專利名稱：靜電射頻微電機械系統開關的制作方法
技術領域：
本發明涉及一種微型開關。更具體地說，本發明涉及一種射頻微電機械系統(RF MEMS)微型開關，該開關使用靜電力來驅動自身。
背景技術：
通常，使用用于高頻信號的頻率分離器(F/S’s)、場效應晶體管(FETs)、PIN二極管開關等等來控制電信號，例如用于關閉、存儲和切換電子系統中的電路。
但是，上述器件相關的缺點包括F/S中的頻率分離程度低，在半導體開關中的插入損失高、隔離性低、能量消耗大等。現在，使用了用于高頻信號的微型開關來彌補這樣的不足。
基于開關聯接方法，用于高頻信號的微型開關分為電阻聯接(RC)開關和電容聯接(CC)開關。
基于其鉸接部件的結構特征，微型開關還劃分為懸臂型和橋型。基于高頻信號的開關方法，微型開關也可劃分為分流型和串聯型。
微型開關的操作原則是利用靜電力、靜磁力、壓電元件的振動等作為開關信號端子觸頭部分的能量源來使微型開關結構的鉸接部件動作。基于驅動的方法，微型開關可分為靜電致動型和壓電致動型。
上述傳統的分流型微型開關具有這樣的結構，其中信號端子同時作為產生靜電力的電極，并且當開關處于斷開狀態時，輸入信號端子和輸出信號端子相互連接。而且，當開關在接通狀態時，信號端子和接地端子短路，從而使輸入信號的輸出被切斷。分流型微型開關的結構簡單，但是開關的隔離度和通斷率低。
上述傳統的串聯型微型開關是一種繼電器開關，該繼電器開關將輸入和輸出信號端子完全與產生靜電力的上下電極分開，其中，當該開關處于斷開狀態時，輸入和輸出信號端子完全斷開，以便切斷輸入信號的輸出。另外，當開關處于接通狀態時，輸入和輸出信號端子相連，以便將輸入信號輸出。串聯型微型開關的隔離度和通斷率高，但是該開關的不足在于結構復雜、加工非常困難、結構容易變形。
發明內容
為了解決上述問題，本發明的實施例的一個特征是提供一種串聯型微型開關，該開關的通斷率和隔離度高，結構簡單，并且容易以非常簡單的加工過程制造。
為了提供這些和其它特征，提供了一種微型開關，該開關包括基底；形成在該基底上的電介質層，該電介質層具有由電介質層的預定部分形成的移動區，該移動區借助于形成在移動區兩側的鉸接部分能上下移動；導電層，形成在移動區的預定部分上；電介質薄膜，形成在導電層上；第一和第二電導體，在電介質薄膜的上方的預定距離形成；兩個下電極，形成在移動區上；以及兩個上電極，在兩個下電極上方的預定距離形成，當在上電極和下電極之間產生靜電力時，兩個上電極導致導電層和電介質薄膜向上移動，并且與第一和第二電導體電容聯接，以便使電流信號在第一和第二電導體之間流動。
優選地，位于移動區以下的部分基底，除了形成有鉸接部分的圍繞移動區的部分電介質層，以及在圍繞移動區的電介質層部分以下的部分基底被選擇性蝕刻，從而提供允許移動區上下運動的蝕刻區。
優選地，下電極分別在導電層和鉸接部分之間形成，并且還包括分別支承電導體和上電極的支柱。
為了提供本發明實施例的另一特征，提供了一種微型開關，包括基底；形成在該基底上的電介質層，該電介質層具有由電介質層的預定部分形成的移動區，該移動區借助于形成在移動區一側的鉸接部分能上下移動；導電層，形成在移動區的預定部分上；電介質薄膜，形成在導電層上；第一和第二電導體，在電介質薄膜的上方的預定距離形成；一個下電極，形成在移動區上；以及一個上電極，在下電極上方的預定距離形成，當在上電極和下電極之間產生靜電力時，該上電極導致導電層和電介質薄膜向上移動，并且與第一和第二電導體電容聯接，以便使電流信號在第一和第二電導體之間流動。
優選地，位于移動區以下的部分基底，除了形成有鉸接部分的圍繞移動區的部分電介質層，以及在圍繞移動區的電介質層部分以下的部分基底被選擇性蝕刻，從而提供允許移動區上下運動的蝕刻區。
優選地，下電極在導電層和鉸接部分之間形成，并且還包括分別支承電導體和上電極的支柱，以及將信號施加到電導體上的信號端子。
在又一本發明的實施例中，提供了一種微型開關，包括基底；形成在該基底上的電介質層，該電介質層具有由電介質層的預定部分形成的移動區，該移動區借助于形成在移動區一側的鉸接部分能上下移動；導電層，形成在移動區的預定部分上；電介質薄膜，形成在導電層上；第一和第二電導體，在電介質薄膜的上方的預定距離形成；以及壓電層，形成在移動區上，通過供送預定的電壓，使導電層向上移動，并且與第一和第二電導體電阻聯接，以便使電流在第一和第二電導體之間流動。
優選地，位于移動區以下的部分基底，除了形成有鉸接部分的圍繞移動區的部分電介質層，以及在圍繞移動區的電介質層部分以下的部分基底被選擇性蝕刻，從而提供允許移動區上下運動的蝕刻區。
優選地，壓電層在導電層和鉸接部分之間形成，并且還包括分別支承電導體的支柱，將信號施加到電導體上的信號端子，以及將電壓施加到壓電層的壓電電極端子。
另外，在本發明的再一實施例中，提供了一種微型開關，包括基底；形成在該基底上的電介質層，該電介質層具有由電介質層的預定部分形成的移動區，該移動區借助于形成在移動區一側的鉸接部分能上下移動；導電層，形成在移動區的預定部分上；第一和第二電導體，在導電層的上方的預定距離形成；兩個下電極，形成在移動區上；以及兩個上電極，在兩個下電極上方的預定距離形成，當在上電極和下電極之間產生靜電力時，兩個上電極導致導電層向上移動，并且與第一和第二電導體電阻聯接，以便使電流在第一和第二電導體之間流動。
優選地，位于移動區以下的部分基底，除了形成有鉸接部分的圍繞移動區的部分電介質層，以及在圍繞移動區的電介質層部分以下的部分基底被選擇性蝕刻，從而提供允許移動區上下運動的蝕刻區。
優選地，下電極分別在導電層和鉸接部分之間形成，并且還包括分別支承電導體和上電極的支柱、以及將信號施加到電導體上的信號端子。
另外，在本發明的另一實施例中，提供了一種微型開關，包括基底；形成在該基底上的電介質層，該電介質層具有由電介質層的預定部分形成的移動區，該移動區借助于形成在移動區一側的鉸接部分能上下移動；導電層，形成在移動區的預定部分上；第一和第二電導體，在導電層的上方的預定距離形成；一個下電極，形成在移動區上；以及一個上電極，在下電板上方的預定距離形成，當在上電極和下電極之間產生靜電力時，該上電極導致導電層向上移動，并且與第一和第二電導體電阻聯接，以便使電流信號在第一和第二電導體之間流動。
位于移動區以下的部分基底，除了形成有鉸接部分的圍繞移動區的部分電介質層，以及在圍繞移動區的電介質層部分以下的部分基底被選擇性蝕刻，從而提供允許移動區上下運動的蝕刻區。
下電極分別在導電層和鉸接部分之間形成，并且還包括分別支承電導體和上電極的支柱、以及將信號施加到電導體上的信號端子。
另外，在本發明的另一實施例中，提供了一種微型開關，包括基底；形成在該基底上的電介質層，該電介質層具有由電介質層的預定部分形成的移動區，該移動區借助于形成在移動區一側的鉸接部分能上下移動；導電層，形成在移動區的預定部分上；第一和第二電導體，在電介質薄膜的上方的預定距離形成；以及壓電層，形成在移動區上，通過供送預定的電壓，使導電層向上移動，并且與第一和第二電導體電阻聯接，以便使電流在第一和第二電導體之間流動。
位于移動區以下的部分基底，除了形成有鉸接部分的圍繞移動區的部分電介質層，以及在圍繞移動區的電介質層部分以下的部分基底被選擇性蝕刻，從而提供允許移動區上下運動的蝕刻區。
壓電層在導電層和鉸接部分之間形成，并且還包括分別支承電導體的支柱，將信號施加到電導體上的信號端子，以及將電壓施加到壓電層的壓電電極端子。
在本發明的所有實施例中，導電層、電導體、下電極、上電極、支柱、信號端子和壓電電極端子中的任何一個由包括Au、Ag、Cu、Pt和Rd的組群中選取的一種或多于一種的結合材料制成。
通過參照附圖詳細描述本發明的優選實施例，本領域的普通技術人員將會明白本發明的上述和其它特征和優點，其中圖1是平面圖，示出了根據本發明第一實施例的微型開關；圖2是圖1中的微型開關處于斷開狀態下的第一側橫截面圖；圖3是圖1中的微型開關處于接通狀態下的第一側橫截面圖；圖4是圖1中的微型開關處于斷開狀態下的第二側橫截面圖；圖5是圖1中的微型開關處于接通狀態下的第二側橫截面圖；圖6是圖1中的微型開關的透視圖；圖7A至7E示出用于形成根據本發明一實施例的微型開關的加工過程；圖8是根據本發明另一實施例的微型開關的透視圖；圖9是根據本發明又一實施例的微型開關的透視圖。
具體實施例方式
2002年8月20目提交的、名稱為“靜電射頻微電機械開關”的韓國專利申請No.2002-49319的全部內容在此引入作為參考。
下文將參照附圖，對本發明的優選實施例進行描述。
圖1為根據本發明第一實施例的微型開關的平面圖，圖6為圖1中的微型開關的透視圖。
圖2和圖4為橫截面圖，示出了圖1中的微型開關處于斷開狀態時相互垂直的側面，圖3和5為橫截面圖，示出了圖1中的微型開關處于接通狀態時相互垂直的側面。
如圖1至5所示，根據本發明第一實施例的微型開關是電容聯接結構的橋型靜電開關。
電介質層2形成在基底1上。電介質層2的中心部分的兩側蝕刻形成蝕刻區11。如圖2所示，電介質層2的中心部分的兩側上的蝕刻區11在電介質層2的中心部分的下面相互連通。將位于電介質層2以下的部分基底1有選擇地蝕刻以擴大蝕刻區11，如圖4和5所示。電介質層2的中心部分形成移動區12，由于在該移動區12的兩側在下面和上面存在蝕刻區11，所以能容易地上下移動。形成鉸接部分的部分電介質層2被蝕刻，以允許移動區12平穩地向上和向下移動。
導電層3形成在電介質層2的移動區12的表面的預定中心部分，并且電介質薄膜3’形成在導電層3的表面上。
第一和第二電導體9a和9b設置在導電層3上方預定距離設置處，并彼此分開。第一和第二電導體9a和9b相互分離，但是當導電層3向上移動時，這兩個電導體通過電介質薄膜3’相互連接。
同時，如圖4和5所示，在形成在移動區12和導電層3的每一側上的鉸接部分之間，下電極4分別設置在電介質層2的移動區12的兩端上。
另外如圖4和5所示，上部電極10分別設置在下電極4上方間隔有預定距離的位置，這樣如果將預定的直流電壓施加在下電極4和上電極10之間，則產生靜電力，導致下電極4向上電極10移動。
如圖2所示，第一和第二電導體9a和9b分別由支柱7a和7b支承。
另外，如圖4和5所示上電極10由上電極支柱6支承，上電極支柱6與上電極端子5連接。
如圖3和5所示，在具有上述結構的微型開關中，如果固定在移動區12的兩側的下電極4借助于下電極4和上電極10之間產生的靜電力向上移動，那么移動區12中心部分的電介質薄膜3’與第一和第二電導體9a和9b連接。這時，導電層3與第一電導體9a和第二電導體9b之間的電容增加，因此第一電導體9a和第二電導體9b之間的電信號流動。
根據本發明第二實施例的微型開關是一種電容聯接結構的懸臂開關，將參照圖8對其進行描述。
如圖8所示，根據本發明第二實施例的電容聯接結構的靜電懸臂開關在導電層3的一側，具有單個下電極4、單個上電極10和只在移動區12一端形成的單個上電極端子5。在圖8中未示出設置在上電極端子5和上電極10之間、用于支承上電極的單個上電極支柱，該支柱對應于圖4和5中示出的第一實施例的上電極支柱6中的一個。在第二實施例中只位于導電層3一側的下電極4、上電極10、上電極支柱和上電極端子5在第一實施例中位于導電層3的兩側。
另外，鉸接部分形成在與形成有下電極4、上電極10、上電極支柱和上電極端子5的一側相對的導電層3的一側上，因此使下電極4能相對于該鉸接部分向上移動。
具有第二實施例結構的微型開關的其它元件和操作與本發明的第一實施例相同。
根據本發明第三實施例的微型開關是一種電容聯接結構的壓電懸臂開關，將參照圖9對其進行描述。
如圖9所示，根據本發明第三實施例的電容聯接結構壓電懸臂開關具有如下結構，將上電極10、下電極4、上電極支柱6和上電極端子5從在第二實施例的結構中出現結構中去除，同時形成壓電薄膜12來代替下電極4，形成壓電層12的壓電電極端子13a、13b，從而將電壓施加在壓電層12上。
在根據本發明第三實施例的如圖9所示的微型開關中，由于將預定的電壓通過壓電電極端子13a、13b施加在壓電層12上，其中所述壓電層12固定于移動區12的鉸接部分和導電層3之間，所以電介質薄膜3’向上移動以接觸第一電導體9a和第二電導體9b。因此，在導電層3與第一和第二電導體9a、9b之間的電容增大，并且電信號在第一和第二電導體9a、9b之間流動。
根據本發明微型開關的第四實施例是一種電阻聯接結構的橋型開關，該開關的結構是將電介質薄膜3’從第一實施例的結構中出現的導電層3的上表面上去除。
在具有第四實施例的結構的微型開關中，如果固定在移動區12兩端的下電極4借助于下電極4和上電極10之間的靜電力向上移動，則在移動區12的中心部分處的導電層3與第一和第二電導體9a和9b連接。這時，導電層3與第一和第二電導體9a和9b之間的電阻減小，因此在第一和第二電導體9a和9b之間的電信號流動。
根據本發明的微型開關的第五實施例是一種電阻聯接結構的懸臂開關，該開關的結構為將導電層3上的電介質薄膜3’從上述本發明第二實施例的結構中去除。第五實施例的微型開關的其余元件與本發明第三實施例中的相同。
根據本發明的微型開關的第六實施例是一種電阻聯接結構的壓電懸臂開關，該開關的結構是將電介質薄膜3’從上述本發明第三實施例的結構中去除。
上述具有第六實施例結構的微型開關的操作與本發明第三實施例的操作相同。
現在參照圖7A至7E描述根據本發明第一實施例的微型開關的加工。
如圖7A所示，將電介質層2形成在基底1的上表面上。圖7A示出了蝕刻區11，以便有助于理解根據本發明的微型開關的三維結構，但是蝕刻區11是在加工的最后步驟中形成的，那時電介質層2的中心部分具有形成于其中的多個密集制成的通孔(未示出)。
如圖7B所示，將導電層3形成在電介質層2的中心部分，并且將電介質薄膜3’形成在導電層3上。導電層3可由Au、Ag、Cu、Pt和Rd中的一種或其合適的結合物制成，這些材料具有優良的導電性能。
另外，將電極端子5、下電極4和信號端子8a、8b相對制在導電層3的兩側的電介質層2上。
接著，如圖7C所示，形成用于支柱7a和7b以及上電極支柱6的圖案，所述支柱7a、7b分別用于支承第一和第二電導體。
隨后如圖7D所示，形成用于第一電導體9a、第二電導體9b和上電極10的圖案。
在最終的步驟中，如圖7E所示，利用干蝕刻方法形成蝕刻區11，在所述干蝕刻方法中，在電介質層2的中心部分密集制成多個通孔。這時，使蝕刻區11在電介質層2的中心部分下面相互連接。
在上述實施例中，如圖7D和7E所示，上電極10為矩形形狀，并且用于支承上電極10的上電極支柱6位于上電極10的外部端部，如圖4和5所示。但是上電極10的形狀可以多樣變化，并且用于支承上電極10的上電極支柱6的位置也可變化。
根據本發明的微型開關結構簡單，通斷率和隔離度高，并且可以非常簡單的加工過程制造。
本發明的優選實施例在這里已經公開，雖然應用了具體的術語，但可將其理解為非特殊的描述性意義，而不是處于限定的目的。因此，本領域的普通技術人員將會了解，可在不脫離本發明后附權利要求所限定的精神和范圍的情況下，對本發明的形式和細節作出多種改動。
權利要求
1.一種微型開關，該開關包括基底；形成在該基底上的電介質層，該電介質層具有由電介質層的預定部分形成的移動區，該移動區借助于形成在移動區兩側上的鉸接部分上下移動；導電層，形成在移動區的預定部分上；電介質薄膜，形成在導電層上；第一和第二電導體，在電介質薄膜的上方的預定距離處形成；兩個下電極，形成在移動區上；以及兩個上電極，在兩個下電極上方的預定距離處形成，當在下電極內產生靜電力時，該兩個上電極導致導電層和電介質薄膜向上移動，并且與第一和第二電導體電容聯接，以便使電流信號在第一和第二電導體之間流動。
2.如權利要求1所述的微型開關，其中，位于移動區以下的部分基底，除了形成有鉸接部分的圍繞移動區的部分電介質層，以及在圍繞移動區的電介質層部分以下的部分基底被選擇性蝕刻，從而提供允許移動區上下運動的蝕刻區。
3.如權利要求1所述的微型開關，其中，下電極分別在導電層和鉸接部分之間形成。
4.如權利要求1所述的微型開關，還包括分別支承電導體和上電極的支柱，以及將信號施加到電導體上的信號端子。
5.如權利要求4所述的微型開關，其中，導電層、電導體、下電極、上電極、支柱和信號端子中的任何一個由從包括Au、Ag、Cu、Pt和Rd的組群中選取的一種或多于一種的結合材料制成。
6.一種微型開關，包括基底；形成在該基底上的電介質層，該電介質層具有由電介質層的預定部分形成的移動區，該移動區借助于形成在移動區一側上的鉸接部分上下移動；導電層，形成在移動區的預定部分上；電介質薄膜，形成在導電層上；第一和第二電導體，在電介質薄膜的上方的預定距離處形成；一個下電極，形成在移動區上；以及一個上電極，在下電極上方的預定距離處形成，當在下電極內產生靜電力時，該上電極導致導電層和電介質薄膜向上移動，并且與第一和第二電導體電容聯接，以便使電流信號在第一和第二電導體之間流動。
7.如權利要求6所述的微型開關，其中，位于移動區以下的部分基底，除了形成有鉸接部分的圍繞移動區的部分電介質層，以及在圍繞移動區的電介質層部分以下的部分基底選擇性蝕刻，從而提供允許移動區上下運動的蝕刻區。
8.如權利要求6所述的微型開關，其中，下電極在導電層和鉸接部分之間形成。
9.如權利要求6所述的微型開關，還包括分別支承電導體和上電極的支柱，以及將信號施加到電導體上的信號端子。
10.如權利要求9所述的微型開關，其中，導電層、電導體、下電極、上電極、支柱和信號端子中的任何一個由從包括Au、Ag、Cu、Pt和Rd的組群中選取的一種或多于一種的結合材料制成。
11.一種微型開關，包括基底；形成在該基底上的電介質層，該電介質層具有由電介質層的預定部分形成的移動區，該移動區借助于形成在移動區一側上的鉸接部分上下移動；導電層，形成在移動區的預定部分上；電介質薄膜，形成在導電層上；第一和第二電導體，在電介質薄膜的上方的預定距離處形成；以及壓電層，形成在移動區上，通過所提供的預定電壓，使導電層向上移動，并且與第一和第二電導體電阻聯接，以便與電流在第一和第二電導體之間流動。
12.如權利要求11所述的微型開關，其中，位于移動區以下的部分基底，除了形成有鉸接部分的圍繞移動區的部分電介質層，以及在圍繞移動區的電介質層部分以下的部分基底被選擇性蝕刻，從而提供允許移動區上下運動的蝕刻區。
13.如權利要求11所述的微型開關，其中，壓電層在導電層和鉸接部分之間形成。
14.如權利要求11所述的微型開關，還包括分別支承電導體的支柱，將信號施加到電導體上的信號端子，以及將電壓施加到壓電層的壓電電極端子。
15.如權利要求14所述的微型開關，其中，導電層、電導體、支柱、信號端子和壓電電極端子中的任何一個由包括Au、Ag、Cu、Pt和Rd的組群中選取的一種或多于一種的結合材料制成。
16.一種微型開關，包括基底；形成在該基底上的電介質層，該電介質層具有由電介質層的預定部分形成的移動區，該移動區借助于形成在移動區一側上的鉸接部分上下移動；導電層，形成在移動區的預定部分上；第一和第二電導體，在導電層的上方的預定距離處形成；兩個下電極，形成在移動區上；以及兩個上電極，在兩個下電極上方的預定距離處形成，當在上電極和下電極之間產生靜電力時，該兩個上電極導致導電層向上移動，并且與第一和第二電導體電阻聯接，以便使電流在第一和第二電導體之間流動。
17.如權利要求16所述的微型開關，其中，位于移動區以下的部分基底，除了形成有鉸接部分的圍繞移動區的部分電介質層，以及在圍繞移動區的電介質層部分以下的部分基底被選擇性蝕刻，從而提供允許移動區上下運動的蝕刻區。
18.如權利要求16所述的微型開關，其中，下電極分別在導電層的兩側形成于導電層和鉸接部分之間。
19.如權利要求16所述的微型開關，還包括分別支承電導體的支柱、以及將信號施加到電導體上的信號端子。
20.如權利要求16所述的微型開關，其中，導電層、電導體、下電極、上電極、支柱和信號端子中的任何一個由包括Au、Ag、Cu、Pt和Rd的組群中選取的一種或多于一種的結合材料制成。
21.一種微型開關，包括基底；形成在該基底上的電介質層，該電介質層具有由電介質層的預定部分形成的移動區，該移動區借助于形成在移動區一側上的鉸接部分上下移動；導電層，形成在移動區的預定部分上；第一和第二電導體，在導電層上方的預定距離處形成；一個下電極，形成在移動區上；以及一個上電極，在下電極上方的預定距離處形成，當在上電極和下電極之間產生靜電力時，該上電極導致導電層向上移動，并且與第一和第二電導體電阻聯接，以便使電流信號在第一和第二電導體之間流動。
22.如權利要求21所述的微型開關，其中，位于移動區以下的部分基底，除了形成有鉸接部分的圍繞移動區的部分電介質層，以及在圍繞移動區的電介質層部分以下的部分基底被選擇性蝕刻，從而提供允許移動區上下運動的蝕刻區。
23.如權利要求21所述的微型開關，其中，下電極分別在導電層和鉸接部分之間形成。
24.如權利要求21所述的微型開關，還包括分別支承電導體和上電極的支柱、以及將信號施加到電導體上的信號端子。
25.如權利要求24所述的微型開關，其中，導電層、電導體、下電極、上電極、支柱和信號端子中的任何一個由包括Au、Ag、Cu、Pt和Rd的組群中選取的一種或多于一種的結合材料制成。
26.一種微型開關，包括基底；形成在該基底上的電介質層，該電介質層具有由電介質層的預定部分形成的移動區，該移動區借助于形成在移動區一側上的鉸接部分上下移動；導電層，形成在移動區的預定部分上；第一和第二電導體，在電介質薄膜的上方的預定距離形成；以及壓電層，形成在移動區上，通過所提供的預定電壓，使導電層向上移動，并且與第一和第二電導體電阻聯接，以便使電流在第一和第二電導體之間流動。
27.如權利要求26所述的微型開關，其中，位于移動區以下的部分基底，除了形成有鉸接部分的圍繞移動區的部分電介質層，以及在圍繞移動區的電介質層部分以下的部分基底被選擇性蝕刻，從而提供允許移動區上下運動的蝕刻區。
28.如權利要求26所述的微型開關，其中，壓電層在導電層和鉸接部分之間形成。
29.如權利要求26所述的微型開關，其中，還包括分別支承電導體的支柱，將信號施加到電導體上的信號端子，以及將電壓施加到壓電層的壓電電極端子。
30.如權利要求29所述的微型開關，其中，導電層、電導體、支柱、信號端子和壓電電極端子中的任何一個由包括Au、Ag、Cu、Pt和Rd的組群中選取的一種或多于一種的結合材料制成。
全文摘要
一種微型開關，包括形成在基底上的電介質層，該電介質層具有移動區；導電層，形成在移動區的預定部分上；電介質薄膜，形成在導電層上；第一和第二電導體，在電介質薄膜的上方的預定距離形成；一個或兩個下電極，形成在移動區上；以及一個或兩個上電極，在下電極上方的預定距離形成，當在上電極和下電極之間產生靜電力時，兩個上電極導致導電層和電介質薄膜向上移動，并且使第一和第二電導體電容聯接，以便使電流在第一和第二電導體之間流動。這種微型開關的通斷率和隔離度高，結構簡單，并且可以以非常簡單的加工過程制造。
文檔編號H01H59/00GK1485873SQ03154570
公開日2004年3月31日 申請日期2003年8月19日 優先權日2002年8月20日
發明者宋寅相, 金永一, 李文喆, 沈東河, 弘榮澤, 樸仙姬, 南光佑 申請人:三星電子株式會社