)想如下。由于其表面上的不規(guī)則性使得使用含鹽酸溶劑形成的化學(xué)氧化膜100的表面積很大，從而允許諸如有機物質(zhì)的雜質(zhì)容易地附著，因此附著其上的雜質(zhì)的數(shù)量隨放置時間的持續(xù)而增加，并且承受電壓由于這些雜質(zhì)而大大地降低。
另一方面，即使在門柵絕緣膜200的形成之前的放置時間變長時，如圖8B所示的半導(dǎo)體器件(其中使用含氮酸溶劑形成化學(xué)氧化膜100)也不會表現(xiàn)出承受電壓的降低。原因可以設(shè)想如下。因為使用含氮酸溶劑形成的化學(xué)氧化膜100均勻且密實，諸如有機物質(zhì)的物質(zhì)不容易附著其上，且即使放置時間變長時，附著其上的雜質(zhì)的數(shù)量也不會改變，因此也不會引起承受電壓的降低。
圖8A和圖8B所示的驗證結(jié)果已經(jīng)證明，當(dāng)使用含氮酸溶劑(強酸溶劑)形成化學(xué)氧化膜100，其防止絕緣膜的絕緣性能退化的程度大于當(dāng)使用含鹽酸溶劑形成化學(xué)氧化膜100時所達到的程度。
當(dāng)通過低溫處理形成第二絕緣膜時，形成第二絕緣膜以便包圍使用強酸溶劑形成的第一絕緣膜，因此能夠使第二絕緣膜只含有少量諸如有機物質(zhì)的雜質(zhì)。這允許實現(xiàn)一種半導(dǎo)體器件制造方法，其中當(dāng)減少對半導(dǎo)體基底的應(yīng)力的同時，防止門柵絕緣膜的絕緣性能退化。
本實施例在所有方面均應(yīng)被認為是示例性和非限制性的，并且在所有權(quán)利要求的等價含義和范圍內(nèi)的所有變化都被包含其中。本發(fā)明可以通過不背離本發(fā)明的精神或基本特征的其它具體形式來實施。
權(quán)利要求
1.制造半導(dǎo)體器件的方法，包括步驟在清潔半導(dǎo)體基底的表面之后，通過使用強酸溶劑氧化所述半導(dǎo)體基底的表面，以形成第一絕緣膜；通過低溫處理形成包圍所述第一絕緣膜的第二絕緣膜。
2.如權(quán)利要求1的制造半導(dǎo)體器件的方法，其中在含有基(radical)的氣體環(huán)境中形成所述第二絕緣膜。
3.如權(quán)利要求1的制造半導(dǎo)體器件的方法，其中在含有氧基的氣體環(huán)境中通過等離子氧化形成所述第二絕緣膜。
4.如權(quán)利要求1的制造半導(dǎo)體器件的方法，其中在含有氮基的氣體環(huán)境中通過等離子氮化形成所述第二絕緣膜。
5.如權(quán)利要求1的制造半導(dǎo)體器件的方法，其中所述第二絕緣膜被形成為ONO膜。
6.如權(quán)利要求1的制造半導(dǎo)體器件的方法，其中所述強酸溶劑是含氮酸溶劑。
7.如權(quán)利要求6的制造半導(dǎo)體器件的方法，其中所述含氮酸溶劑的溫度為70℃或更高。
8.如權(quán)利要求1的制造半導(dǎo)體器件的方法，其中所述強酸溶劑是含臭氧溶劑。
9.如權(quán)利要求1的制造半導(dǎo)體器件的方法，其中所述低溫處理是在650℃或更低的溫度下進行的。
10.如權(quán)利要求1的制造半導(dǎo)體器件的方法，其中所述第一絕緣膜的薄膜厚度是1nm或更多。
11.如權(quán)利要求1的制造半導(dǎo)體器件的方法，其中所述第二絕緣膜是門柵絕緣膜或隧道絕緣膜。
12.如權(quán)利要求2的制造半導(dǎo)體器件的方法，其中所述強酸溶劑是含氮酸溶劑。
13.如權(quán)利要求3的制造半導(dǎo)體器件的方法，其中所述強酸溶劑是含氮酸溶劑。
14.如權(quán)利要求2的制造半導(dǎo)體器件的方法，其中所述強酸溶劑是含臭氧溶劑。
15.如權(quán)利要求3的制造半導(dǎo)體器件的方法，其中所述強酸溶劑是含臭氧溶劑。
16.如權(quán)利要求2的制造半導(dǎo)體器件的方法，其中所述低溫處理是在650℃或更低的溫度下進行的。
17.如權(quán)利要求2的制造半導(dǎo)體器件的方法，其中所述第二絕緣膜是門柵絕緣膜或隧道絕緣膜。
18.如權(quán)利要求3的制造半導(dǎo)體器件的方法，其中所述第二絕緣膜是門柵絕緣膜或隧道絕緣膜。
全文摘要
在半導(dǎo)體基底上形成的氧化膜是通過使用強酸溶劑的濕式清潔法形成的，使得在濕式清潔處理過程和絕緣膜形成過程之間能夠減少附著在氧化膜上的雜質(zhì)。這使得在低溫處理形成絕緣膜的過程中，形成包圍氧化膜的門柵絕緣膜時，可以防止門柵絕緣膜的絕緣性能退化。
文檔編號H01L29/78GK1495864SQ03158590
公開日2004年5月12日 申請日期2003年9月19日 優(yōu)先權(quán)日2002年9月19日
發(fā)明者中村學(xué), 南晴宏之, 世良賢太郎, 東雅彥, 宇津野五大, 高木英雄, 鍛治田達也, 之, 五大, 太郎, 達也, 雄 申請人:飛索有限責(zé)任公司