基板的鍍膜方法及鍍膜裝置的制作方法

專利名稱：基板的鍍膜方法及鍍膜裝置的制作方法
技術領域：
本發明涉及一種基板的鍍膜方法及電鍍膜裝置，具體涉及利用電鍍法形成布線等的技術。
背景技術：
以往，作為在硅半導體基板上形成的LSI的布線材料，主要采用鋁。但是，近年來，隨著半導體集成電路的高度集成化及組裝的高速化，電阻比鋁低的且具有高抗電遷移(EM)性的銅作為布線材料引人注目。此外，作為銅膜的成膜方法，有如特許文獻1記載的電鍍法。
以下，參照


利用電鍍法的以往的基板鍍膜法。
圖10(a)～(c)是表示以往的基板鍍膜法的各工序的模式圖。
首先，如圖10(a)所示，一邊循環鍍液10，一邊將由基板夾持機構12夾持為水平狀態的基板1 1浸漬在鍍液10中，然后，利用控制裝置(圖示省略)，以30rpm的旋轉速度，與基板夾持機構12一起旋轉基板11。此外，在基板夾持機構12上安裝有與基板11的被鍍面相接的電極13、為防止電極13與鍍液10接觸而與該電鍍面相接的密封部14。
此時，如圖10(a)及(b)所示，在旋轉基板11的被鍍面的下側，滯留尺寸大約在幾十μm的氣泡15，另一方面，如圖10(c)所示，通過旋轉基板11和鍍液10的上升流10a，從基板11的被鍍面向基板夾持機構12的外側驅逐氣泡15。此時，氣泡15的驅逐在1秒以內結束。此外，氣泡15的驅逐是否完成，根據在鍍液10中浸漬半導體基板11時外加的微小電流，通過調查電阻值的變化加以確認。
特許文獻1特開2001-316869號公報可是，一旦在鍍液中浸濕半導體基板，則例如在Cu籽晶膜表面等被鍍面上吸附尺寸大約幾μm以下的微小氣泡。但是，由于用以往的鍍膜方法及鍍膜裝置不能去除這種微小的氣泡，所以，在其后的鍍膜生長中，存在被鍍面吸附氣泡的部分阻礙鍍膜生長的問題。
圖11(a)、(b)、圖12(a)、(b)及圖13(a)～(c)說明了以往的基板鍍膜方法存在的問題。
具體是，如圖11(a)所示，在基板21上依次沉積層間絕緣膜22、TaN阻擋膜23及Cu籽晶(seed)膜24后，如在鍍液26中使作為被鍍面的Cu籽晶膜24的表面朝下浸漬基板21，則氣泡25吸附在Cu籽晶膜24的表面。如在此種狀態下進行鍍膜處理，由于在Cu籽晶膜24表面吸附氣泡25的狀態下形成鍍膜27，所以最終，如圖11(b)所示，鍍膜27內產生凹痕缺陷(凹形缺陷)28和中空(void)29。
此外，如圖12(a)所示，在基板21上依次沉積層間絕緣膜22、TaN阻擋膜23及Cu籽晶膜24時，在Cu籽晶膜24上附著微粒30的情況下產生如下問題。即，基板21與鍍液26接觸時，以該微粒30為核，氣泡25吸附在Cu籽晶膜24的表面，結果是與前述的情況一樣，如圖12(b)所示，鍍膜27內產生凹痕缺陷28和中空29。
這些缺陷，具體是凹痕缺陷28和中空29等，例如一旦產生在由填埋于絕緣膜22的鍍膜27構成的布線部分，或由填埋于達到下層布線的中空的鍍膜27構成的接觸部分等的內部，則引起抗電遷移性惡化等可靠性降低。
此外，在以往的基板鍍膜方法中，有時產生如圖13(a)～(c)所示的問題。
如圖13(a)所示，在基板51上形成第1層間絕緣膜52，同時在第1層間絕緣膜52上填埋由TaN阻擋膜53及Cu籽晶膜54構成的下層布線。此時，在Cu籽晶膜54中產生起因于上述凹痕缺陷等的凹坑。其結果是，如在包含下層布線的第1層間絕緣膜52的上面形成SiN膜55及第2層間絕緣膜56，則由于上述凹坑，有時在第2層間絕緣膜56的表面上也產生凹坑57。在寬幅布線(上層布線)的形成區域產生這種凹坑57的情況下，在產生該凹坑57的部分難以引起嚴重的不良影響。但是，在第2層間絕緣膜56的上層布線形成區域以外的其他區域上復制凹坑57時，由于該凹坑57的凹形狀，在用于形成上層布線溝槽的石印時，有時產生圖形不良。或者，如圖13(b)所示，在第2層間絕緣膜56上，在填埋由TaN阻擋膜58a及鍍Cu膜58b構成的上層布線58時，產生如下問題。即，在研磨布線材料時，研磨殘余物TaN阻擋膜59a及Cu膜59b也被填埋在凹坑57內，由此，如圖13(c)所示，形成造成上層布線58中的布線間短路的導電性部分59。此外，圖13(c)是與圖13(b)對應的俯視圖。換言之，圖13(b)是圖13(c)的BB′線的剖面圖。

發明內容
針對上述問題，本發明的目的是防止在鍍膜中產生由于被鍍面中氣泡的吸附而產生的缺陷。
為達到上述目的，本發明的第1基板鍍膜方法，是以通過將基板的被鍍面朝下浸漬在鍍液中對基板進行鍍膜處理的基板鍍膜方法為前提，其處理工序包括通過在鍍液中按第1旋轉速度旋轉基板而去除上述基板所吸氣泡的工序；在氣泡去除工序后，在鍍液中，通過按比第1旋轉速度低的第2旋轉速度旋轉基板，對基板進行鍍膜處理的工序。
如采用第1基板鍍膜方法，由于在開始鍍膜處理之前，在鍍液中高速旋轉基板，因此能夠去除基板所吸附的幾乎所有氣泡。由此能夠避免在鍍膜中形成起因于氣泡的凹痕缺陷或中空。
此外，本發明的第2基板鍍膜方法，是以通過將基板的被鍍面朝下浸漬在鍍液中對基板進行鍍膜處理的基板鍍膜方法為前提，具有在將基板浸漬在鍍液中之前使被鍍面濕潤性提高的工序。
如采用第2基板鍍膜方法，由于在將基板浸漬在鍍液中之前使基板被鍍面的濕潤性提高，因此在將基板浸漬在鍍液中時能夠大大降低基板所吸附氣泡的數量。所以，能夠避免在鍍膜中形成起因于氣泡的凹痕缺陷或中空。
如采用本發明，由于在開始鍍膜處理之前在鍍液中高速旋轉基板，或由于在將基板浸漬在鍍液中之前提高基板被鍍面的濕潤性，所以能夠在基板不吸附氣泡的狀態下對基板進行鍍膜處理。因此，由于能夠避免在鍍膜中形成起因于氣泡的凹痕缺陷或中空，所以，能夠制造例如在鍍膜為布線用導電膜時布線間不易產生短路并具有可靠性高的電子裝置。

圖1(a)～(e)是表示本發明第1實施方式的基板鍍膜方法中各工序的剖面圖。
圖2(a)～(c)是表示采用本發明第1實施方式的基板鍍膜方法的、具有雙波形花紋結構的銅布線形成方法的各工序的剖面圖。
圖3是表示在圖2(b)所示的工序中不進行本發明第1實施方式的基板鍍膜方法的氣泡去除工序情況的圖。
圖4(a)～(e)是表示本發明第2實施方式的基板鍍膜方法中各工序的剖面圖。
圖5(a)～(e)是表示本發明第3實施方式的基板鍍膜方法中各工序的剖面圖。
圖6(a)～(e)是表示本發明第4實施方式的基板鍍膜方法中各工序的剖面圖。
圖7(a)及(b)是表示本發明第5實施方式的基板鍍膜裝置構成的模式圖。
圖8是本發明第5實施方式的基板鍍膜裝置的基板夾持機構中夾持基板部分的放大圖。
圖9是以本發明第5實施方式的基板鍍膜裝置的基板夾持機構中夾持基板部分作為以往構成時的放大圖。
圖10(a)～(c)是表示以往的基板鍍膜法中各工序的模式圖。
圖11(a)及(b)是用于說明以往基板鍍膜法中存在的問題點的圖。
圖12(a)及(b)是用于說明以往基板電鍍膜法中存在的問題點的圖。
圖13(a)～(c)是以用于說明往基板電鍍膜法中存在的問題點的圖。
圖中101基板，102層間絕緣膜，103TaN阻擋膜，104Cu籽晶膜，105氣泡，106鍍液，107鍍Cu膜，111純水噴嘴，112純水流，113純水，114純水中的氣泡，115微粒，116超音波振動外加純水噴嘴，117超音波振動外加純水流，118超音波振動發生器，151基板，152第1層間絕緣膜，153下層布線，153a TaN阻擋膜，153b Cu膜，154第2層間絕緣膜，155TaN阻擋膜，156Cu籽晶膜，157鍍Cu膜，158氣泡，200鍍液，201鍍液容器，202泵，203過濾器，204電鍍槽，205陽極電極，206整流板，207超音波振動發生器，208鍍液回收槽，209基板，210基板夾持機構，210a陰極電極，210b密封部，211A超音波振動外加清洗液噴嘴，211B清洗液噴嘴，212清洗廢液回收槽。
具體實施例方式
以下，就本發明的實施方式，以形成由最能顯示本發明效果的布線材料Cu構成的布線用鍍膜的情況為例，參照附圖進行說明。
此外，第1～第4實施方式的基板鍍膜法的特征是，在將基板101浸在鍍液106時，去除在作為被鍍面的Cu籽晶膜104的表面產生的氣泡105(參照圖1、圖4～6)。此時，在各實施方式的方法中，通過旋轉基板101使鍍液106沿被鍍面流動，從被鍍面去除的氣泡105被沖向基板101的周邊區域。因此，在各實施方式的方法中所采用的基板鍍膜裝置中，詳細情況見后述，基板夾持機構210的密封部210b與基板209的被鍍面的接觸角度優選設定為超過90°(更優選120°以上150°以下)。這樣，就可以防止在密封部210b與基板209接觸的部分滯留氣泡(參照圖8)。
第1實施方式以下，參照

本發明的第1實施方式的基板鍍膜方法。
圖1(a)～(e)是表示第1實施方式的基板鍍膜方法中各工序的剖面圖。此外，在圖1(a)～(e)中，以正面朝下的狀態表示形成布線等的基板的主面。
首先，如圖1(a)所示，在基板101上依次沉積層間絕緣膜102、TaN阻擋膜103及Cu籽晶膜104。
然后，如圖1(b)所示，將該基板101夾持在基板夾持機構(圖示省略)，同時用該機構，將基板101正面朝下浸在鍍液106中。此時，在被鍍面的Cu籽晶膜104的表面上吸附氣泡105。在這里，氣泡105是尺寸在幾μm～10μm以下的微小氣泡，起因于Cu籽晶膜104表面的氧化或有機物的影響，或Cu籽晶膜104自身附著的微粒等。即，氣泡105不是因鍍膜槽的攪拌等而產生的尺寸在幾十μm以上的大氣泡。此外，在圖1(b)中，為便于理解說明，放大表示氣泡105。
然后，如圖1(c)所示，將Cu籽晶膜104表面浸漬在鍍液106中，直接高速旋轉由基板夾持機構夾持的基板101，由此使氣泡105脫離Cu籽晶膜104的表面。此時，在不進行氣泡105的去除的情況下，即在基板101上吸附氣泡105的狀態直接進行鍍膜生長時，由于Cu籽晶膜104上附著氣泡105的部分不引起鍍膜生長，所以就會產生凹痕缺陷或中空(參照圖11(a)、(b)或圖12(a)、(b))。
具體是，在本實施方式中，為防止上述缺陷的發生，按例如100rpm以上、500rpm以下(更優選100rpm以上200rpm以下)的旋轉數(旋轉速度)旋轉基板101例如1～20秒。此外，由于在后面的鍍膜生長工序中的通常的基板旋轉數為10～100rpm(更優選10rpm以上60rpm以下)，所以在圖1(c)所示工序(基板高速旋轉氣泡去除工序)的基板旋轉數與通常的基板旋轉數相比為相當高的高速度。在本實施方式中，利用該基板高速旋轉氣泡去除工序確實能夠從基板101去除氣泡105。
然后，如圖1(d)所示，將Cu籽晶膜104表面浸漬在鍍液106中，直接將被基板夾持機構夾持的基板101的旋轉數減小到例如10～60rpm。此時，由于Cu籽晶膜104的表面不存在氣泡105，因此不產生凹痕缺陷等，可以對基板101進行鍍膜處理。即，在Cu籽晶膜104的上面，能夠緩緩地生長具有高可靠性的鍍Cu膜107。圖1(e)表示完成鍍Cu膜107的鍍膜生長的狀態。
如上所述，如采用第1實施方式，由于在開始鍍膜處理之前，在鍍液106中高速旋轉基板101，因此能夠去除基板101吸附的幾乎所有氣泡105。因此，由于能夠避免在鍍Cu膜107中形成起因于吸附氣泡105的凹痕缺陷或中空，所以能夠制造布線間不易發生短路的且具有高可靠性的電子裝置。
下面，參照圖2(a)～(c)說明采用本實施方式的、具有雙波形花紋結構的銅布線形成方法。此外，在圖2(a)～(c)中，以正面朝下的狀態表示形成布線等的基板的主面。
首先，如圖2(a)所示，在基板151上形成第1層間絕緣膜152，同時在第1層間絕緣膜152上填埋由TaN阻擋膜153a及Cu膜153b構成的下層布線153。然后，分別在下層布線153及第1層間絕緣膜152的上面形成第2層間絕緣膜154后，在第2層間絕緣膜154上形成由達到下層布線153的孔和上層布線用槽構成的凹部。隨后，依次沉積TaN阻擋膜155及Cu籽晶膜156，以便使在含有該凹部的第2層間絕緣膜154上將該凹部填埋到一半左右。
下面，如圖2(b)所示，將該基板151正面朝下浸在鍍液(圖示省略)中后，對基板151進行基板高速旋轉氣泡去除工序。然后，降低基板151的旋轉數，對基板151進行鍍膜處理。由此，能夠形成具有高可靠性的鍍Cu膜157，使在Cu籽晶膜156上完全填埋上述凹部。
以下，如圖2(c)所示，采用例如CMP法去除上述凹部外側的鍍Cu膜157、Cu籽晶膜156及TaN阻擋膜155，由此形成與下層布線153電連接的上層布線。
此外，圖3作為比較例示出了不按圖2(b)所示的工序進行本實施方式的晶片高速旋轉氣泡去除工序時的情況。
如圖3所示，在不進行基板高速旋轉氣泡去除工序的情況下，在將基板151正面朝下浸漬在鍍液中時，Cu籽晶膜156的表面吸附氣泡158，在吸附狀態直接進行鍍Cu膜157的鍍膜生長。其結果是，例如由于在氣泡158覆蓋上述凹部的狀態結束了鍍Cu膜157的生長，對雙波形花紋結構產生較大的不適合。
此外，在第1實施方式中，是將基板101浸在鍍液106中后，旋轉基板101去除氣泡105。但是，也可以用比圖1(d)所示的鍍膜處理工序中的旋轉數高的高速度，例如按與氣泡去除工序(基板高速旋轉氣泡去除工序)大致相同的旋轉數一邊旋轉基板101，一邊在鍍液106中浸濕基板101。
此外，在第1實施方式中，在實施氣泡去除工序時，優選使鍍液106對流(循環)。這樣，更能夠確實從基板101的表面沖走氣泡105。
此外，在第1實施方式中，在實施氣泡去除工序時，優選對鍍液106外加超聲波振動。這樣，更能夠確實從基板101的表面沖走氣泡105。
此外，在第1實施方式中，在氣泡去除工序中，也可以不對Cu籽晶膜104外加電壓(電鍍電流)，但在氣泡去除工序中，為防止薄的Cu籽晶膜104(特別是形成在凹部的部分)在鍍液106中溶解，也可以一邊對基板101外加弱電流，一邊進行氣泡去除工序。此外，此時，外加給基板101的電壓最好是使基板101中的電鍍電流密度達到0.1～5.0mA/cm2的電壓值。而電鍍處理中的基板的通常電鍍電流密度大約在10mA/cm2以上。
此外，在第1實施方式中，基板101浸在鍍液106中，接著實施基板高速旋轉氣泡去除工序。但是，在基板高速旋轉對微細開口部(例如，被鍍面存在的凹部中的至少最小直徑的凹部)的鍍膜填埋帶來不適合時，也可以在基板101浸在鍍液106中后，對微細開口部進行鍍膜填埋，然后實施氣泡去除工序。這樣，既能夠鍍膜填埋微小中空等的微細開口部，又能夠除去氣泡。此時，假設微細開口部的開口直徑例如為0.16μm，填埋微細開口部所需的鍍膜厚度在則0.08μm以下。此外，填埋微細開口部所需的鍍膜厚度最好是在鍍膜生長結束時的最終厚度(目標厚度)的20％以下。此外，填埋微細開口部時的基板旋轉數最好比氣泡去除工序(基板高速旋轉氣泡去除工序)中的基板旋轉數低，例如是與圖1(d)所示的鍍膜處理工序中的基板旋轉數大約相同的基板旋轉數。
此外，在第1實施方式中，以形成由Cu構成的布線用鍍膜為對象。但是，本實施方式當然也適合于形成由其他材料構成的其他用途的鍍膜。
第2實施方式下面，參照

本發明的第2實施方式的基板鍍膜方法。
圖4(a)～(e)是表示本發明第2實施方式的基板鍍膜方法中各工序的剖面圖。而且，在圖4(a)～(e)中，以正面朝下的狀態表示形成布線等的基板的主面。
首先，如圖4(a)所示，在基板101上依次沉積層間絕緣膜102、TaN阻擋膜103及Cu籽晶膜104。
然后，在本實施方式中，一邊在正面朝下的狀態將基板101夾持在基板夾持機構(圖示省略)，一邊從純水噴嘴111對被鍍面Cu籽晶膜104表面噴射純水流112。
可是，如通常的鍍膜處理一樣，在Cu籽晶膜104的沉積之后，如不進行特殊處理，因Cu籽晶膜104表面氧化，或受基板盒或者來自周圍保護氣體的有機污染的影響，結果使Cu籽晶膜104表面對鍍液106(參照圖4(c))的潤濕性惡化。與此相反，在本實施方式中，由于在將基板101浸漬在鍍液106中之前，預先用純水113(參照圖4(b))浸濕Cu籽晶膜104的表面，因此能夠改善Cu籽晶膜104表面的潤濕性。
具體是，如圖4(b)所示，通過對Cu籽晶膜104的表面噴吹純水113，Cu籽晶膜104的表面達到潤濕狀態，其結果，在將基板101浸漬在鍍液106時，Cu籽晶膜104表面吸附的氣泡105(參照圖4(c))的數量減少。
但是，在對Cu籽晶膜104的表面噴吹純水113時，在Cu籽晶膜104的表面附著的純水113中產生比較大的氣泡114。即，在本實施方式中，在將基板101浸漬在鍍液106時，Cu籽晶膜104表面吸附的氣泡總量雖減少，但此時，在Cu籽晶膜104的表面有時殘存尺寸大小超過幾μm大氣泡114。
因此，下面，如圖4(c)所示，利用上述基板夾持機構將基板101正面朝下浸在鍍液106中后，如圖4(d)所示，高速旋轉由該機構夾持的基板101。結果，通過由旋轉基板101產生的離心力，能夠使在鍍液106中浸濕基板101時產生的氣泡105從Cu籽晶膜104的表面脫離，同時還能夠去除在對Cu籽晶膜104表面噴吹純水113時產生的大氣泡114。此外，在圖4(b)及(c)中，為便于理解說明，放大表示氣泡105及114。
此時，在圖4(d)所示的工序(基板高速旋轉氣泡去除工序)中，按例如100rpm以上、500rpm以下(最好是100rpm以上200rpm以下)的旋轉數(旋轉速度)旋轉基板101例如1～20秒。此外，由于在后面的鍍膜生長工序中通常的基板旋轉數為10～100rpm(最好是10rpm以上60rpm以下)，所以，基板高速旋轉氣泡去除工序的基板旋轉數與一般的基板旋轉數相比為相當高的高速度。
然后，將Cu籽晶膜104的表面浸漬在鍍液106中，直接將基板夾持機構夾持的基板101的旋轉數減小到例如10～60rpm，由此實施鍍膜生長(鍍膜處理)。此時，通過上述基板高速旋轉氣泡去除工序，由于能夠使氣泡105及氣泡114脫離Cu籽晶膜104的表面，因此不產生凹痕缺陷等并且能夠對基板101進行鍍膜處理。即，在Cu籽晶膜104的上面能夠慢慢生長具有高可靠性的鍍Cu膜107。圖4(e)表示完成鍍Cu膜107的鍍膜生長的狀態。
如上所述，如采用第2實施方式，由于在將基板101浸漬在鍍液106中之前，提高基板101的被鍍面的Cu籽晶膜104表面的濕潤性，能夠大大降低在基板101浸漬在鍍液106中時基板101吸附的氣泡105的數量。此外，在開始鍍處理之前，由于在鍍液106中高速旋轉基板101，所以能夠去除基板101吸附的幾乎所有氣泡105及114。因此，由于能夠避免在鍍Cu膜107中形成起因于吸附氣泡105及114的凹痕缺陷或中空，所以能夠制造布線間不易發生短路的且具有高可靠性的電子裝置。
此外，在第2實施方式中，是在基板101浸在鍍液106中之后，旋轉基板101去除氣泡105及114。但是，也可以用比鍍膜處理工序中的旋轉數高的高速度，例如按與氣泡去除工序(基板高速旋轉氣泡去除工序)相同的旋轉數一邊旋轉基板101，一邊在鍍液106中浸濕基板101。
此外，在第2實施方式中，在實施氣泡去除工序時，最好使鍍液106對流(循環)。這樣，更能夠確實從基板101的表面沖走氣泡105及114。
此外，在第2實施方式中，在實施氣泡去除工序時，最好對鍍液106外加超聲波振動。這樣，更能夠確實從基板101的表面沖走氣泡105及114。
此外，在第2實施方式中，在氣泡去除工序中，也可以不對Cu籽晶膜104外加電壓(電鍍電流)，但在氣泡去除工序中，為防止薄的Cu籽晶膜104(特別是形成在凹部的部分)在鍍液106中溶解，也可以一邊對基板101外加弱電流，一邊進行氣泡去除工序。此外，此時，外加給基板101的電壓最好是使基板101中的電鍍電流密度達到0.1～5.0mA/cm2的電壓值。而電鍍處理中的基板的一般電鍍電流密度大約在10mA/cm2以上。
此外，在第2實施方式中，在將基板101浸漬在鍍液106中之前，為提高基板101的被鍍面(Cu籽晶膜104的表面)的潤濕性，用純水噴嘴111向該被鍍面提供純水。但是，也可以用其他供給機構向該被鍍面提供其他液體。
此外，在第2實施方式中，在鍍液106中浸濕基板101，接著實施基板高速旋轉氣泡去除工序。但是，在基板高速旋轉對微細開口部(例如，被鍍面存在的凹部中的至少最小直徑的凹部)的鍍膜填埋帶來不適合時，也可以在基板101浸在鍍液106中后，對微細開口部進行鍍膜填埋，然后實施氣泡去除工序。這樣，既能夠鍍膜填埋微小中空等的微細開口部，又能夠除去氣泡。此時，假設微細開口部的開口直徑例如為0.16μm，填埋微細開口部所需的鍍膜厚度在0.08μm以下。此外，填埋微細開口部所需的鍍膜厚度最好是在鍍膜生長結束時的最終厚度(目標厚度)的20％以下。此外，填埋微細開口部時的基板旋轉數最好比氣泡去除工序(基板高速旋轉氣泡去除工序)的基板旋轉數低的、例如是與鍍膜處理工序中的基板旋轉數大致相同的基板旋轉數。
此外，在第2實施方式中，也可以省略圖4(d)所示的氣泡去除工序。
此外，在第2實施方式中，以形成由Cu構成的布線用鍍膜為對象。但是，本實施方式當然也適合于形成由其他材料構成的其他用途的鍍膜。
第3實施方式下面，參照

本發明的第3實施方式的基板鍍膜方法。
圖5(a)～(e)是表示本發明第3實施方式的基板鍍膜方法的各工序的剖面圖。而且，在圖5(a)～(e)中，以正面朝下的狀態表示形成布線等的基板的主面。
首先，如圖5(a)所示，在基板101上依次沉積層間絕緣膜102、TaN阻擋膜103及Cu籽晶膜104。此時，在Cu籽晶膜104的表面附著在沉積Cu籽晶膜104時產生的銅等的微粒115。一旦在該微粒115存在于Cu籽晶膜104表面的狀態下，在鍍液中浸漬基板101，則產生以微粒115為核的氣泡，結果在鍍膜內產生缺陷。
因此，作為本實施方式的特征，在Cu籽晶膜104的沉積后，將基板101正面朝下夾持在基板夾持機構(圖示省略)，同時從外加超聲波振動的純水噴嘴116對被鍍面Cu籽晶膜104的表面噴射外加超聲波振動的純水流117。該外加超聲波振動的純水流117沿基板101的整個表面噴射。由此，如圖5(b)所示，能夠去除Cu籽晶膜104的表面附著的微粒115。因此，由于能夠抑制在將基板101浸漬在鍍液中時產生以微粒115為核的氣泡，所以能夠避免在鍍膜中形成凹痕缺陷或中空等。
此外，在圖5(a)所示的工序中，對被鍍面的Cu籽晶膜104的表面外加超聲波振動而去除微粒115的同時，通過對Cu籽晶膜104的表面噴吹純水，也能提高該表面對鍍液的潤濕性。其結果，能夠進一步降低在基板101浸漬在鍍液中時基板101吸附的微小氣泡的數量。但是，在利用外加超聲波振動的純水清洗Cu籽晶膜104的表面時，該表面有時附著比較大的氣泡。
因此，下面，如圖5(c)所示，在上述基板夾持機構中以正面朝下的狀態夾持的基板101上的Cu籽晶膜104的表面浸在鍍液106中后，如圖5(d)所示，高速旋轉由該機構夾持的基板101。其結果是，通過由旋轉基板101產生的離心力，能夠使在鍍液106中浸濕基板101時產生的微小氣泡105從Cu籽晶膜104的表面脫離，同時還能夠去除在對Cu籽晶膜104表面噴吹外加超聲波振動的純水113時產生的大氣泡。此外，在圖5(c)中，為便于理解說明，放大表示氣泡105。
此時，在圖5(d)所示的工序(基板高速旋轉氣泡去除工序)，按例如100rpm以上、500rpm以下(最好是100rpm以上200rpm以下)的旋轉數(旋轉速度)旋轉基板101例如1～20秒。此外，由于在后面的鍍膜生長工序中通常的基板旋轉數為10～100rpm(最好是10rpm以上60rpm以下)，所以，基板高速旋轉氣泡去除工序的基板旋轉數與通常的基板旋轉數相比為相當高的高速。
然后，將Cu籽晶膜104的表面浸漬在鍍液106中，將基板夾持機構夾持的基板101的旋轉數減小到例如10～60rpm后，按照對鍍液106外加電場的普通電鍍法實施鍍膜生長(鍍膜處理)。此時，通過上述基板高速旋轉氣泡去除工序，由于使氣泡105及114脫離Cu籽晶膜104的表面，所以不產生凹痕缺陷等并能夠對基板101進行鍍膜處理。即，在Cu籽晶膜104的上面能夠慢慢生長具有高可靠性的鍍Cu膜107。圖5(e)表示完成鍍Cu膜107的鍍膜生長的狀態。
如上所述，如采用第3實施方式，由于在將基板101浸漬在鍍液106中之前，在去除基板101的被鍍面的Cu籽晶膜104的表面附著的微粒115的同時，提高了該表面的濕潤性，因此能夠大大降低在基板101浸漬在鍍液106時基板101吸附的氣泡的數量。此外，在開始鍍膜處理之前，由于在鍍液106中高速旋轉基板101，因此能夠去除基板101吸附的幾乎所有氣泡。因此，由于能夠避免在鍍Cu膜107中形成起因于吸附氣泡的凹痕缺陷或中空，所以能夠制造布線間不易發生短路的且具有高可靠性的電子裝置。
此外，在第3實施方式中，是在基板101浸在鍍液106中后，旋轉基板101去除氣泡。但是，也可以以比鍍膜處理工序中的旋轉數高的高速度，例如按與氣泡去除工序(基板高速旋轉氣泡去除工序)大致相同的旋轉數一邊旋轉基板101，一邊在鍍液106中浸濕基板101。
此外，在第3實施方式中，在實施氣泡去除工序時，最好使鍍液106對流(循環)。這樣，更能夠確實從基板101的表面沖走氣泡。
此外，在第3實施方式中，在實施氣泡去除工序時，最好對鍍液106外加超聲波振動。這樣，更能夠確實從基板101的表面沖走氣泡。
此外，在第3實施方式中，在氣泡去除工序，也可以不對Cu籽晶膜104外加電壓(電鍍電流)，但在氣泡去除工序中，為防止薄的Cu籽晶膜104(特別是形成在凹部的部分)在鍍液106中溶解，也可以一邊對基板101外加弱電流，一邊進行氣泡去除工序。此外，此時，外加給基板101的電壓最好是使基板101中的電鍍電流密度達到0.1～5.0mA/cm2的電壓值。而電鍍處理中的基板的通常電鍍電流密度大約在10mA/cm2以上。
此外，在第3實施方式中，在將基板101浸漬在鍍液106中之前，為去除被鍍面Cu籽晶膜104的表面附著的微粒115，對該被鍍面外加超聲波振動。但是，在本實施方式中，不特別限定去除微粒115的方法。此外，為提高該被鍍面的潤濕性，對該被鍍面提供了純水，但也可以向該被鍍面提供其他液體。此時，也可以對該其他液體外加超聲波振動。
此外，在第3實施方式中，在鍍液106中浸濕基板101，接著實施基板高速旋轉氣泡去除工序。但是，在基板高速旋轉對微細開口部(例如，被鍍面存在的凹部中的至少最小直徑的凹部)的鍍膜填埋帶來不適合時，也可以在基板101浸在鍍液106中后，對微細開口部進行鍍膜填埋，然后實施氣泡去除工序。這樣，既能夠鍍膜填埋微小中空等的微細開口部，又能夠去除氣泡。此時，假設微細開口部的開口直徑例如為0.16μm，則填埋微細開口部所需的鍍膜厚度在0.08μm以下。此外，填埋微細開口部所需的鍍膜厚度最好是在鍍膜生長結束時的最終厚度(目標厚度)的20％以下。此外，填埋微細開口部時的基板旋轉數最好比氣泡去除工序(基板高速旋轉氣泡去除工序)中的基板旋轉數低，例如是與鍍膜處理工序中的基板旋轉數大致相同的基板旋轉數。
此外，在第3實施方式中，也可以省略圖5(d)所示的氣泡去除工序。
此外，在第3實施方式中，以形成由Cu構成的布線用鍍膜為對象。但是，本實施方式當然也適合于形成由其他材料構成的其他用途的鍍膜。
第4實施方式下面，參照

本發明的第4實施方式的基板鍍膜方法。
圖6(a)～(e)是表示本發明第4實施方式的基板鍍膜方法的各工序的剖面圖。而且，在圖6(a)～(e)中，以正面朝下的狀態表示形成布線等的基板的主面。
首先，如圖6(a)所示，在基板101上依次沉積層間絕緣膜102、TaN阻擋膜103及Cu籽晶膜104。
然后，如圖6(b)所示，將該基板101夾持在基板夾持機構(圖示省略)，同時用該機構，將基板101正面朝下浸在鍍液106中。此時，在被鍍面的Cu籽晶膜104的表面吸附氣泡105。此外，鍍液106貯存在安裝有超聲波振動發生器118的電鍍液(圖示省略)中。
然后，如圖6(c)所示，將Cu籽晶膜104表面浸漬在鍍液106中，直接用超聲波振動發生器118對鍍液106外加超聲波振動。該圖6(c)所示的工序(氣泡去除工序)是本實施方式的特征，由此能夠去除Cu籽晶膜104的表面吸附的氣泡105。此時，通過實施與第1～第3實施方式相同的基板高速旋轉氣泡去除工序，即通過高速旋轉由基板夾持機構夾持的基板101，能夠進一步提高去除氣泡105的效果。此外，在圖6(b)及(c)中，為便于理解說明，放大表示氣泡105。
然后，如圖6(d)所示，通過對基板101進行通常的鍍膜處理，在Cu籽晶膜104的上面能夠慢慢生長鍍Cu膜107。圖6(e)表示完成鍍Cu膜107的電鍍生長的狀態。
如上所述，如采用第4實施方式，由于在開始鍍膜處理之前，在浸濕基板101的鍍液106中外加超聲波振動，因此能夠去除基板101吸附的微小氣泡。因此，由于能夠避免在鍍Cu膜107中形成起因于吸附氣泡的凹痕缺陷或中空，所以能夠制造布線間不易發生短路的且具有高可靠性的電子裝置。
此外，在第4實施方式中，在實施氣泡去除工序時，最好使鍍液106對流(循環)。這樣，更能夠確實從基板101的表面沖走氣泡。
此外，在第4實施方式中，作為安裝在貯存鍍液106的電鍍液的陽極電極，在采用以銅為主要成分的電極時，通過對鍍液106外加超聲波振動，有可能由陽極電極產生微粒。為防止此種情況發生，作為陽極電極的材料最好使用實質上不溶解于鍍液106的材料，例如鉑等。但是，在此種情況下，為補償因鍍銅處理造成的鍍液106中銅濃度的降低，需要通過另一途徑為鍍液106補充銅成分。
此外，在第4實施方式中，在實施氣泡去除工序時，最好使鍍液106對流(循環)。這樣，更能夠確實從基板101的表面沖走氣泡。
此外，在第4實施方式中，在將基板101浸漬在鍍液106中之前，與第2實施方式一樣，最好向被鍍面的Cu籽晶膜104的表面提供例如純水，由此提高被鍍面的潤濕性。此時，最好與第3實施方式一樣，例如可通過對純水外加超聲波振動，進一步去除該被鍍面附著的微粒。此外，即使對于在對Cu籽晶膜104表面噴吹純水時產生的大氣泡，通過采用本實施方式的超聲波振動發生器118，也能與Cu籽晶膜104表面附著的小氣泡105一同除去。
此外，在第4實施方式中，在外加超聲波的氣泡去除工序中，也可以對各電極外加電壓。換言之，也可以不對Cu籽晶膜104外加電壓(電鍍電流)。但在氣泡去除工序中，為防止薄的Cu籽晶膜104在鍍液106中溶解，也可以一邊對基板101外加弱電流，一邊進行氣泡去除工序。此外，此時，外加給基板101的電壓最好是使基板101中的電鍍電流密度達到0.1～5.0mA/cm2的電壓值。而電鍍處理中的基板的通常電鍍電流密度大致在10mA/cm2以上。
此外，在第4實施方式中，在鍍液106中浸濕基板101，接著實施外加超聲波的氣泡去除工序。但是，在超聲波振動對微細開口部(例如，被鍍面存在的凹部中的至少最小直徑的凹部)的鍍膜填埋帶來不適合時，也可以在基板101浸在鍍液106中后，對微細開口部進行鍍膜填埋，然后實施氣泡去除工序。這樣，既能夠鍍膜填埋微小中空等的微細開口部，又能夠去除氣泡。此時，假設微細開口部的開口直徑例如為0.16μm，則填埋微細開口部所需的鍍膜厚度在0.08μm以下。此外，填埋微細開口部所需的鍍膜厚度最好是在鍍膜生長結束時的最終厚度(目標厚度)的20％以下。
此外，在第4實施方式中，以形成由Cu構成的布線用鍍膜為對象。但是，本實施方式當然也適合于形成由其他材料構成的其他用途的鍍膜。
第5實施方式下面，參照

本發明的第5實施方式的基板鍍膜裝置。
圖7(a)及(b)是表示本發明第5實施方式的基板鍍膜裝置的構成的模式圖，(a)表示在鍍液中浸漬基板前的狀態，(b)表示在鍍液中浸漬基板后的狀態。
本實施方式的鍍膜裝置，如圖7(a)及(b)所示，具有貯存鍍液200的鍍液容器201。鍍液200經泵202及過濾器203從鍍液容器201送到電鍍槽204。
在電鍍槽204中設置陽極電極205和整流板206。作為本實施方式的特征之一，在電鍍槽204中設置對鍍液200外加超聲波振動的超聲波振動發生器207。此外，在電鍍槽204的外側，設置鍍液回收槽208，由此能夠使從電鍍槽204溢出的鍍液200返回鍍液容器201，重復使用。即，本實施方式的鍍膜裝置具有使鍍液200在鍍液容器201和電鍍槽204的之間循環的鍍液循環機構。
基板夾持機構210設置在電鍍槽204的上側，該機構在夾持基板209的同時，將基板209正面朝下浸漬在貯存在電鍍槽204中的鍍液200內。基板夾持機構210能夠在夾持基板209的狀態下旋轉。
圖8是基板夾持機構210夾持基板209的部分的放大圖。如圖8所示，在基板夾持機構210中，設有與基板209的被鍍面相接的陰極電極210a和為防止陰極電極210a與鍍液200接觸而與基板209的被鍍面相接的密封部210b。即，如圖7(b)所示，在貯存在電鍍槽204中的鍍液200中浸漬基板209的狀態下，通過在陽極電極205和陰極電極210a之間，即在陽極電極205與基板209的被鍍面(例如Cu籽晶層表面)之間外加電壓，能夠進行鍍膜生長。此外，作為本實施方式的特征之一，在密封部210b上支承基板209的部分與基板209的被鍍面，無相對垂直的位置關系而是有傾斜的位置關系。換言之，密封部210b與基板209被鍍面的接觸角度，從基板209的中間一側看大于90°，最好在120°以上150°以下的范圍。
此外，本實施方式的鍍膜裝置，作為其特征，如圖7(a)所示，在電鍍槽204的外側，相對于基板209的被鍍面，具有能夠供給外加超聲波振動的純水等清洗液的外加超聲波振動的清洗液噴嘴211A。此處，也可以設置在通常狀態下能夠供給清洗液的清洗液噴嘴211B，來代替能外加超聲波振動的噴嘴211A。此外，在電鍍槽204的外側(確切地講在鍍液回收槽208的外側)，設置用于回收使用過的清洗液的清洗廢液回收槽212。另外，圖7(b)表示將基板209浸漬在鍍液200中后的狀態，圖中省略了噴嘴211A或211B及清洗廢液回收槽212。
以下，說明本實施方式的特征所產生的效果。
在本實施方式中，在電鍍槽204中設置為鍍液200外加超聲波振動的超聲波振動發生器207。由此，能夠容易去除在將由基板夾持機構210夾持的基板209浸漬在貯存于電鍍槽204的鍍液200中時基板209吸附的大小幾μm的微小氣泡。
此外，在本實施方式中，如圖8所示，密封部210b與基板209的被鍍面的接觸角度大于90°。可是，如圖9所示的以往的結構那樣，如果密封部210b與基板209的被鍍面的接觸角度為90°，換言之，如果密封部210b中的支承基板209的部分與基板209的被鍍面垂直相接，則產生如下問題。即，在去除基板209的表面附著的氣泡時，例如在鍍液200中驅趕的一部分氣泡滯留在由密封部210b與基板209接觸構成的角部。其結果是，不能充分從基板209的被鍍面去除氣泡。與此相對，在本實施方式中，如圖8所示，密封部210b與基板209的被鍍面的接觸角度大于90°，密封部210b與基板209的接觸部分具有下部平緩擴展的形狀。因此，通過根據第1～第3實施方式說明的基板夾持機構210的旋轉或者電鍍槽204中的鍍液200的對流或根據第4實施方式說明的向鍍液200外加超聲波振動，向基板209的被鍍面的外側驅趕的氣泡，不像以往那樣滯留在密封部210b與基板209的接觸部分(角部)。結果，能夠很容易從基板209的被鍍面去除氣泡。
此外，在本實施方式中設置噴嘴211A或211B，其在將基板209浸漬在貯存于電鍍槽204的鍍液200中之前，對基板209的被鍍面供給如純水(或外加超聲波振動的純水)。因此，由于既能夠提高基板209的被鍍面的潤濕性，又能夠去除該被鍍面附著的微粒，所以能夠大大降低在鍍液200中浸漬基板209時基板209吸附的氣泡的數量。
下面，參照圖7(a)及(b)說明進行第1～第4實施方式的鍍膜方法時的本實施方式的鍍膜裝置的操作。
首先，將基板209裝在基板夾持機構210上。然后，在第1或第4實施方式的情況下，利用基板夾持機構210，直接將基板209浸在貯存于電鍍槽204中的鍍液200內，在第2或第3實施方式的情況下，在對基板209進行了后述的預處理后，與第1或第4實施方式一樣，將基板209浸在鍍液200內。在該預處理中，采用具有能對基板209噴吹液體的機構(例如，清洗液噴嘴等)的裝置。然后，用基板夾持機構210旋轉基板209，同時對基板209外加電壓，如此進行鍍膜的形成。另外，在第1實施方式的情況下，在外加用于鍍膜處理所需電壓之前，用基板夾持機構210，以比鍍膜處理中的旋轉數高的旋轉數，在鍍液200中旋轉基板209。此外，在第4實施方式的情況下，在外加鍍膜處理所需電壓之前，用基板夾持機構210，在鍍液200中一邊旋轉基板209，一邊用超聲波振動發生器207對貯存于電鍍槽204中的鍍液200外加超聲波振動。
下面，說明第2或第3實施方式的預處理。
在第2實施方式中，在將基板209浸在鍍液200中之前，用清洗液噴嘴211A或211B對基板209噴射如純水等。此外，在第3實施方式中，用外加超聲波振動的清洗液噴嘴211A，對基板209噴射如外加超聲波振動的純水等。這樣，在各實施方式中，在能得到提高基板209被鍍面潤濕性的效果的同時，在第3實施方式中還能夠去除在將基板209浸在電鍍液200中時附著在基板209表面的成為氣泡生成核的微粒。另外，在第2或第3實施方式中，在采用噴嘴211A或211B清洗時，如用基板夾持機構210旋轉或上下移動基板209，則能夠進一步提高清洗效果。此外，在基板209的表面附著起因于噴射純水等清洗液而產生的氣泡的情況下，在開始預處理之前，通過在貯存在電鍍槽204中的鍍液200中高速旋轉基板209，能夠去除氣泡。
如上所述，如采用本實施方式的鍍膜裝置，在去除基板209表面吸附的氣泡后，或在基板209表面不附著氣泡的狀態下，能夠對基板209進行鍍膜處理。這樣，由于能夠防止在鍍膜中形成起因于氣泡的凹痕缺陷或中空，所以能夠得到均勻的鍍膜。因此，例如在采用鍍膜作為布線用導電膜時，能夠制造布線間不易產生短路的并具有高可靠性的電子裝置。
此外，在本實施方式中，也與第4實施方式一樣，作為安裝在貯存鍍液200的電鍍槽204上的陽極電極205，在采用以銅為主要成分的電極時，通過對鍍液200外加超聲波振動，有可能由陽極電極205產生微粒。為防止此種情況發生，作為陽極電極205的材料最好使用實質上不溶解于鍍液200的材料，例如鉑等。但是，在此種情況下，為補償因鍍銅處理造成的鍍液200中銅濃度的降低，需要通過另一途徑為鍍液200補充銅成分。
此外，在本實施方式中，為向基板209的被鍍面供給純水等液體，采用噴嘴211A或211B，但不特別限定上述液體供給機構。
此外，在本實施方式中，以形成由Cu構成的布線用鍍膜為對象。但是，本實施方式當然也適合于形成由其他材料構成的其他用途的鍍膜。
如上所述，本發明的鍍膜方法及鍍膜裝置，由于具有能夠防止在鍍膜中形成凹痕缺陷或中空的效果，所以特別適用于用電鍍法形成布線等。
權利要求
1.一種基板鍍膜方法，通過將基板的被鍍面朝下浸漬在鍍液中，對所述基板進行鍍膜處理，其特征在于，具有如下處理工序在所述鍍液中，通過按第1旋轉速度旋轉所述基板，去除所述基板所吸氣泡的工序；在所述氣泡去除工序之后，在所述鍍液中，通過按比第1旋轉速度低的第2旋轉速度旋轉所述基板，對所述基板進行鍍膜處理的工序。
2.如權利要求1所述的基板鍍膜方法，其特征在于所述第1旋轉速度為100rpm以上200rpm以下。
3.如權利要求1所述的基板鍍膜方法，其特征在于所述第2旋轉速度為10rpm以上60rpm以下。
4.如權利要求1所述的基板鍍膜方法，其特征在于在所述氣泡去除工序中外加給所述基板的電流密度，比對所述基板進行鍍膜處理時外加給所述基板的電流密度小。
5.如權利要求1所述的基板鍍膜方法，其特征在于在所述氣泡去除工序之前，還包括在所述被鍍面側的所述基板上形成籽晶層的工序，所述氣泡去除工序包括防止所述籽晶層在所述鍍液中溶解的工序。
6.如權利要求1所述的基板鍍膜方法，其特征在于所述氣泡的尺寸在10μm以下。
7.如權利要求1所述的基板鍍膜方法，其特征在于在所述鍍液中，所述基板由具有與所述被鍍面接觸的電極和與所述被鍍面接觸的密封部的基板夾持機構夾持，以防止該電極與所述鍍液接觸，所述密封部與所述被鍍面的接觸角度為120°以上150°以下。
8.如權利要求1所述的基板鍍膜方法，其特征在于所述氣泡去除工序包括向所述鍍液外加超聲波振動的工序。
9.如權利要求1所述的基板鍍膜方法，其特征在于，在所述氣泡去除工序之前，還包括在所述鍍液中，將所述基板鍍膜處理到填埋設置于所述被鍍面上的凹部中至少最小直徑的凹部的工序。
10.如權利要求9所述的基板鍍膜方法，其特征在于用于填充所述最小直徑的凹部所需的鍍膜厚度為該鍍膜的目標厚度的20％以下。
11.如權利要求1所述的基板鍍膜方法，其特征在于，在所述氣泡去除工序之前，還包括一邊按所述第1旋轉速度或按比所述第2旋轉速度高的第3旋轉速度旋轉所述基板，一邊在所述鍍液中浸漬所述基板的工序。
12.一種鍍膜方法，通過將基板的被鍍面朝下浸漬在鍍液中，對所述基板進行鍍膜處理，其特征在于具有在將所述基板浸漬在所述鍍液中之前提高所述被鍍面濕潤性的工序。
13.如權利要求12所述的基板鍍膜方法，其特征在于提高所述濕潤性的工序包括向所述被鍍面提供液體的工序。
14.如權利要求13所述的基板鍍膜方法，其特征在于提高所述濕潤性的工序包括去除所述被鍍面上附著的微粒的工序。
15.如權利要求14所述的基板鍍膜方法，其特征在于去除所述微粒的工序包括對所述被鍍面外加超聲波振動的工序。
16.如權利要求14所述的基板鍍膜方法，其特征在于去除所述微粒的工序包括對所述被鍍面提供外加了超聲波振動的液體的工序。
17.如權利要求12所述的基板鍍膜方法，其特征在于，具有如下工序在提高所述濕潤性的工序之后，通過按第1旋轉速度在所述鍍液中旋轉所述基板，在去除所述基板上吸附的氣泡后，通過按比所述第1旋轉速度低的第2旋轉速度在所述鍍液中旋轉所述基板，對所述基板進行鍍膜處理的工序。
18.一種基板鍍膜裝置，其特征在于，具有貯存鍍液的電鍍槽；設置在所述電鍍槽上的第1電極；夾持作為鍍膜處理對象的基板的基板夾持機構；第2電極，其設置在所述基板夾持機構上并與所述基板的被鍍面接觸；密封部，其設置在所述基板夾持機構上并與所述被鍍面接觸，以防止所述第2電極與所述電解液接觸；液體供給機構，其在電鍍槽的外側，向所述被鍍面提供外加了超聲波振動的液體。
19.如權利要求18所述的基板鍍膜裝置，其特征在于還具有使貯存在所述電鍍槽中的所述鍍液循環的鍍液循環機構。
20.如權利要求18所述的基板鍍膜裝置，其特征在于所述基板夾持機構，是在夾持所述基板的狀態下旋轉所述基板。
21.如權利要求18所述的基板鍍膜裝置，其特征在于所述第1電極由在所述電鍍液不溶解的材料構成。
22.如權利要求18所述的基板鍍膜裝置，其特征在于所述第1電極由鉑構成。
23.如權利要求18所述的基板鍍膜裝置，其特征在于所述密封部與所述被鍍面的接觸角度為120°以上150°以下。
24.一種基板鍍膜裝置，其特征在于，具有貯存鍍液的電鍍槽；設置在電鍍槽中的第1電極；夾持作為鍍膜處理對象的基板的基板夾持機構；第2電極，其設置在所述基板夾持機構上并與所述基板的被鍍面接觸；密封部，其設置在所述基板夾持機構上并與所述被鍍面接觸，以防止第2電極與所述電解液接觸；超聲波振動外加機構，其設置在所述電鍍槽中，并為貯存在所述電鍍槽的所述鍍液外加超聲波振動。
25.如權利要求24所述的基板鍍膜裝置，其特征在于在所述電鍍槽的外側，還設有向所述被鍍面提供液體的液體提供機構。
26.如權利要求24所述的基板鍍膜裝置，其特征在于還設有使貯存在所述電鍍槽中的所述鍍液循環的鍍液循環機構。
27.如權利要求24所述的基板鍍膜裝置，其特征在于所述夾持機構，使所述基板在夾持的狀態下旋轉。
28.如權利要求24所述的基板鍍膜裝置，其特征在于所述第1電極由在所述鍍液中不溶解的材料構成。
29.如權利要求24所述的基板鍍膜裝置，其特征在于所述第1電極由鉑構成。
30.如權利要求24所述的基板鍍膜裝置，其特征在于所述密封部與所述被鍍面的接觸角度為120°以上150°以下。
全文摘要
本發明提供一種基板的鍍膜方法及鍍膜裝置，在鍍液(106)中，通過高速旋轉基板(101)去除吸附在基板(101)被鍍面的Cu籽晶膜(104)表面上的氣泡(105)。然后，在鍍液(106)中，通過低速旋轉基板(101)在Cu籽晶膜(104)上生長鍍Cu膜(107)。由此可防止在鍍膜中因被鍍面吸附的氣泡而產生的缺陷。
文檔編號H01L21/288GK1480988SQ0314754
公開日2004年3月10日 申請日期2003年7月22日 優先權日2002年7月25日
發明者平尾秀司 申請人:松下電器產業株式會社