專利名稱：層疊型光電元件的制作方法
技術領域：
本發明涉及至少具有2個以上的發電功能單位的層疊型光電元件。
背景技術：
光電元件是將入射光能量變換為電能的裝置，其中，太陽電池是將作為白色光的太陽光變換為電能的裝置，是一種以有效地變換寬波長區域的光為特征的光電元件。因此，為了實現高的變換效率，必須在整個寬的波長區域中高效地吸收光。作為其解決方法，已知有層疊具有不同帶隙的半導體層作為光有源層的元件的層疊型光電元件。在該層疊型光電元件中，在光入射側配置了使用帶隙相對大的半導體的元件以吸收能量大的短波長的光，在其下配置了使用帶隙相對小的半導體的元件，通過吸收透過了上面元件的能量低的長波長的光，在寬的波長區域中高效地吸收并利用光。
在此，重要的是，必須將適合于各光電元件的波長區域的光導入到各元件中。其原因是，各光電元件因其光有源層中使用的半導體帶隙的緣故，入射光的可利用的波長區域受到限制。即，能量比帶隙低的光子在半導體中不能被吸收和利用。此外，雖然具有比帶隙大的能量的光子可被吸收，但由于在激勵電子時能供給的電子的位能被該帶隙的大小所限制，故不能利用帶隙能量與光子能量的差分。即，在層疊型光電元件中重要的是，只使短波長區域的光入射到該光入射側的元件上，只使長波長區域的光入射到其下的元件上。
作為其解決方法的一種，已知有在上下光電元件之間設置透明導電膜作為反射層來使用的方法。例如，在特開昭63-77167號公報中公開了在各元件間設置反射短波長的光而透過長波長的光的導電層的方法。此外，在特開平2-237172號公報中公開了調整該選擇反射層的膜厚以使其反射率的峰值與光入射側光電元件的分光靈敏度的最大波長相一致來增加光入射側光電元件的電流值的方法。這些方法的目的都是防止本來打算由光入射側的光電元件吸收的短波長的光被下面的光電元件吸收從而提高光入射側的光電元件的變換效率。
現在的光電元件的效率已達到非常高的水準，以致成為很少量的能量損耗都是不容許的狀況。但是，在使用了設置上述那樣的反射層的方法的情況下，存在無論怎樣設計反射層也反射少量的長波長的光的問題。由于這樣的被反射的長波長的光不被入射側元件吸收，故或是再次輸出到外部，或是與入射光抵消，結果是不能利用這部分光。即，在現有技術中存在下述問題即使能對入射光的波長進行選擇而提高短波長的光的利用效率，而作為其弊病，使長波長的光的利用效率下降。
發明內容
本發明的目的在于提供在入射光的全部的波長區域中能高效地進行能量收集的、具有高的變換效率的光電元件。
為了達到上述的目的，本發明的層疊型光電元件是從光入射側起按順序至少層疊了第1光電元件和第2光電元件的層疊型光電元件，其特征在于在該第1光電元件與該第2光電元件之間具備以與該第1、第2光電元件導電性地串聯連接的方式設置的選擇反射層，該層疊型光電元件的結構是具有上述第2光電元件的分光特性為最大的波長λm±100nm的范圍內的某一波長的光在上述第1光電元件中進行共振的結構。
再者，較為理想的是，該層疊型光電元件的結構是具有本發明的第2光電元件的分光特性為最大的波長λm-50nm至λm+100nm的范圍內的某一波長的光在上述第1光電元件中進行共振的結構。
此外，較為理想的是，本發明的選擇反射層的反射率在橫跨上述第2光電元件的分光特性為最大的波長λm的短波長一側高而在長波長一側低。
最好使用至少具有pin型結、該i型層為非晶Si∶H的光電元件作為本發明的第1層疊型光電元件。
再者，最好使用至少具有pin型結、該i型層為微晶硅的光電元件作為本發明的第2層疊型光電元件。
此外，最好使用至少具有pn型結、該p型、n型半導體為單晶或多晶硅的光電元件作為本發明的第2層疊型光電元件。
按照本發明，由于在入射光的全部的波長區域中可高效地進行光吸收，故可提供實現高的變換效率的層疊型光電元件。
圖1是示意性地示出本發明的層疊型光電元件的一實施形態的剖面結構的概略圖。
圖2是示意性地示出本發明的層疊型光電元件的另一實施形態的剖面結構的概略圖。
圖3是示意性地示出不具備選擇反射層的層疊型光電元件的剖面結構的概略圖。
圖4是表示不具備選擇反射層的層疊型光電元件的分光靈敏度特性的光譜圖。
圖5是對表示本發明的層疊型光電元件的分光靈敏度特性的光譜與表示不具備選擇反射層的層疊型光電元件的分光靈敏度特性的光譜進行了對比的圖。
圖6是示出適合于制造本發明的層疊型光電元件的半導體層的裝置的一形態的示意圖。
圖7是示出變換效率的實施例對于比較例的比率(實施例/比較例)與λm-λp的關系的曲線圖。
具體實施例方式
以下說明本發明的層疊型光電元件的實施形態，但本發明不受這些實施形態的任何限制。
圖1是示出作為本發明的實施形態的層疊型光電元件100的剖面結構的概略圖。在金屬等的導電性基板101上按順序層疊了光反射層102、第2光電元件103、選擇反射層104、第1光電元件105和透明電極106。
關于構成第1光電元件105與第2光電元件103的光有源部的半導體，第1光電元件105由其帶隙比第2光電元件103的半導體的帶隙大的半導體構成，設計成在第1光電元件105中吸收短波長區域的光、在第2光電元件103中吸收長波長區域的光。
選擇反射層104在上述的短波長區域中的反射率高，具有使第1光電元件105的光吸收量增加的效果。
此外，圖2是示出作為本發明的另一實施形態的層疊型光電元件200的剖面結構的概略圖。在玻璃等透光性絕緣板的基板201上按順序層疊了透明電極206、第1光電元件205、選擇反射層204、第2光電元件203和導電性的光反射層202。此時，從作為透光性絕緣基板的基板201一側進行光入射。
圖3是示出除沒有具備選擇反射層104以外與本發明的層疊型光電元件100結構相同的層疊型光電元件300的剖面結構的概略圖。在金屬等導電性基板301上按順序層疊了光反射層302、第2光電元件303、第1光電元件305和透明電極306。
圖4示出層疊型光電元件300的分光靈敏度特性，橫軸表示波長，縱軸表示量子效率。在此所說的量子效率，表示在元件外部能收集的電子數對于入射到元件中的光子數的比率。分光靈敏度譜可分別分離為第1光電元件105的分光靈敏度譜401和第2光電元件103的分光靈敏度譜402。
首先，使用圖3和圖4說明層疊型光電元件300的發電工作。通過透明電極306入射的光中的波長較短的光大部分在帶隙寬的第1光電元件305中被吸收以生成載流子。因此，由于短波長的光不到達第2光電元件303，故如402中所示，第2光電元件303在短波長區域中不顯示出靈敏度。此外，由于長波長區域的光在第1光電元件305中幾乎未被吸收地透過，故本身不引起載流子的發生，如401中所示，第1光電元件305在長波長區域中完全不顯示出分光靈敏度。
但是，在兩者的中間的波長區域中，存在第1光電元件305和第2光電元件303這兩者顯示出分光靈敏度的區域。在該區域中，未被第1光電元件305吸收完的光按原樣進入第2光電元件303中。由于已進入的光具有能被吸收的充分能量，故完全被吸收。然后，由被吸收的光生成載流子，故第2光電元件303的分光靈敏度譜402上升了。
本來，即使在短波長區域中第2光電元件303單獨地也顯示出高的分光靈敏度，但由于短波長區域的光完全被第1光電元件305所吸收，故層疊型光電元件內的第2光電元件303的分光靈敏度譜402的短波長區域的部分成為被截止的形狀。此外，因此第2光電元件303的分光靈敏度譜402在第1光電元件305的分光靈敏度譜401為0的附近的波長λm處顯示出最大分光靈敏度。再有，本發明中的所謂「第2光電元件的分光特性為最大的波長」指的是該波長λm。
接著對于作為本發明的層疊型光電元件100說明其發電工作。在此，圖5是對本發明的層疊型光電元件100的分光靈敏度譜500與不具備選擇反射層104的層疊型光電元件300的分光靈敏度譜400進行了比較的圖。分光靈敏度譜501是本發明的第1光電元件105的分光靈敏度譜，分光靈敏度譜502是本發明的第2光電元件103的分光靈敏度譜。
與層疊型光電元件300相同，通過透明電極106入射的光中的波長較短的光大部分在帶隙寬的第1光電元件105中被吸收。再者，波長長的光由于吸收率下降而到達選擇反射層104。在此，入射光反射而再次返回到第1光電元件105，在該處被吸收。因此，分光靈敏度譜501在長波長部分處與分光靈敏度譜401相比靈敏度高，作為其結果，第1光電元件105可取得更大的電流。再者，如果波長變長而到達λm附近，則被選擇反射層104反射的光到達透明電極106，在該處再次被反射，在第1光電元件105內立即與入射的光開始發生干涉。
在此，由于將第1光電元件105的膜厚、折射率等光學常數設定為在λm附近引起光共振，故在第1光電元件105內不引起入射光與反射光相互間的抵消。在第1光電元件105內被增強了的光其后被引導到第2光電元件103中并在該處被吸收。因此，在分光靈敏度譜502中在λm附近可確認因干涉引起的峰值，可知該峰值的波長是在第1光電元件105內引起了光共振的波長。
順便說說，由于反射光在第1光電元件105內幾乎未被吸收，故在第1光電元件105中不引起光共振的情況下，引起入射光與反射光的抵消，這樣就損失了該光能量。
再者，在長的波長區域中，由于選擇反射層104的反射率下降，故長波長的光從最初起就進入第2光電元件103中，在該處幾乎完全被吸收。
這樣，由于本發明的層疊型光電元件在全部的波長區域中高效地進行光吸收而顯示出高的能量利用效率，故作為結果，可實現高的變換效率。
其次，詳細地說明本發明的各構成要素。
〔基板〕關于在本發明的層疊型光電元件中使用的基板，作為導電性的基板，不銹鋼等金屬基板是合適的，此外，淀積金屬等而使之具有導電性的絕緣性基板也是合適的。作為金屬基板，使用鐵氧體類的不銹鋼是合適的，作為絕緣基板，使用玻璃、陶瓷、聚酰亞胺是合適的。此外，在光從基板一側入射的情況下，使用透光性絕緣性基板、特別是玻璃是合適的。
〔反射層〕在本發明的層疊型光電元件中使用的反射層中，可使用Al、Ag、Au、Cu等的金屬或其合金的淀積膜。此外，為了進行漫反射，表面最好有凹凸。作為反射層的膜厚，可舉出10nm～幾μm作為最佳的范圍。此外，在反射層中，為了增加反射的光量，希望具備增加反射膜。
作為增加反射膜，氧化銦、氧化錫、氧化鋅等的氧化金屬是合適的。作為增加反射膜的膜厚，可舉出100nm～5000nm作為合適的范圍。
〔第2光電元件〕在本發明的層疊型光電元件中使用的第2光電元件的結中，可舉出pn結、pin結、MIS結等。此外，作為用于光有源層的半導體，可使用IV族、III-V族、II-VI族、I-III-VI2族的單晶、多晶、微晶、非晶。作為IV族，可舉出Si、Ge及其合金，作為III-V族，可舉出GaAs、GaSb、InP、InAs，作為II-VI族，可舉出CdTe、Cu2S，作為I-III-VI2族，可舉出CuInSe2等。特別是，使用pn型單晶硅、pn型多晶硅、pin型非晶SiGe∶H是合適的。使用pin型微晶硅是更合適的。再者，在非單晶型的情況下，希望p層、n層是微晶。
〔選擇反射層〕關于本發明的層疊型光電元件中使用的選擇反射層，使用氧化銦、氧化錫、氧化銦錫、氧化鋅(ZnO)是合適的。作為特別合適的材料，可舉出氧化鋅(ZnO)。可用濺射法、真空蒸鍍法、化學氣相生長法、離子鍍法、離子束法和離子束濺射法等來制造。此外，也可用來自由硝酸基或醋酸基或氨基等和金屬離子構成的水溶液的電析出法或浸漬法來制造。
此外，希望選擇反射層與第1光電元件的界面上的反射率以第2光電元件的分光特性為最大的λm為基準，在其短波長區域中變高且在其長波長區域中變低那樣的方式變化。
此外，為了提高折射率，希望選擇反射層的折射率比第1光電元件的與選擇反射層相接的部分的折射率低。
〔第1光電元件〕在本發明的層疊型光電元件中使用的第1光電元件的結中，可舉出pn結、pin型、MIS結等。此外，作為用于光有源層的半導體，可使用IV族、III-V族、II-VI族的單晶、多晶、微晶、非晶。作為IV族，可舉出Si、Ge、C及其合金，作為III-V族，可舉出AlAs、AlSb、GaN、GaP、GaAs、InP，作為II-VI族，可舉出ZnSe、ZnS、ZnTe、CdS、CdSe等。使用pin型非晶Si∶H是合適的。再者，希望p層、n層是微晶。
再者，將λm±100nm的范圍內的某一波長中的第1光電元件的折射率n與元件的膜厚d的積nd設定為滿足2Nλm＝nd(N是任意的整數)，以使第2光電元件的分光特性為最大的波長λm±100nm的光發生共振。特別是在pin型非晶Si∶H元件的情況下，以滿足2Nλm＝nd的條件為基礎，可舉出折射率n為3.0～4.5、元件的膜厚d為100nm～900nm作為合適的范圍。更為合適的是，希望折射率n為3.5～4.0、元件的膜厚d為300nm～700nm的范圍。
〔透明電極〕在本發明的層疊型光電元件中使用的透明電極可舉出氧化銦、氧化錫、氧化銦錫，可用濺射法、真空蒸鍍法、化學氣相生長法、離子鍍法、離子束法和離子束濺射法等來制造。此外，也可用來自由硝酸基或醋酸基或氨基等和金屬離子構成的水溶液的電析出法或浸漬法來制造。
實施例以下，根據附圖詳細地說明本發明的優選實施例，但本發明不限定于這些實施例。
(實施例1)作為實施例，制造了作為第1光電元件使用了i層為本征非晶Si∶H的pin型光電元件、作為第2光電元件使用了i層為本征微晶硅的pin型光電元件、作為選擇反射層使用了氧化鋅(ZnO)的層疊型光電元件(圖1)。
一般使用被稱為BA成品的平坦的不銹鋼(SUS430)作為基板101，其形狀為縱橫45mm×45mm、厚度為0.15mm，將其設置在市場上出售的直流磁控管濺射裝置(未圖示)中，進行了排氣直到壓力為10-3Pa以下。
其后，供給30sccm(在此，1sccm為流量的單位，1sccm＝1cm3/min(標準狀態))的氬氣，將壓力保持為2×10-1Pa。不加熱基板，對6inchφ的鋁靶施加120W的直流功率，在90秒間形成了70nm厚的鋁薄膜。
接著，將基板溫度加熱到300℃，將電連接轉換到6inchφ的氧化鋅靶，在30分鐘間施加500W的直流功率，淀積約3000nm的氧化鋅(ZnO)的增加反射膜，制造了基板101。
圖6是示出適合于制造本發明的層疊型光電元件的半導體層的裝置的一形態的示意圖。在圖6中，淀積膜形成裝置600主要由裝載室601、微晶硅i型層室603、非晶硅i型層RF室604、n型層RF室602、p型層RF室605和卸載室606構成。在各室間用閘閥607、608、609、610、611進行了隔離，以避免各原料氣體混合。
微晶硅i型層室603由基板加熱用的加熱器612和等離子CVD室613構成。RF室602具有n型層淀積用加熱器614和n型層淀積用的淀積室615，RF室604具有i型層淀積用加熱器616和i型層淀積用的淀積室617，RF室605具有p型層淀積用加熱器618和p型層淀積用的淀積室619。
將基板安裝在基板支持器621上，利用從外部驅動的滾輪在導軌620上移動。在等離子CVD室613中淀積微晶。在微晶的淀積中，使用微波等離子CVD法或VHF等離子CVD法。
使用這樣的淀積膜形成裝置，如表1中所示那樣，根據各層中的規定的成膜條件對半導體層進行了成膜。在此，制造了如表2中所示那樣改變了第1光電元件的非晶Si∶Hi層的膜厚的4個樣品。表1
表2
最初，在基板101上按照表1用以下的次序形成了第2光電元件103。
首先，將基板101安裝在基板支持器621上，進而安裝在裝載室601的導軌620上。然后，對裝載室601內進行排氣，使其成為幾百mPa以下的真空度。
其次，打開閘閥607，將基板支持器621移動到室602的n型層淀積室615中。在關閉了各閘閥607、608、609、610、611的狀態下，用規定的原料氣體將n型層淀積為規定的層厚。
其次，在充分地進行了排氣后，打開閘閥608，將基板支持器621移動到淀積室603中，關閉閘閥608。
其次，用加熱器612將基板加熱到規定的基板溫度，導入必要量的規定的原料氣體，成為規定的真空度，將規定的微波能量或VHF能量導入淀積室613以發生等離子體，在基板上以規定的層厚淀積微晶硅i型層。
其次，對室603充分地排氣，打開閘閥609、610，將基板支持器621從室603移動到室605。
在將基板支持器621移動到室605的p型層淀積室619后，利用加熱器618將基板加熱到所希望的溫度。以規定的流量對淀積室619供給p型層淀積用的原料氣體，一邊維持規定的真空度，一邊在淀積室619中導入RF能量，以規定的層厚淀積p型層。
與上述同樣地對淀積室619充分地排氣后，打開閘閥611，將安裝了淀積有半導體層的基板101的基板支持器621移動到卸載室606中。
其次，全部關閉閘閥，將氮氣封入卸載室606內，使基板溫度冷卻。其后，打開閘閥，取出卸載室606中的基板支持器621。
其次，從基板支持器621取下制造到第2光電元件103為止的基板101，為了形成選擇反射層104，將其設置在市場上出售的直流磁控管濺射裝置(未圖示)中，進行了排氣直到壓力為10-3Pa以下。
其后，供給30sccm的氬氣，將壓力保持為2×10-1Pa。接著，將基板溫度加熱到300℃，將電連接轉換到6inchφ的氧化鋅靶，在6分鐘間施加500W的直流功率，淀積約600nm的氧化鋅的選擇反射層。
其次，再次使用淀積膜形成裝置600，在形成了上述選擇反射層的基板101上如下述那樣制造了pin型非晶Si∶H光電元件作為第1光電元件105。
與上述同樣地在規定的條件下以規定的層厚淀積n型層。在進行了充分的排氣后，打開閘閥608、609，將基板支持器621移動到淀積室604，關閉閘閥608、609。
其次，用加熱器616將基板加熱到規定的基板溫度，導入必要量的規定的原料氣體，成為規定的真空度，將規定的RF能量導入淀積室617以發生等離子體，通過調整成膜時間按照表1在基板上以規定的層厚淀積了非晶Si∶Hi型層。對室604充分地排氣，打開閘閥610，將基板支持器621從室604移動到室605。
其次，與上述同樣地在規定的條件下以規定的層厚淀積p型層。
其次，與上述同樣地對淀積室619充分地排氣后，打開閘閥611，將安裝了淀積有半導體層的基板101的基板支持器621移動到卸載室606中。
其次，與上述同樣地從卸載室606內取出基板支持器621。
其次，從基板支持器621取下淀積了半導體層的基板101，將基板安裝在DC磁控管裝置的陽極的表面上，用不銹鋼的掩摸遮蔽試樣的周圍，使用由10重量％的氧化錫和90重量％的氧化銦構成的靶，在中央部40mm×40mm的區域中濺射氧化銦錫作為透明電極106。淀積條件如下基板溫度為170℃，作為惰性氣體，氬的流量為50sccm，氧氣流量為0.5sccm，淀積室內的壓力為300mPa，靶的每單位面積的投入功率為0.2W/cm2。在上述的條件下淀積約100秒，厚度為70nm。通過在與以前相同的條件下檢驗與淀積時間的關系來淀積，使膜的厚度為規定的厚度。
(比較例1)除了將第1光電元件的i型層的膜厚改變為540nm外，與實施例1同樣地制造了層疊型光電元件的樣品。將其定為樣品名「比1」。
(比較例2)除了將省略了形成選擇反射層的工序外，在與實施例完全相同的工序中與實施例1同樣地制造了改變了第1光電元件的i型層的膜厚的層疊型光電元件的5個樣品。在表3中示出樣品名與i型層的膜的關系。表3
對于以這種方式在實施例1、比較例1、比較例2中制造的10個樣品進行了分光靈敏度測定。
使用日本分光株式會社制的YQ-250BX來測定分光靈敏度特性。如以下那樣測定了各層疊型光電元件的第1光電元件和第2光電元件的分光靈敏度特性。
第1光電元件的分光靈敏度特性是這樣來測定的，對層疊型光電元件施加與第2光電元件在光照射時發生的電動勢相稱的偏置電壓并照射主要由第2光電元件吸收的波長區域的背景光，通過照射已被分光的參照光并觀察此時的發生電流，測定了分光靈敏度特性。
此外，第2光電元件的分光靈敏度特性是這樣來測定的，與第1光電元件同樣，施加與第1光電元件的電動勢相稱的偏置電壓并照射主要由第1光電元件吸收的波長區域的背景光，在該狀態下測定了分光靈敏度特性。
關于實施例1的4個樣品和「比1」的樣品，在第2光電元件的分光靈敏度譜中全部看到了起因于光共振的小的峰值。在表4中對于各個i層膜厚歸納了該各自的峰值波長λp與在比較例2中制造的5個樣品的層疊型光電元件的第2光電元件顯示出最大靈敏度的波長λm。表4
再者，從該分光靈敏度特性計算了各光電元件的短路光電流。關于第1光電元件的短路光電流，將太陽光的分光強度疊加到前面測定的第1光電元件的分光靈敏度譜上來計算第1光電元件的電流值。關于第2光電元件的短路光電流，將太陽光的分光強度疊加到前面測定的第2光電元件的分光靈敏度譜上來計算第2光電元件的短路光電流。在表5中歸納了這些計算結果。表5
(單位mA/cm2)其次，使用山下電裝株式會社制的YSS-150，在用AM1.5的光譜、強度為100mW/cm2進行了光照射的狀態下，測定了各個樣品的電流電壓特性。從已測定的電流電壓特性求出短路電流密度〔Jsc(mA/cm2)〕、開路電壓〔Voc(V)〕、曲性因子〔FF〕、變換效率〔Eff.(％)〕。
在表6中示出歸納了關于各個i層膜厚實施例對于比較例的比率(實施例/比較例)的這些特性值。此外，在圖7中示出從其中對于變換效率〔Eff.(％)〕與λm-λp的關系進行了作圖的情況。
表6
從表6可知，在本發明的范圍內，在具有光共振波長結構的元件、即實施例1的樣品「實a～實d」中，由于可提高Jsc而不使曲性因子下降，故可知實現了高的變換效率。此外，從圖7的曲線圖可看到，關于比較例1的「比1」的樣品，由于共振波長大幅度地偏移了，故雖然導入了選擇反射層，但與沒有導入選擇反射層的結構相比，變換效率大幅度地下降了。
權利要求
1.一種層疊型光電元件，其中，從光入射側起按順序至少層疊了第1光電元件和第2光電元件，其特征在于在該第1光電元件與第2光電元件之間具備以與該第1、第2光電元件導電性地串聯連接的方式設置的選擇反射層，該層疊型光電元件的結構是具有上述第2光電元件的分光特性為最大的波長λm±100nm的范圍內的某一波長的光在上述第1光電元件中進行共振的結構。
2.如權利要求1中所述的層疊型光電元件，其特征在于該層疊型光電元件的結構是具有上述第2光電元件的分光特性為最大的波長λm-50nm至λm+100nm的范圍內的某一波長的光在上述第1光電元件中進行共振的結構。
3.如權利要求1中所述的層疊型光電元件，其特征在于上述選擇反射層的反射率在橫跨上述第2光電元件的分光特性為最大的波長λm的短波長一側高而在長波長一側低。
4.如權利要求3中所述的層疊型光電元件，其特征在于上述第1光電元件至少具有pin型結，該i型層為非晶Si∶H。
5.如權利要求4中所述的層疊型光電元件，其特征在于上述第2光電元件至少具有pin型結，該i型層為微晶硅。
6.如權利要求4中所述的層疊型光電元件，其特征在于上述第2光電元件至少具有pn型結，該p型、n型半導體為單晶或多晶硅。
全文摘要
本發明的課題是提供在入射光的全部的波長區域中能高效地進行能量收集的、具有高的變換效率的層疊型光電元件。本發明的層疊型光電元件中從光入射側起按順序至少層疊了第1光電元件105和第2光電元件103，在該第1光電元件與第2光電元件之間具備以與該第1、第2光電元件導電性地串聯連接的方式設置的選擇反射層104，該層疊型光電元件的結構是具有第2光電元件103的分光特性為最大的波長λm±100nm的范圍內的某一波長的光在第1光電元件105中進行共振的結構。
文檔編號H01L31/0224GK1463046SQ0313645
公開日2003年12月24日 申請日期2003年5月23日 優先權日2002年5月27日
發明者岡田直人 申請人:佳能株式會社